JPS63202756A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性及び耐環
境性等が優れた電子写真感光体に関する。

［従来の技術］ 水素＠を含有するアモルファスシリコン（以下、ａ−８
ｉ：Ｈと略す）は、近年、光電変換材料として注目され
ており、太陽電池、薄膜トランジスタ、及びイメージセ
ンナ等のほか、電子写真プロセスの感光体に応用されて
いる。

従来、電子写真感光体の光導電層を構成する材料として
、ＣｄＳ　、　ＺｎＯ、Ｓｅ　、若しくは５ｓ−Ｔｅ等
の無機材料又は−リーＮ−ビニルカルバゾール（ｐｖｃ
ｚ）若しくはトリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の有
機材料が使用されていた。しかしながら、ａ−８１：Ｈ
はこれらの無機材料又は有機材料に比して、無公害物質
であるため回収処理の必要がないこと、可視光領域で高
い分光感度を有すること、並びに表面硬度が高く耐磨耗
性及び耐衝撃性が優れていること等の利点を有している
。このため、ａ−８１：Ｈは電子写真プロセスの感光体
材料として注目されている。

このａ−８１：Ｈは、カールソン方式に基づく感光体材
料として検討が進められているが、この場合、感光体特
性として抵抗及び光感度が高いことが要求される。しか
しながら、この両特性を単一の感光体で満足させること
が困難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障
壁層を設け、かつ光導電層上に表面電荷保持層を設けた
積層型の構造にすることＫよシ、このような要求を満足
させている。

［発明が解決しようとする問題点］ ところで、ａ−８ｌ：Ｈは、通常、シラン系ガスを使用
したグロー放電分解法により形成されるが、この際に、
ａ−８ｌ：Ｈ膜中に水素が取う込まれ、水素量の差によ
り電気的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−
８１：Ｈ膜に侵入する水素の貴が多くなると、光学的バ
ンドギャップが大きくなシ、ａ−８１：Ｈの抵抗が高く
なるが、それにともない、長波長光に対する光感度が低
下してしまうので、例えば、半導体レーデを搭載したレ
ーデビームプリンタに使用することが困難である。また
、ａ−８ｉ：Ｈ膜中の水素の含有量が多くなると、成膜
条件によって、（ＳｉＨ２）ｎ及びＳｉＨ２等の結合構
造を有するものが膜中で大部分の領域を占める場合があ
る。そうすると、ボイドが増加し、シリコンのダングリ
ングボンドが増加するため、光導電特性が劣化し、電子
写真感光体として使用不能になる。逆に、ａ−８１：Ｈ
中に取込まれる水素の量が低下すると、光学的／肴ンド
ギャツデが小さくなり、その抵抗が小さくなるが、長波
長光に対する光感度が増加する。しかし、水素含有量が
少ないと、シリコンのダングリングボンドと結合してこ
れを減少させるべき水素が少なくなる。このため、発生
するキャリアの移動度が低下し、寿命が短くなると共和
、光導電特性が劣化してしまい、電子写真感光体として
使用し難いものと表る。

このように、電子写真感光体の光導電層を単一のａ−８
１：Ｈ層のみで構成したのでは、ａ−８１：Ｈ層の製造
条件によって特性が大きく変化し、望ましい特性が得ら
れないという問題がある。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、
帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域まで
の広い波長領域に亘って感光が高く、基板との密着性が
良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供すること
を目的とする。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、種々研究を重ねた結果、電子写真感光体
の°光導電層を電荷保持層と電荷発生層とによシ構成し
、電荷保持層に所定の複数の半導体膜の積層即ち超格子
構造の領域を形成することによシ、上記目的１に達成し
得ることを見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と光導
電層とを具備する電子写真感光体でありて、前記光導電
層は電荷発生層と電荷保持層とから構成され、前記電荷
発生Ｉ−は、非晶質シリコンおよび／または微結晶シリ
コンからなシ、前記電荷保持層は、非晶質シリコン薄膜
と炭素、酸素および窒素のうちの少なくとも１種の元素
を含む非晶質シリコン薄膜とを交互に積層して構成され
、かつ後者の非晶質シリコン薄膜ごとの前記元素の濃度
が膜厚方向に変化していることを特徴とする。

本発明において用りる微結晶シリコン（μａ−８ｉ）は
、粒径が約数十オンゲストロムの微結晶化したシリコン
と非晶質シリコンとの混合層にょシ形成されているもの
と考えられ、以下のような物性上の特徴を有して込る。

第一に、ｘ１１ｉ！回折測定では２θが２８〜２８．５
ｅ付近にある結晶回折パターンを示し、ハローのみが現
れる無定形のａ　−Ｓｉからと 明確に区別される。第二に、μｃ　−８１の暗抵抗給ａ １０　　Ω・倒以上にｉｉｍすることができ、暗抵抗が
１０５０・儒のポリクリスタリンシリコンからも明確に
区別される。

なお、後者の非晶質シリコン薄膜ごとの元素の濃度は、
好ましくはｋＯ９１ｔ〜＋３ｏｆ原子憾、より好ましく
は（５チ〜や１５ケ原子係の範囲で変化させるのがよい
。

（作用） 本発明の電子写真感光体では、光導電層に前記超格子構
造が設けられているため、この領域では発生したキャリ
アの寿命が長く、移動度も大きくなる。その理論につい
ては未だ充分に確立しているとは言えないが、超格子構
造に特徴的な周期的井戸型ポテンシャルによる量子効果
であることは疑いがなく、これは特に超格子効果といわ
れる。

こうして光導電層でのキャリアの移動度が大きくなシ、
またキャリアの寿命が長くなることによって電子写真感
光体の感度は著しく向上することになる。

（実施例） 第１図は、本発明の一実施例に係る電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、導電性支持体１
の上に障壁層２が形成され、その上に電荷保持層５およ
び電荷発生層６からなる光導電層３が形成されている。

また、電荷発生層６の上に表面層４が形成されている。

なお、電荷保持層超格子構造を有している。

以下、第１図に示す電子写真感光体の構成について、よ
り詳細に説明する。

導電性支持体１は、通常はアルミニウム製のドラムで構
成される。

障壁層２はμｃ　−８１やａ−８１：Ｈを用いて形成し
てもよく、またａ　−ＢＮ　：　Ｈ（窒素および水素を
添加したアモルファス硼素）ｔ−使用してもよい。

更に、絶縁性の膜を用いてもよい。例えば、μｃ−８ｉ
：Ｈ及びａ−８１：ＨＫ炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸素Ｏから
選択された元素の一種以上を含有させることにより、高
抵抗の絶縁性障壁層を形成することができる。障壁層２
の膜厚は１００Ｘ−１０・μｍが好ましい。

上記障壁層２は、導電性支持体１と電荷発生層５との間
の電荷の流れを抑制することＫより感光体表面の電荷保
持機能金高め、感光体の帯電能を高めるために形成され
るものである。従って、半導体層を障壁層に用いてカー
ルノン方式の感光体を構成する場合には、表面に帯電さ
せた電荷の保持能力を低下させないために、障壁層２を
Ｐ型またはＮＮとする。即ち、感光体表面を正帯電させ
る場合には障壁層、？ｔ−Ｐ型とし、表面電荷を中和す
る電子が電荷発生層６内入されるのを防止する。

逆に表面に負帯電させる場合には障壁層２をＮ塁とし、
表面電荷を中和するホールが電荷発生層へ注入されるの
を防止する。障壁層２から注入されるキャリアは光の入
射で電荷発生層６内に発生するキャリアに対してノイズ
となるから、上記のよう和してキャリアの注入を防止す
ることは感度の向上をもたらす。なお、μｃ　−Ｓｉ　
：　ＨＪｐａ−８１：ＨをＰ型忙するためには、周期律
表の第■族に層する゛元素、例えば硼素Ｂ、アルミニウ
ムＡｔ　、がリクムＱｍ　、インジウムＩｎ、及びタリ
ウムＴｔ等をドーピングすることが好ましい。また、μ
ｃ−８ｔ：Ｈやａ　−Ｓｉ　：Ｈｔ−Ｎ型にするために
は周期律表の第Ｖ族に層する元素、例えば窒素、隣Ｐ、
砒素Ａｓ、アンチモンＳｂ、及びビスマスＢｉ等’ｉド
ーピングすることが好ましい。

電荷発生／ｉ！６は、光の入射によりキャリアを発生し
、このキャリアは、一方の極性のものが感光体表面の帯
電電荷と中和し、他方のものが電荷保持層５内を走行し
て導電性支持体１に到達する。

電荷保持層５は、ｈ　−８１からなる薄層とＣ，０およ
び／−！たはＮｇ含むａ　−８１からなる薄層とを交互
に積層して構成されている。これら薄層は光学的バンド
ギャップが相違し、それぞれ厚みが３０〜２００Ｘの範
囲にある。このようだ、光学的バンドギャップが相互に
異なる薄層を積層することによって、光学的・ぐンドギ
ャッデの大きさ自体に拘りなく、光学的・−ンドギャッ
プが小さい層を基準にして光学的ｔ４ンドギャップが大
きな層がハＩＪアとなる周期的なポテンシャルパリ７　
ｔ−有−する超格子構造が形成される。この超格子構造
においては、バリア薄層が極めて薄いので、薄層におけ
るキャリアのトンネル効果によシ、キャリアはバリアを
通過して超格子構造中を走行する。また、このような超
格子構造においては、光の入射によシ発生するキャリア
の数が多い。従って、光感度が高い、なお、超格子構造
の薄層のバンドギャップと層厚を変更することにより、
ヘテロ接合超格子構造含有する層のみかけのバンドギャ
ップを自由に調整することができる。

電荷保持層５および電荷発生層６を構成するａ−８ｌ：
Ｈおよびμｃ−８１：Ｈにおける水素の含有量は、０．
０１〜３０原子俤が好ましく、１〜２５原子俤がより好
ましい。このような水素の含有量にニジ、シリコンのダ
ングリングボンドが補償され、暗抵抗と明抵抗とが調和
のとれたものとなり、光導電特性が向上する。

ａ　−Ｓｉ　：　Ｈ／Ｉｔ−グロー放電分解法によシ成
膜するには、原料としてＳ　ＩＨ４及びＳ　ｉ　２Ｈ５
等のシラン類ガスを反応室に導入し、高周波によりグロ
ー放電することによシ薄層中にＨを添加することができ
る。必要に応じて、シラン類のキャリアがスとして水素
又はヘリウムをガスを使用することができる。一方、　
　ＳｉＦ４ガス及び５ｉｃｚ４ガス等のハロダン化ケイ
素を原料ガスとして使用することができる。

また、シラン類ガスとハロゲン化ケイ素ガスとの混合ガ
スで反応させても、同様にＨ？金含有るａ−８１：Ｈを
成膜することができる。なお、グロー放電分解法によら
ず、例えば、スノやツタリング等の物理的な方法によっ
てもこれ等の薄層を形成することができる。

μｃ　−Ｓｉ層も、ａ−８ｔ：Ｈと同様に、高周波グロ
ー放電分解法により、シランガスを原料として、成膜す
ることができる。この場合に、支持体の温度ｔ−ロー８
ｔ：ＨＱ影形成る場合よりも高く設定し、高周波電力も
ａ−８１：Ｈの場合よりも高く設定すると、μｃ−８ｉ
：Ｈｆ：形成しやすくなる。また、支持体温度及び高周
波電力を高くすることにより、シランガスなどの原料ガ
スの流ｆ’を増大させることができ、その結果、成膜速
度を早くすることができる。また、原料ガスのＳｉＨ４
及びＳ　ｌ　、ＨＡ等の高次のシランガスを水素で希釈
したガスを使用することＫより、μｅ−８ｌ：Ｈｉ一層
高効率で形成することができる。

ａａ−８ｉ：Ｈ及びａ−８ｉ：ＨｆｔＰ型にするために
は、周期律表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ
、アルミニウムＡｔ、ガリウムＧａ　、インジウムＩｎ
、及びタリウムＴｔ＠ｆドーピングすることが好ましぐ
、／Ｊｃ”Ｓｌ：Ｈ及びａ−８ｉ：Ｈ’ｉｎｕにするた
めには、周期律表の第Ｖ族に属する元素、例えば、窒素
Ｎ、リンＰ、ヒ素Ａｓ　、アンチモンＳｂ、及びビスマ
スＢｉ等をドーピングすることが好ましい、このｐ型不
純物又はｎ型不純物のドーピングにより、支持体側から
光導電層へ電荷が移動することが防止される。一方、μ
ｃ−８１：Ｈ及びａ−８１：Ｈに、炭素Ｃ１窒素Ｎ及び
酸素Ｏから選択された少にくとも１種の元素を含有させ
ることにより、高抵抗とし、表面電荷保持能力を増大さ
せることができる。これら元素の含有量は５〜４０原子
係、好ましくは１０〜３０原子係である。

電荷発生層６の上に表面層４が設けられている。

電荷発生層６のａ−８１：Ｈ等は、その屈折率が３乃至
３．４と比較的大きいため、表面での光反射が起きやす
い。このような光反射が生じると、光導電層又は電荷発
生層忙吸収される光量の割合いが低下し、光損失が大き
くなる。このため、表面層４を設けて反射を防止するこ
とが好ましい。また、表面層４′ｆ！：設けることによ
り、電荷発生層６が損傷から保護される。さらに、表面
層を形成することによプ、帯電能が向上し、表面に電荷
がよくのるようＫなる０表面層を形成する材料としては
、ａ−８ｉＮ：Ｈ，ａ−８１０：Ｈ，及びＪＬ　−ＳＩ
Ｃ：　Ｈ等の無機化合物並びに／ＩＪ塩化ビニルビニル
リアミド等の有機材料がある。

このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電により約５００Ｖの正電圧で帯電させると、Ｉテン
シャルパリアが形成される。この感光体に光（ｈν）が
入射すると、電荷発生層６で電子と正孔のキャリアが発
生する。この伝導帯の電子は、感光体中の電界により、
表面層４側に向けて加速され、正孔は導電性支持体ｌ側
に向けて加速される。この場合に、ポテンシャル井戸層
においては、量子効果のために、超格子構造でない単一
層の場合に比して、キャリアの寿命が５乃至１０倍と長
い。また、超格子構造においては、バンドギャップの不
連続性により、周期的なバリア層が形成されるが、キャ
リアはトンネル効果で容易にバイアス層を通り抜けるの
で、キャリアの実効移動度はバルクにおける移動度と同
等であり、キャリアの走行性が優れている。以上のごと
く、光学的バンドギャップが相違する薄層を積層した超
格子構造によれば、高光導電特性全得ることができ、従
来の感光体よりも鮮明な画像を得ることができる。

以下に第２図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放電法により製造する装置、並びに製造方法を説
明する。同図において、ガスボンベ２１．２２−．２３
．２４には、例えば夫々Ｓ　ｔＨ４゜Ｂ２Ｈ６，Ｈ２，
０Ｍ４等の原料ガスが収容されている。これらガスボン
ベ内のガスは、流量調整用のバルブ２６及び配管２７を
介して混合器２８に供給されるようになっている。各ボ
ンベには圧力計２５が設置されておシ、該圧力計２５ｔ
−監視しつつパルプ２６’ｋｉ！ＩＭ整することにより
混合器２８に供給する各原料ガスの流量及び混合比を調
節できる。混合器２８にて混合されたガスは反応容器２
９に供給される。反応容器２９の底部３１には、回転軸
３０が鉛直方向の回りに回転可能に取付けられている。

該回転軸３０の上端に、円板状の支持台３２がその面を
回転軸３ｏに垂直にして固定されている。反応容器２９
内には、円筒状の電極３３がその軸中心を回転軸３０の
軸中心と一致させて底部３１上に設置されている。感光
体のドラム基体３４が支持台３２上にその軸中心を回転
軸３０の軸中心と一致させて載置されており、このドラ
ム基体３４の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３５が
配設されている。電極３３とドラム基体３４との間には
高周波電源３６が接続されており、電極３３およびドラ
ム基体３４間に高周波電流が供給されるようになってい
る。回転軸３ｏはモータ３８により回転駆動される。反
応容器２９内の圧力は圧力計３７によシ監視され、反応
容器２９はダートバルブ３８′１に介して真空ポンプ等
の適宜の排気手段に連結されている。

上記製造装置によシ感光体を製造する場合には、反応容
器２９内にドラム基体３４を設置した後、ダートパルプ
３９を開にして反応容器２９内を約０、１　Ｔｏｒｒの
圧力以下に排気する。次い□で、ボンベ２１．２２，２
３．２４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合して
反応容器２９内に導入する。

この場合に、反応容器２９内に導入するガス流量は反応
容器２９内の圧力がＯｏｌ乃至１．　ＯＴｏｒｒになる
ように設定する。次いで、モータ３８ｆ（作動させて゛
ドラム基体３４を回転させ、ヒータ３５によりドラム基
体３４を一定温度に加熱すると共に、高周波電源３６に
より電極３３とドラム基体３４との間に高周波電流を供
給して、両者間にグロー放電を形成する。これにより、
ドラム基体３４上にａ−８１：Ｈが堆積する。なお、Ｎ
料ガス中にＮ２０．ＮＨ，、ＮＯ□、Ｎ２．ＣＨ４，Ｃ
２Ｈ４，０□ガス等を使用することにより、炭素、酸素
、窒素をａ−８ｉ：Ｈ中に含有させることができる。

このように、本発明に係る電子写真感光体は、クローズ
ドシステムの製造装置で製造することができるため、人
体に対して安全である。

次に、本発明に係る電子写真感光体を成膜し、電子写真
特性を試験した結果について説明する。

試験例１ 必要に応じて、干渉防止のために、酸処理、アルカリ処
理及びサンドブラスト処理を施した直径が８０ｍ、幅が
３５０ｍ＋のアルミニウム製ドラム基体を反応容器内に
装着し、反応容器を約１０−５トルの真９度に排気した
。ドラム基体を２５０℃に加熱し、１０　ｒｐｍで自転
させつつ、　８１Ｈ４ガスを５００　ＳＣＣＭ　、　Ｂ
２Ｈ６がスを５ＩＨ４ガスに対する流量比で１０　　と
いう流量で反応容器内に導入し、反応容器内の圧力をＩ
ＴｏｒｒＫ調節した。そして、１３．５６ＭＨｚの高周
波電力を印加してプラズマを生起させ、ドラム基体上に
ｐ型のａ　−ＳＩＣ：　Ｈ障壁層を形成した。

次に、Ｓ　ｉＨ４ガスを５００８００Ｍ％ＣＨ４ガスを
３０　ＳＣＣＭという流量で反応容器内に導入し、４０
０Ｗの高周波電力を印加し、１２０Ｘのａ　−ＳＩＣ：
Ｈ薄層を形成した。次いで、ＣＨ４ガスをＯとし、Ｂ２
Ｈ６１ｆｘ　ｆ、５ＩＲ４ガスに対する流量比で１０　
　という流量で反応容器内に導入し、同様１ｃ４００Ｗ
の高周波電力全印加して、１２０Ｘのｉ型ａ−８ｉ：Ｈ
薄層を形成した。このような操作を繰返して５００層の
ａ　−ＳｉＣ：　Ｈ薄層と５００層のａ−８ｌ：Ｈ薄層
とからなる１２μｍの超格子構造の電荷保持層を形成し
た。なおａ　−ＳＩＣ：　Ｈ＃／ｉ！の形成に際しては
、各薄層の形成ごとにＣＨ４ガスの流ｉｔ？徐々に減ら
し、最終的Ｋ　１０　ＳＣＣＭとして、炭素濃度を６原
子係から２原子係へと変化させた。

次いで、Ｓ　１）Ｉ４ガスを５００　ＳＣＣＭ　、　Ｂ
２Ｈ６ガスを５ＩＨ４ｆスに対する流量比で１０−６と
いう流量で反応容器内に導入し、３００Ｗの高周波電力
を印加して、３融の１ｆｉａ−８ｉ：Ｈ薄層からなる電
荷発生層を形成した。

最後に、０．５μｍのａ−８ｉＣ：Ｈ薄層からなる表面
層を形成した。

このようにして形成した感光体表面を約ｓｏｏ　ｖで正
帯電し、白色光１ｒ：露光すると、この光は電荷発生層
で吸収され、電子正孔対のキャリアが発生する。この試
験例においては、多数のキャリアが発生し、キャリアの
寿命が高く、高い走行性が得られた。これにより、鮮明
で高品質の画像が得られた。また、この試験例で製造さ
れた感光体を、繰返し帯電させたところ、転写画像の再
現性及び安定性は極めて良好であり、更に、耐コロナ性
。

耐湿性、及び耐磨耗性等の耐久性が優れていることが実
証された。

このようにして製造された感光体は、半導体レーデの発
振波長である７８０乃至７９０　ｎｍの長波長光に対し
ても高い感度を有する。この感光体を半導体レーデプリ
ンタに搭載してカールソンプロセスによシ画像を形成し
たところ、感光体表面の露光量が２５　ｅｒｇ　ｃｍ　
　である場合でも、鮮明で高解像度の画像を得ることが
できた。

試験例２ 電荷保持層の構成層の一つであるａ　−ＳＩＣ：　Ｈ薄
層の代わシにａ　−ＳＩＮ　：　Ｈ薄層を形成したこと
を除いて、試験例１と同様にして電子写真感光体を製造
した。

なお、ａ−８ＩＮ：Ｈ薄層は、８１１４がスを５００８
ＣＣＭ、　Ｎ２ガスを８０　ＳＣＣＭという流量で反応
容器内に導入し、５００Ｗの高周波電力を印加すること
により得られた。この場合、各薄層の形成ごとＫＮ２ガ
スの流量を徐々に減らし、最終的に３０ＳＣＣＭとして
、窒素濃度を５原子係から１原子係へと変化させた。

この感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を形成
したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

試験例３ 電荷発生層を構成するａ　−ＳＩＣ：　Ｈ層の代わシに
μｃ−８ｉｆｔ”形成したことを除いて、試験例１と同
様にして電子写真感光体を製造した。

なお、／ｊｅ　−８１層は、５ＩＨ４ガス？１００　Ｓ
ＣＣＭ。

Ｈ２ガスを５００８ＣＣＭという流量で反応室内に導入
し、反応室内ｆ　１．２　Ｔｏｒｒとして８００Ｗの高
周波電力全印加することにより得られた。

この感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を形成
したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

試験例４ 電荷保持層の構成層の１つであるａ　−ＳｉＣ：　Ｈ層
の炭素濃度を第３図（ｂ）および（ｅ）に示すような割
合で徐々に減らしたことを除き、試験例１と同様にして
電子写真感光体を製造した。

これらの感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を
形成したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

試験例５ 電荷保持層の構成層の１つであるａ　−ＳｉＮ　：　Ｈ
層の窒素濃度を第３図（＆）　、　（ｂ）および（ｃ）
に示すような割合で徐々に減らしたことを除き、試験例
２と同様にして電子写真感光体を製造した。

これらの感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を
形成したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

試験例６ 電荷保持層の構成層の１つである与−ＳＩＣ：　Ｈ層の
炭素濃度を第３図（ａ）　、　（ｂ）および（ｃ）に示
すような割合で徐々に減らしたことを除き、試験例３と
同様にして電子写真感光体を製造した。

これらの感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を
形成したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

なお、電荷保持層を構成する薄層の種類は、上記試験例
のように２種類に限らず、３種類以上の薄層を積層して
も良く、要するに、光学的バンドギャップが相違する薄
層の境界を形成すれば良い。

［発明の効果コ 本発明によれば、電荷保持層に、光学的バンドギャップ
が相互に異なる薄層を積層して構成される超格子構造を
使用するから、可視光から近赤外光の広い波長領域に亘
って高感度であり、キャリアの走行性が高いと共に、高
抵抗で帯電特性が優れた電子写真感光体を得ることがで
きる。特に、本発明においては、薄層全形成する材料を
適宜組み合わせることにより、任意の波長帯の光に対し
て最適の光導電特性を有する感光体を得ることができる
という利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係る電子写真感光体を示す断
面図、第２図は本発明の実施例に係る電子写真感光体の
製造装置を示す図、第３図は薄層の元素濃度の変化を示
す図である。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦第１図 （ａ） （ｃ） 篇 ４厚 （ｂ） ３　因

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と光導電層とを有する電子写真感光
   体において、前記光導電層は電荷発生層と電荷保持層と
   から構成され、前記電荷発生層は、非晶質シリコンおよ
   び／または微結晶シリコンからなり、前記電荷保持層は
   、非晶質シリコン薄膜と炭素、酸素および窒素のうちの
   少なくとも１種の元素を含む非晶質シリコン薄膜とを交
   互に積層して構成され、かつ後者の非晶質シリコン薄膜
   ごとの前記元素の濃度が層厚方向に変化していることを
   特徴とする電子写真感光体。
2. （２）前記薄膜の膜厚は３０〜２００Åであることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
3. （３）前記光導電層は、周期律表第III族および第Ｖ族
   に層する元素から選ばれた少なくとも１種の元素を含む
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１又は２項記載の電
   子写真感光体。
4. （４）前記電荷発生層は、炭素、酸素および窒素のうち
   の少なくとも１種の元素を含むことを特徴とする特許請
   求の範囲第１〜３のうちのいずれか１項記載の電子写真
   感光体。
5. （５）前記電荷発生層に含まれる元素の濃度が層厚方向
   に変化していることを特徴とする特許請求の範囲第４項
   記載の電子写真感光体。
6. （６）前記電荷発生層は、結晶度が層厚方向に変化して
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１〜５のうちの
   いずれか１項記載の電子写真感光体。
7. （７）前記導電性支持体と前記光導電層との間に、非晶
   質材料又はその少なくとも一部が微結晶化した半導体材
   料からなる障壁層が形成されていることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
8. （８）前記障壁層は、周期律表第III族および第Ｖ族に
   層する元素から選ばれた少なくとも１種の元素を含むこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の電子写真感
   光体。
9. （９）前記障壁層は、炭素、酸素および窒素のうちの少
   なくとも１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の
   範囲第７又は８項記載の電子写真感光体。
10. （１０）前記光導電層の上に表面層が形成されているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感
    光体。