JPS63137237A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性及び耐環
境性等が優れた電子写真感光体に関する。

［従来の技術］ 水素（Ｈ）を含有するアモルファスシリコン（以下、ａ
−８ｌ：Ｈと略す）は、近年、光電変換材料として注目
されており、太陽電池、薄膜トランゾスタ、及びイメー
ジセンナ等のほか、電子写真プロセスの感光体として応
用されている。

従来、電子写真感光体の光導電層を構成する材料として
、ＣｄＳ　ｓ　ＺｎＯｓ　Ｂｅ　、若しくはＳ＠−ＴＩ
等の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ｐｖ
ｃｚ　）若しくはトリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等
の有機材料が使用されていた。しかしながら、ａ−８１
：Ｈはこれらの無機材料又は有機材料に比して、無公害
物質である九め回収処理の必要がないこと、可視光領域
で高い分光感度を有すること、並びに表面硬度が高く耐
磨耗性及び耐衝撃性が優れていること等の利点を有して
いる。このため、ａ−８１：Ｈは電子写真プロセスの感
光体として注目されている。

このａ−８１：Ｈは、カールソン方式に基づく感光体と
して検討が進められているが、この場合、感光体特性と
して抵抗及び光感度が高いことが要求される。しかしな
がら、この両特性を単一の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、かつ光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層
型の構造に、することにエリ、このような要求を満足さ
せている。

［発明が解決しようとする問題点］ ところで、ａ−８１：Ｈは、通常、シラン系ガスを使用
し九グロー放電分解法により形成されるが、この際に、
ａ−８ｉ：Ｈ膜中に水素が取り込まれ、水素量の差にエ
リ電気的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−
８ｉ：Ｈ膜に侵入する水素の量が多くなると、光学的バ
ンドギャップが大きくなり、ａ−８ｌ：Ｈの抵抗が高く
なるが、それにともない、長波長光に対する光感度が低
下してしまうので、例えば、半導体レーデを搭載したレ
ーザビームプリンタに使用することが困難である。

また、ａ−８１：Ｈ膜中の水素の含有量が多くなると、
成膜条件によって’　　（Ｓ　ｉＨ２）ｎ及び５ＩＨ２
等の結合構造を有するものが膜中で大部分の領域を占め
る場合がある。そうすると、Ｉイドが増加し、シリコン
ダンダリングゲンドが増加するため、光導電特性が劣化
し、電子写真感光“体として使用不能になる。逆に、ａ
＝ｓｉ：Ｈ中に取込まれる水素の量が低下すると、光学
的バンドギャップが小さくなり、その抵抗が小さくなる
が、長波長光に対する光感度が増加する。しかし、水素
含有量が少ないと、シリコンダングリングＲンドと結合
してこれを減少させるべき水素が少なくなる。このため
、発生するキャリアの移動度が低下し、寿命が短くなる
と共に、光導電特性が劣化してしまい、電子写真感光体
として使用し難いものとなる。

この工うに、電子写真感光体の光導電層を単一のａ−Ｓ
ｉ：Ｈ層のみで構成したのでは、ａ−８ｔ：　Ｈ層の製
造条件によって特性が大きく変化し、望ましい特性が得
られないという問題がある。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、
帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域まで
の広い波長領域に亘って感度が高く、基板との密着性が
良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供すること
を目的とする。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、種々研冗を重ねた結果、電子写真感光体
の光導電層を電荷保持層と電荷発生層とにより構成し、
それらの少なくとも１部を光学的バンドギャップの異な
る薄膜の積層にエリ構成することによシ、上記目的を達
成し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と光導
電層とを具備する電子写真感光体において、前記光導電
層は電荷発生層と電荷保持層とを有し、前記電荷発生層
の少なくとも一部は非晶質シリコン薄膜と炭素、酸素お
よび窒素のうち少なくとも１種を含む非晶質シリコン薄
膜とを交互に積層して構成され、前記電荷保持層の少な
くとも一部は炭素、面素および窒素のうち少なくとも１
種を含む非晶質シリコン薄膜と微結晶シリコン薄膜とを
交互に積層して構成されていることを特徴とする。

本発明において用いる、微結晶シリコン（以下μｃ　−
Ｓｉと呼ぶ）は、粒径が約数十オンゲストロムの微結晶
のシリコンと非晶質シリコンとの混合層により形成され
ているものと考えられ、以下の工うな物性上の特徴を有
している。第一に、Ｘ線回折測定では２θが２８〜２８
．５°付近にある結晶回折／音ターンを示し、ハローの
みが現れる無定形のａ−３ｉから明確に区別される。第
二に、μｃ−ｓｉの暗抵抗は１０　　Ω・α以上に調整
することができ、暗抵抗がｌＯΩ・傭のポリクリスタリ
ンシリコンからも明確に区別される。

本発明で用いる上記μｃ　−Ｓｔの光学的パンドギャッ
ｆｃＥｇ”）は、例えば１．５５　ｓＶとするのが望ま
しい。しかし、一定の範囲で任意に設定することができ
る。望ましいＥｇｏを得るため夫々に所要量の水素を添
加し、μｃ−Ｓｉ：Ｈとして使用するのが好ましい。こ
れにより、シリコンのダングリングがンドが補償され、
暗抵抗と明抵抗との調和がとれ、光導電特性が向上する
。

なお、実際のμｅ−８１膜は、製造条件等の具体的な要
因によって弱いＰ型またはＮ型を帯びることが多い（特
にＮ型になシ易い）。そこで、超格子構造を形成するた
めに必要な１型とするために、夫々逆の導電型を有する
不純物を軽くドープして前記のＰ型またはＮ型を打消す
のが望ましい。

本発明の電子写真感光体において、微結晶シリコン薄膜
および非晶質シリコン薄膜に含まれる炭素、酸素および
／または窒素の景は、好ましくは５〜４０原子チ、より
好ましくは１０〜３０原子チである。

（作用） 本発明の電子写真感光体では、電荷発生層および電荷保
持層に前記超格子構造が設けられているため、この領域
では発生したキャリアの寿命が長く、移動度も大きくな
る。その理論については未だ充分に確立しているとは言
えないが、超格子構造に特徴的な周期的井戸型ポテンシ
ャルによる量子効果であることは疑いがなく、これは特
に超格子効果といわれる。

こうして電荷発生層および電荷保持層でのキャリアの移
動度が犬きくな９、またキャリアの寿命、が長くなるこ
とによりて電子写真感光体の感度は著しく向上すること
になる。

（実施例） 第１図は、本発明の一実施例に係る電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、導電性支持体１
の上に障壁層２が形成され、その上に電荷保持層５およ
び電荷発生層６からなる光導電層３が形成されている。

また、電荷発生層６の上に表面層４が形成されている。

なお、電荷保持層５および電荷発生層６はいずれも超格
子構造を有している。

第２図〜第４図は、本発明の他の実施例に係る電子写真
感光体の断面構造を示す、第２図に示す感光体では、電
荷発生層の一部が超格子構造を有し、第３図に示す感光
体では、電荷保持層の一部が超格子構造を有し、第４図
に示す感光体では、電荷発生層および電荷保持層のそれ
ぞれ一部が超格子構造を有している。

以下、第１図に示す電子写真感光体の構成について、よ
シ詳細に説明する。

導電性支持体１は、通常はアルミニウム製のドラムで構
成される。

障壁層２はμｃ−８１やａ−８１：Ｈを用いて形成して
もよく、またａ−ＢＮ：Ｈ（窒素および水素を添加した
アモルファス硼素）を使用してもよい。更に、絶Ｒ性の
膜を用いてもよい。例えば、μｅ−８ｉＨ及びａ−８ｔ
：Ｈに炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸素０から選択された元素の
一種以上を含有させることによシ、高抵抗の絶縁性障壁
層を形成することができる。障壁層２の膜厚は１００Ｘ
〜１０Ａｔｒｎが好ましい。

上記障壁層２は、導電性支持体１と電荷発生層５との間
の電荷の流れを抑制することによ）感光体表面の電荷保
持機能を高め、感光体の帯電能を高めるために形成され
るものである。従って、半導体層を障壁層に用いてカー
ルンン方式の感光体を構成する場合には、表面に帯電さ
せた電荷の保持能力を低下させないために、障壁層２を
Ｐ型またはＮ型とする。即ち、感光体表面を正帯電させ
る場合には障壁層２をＰ型とし、表面電荷を中和する電
子が電荷発生層に注入されるのを防止する。

逆に表面を負帯電させる場合には障壁層２をＮ型とし、
表面電荷を中和するホールが電荷発生層へ注入されるの
を防止する。障壁層２から注入されるキャリアは光の入
射で電荷発生層６内に発生するキャリアに対してノイズ
となるから、上記のようにしてキャリアの注入を防止す
ることは感度の向上をもたらす。なお、μｃ−８１：Ｈ
やａ−８ｔ　：Ｈｔ−Ｐ型にするためには、周期律表の
第■族に属する元素、例えば硼素Ｂ、アルミニウムＡＡ
、ガリウムＧ＆、インジウムＩｎ、及びタリウムＴｔ等
をドーピングすることが好ましい、また、μｃ−８１：
Ｈやａ−８ｉ：ＨをＮ型にするためには周期律表の第Ｖ
族に属する元素、例えば窒素、燐Ｐ、砒素Ａｓ、アンチ
モンｓｂ、及びビスマスＢｉ等をドーピングすることが
好ましい。

電荷発生層６は、光の入射によりキャリアを発生し、こ
のキャリアは、一方の極性のものが感光体表面の帯電電
荷と中和し、他方のものが電荷保持層５内を走行して導
電性支持体１に到達する。

電荷保持層５および電荷発生層６は、第５図にその断面
を拡大して示すように、μｃ−８ｌまたはａ−８１から
なる薄層１１とμｃ−８１−！たはａ−８ｉからなる薄
層１２とを交互に積層して構成されている。

薄層１１．１２は、光学的バンドギャップが相違し、そ
れぞれ厚みが３０〜２００Ｘの範囲にある。

第６図は横軸に厚み方向をとシ、縦軸に光学的バンドギ
ャップをとって示す超格子構造のエネルギバンド図であ
る。このように、光学的バンドギャップが相互に異なる
薄層を積層することによって、光学的バンドギャップの
大きさ自体に拘υなく、光学的バンドギャップが小さい
層を基準にして光学的バンドギャップが大きな層がバリ
アとなる周期的なポテンシャルバリアを有する超格子構
造が形成される。この超格子構造においては、バリア薄
層が極めて薄いので、薄層におけるキャリアのトンネル
効果によシ、キャリアはバリアを通過して超格子構造中
を走行する。また、このような超格子構造においては、
光の入射によシ発生するキャリアの数が多い。従って、
光感度が高い。

なお、超格子構造の薄層のバンドギャップと層厚を変更
することによシ、ペテロ接合超格子構造を有する層のみ
かけのバンドギャップを自由に調整することができる。

電荷保持層５および電荷発生層６を構成するａ−８１：
Ｈおよびμｃ−８１：Ｈにおける水素の含有量は、０．
０１〜３０原子チが好ましく、１〜２５原子チがよシ好
ましい、このような水素の含有量によシ、シリコンのダ
ングリング♂ンドが補償され、暗抵抗と明抵抗とが調和
のとれたものとなシ、光導電特性が向上する。

ａ−８１：Ｈ層をグロー放電分解法により成膜するには
、原料として５ＩＨ４及びＳ１□Ｈ６等のシラン類ガス
を反応室に導入し、高周波によジグロー放電することに
よシ薄層中にＨを添加することができる。

必要に応じて、シラン類のキャリアガスとして水素又は
ヘリウムｆｒ、ガスを使用することができる。

一方、ＳｉＦ４ガス及び５ｉＣｔ４ガス等のハロｒノ化
ケイ素を原料ガスとして使用することができる。また、
シラン類ガスとハロダン化ケイ素ガスとの混合ガスで反
応させても、同様にＨを含有するａ−８１：Ｈを成膜す
ることができる。なお、グロー放電分解法によらず、例
えば、スパッタリング等の物理的な方法によってもこれ
等の薄層を形成することができる。

μｃ−８１層も、ａ−８ｔ：Ｈと同様に、高周波グロー
放電分解法によシ、シラノガスを原料として、成膜する
ことができる。この場合に、支持体の温度をａ−ｓｉ　
ＳＲを形成する場合よりも高く設定し、高周波電力もａ
−８１：Ｈの場合よシも高く設定すると、μｃ−８１：
Ｈを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高周波電
力を高くすることによシ、シランガスなどの原料ガスの
流ｆ１を増大させることができ、その結果、成膜速度を
早くすることができる。また、原料ガスのＳｉＨ４及び
Ｓ１□Ｈ６等の高次のシランガスを水素で希釈したガス
を使用することによシ、μｃ−８ｔ：Ｈを一層高効率で
形成することができる。

μｃ−８ｉ：Ｈ及びａ−８ｉ　：Ｈｌ−ｐ型にするため
には、周期律表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素
Ｂ、アルミニウムＡｔ、ガリウムＧａ、インジウムＩｎ
、及びタリウムＴｔ等をドーピングすることが好ましく
、μｃ−８ｉ：Ｈ及びａ−８１：Ｈをｎ型にするために
は、周期律表の第■族に属する元素、例えば、窒素Ｎ、
リンＰ、ヒ素Ａｓ、アンチモンＳｂ、及ヒビスマス８１
等をドーピングすることが好ましい。このｐ型不純物又
はｎ型不純物のドーピングにより、支持体側から光導電
層へ電荷が移動することが防止される。

一方、μｃ−８１：Ｈ及びａ−８１：Ｈに、炭素Ｃ１窒
素Ｎ及び酸素０から選択された少なくとも１種の元素を
含有させることによシ、高抵抗とし、表面電荷保持能力
を増大させることができる。これら元素の含有量は５〜
４０原子チ、好ましくは１０〜３０原子チである。

電荷発生層６の上に表面層４が設けられている。

電荷発生層６を構成するａ−８１：Ｈは、その屈折率が
３乃至３．４と比較的大きいため、表面での光反射が起
きやすい。このような光反射が生じると、光導電層又は
電荷発生層に吸収される光量の割合いが低下し、光損失
が大きくなる。このため、表面層４を設けて反射を防止
することが好ましい。また、表面層４を設けることによ
り、電荷発生層６が損傷から保護される。さらに、表面
層を形成することにより、帯電能が向上し、表面に電荷
がよくのるようになる。表面層を形成する材料としては
、ａ−８ＩＮ：Ｈ，ａ−８１０：Ｈ、及びａ−８ｉＣ：
Ｈ等の無機化合物並びにポリ塩化ビニル及びポリアミド
等の有機材料がある。

このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電により約５ｏｏｖの正電圧で帯電させると、第７図
に示すように、ポテンシャルバリアが形成される。この
感光体に光（ｈν）が入射すると、電荷発生層６の超格
子構造で電子と正孔のキャリアが発生する。この伝導帯
の電子は、感光体中の電界によシ、表面層４側に向けて
加速され、正孔は導電性支持体１側に向けて加速される
。この場合に、電荷保持層５ではポテンシャルの井戸層
において、量子効果のために、超格子構造でない単一層
の場合に比して、キャリアの寿命が５乃至１０倍と長い
。更に、超格子構造においては、バンドギャップの不連
続性によシ５周期的なバリア層が形成されるが、キャリ
アはトンネル効果で容易にバイアス層を通シ抜けるので
、キャリアの実効移動度はバルクにおける移動度と同等
であシ、キャリアの走行性が優れている。

電荷保持層５の場合も同様に、ポテンシャル井戸層にお
いては、量子効果のために、超格子構造でない単一層の
場合に比して、キャリアの寿命が５乃至１０倍と長い。

また、超格子構造においては、バンドギャップの不連続
性によう、周期的なバリア層が形成されるが、キャリア
はトンネル効果で容易にバイアス層を通シ抜けるので、
キャリアの実効移動度はバルクにおける移動度と同等で
あシ、キャリアの走行性が優れている。以上のごとく、
光学的パ／ドギャ、７°が相違する薄層を積層した超格
子構造によれば、高光導電特性を得ることができ、従来
の感光体よシも鮮明な画像を得ることができる。

以下に第６図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放電法によシ製造する装置、並びに製造方法を説
明する。同図において、ガスゴンペ２１，２２，２３．
２４には、例えば夫々ＳｉＨ４ｒＢ２Ｈ６、Ｈ２＃　Ｃ
Ｈ４等の原料ガスが収容されている。

これらガスゲンペ内のガスは、流量調整用のバルク２６
及び配管２７を介して混合器２８に供給されるようにな
りている。各がンペには圧力計２５が設置されており、
該圧力計２５を監視しつつパルプ２６を調整することに
よシ混合器２８に供給する各原料ガスの流量及び混合比
を調節できる。

混合器２８にて混合されたガスは反応容器２９に供給さ
れる。反応容器２９の底部３１には、回転軸３０が鉛直
方向の回シに回転可能に取付けられている。該回転軸３
０の上端に１円板状の支持台３２がその面を回転軸３０
に垂直にして固定されている。反応容器２９内には、円
筒状の電極３３がその軸中心を回転軸３０の軸中心と一
致させて底部３１上に設置されている。感光体のドラム
基体３４が支持台３２上にその軸中心を回転軸３０の軸
中心と一致させて載置されており、このドラム基体３４
の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３５が配設されて
いる。電極３３とドラム基体３４との間には高周波電源
３６が接続されておシ、電極３３およびドラム基体３４
間に高周波電流が供給されるようになっている。回転軸
３ｏはモータ３Ｂによシ回転駆動される。反応容器２９
内の圧力は圧力計３２によシ監視され、反応容器２９は
ダートパルプ３８を介して真空ポンプ等の適宜の排気手
段に連結されている。

上記製造装置によシ感光体を製造する場合には、反応容
器２９内にドラム基体３４を設置した後、ダートパルプ
３９を開にして反応容器２９内を約０．１トルの圧力以
下に排気する。次いで、がンベ２１．２２，２３，２４
から所要の反応ガスを所定の混合比で混合して反応容器
２９内に導入する。

この場合に、反応容器２９内に導入するガス流量は反応
容器２９内の圧力が０．１乃至１．Ｏトルになるように
設定する。次いで、モータ３８を作動させてドラム基体
３４を回転させ、ヒータ３５によシトラム基体３４を一
定温度に加熱すると共に、高周波電源３６によシミ極３
３とドラム基体３４との間に高周波電流を供給して、両
者間にグロー放電を形成する。これにより、ドラム基体
３４上に＆−８１：Ｈが堆積する。なお、原料ガス中に
Ｎ２０゜ＮＨ３，ＮＯ２，Ｎｌ　、　ＣＨ４，Ｃ２Ｈ４
，０２ガス等を使用することによυ、これらの元素をａ
−８ｔ：Ｈ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で製造することができるため、
人体に対して安全である。

次に、この発明に係る電子写真感光体を成膜し、電子写
真特性を試験した結果について説明する。

試験例１ 必要に応じて、干渉防止のために、酸処理、アルカリ処
理及びサンドブラスト処理を施した直径が８０ｍ、＠が
３５０瓢のアルミニウム製ドラム基体を反応容器内に装
着し、反応容器を約１０−５トルの真空度に排気した。

ドラム基体を２５０℃に加熱し、１０　ｒｐｍで自転さ
せつつ、５ｉＨ４ｆｆスを５００　ＳＣＣＭ、　Ｂ２Ｈ
６Ｗ　スをＳｉＨ４ガスに対する流量比で１０．ＣＨ４
がスを１００　ＳＣＣＭという流量で反応容器内に導入
し、反応容器内の圧力を１トルに調節した。そして、１
３．５６　ＭＨｚの高周波電力を印加してプラズマを生
起させ、ドラム基体上ＫＰ型のａ−８ｉＣ：Ｈ障壁層を
形成した。

次に、放電を一旦停止し、正、ガス流量を１２０ＳＣＣ
Ｍ導入し、反応圧力を１．２トルに調節し、５００Ｗの
高周波電力を印加して、１００Ｘのａ−８１ＮＳＨ薄層
を形成した。次いで、ＳｉＨ４ガスを５０８ＣＣＭＨ２
ガスを５００８ＣＣＭという流量で反応容器内に導入し
、反応容器内の圧力を１．２トルに調節したのち、６０
０Ｗの高周波電力を印加し、１００Ｘのμｅ−８１：Ｈ
薄層を形成した。このような操作を繰返して、６００層
のａ−８ＩＮ：薄層と６００層のａ−８１：Ｈ薄層とを
交互に積層し、ヘテロ接合超格子構造の電荷保持層を１
２μｍ形成した。

次いで、ＳｉＨ４ガスを５００８ＣＣＭの流量で、Ｂ２
Ｈ６を５ＩＲ４７ｒスに対する流量比でｌｏ−７となる
ような流量で反応容器内に導入して反応容器内を１．２
トルとし、５００Ｗの高周波電力を印加して、１００Ｘ
のｍ−８ｌ：Ｈ薄層を形成した。次に、更にＣＦ４ガス
を２０８ＣＣＭ導入し、５０Ｘのａ−８ＩＣ：Ｈ薄層を
形成した。このような操作を繰返してａ−８１：Ｈ薄層
とａ−８ＩＣ：Ｈ薄層とを交互に積層し、５μｍのへテ
ロ接合超格子構造の電荷発生層を形成した。

最後に、０．５μｍのａ−８１：Ｈ表面層を形成した。

このようにして形成した感光体表面を約５ｏｏｖで正帯
電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収
され、電子正孔対のキャリアが発生する。この試験例に
おいては、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が
高く、高い走行性が得られた。これにより、鮮明で高品
質の画像が得られた。また、この試験例で製造された感
光体を、繰返し帯電させたところ、転写画像の再現性及
び安定性は極めて良好であシ、更に、耐コロナ性、耐湿
性、及び耐磨耗性等の耐久性が優れていることが実証さ
れた。

このようにして製造された感光体は、半導体レーデの発
振波長である７８０乃至７９０　ｎｍの長波長光に対し
ても高い感度を有する。この感光体を半導体レーザプリ
ンタに搭載してカールソンプロセスによ多画像を形成し
たところ、感光体表面の露光量が２５　ｅｒｇα２であ
る場合でも、鮮明で高解像度の画像を得ることができた
。

試験例２ 電荷保持層の構成層の一つである１００Ｋのａ−８ＩＮ
：Ｈ薄層の代わシに１００Ｘのａ−８ｉＣ：Ｈ薄層を形
成したことを除いて、試験例１と同様にして電子写真感
光体を製造した。

なお、ａ−８ＩＣ：Ｈ薄層は、ＣＨ４ガス流量ｔ−７５
８ＣＣＭに設定し、反応容器内圧力を１．２トルに調節
し、５００Ｗの高周波電力を印加することにより得られ
た。

この感光体を繰返し帯電したところ、転写画像の再現性
及び安定性が高く、耐コロナ性、耐湿性、及び耐磨耗性
などの耐久性が優れていた。

なお、上記試験例においては、電荷発生層の厚みが５μ
ｍ″″Ｃあったが、これに限らず、１又は３μｍ等に設
定しても感光体として実用可能である。

また、薄層の種類は、上記試験例のように２種類に限ら
ず、３種類以上の薄層を積層しても良く、要するに、光
学的バンドギャップが相違する薄層の境界を形成すれば
良い。

［発明の効果］ この発明によれば、光導電層の一部又は全部に、光学的
バンドギャップが相互に異なる薄層を積層して構成され
る超格子構造を使用するから、可視光から近赤外光の広
い波長領域に亘って高感度であシ、キャリアの走行性が
高いと共に、高抵抗で帯電特性が優れた電子写真感光体
を得ることができる。特に、この発明においては、薄層
を形成する材料を適宜組み合わせることによシ、任意の
波長帯の光に対して最適の光導電特性を有する感光体を
得ることができるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体を示す
断面図、第２図〜第４図は同じく他の実施例に係る電子
写真感光体を示す断面図、第５図は第１図及び第４図の
一部拡大断面図、第６図は超格子構造のエネルギバンド
を示す図、第７図はこの発明の実施例に係る電子写真感
光体の製造装置を示す図、第８図は感光体のエネルギイ
ヤッゾを示す模式図である。 １：導電性支持体、２：障壁層、３：光導電層、４：表
面層、５：ｌ！荷輸送層、６：電荷発生層、１１．１２
二薄層。 出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　産業７図　　　　
第２図 第３図　　　　第４図 第５図 手続補正書 昭和　鴫、８０月６　日

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と光導電層とを具備する電子写真感
   光体において、前記光導電層は電荷発生層と電荷保持層
   とを有し、前記電荷発生層の少なくとも一部は非晶質シ
   リコン薄膜と炭素、酸素および窒素のうち少なくとも１
   種を含む非晶質シリコン薄膜とを交互に積層して構成さ
   れ、前記電荷保持層の少なくとも一部は炭素、酸素およ
   び窒素のうち少なくとも１種を含む非晶質シリコン薄膜
   と微結晶シリコン薄膜とを交互に積層して構成されてい
   ることを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）前記微結晶シリコン薄膜および非晶質シリコン薄
   膜の膜厚は、３０〜２００Åであることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
3. （３）前記光導電層は、周期律表第III族又は第Ｖ族に
   属する元素から選択された少なくとも一種を含むことを
   特徴とする特許請求の範囲第１又は２項記載の電子写真
   感光体。
4. （４）前記導電性支持体と光導電層との間に、非晶質材
   料又は少なくとも一部が微結晶化した半導体材料からな
   る障壁層を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の電子写真感光体。
5. （５）前記障壁層は、周期律表第III族又は第Ｖ族に属
   する元素から選択された少なくとも一種を含むことを特
   徴とする特許請求の範囲第４項記載の電子写真感光体。
6. （６）前記障壁層は、炭素、酸素および窒素からなる群
   から選択された元素の少なくとも一種を含むことを特徴
   とする特許請求の範囲第４項記載の電子写真感光体。
7. （７）前記光導電層の上に表面層を有することを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。