JPS63241555A

JPS63241555A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPS63241555A
Application number: JP62076711A
Authority: JP
Inventors: Hideji Yoshizawa; 吉澤　秀二; Tatsuya Ikesue; 龍哉池末
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Priority date: 1987-03-30
Filing date: 1987-03-30
Publication date: 1988-10-06

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性及び耐環
境性等が優れた電子写真感光体に関する。

（従来の技術）水素（Ｈ）を含有するアモルファスシリコン（以下、ａ
−８ｉ：Ｈと略す）は、近イ、光電変換材料として注目
されており、太陽電池、薄膜トランジスタ、及びイメー
ジセンサ等のほか、電子写真プロセスの感光体に応用さ
れている。

従来、電子写真感光体の光導電層を構成する材料として
、Ｃｄ　Ｓ、Ｚｎ　Ｏ，Ｓｅ　、若しくは５ｅ−Ｔｅ等
の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＣ
ｚ　　若しくはトリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の
有機材料が使用されていた。

しかしながら、ａ−８ｉ　　：Ｈはこれらの無機材料又
は有機材料に比して、無公害物質であるため回収処理の
必要がないこと、可視光領域で高い分光感度を有するこ
と、並びに表面高度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性が優れ
ていること等の利点を有している。このため、ａ−８ｉ
：Ｈは電子写真プロセスの感光体材料として注目されて
いる。

このａ−８ｉ：Ｈは、カールソン方式に基づく感光体材
料として検討が進められているが、この場合、感光体特
性として抵抗及び光感度が高いことが要求される。しか
しながら、この両特性を単一の感光体で満足させること
が困難であるため、先導Ｎ層と導電性支持体との間に障
壁層を設け、かつ光導電層上に表面電荷保持層を設けた
積層型の構造にすることにより、このような要求を満足
させている。

（発明が解決しようとする問題点）ところで、ａ−３ｉ：Ｈは、通常、シラン系ガスを使用
したグロー放電分解法により形成されるが、この際に、
ａ−８ｉ　　：Ｈｌｉ中に水素が取り込まれ、水素量の
差により電気的及び光学的特性が大きく変動する。即ち
、ａ−８ｉ：Ｈ膜に侵入する水素の量が多くなると、光
学的バンドギャップが大きくなり、ａ−３ｉ：＠の抵抗
が高くなるが、それにともない、長波長光に対する光感
度が低下してしまうので、例えば、半導体レーザを搭載
したレーザビームプリンタに使用することが困難である
。　また、ａ−８ｉ：Ｈ１ｌｌ中の水素の含有量が多く
なると、成膜条件によって（ＳｉＨｚ）ｎ及び５ｉｔ−
ｈ等の結合構造を有するものが膜中で大部分の領域を占
める場合がある。

そうすると、ボイドが増加し、シリコンのダングリング
ボンドが増加するため、光導電特性が劣化し、電子写真
感光体として使用不能になる。逆に、ａ−３ｉ：＠中に
取込まれる水素の量が低下すると、光学的バンドギャッ
プが小さくなり、その抵抗が小さくなるが、長波長光に
対する光感度が増加する。しかし、水素含有間が少ない
と、シリコンのダングリングボンドと結合してこれを減
少させるべき水素が少なくなる。このため、発生するキ
ャリアの移動度が低下し、寿命が短くなると共に、光導
電特性が劣化してしまい、電子写真感光体として使用し
難いものとなる。

このように、電子写真感光体の光導電層を単一のａ−８
ｉ　　：Ｈｌｉのみで構成したのでは、ａ−８ｉ：８層
の製造条件によって特性が大きく変化し、望ましい特性
が得られないという問題がある。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、
帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域まで
の広い波長領域に亘って感光が高く、基板との密着性が
良く、耐環境性が浸れた電子写真感光体を提供すること
を目的とする。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段）本発明者は、種々研究を重ねた結果、電子写真感光体の
光導電層を電荷保持層と電荷発生層とにより構成し、そ
れぞれに所定の複数の半導体膜の積層即ち超格子構造の
領域を形成することにより、上記目的を達成し得ること
を見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と光導
電層とを具備する電子写真感光体であって、前記光導電
層は電荷発生層と電荷保持層とから構成され、前記電荷
発生層は、一方が炭素、酸素および窒素から選ばれた元
素の少なくとも一種を含む二様類の非晶質シリコン薄膜
を交互に積層して構成され、前記電荷保持層は、微結晶
シリコン薄膜と炭素、酸素および窒素から選ばれた元素
の少なくとも一種を含む非晶質シリコン１ｉＷＡとを交
互に積層して構成され、かつ前記電荷保持層の非晶質シ
リコン薄膜中の前記元素の濃度が、層厚方向に薄膜ごと
に変化していることを特徴とする。

本発明において用いる微結晶シリコン（μＣ−８ｉ）は
、粒径が約数十オングストロームの微結晶化したシリコ
ンと非晶質シリコンとの混合相により形成されているも
のと考えられ、以下のような物性上の特徴を有している
。第一に、Ｘ線回折測定では２θが２８〜２８．５’付
近にある結晶回折パターンを示し、ハローのみが現れる
無定形のａ−３ｉから明確に区別される。第二に、μＣ
−３ｉの暗抵抗は１０１０Ω・ｃｍ以上に調整すること
ができ、暗抵抗が１０５０・αのポリクリスタリンシリ
コンからも明確に区別される。

本発明で用いる上記μｃ−８：の光学的バンドギＶツブ
（Ｅｇ’　）は、例えば１，５５ｃ　Ｖとするのが望ま
しい。しかし、一定の範囲で任意に設定することができ
る。望ましいＥｇ”を得るため夫々に所定口の水素を添
加し、μｃ−ｓ＋　　：Ｈとして使用するのが好ましい
。これにより、シリコンのダングリングボンドが補償さ
れ、暗抵抗と明抵抗の調和がとれ、光導電特性が向上す
る。

電荷発生層および電荷保持層を構成する非晶質シリコン
薄膜に含まれる炭素、酸素、窒素の濃度は、好ましくは
　０．１〜４０原子％、より好ましくは０．５〜３０原
子％である。

（作　用）本発明の電子写真感光体では、光導電層に前記超格子構
造が設けられているため、この領域では発生したキャリ
アの寿命が長く、移動度も太きくなる。その理論につい
ては未だ充分に確立しているとは言えないが、超格子構
造に特徴的な周期的井戸型ポテンシャルによるｍ子効果
であることは疑いがなく、これは特に超格子効果といわ
れる。

こうして光導電層でのキャリアの移動度が大きくなり、
またキャリアの寿命が長くなることによって電子写真感
光体の感度は著しく向上することになる。

（実施例）第１図は、本発明の一実施例に係る電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、導電性支持体１
の上にｌｌＩ壁層２が形成され、その上に電荷保持層５
および電荷発生層６からなる光導電層３が形成されてい
る。また、電荷発生層６の上に表面層４が形成されてい
る。なお、電荷保持層５および電荷発生層６はいずれも
超格子構造を有している。

以下、第１図に示す電子写真感光体の構成について、よ
り詳細に説明する。

導電性支持体１は、通常はアルミニウム製のドラムで構
成される。

障壁８２はμｃ−３ｉやａ−３ｉ：Ｈを用イテ形成して
もよく、またａ−ＢＮ　：　Ｈ（窒素および水素を添加
したアモルファス硼素）を使用してもよい。更に、絶縁
性の膜を用いてもよい。例えば１、ｃｚｃ−３ｉ　　：
　Ｈ及びａ−８ｉ：Ｈに炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸素Ｏから
選択された元素の一種以上を含有させることにより、高
抵抗の絶縁性障壁層を形成することができる。障壁層２
の膜厚は１００へ〜１０μｍが好ましい。

上記障壁層２は、導電性支持体１と電荷発生層５との間
の？［Ｍの流れを抑制することにより感光体表面の電荷
保持機能を高め、感光体の帯電能を高めるために形成さ
れるものである。従って、半導体層を障壁層に用いてカ
ールソン方式の感光体を構成する場合には、表面に帯電
させた電荷の保持能力を低下させないために、障壁層２
をＰ型またはＮ型とする。即ち、感光体表面を正帯電さ
せる場合には障壁層２をＰ型とし、表面電荷を中和する
電子が１荷発生層に注入されるのを防止する。

逆に表面に負帯電させる場合には障壁層２をＮ型とし、
表面電荷を中和するホールが電荷発生層へ注入されるの
を防止する。障壁層２から注入されるキャリアは光の入
射で＠間発生層６内に発生するキャリアに対してノイズ
となるから、上記のようにしてキャリアの注入を防止す
ることは感度の向上をもたらす。なお、μｃ−８ｉ：Ｈ
やａ−８ｉ：ＨをＰ型にするためには、周期律表の第■
族にａする元素、例えば硼素Ｂ、アルミニウムＡＱ、、
ガリウムＧａ、インジウムｌｎ、及びタリウムＴＲ等を
ドーピングすることが好ましい。また、ｕｃ−ｓｔ　　
：　Ｈやａ−８ｉ　　：ＨをＮ型にするためには周期律
表の第Ｖ族に属する元素、例えば窒素、燐Ｐ、砒素Ａｓ
、アンチモンＳｂ、及びビスマスＢｉ等をドーピングす
ることを好ましい。

電荷発生層６は、光の入射によりキャリアを発生し、こ
のキャリアは、一方の極性のものが感光体表面の帯電電
荷と中和し、他方のものが電荷保持層５内を走行して導
電性支持体１に到達する。

電荷保持層５および電荷発生層６は、２種類の薄膜を交
互に積層して構成されている。これら薄膜は光学的バン
ドギャップが相違し、それぞれ厚みが３０〜５００λの
範囲にある。このように、光学的バンドギャップが相互
に異なる薄膜を積層することによって、光学的バンドギ
ャップの大きさ自体に拘りなく、光学的バンドギャップ
が小さい層の基準にして光学的バンドギャップが大きな
層がバリアとなる周期的なポテンシャルバリアを有する
超格子構造が形成される。この超格子構造においては、
バリア薄膜が極めて薄いので、薄膜におけるキャリアの
トンネル効果により、キャリアはバリアを通過して超格
子構造中を走行する。

また、このような超格子構造においては、光の入射によ
り発生するキャリアの数が多い。従って、光感度が高い
。なお、超格子構造の薄膜のバンドギャップと膜厚を変
更することにより、ヘテロ接合超格子構造を有する層の
みかけのバンドギャップを自由に調整することができる
。

電荷保持層５および電荷発生層６を構成するａ−８ｉ：
Ｈおよびμｃ−８ｉ：Ｈにおける水素の含有色は、０．
０１〜３０原子％が好ましく、１〜２５原子％がより好
ましい。このような水素の含有出により、シリコンのダ
ングリングボンドが補償され、暗抵抗と明抵抗とが調和
のとれたものとなり、光導電特性が向上する。

ａ−８ｔ：Ｈ層をグロー放電分解法により成膜するには
、原料としてＳｉＨ＋及び５ｉ２Ｈｓ等のシラン類ガス
を反応室に導入し、高周波によりグロー放電することに
より薄膜中にＨを添加することができる。必要に応じて
、シラン類のキャリアガスとして水素又はヘリウムガス
を使用することができる。

一方、Ｓｉ　Ｆ４ガス及び５ｉＣｅ４ガス等のハロゲン
化ケイ素を原料ガスとして使用することができる。また
、シラン類ガスとハロゲン化ケイ素ガスとの混合ガスで
反応させても、同様にＨを含有するａ−８ｉ：ｌ−１を
成膜することができる。なお、グロー放電分解法によら
ず、例えば、スパッタリング等の物理的な方法によって
もこれ等のけ膜を形成することができる。

μｃ−３ｉ層も、ａ−８ｉ　　：Ｈと同様に、高周波グ
ロー放電分解法により、シランガスを原料として、成膜
することができる。この場合に、支持体の温度をａ−３
ｉ：＠を形成する場合よりも高く設定し、高周波電力も
ａ−８ｉ：Ｈの場合よりも高く設定すると、μｃ−８ｉ
　　：Ｈを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高
周波電力を高くすることより、シランガスなどの原料ガ
スの流出を増大させることができ、その結果、成膜速度
を早くすることができる。　また、原料ガスのＳｉＨ＋
及び５ｉ２Ｈｓ等の高次のシランガスを水素で希釈した
ガスを使用することにより、μＣ−８ｉ：Ｈを一層高効
率で形成することができる。

μｃ−３ｉ　　：Ｈ及びａ−３ｉ　　：ＨをＰ型にする
ためには、周期律表の第■族に属する元素、例えば、ホ
ウ素Ｂ１アルミニウムＡｆｆ、ガリウムＧａ、インジウ
ムＩｎ、及びタリウムＴＲ等をドーピングすることが好
ましく、μＣ−８ｉ：ｌ−１及びａ−３ｉ：Ｈをｎ型に
するためには、周期律表の第Ｖ族に属する元素、例えば
、窒素Ｎ、リンＰ、ヒ素Ａｓ１アンチモンＳｂ１及びビ
スマス３ｉ等をドーピングすることが好ましい。このｎ
型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、支持体側
から光導電層へ電荷が移動することが防止される。一方
、μｃ−８ｉ　　：Ｈ及びａ−３ｉ：Ｈに、炭素Ｃ１窒
素Ｎ及び酸素Ｏから選択された少なくとも一種の元素を
含有させることにより、高抵抗とし、表面電荷保持能力
を増大させることができる。これら元素の含有量は０．
１〜４０原子％、好ましくは０．５〜３０原子％である
。

電荷発生層６の上に表面層４が設けられている。

電荷発生層６のａ−３ｉ：Ｈ等は、その屈折率が３乃至
３．４と比較的大きいため、表面での光反射が起きやす
い。このような光反射が生じると、光導電層又は電荷発
生層に吸収される光層の割合いが低下し、光損失が大き
くなる。このため、表面層４を設けて反射を防止するこ
とが好ましい。また、表面層４を設けることにより、電
荷発生層６が損傷から保護される。さらに、表面層を形
成することにより、帯電能が向上し、表面に電荷がよく
のるようになる。表面層を形成する材料としては、ａ−
８ｉ　Ｎ：Ｈ，ａ−８ｉ　Ｏ：Ｈｌ及びａ−８ｉＣ：Ｈ
等の無機化合物並びにポリ塩化ビニル及びポリアミド等
の有機材料がある。

このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電により約５００Ｖの正電圧で帯電させると、ポテン
シャルバリアが形成される。この感光体に光（ｈν）が
入射すると、電荷発生層６の超格子構造で電子と正孔の
キャリアが発生する。

この伝導帯の電子は、感光体中の電界により、表面層４
側に向けて加速され、正孔は導電性支持体１側に向けて
加速される。この場合に、光学的バンドギャップが相違
する薄膜の境界で発生するキャリアの数は、バルクで発
生するキャリアの数よりも匝めて多い。このため、この
超格子構造においては、光感度が高い。また、ポテンシ
ャルの井戸層においては、量子効果のために、超格子構
造でない単一層の場合に比して、キャリアの寿命が５乃
至１０倍と長い。更に、超格子構造においては、バンド
ギャップの不連続性により、周期的なバリア層が形成さ
れるが、キャリアはトンネル効果で容易にバイアス層を
通り央けるので、キャリアの実効移動度はバルクにおけ
る移動度と同様であり、キャリアの走行性が浸れている
。

電荷保持層５の場合も同様に、ポテンシャル井戸層にお
いては、量子効果のために、超格子構造でない単一層の
場合に比して、キャリアの寿命が５乃至１０倍と長い。

また、超過格子構造においては、バンドギャップの不連
続性により、周期的なバリア層が形成されるが、キャリ
アはトンネル効果で容易にバイアス層を通り抜けるので
、キャリアの実効移動度はバルクにおける移動度と同等
であり、キャリアの走行性が優れている。以上のごとく
、光学的バンドギャップが相違する薄膜を積層した超格
子構造によれば、高光導電特性を得ることができ、従来
の感光体よりも鮮明なｉｉ！ｉｌｉ＋を（ｑることがで
きる。

以下に第２図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グローＭ電法によりＨｌ造する装置、並びに製造方法を
説明する。同図において、ガスボンベ２１，２２．２３
．２４には、例えば、夫々Ｓｉ　Ｈ４、Ｂ２　ＨＢ　、
Ｈ２、ＣＨ４等の原料ガスが収容されている。これらガ
スボンベ内のガスは、流出調整用のバルブ２６及び配管
２７を介して混合器２８に供給されるようになっている
。各ボンベには圧力計２５が設置されており、該圧力計
２５を監視しつつバルブ２６を調整することにより混合
器２８に供給する各原料ガスの流出及び混合比を調節で
きる。混合器２８にて混合されたガスは反応容器２９に
供給される。反応容器２９の底部３１には、回転軸３０
が鉛直方向の回りに回転可能に取付けられている。該回
転軸３０の上端に、円板状の支持台３２がその面を回転
軸３０に垂直にして固定されている。反応容器２９内に
は、円筒状の電極３３がその軸中心を回転軸３０の軸中
心と一致させて底部３１上に設置されている。

感光体のドラム基体３４が支持台３２上にその軸中心を
回転軸３０の軸中心と一致させて載置されており、この
ドラム基体３４の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３
５が配設されている。電極３３とドラム基体３４との間
には高周波電源３６が接続されており、電ｆｆ１３３．
ｔ５よびドラム基体３４間に高周波電流が供給されるよ
うになっている。回転軸３０はモータ３８により回転駆
動される。反応容器２９内の圧力は圧力計３７により監
視され、反応容器２９はゲートバルブ３８を介して真空
ポンプ等の適宜の排気手段に連結されている。

上記製造装置により感光体を製造する場合には、反応容
器２９内にドラム基体３４を設置した後、ゲートバルブ
３９を開にして反応容器２９内を約０．１０ｒｒの圧力
以下に排気する。次いで、ボンベ２１．２２．２３．２
４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合して反応容
器２９内に導入する。

この場合に、反応容器２９内に導入するガス流ｊは反応
容器２９内の圧力が０．１乃至１．００ｒｒになるよう
に設定する。次いで、モータ３Ｂを作動させてドラム基
体３４を回転させ、ヒータ３５によりドラム基体３４を
一定温度に加熱すると共に、高周波電源３６により電極
３３とドラム基体３４との間に高周波電流を供給して、
両者間にグロー放電を形成する。これにより、ドラム基
体３４上にａ−８ｉ　　：Ｈが堆積する。なお、原料ガ
ス中にＮ２０．　　ＮＨ３、ＮＯ２、Ｎ２　、　　ＣＨ
４。

Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用することにより、炭素、ｌ
ｌｌ！素、窒素をａ−８ｉ　　：Ｈ中に含有させること
ができる。

このように、本発明に係る電子写真感光体は、クローズ
ドシステムの製造装置で製造することができるため、人
体に対して安全である。

次に、本発明に係る電子写真感光体を成膜し、電子写真
特性を試験した結果について説明する。

試験例１必要に応じて、干渉防止のために、酸処理、アルカリ処
理及びサンドブラスト処理を施した直径が８０ａｖｙ、
幅が３５０ｓのアルミニウム製ドラムＶ体を反応容器内
に装着し、反応容器を約１０−５トルの真空度に排気し
た。ドラム基体を２５０℃に加熱し、１０ｒｐｍで自転
させつつ、ＳｉＨ＋ガスを５００８ＣＣＭ、８２　Ｈ６
ガスを３ｉト１４ガスに対する流量比で１０−３という
流ｍで反応容器内に導入し、反応容器内の圧力を１　　
ｏｒｒに調節した。そして、１３．５６　Ｍ　ＨＺの高
周波電力を印加してプラズマを生起させ、ドラム基体上
にρ型のａ−ＳｉＣ：８１４１層を形成した。

次に、ＳｉＨ＋を５０ＳＣＣＭ、Ｈ２ガスを５００ＳＣ
ＣＭという流ｊで導入し、１．２ＫＷの高周波電力を印
加し、２４０又のμｃ−５ｉ：ＨＨＩＩＩを形成した。

次いで、ＳｉＨ＋ガスを５００８ＣＣＭ、ＣＨ４ガスを
７０８ＣＣＭという流出で導入し、４００Ｗの高周波電
力を印加して、１２０′Ａのａ−８ｉ　Ｃ：ＨＩ膜を形
成した。

このような操作を繰返して、１５μｍの超格子構造の電
荷保持層を形成した。なお、ａ−ｓｉｃ：Ｈｉ’ｌｌ！
Ｉの形成に際しては、各Ｍ膜の形成ごとにＣＨ４ガスの
流量を減少して最終的に２０８０　ＣＭとし、炭素濃度
を５原子％から２原子％へと変化さ往た。

次いで、ＳｉＨ＋ガスを５００ＳＣＣＭ。

８２　Ｈ６ガスをＳｉＨ＋ガスに対する流量比で１０−
６という流量で導入し、４００Ｗの高周波電力を印加し
て、５０；のａ−３ｉ：日薄膜を形成した。次に、ＣＩ
−１４ガスを３０ＳＣＣＭという流出で導入し、５０″
Ａのａｓｉｃ：Ｈ１膜を形成した。このような操作を繰
返して５μｍの電荷発生層を形成した。

最後ニ、０．１μｍのａ−８ｉＣ：Ｈａｌｌｌｌからな
る表面層を形成した。

このようにして形成した感光体表面を約５００Ｖで正帯
電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収
され、電子正孔対のキャリアが発生する。この試験例に
おいては、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が
高（、高い走行性が得られた。これにより、鮮明で高品
質の画像が得られた。また、この試験例で製造された感
光体を、繰返し帯電させたところ、転写画像の再現性及
び安定性は極めて良好であり、更に、耐コロナ性、耐湿
性、及び耐磨耗性等の耐久性が漬れていることが実証さ
れた。

このようにして製造された感光体は、半導体し−ザの発
振波長である７８０乃至７９０ｎｍの長波長光に対して
も高い感度を有する。この感光体を半導体レーザプリン
タに搭載してカールソンプロセスにより画像を形成した
ところ、感光体表面の露光量が２５ｅｒｇ斗である場合
でも、鮮明で高解陳度の画像を得ることができた。

試朋例２７０８ＣＣＭのＣＩ−１４ガスの代わりに　１５０ＳＣ
ＣＭのＮ２ガスを導入して、電荷保持層を構成するａ−
３ｉ　Ｃニド１薄映の代わりにａ−８ｉＮ：１−１尋膜
を形成したことを除き、試験例１と同様にして電子写真
感光体を製造した。　但し、ａ−３ｉＮ：１−１１膜の
形成に際しては、各薄膜の形成ごとにＮ２ガスの流量を
減少して最終的に２５ＳＣＣＭとし、窒素濃度を７原子
％から１原子％へと変化させた。

この感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を形成
したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

試験例３電荷保持層を構成するａ−８ｉＣ：Ｈ薄膜の炭素′ａ度
を第３図に示（ように変化させたことを除き、試験ＦＩ
Ａ１と同様の方法で電子写真感光体を製造した。

これら感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を形
成したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

試験例４電荷保持層を構成するａ−８ｉＮ：）−１薄膜の窒素濃
度を第３図に示すように変化させたことを除き、試験例
２と同様の方法で電子写真感光体を製造した。

なお、電荷保持層および電荷発生層を構成するｉ１膜の
種類は、上記試験例のように２種類に限らず、３種類以
上の薄膜を積層しても良く、要するに、光学的バンドギ
ャップが相違する薄膜の境界を形成すれば良い。

Ｅ発明の効果］ごの効果によれば、光導電層に、光学的バンドギャップ
が相互に異なる薄膜を積層して構成される超格子構造を
使用するから、キャリアの走行性が高いと共に、高抵抗
で帯電特性が優れた電子写真感光体を得ることができる
。特に、この発明にＪ５いては、薄膜を形成する材料を
適宜組み合わせることにより、任息の波長帯の光に対し
て最適の光導電特性を有する感光体を得ることができる
という利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実旋例に係る電子写真感光体を示す断
面図、第２図は本発明の実施例に係る電子写真感光体の
製造装置を示す図、第３図は非晶質シリコン薄膜の元素
濃度の変化を示す図である。１：導電性支持体、２：障壁層、３：光ＩＪ電層、４：
表面層、５：電荷保持層、６：電荷発生層。出願人代理人　弁理士　鈴江武彦第１図（ａ）（ｃ）（ｅ）篤（ｂ）（ｄ）（ｆ）３図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）導電性支持体と光導電層とを有する電子写真感光
体において、前記光導電層は電荷発生層と電荷保持層と
から構成され、前記電荷発生層は、一方が炭素、酸素お
よび窒素から選ばれた元素の少なくとも一種を含む二種
類の非晶質シリコン薄膜を交互に積層して構成され、前
記電荷保持層は、微結晶シリコン薄膜と炭素、酸素およ
び窒素から選ばれた元素の少なくとも一種を含む非晶質
シリコン薄膜とを交互に積層して構成され、かつ前記電
荷保持層の非晶質シリコン薄膜中の前記元素の濃度が、
層厚方向に薄膜ごとに変化していることを特徴とする電
子写真感光体。
（２）前記薄膜の膜厚は、３０〜５００Åであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体
。
（３）前記光導電層は、周期律表第III族および第Ｖ族
に属する元素から選ばれた少なくとも一種を含むことを
特徴とする特許請求の範囲第１又は２項記載の電子写真
感光体。
（４）前記電荷保持層の微結晶シリコン薄膜は、炭素、
酸素、および窒素から選ばれた元素の少なくとも一種を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１〜３項のうち
のいずれか１項記載の電子写真感光体。
（５）前記導電性支持体と前記光導電層との間に、非晶
質材料又はその少なくとも一部が微結晶化した半導体材
料からなる障壁層が形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
（６）前記障壁層は、周期律表第III族および第Ｖ族に
属する元素から選ばれた少なくとも一種を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第５項記載の電子写真感光体。
（７）前記障壁層は、炭素、酸素および窒素から選ばれ
た元素の少なくとも一種を含むことを特徴とする特許請
求の範囲第５又は６項記載の電子写真感光体。
（８）前記光導電層の上に表面層が形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光
体。