JPS63137235A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性及び耐環
境性等が優れた電子写真感光体に関する。

［従来の技術］ 水素（Ｈ）を含有するアモルファスシリコン（以下、ａ
　−８１：Ｈと略す）は、近年、光電変換材料として注
目されておシ、太陽電池、薄膜トランジスタ、及びイメ
ージセンナ等のほか、電子写真プロセスの感光体として
応用されている。

従来、電子写真感光体の光導電層を構成する材料として
、ＣｄＳ、　ＺｎＯ１Ｓｅ、若しくは５ｓ−Ｔｅ等の無
機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ｐｖｃｚ　
）若しくはトリニトロフルオレノ７　（ＴＮＦ）等の有
機材料が使用されていた。しかしながら、ａ−８Ｉ　：
Ｈはこれらの無機材料又は有機材料に比して、無公害物
質であるため回収処理の必要がないこと、可視光領域で
高い分光感度を有すること、並びに表面硬度が高く耐磨
耗性及び耐衝撃性が優れていること等の利点を有してい
る。このため、ａ−８ｉ二Ｈは電子写真プロセスの感光
体として注目されている。

このａ−８ｉ：Ｈは、カールノン方式に基づく感光体と
して検討が進められているが、この場合、感光体特性と
して抵抗及び光感度が高いことが要求される。しかしな
がら、この両特性を単一の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、かつ光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層
型の構造にすることによシ、このような要求を満足させ
ている。

［発明が解決しようとする問題点コ ところで、ａ−８ｌ：Ｈは、通常、シラン系ガスを使用
したグロー放電分解法によシ形成されるが、この際に、
ａ−８ｔ：Ｈ膜中に水素が取り込まれ、水素値の差によ
シミ気的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−
８ｉ：Ｈ膜に侵入する水素の量が多くなると、光学的バ
ンドギャップが大きくなり、ａ−８ｉ：Ｈの抵抗が高く
なるが、それにともない、長波長光に対する光感度が低
下してしまうので、例えば、半導体レーデを搭載したレ
ーデビームプリンタに使用することが困難である。また
、ａ−８（：Ｈ膜中の水素の含有量が多くなると、成膜
条件によって、（ＳｉＨｚ）ｎ及びＳ　ｉＨ２等の結合
構造を有するものが膜中で大部分の領域を占める場合が
ある。そうすると、メイドが増加し、シリコンダングリ
ングボンドが増加するため、光導電特性が劣化し、電子
写真感光体として使用不能になる。逆に、ａ−８ｉ：Ｈ
中に取込まれる水素の量が低下すると、光学的バンドギ
ャップが小さくなシ、その抵抗が小さくなるが、長波長
光に対する光感度が増加する。

しかし、水素含有量が少ないと、シリコンダングリング
ボンドと結合してこれを減少させるべき水素が少なくな
る。このため、発生するキャリアの移動度が低下し、寿
命が短くなると共に、光導電特性が劣化してしまい、電
子写真感光体として使用し難いものとなる。

このように、電子写真感光体の光導電層を単一のａ−８
Ｉ　：Ｈ層のみで構成したのでは、ａ−８ｔ：Ｈ層の製
造条件によって特性が大きく変化し、望オしい特性が得
られないという問題がある。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされｔものであって、
帯電能が優れておシ、残留電位が低く、近赤外領域まで
の広い波長領域に亘りて感度が高く、基板との密着性が
良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供すること
を目的とする。

［発明の構成コ （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、種々研究を重ねた結果、電子写真感光体
の光導電層を電荷保持層と電荷発生層とによ多構成し、
それらの少なくとも１部を光学的バンドギャップの異な
る薄膜の積層によ多構成することによシ、上記目的を達
成し得ることを見出し、本発明を完成するに至りた。

即ち、本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と光導
電層とを具備する電子写真感光体において、前記光導電
層は電荷発生層と電荷保持層とを有し、前記電荷発生層
の少なくとも一部は微結晶シリコン薄膜と炭素、酸素お
よび窒素のうち少なくとも１種を含む微結晶シリコン薄
膜とを交互に積層して構成され、前記電荷保持層の少々
くとも一部は炭素、酸素および窒素のうち少なくとも１
種を含む非晶質シリコン薄膜と非晶質シリコン薄膜とを
交互に積層して構成されていることを特徴とする。

本発明において用いる、微結晶シリコン（以下μｃ−８
ｔと呼ぶ）は、粒径が約数十オンダストロムの微結晶の
シリコンと非晶質シリコンとの混合層によ）形成されて
いるものと考えられ、以下のような物性上の特徴を有し
ている。第一に、Ｘ線回折測定では２θが２８〜２８．
５°付近にある結晶回折／４’ターンを示し、ハローの
みが現れる無定形のａ−５１から明確に区別される。第
二に、μｃ−８１の暗抵抗は１０１０Ω・口取上に調整
することができ、暗抵抗がｌＯΩ・国のポリクリスタリ
ンシリコンからも明確に区別される。

本発明で用いる上記μｃ−８１の光学的バンドギヤラグ
（Ｅ＊’）は、例えば１．５５　ｍＶとするのが望まし
い。

しかし、一定の範囲で任意に設定することができる。望
ましＩｔ＞Ｅｇｏを得るため夫々に所要量の水素を添加
し、μｃ−８１：Ｈとして使用するのが好ましい。これ
によシ、シリコンのダングリングプントが補償され、暗
抵抗と明抵抗との調和がとれ、光導電特性が向上する。

なお、実際のμｅ−８ｔ膜は、製造条件等の具体的な要
因によって弱いＰ型またはＮ型を帯びることが多い（特
にＮ型になり易い）。そこで、超格子構造を形成するた
めに必要な！型とするために、夫々逆の導電型を有する
不純物を軽くドープして前記のＰ型ｔ７ｔはＮ型を打消
すのが望ましい。

本発明の電子写真感光体において、微結晶シリコン薄膜
および非晶質シリコン薄膜に含まれる炭素、酸素および
／または窒素の量は、好ましくは５〜４０原子チ、よシ
好ましくは１０〜３ｏ原子チである。

（作用） 本発明の電子写真感光体では、電荷発生層および電荷保
持層に前記超格子構造が設けられているため、この領域
では発生し定キャリアの寿命が長く、移動度も大きくな
る。その理論については未だ充分に確立しているとは言
えないが、超格子構造に特徴的な周期的井戸型ポテンシ
ャルによる量子効果であることは疑いがなく、これは特
に超格子効果といわれる。

こうして電荷発生層および電荷保持層でのキャリアの移
動度が大きくなシ、またキャリアの寿命が長くなるとと
Ｋよって電子写真感光体の感度は著しく向上することに
なる。

（実施列） 第１図は、本発明の一実施列に係る電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、導電性支持体１
の上に障壁層２が形成され、その上に電荷保持層５およ
び電荷発生層６からなる光導電層３が形成されている。

また、電荷発生層６の上に表面層４が形成されている。

なお、電荷保持層５および電荷発生層６はいずれも超格
子構造を有している。

第２図〜第４図は、本発明の他の実施例に係る電子写真
感光体の断面構造を示す。第２図に示す感光体では、電
荷発生層の一部が超格子構造を有し、第３図に示す感光
体では、電荷保持層の一部が超格子構造を有し、第４図
に示す感光体では、電荷発生層および゛１荷保持Ｊ―の
それぞれ一部が超格子構造を有している。

以下、第１図に示す電子写真感光体の構成について、よ
り詳細に説明する。

導電性支持体１は、通常はアルミｓ−ウム製のドラムで
構成される。

障壁層２はμｃ−８ｉやａ−８ｉ　：Ｈを用いて形成し
てもよく、まｆｔ　ａ−ＢＮ：Ｈ（窒素および水素を添
加したアモルファス硼素）を使用してもよい。更に、絶
縁性の膜を用いてもよい。例えば、μｅ−８ｉＨ及びａ
−５１：Ｈに炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸素Ｏから選択された
元素の一種以上を含有させるととによシ、高抵抗の絶縁
性障壁層を形成することができる。障壁層２の膜厚は１
００Ｘ〜１０μｍが好ましい。

上記障壁層２は、導電性支持体１と電荷発生層５との間
の電荷の流れを抑制することによシ感光体表面の電荷保
持機能を高め、感光体の帯電能を高めるために形成され
るものである。従って、半導体層を障壁層に用いてカー
ルソン方式の感光体を構成する場合には、表面に帯電さ
せた電荷の保持能力を低下させないために、障壁層２を
Ｐ型またはＮ型とする。即ち、感光体表面を正齋電させ
る場合には障壁層２をＰ型とし、表面電荷を中和する電
子が電荷発生層に注入されるのを防止する。

逆に表面を負帯電させる場合には障壁層２をＮ型とし、
表面電荷を中和するホールが電荷発生層へ注入されるの
を防止する。障壁層２から注入されるキャリアは光の入
射で電荷発生層６内に発生するキャリアに対してノイズ
となるから、上記のようにしてキャリアの注入を防止す
ることは感度の向上をもたらす。なお、μｃ−８ｉ：Ｈ
やａ−８１：Ｈｔ−Ｐ型にするためには、周期律表の第
■族に属する元素、例えば硼素Ｂ１アルミニウムＡｔ１
ガリウムＧａ。

インジウムＩｎ、及びタリウムＴｔ等をドーピングする
ことが好ましい。また、／Ｊｃ−８１：Ｈ＋ａ−８１：
ＨをＮ型にするためには周期律表の第Ｖ族に属する元素
、例えば窒素、燐Ｐ１砒素Ａｍ、アンチモンｓｂ、及び
ビスマスＢｉ等をドーピングすることが好ましい。

電荷発生層６は、光の入射によシキャリアを発生し、こ
のキャリアは、一方の極性のものが感光体表面の帯電電
荷と中和し、他方のものが電荷保持層５内を走行して導
電性支持体１に到達する。

電荷保持層５および電荷発生層６は、第５図にその断面
を拡大して示すように、μｃ−８ｔまたはａ−８ｉから
なる薄層１１とμｃ−８ｉｔたはａ−８１からなる薄層
１２とを交互に積層して構成されている。

薄層１１，１２は、光学的バンドギャップが相違し、そ
れぞれ厚みが３０〜２００Ｘの範囲にある。

第６図は横軸に厚み方向をと９、縦軸に光学的バンドギ
ャップをとって示す超格子構造のエネルギバンド図であ
る。このように、光学的バンドギャップが相互に異なる
薄層を積層することによって、光学的バンドギャップの
大きさ自体に拘シなく、光学的バンドギャップが小さい
層を基準にして光学的バンドギャップが大きな層がバリ
アとなる周期的なポテンシャルバリアを有する超格子構
造が形成される。この超格子構造においては、バリア薄
層が極めて薄いので、薄層におけるキャリアのトンネル
効果によシ、キャリアはバリアを通過して超格子構造中
を走行する。また、このような超格子構造においては、
光の入射によシ発生するキャリアの数が多い。従りて、
光感度が高い。

なお、超格子構造の薄層のバンドギャップと層厚を変更
することによシ、ヘテロ接合超格子構造を有する層のみ
かけのバンドギャップを自由に調整することができる。

電荷保持層５および電荷発生層６を構成するａ−８１：
Ｈおよびμｃ−８ｉ　：Ｈにおける木葉の含有量は、０
．０１〜３０原子チが好ましく、１〜２５原子−がより
好ましい。このような水素の含有量によシ、シリコンの
ダングリング？ンドが補償され、暗抵抗と明抵抗とが調
和のとれたものとなシ、光導電特性が向上する。

ａ−８１：Ｈ層をグロー放電分解法によシ成模するには
、原料として５ＩＲ４及び８１□Ｈ６等のシラン類ガス
を反応室に導入し、高周波によジグロー放電することに
より薄層中ＫＨを添加することができる。

必妥に応じて、シラン類のキャリアガスとして水素又は
ヘリウムをガスを使用することができる。

一方、ＳｉＦ４ガス及び５ｉｃｚ４ガス等のへロｒン化
ケイ素を原料ガスとして使用することができる。また、
シラン類ガスとハロゲン化ケイ素ガスとの混合ガスで反
応させても、同様にＨを含有するａ−８１：Ｈを成膜す
ることができる。なお、グロー放電分解法によらず、例
えば、スノやツタリング等の物理的な方法によってもこ
れ等の薄層を形成することができる。

μｃ−８１層も、ａ−８１；Ｈと同様に、高周波グロー
放電分解法によシ、シランガスを原料として、成膜する
ことができる。この場合に、支持体の温度をａ−８１：
Ｈを形成する場合よりも高く設定し、高周波電力もａ−
８ｔ：Ｈの場合よシも高く設定すると、μａ−８１：Ｈ
を形成しやすくなる。また、支持体温度及び高周波電力
を高くすることによシ、シランガスなどの原料ガスの流
量を増大させることができ、その結果、成膜速度を早く
することができる。また、原料ガスのＳｉＨ４及びｓ　
ｔ　２Ｈ６等の高次のシランガスを水素で希釈したガス
を使用することによシ、μｃ−８ｉ：Ｈを一層高効率で
形成することができる。

／Ｊｃ−８ｉ　：Ｈ及びａ−８ｉＨをｐ型にするためＫ
は、周期律表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ
１アルミニウムＡＡ、ガリウムＧａ、インジウムＩｎ、
及びタリウムＴｔ等をドーピングすることが好ましく、
μｃ−８１：Ｈ及びａ−８ｉ　：Ｈをｎ型にする九めに
は、周期律表の第Ｖ族に属する元素、例えば、窒素Ｎ、
ＩＪンＰ１ヒ素Ａ　ｓ　、アンチモンＳｂ１及びビスマ
スＢ１等をドーピングすることが好ましい。このｐ型不
純物又はｎ型不純物のドーピングによシ、支持体側から
光導電層へ電荷が移動することが防止される。

一方、μｃ−８ｔ：Ｈ及びａ−８１：Ｈに、炭素Ｃ１窒
素Ｎ及び酸素Ｏから選択された少なくとも１種の元素を
含有させることにより、高抵抗とし、表面電荷保持能力
を増大させることができる。これら元素の含有量は５〜
４０原子チ、好ましくは１０〜３０原子チである。

電荷発生層６の上に表面層４が設けられている。

電荷純生層６を構成するμｃ−８ｉ＊Ｈは、その屈折率
が３乃至３．４と比較的大きいため、表面での光反射が
起きやすい。このような光反射が生じると、光導電層又
は電荷発生層に吸収される光量の割合いが低下し、光損
失が大きくなる。このため、表面層４を設けて反射を防
止することが好ましい。

また、表面層４を設けることＫより、電荷発生層６が損
傷から保護される。さらに、表面層を形成することによ
シ、帯電能が向上し、表面に電荷がよくのるようＫなる
。表面層を形成する材料としては、ａ−８１Ｎ：Ｈ、ａ
−８１０：Ｈ、及びａ−８ｉＣ：Ｈ等の無機化合物並び
にポリ塩化ビニル及びポリアミド等の有機材料がある。

このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電により約５００ｖの正電圧で帯電させると、第７図
に示すように、Ｉテンシャルパリアが形成される。この
感光体に光（ｈν）が入射すると、電荷発生層６の超格
子構造で電子と正孔のキャリアが発生する。この伝導帯
の電子は、感光体中の電界によシ、表面層４ｉ１１１に
向けて加速され、正孔は導電性支持体１側に向けて加速
される。この場合に１電荷保持層５ではポテンシャルの
井戸層において、量子効果のために、超格子構造でない
単一層の場合に比して、キャリアの寿命が５乃至１０倍
と長い。更に、超格子構造においては、バンドギャップ
の不連続性により、周期的なバリア層が形成されるが、
キャリアはトンネル効果で容易にバイアス層を通シ抜け
るので、キャリアの実効移動度はバルクにおける移動度
と同等でめシ、キャリアの走行性が優れている。

電荷保持層５の場合も同様に、？テンシャル井戸層にお
いては、量子効果のために、超格子構造でない単一層の
場合に比して、キャリアの寿命が５乃至１０倍と長い。

ま九、超格子構造においては、バンドギャップの不連続
性によシ、周期的なバリア層が形成されるが、キャリア
はトンネル効果で容易にバイアス層を通シ抜けるので、
キャリアの実効移動度はノ々ルクにおける移動度と同等
であり、キャリアの走行性が優れている。以上のごとく
、光学的バンドギャップが相違する薄層を積層した超格
子構造によれば、高光導電特性を得ることができ、従来
の感光体よシも鮮明な画像を得ることができる。

以下に第６図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放電法によシ製造する装置、並びに製造方法を説
明する。同図において、ガスゲンペ２１，２２，２３．
２４には、例えば夫々ＳｉＨ４゜Ｂ２Ｈ６，Ｈ２，ＣＨ
４等の原料ガスが収容されている。

これらガスゲンベ内のガスは、流量調整用のパルプ２６
及び配管２１を介して混合器２８に供給されるようにな
りている。各デンベには圧力計２５が設置されておシ、
該圧力計２５を監視しつつバルブ２６を調随することＫ
よシ混合器２８に供給する各原料ガスの流量及び混合比
を調節できる。

混合器２８にて混合されたガスは反応容器２９に供給さ
れる。反応容器２９の底部３１には、回転軸３０が鉛直
方向の回シに回転可能に取付けられ　□ている。該回転
軸３０の上端に、円板状の支持台３２がその面を回転軸
３０に垂直にして固定されている。反応容器２９内には
、円筒状の電極３３がその軸中心を回転軸３０の軸中心
と一致させて底部３１上に設置されている。感光体のド
ラム基体３４が支持台３２上にその軸中心を回転軸３０
の軸中心と一致させて載置されており、このドラム基体
３４の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３５が配設さ
れている。電極３３とドラム基体３４との間には高周波
電源３６が接続されておシ、電極３３およびｒラム基体
３４間に高周波電流が供給されるようになりている。回
転軸３０はモータ３８によシ回転駆動される。反応容器
２９内の圧力は圧力計３７によシ監視され、反応容器２
９はダートパルプ３８を介して真空ポンプ等の適宜の排
気手段に連結されている。

上記製造装置によシ感光体を製造する場合には、反応容
器２９内にドラム基体３４を設置した後、ｆ−）パルプ
３９を開くして反応容器２９内を約０．１トルの圧力以
下に排気する。次いで、ボンベ２１．２２，２３．２４
から所要の反応ガスを所定の混合比で混合して反応容器
２９内に導入する。

この場合に、反応容器２９内に導入するガス流量は反応
容器２９内の圧力が０．１乃至１．０トルになるように
設定する。次いで、モータ３８を作動させてドラム基体
３４を回転させ、ヒータ３５によシトラム基体３４を一
定温度に加熱すると共に、高周波電源３６により電極３
３とドラム基体３４との間に高周波電流を供給して、両
者間にグロー放電を形成する。これにより、ドラム基体
３４上にａ−８１：Ｈが堆積する。なお、原料ガス中に
Ｎ２０゜ＮＨ，、ＮＯ２，Ｎ２．　ＣＨ４，Ｃ２Ｈ４，
Ｏ□ガス等を使用することＫより、これらの元素をａ−
３ｉ　：Ｈ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で製造することができるため、
人体に対して安全である。

次に、この発明に係る電子写真感光体を成膜し、寛子与
真特性を試験した結果について説明する。

試験例１ 必要に応じて、干渉防止の友めに、酸処理、アルカリ処
理及びサンドブラスト処理を施した直径が８０雪、幅が
３５０瓢のアルミニウム製ドラム基体を反応容器内に装
着し、反応容器を約１０−５トルの真空度に排気した。

ドラム基体を２５０Ｃに加熱し、１０　ｒｐｍで自転さ
せつつ、５ＩＨ４ガスを５００　ＳＣＣＭ、　Ｂ２Ｈ６
ガスをＳ　ｉＨ４ガスに対する流量比テ１ｏ−５、ＣＨ
４ガスを１１００５ＣＣという流量で反応容器内に導入
し、反応容器内の圧力を１トルに調節した。そして、１
３．５６　ＭＨｚの高周波電力を印加してプラズマを生
起させ、ドラム基体上にｐ型のａ−８ＩＣ：Ｈ障壁層を
形成した。

次に、放電を一旦停止し、ＮＨ，、ｆス流量を１２０８
ＣＣＭ導入し、反応圧力を１．２トルに調節し、５００
Ｗの高周波電力を印加して、１００１　Ｏａ−８ＩＮ：
Ｈ薄層を形成した。次いで、ＳｉＨ４ガスを５００８Ｃ
ＣＭの流量で、Ｂ２Ｈ６をＳ　ｉＨ４ガスに対する流量
比で１０−７となるような流量で反応容器内に導入し、
５００Ｗの高周波電力を印加して、１００Ｘのａ−８ｉ
　：Ｈ薄層を形成した。このような操作を繰シ返して、
６００層のａ−８ＩＮ：Ｈ薄層と６００層のμａ−８ｌ
：Ｈ薄層とを交互に積層し、ペテロ接合超格子構造の電
荷保持層を１２μｍ形成した。

次いで、５ＩＨ４ガスを５０ＳＣＣＭ、　　Ｈ２ガスを
４５０８ＣＣＭという流量で反応容器内に導入し、反応
容器内を１．２トルに調節し、８００Ｗの高周波電力を
印加して１００Ｘのμｅ−８ｉ：Ｈ薄層を形成した。次
に、更Ｋ　ＣＦ４ガスを２８００Ｍ導入し、１００　Ｘ
１７）ｍ−８ＩＣ：Ｈ薄層を形成した。このような操作
を繰返してμｃ−８１：Ｈ８層とＡＣ−８ｉＣ：Ｈ薄層
を交互に積層し、５μｍのへテロ接合超格子構造の電荷
発生層を形成した。

最後に、０．５μｍのａ−８ｉ二Ｈ表面層を形成した。

このようにして形成した感光体表面を約５００Ｖで正帯
電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収
され、電子正孔対のキャリアが発生する。この試験例に
おいては、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が
高く、高い走行性が得られた。これにより、鮮明で高品
質の画像が得られた。また、この試験例で製造された感
光体を、繰返し帯電させたところ、転写画像の再現性及
び安定性は極めて良好であシ、更に、耐コロナ性。

耐湿性、及び耐磨耗性等の耐久性が優れていることが実
証された。

このようＫして製造された感光体は、半導体レーデの発
振波長である７８０乃至７９０層ｍの長波長光に対して
も高い感度を有する。この感光体ｔ半導体レーデプリン
タに搭載してカールノンプロセスによシ画像を形成した
ところ、感光体表面の露光量が２５　ｅｒｇ　ｃｍ２で
ある場合でも、鮮明で高解偉度の画像を得ることができ
た。

試験列２ 電荷保持層の構成層の一つである１００Ｘのａ−８ｉＮ
：Ｈ薄層の代わシに１００Ｘのａ−８ＩＣ：Ｈ薄層を形
成したことを除すて、試験例１と同様にして電子写真感
光体を製造した。

なお、ａ−８ｉＣ：Ｈ薄層は、ＣＨ４ガス流量を７５Ｓ
ＣＣＭに設定し、反応容器内圧力を１．２トルに調節し
、５００Ｗの高周改電力を印加することにより得られた
。

この感光体を繰返し帯電したところ、転写画像の再現性
及び安定性が高く、耐コロナ性、耐湿性、及び耐磨耗性
などの耐久性が優れていた。

なお、上記試験例においては、電荷発生層の厚みが５μ
ｍであったが、これに限らず、１又は３μｍ等に設定し
ても感光体として実用可能である。

また、薄層の種類は、上記試験例のように２８［類に限
らず、３鴇類以上の薄層を積層しても良く、要するに、
光学的／Ｓンドギャップが相違する薄層の境界を形成す
れば良い。

［発明の効果コ この発明によれば、光導電層の一部又は全部に、光学的
バンドギャップが相互に異なる薄層を積層して構成され
る超格子構造を使用するから、可視光から近赤外光の広
い波長領域に亘って昼感度であシ、キャリアの走行性が
高いと共に、高抵抗で帯！特性が優れた電子写真感光体
を得ることができる。特に、この発明においては、薄層
を形成する材料を適宜組み合わせることによシ、任意の
波長脩の光に対して最適の光導１！特性を有する感光体
を得ることができるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体を示す
断面図、第２図〜第４図は同じく他の実施列に係る電子
写真感光体を示す断面図、第５図は第１図及び第４図の
一部拡大断面図、第６図は超格子構造のエネルギバンド
を示す図、第７図はこの発明の実施例に係る電子写真感
光体の製造装置を示す図、第８図は感光体のエネルギギ
ヤラグを示す模式図である。 １・・・導電性支持体、２・・・障壁層、３・・・光導
電層、４・・・表面層、５・・・電荷輸送層、６・・・
電荷発生層、１１．１２・・・薄層。 出顔人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦第１図　　　
　第２図 第３図　　　　第４図 第５図 １、事件の表示 特願昭６１−２８３０８５号 ２、発明の名称 電子写真感光体 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 （３０７）　　株式会社　東芝　（ほか１名）４、代理
人 東京都千代田区霞が関３丁目７番２号　ＵＢＥビル”’
−Ｍ；・・・・４ワ ７、補正の内容 （１）　　明細書第８頁第２行目〜第７行目の「なお、
実際のμｃ−３ｉ膜は、・・・・・・望ましい。」を削
除する。 （２）同頁第１１行目の「５〜４０原子％、より好まし
くは１０〜３０原子」を「０．１〜４０原子％、より好
ましくは０．５〜２５原子」と訂正する。 （３）　　明細書第１０頁第９行目の「μｃ−８ｉＨＪ
を「μｃ−３ｔ：ＨＪと訂正する。 （４）　　明細書第１１頁第１６行目の「窒素」を「窒
素Ｎ」と訂正する。 （５）　　明細書第１５頁第１４行目の「５〜４０原子
％、より好ましくは１０〜３０」を「０．１〜４０原子
％、好ましくは０．５〜２５」と訂正する。 （６）　　明細書第２２頁第１行目の「ＣＦ４」をｒｃ
Ｈ４Ｊと訂正する。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と光導電層とを具備する電子写真感
   光体において、前記光導電層は電荷発生層と電荷保持層
   とを有し、前記電荷発生層の少なくとも一部は微結晶シ
   リコン薄膜と炭素、酸素および窒素のうち少なくとも１
   種を含む微結晶シリコン薄膜とを交互に積層して構成さ
   れ、前記電荷保持層の少なくとも一部は炭素、酸素およ
   び窒素のうち少なくとも１種を含む非晶質シリコン薄膜
   と非晶質シリコン薄膜とを交互に積層して構成されてい
   ることを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）前記微結晶シリコン薄膜および非晶質シリコン薄
   膜の膜厚は、３０〜２００Åであることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
3. （３）前記光導電層は、周期律表第III族又は第Ｖ族に
   属する元素から選択された少なくとも一種を含むことを
   特徴とする特許請求の範囲第１又は２項記載の電子写真
   感光体。
4. （４）前記導電性支持体と光導電層との間に、非晶質材
   料又は少なくとも一部が微結晶化した半導体材料からな
   る障壁層を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の電子写真感光体。
5. （５）前記障壁層は、周期律表第III族又は第Ｖ族に属
   する元素から選択された少なくとも一種を含むことを特
   徴とする特許請求の範囲第４項記載の電子写真感光体。
6. （６）前記障壁層は、炭素、酸素および窒素からなる群
   から選択された元素の少なくとも一種を含むことを特徴
   とする特許請求の範囲第４項記載の電子写真感光体。
7. （７）前記光導電層の上に表面層を有することを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。