JPS63201662A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性及び耐環
境性等が優れた電子写真感光体に関する。

［従来の技術］ 水素（Ｈ）を含有するアモルファスシリコン（以下、ａ
−８ｌ：Ｈと略す）は、近年、光電変換材料として注目
されておシ、太陽電池、薄膜トランジスタ、及びイメー
ジセンナ等のほか、電子写真プロセスの感光体に応用さ
れている。

従来、電子写真感光体の光導電層を構成する材料として
、ＣｄＳ　、　ＺｎＯ、Ｓｅ　、若しくはＳ＠−Ｔｏ等
の無機材料又はポ１７−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶ
Ｃｚ）若しくはトリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の
有機材料が使用されていた。しかしながら、ａ−８１：
Ｈはこれらの無機材料又は有機材料に比して、無公害物
質であるため回収処理の必要がないこと、可視光領域で
高い分光感度を有すること、並びに表面硬度が高く耐磨
耗性及び耐衝撃性が優れていること等の利点を有してい
る。このため、ａ−８１：Ｈは電子写真プロセスの感光
体材料として注目されている。

とのａ−８ｌ：Ｈは、カールソン方式に基づく感光体材
料として検討が進められているが、この場合、感光体特
性として抵抗及び光感度が高いことが要求される。しか
しながら、この両特性を単一の感光体で満足させること
が困難でおるため、光導電層と導電性支持体との間に障
壁層を設け、かつ光導電層上に表面電荷保持層を設けた
積層型の構造にすることによシ、このような要求を満足
させている。

［発明が解決しようとする問題点］ ところで、ａ−８ｔ：Ｈは、通常、シラン系ガスを使用
したグロー放電分解法によシ形成されるが、この際に、
ａ−８ｔ：Ｈ層中に水素が取り込まれ、水素量の差によ
シミ気的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−
８ｌ：Ｈ層に侵入する水素の量が多くなると、光学的バ
ンドギヤラグが大きくなシ、ａ−８１：Ｈの抵抗が高く
なるが、それにともない、長波長光に対する光感度が低
下してしまうので、例えば、半導体レーデを搭載したレ
ーザビームプリンタに使用することが困難である。

また、ａ　−８１：　Ｈ層中の水素の含有量が多くなる
と、成膜条件によって、（ＳｉＨ２）ｎ及び５ｔＨ２等
の結合構造を有するものが膜中で大部分の領域を占める
場合がある。そうすると、？イドが増加し、シリコンの
ダングリングボンドが増加するため、光導電特性が劣化
し、電子写真感光体として使用不能になる。逆に、ａ−
８１：Ｈ中に取込まれる水素の量が低下すると、光学的
・々ンドギャップが小さくなり、その抵抗が小さくなる
が、長波長光に対する光感度が増加する。しかし、水素
含有量が少ないと、シリコンのダングリングボンドと結
合してこれを減少させるべき水素が少なくなる。このた
め、発生するキャリアの移動度が低下し、寿命が短くな
ると共に、光導電特性が劣化してしまい、電子写真感光
体として使用し難いものとなる。

このように、電子写真感光体の光導電層を単一のａ−８
１：Ｈ層のみで構成したのでは、ａ−８１：Ｈ層の製造
条件によって特性が大きく変化し、望ましい特性が得ら
れないという問題がある。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものでちって、
帯電能が優れておシ、残留電位が低く、近赤外領域まで
の広い波長領域に亘って感光が高く、基板との密着性が
良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供すること
を目的とする。

［発明の構成コ （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、種々研究を重ねた結果、電子写真感光体
の光導電層を電荷保持層と電荷発生層とにより構成し、
それぞれに所定の複数の半導体膜の積眉即ち超格子構造
の領域を形成することによシ、上記目的を達成し得るこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と光導
電層とを具備する電子写真感光体であって、前記光導電
層は電荷発生層と電荷保持層とから構成され、前記電荷
発生層は、非晶質シリコン薄膜と微結晶シリコン薄膜と
を交互に積層して構成され、前記電荷保持層は、非晶質
シリコン薄膜と炭素、酸素および窒素のうちの少なくと
も１稽の元素を含む非晶質シリコン薄膜とを交互に積層
して構成され、かつ後者の非晶質シリコン薄膜ごとの前
記元素の濃度が膜厚方向に変化していることを特徴とす
る。

本発明において用いる微結晶シリコン（μｅ−８ｔ）は
、粒径が約数十オンゲストロムの微結晶化したシリコン
と非晶質シリコンとの混合層によシ形成されているもの
と考えられ、以下のような物性上の特徴を有している。

第一に、Ｘｍ回折測定では２θが２８〜２８．５°付近
にある結晶回折パターンを示し、ハローのみが現れる無
定形のａ−８１から明確に区別される。第二に、μｃ　
−８１の暗抵抗硬１０１０Ω・α以上に調整することが
でき、暗抵抗が１０５０・備の４リクリスタリンシリコ
ンからも明確に区別される。

本発明で用いる上記μｃ　−Ｓｔの光学的バンドギャッ
プ（Ｅｇｏ）は、例えば１．５５　ｃＶとするのが望ま
しい。しかし、一定の範囲で任意に設定することができ
る。望ましいＥｇＯを得るため夫々に所要量の水素を添
加し、μｃ−８ｉ：Ｈとして使用するのが好ましい。こ
れによシ、シリコンのダングリングがンドが補償され、
暗抵抗と明抵抗との調和がとれ、光導電特性が向上する
。

なお、実際のμｅ−８ｔ腹は、製造条件等の具体的な要
因によって弱いＰ型またはＮ型を帯びることが多い（特
ＫＮ！になシ易い）。そこで、超格子構造を形成するた
めに必要なｒｍとするために、夫々逆の導を型を有する
不純物を軽くドーグして前記のＰ型またはＮ凰を打消す
のが望ましい。

なお、後者の非晶質シリコン薄膜ごとの元素の濃度・は
、好ましくは０．１〜３０原子チ、よ）好ましくは５〜
１５原子−の範囲で変化させるのがよい。

（作用） 本発明の電子写真感光体では、光導電層に前記超格子構
造が設けられているため、この領域では発生したキャリ
アの寿命が長く、移動度も大きくなる。その理論につい
ては未だ充分に確立しているとは言えないが、超格子構
造に特徴的な周期的井戸型ポテンシャルによる量子効果
であることは疑いがなく、これは特に超格子効果といわ
れる。

こうして光導電層でのキャリアの移動度が大きくなシ、
またキャリアの寿命が長くなることによって電子写真感
光体の感度は著しく向上することになる。

（実施例） 第１図は、本発明の一実施例に係る電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、導電性支持体１
の上に障壁層２が形成され、その上に電荷保持層５およ
び電荷発生層６から表る光導電層３が形成されている。

また、電荷発生層６の上に表面層４が形成されている。

なお、電荷保持層５および電荷発生層６はいずれも超格
子構造を有している。

以下、第１図に示す電子写真感光体の構成について、よ
）詳細に説明する。

導電性支持体１は、過電はアルミニウム製のドラムで構
成される。

障壁層２はＡｃ−８ｉ＋ａ−８ｉ　：Ｈを用いて形成し
てもよく、またａ　−ＢＮ　：　Ｈ（窒素および水素を
添加したアモルファス硼素）を使用してもよい。

更に、絶縁性の膜を用いてもよい。例えば、μｃ−８１
：Ｈ及びａ−８１：Ｈに炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸素０から
選択された元素の一種以上を含有させることによシ、高
抵抗の絶縁性障壁層を形成することができる。障壁層２
の膜厚は１００Ｘ〜１０１ｉｍが好ましい。

上記障壁層２は、導電性支持体１と電荷発生層５との間
の電荷の流れを抑制することにより感光体表面の電荷保
持機能を高め、感光体の帯電能を高めるために形成され
るものである。従りて、半導体層を障壁層に用いてカー
ルンン方式の感光体を構成する場合には、表面に帯電さ
せた電荷の保持能力を低下させないために、障壁層２を
Ｐ型またはＮ型とする。即ち、感光体表面を正帯電させ
る場合には障壁層２をＰ型とし、表面電荷を中和する電
子が電荷発生層に注入されるのを防止する。

逆に表面に負帯電させる場合には障壁層２をＮ型とし、
表面電荷を中和するホールが電荷発生層へ注入されるの
を防止する。障壁層２から注入されるキャリアは光の入
射で電荷発生層６内に発生するキャリアに対してノイズ
となるから、上記のようにしてキャリアの注入を防止す
ることは感度の向上をもたらす。なお、μｃ　−Ｓｌ　
：　Ｈ＋ａ−８１：ＨをＰ型にするためには、周期律表
の第■族に属する元素、例えば硼素Ｂ、アルミニウム紅
、ガリウムＧ＆、インジウムＩｎ、及びタリウムＴｔ等
をドーピングすることが好ましい。また、μｃ−８１：
Ｈやａ−８ｉ：ＨをＮ型にするためには周期律表の第Ｖ
族に属する元素、例えば窒素、燐Ｐ、砒素Ａｓ、アンチ
モンＳｂ、及びビスマスＢ１等をドーピングすることが
好ましい。

電荷発生層６は、光の入射によシキャリアを発生し、こ
のキャリアは、一方の極性のものが感光体表面の帯電電
荷と中和し、他方のものが電荷保持層５内を走行して導
電性支持体ＩＫ到達する。

電荷保持層５および電荷発生層６は、いずれも２種類の
薄層を交互に積層して構成されている。

これら薄層は光学的バンドギャップが相違し、それぞれ
厚みが３０〜２００Ｘの範囲にある。このように、光学
的バンドギャップが相互に異なる薄層を積層することに
よって、光学的バンドギャップの大きさ自体に拘シなく
、光学的バンドギャップが小さい層を基準にして光学的
バンドギャップが大きな層がバリアとなる周期的なポテ
ンシャルバリアを有する超格子構造が形成される。この
超格子構造においては、バリア薄層が極めて薄いので、
薄層におけるキャリアのトンネル効果によシ、キャリア
はバリアを通過して超格子構造中を走行する。また、こ
のような超格子構造においては、光の入射によ多発生す
るキャリアの数が多い、従って、光感度が高い。なお、
超格子構造の薄層のバンドギャップと層厚を変更すると
とＫよυ、ヘテロ接合超格子構造を有する層のみかけの
バンドギャップを自由に調整することができる。

電荷保持層５および電荷発生層６を構成するａ−８１：
Ｈおよびμｃ−８１：Ｈにおける水素の含有量は、０．
０１〜３０１〜３０原子チく、１〜２５原子チがよシ好
ましい。このような水素の含有ｔによシ、シリコンのダ
ングリングボンドが補償され、暗抵抗と明抵抗とが調和
のとれたものとなシ、光導電特性が向上する。

ａ−８１：Ｈ層をグロー放電分解法によシ成膜するには
、原料としてＳｉＨ４及び５１２Ｈ５等のシラン類ガス
を反応室に導入し、高周波によジグロー放電することに
よシ薄層中にＨを添加することができる。必要に応じて
、シラン類のキャリアガスとして水素又はヘリウムをガ
スを使用することができる。一方、５ＩＦ４ガス及びｓ
　ｔ　ｃｔ４ガス等のハロダン化ケイ素を原料ガスとし
て使用することができる。

また、シラン類ガスとハロダン化ケイ素ガスとの混合ガ
スで反応させても、同様にＨを含有するａ−８ｌ：Ｈを
成膜することができる。なお、グロー放電分解法によら
ず、例えば、スｔ４？ツタリング等の物理的な方法によ
ってもこれ等の薄層を形成することができる。

μｃ　−８１層も、ａ−８ｌ：Ｈと同様に、高周波グロ
ー放電分解法によシ、シランガスを原料として、成膜す
ることができる。との場合に、支持体の温度をａ−８１
：Ｈを形成する場合よシも高く設定し、高周波電力もａ
−８ｔ：Ｈの場合よシも高く設定すると、μｃ−８１：
Ｈを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高周波電
力を高くすることによシ、シランガスなどの原料ガスの
流量を増大させることができ、その結果、成膜速度を早
くすることができる。また、原料ガスのＳｉＨ４及びＳ
ｉ２Ｈ６等の高次のシランガスを水素で希釈したガスを
使用することによシ、μｃ−８１：Ｈを一層高効率で形
成することができる。

μｃ−８ｉ：Ｈ及びａ−８１：Ｈｆ：Ｐ型にするために
は１周期律表の第■族に属する元素１例えば、ホウ素Ｂ
、アルミニウムＡｔ、ガリウムＧａ　、インジウムＩｎ
、及びタリウムＴｔ等をドーピングすることが好ましく
、μｃ−８１：Ｈ及びａ−８ｉ：Ｈをｎ型にするために
は、周期律表の第Ｖ族に属する元素、例えば、窒素Ｎ、
リンＰ、ヒ素Ａｓ　、アンチモンＳｂ、及ヒピスマスＢ
１等をドーピングすることが好ましい。このｐ型不純物
又はｎ型不純物のドーピングによシ、支持体側から光導
電層へ電荷が移動することが防止される。一方、μｃ−
８１：Ｈ及びａ−８ｉ：Ｈに、炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸素
Ｏから選択された少なくとも１種の元素を含有させるこ
とによシ、高抵抗とし、表面電荷保持能力を増大させる
ことができる。これら元素の含有量は５〜４０原子チ、
好ましくは１０〜３０原子慢である。

電荷発生層６の上に表面層４が設けられている。

電荷発生層６のａ−８１：Ｈ等は、その屈折率が３乃至
３．４と比較的大きいため、表面での光反射が起きやす
い。このような光反射が生じると、光導電層又は電荷発
生層に吸収される光量の割合いが低下し、光損失が大き
くなる。このため、表面層４を設けて反射を防止するこ
とが好ましい。また、表面層４を設けることにより、電
荷発生ｒ％ＦＩ６が損傷から保護される。さらに、表面
層を形成することにより、帯電能が向上し、表面に電荷
がよくのるようＫなる。表面層を形成する材料としては
、ａ　−ＳＩＮ　：　Ｈ，ａ　−８１０：　Ｈ，及びａ
　−ＳｉＣ：　Ｈ等の無機化合物並びにぼり塩化ビニル
及びポリアミド等の有機材料がある。

このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電によシ約５００■の正電圧で帯電させると、ポテン
シャルバリアが形成される。この感光体に光Ｃｈν）が
入射すると、電荷発生層６の超格子構造で電子と正孔の
キャリアが発生する。この伝導帯の電子は、感光体中の
電界によシ１表面層４側に向けて加速され、正孔は導電
性支持体１側に向けて加速される。この場合に、光学的
バンドギャップが相違する薄層の境界で発生するキャリ
アの数は、バルクで発生するキャリアの数よシも極めて
多い。このため、この超格子構造においては、光感度が
高い。また、ポテンシャルの井戸層においては、量子効
果のために、超格子構造でない単一層の場合に比して、
キャリアの寿命が５乃至１０倍と長い。更に、超格子構
造においては、バンドギャップの不連続性によシ、周期
的なバリア層が形成０されるが、キャリアはトンネル効
果で容易にバイアス層を通シ抜けるので、キャリアの実
効移動度はバルクにおける移動度と同等であシ、キャリ
アの走行性が優れている。

電荷保持層５の場合も同様に、Ｉテ／シャル井戸層にお
いては、量子効果のために、超格子構造でない単一層の
場合に比して、キャリアの寿命が５乃至１０倍と長い。

また、超格子構造においては、バンドギャップの不連続
性によシ、周期的なバリア層が形成されるが、キャリア
はトンネル効果で容易にバイアス層を通シ抜けるので、
キャリアの実効移動度はバルクにおける移動度と同等で
あシ、キャリアの走行性が優れている。以上のごとく、
光学的バンドギャップが相違する薄層を積層した超格子
構造によれば、高光導電特性を得ることができ、従来の
感光体よシも鮮明が画像を得ることができる。

以下に第２図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放電法によシ製造する装置、並びに製造方法を説
明する。同図において、ガスがンべ２１，２２，２３．
２４には、例えば夫々５ＩＨ４゜Ｂ２Ｈ６，Ｈ２，ＣＨ
４等の原料ガスが収容されている。

これらガスがンペ内のガスは、流量調整用のパルプ２６
及び配管２７を介して混合器２８に供給されるようにな
っている。各ボンベには圧力計２５゛が設置されておシ
、該圧力計２５を監視しつつパルプ２６を調整すること
によシ混合器２８に供給する各原料ガスの流量及び混合
比を調節できる。

混合器２８にて混合されたガスは反応容器２９’ｆＣ供
給される。反応容器２９の底部３１には、回転軸３０が
鉛直方向の回シに回転可能に取付けられている。該回転
軸３０の上端に、円板状の支持台３２がその面を回転軸
３０に垂直にして固定されている。反応容器２９内には
、円筒状の電極３３がその軸中心を回転軸３０の軸中心
と一致させて底部３１上に設置されている。感光体のド
ラム基体３４が支持台３２上にその軸中心を回転軸３゜
の軸中心と一致させて載置されており、このドラム基体
３４の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３５が配設さ
れている。電極３３とドラム基体３４との間には高周波
電源３６が接続されておシ、電極３３およびドラム基体
３４間に高周波電流が供給されるようになっている。回
転軸３ｏはモータ３８によシ回転駆動される。反応容器
２９内の圧力は圧力計３７によシ監視され、反応容器２
９はｒ−）パルプ３８を介して真空ポンプ等の適宜の排
気手段に連結されている。

上記製造装置によシ感光体を製造する場合には、反応容
器２９内にドラム基体３４を設置した後、ｒ−）パルプ
３９を開にして反応容器２９内を約Ｑ、　Ｉ　Ｔｏｒｒ
の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ２１．２２，２
３，２４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合して
反応容器２９内に導入する。

この場合に、反応容器２９内に導入するガス流量は反応
容器２９内の圧力が０．１乃至１．０　Ｔｏｒｒになる
ように設定する。次いで、モータ３８を作動させてドラ
ム基体３４を回転させ、ヒータ３５にょシトラム基体３
４を一定温度に加熱すると共に、高周波電源３６によシ
ミ極３３とドラム基体３４との間に高周波電流を供給し
て、両者間にグロー放電を形成する。これによシ、ドラ
ム基体３４上にａ　−８１：　Ｈが堆積する。なお、原
料ガス中にＮ２０　、　ＮＨ，、ＮＯ□、　Ｎ２．　Ｃ
Ｈ４，Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用することによシ、炭
素、酸素、窒素をａ−Ｅｉ：Ｈ中に含有させることがで
きる。

このように１本発明に係る電子写真感光体は、クローズ
ドシステムの製造装置で製造することができるため、人
体に対して安全である。

次に、本発明に係る電子写真感光体を成膜し、電子写真
特性を試験した結果について説明する。

試験例１ 必要に応じて、干渉防止のために１酸処理、アルカリ処
理及びサンドブラスト処理を施した直径が８０Ｍ、幅が
３５０−のアルミニウム製ドラム基体を反応容器内に装
着し、反応容器を約１０−５トルの真空度に排気した。

ドラム基体を２５０℃に加熱し、１０　ｒｐｍで自転さ
せつつ、５ＩＨ４ガスを５００　ＳＣＣＭ　、　Ｂ２Ｈ
６ガスをＳｉＨ４ガスに対する流量比で１０　という流
量で反応容器内に導入し、反応容器内の圧力をＩ　Ｔｏ
ｒｒに調節した。そして、１３、５６　ＭＨｚの高周波
電力を印加してプラズマを生起させ、ドラム基体上にｐ
型のａ　−ＳｉＣ：　Ｈ障壁層を形成した。

次に、ＳｉＨ４，ｆスを５００　ＳＣＣＭ　、　ＣＨ４
ガスを３０８ＣＣＭという流量で反応容器内に導入し、
４００Ｗの高周波電力を印加し、１２０Ｘのａ−８ｉＣ
：　Ｈ薄層を形成した。次いで、ＣＨ４ガスを０とし、
Ｂ２Ｈ６ガスをＳｉＨ４ガスに対する流量比で１０−６
という流量で反応容器内に導入し、同様に４００Ｗの高
周波電力を印加して、１２０Ｘのｌ型ａ−８１：Ｈ薄層
を形成した。このような操作を繰返して５００層のａ　
−ＳｉＣ：　Ｈ薄層と５００層のａ−８１：Ｈ薄層とか
らなる１２μ鶏の超格子構造の電荷保持層を形成した。

なお、ａ　−ＳＩＣ：　Ｈ薄層の形成に際しては、各薄
層の形成ごとにＣＨ４ガスの流量を徐々に減らし、最終
的に１０　ＳＣＣＭとして、炭素濃度を６原子チから２
原子チへと変化させた。

次いで、ＳｉＨ４ガスを５００　ＳＣＣＭ　、　Ｂ２Ｈ
６ガスをＳｉＨ４ガスに対する流量比で１０−６という
流量で反応容器内に導入し、３００Ｗの高周波電力を印
加して、５０Ｘのａ−８ｔ：Ｈ薄層を形成した。次に、
５ｔＨ４，ｆｘを１００　ＳＣＣＭ％Ｈ２ｆｆスを１．
２８ＬＭという流量で導入し、反応室内の圧力を１．２
　Ｔｏｒｒとして１．ＯｋＷの高周波電力を印加して１
ｏｏＸのμｅ−８ｌ：Ｈ薄層を形成した。このような操
作を繰返し、２００層のａ−８ｉ：Ｈ薄層と２００層の
μｃ−８１：Ｈ薄層からなる３μｍの超格子構造の電荷
発生層を形成した。

最後に、０．５μｍのａ　−ＳｉＣ：　Ｈ薄層からなる
表面層を形成した。

このようにして形成した感光体表面を約５ｏ。

Ｖで正帯電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生
層で吸収され、電子正孔対のキャリアが発生する。この
試験例においては、多数のキャリアが発生し、キャリア
の寿命が高く、高い走行性が得られた。これにより、鮮
明で高品質の画像が得られた。また、この試験例で製造
された感光体を、繰返し帯電させたところ、転写画像の
再現性及び安定性は極めて良好でちり、更に、耐コロナ
性。

耐湿性、及び耐磨耗性等の耐久性が優れていることが実
証された。

このようにして製造された感光体は、半導体レーデの発
振波長である７８０乃至７９０　ｎｍの長波長光に対し
ても高い感度を有する。この感光体を半導体レーデグリ
ンタに搭載してカールソンプロセスによシ画像を形成し
たところ、感光体表面の露光量が２５・ｒｇｃＩｎ２で
ある場合でも、鮮明で高解像度の画像を得ることができ
た。

試験例２ 電荷保持層の構成層の一つであるａ　−ＳＩＣ：　Ｈ薄
層の代わシにａ　−ＳＩＮ　：　Ｈ薄層を形成したこと
を除いて、試験例１と同様にして電子写真感光体を製造
した。

なお、ａ　−ＳＩＮ　：　Ｈ薄層は、ＳｉＨ４ガスを５
００ＳＣＣＭ、　Ｎ２ガスを８０８ＣＣＭという流量で
反応容器内に導入し、ｓ　ｏ　ｏｗの高周波電力を印加
することにより得られた。この場合、各薄層の形成ごと
にＮ２ガスの流量を徐々に減らし、最終的に３０８ＣＣ
Ｍとして、窒素濃度を５原子チから１原子チへと変化さ
せた。

この感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を形成
したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

試験例３ 電荷保持層の構成層の１つであるａ　−ＳｉＣ：　Ｈ層
の炭素濃度を第３図（ａ）　、　（ｂ）および（Ｃ）に
示すような割合で徐々に減らしたことを除き、試験例工
と同様にして電子写真感光体を製造した。

これらの感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を
形成したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

試験例４ 電荷保持層の構成層の１つであるａ　−ＳＩＮ　：　Ｈ
層の窒素濃度を第３図（ａ）　＃　（ｂ）および（Ｃ）
に示すような割合で徐々に減らしたことを除き、試験例
２と同様にして電子写真感光体を製造した。

これらの感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を
形成したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

なお、電荷保持層および電荷発生層を構成する薄層の種
類は、上記試験例のように２種類に限らず、３種類以上
の薄層を積層しても良く、要するに、光学的バンドギャ
ップが相違する薄層の境界を形成すれば良い。

身に、光学的バンドギャップが相互に異なる薄層を積層
して構成される超格子構造を使用するから、キャリアの
走行性が高いと共に、高抵抗で帯電特性が優れた電子写
真感光体を得ることができる。

特に、この発明においては、薄層を形成する材料を適宜
組み合わせることによシ、任意の波長帯の光に対して最
適の光導電特性を有する感光体を得ることができるとい
う利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係る電子写真感光体を示す断
面図、第２図は本発明の実施例に係る電子写真感光体の
製造装置を示す図、第３図は薄層の元素濃度の変化を示
す図である。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦（ａ） （ｃ） 篇 考１ （ｂ） ３　因

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と光導電層とを有する電子写真感光
   体において、前記光導電層は電荷発生層と電荷保持層と
   から構成され、前記電荷発生層は、非晶質シリコン薄膜
   と微結晶シリコン薄膜とを交互に積層して構成され、前
   記電荷保持層は、非晶質シリコン薄膜と炭素、酸素およ
   び窒素のうちの少なくとも１種の元素を含む非晶質シリ
   コン薄膜とを交互に積層して構成され、かつ後者の非晶
   質シリコン薄膜ごとの前記元素の濃度が層厚方向に変化
   していることを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）前記薄膜の膜厚は３０〜２００Åであることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
3. （３）前記光導電層は、周期律表第III族および第Ｖ族
   に属する元素から選ばれた少なくとも１種の元素を含む
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１又は２項記載の電
   子写真感光体。
4. （４）前記電荷発生層は、炭素、酸素および窒素のうち
   の少なくとも１種の元素を含むことを特徴とする特許請
   求の範囲第１〜３のうちのいずれか１項記載の電子写真
   感光体。
5. （５）前記電荷発生層に含まれる元素の濃度が層厚方向
   に変化していることを特徴とする特許請求の範囲第４項
   記載の電子写真感光体。
6. （６）前記電荷発生層は、結晶度が層厚方向に変化して
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１〜５のうちの
   いずれか１項記載の電子写真感光体。
7. （７）前記導電性支持体と前記光導電層との間に、非晶
   質材料又はその少なくとも一部が微結晶化した半導体材
   料からなる障壁層が形成されていることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
8. （８）前記障壁層は、周期律表第III族および第Ｖ族に
   属する元素から選ばれた少なくとも１種の元素を含むこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の電子写真感
   光体。
9. （９）前記障壁層は、炭素、酸素および窒素のうちの少
   なくとも１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の
   範囲第７又は８項記載の電子写真感光体。
10. （１０）前記光導電層の上に表面層が形成されているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感
    光体。