JPS62161155A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS62161155A JPS62161155A JP61003134A JP313486A JPS62161155A JP S62161155 A JPS62161155 A JP S62161155A JP 61003134 A JP61003134 A JP 61003134A JP 313486 A JP313486 A JP 313486A JP S62161155 A JPS62161155 A JP S62161155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrophotographic photoreceptor
- photoconductive
- photoconductive layer
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08264—Silicon-based comprising seven or more silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08292—Germanium-based
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/06—Gettering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、帯電特性、暗減衰特性、光感度持性及び耐
環境性等が優れた電子写真感光体に関する。
環境性等が優れた電子写真感光体に関する。
［従来の技術］
水素Ｈを含有するアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓ
ｉ：ｌ−１と略す）は、近年、光電変換材料として注目
されており、太陽電池、薄膜トランジスタ、及びイメー
ジセンサ等のほか、電子写真プロセスの感光体として応
用されている。
ｉ：ｌ−１と略す）は、近年、光電変換材料として注目
されており、太陽電池、薄膜トランジスタ、及びイメー
ジセンサ等のほか、電子写真プロセスの感光体として応
用されている。
従来、電子写真感光体の光導電層を構成する材料トシテ
、Ｃｄ５１ＺｎＯ，Ｓｅ、若しくは５ｅ−Ｔｅ等の無機
材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）若
しくはトリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の有機材料
が使用されていた。しかしながら、ａ−８ｔ：Ｈはこれ
らの無機材料又は有機材料に比して、無公害であるから
回収処理の必要がないこと、可視光領域で高い分光感度
を有すること、並びに表面硬度が高く耐磨耗性及び耐衝
撃性が優れていること等の利点を有している。このため
、ａ−８ｉ：Ｈは電子写真プロセスの感光体として注目
されている。
、Ｃｄ５１ＺｎＯ，Ｓｅ、若しくは５ｅ−Ｔｅ等の無機
材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）若
しくはトリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の有機材料
が使用されていた。しかしながら、ａ−８ｔ：Ｈはこれ
らの無機材料又は有機材料に比して、無公害であるから
回収処理の必要がないこと、可視光領域で高い分光感度
を有すること、並びに表面硬度が高く耐磨耗性及び耐衝
撃性が優れていること等の利点を有している。このため
、ａ−８ｉ：Ｈは電子写真プロセスの感光体として注目
されている。
このａ−８ｉ：Ｈは、カールソン方式に基づく感光体と
して検討が進められているが、この場合に、感光体特性
として抵抗及び光感度が高いことが要求される。しかし
ながら、この両特性を単一の感光体で満足させることが
困難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁
層を設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型
の構造にすることにより、このような要求を満足させて
いる。
して検討が進められているが、この場合に、感光体特性
として抵抗及び光感度が高いことが要求される。しかし
ながら、この両特性を単一の感光体で満足させることが
困難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁
層を設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型
の構造にすることにより、このような要求を満足させて
いる。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、ａ−８ｉ：Ｈは、通常、シラン系ガスを使用
したグロー放電分解法により形成されるが、この際に、
ａ−３ｔ：Ｈｌｌｉ中に水素が取り込まれ、水素量の差
により電気的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、
ａ−Ｓｉ：Ｈ膜に侵入する水素の量が多くなると、光学
的バンドギャップが大きくなり、ａ−８ｉ：Ｈの抵抗が
高くなるが、それにともない、長波長光に対する光感度
が低下してしまうので、例えば、半導体レーザを搭載し
たレーザビームプリンタに使用することが困難である。
したグロー放電分解法により形成されるが、この際に、
ａ−３ｔ：Ｈｌｌｉ中に水素が取り込まれ、水素量の差
により電気的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、
ａ−Ｓｉ：Ｈ膜に侵入する水素の量が多くなると、光学
的バンドギャップが大きくなり、ａ−８ｉ：Ｈの抵抗が
高くなるが、それにともない、長波長光に対する光感度
が低下してしまうので、例えば、半導体レーザを搭載し
たレーザビームプリンタに使用することが困難である。
また、ａ−８ｉ：Ｈ膜中の水素の含有量が多い場合は、
成膜条件によって、（ＳｉＨ２）ｎ及びｓ ｒ Ｈ２等
の結合構造を有するものが膜中で大部分の領域を占める
場合がある。そうすると、ボイドが増加し、シリコンダ
ングリングボンドが増加するため、光導電特性が劣化し
、電子写真感光体として使用不能になる。逆に、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ中に取込まれる水素の量が低下すると、光学的バ
ンドギャップが小さくなり、その抵抗が小さくなるが、
長波長光に対する光感度が増加する。しかし、水素含有
但が少ないと、シリコンダングリングボンドと結合して
これを減少させるべき水素が少なくなる。このため、発
生するキャリアの移動度が低下し、寿命が短くなると共
に、光導電特性が劣化してしまい、電子写真感光体とし
て使用し雑いものとなる。
成膜条件によって、（ＳｉＨ２）ｎ及びｓ ｒ Ｈ２等
の結合構造を有するものが膜中で大部分の領域を占める
場合がある。そうすると、ボイドが増加し、シリコンダ
ングリングボンドが増加するため、光導電特性が劣化し
、電子写真感光体として使用不能になる。逆に、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ中に取込まれる水素の量が低下すると、光学的バ
ンドギャップが小さくなり、その抵抗が小さくなるが、
長波長光に対する光感度が増加する。しかし、水素含有
但が少ないと、シリコンダングリングボンドと結合して
これを減少させるべき水素が少なくなる。このため、発
生するキャリアの移動度が低下し、寿命が短くなると共
に、光導電特性が劣化してしまい、電子写真感光体とし
て使用し雑いものとなる。
この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、基板との密着性
が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供するこ
とを目的とする。
、帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、基板との密着性
が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供するこ
とを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体と、光
導電層とを有する電子写真感光体において、前記光導電
層は、その少なくとも一部が、光学的バンドギャップが
相互に異なると共に厚みが３０乃至２００人である２種
以上の半導体層を積層して構成されていることを特徴と
する。
導電層とを有する電子写真感光体において、前記光導電
層は、その少なくとも一部が、光学的バンドギャップが
相互に異なると共に厚みが３０乃至２００人である２種
以上の半導体層を積層して構成されていることを特徴と
する。
この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、優れた光
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備した電子
写真感光体を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を
重ねた結果、厚みが３０乃至２００人の薄い半導体層で
あって、相互に光学的バンドギャップが異なるものを積
層したベテロ接合超格子構造を、感光体の少なくとも一
部に使用することにより、この目的を達成することがで
きることに想到して、この発明を完成させたものである
。
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備した電子
写真感光体を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を
重ねた結果、厚みが３０乃至２００人の薄い半導体層で
あって、相互に光学的バンドギャップが異なるものを積
層したベテロ接合超格子構造を、感光体の少なくとも一
部に使用することにより、この目的を達成することがで
きることに想到して、この発明を完成させたものである
。
［発明の実施例］
以下、この発明について具体的に説明する。この発明の
特徴は、光導電層又は機能分離型の感光体の場合には電
荷発生層の全ての領域又は一部の領域を超格子構造にし
たことにある。この超格子構造は、厚みが３０乃至２０
０人の極めて薄い半導体層であって、相互に光学的バン
ドギャップが異なるものを積層することにより得られる
。この薄層は結晶質又は非晶質のいずれでも良い。
特徴は、光導電層又は機能分離型の感光体の場合には電
荷発生層の全ての領域又は一部の領域を超格子構造にし
たことにある。この超格子構造は、厚みが３０乃至２０
０人の極めて薄い半導体層であって、相互に光学的バン
ドギャップが異なるものを積層することにより得られる
。この薄層は結晶質又は非晶質のいずれでも良い。
このような薄層を形成する材料としては、光学的バンド
ギャップが１．７５ｅＶであるａ−８ｉ：Ｈ１光学的バ
ンドギャップが１．９ｅＶであるａ−ＳｉＮ：Ｈ，ａ−
ＳｉＣ：）−ＩＳａ−８ｉ○：Ｈｌ又は光学的バンドギ
ャップが１．５８Ｖであるａ−８ｉ Ｇｅ ： Ｈ，ａ
−ＧｅＮ ： Ｈｌａ−ＧｅＣ： Ｈ，ａ−ＧｅＯ：
Ｈ等がある（但し、ａ−Ｇｅはアモルファスゲルマニウ
ムを示す）。
ギャップが１．７５ｅＶであるａ−８ｉ：Ｈ１光学的バ
ンドギャップが１．９ｅＶであるａ−ＳｉＮ：Ｈ，ａ−
ＳｉＣ：）−ＩＳａ−８ｉ○：Ｈｌ又は光学的バンドギ
ャップが１．５８Ｖであるａ−８ｉ Ｇｅ ： Ｈ，ａ
−ＧｅＮ ： Ｈｌａ−ＧｅＣ： Ｈ，ａ−ＧｅＯ：
Ｈ等がある（但し、ａ−Ｇｅはアモルファスゲルマニウ
ムを示す）。
第１図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体の断面
図、第２図は同じく他の実施例に係る電子写真感光体の
断面図である。第１図においては、導電性支持体２１の
上に障壁層２２が形成され、障壁ＷＩ２２の上に光導電
層２３が形成されている。
図、第２図は同じく他の実施例に係る電子写真感光体の
断面図である。第１図においては、導電性支持体２１の
上に障壁層２２が形成され、障壁ＷＩ２２の上に光導電
層２３が形成されている。
光導電層２３の上には表面層２４が形成されている。第
２図に示す感光体は光導電層が電荷発生層と電荷輸送層
とを有する機能分＋ｍ型のものであって、導電性支持体
２１及び障壁層２２の上に電荷輸送層２５が形成されて
いる。この電荷輸送層２５の上には、電荷発生層２６が
形成されており、電荷発生層２６の上には表面［１２４
が形成されている。光導電１１１２３は光の入射により
、キャリアを発生し、このキャリアは一方の重性のもの
が感光体表面の帯電電荷と中和し、他方のものが光導電
層２３を導電性支持体２１まで走行する。また、機能分
離型の感光体（第２図）においては、光の入射により、
電荷発生層２６にてキャリアが発生し、このキャリアの
一方は電荷輸送層２５を走行して導電性支持体２１まで
到達する。
２図に示す感光体は光導電層が電荷発生層と電荷輸送層
とを有する機能分＋ｍ型のものであって、導電性支持体
２１及び障壁層２２の上に電荷輸送層２５が形成されて
いる。この電荷輸送層２５の上には、電荷発生層２６が
形成されており、電荷発生層２６の上には表面［１２４
が形成されている。光導電１１１２３は光の入射により
、キャリアを発生し、このキャリアは一方の重性のもの
が感光体表面の帯電電荷と中和し、他方のものが光導電
層２３を導電性支持体２１まで走行する。また、機能分
離型の感光体（第２図）においては、光の入射により、
電荷発生層２６にてキャリアが発生し、このキャリアの
一方は電荷輸送層２５を走行して導電性支持体２１まで
到達する。
この実施例においては、光導電層２３及び電荷発生１ｌ
１２６は、第３図にその断面図を拡大して示すように、
薄層３１及び３２を交互に積層して構成されている。ｉ
ｉ［３１，３２は、光学的バンドギャップが相違し、夫
々、厚みが３０乃至２°″００人の範囲にある。第４図
及び第５図は横軸に厚み方向をとり、縦軸に光学的バン
ドギャップをとって示す超格子構造のエネルギバンド図
である。例えば、薄層３１，３２がａ−８ｔ：Ｈ及びａ
−ＳｉＮ：Ｈである場合には、第４図に示すように、ａ
−Ｓｉ Ｎ ： Ｈの光学的バンドギャップが１．９ｅ
Ｖであり、ａ−８ｉ：）ｌの光学的バンドギャップが１
．７５ｅＶであルア１３１ら、ａ−５ｉ Ｎ ：Ｈがポ
テンシャルのバリアとなり、ａ−Ｓｉ：ｌ−１がポテン
シャルの井戸となる。このようにして、ａ−Ｓｉ：Ｈの
［とａ−８ｉ Ｎ ： ＨのＩｍとを交互に積層するこ
とによって、周期的なポテンシャルの井戸を形成するこ
とができる。一方、薄層３１．３２が夫々ａ−ＳｉＧｅ
：Ｈ及びａ−Ｓｉ：Ｈである場合には、第５図に示すよ
うに、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈの光学的バンドギャップが１６
５ｅであり、ａ−８ｉ：ｆ−１の光学的バンドギャップ
が１．７５ｅＶであるから、ａ−８ｉ：Ｈ薄層がバリア
となり、ａ−Ｓｉ（３ｅ：Ｈ薄層が井戸となる。つまり
、第４図においては、ａ−Ｓｉ：）−１の薄層が井戸と
なっているのに対し。
１２６は、第３図にその断面図を拡大して示すように、
薄層３１及び３２を交互に積層して構成されている。ｉ
ｉ［３１，３２は、光学的バンドギャップが相違し、夫
々、厚みが３０乃至２°″００人の範囲にある。第４図
及び第５図は横軸に厚み方向をとり、縦軸に光学的バン
ドギャップをとって示す超格子構造のエネルギバンド図
である。例えば、薄層３１，３２がａ−８ｔ：Ｈ及びａ
−ＳｉＮ：Ｈである場合には、第４図に示すように、ａ
−Ｓｉ Ｎ ： Ｈの光学的バンドギャップが１．９ｅ
Ｖであり、ａ−８ｉ：）ｌの光学的バンドギャップが１
．７５ｅＶであルア１３１ら、ａ−５ｉ Ｎ ：Ｈがポ
テンシャルのバリアとなり、ａ−Ｓｉ：ｌ−１がポテン
シャルの井戸となる。このようにして、ａ−Ｓｉ：Ｈの
［とａ−８ｉ Ｎ ： ＨのＩｍとを交互に積層するこ
とによって、周期的なポテンシャルの井戸を形成するこ
とができる。一方、薄層３１．３２が夫々ａ−ＳｉＧｅ
：Ｈ及びａ−Ｓｉ：Ｈである場合には、第５図に示すよ
うに、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈの光学的バンドギャップが１６
５ｅであり、ａ−８ｉ：ｆ−１の光学的バンドギャップ
が１．７５ｅＶであるから、ａ−８ｉ：Ｈ薄層がバリア
となり、ａ−Ｓｉ（３ｅ：Ｈ薄層が井戸となる。つまり
、第４図においては、ａ−Ｓｉ：）−１の薄層が井戸と
なっているのに対し。
第５図においては、ａ−Ｓｉ：）（の薄層はバリアとな
る。このように、光学的バンド−ギャップが相互に異な
る薄層を積層することによって、光学的バンドギャップ
の大きさ自体に拘りなく、光学的バンドギャップが小さ
い層を基準にして光学的バンドギャップが大きな層がバ
リアとなる周期的なポテンシャルバリアを有する超格子
構造が形成される。この超格子構造においては、バリア
薄層が極めて薄いので、薄層におけるキャリアのトンネ
ル効果により、キャリアはバリアを通過して超格子構造
中を走行する。また、このような超格子構造においては
、光の入射により発生するキャリアの数が多い。従って
、光感度が高い。なお、超格子構造の′４帝のバンドギ
ャップと層厚を変更することにより、ペテロ接合超格子
構造を有する層のみかけのバンドギャップを自由に調整
することができる。
る。このように、光学的バンド−ギャップが相互に異な
る薄層を積層することによって、光学的バンドギャップ
の大きさ自体に拘りなく、光学的バンドギャップが小さ
い層を基準にして光学的バンドギャップが大きな層がバ
リアとなる周期的なポテンシャルバリアを有する超格子
構造が形成される。この超格子構造においては、バリア
薄層が極めて薄いので、薄層におけるキャリアのトンネ
ル効果により、キャリアはバリアを通過して超格子構造
中を走行する。また、このような超格子構造においては
、光の入射により発生するキャリアの数が多い。従って
、光感度が高い。なお、超格子構造の′４帝のバンドギ
ャップと層厚を変更することにより、ペテロ接合超格子
構造を有する層のみかけのバンドギャップを自由に調整
することができる。
ａ−Ｓｉ ：＠Ｓａ ＳｉＮ：Ｈ及びａ−３１Ｇｅ：
ｌ−１等には、水素Ｈ’（０，０１乃至３０原子％、好
ましくは１乃至２５原子％含有させる。これにより、シ
リコンのダングリングボンドが補償され、暗抵抗と明抵
抗とが調和のとれたものになり、光導電特性が向上する
。薄層をグロー放電分解法により成膜する場合には、原
料としてＳｉＨ４及び５ｉ２Ｈｓ等のシラン類ガスを反
応室に導入し、高周波によりグローｆｉｎすることによ
り薄層中にＨを添加することができる。
ｌ−１等には、水素Ｈ’（０，０１乃至３０原子％、好
ましくは１乃至２５原子％含有させる。これにより、シ
リコンのダングリングボンドが補償され、暗抵抗と明抵
抗とが調和のとれたものになり、光導電特性が向上する
。薄層をグロー放電分解法により成膜する場合には、原
料としてＳｉＨ４及び５ｉ２Ｈｓ等のシラン類ガスを反
応室に導入し、高周波によりグローｆｉｎすることによ
り薄層中にＨを添加することができる。
ａ−Ｓｉ Ｎ ： Ｈを形成するためには、原料ガスに
Ｎ２ガス又はＮＨ３ガスを所要是添加すれば良い。
Ｎ２ガス又はＮＨ３ガスを所要是添加すれば良い。
ａ−８ｉｃｅ：Ｈは、通常、ＳｉＨ４とゲルマン（Ｇｅ
ｍｓ ）との混合ガスをグロー放電することにより成膜
される。必要に応じて、シラン類のキャリアガスとして
水素又はヘリウムをガスを使用することができる。一方
、Ｓ ｉ Ｆ４ガス及び５ｉＣｌ＋ガス等のハロゲン化
ケイ素を原料ガスとして使用することができる。また、
シラン類ガスとハロゲン化ケイ素ガスとの混合ガスで反
応させても、同様にＨを含有するａ−ＳｉＮ：Ｈ及びａ
−Ｓｉ：ｌ−１を成膜することができる。なお、グロー
放電分解法によらず、例えば、スパッタリング等の物理
的な方法によってもこれ等の薄層を形成することかでき
る。
ｍｓ ）との混合ガスをグロー放電することにより成膜
される。必要に応じて、シラン類のキャリアガスとして
水素又はヘリウムをガスを使用することができる。一方
、Ｓ ｉ Ｆ４ガス及び５ｉＣｌ＋ガス等のハロゲン化
ケイ素を原料ガスとして使用することができる。また、
シラン類ガスとハロゲン化ケイ素ガスとの混合ガスで反
応させても、同様にＨを含有するａ−ＳｉＮ：Ｈ及びａ
−Ｓｉ：ｌ−１を成膜することができる。なお、グロー
放電分解法によらず、例えば、スパッタリング等の物理
的な方法によってもこれ等の薄層を形成することかでき
る。
障壁層２２は、導電性支持体２１と、光導電層２３（又
は電荷発生層２５）との間の電荷の流れを抑制すること
により、感光体の表面における電荷の保持機能を島め、
感光体の帯電能を高める。
は電荷発生層２５）との間の電荷の流れを抑制すること
により、感光体の表面における電荷の保持機能を島め、
感光体の帯電能を高める。
カールソン方式においては、感光体表面に正帯電させる
場合には、支持体側から光導電層へ電子が注入されるこ
とを防止するために、障壁層をｎ型にする。一方、感光
体表面に負帯電させる場合には、支持体側から光導電層
へ正孔が注入されることを防止するために、障壁層をｎ
型にする。また、障壁層として、絶縁性の膜を支持体の
上に形成することも可能である。障壁層２２はマイクロ
クリスタリンシリコン〈以下、μｃ−８ｉと略す）を使
用して形成してもよいし、ａ−８ｉ：Ｈを使用して障壁
層を構成することも可能である。障壁層２２の厚みは１
００人乃至１０μｍが好ましい。
場合には、支持体側から光導電層へ電子が注入されるこ
とを防止するために、障壁層をｎ型にする。一方、感光
体表面に負帯電させる場合には、支持体側から光導電層
へ正孔が注入されることを防止するために、障壁層をｎ
型にする。また、障壁層として、絶縁性の膜を支持体の
上に形成することも可能である。障壁層２２はマイクロ
クリスタリンシリコン〈以下、μｃ−８ｉと略す）を使
用して形成してもよいし、ａ−８ｉ：Ｈを使用して障壁
層を構成することも可能である。障壁層２２の厚みは１
００人乃至１０μｍが好ましい。
μｃ−８ｉは、以下のような物性上の特徴により、ａ−
８ｉ：Ｈ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコ
ン）から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定におい
ては、ａ−Ｓｉ：）−１は、無定形であるため、ハロー
のみが現れ、回折パターンを認めることができないが、
μＣ−Ｓｉは、２θが２８乃至２８．５°付近にある結
晶回折パターンを示す。また、ポリクリスタリンシリコ
ンは暗抵抗が１０６Ω・αであるのに対し、μｃ−８ｔ
は１０１ＯΩ・ａｒｔ以上の暗抵抗を有するように調整
することができる。このμＣ−Ｓｉは粒径が約数十オン
グストローム以上である微結晶のシリコンと非晶質のシ
リコンとの混合相により形成されている。
８ｉ：Ｈ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコ
ン）から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定におい
ては、ａ−Ｓｉ：）−１は、無定形であるため、ハロー
のみが現れ、回折パターンを認めることができないが、
μＣ−Ｓｉは、２θが２８乃至２８．５°付近にある結
晶回折パターンを示す。また、ポリクリスタリンシリコ
ンは暗抵抗が１０６Ω・αであるのに対し、μｃ−８ｔ
は１０１ＯΩ・ａｒｔ以上の暗抵抗を有するように調整
することができる。このμＣ−Ｓｉは粒径が約数十オン
グストローム以上である微結晶のシリコンと非晶質のシ
リコンとの混合相により形成されている。
このようなμＣ−８ｉを有する光導電層は、ａ−Ｓｉ：
ｌ−（と同様に、高周波グロー放電分解法により、シラ
ンガスを原料として、導電性支持体上にμｃ−Ｓｉ：）
−１を堆積させることにより製造することができる。こ
の場合に、支持体の温度をａ−Ｓｉ：Ｈを形成する場合
よりも高く設定し、高周波゛心力もａ−８ｉ：Ｈの場合
よりも高く設定すると、μｃ−８ｉ：Ｈを形成しやすく
なる。また、支持体温度及び高周波電力を高くすること
により、シランガスなどの原料ガスの流量を増大させる
ことができ、その結果、成膜速度を早くすることができ
る。また、原料ガスのＳｉＨ＋及び５ｉ２ｅｓ等の高次
のシランガスを水素で希釈したガスを使用することによ
り、μｃ−Ｓｉ：）（を一層高効率で形成することがで
きる。
ｌ−（と同様に、高周波グロー放電分解法により、シラ
ンガスを原料として、導電性支持体上にμｃ−Ｓｉ：）
−１を堆積させることにより製造することができる。こ
の場合に、支持体の温度をａ−Ｓｉ：Ｈを形成する場合
よりも高く設定し、高周波゛心力もａ−８ｉ：Ｈの場合
よりも高く設定すると、μｃ−８ｉ：Ｈを形成しやすく
なる。また、支持体温度及び高周波電力を高くすること
により、シランガスなどの原料ガスの流量を増大させる
ことができ、その結果、成膜速度を早くすることができ
る。また、原料ガスのＳｉＨ＋及び５ｉ２ｅｓ等の高次
のシランガスを水素で希釈したガスを使用することによ
り、μｃ−Ｓｉ：）（を一層高効率で形成することがで
きる。
ｕｃ−Ｓｉ：Ｈ及びａ−８ｉ：Ｈ＠ｌ）型にするために
は、周期律表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ
、アルミニウムＡＩ、ガリウムＱａ。
は、周期律表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ
、アルミニウムＡＩ、ガリウムＱａ。
インジウムＩｎ、及びタリウムＴＩ等をドーピングする
ことが好ましく、μｃ−８ｉ：ｌ−１及びａ−Ｓｉ：Ｈ
をｎ型にするためには、周期律表の第■族に属する元素
、例えば、窒素Ｎ、リンＰ１ヒ素ＡＳ、アンチモンｓｂ
、及びビスマスＢ１等をドーピングすることが好ましい
。このｎ型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、
支持体側から光導電層へ電荷が移動することが防止され
る。
ことが好ましく、μｃ−８ｉ：ｌ−１及びａ−Ｓｉ：Ｈ
をｎ型にするためには、周期律表の第■族に属する元素
、例えば、窒素Ｎ、リンＰ１ヒ素ＡＳ、アンチモンｓｂ
、及びビスマスＢ１等をドーピングすることが好ましい
。このｎ型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、
支持体側から光導電層へ電荷が移動することが防止され
る。
一方、μｃ−８ｉ：Ｈ及びａ−Ｓｉ：ｌ−１に、炭素Ｃ
１窒素Ｎ及び酸素Ｏから選択された少なくとも１種の元
素を含有させることにより、高抵抗の絶縁性障壁層を形
成することができる。
１窒素Ｎ及び酸素Ｏから選択された少なくとも１種の元
素を含有させることにより、高抵抗の絶縁性障壁層を形
成することができる。
光導電層２３又は電荷発生層２６の上に表面層２４が設
けられている。光導電層２３又は電荷発生層２６のａ−
５ｉ：ｌ−１等は、その屈折率が３乃至３．４と比較的
大きいため、表面での光反射が起きやすい。このような
光反射が生じると、光導電層又は電荷発生層に吸収され
る光量の割合いが低下し、光損失が大きくなる。このた
め、表面層２４を設けて反射を防止することが好ましい
。また、表面層２４を設けることにより、光導電層２３
又は電荷発生層２６が損傷から保護される。
けられている。光導電層２３又は電荷発生層２６のａ−
５ｉ：ｌ−１等は、その屈折率が３乃至３．４と比較的
大きいため、表面での光反射が起きやすい。このような
光反射が生じると、光導電層又は電荷発生層に吸収され
る光量の割合いが低下し、光損失が大きくなる。このた
め、表面層２４を設けて反射を防止することが好ましい
。また、表面層２４を設けることにより、光導電層２３
又は電荷発生層２６が損傷から保護される。
さらに、表面層を形成することにより、帯電能が向上し
、表面に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する
材料としては、ａ−ＳｉＮ：Ｈｌａ−８ｉＯ：Ｈ，及び
ａ−ＳｉＣ：Ｈ等の無礪化合物並びにポリ塩化ビニル及
びポリアミド等の有門材料がある。
、表面に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する
材料としては、ａ−ＳｉＮ：Ｈｌａ−８ｉＯ：Ｈ，及び
ａ−ＳｉＣ：Ｈ等の無礪化合物並びにポリ塩化ビニル及
びポリアミド等の有門材料がある。
このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電により約５００Ｖの正電圧で帯電させると、例えば
、第２図に示す機能分離型の電子写真感光体の場合には
、第７図に示すように、ポテンシャルバリアが形成され
る。この感光体に光（ｈν）が入射すると、電荷発生層
２６の超格子構造で電子と正孔のキャリアが発生する。
放電により約５００Ｖの正電圧で帯電させると、例えば
、第２図に示す機能分離型の電子写真感光体の場合には
、第７図に示すように、ポテンシャルバリアが形成され
る。この感光体に光（ｈν）が入射すると、電荷発生層
２６の超格子構造で電子と正孔のキャリアが発生する。
この伝導帯の電子は、感光体中の電界により、表面層２
４側に向けて加速され、正孔は導電性支持体２１側に向
けて加速される。この場合に、光学的バンドギャップが
相違する薄層の境界で発生するキャリアの数は、バルク
で発生するキャリアの数よりも極めて多い。このため、
この超格子構造においては、光感度が高い。また、ポテ
ンシャルの井戸層においては、量子効果のために、超格
子構造でない単一層の場合に比して、キャリアの寿命が
５乃至１０倍と長い。更に、超格子構造においては、バ
ンドギャップの不連続性により、周期的なバリア（が形
成されるが、キャリアはトンネル効果で容易にバイアス
層を通り扱けるので、キャリアの実効移動度はバルクに
おける移動度と同等であり、キャリアの走行性が浸れて
いる。以上のごとく、光学的バンドギャップが相違する
薄層を積層した超格子構造によれば、高光導電特性を得
ることができ、従来の感光体よりも鮮明な画像を得るこ
とができる。
４側に向けて加速され、正孔は導電性支持体２１側に向
けて加速される。この場合に、光学的バンドギャップが
相違する薄層の境界で発生するキャリアの数は、バルク
で発生するキャリアの数よりも極めて多い。このため、
この超格子構造においては、光感度が高い。また、ポテ
ンシャルの井戸層においては、量子効果のために、超格
子構造でない単一層の場合に比して、キャリアの寿命が
５乃至１０倍と長い。更に、超格子構造においては、バ
ンドギャップの不連続性により、周期的なバリア（が形
成されるが、キャリアはトンネル効果で容易にバイアス
層を通り扱けるので、キャリアの実効移動度はバルクに
おける移動度と同等であり、キャリアの走行性が浸れて
いる。以上のごとく、光学的バンドギャップが相違する
薄層を積層した超格子構造によれば、高光導電特性を得
ることができ、従来の感光体よりも鮮明な画像を得るこ
とができる。
第６図は、この発明に係る電子写真感光体をグロー放電
法により製造する装置を示す図である。
法により製造する装置を示す図である。
ガスボンベ１．２．３．４には、例えば、夫々ＳｉＨ＋
、８２ Ｈ６、Ｈ２、ＣＨ４等の原料ガスが収容され
ている。これらのガスボンベ１，２゜３．４内のガスは
、流量調整用のバルブ６及び配管７を介して混合器８に
供給されるようになっている。各ボンベには、圧力計５
が設置されており、この圧力計５を監視しつつ、バルブ
６を調整することにより、混合器８に供給する各原料ガ
スの流量及び混合比を調節することができる。混合器８
にて混合されたガスは反応容器９に供給される。
、８２ Ｈ６、Ｈ２、ＣＨ４等の原料ガスが収容され
ている。これらのガスボンベ１，２゜３．４内のガスは
、流量調整用のバルブ６及び配管７を介して混合器８に
供給されるようになっている。各ボンベには、圧力計５
が設置されており、この圧力計５を監視しつつ、バルブ
６を調整することにより、混合器８に供給する各原料ガ
スの流量及び混合比を調節することができる。混合器８
にて混合されたガスは反応容器９に供給される。
反応容器９の底部１１には、回転軸１０が鉛直方向の回
りに回転可能に取りつけられており、この回転軸１０の
上端に、円板状の支持台１２がその面を回転軸１０に垂
直にして固定されている。反応容器９内には、円筒状の
電極１３がその軸中心を回転軸１０の軸中心と一致させ
て底部１１上に設置されている。感光体のドラム基体１
４が支持台１２上にその軸中心を回転軸１０の軸中心と
一致させて載置されており、このドラム基体１４の内側
には、ドラム基体加熱用のヒータ１５が配設されている
。電極１３とドラム基体１４との間には、高周波電源１
６が接続されており、電極１３及びドラム基体１４間に
高周波電流が供給されるようになっている。回転軸１０
はモータ１８により回転駆動される。反応容器９内の圧
力は、圧力計１７により監視され、反応容器９は、ゲー
トバルブ１８を介して真空ポンプ等の適宜の排気手段に
連結されている。
りに回転可能に取りつけられており、この回転軸１０の
上端に、円板状の支持台１２がその面を回転軸１０に垂
直にして固定されている。反応容器９内には、円筒状の
電極１３がその軸中心を回転軸１０の軸中心と一致させ
て底部１１上に設置されている。感光体のドラム基体１
４が支持台１２上にその軸中心を回転軸１０の軸中心と
一致させて載置されており、このドラム基体１４の内側
には、ドラム基体加熱用のヒータ１５が配設されている
。電極１３とドラム基体１４との間には、高周波電源１
６が接続されており、電極１３及びドラム基体１４間に
高周波電流が供給されるようになっている。回転軸１０
はモータ１８により回転駆動される。反応容器９内の圧
力は、圧力計１７により監視され、反応容器９は、ゲー
トバルブ１８を介して真空ポンプ等の適宜の排気手段に
連結されている。
このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体１４を膜性した後、ゲ
ートバルブ１つを開にして反応容器９内を約ｏ、１トル
（Ｔｏｒｒ）の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ１
，２，３．４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合
して反応容器９内に導入する。この場合に、反応容器９
内に導入するガス流量は、反応容器９内の圧力が０．１
乃至１トルになるように設定する。次いで、モータ１８
を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ１５に
よりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に、品周
波電源１６により電極１３とドラム基体１４との間に高
周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成する。
には、反応容器９内にドラム基体１４を膜性した後、ゲ
ートバルブ１つを開にして反応容器９内を約ｏ、１トル
（Ｔｏｒｒ）の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ１
，２，３．４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合
して反応容器９内に導入する。この場合に、反応容器９
内に導入するガス流量は、反応容器９内の圧力が０．１
乃至１トルになるように設定する。次いで、モータ１８
を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ１５に
よりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に、品周
波電源１６により電極１３とドラム基体１４との間に高
周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成する。
これにより、ドラム基体１４上に８−Ｓｉ：ｌ−１が堆
積する。なお、原料ガス中にＮ２０．ＮＨ３、ＮＯ２、
Ｎ２ 。
積する。なお、原料ガス中にＮ２０．ＮＨ３、ＮＯ２、
Ｎ２ 。
ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用することにより、
これらの元素をａ−８ｉ：Ｈ中に含有させることができ
る。
これらの元素をａ−８ｉ：Ｈ中に含有させることができ
る。
このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で製造することができるため、
人体に対して安全である。また、この電子写真感光体は
、耐熱性、耐湿性及び耐摩耗性が層れているため、長期
に亘り繰り返し使用しても劣化が少なく、寿命が長いと
いう利点がある。
ズドシステムの製造装置で製造することができるため、
人体に対して安全である。また、この電子写真感光体は
、耐熱性、耐湿性及び耐摩耗性が層れているため、長期
に亘り繰り返し使用しても劣化が少なく、寿命が長いと
いう利点がある。
次に、この発明に係る電子写真感光体を成脱し、電子写
真特性を試験した結果について説明する。
真特性を試験した結果について説明する。
ｍ二
必要に応じて、干渉防止のために、酸処理、アルカリ処
理及びサンドブラスト処理を施した直径が８０ｍｍ、幅
が３５０ｍｍのアルミニウム製ドラム基体を反応容器内
に装着し、反応容器を約１０−５ トルの真空度に排気
した。ドラム基体を２５０’Ｃに加熱し、１０ｒｐｍで
自転させつつ、ＳｉＨ４ガスを５００ Ｓ ＣＣＭ 、
Ｂ ２ Ｈ６ガスをＳｉＨ＋ガスに対する流量比で１
０−６、ＣＨ４ガスを１１００５ＣＣという流口で反応
容器内に導入し、反応容器内を１トルに調節した。そし
て、１３．５６Ｍ）（Ｚの高周波電力を印加してプラズ
マを生起させ、ｐ型のａ−ＳｉＣ：Ｈ障壁層を形成した
。
理及びサンドブラスト処理を施した直径が８０ｍｍ、幅
が３５０ｍｍのアルミニウム製ドラム基体を反応容器内
に装着し、反応容器を約１０−５ トルの真空度に排気
した。ドラム基体を２５０’Ｃに加熱し、１０ｒｐｍで
自転させつつ、ＳｉＨ４ガスを５００ Ｓ ＣＣＭ 、
Ｂ ２ Ｈ６ガスをＳｉＨ＋ガスに対する流量比で１
０−６、ＣＨ４ガスを１１００５ＣＣという流口で反応
容器内に導入し、反応容器内を１トルに調節した。そし
て、１３．５６Ｍ）（Ｚの高周波電力を印加してプラズ
マを生起させ、ｐ型のａ−ＳｉＣ：Ｈ障壁層を形成した
。
次いで、Ｂ２ Ｈ６／Ｓ ｉ Ｈ４比を１０−７、ＣＨ
４ガスをＯに設定し、５００Ｗの高周波電力を投入して
２０μｍの１型ａ−Ｓｉ：Ｈ電荷輸送層を形成した。
４ガスをＯに設定し、５００Ｗの高周波電力を投入して
２０μｍの１型ａ−Ｓｉ：Ｈ電荷輸送層を形成した。
その後、放電を一旦停止し、ＮＨ３ガス流量を１２０Ｓ
ＣＣＭ導入し、反応圧力を１．２トルに調節し、５００
Ｗの高周波電力を印加して、５０人のａ−ＳｉＮ：Ｈ薄
層を形成した。次いで、Ｓ ｉ Ｈ４ガスが５００ＳＣ
ＣＭ、Ｂ２ Ｈｓ ／ＳｉＨ＋が１０−７になるように
設定し、５００ Ｗの高周波電力を印加して、５０人の
ａ−８ｉ：）−１１層を形成した。このような操作を繰
り返して、２５０層のａ−ＳｉＮ：Ｈ薄層と、２５０層
のａ−８ｉ：ｌ−１層とを交互に積層し、ヘテロ接合超
格子構造の電荷発生層を５μｍ形成した。次イテ、０．
５μｍのａ−ＳｉＣ：Ｈ表面層を形成した。
ＣＣＭ導入し、反応圧力を１．２トルに調節し、５００
Ｗの高周波電力を印加して、５０人のａ−ＳｉＮ：Ｈ薄
層を形成した。次いで、Ｓ ｉ Ｈ４ガスが５００ＳＣ
ＣＭ、Ｂ２ Ｈｓ ／ＳｉＨ＋が１０−７になるように
設定し、５００ Ｗの高周波電力を印加して、５０人の
ａ−８ｉ：）−１１層を形成した。このような操作を繰
り返して、２５０層のａ−ＳｉＮ：Ｈ薄層と、２５０層
のａ−８ｉ：ｌ−１層とを交互に積層し、ヘテロ接合超
格子構造の電荷発生層を５μｍ形成した。次イテ、０．
５μｍのａ−ＳｉＣ：Ｈ表面層を形成した。
このようにして形成した感光体表面を約５００Ｖで正帯
電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収
され、電子正孔対のキャリアが発生ずる。この試験例に
おいては、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が
高く、高い走行性が得られた。これにより、鮮明で高品
質の画像が得られた。また、この試験例で製造された感
光体を、繰返し帯電させたところ、転写画懺の再現性及
び安定性は極めて良好であり、更に、耐コロナ性、耐湿
性、及び耐磨耗性等の耐久性が優れていることが実証さ
れた。
電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収
され、電子正孔対のキャリアが発生ずる。この試験例に
おいては、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が
高く、高い走行性が得られた。これにより、鮮明で高品
質の画像が得られた。また、この試験例で製造された感
光体を、繰返し帯電させたところ、転写画懺の再現性及
び安定性は極めて良好であり、更に、耐コロナ性、耐湿
性、及び耐磨耗性等の耐久性が優れていることが実証さ
れた。
試験例２
この試験例においては、試験例１と同様に、ｐ型ａ−Ｓ
ｉＣ：Ｈ障壁層及びｉ型ａｊＳｉ：Ｈ１荷輸送層を形成
し、その後、ＧｅＨ＋ガスｖＬ量を２００３ＣＣＭに設
定し、反応圧力が１．２トル、高周波電力が５００Ｗの
条件でａ−ＳｉＧｅ：Ｈ１層を５０人形成した。次いで
、試験例１と同様にして、ａ−８ｉ：Ｈ薄層を５０人形
成した。このような操作を繰返し、２５０１ｉＷのａ−
ＳｉＧｅ：Ｈ薄層と２５０層のａ−Ｓｉ 二ｌ−１簿層
とを交互に積層して、５μｍのへテロ接合超格子構造の
電荷発生層を形成した。その後、ａ−ＳｉＣ：Ｈ表面層
を０．５μｍ形成した。
ｉＣ：Ｈ障壁層及びｉ型ａｊＳｉ：Ｈ１荷輸送層を形成
し、その後、ＧｅＨ＋ガスｖＬ量を２００３ＣＣＭに設
定し、反応圧力が１．２トル、高周波電力が５００Ｗの
条件でａ−ＳｉＧｅ：Ｈ１層を５０人形成した。次いで
、試験例１と同様にして、ａ−８ｉ：Ｈ薄層を５０人形
成した。このような操作を繰返し、２５０１ｉＷのａ−
ＳｉＧｅ：Ｈ薄層と２５０層のａ−Ｓｉ 二ｌ−１簿層
とを交互に積層して、５μｍのへテロ接合超格子構造の
電荷発生層を形成した。その後、ａ−ＳｉＣ：Ｈ表面層
を０．５μｍ形成した。
このようにして製造された感光体は、半導体レーザの発
擾波長である７８０乃至７９０層ｍの長波長光に対して
も高い感度を有する。この感光体を半導体レーザプリン
タに搭載してカールソンプロセスにより画像を形成した
ところ、感光体表面の露光量が２５ ｅｒｇ ｃａ＋２
である場合でも、鮮明で高解像度の画像を得ることがで
きた。
擾波長である７８０乃至７９０層ｍの長波長光に対して
も高い感度を有する。この感光体を半導体レーザプリン
タに搭載してカールソンプロセスにより画像を形成した
ところ、感光体表面の露光量が２５ ｅｒｇ ｃａ＋２
である場合でも、鮮明で高解像度の画像を得ることがで
きた。
また、この感光体を繰返し帯電したところ、転写画像の
再現性及び安定性が高く、耐コロナ性、耐湿性、及び耐
磨耗性などの耐久性が優れていた。
再現性及び安定性が高く、耐コロナ性、耐湿性、及び耐
磨耗性などの耐久性が優れていた。
なお、上記試験例においては、電荷発生層の厚みが５μ
ｍであったが、これに限らず、１又は３μｍ等に設定し
ても感光体として実用可能である。
ｍであったが、これに限らず、１又は３μｍ等に設定し
ても感光体として実用可能である。
薄層は、上記試験例のａ−８ｉ ：Ｈ，ａ−ＳｉＮ：Ｈ
及びａ−８ｉＱｅ：ｌ−１に限らないことは勿論である
。また、ｓｍの種類は、上記試験例のように２種類に限
らず、３種類以上の薄層を積層しても良く、要するに、
光学的バンドギャップが相違する薄層の境界を形成すれ
ば良い。
及びａ−８ｉＱｅ：ｌ−１に限らないことは勿論である
。また、ｓｍの種類は、上記試験例のように２種類に限
らず、３種類以上の薄層を積層しても良く、要するに、
光学的バンドギャップが相違する薄層の境界を形成すれ
ば良い。
［発明の効果］
この発明によれば、光導電層の一部又は全部に、光学的
バンドギャップが相互に異なる薄層を積層して構成され
る超格子構造を使用するから、可視光から近赤外光の広
い波長領域に亘って高感度であり、キャリアの走行性が
高いと共に、高抵抗で帯電特性が優れた電子写真感光体
を得ることができる。特に、この発明においては、薄層
を形成する材料を適宜組み合わせることにより、任意の
波長帯の光に対して最適の光導電特性を有する感光体を
得ることができるという利点がある。
バンドギャップが相互に異なる薄層を積層して構成され
る超格子構造を使用するから、可視光から近赤外光の広
い波長領域に亘って高感度であり、キャリアの走行性が
高いと共に、高抵抗で帯電特性が優れた電子写真感光体
を得ることができる。特に、この発明においては、薄層
を形成する材料を適宜組み合わせることにより、任意の
波長帯の光に対して最適の光導電特性を有する感光体を
得ることができるという利点がある。
第１図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体を示す
断面図、第２図は同じく他の実施例に係る電子写真感光
体を示す断面図、第３図は第１図及び第２図の一部拡大
断面図、第４図及び第５図は超格子構造のエネルギバン
ドを示す図、第６図はこの発明の実施例に係る電子写真
感光体の製造装置を示す図、第７図は感光体のエネルギ
ギャップを示す模式図である。 １．２．３，４：ボンベ、５：圧力計、６：バルブ、７
：配管、８：混合器、９：反応容器、１０：回転軸、１
３：電極、１４ニドラム基体、１５：ヒータ、１６：高
周波電源、１９ニゲートバルブ、２１：導電性支持体、
２２：障壁層、２３：光導電層、２４：表面層、２５：
電荷輸送層、２６：電荷発生層、３１，３２：薄層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第６ ■ 第４ 囚 第５因
断面図、第２図は同じく他の実施例に係る電子写真感光
体を示す断面図、第３図は第１図及び第２図の一部拡大
断面図、第４図及び第５図は超格子構造のエネルギバン
ドを示す図、第６図はこの発明の実施例に係る電子写真
感光体の製造装置を示す図、第７図は感光体のエネルギ
ギャップを示す模式図である。 １．２．３，４：ボンベ、５：圧力計、６：バルブ、７
：配管、８：混合器、９：反応容器、１０：回転軸、１
３：電極、１４ニドラム基体、１５：ヒータ、１６：高
周波電源、１９ニゲートバルブ、２１：導電性支持体、
２２：障壁層、２３：光導電層、２４：表面層、２５：
電荷輸送層、２６：電荷発生層、３１，３２：薄層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第６ ■ 第４ 囚 第５因
Claims (6)
- （１）導電性支持体と、光導電層とを有する電子写真感
光体において、前記光導電層は、その少なくとも一部が
、光学的バンドギャップが相互に異なると共に厚みが３
０乃至２００Åである２種以上の半導体層を積層して構
成されていることを特徴とする電子写真感光体。 - （２）前記光導電層の積層体は、水素を含有するアモル
ファスシリコン層と、炭素、酸素、窒素及びゲルマニウ
ムから選択された少なくとも一種の元素並びに水素を含
有するアモルファスシリコン層とからなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。 - （３）前記光導電層の積層体は、水素を含有するアモル
ファスゲルマニウム層と、炭素、酸素、窒素及びシリコ
ンから選択された少なくとも一種の元素並びに水素を含
有するアモルファスゲルマニウム層とからなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体
。 - （４）前記光導電層は、周規律表の第III族又は第Ｖ族
に属する元素から選択された少なくとも一種の元素を含
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の電子写真感光体。 - （５）前記光導電層の上に表面層が形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感
光体。 - （６）前記半導体層は、ａ−Ｓｉ：Ｈであるか、ａ−Ｓ
ｉＮ：Ｈ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ及びａ−ＳｉＯ：Ｈから選択
されたものであるか、又は ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ、ａ−Ｇｅ：Ｈ、ａ−ＧｅＮ：Ｈ、ａ
−ＧｅＣ：Ｈ、ａ−ＧｅＯ：Ｈから選択されたものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子
写真感光体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61003134A JPH0772803B2 (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | 電子写真感光体 |
| US06/948,075 US4722879A (en) | 1986-01-10 | 1986-12-31 | Electrophotographic photoreceptor with super lattice structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61003134A JPH0772803B2 (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62161155A true JPS62161155A (ja) | 1987-07-17 |
| JPH0772803B2 JPH0772803B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=11548879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61003134A Expired - Lifetime JPH0772803B2 (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | 電子写真感光体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4722879A (ja) |
| JP (1) | JPH0772803B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62166352A (ja) * | 1986-01-18 | 1987-07-22 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS632060A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632059A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS632061A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632066A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632065A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632064A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632058A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS632062A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632063A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632057A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS6364054A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6343157A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-24 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| US4804605A (en) * | 1986-08-11 | 1989-02-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrophotographic superlattice photoreceptor |
| US4803141A (en) * | 1986-08-11 | 1989-02-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrophotographic superlattice photoreceptor |
| US4810605A (en) * | 1986-10-31 | 1989-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrophotographic superlattice photoreceptor |
| DE3740319A1 (de) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Toshiba Kk | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial |
| US4859552A (en) * | 1987-02-18 | 1989-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrophotographic photoreceptor with superlattice structure |
| US5051786A (en) * | 1989-10-24 | 1991-09-24 | Mcnc | Passivated polycrystalline semiconductors quantum well/superlattice structures fabricated thereof |
| US5643801A (en) * | 1992-11-06 | 1997-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing method and alignment |
| JPH09512348A (ja) * | 1994-04-26 | 1997-12-09 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン | 超格子光吸収体 |
| TW332320B (en) * | 1997-01-03 | 1998-05-21 | Nat Science Council | A low temperature deposited hydrogenated amorphous silicon nitride and amorphous silicon hydrogen composite passivation layer, the deposition method and the semiconductor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140354A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Hitachi Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS61193489A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-27 | エクソン リサーチ アンド エンヂニアリング コムパニー | 長波長に対して高い感度を有する無定形光受容体 |
| JPS6243653A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光導電材料 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6062166A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-10 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光導電材料 |
| US4598164A (en) * | 1983-10-06 | 1986-07-01 | Exxon Research And Engineering Co. | Solar cell made from amorphous superlattice material |
| US4544617A (en) * | 1983-11-02 | 1985-10-01 | Xerox Corporation | Electrophotographic devices containing overcoated amorphous silicon compositions |
| EP0194329B1 (en) * | 1985-03-13 | 1989-07-12 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Multilayer photoconductive material |
-
1986
- 1986-01-10 JP JP61003134A patent/JPH0772803B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-31 US US06/948,075 patent/US4722879A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140354A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Hitachi Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS61193489A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-27 | エクソン リサーチ アンド エンヂニアリング コムパニー | 長波長に対して高い感度を有する無定形光受容体 |
| JPS6243653A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光導電材料 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62166352A (ja) * | 1986-01-18 | 1987-07-22 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS632060A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632059A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS632061A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632066A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632065A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632064A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632058A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS632062A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632063A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632057A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS6364054A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0772803B2 (ja) | 1995-08-02 |
| US4722879A (en) | 1988-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62161155A (ja) | 電子写真感光体 | |
| US4803139A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
| US4803141A (en) | Electrophotographic superlattice photoreceptor | |
| JPS63187258A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6343160A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63187254A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63165860A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6343159A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6343161A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63243956A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63113546A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63137234A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6385638A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6283756A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63294567A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63202756A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6383728A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63137235A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63137237A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6383725A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63113549A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63294566A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63201662A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63201661A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63294565A (ja) | 電子写真感光体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |