JPS6243653A - 光導電材料 - Google Patents
光導電材料Info
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- JPS6243653A JPS6243653A JP60183257A JP18325785A JPS6243653A JP S6243653 A JPS6243653 A JP S6243653A JP 60183257 A JP60183257 A JP 60183257A JP 18325785 A JP18325785 A JP 18325785A JP S6243653 A JPS6243653 A JP S6243653A
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- layer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08264—Silicon-based comprising seven or more silicon-based layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は新規な光導Ｎ材料に関する。さらに詳しくは、
応答速度が速く、複写機用感光材料に必要な帯電能を有
し、艮波長尤に対しても、短波長光に対しても感度の制
御が容易な光導電材料に関する。
応答速度が速く、複写機用感光材料に必要な帯電能を有
し、艮波長尤に対しても、短波長光に対しても感度の制
御が容易な光導電材料に関する。
［従来の技術１
光（紫外光、可視光、赤外光）などの電磁波のエネルギ
ーを吸収することにより、電Ｍのキャリヤーを生成して
導電性が増大する材料として、従来より、Ｓｅ、 Ｃｄ
Ｓ １２ｎＯ％ＡＳ２ ３３などの無機系光導電材料や
、ポリビニルカルバゾール（ｐｖに）、トリニドＯフル
オレノン（ＴＮＦ） 、フタロシアニン系化合物、トリ
フェニルアミン、ポリカーボネートなどの有機系光導電
材料がよく知られている。これらの無機系または有機系
光導電材料は、その光導電特性に応じた用途に利用され
るが、各々長所と短所とを鮪ね備えているため、利用に
当っては多くの努力が払われている。
ーを吸収することにより、電Ｍのキャリヤーを生成して
導電性が増大する材料として、従来より、Ｓｅ、 Ｃｄ
Ｓ １２ｎＯ％ＡＳ２ ３３などの無機系光導電材料や
、ポリビニルカルバゾール（ｐｖに）、トリニドＯフル
オレノン（ＴＮＦ） 、フタロシアニン系化合物、トリ
フェニルアミン、ポリカーボネートなどの有機系光導電
材料がよく知られている。これらの無機系または有機系
光導電材料は、その光導電特性に応じた用途に利用され
るが、各々長所と短所とを鮪ね備えているため、利用に
当っては多くの努力が払われている。
一般に有機系光導電材料のばあいには、有機物の特徴を
生かすことにより、成膜性がよく、感光波長感度の制御
が容易な材料を設計することができる。しかしその反面
、電荷のキャリヤーの移動度が小さいため、高速応答の
要求される分野ではその応用範囲が限られてくる。
生かすことにより、成膜性がよく、感光波長感度の制御
が容易な材料を設計することができる。しかしその反面
、電荷のキャリヤーの移動度が小さいため、高速応答の
要求される分野ではその応用範囲が限られてくる。
他方、無機系光導電材料のばあいには、一般に移動度の
比較的大きいものかえられるが、波長感度の制御が困難
であり、制御に成功したとしてもそれと引き換えに他の
特性、たとえばキャリヤーの移動度や寿命などの低下を
きたし、光導電特性の一部を犠牲にすることになる。
比較的大きいものかえられるが、波長感度の制御が困難
であり、制御に成功したとしてもそれと引き換えに他の
特性、たとえばキャリヤーの移動度や寿命などの低下を
きたし、光導電特性の一部を犠牲にすることになる。
無機系光導電材料と有機系光４電材料とを組み合わせた
、いわゆる機能分離型光導電材料を設計する研究も活発
に行なわれているが、キャリヤーの生成やキャリヤーの
輸送のメカニズムについては未だ解明されておらず、今
後の研究に期待がよせられている段階である。
、いわゆる機能分離型光導電材料を設計する研究も活発
に行なわれているが、キャリヤーの生成やキャリヤーの
輸送のメカニズムについては未だ解明されておらず、今
後の研究に期待がよせられている段階である。
最近、これらの材料と比べて多くの長所を有する材料と
して、ｒｆグローｔｌｉ電法によって作製されたアモル
ファスシリコン−水素合金（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈという
）が注目されている。
して、ｒｆグローｔｌｉ電法によって作製されたアモル
ファスシリコン−水素合金（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈという
）が注目されている。
このａ−Ｓｉ：Ｈの感光波長領域は、青〜赤の可視領域
にあり、広い範囲をカバーしている。またａ−Ｓｉ：Ｈ
は優れた機械的強度を有することも知られており、さら
にａ−Ｓｉ：Ｈ自身は毒性の少ない材料（はとんど無毒
）であることも実用化に際しては注目すべき特性である
。
にあり、広い範囲をカバーしている。またａ−Ｓｉ：Ｈ
は優れた機械的強度を有することも知られており、さら
にａ−Ｓｉ：Ｈ自身は毒性の少ない材料（はとんど無毒
）であることも実用化に際しては注目すべき特性である
。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、ａ−３ｔ：Ｈを光導電材料として広く利用する
ばあいには、いくつかの問題を解決せねばならない。
ばあいには、いくつかの問題を解決せねばならない。
ａ−Ｓｉ：Ｈを電荷蓄積型デバイス、たとえば電子写真
あるいは撮像管用の光導電材料として利用するばあいに
は、良好な光感度を有すると共に帯電能も必要となって
くる。
あるいは撮像管用の光導電材料として利用するばあいに
は、良好な光感度を有すると共に帯電能も必要となって
くる。
帯電能を向上させるためには暗時のキャリヤーの移ａｌ
１度を低下せしめるか、あるいはキャリヤーの寿命を短
かくするために、ａ−Ｓｉ：Ｈに不純物のドーピングを
行なう方法が考えられる。しかし、このばあい帯電能の
増加に伴って光照射時の応答性および残留電位の問題が
生ずる。不純物のドーピングはａ−Ｓｉ：Ｈの持つ優れ
た特性、たとえば速い光応答特性、高いｍ子効率などの
特性をそこなうことになる。
１度を低下せしめるか、あるいはキャリヤーの寿命を短
かくするために、ａ−Ｓｉ：Ｈに不純物のドーピングを
行なう方法が考えられる。しかし、このばあい帯電能の
増加に伴って光照射時の応答性および残留電位の問題が
生ずる。不純物のドーピングはａ−Ｓｉ：Ｈの持つ優れ
た特性、たとえば速い光応答特性、高いｍ子効率などの
特性をそこなうことになる。
ａ−６ｉ：Ｈの帯電能を向上させる他の方法として、電
穫からのキャリヤーの注入を防ぐブロッキング層を付加
する方法がある。この方法は熱キャリヤーの生成能が比
較的低い材料に対しては有効に動くが、光学バンドギャ
ップが狭く、熱キャリヤーの生成能の大きい材料または
フェルミレベルが伝導帯側またはｌＩｉ′ｉＲ子帯側ヘ
シフトしている熱キャリヤー生成能の大きいＵ ｌ’Ｊ
については、有効に動かないばあいがある。
穫からのキャリヤーの注入を防ぐブロッキング層を付加
する方法がある。この方法は熱キャリヤーの生成能が比
較的低い材料に対しては有効に動くが、光学バンドギャ
ップが狭く、熱キャリヤーの生成能の大きい材料または
フェルミレベルが伝導帯側またはｌＩｉ′ｉＲ子帯側ヘ
シフトしている熱キャリヤー生成能の大きいＵ ｌ’Ｊ
については、有効に動かないばあいがある。
一方、グロー放電条件やガス組成などを変えることによ
り、マイクロクリスタルを含むアモルファスシリコン合
金（以下、μｃ−Ｓｉ合金という）が生成することも知
られており、このμｃ−８ｉ合金を光電力素子に広く利
用する研究も行なわれている。その主な用途としては、
不純物制御によってｎ型にしたμＣ−Ｓｉ合金をアモル
ファスシリコン太陽電池のｎ層として用いる用途があげ
られる。このμｃ−Ｓｉ合金を用いるメリットは低抵抗
のｎ層かえられる点にある。低抵抗ｎ―は太陽電池の効
率向上には有効な材料ではあるが、他の用途、たとえば
複写機の感光材料としで用いようとすると多くの問題が
ある。
り、マイクロクリスタルを含むアモルファスシリコン合
金（以下、μｃ−Ｓｉ合金という）が生成することも知
られており、このμｃ−８ｉ合金を光電力素子に広く利
用する研究も行なわれている。その主な用途としては、
不純物制御によってｎ型にしたμＣ−Ｓｉ合金をアモル
ファスシリコン太陽電池のｎ層として用いる用途があげ
られる。このμｃ−Ｓｉ合金を用いるメリットは低抵抗
のｎ層かえられる点にある。低抵抗ｎ―は太陽電池の効
率向上には有効な材料ではあるが、他の用途、たとえば
複写機の感光材料としで用いようとすると多くの問題が
ある。
最も十人な欠点は、そのコロナ帯電特性が大きくないこ
とである。カールソン方式のＯｐＣ用光導光導電材料て
は、少なくとも帯電の緩和時間が０．１秒以上必要であ
るが、このμＣ−Ｓｉ合金にはぞの帯電能がない。その
理由の１つはμＣ−Ｓｉ合金中のキャリヤーの移動度が
大きいためである。
とである。カールソン方式のＯｐＣ用光導光導電材料て
は、少なくとも帯電の緩和時間が０．１秒以上必要であ
るが、このμＣ−Ｓｉ合金にはぞの帯電能がない。その
理由の１つはμＣ−Ｓｉ合金中のキャリヤーの移動度が
大きいためである。
さらにμｃ−Ｓｉ：Ｈで代表されるμＣ−Ｓｉ合金中に
梵生じたキャリヤーの移動度がａ−Ｓｉ：Ｈに比べて大
きいため、その暗伝導度もａ−８ｉ：Ｈに比べ数桁程度
大きくなってしまうことが観測されている。
梵生じたキャリヤーの移動度がａ−Ｓｉ：Ｈに比べて大
きいため、その暗伝導度もａ−８ｉ：Ｈに比べ数桁程度
大きくなってしまうことが観測されている。
またμｃ−Ｓｉ合金が生ずることによって、そのバンド
ギャップがａ−Ｓｉ：Ｈよりも小さくなっていることも
理由の１つとして考えられる。しかしこのキャリヤーの
移動度が大きいという事実は、逆（こ高速光応答性が期
待できるということでもある。
ギャップがａ−Ｓｉ：Ｈよりも小さくなっていることも
理由の１つとして考えられる。しかしこのキャリヤーの
移動度が大きいという事実は、逆（こ高速光応答性が期
待できるということでもある。
本発明はこの高速応答性のメリットを生かし、さらに複
写機用感光材料に必要な帯電能を付加したａ−Ｓ ｉ系
の光導電材料をうるためになされたものである。
写機用感光材料に必要な帯電能を付加したａ−Ｓ ｉ系
の光導電材料をうるためになされたものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、グロー放電分解法によってえられたμｃ−Ｓ
ｉ合金層とグロー放電分解法によってえられたａ−Ｓｉ
ｌ−Ｉ Ｃ１：Ｈ：Ｙ （式中、Ｘは０．００１＜ Ｘ
＜０９５、ＹはＨ、ＣＩまたはＦを示す）で表わされる
アモルファスシリコンカーバイド層とを少なくとも７１
づつ交互に積層してなる光導電材料に関する。
ｉ合金層とグロー放電分解法によってえられたａ−Ｓｉ
ｌ−Ｉ Ｃ１：Ｈ：Ｙ （式中、Ｘは０．００１＜ Ｘ
＜０９５、ＹはＨ、ＣＩまたはＦを示す）で表わされる
アモルファスシリコンカーバイド層とを少なくとも７１
づつ交互に積層してなる光導電材料に関する。
［実施例］
本発明に係るグロー放電分解法とは、たとえばアモルフ
ァスシリコン合金、酸化亜鉛ｉ［、有機ポリマー薄膜な
どを作製するばあいに使用される通常のグロー敢電分解
法のことを意味し、このようなグロー放電分解法であれ
ばとくに限定なく使用しうる。
ァスシリコン合金、酸化亜鉛ｉ［、有機ポリマー薄膜な
どを作製するばあいに使用される通常のグロー敢電分解
法のことを意味し、このようなグロー放電分解法であれ
ばとくに限定なく使用しうる。
本発明に用いるμｃ−Ｓｉ合金としては、たとえばｇ
ｃ−Ｓｉ ：Ｈ１μｃ−ＳｉＣ：ｆｌ 、 μｃ−Ｓｉ
Ｇｅ：Ｈのごとき合金があげられるが、これらに限定さ
れるものではない。
ｃ−Ｓｉ ：Ｈ１μｃ−ＳｉＣ：ｆｌ 、 μｃ−Ｓｉ
Ｇｅ：Ｈのごとき合金があげられるが、これらに限定さ
れるものではない。
本明ＩＩＢ♂にいうμｃ−Ｓｉ合金とは、アモルファス
シリコン合金中にマイクロクリスタル粒が混在し、結晶
粒径が２０〜１００００人でマイクロクリスタルの体積
含有率が０２〜９９％であるアモルファスシリコン合金
のことである。
シリコン合金中にマイクロクリスタル粒が混在し、結晶
粒径が２０〜１００００人でマイクロクリスタルの体積
含有率が０２〜９９％であるアモルファスシリコン合金
のことである。
本光明に用いるａ−Ｓｉ＋−ｘ Ｃ１：Ｈ：Ｙで表わさ
れるアモルファスシリコンカーバイドとして１ま、Ｘが
０００１〜０９５、好ましくは００１〜０．８５で、Ｙ
がＨ、ＣＩまたはＦで表わされるａ−Ｓｉ＋−ｘ ＣＸ
：Ｈ：Ｙがあげられる。このようなａ−Ｓｉ＋−ｘ
ｃＷ ：Ｈ：Ｙの具体例としては、たとえばａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ：Ｆ、 ａ−Ｓｉ Ｃ：Ｈ： Ｃ１゜０
．７ ０．３ ０．５ ０．５ａ−Ｓｉ
ＣＨ：Ｆなどがあげられる。
れるアモルファスシリコンカーバイドとして１ま、Ｘが
０００１〜０９５、好ましくは００１〜０．８５で、Ｙ
がＨ、ＣＩまたはＦで表わされるａ−Ｓｉ＋−ｘ ＣＸ
：Ｈ：Ｙがあげられる。このようなａ−Ｓｉ＋−ｘ
ｃＷ ：Ｈ：Ｙの具体例としては、たとえばａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ：Ｆ、 ａ−Ｓｉ Ｃ：Ｈ： Ｃ１゜０
．７ ０．３ ０．５ ０．５ａ−Ｓｉ
ＣＨ：Ｆなどがあげられる。
０．８ ０．２
ａ−３！＋−ｘ ＣＸｏＨ：Ｙは、そのカーボン含量を
変えることによって容易にその光学的バンドギャップを
変化させることができると同時に、その電気伝導度も大
幅に変化させうる。つまりバンドギャップを１６〜２８
ｅＶあるいはそれ以上の範囲で大きく変化させることが
でき、電気伝導度を４〜５桁変化させうる。またａ−Ｓ
ｉ＋−ｘ ＣＸ ：ｔｌ：Ｙ中のキャリヤ〜の走行は一
般にはａ−Ｓｉ合金あるいはμｃ−Ｓｉ合金中の走行挙
動とは大きくｖ４なる。
変えることによって容易にその光学的バンドギャップを
変化させることができると同時に、その電気伝導度も大
幅に変化させうる。つまりバンドギャップを１６〜２８
ｅＶあるいはそれ以上の範囲で大きく変化させることが
でき、電気伝導度を４〜５桁変化させうる。またａ−Ｓ
ｉ＋−ｘ ＣＸ ：ｔｌ：Ｙ中のキャリヤ〜の走行は一
般にはａ−Ｓｉ合金あるいはμｃ−Ｓｉ合金中の走行挙
動とは大きくｖ４なる。
本発明においてはグロー放電分解法によりえられたμｃ
−Ｓｉ合金層とグローｔｌｉ電分解沫によりえられたａ
−３！＋−ｘ ｃ、 ：Ｈ：Ｙ層とが少なくとも７層つ
づ積層され、光ＩＪ電材料が製造される。
−Ｓｉ合金層とグローｔｌｉ電分解沫によりえられたａ
−３！＋−ｘ ｃ、 ：Ｈ：Ｙ層とが少なくとも７層つ
づ積層され、光ＩＪ電材料が製造される。
前記μｃ−Ｓｉ合金層の厚さとしては、μｃ−Ｓｉ合金
層が形成されるのに必要な厚さである１０Å以上あるこ
とが必要であり、１５〜＋５ｏｏｏ人であることが好ま
しく、２０〜５００人であることがさらに好ましい。ま
た前記ａ−３ｆ＋−ｘ ＣＸ ・Ｉ（：Ｙｌｌの厚さと
しては、良好な光′４電性を示す材料を作製するために
は５〜２００００Ａであることが好ましく、１０〜５０
０人であることがさらに好ましい。
層が形成されるのに必要な厚さである１０Å以上あるこ
とが必要であり、１５〜＋５ｏｏｏ人であることが好ま
しく、２０〜５００人であることがさらに好ましい。ま
た前記ａ−３ｆ＋−ｘ ＣＸ ・Ｉ（：Ｙｌｌの厚さと
しては、良好な光′４電性を示す材料を作製するために
は５〜２００００Ａであることが好ましく、１０〜５０
０人であることがさらに好ましい。
前記のごときμｃ−Ｓｉ合金層および
ａ−３ｆｌ−ｘ ｃｘ：Ｈ：Ｙｌｔま少なくとも７層づ
つ、好ましくは７〜１００００００層づつ、ざらに好ま
しくは２０〜１０００００層づつｆｌ層され、好ましく
は合計膜厚０．２〜５００」、さらに好ましくは１〜１
００通堆積されるが、該積層数がそれぞれ７１１未満に
なると、帯電能の低下あるいは光応答速度の低下が起こ
り、好ましくない。
つ、好ましくは７〜１００００００層づつ、ざらに好ま
しくは２０〜１０００００層づつｆｌ層され、好ましく
は合計膜厚０．２〜５００」、さらに好ましくは１〜１
００通堆積されるが、該積層数がそれぞれ７１１未満に
なると、帯電能の低下あるいは光応答速度の低下が起こ
り、好ましくない。
μｃ−Ｓｉ合金層とａ−Ｓｉ、、 Ｃ，：Ｈ：Ｙｉｉと
の積層順序にはとくに限定はなく、まずａ −Ｓ ｌ
ｌ−Ｘ Ｃｇ ： ｆｌ ： Ｙ層を堆積させ、つぎに
μｃ−Ｓｉ合金層を堆積させ、ざらにａ−Ｓｉ＋−ｘ
ＣＸ ：Ｈ：Ｙ層の順に、つまり電極／（ａ−８ｉｔ−
ｘ ｃ、 ：Ｈ：ＹＩＩ／μｃ−Ｓｉ合金１ ）ｎを積
層させてもよく、逆にμｃ−Ｓｉ合金層をまず堆積させ
、つぎにａ−Ｓｉ＋−ｘ ｃ、 ：Ｈ：Ｙ層、ざらにμ
ｃ−Ｓｉ合金層の順に、つまり電橋／（μｃ−Ｓｉ合金
層／ａ−Ｓｉｔ−ｘ ＣＸ ：Ｈ：Ｙｌ）ｎを堆積させ
てもよい。
の積層順序にはとくに限定はなく、まずａ −Ｓ ｌ
ｌ−Ｘ Ｃｇ ： ｆｌ ： Ｙ層を堆積させ、つぎに
μｃ−Ｓｉ合金層を堆積させ、ざらにａ−Ｓｉ＋−ｘ
ＣＸ ：Ｈ：Ｙ層の順に、つまり電極／（ａ−８ｉｔ−
ｘ ｃ、 ：Ｈ：ＹＩＩ／μｃ−Ｓｉ合金１ ）ｎを積
層させてもよく、逆にμｃ−Ｓｉ合金層をまず堆積させ
、つぎにａ−Ｓｉ＋−ｘ ｃ、 ：Ｈ：Ｙ層、ざらにμ
ｃ−Ｓｉ合金層の順に、つまり電橋／（μｃ−Ｓｉ合金
層／ａ−Ｓｉｔ−ｘ ＣＸ ：Ｈ：Ｙｌ）ｎを堆積させ
てもよい。
前記μｃ−Ｓｉ合金層とａ−Ｓｉ、、 Ｃ，：Ｈ：Ｙ層
との交互の積層は周期的になされていること、すなわち
内部ポテンシャルが周期的に変化している光キャリヤー
の走行をスムーズにするという点から好ましい。
との交互の積層は周期的になされていること、すなわち
内部ポテンシャルが周期的に変化している光キャリヤー
の走行をスムーズにするという点から好ましい。
これらいずれの順序、方法においても帯電能および光導
電特性の浸れた光導電材料がえられる。
電特性の浸れた光導電材料がえられる。
前記のように光学的バンドギャップが異り、キャリヤー
の走行挙動が異なる材料を多垂に積層してゆくと、膜厚
方向の組成が変化するのに対応してポテンシャルのフラ
クチュエーシコンが生ずる。つまりバンドギャップが比
較的小さいμｃ−Ｓｉ合金とバンドギャップの大きいａ
−Ｓｉｔ−ｘ Ｃに：Ｈ：Ｙとの接合界面でバンド構造
が変化するため、お互いのバンドのフラクチュエーショ
ンが生ずることにより、暗時の電気伝導度はａ−Ｓｉ合
金の伝導度ともａ−Ｓｉ、−、Ｃ工・ＨＹのそれとも異
なったものになり、しかも余剰光キャリヤーを注入した
際には、暗時とは異なった走行挙動をキャリヤーが示す
こととなる。それゆえ前記のように多重に積層した材料
は暗時の電気伝導度が充分小さく、従って正および負の
コロナｔＩｌ電に対して充分な表面電位保持能力を持つ
ようになり、しかも光照射時にはその余剰キャリヤーの
走行によって裏面チャージが速やかに消失するようにな
る。
の走行挙動が異なる材料を多垂に積層してゆくと、膜厚
方向の組成が変化するのに対応してポテンシャルのフラ
クチュエーシコンが生ずる。つまりバンドギャップが比
較的小さいμｃ−Ｓｉ合金とバンドギャップの大きいａ
−Ｓｉｔ−ｘ Ｃに：Ｈ：Ｙとの接合界面でバンド構造
が変化するため、お互いのバンドのフラクチュエーショ
ンが生ずることにより、暗時の電気伝導度はａ−Ｓｉ合
金の伝導度ともａ−Ｓｉ、−、Ｃ工・ＨＹのそれとも異
なったものになり、しかも余剰光キャリヤーを注入した
際には、暗時とは異なった走行挙動をキャリヤーが示す
こととなる。それゆえ前記のように多重に積層した材料
は暗時の電気伝導度が充分小さく、従って正および負の
コロナｔＩｌ電に対して充分な表面電位保持能力を持つ
ようになり、しかも光照射時にはその余剰キャリヤーの
走行によって裏面チャージが速やかに消失するようにな
る。
以上説明したようなポテンシャルのゆらぎを積極的に利
用することにより、前記材料に充分な帯電能と光誘起ｔ
ｌｉ電能とを持たせることができる。また感光波長の制
御もμｃ−Ｓｉ合金とａ−３！＋−ｘ ｃ、 ：Ｈ：Ｙ
の層の厚さ、あるいはａ −Ｓ ｉ ＩＪ Ｃｚ ：
ｔｌ ： Ｖのカーボンｍの制御により行なうことがで
きる。なぜなら、μｃ−Ｓｉ合金はその光学的バンドギ
ャップが一般のａ−Ｓｉ：Ｈよりもやや小さく、ａ−Ｓ
ｉｔ−ｘ ＣＫ ：Ｈ・Ｙは前にも述べたように、Ｘの
変化によってそのバンドギャップを１６〜２．８ｅｖあ
るいはそれ以上の範囲で変えることができるからである
。それゆえ多垂積層膜の波長感度を短波長側ヘシフトさ
せるには、ａ−Ｓｉ、、 Ｃ，：Ｈ・ＹのＸを増大させ
るか、あるいはＸはもとのままで１！厚を増大させるこ
とにより行なうことができ、μｃ−Ｓｉ合金中のＨｆｆ
ｉをコントロールすることにより、波長感度を少しずら
すことも可能である。
用することにより、前記材料に充分な帯電能と光誘起ｔ
ｌｉ電能とを持たせることができる。また感光波長の制
御もμｃ−Ｓｉ合金とａ−３！＋−ｘ ｃ、 ：Ｈ：Ｙ
の層の厚さ、あるいはａ −Ｓ ｉ ＩＪ Ｃｚ ：
ｔｌ ： Ｖのカーボンｍの制御により行なうことがで
きる。なぜなら、μｃ−Ｓｉ合金はその光学的バンドギ
ャップが一般のａ−Ｓｉ：Ｈよりもやや小さく、ａ−Ｓ
ｉｔ−ｘ ＣＫ ：Ｈ・Ｙは前にも述べたように、Ｘの
変化によってそのバンドギャップを１６〜２．８ｅｖあ
るいはそれ以上の範囲で変えることができるからである
。それゆえ多垂積層膜の波長感度を短波長側ヘシフトさ
せるには、ａ−Ｓｉ、、 Ｃ，：Ｈ・ＹのＸを増大させ
るか、あるいはＸはもとのままで１！厚を増大させるこ
とにより行なうことができ、μｃ−Ｓｉ合金中のＨｆｆ
ｉをコントロールすることにより、波長感度を少しずら
すことも可能である。
このような構成の本発明の材料は、従来の技術に見られ
るブロッキング層を設ける方法や、機能分離型光導電材
料あるいは不純物を混入することによるａ−Ｓｉ：Ｈの
高抵抗化などの方法と異なり、次のような特徴を有する
ものである。
るブロッキング層を設ける方法や、機能分離型光導電材
料あるいは不純物を混入することによるａ−Ｓｉ：Ｈの
高抵抗化などの方法と異なり、次のような特徴を有する
ものである。
（１）従来のブロッキング層を設ける方法のみでは、μ
ｃ−Ｓｉ合金からの熱キャリヤーの発生による帯電チャ
ージの中和が起こってしまうのに比べ、本発明の材料で
は、μｃ−Ｓｉ合金バンド構造が多重積層によって影響
を受けており、従って帯電特性が大きく改良されている
。
ｃ−Ｓｉ合金からの熱キャリヤーの発生による帯電チャ
ージの中和が起こってしまうのに比べ、本発明の材料で
は、μｃ−Ｓｉ合金バンド構造が多重積層によって影響
を受けており、従って帯電特性が大きく改良されている
。
（ａ一般にａ−８ｉ、ｘ ｃ、 ：Ｈ：Ｙの光Ｓ１特性
はａ−Ｓｉ：Ｈに比べてわるいとされているが、μｃ−
Ｓｉ合金との組み合わせによってその特性が改良され、
従って速い光応答速度が本発明の材料によってえられる
。これはやはりμｃ−Ｓｉ合金との界面でのポテンシャ
ルの歪みが原因ではないかと考えられる。
はａ−Ｓｉ：Ｈに比べてわるいとされているが、μｃ−
Ｓｉ合金との組み合わせによってその特性が改良され、
従って速い光応答速度が本発明の材料によってえられる
。これはやはりμｃ−Ｓｉ合金との界面でのポテンシャ
ルの歪みが原因ではないかと考えられる。
（３）機能分離型の光導電材料ではキャリヤー発生層と
キャリヤー移動層とが分離されているのが特徴であるが
、本発明の材料では、各々の層において吸収光波長が異
なる可能性はあるものの、いずれの層もキャリヤー発生
層であると同時にキャリヤー移動層である。また多くの
層がミクロに重なっているため、えられた薄膜は全く単
一材料と同Ｕｆ勅を示１゜ ＋４１ ａ−Ｓｉ ： ｔｌ中に８０素などの不純物を
混入することによりその高抵抗化を図る試みがなされて
いるが、ａ−Ｓｉ：Ｈより低抵抗のμｃ−Ｓｉ合金では
そのような研究が行なわれているという文献さえもない
。本発明の材料はこのようなμｃ−Ｓｉ合金を利用する
ことにより、光応答特性を向上させるという特徴を生じ
せしめたものである。μｃ−Ｓｉ合金は不４４ ｖｙＪ
混入により、結晶化が阻害される可能性も考えられる。
キャリヤー移動層とが分離されているのが特徴であるが
、本発明の材料では、各々の層において吸収光波長が異
なる可能性はあるものの、いずれの層もキャリヤー発生
層であると同時にキャリヤー移動層である。また多くの
層がミクロに重なっているため、えられた薄膜は全く単
一材料と同Ｕｆ勅を示１゜ ＋４１ ａ−Ｓｉ ： ｔｌ中に８０素などの不純物を
混入することによりその高抵抗化を図る試みがなされて
いるが、ａ−Ｓｉ：Ｈより低抵抗のμｃ−Ｓｉ合金では
そのような研究が行なわれているという文献さえもない
。本発明の材料はこのようなμｃ−Ｓｉ合金を利用する
ことにより、光応答特性を向上させるという特徴を生じ
せしめたものである。μｃ−Ｓｉ合金は不４４ ｖｙＪ
混入により、結晶化が阻害される可能性も考えられる。
本発明の材料は、不純物混入によるものとは全く異なり
、ポテンシャルのゆらぎを材料中に生成せしめることに
主眼を置いている。そ机ゆえ、マイクロクリスタルの生
成を少なくすることもなく、またａ−Ｓｉ＋−ｘ Ｃｙ
：Ｈ：Ｙの光伝導特性を変化させることもなく帯電能
を高めることができる。
、ポテンシャルのゆらぎを材料中に生成せしめることに
主眼を置いている。そ机ゆえ、マイクロクリスタルの生
成を少なくすることもなく、またａ−Ｓｉ＋−ｘ Ｃｙ
：Ｈ：Ｙの光伝導特性を変化させることもなく帯電能
を高めることができる。
以上のような特徴を有する本発明の材料の光導電特性は
、その初期充電変換利得が大きく、４００〜６８０ｒ＋
ｍの波長の光に対して０．１〜０．８の値がえられる。
、その初期充電変換利得が大きく、４００〜６８０ｒ＋
ｍの波長の光に対して０．１〜０．８の値がえられる。
この値は、ａ−Ｓｉ ：Ｈの蓄積型デバイスでえられて
いる値とほぼ同等であり、理論的光電変換利得１０にせ
まるものである。また本発明の光導電材料であるえられ
た多重積層模のコロナ放電に対する帯電能は大きく、し
かも同−躾で■チャージのばあいでもｅチャージのばあ
いでも良好な表面電位保持能力があり、いずれのばあい
にも表面の減衰緩和時間が好ましくは０１秒以上であり
、たとえば■チャージで４０ｖ／ｌ１ｍ、表面の減衰緩
和時間１５秒以上、ｅチャージで４５Ｖ／遍、表面の減
資緩和時間１０秒以上の膜かえられる。
いる値とほぼ同等であり、理論的光電変換利得１０にせ
まるものである。また本発明の光導電材料であるえられ
た多重積層模のコロナ放電に対する帯電能は大きく、し
かも同−躾で■チャージのばあいでもｅチャージのばあ
いでも良好な表面電位保持能力があり、いずれのばあい
にも表面の減衰緩和時間が好ましくは０１秒以上であり
、たとえば■チャージで４０ｖ／ｌ１ｍ、表面の減衰緩
和時間１５秒以上、ｅチャージで４５Ｖ／遍、表面の減
資緩和時間１０秒以上の膜かえられる。
なお本発明に電極として用いられる３根としては、たと
えば／Ｖ 、 Ｓｎ、 Ｎｉ、 Ｃｒ、 Ｃｕ、 Ａｕ
、 Ｐｄ。
えば／Ｖ 、 Ｓｎ、 Ｎｉ、 Ｃｒ、 Ｃｕ、 Ａｕ
、 Ｐｄ。
Ａｇ、 Ｐｔ％２ｎ、 Ｃｄ、 Ｈｇ、ニクロム、ステ
ンレススチール、Ｆｅ合金、Ｃｕ合金、ＩＴＯ、５Ｏｏ
ｔ、ネサガラス、２ｎＯなどの高い尋電率を示ず材料を
用いて作製されｔこ球根であることが好ましい。
ンレススチール、Ｆｅ合金、Ｃｕ合金、ＩＴＯ、５Ｏｏ
ｔ、ネサガラス、２ｎＯなどの高い尋電率を示ず材料を
用いて作製されｔこ球根であることが好ましい。
以下実施例にもとづきさらに具体的に本発明の詳細な説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
実施例１
１ＴＯをコーティングしたコーニング７０５９ガラスを
草根電極として用い、容ω結合型反応装置で′４重積苦
咲をえた。ｒ［グロー放電分解のガス組成および反応条
件は以下のとおりであった。
草根電極として用い、容ω結合型反応装置で′４重積苦
咲をえた。ｒ［グロー放電分解のガス組成および反応条
件は以下のとおりであった。
（Ａｌμｃ−Ｓｉ：Ｈ層
弁台ガス： ＳｉＨ４、／ ＋２ （半導体グレードの
５ｉ）１４を８２で１０流ｍ％希釈したもの）を ４０３ＣＣＨで供給 基板温度（ＴＳＩ ： ３００℃ ｒｆグロー放電パワー： １４０Ｗ 容器内圧力（Ｐ） ： ２５ｏｒｒｏｒｒ（Ｂｌ ａ
−Ｓｉｔ−ｘ ｃｘ・Ｈ層 浪合ガス：ＳｉＨ４／ ）＋２ （半導体グレードのＳ
ｉ Ｈ。
５ｉ）１４を８２で１０流ｍ％希釈したもの）を ４０３ＣＣＨで供給 基板温度（ＴＳＩ ： ３００℃ ｒｆグロー放電パワー： １４０Ｗ 容器内圧力（Ｐ） ： ２５ｏｒｒｏｒｒ（Ｂｌ ａ
−Ｓｉｔ−ｘ ｃｘ・Ｈ層 浪合ガス：ＳｉＨ４／ ）＋２ （半導体グレードのＳ
ｉ Ｈ。
を＋２で１０流固％希釈したもの）を
４０ＳＣＣＨオヨＵ ＣＨＪ ／ ＋２ （９９，９
９１（７）純度のＣＬ ガスを＋２で１０流ｍ％に希釈
したもの）を４０ＳＣＣＨで供給 基板温度（ＴＳ） ： ３００℃ ｒｆグロー放電パワー：４０Ｗ 容器内圧力（Ｐ） ： ５００ ｎＴｏｒｒｒｆグ
ロー放１１ ＣＶＤ装置内を、ロータリー臭空ポンプお
よび油拡散ポンプを用いて１Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下の圧力
に脱気礒、基板ボールダーを加熱し、基板温度が３００
℃になったところで温度を一定に保った。まずμｃ−Ｓ
ｉ合金層を上記（Ａ）の条件で３分間堆積させた。その
のちグロー放電を持続させながらそのパワーを４０Ｗに
弱め、さらにＣＬ／Ｈ２ガスをマスフローメーターを通
して４０３ＣＣＨ供給し、容器内の圧力を５００ｎＴｏ
ｒｒにした。
９１（７）純度のＣＬ ガスを＋２で１０流ｍ％に希釈
したもの）を４０ＳＣＣＨで供給 基板温度（ＴＳ） ： ３００℃ ｒｆグロー放電パワー：４０Ｗ 容器内圧力（Ｐ） ： ５００ ｎＴｏｒｒｒｆグ
ロー放１１ ＣＶＤ装置内を、ロータリー臭空ポンプお
よび油拡散ポンプを用いて１Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下の圧力
に脱気礒、基板ボールダーを加熱し、基板温度が３００
℃になったところで温度を一定に保った。まずμｃ−Ｓ
ｉ合金層を上記（Ａ）の条件で３分間堆積させた。その
のちグロー放電を持続させながらそのパワーを４０Ｗに
弱め、さらにＣＬ／Ｈ２ガスをマスフローメーターを通
して４０３ＣＣＨ供給し、容器内の圧力を５００ｎＴｏ
ｒｒにした。
このグロー放電を上記（Ｂ）の条件で３分間行ない、Ｃ
ＨＪ／Ｈ２ガスの供給をとめた。同時にｒｆグロー放電
パワーを１４０Ｗに上げ、上記（Ａ）の条件でμｃ−Ｓ
ｉ合金層を堆積させた。これを繰り返して、μｃ−Ｓｉ
合金１１３０１ｉ１、ａ−Ｓｉ＋−ｘ ｃ、 ：Ｈ層３
０層からなる合計６０層の多重１ａＩｌ！１膜をえた。
ＨＪ／Ｈ２ガスの供給をとめた。同時にｒｆグロー放電
パワーを１４０Ｗに上げ、上記（Ａ）の条件でμｃ−Ｓ
ｉ合金層を堆積させた。これを繰り返して、μｃ−Ｓｉ
合金１１３０１ｉ１、ａ−Ｓｉ＋−ｘ ｃ、 ：Ｈ層３
０層からなる合計６０層の多重１ａＩｌ！１膜をえた。
このときの膜厚は約２．５珈であり、μｃ−３層合金Ｂ
／ａ−Ｓｉ、、 Ｃ，：８層を１甲位層と考えると、１
単位層の厚さが８３３人の多重積層膜がえられた。
／ａ−Ｓｉ、、 Ｃ，：８層を１甲位層と考えると、１
単位層の厚さが８３３人の多重積層膜がえられた。
えられた膜について、正および負のコロナ帯電能および
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（λ−６３２．８ｎｌ＞の光に対
する応答特性を調べた。
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（λ−６３２．８ｎｌ＞の光に対
する応答特性を調べた。
第１図に測定装置の概略図を示す。なお第１図中の（１
）はサンプル移動ステージ、（２）はサンプル移動パル
スモータ、（３）はコロナ放電器、（４）は表面電位計
の測定子、（５）はサンプルホルダー中のサンプル、（
６）は表面電位計、（刀はウェーブメモリー、（８）は
レコーダー、（９）はオシロスコープ、色はコロナチャ
ーシア電源、（Ｉｌｌはパルスモータ駆動コントローラ
ーである。
）はサンプル移動ステージ、（２）はサンプル移動パル
スモータ、（３）はコロナ放電器、（４）は表面電位計
の測定子、（５）はサンプルホルダー中のサンプル、（
６）は表面電位計、（刀はウェーブメモリー、（８）は
レコーダー、（９）はオシロスコープ、色はコロナチャ
ーシア電源、（Ｉｌｌはパルスモータ駆動コントローラ
ーである。
コロナ放電は＋６にＶあるいは−６にＶをコロナワイヤ
ーに印加し、その下方的３１のところをサンプル表面が
通過するようにしてあり、このときサンプルの表面にｅ
あるいはθのチャージがのるようになっている。下地電
極はアースされており、表面の電位はＯ〜±２０００Ｖ
の表面電位計（ＴＲＥＫ社製）により測定した。［Ｉｌ
ｌＨの表面電位の減少速度を測定し、その帯電保持能力
を調べた。また表面帯電後、Ｈｅ−Ｈｅレーザー（日本
レーザー■製）をフィルターおよびシャッターを通して
照射し、そのときの表面電位の減少速度を測定した。表
面電位の減少速度は、表面電位計から出るシグナルを−
Ｈウエーブメモリー（オートニクス社製）にデジタイズ
して記憶させ、測定終了後この値をＧＰ−ＩＢを通し、
コンピューター（ＨＰ？ｉ製）に転送し、データ処理を
行なった。
ーに印加し、その下方的３１のところをサンプル表面が
通過するようにしてあり、このときサンプルの表面にｅ
あるいはθのチャージがのるようになっている。下地電
極はアースされており、表面の電位はＯ〜±２０００Ｖ
の表面電位計（ＴＲＥＫ社製）により測定した。［Ｉｌ
ｌＨの表面電位の減少速度を測定し、その帯電保持能力
を調べた。また表面帯電後、Ｈｅ−Ｈｅレーザー（日本
レーザー■製）をフィルターおよびシャッターを通して
照射し、そのときの表面電位の減少速度を測定した。表
面電位の減少速度は、表面電位計から出るシグナルを−
Ｈウエーブメモリー（オートニクス社製）にデジタイズ
して記憶させ、測定終了後この値をＧＰ−ＩＢを通し、
コンピューター（ＨＰ？ｉ製）に転送し、データ処理を
行なった。
実施例１で作製した多重積層膜の帯電能は、ｅチャージ
のはあい４０ｖ／−で、その表面電位が１／ｅに緩和す
るのに約４０秒を必要とした。λ−６３２、８ｎｉの光
に対する光応答速度は、初期の光電変換利得が約０．７
８と大きく、表面電位が初期の１７２に減少するのに必
要な露光ｆｉ！Ｉ（半減露光１！ｌ）は、△Ｅ −約
６．９ｅｒＱ／ｃａｉｒあツタ。
のはあい４０ｖ／−で、その表面電位が１／ｅに緩和す
るのに約４０秒を必要とした。λ−６３２、８ｎｉの光
に対する光応答速度は、初期の光電変換利得が約０．７
８と大きく、表面電位が初期の１７２に減少するのに必
要な露光ｆｉ！Ｉ（半減露光１！ｌ）は、△Ｅ −約
６．９ｅｒＱ／ｃａｉｒあツタ。
初期の光減衰は光ａ×待時間比例するが、表面電位の減
少と共に、光減衰カーブが下に凸に曲がる傾向が見られ
た。このときの残留電位は約１、ＯＶ／−であった。ｅ
チャージに対しては、帯電能は４５Ｖ／Ａ１１１１で緩
和時間は２０秒、λ−６３２．８ＪＪ１１の光に対する
初期光電変換利得は０５０、△ε、、２−８．Ｏｅｒｇ
／−であった。残留電位は約３、 ＯｅＶであり、■チ
ャージに比へやや大きな値を示した。
少と共に、光減衰カーブが下に凸に曲がる傾向が見られ
た。このときの残留電位は約１、ＯＶ／−であった。ｅ
チャージに対しては、帯電能は４５Ｖ／Ａ１１１１で緩
和時間は２０秒、λ−６３２．８ＪＪ１１の光に対する
初期光電変換利得は０５０、△ε、、２−８．Ｏｅｒｇ
／−であった。残留電位は約３、 ＯｅＶであり、■チ
ャージに比へやや大きな値を示した。
実施例２
μｃ−３層合金層とａ−３！＋−ｘ ＣＫ ：Ｈｕの堆
積順序を逆にした以外は実施例１と全く同様の操作によ
り多重積層膜を作製した。このばあい最上層はμｃ−３
層合金層であった。
積順序を逆にした以外は実施例１と全く同様の操作によ
り多重積層膜を作製した。このばあい最上層はμｃ−３
層合金層であった。
実施例１と全く同じ手法でえられた躾を調べたところ、
Φチャージに対する帯電能は約３８Ｖ／Ａ１１＋１１λ
−６３２，８層ｍの光に対する初期光電変換利得はＯ，
ａＯ、八Ｅ −６，１ｅｒｇ／ｃｄであった。
Φチャージに対する帯電能は約３８Ｖ／Ａ１１＋１１λ
−６３２，８層ｍの光に対する初期光電変換利得はＯ，
ａＯ、八Ｅ −６，１ｅｒｇ／ｃｄであった。
またｅチャージに対しては帯電能が４０ｖ／ρ、初期光
電変換利得は０．７０、ΔＥ −８，５ｅｒｇ／ｌ
／２ −であった。■チャージに対する残留電荷は約２、ＯＶ
／Ａ１１ｌｌ、 ｅチャージに対する残留電荷は約３、
ＯＶ／虜であった。
電変換利得は０．７０、ΔＥ −８，５ｅｒｇ／ｌ
／２ −であった。■チャージに対する残留電荷は約２、ＯＶ
／Ａ１１ｌｌ、 ｅチャージに対する残留電荷は約３、
ＯＶ／虜であった。
実施例３
実施例１におけるμｃ−ｓｉ合金層およびａ−Ｓｉｔ−
ｘ ｃ、 ：８層の厚さを薄くするため、各々のｒｆグ
ロー放電時間を１５分間にした以外は実施例１と同じ方
法でそれぞれの膜を６０層、計１２０層堆積させ、えら
れたものの帯電能と光尋電特性とを実施例１と同様にし
て調べた。このばあい最上層はａ−Ｓｉトｘ Ｃｘ ：
’層であった。このときのΦ６にＶに対する帯電能は約
３０Ｖ／項、λ＝６３２．８ｎｉのＨｅ−Ｈｅレーザー
光照射による膜の初期光電変換利得はＯ，ａＯ、△Ｅ
−４，５ｅｒｇ／ｌ／２ ｄ、８６にＶに対する帯電能は約２９ｖ／論、λ−６３
２、８層ｍのＨｅ−Ｈｅレーザー光照射による膜の初期
光電変換利得は０．７５．△Ｅ −６，Ｏｅｒｇ／
ｌ／２ ｃｉであった。
ｘ ｃ、 ：８層の厚さを薄くするため、各々のｒｆグ
ロー放電時間を１５分間にした以外は実施例１と同じ方
法でそれぞれの膜を６０層、計１２０層堆積させ、えら
れたものの帯電能と光尋電特性とを実施例１と同様にし
て調べた。このばあい最上層はａ−Ｓｉトｘ Ｃｘ ：
’層であった。このときのΦ６にＶに対する帯電能は約
３０Ｖ／項、λ＝６３２．８ｎｉのＨｅ−Ｈｅレーザー
光照射による膜の初期光電変換利得はＯ，ａＯ、△Ｅ
−４，５ｅｒｇ／ｌ／２ ｄ、８６にＶに対する帯電能は約２９ｖ／論、λ−６３
２、８層ｍのＨｅ−Ｈｅレーザー光照射による膜の初期
光電変換利得は０．７５．△Ｅ −６，Ｏｅｒｇ／
ｌ／２ ｃｉであった。
実施例４
μｃ−３層合金層とａ−ｓ＋、−、ｃ、 ：８層との堆
積順序を逆にした以外は実施例３と全く同様の操作によ
り多重積層膜を作製した。このばあい最上否はμｃ−３
／合金層であった。
積順序を逆にした以外は実施例３と全く同様の操作によ
り多重積層膜を作製した。このばあい最上否はμｃ−３
／合金層であった。
実施例１と同じ手法でこの膜の帯電能と光電変換特性を
調べたところ、■チャージに対する帯電能は約３０ν／
）ｒｍ、λ＝ ６３２．８層ｍのＨｅ−Ｎｅレーザー
光照耐による初期光電変換＋り冑はθ８０、八Ｅ
＝ ６．２ｅｒＱ／ｃｆｆｌであった。またｅチャー
ジに対する帯電能は２８Ｖ／通、初期光電変換利得は０
７０、八Ｅ ＝ ７．５ｅｒｌＪ／ｃｄであった
。さらに■チャージに対する残留電荷は杓２０ｖ／ｕｎ
、ｅチャージに対する残留電荷は約３．０Ｖ／−であっ
た。
調べたところ、■チャージに対する帯電能は約３０ν／
）ｒｍ、λ＝ ６３２．８層ｍのＨｅ−Ｎｅレーザー
光照耐による初期光電変換＋り冑はθ８０、八Ｅ
＝ ６．２ｅｒＱ／ｃｆｆｌであった。またｅチャー
ジに対する帯電能は２８Ｖ／通、初期光電変換利得は０
７０、八Ｅ ＝ ７．５ｅｒｌＪ／ｃｄであった
。さらに■チャージに対する残留電荷は杓２０ｖ／ｕｎ
、ｅチャージに対する残留電荷は約３．０Ｖ／−であっ
た。
実施例５
実施例１におけるμｃ−３／合金層の堆積条件はそのま
まにしておき、ａ−Ｓｉｌ−ｘ ｃ、 ：８層の堆積条
件を下記のように変更した。
まにしておき、ａ−Ｓｉｌ−ｘ ｃ、 ：８層の堆積条
件を下記のように変更した。
ａ合ｊｊ ス： ５ｉＨａ ／ Ｈ２（半導体’ｊレー
ト（７）Ｓｉ）ＩｔをＨ２で１０流ｍ％希釈したもの〉
を ６０ＳＣＣＨおよＵ ＣＨａ ／ Ｈ２（９９，９９
％（１）純度のＣＨ４ガスをＨ２で１０流９％に希釈し
たもの）を２０５ＣＣＨで供給 基板温度（Ｔｓ） ： ３００℃ ｒｆグロー放電パワー：４０Ｗ 容器内圧力（Ｐｉ ： ５００ｎ＋Ｔｏｒｒまずμｃ
−３／合金層を実施例１と同じ条件で２分間堆積させ、
次に前記の条件でａ−Ｓｉ＋−１ｃ、 ：８層を１５分
間堆積させた。これを繰り返してμｃ−３／合金層１０
０層、ａ−ＳｉＨＣ１：Ｈ１ｉ％ １００！ｉ９の合計
２００層を堆積させた。このときの膜厚は５．３Ａｌｌ
Ｔであった。
ト（７）Ｓｉ）ＩｔをＨ２で１０流ｍ％希釈したもの〉
を ６０ＳＣＣＨおよＵ ＣＨａ ／ Ｈ２（９９，９９
％（１）純度のＣＨ４ガスをＨ２で１０流９％に希釈し
たもの）を２０５ＣＣＨで供給 基板温度（Ｔｓ） ： ３００℃ ｒｆグロー放電パワー：４０Ｗ 容器内圧力（Ｐｉ ： ５００ｎ＋Ｔｏｒｒまずμｃ
−３／合金層を実施例１と同じ条件で２分間堆積させ、
次に前記の条件でａ−Ｓｉ＋−１ｃ、 ：８層を１５分
間堆積させた。これを繰り返してμｃ−３／合金層１０
０層、ａ−ＳｉＨＣ１：Ｈ１ｉ％ １００！ｉ９の合計
２００層を堆積させた。このときの膜厚は５．３Ａｌｌ
Ｔであった。
えられた膜の帯電能と光電変換特性とを実施例１と同じ
方法で調べたところ、■チャージに対する帯電能２５Ｖ
／Ｐ＋＋＋、初期光電変換利得０．８０、△Ｅ −
４，Ｏｅｒｇ／（ｊ （いずれもλ−８３２，８層ｍの
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光照ｔＡ時）、ｅチャージに対する
帯電能２８Ｖ／ＡｌＴ１１、初期光電変換利得０，７５
、ΔＥ −５，Ｏｅｒｇ／ｃＩｉ（いずれもλ−６
３２ 、８ｎｉのＨｅ−Ｈｅレーザー光照射時）がえら
れた。
方法で調べたところ、■チャージに対する帯電能２５Ｖ
／Ｐ＋＋＋、初期光電変換利得０．８０、△Ｅ −
４，Ｏｅｒｇ／（ｊ （いずれもλ−８３２，８層ｍの
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光照ｔＡ時）、ｅチャージに対する
帯電能２８Ｖ／ＡｌＴ１１、初期光電変換利得０，７５
、ΔＥ −５，Ｏｅｒｇ／ｃＩｉ（いずれもλ−６
３２ 、８ｎｉのＨｅ−Ｈｅレーザー光照射時）がえら
れた。
実施例６
実施例５におけるμｃ−３／含金層の堆積時間を１１当
り１０分間、ａ−Ｓｉ１−ｘ ＣＸ ：ｔ（ａの堆積時
間を１層当り ７５分間とし、各２０層、合計４０層を
堆積させた。このときの膜厚は５．５道であった。
り１０分間、ａ−Ｓｉ１−ｘ ＣＸ ：ｔ（ａの堆積時
間を１層当り ７５分間とし、各２０層、合計４０層を
堆積させた。このときの膜厚は５．５道であった。
えられた膜の性能を実施例１と同様にしてしらべたとこ
ろ、■チャージに対する帯電能２、ＯＶ／ｕｎ、初期光
電変換刊１１Ｏ，５０、ΔＥ１／２２−４ｏｅｒ／ｃＩ
ｌｉ（λ−６３２，８ｎ１１１） 、 ｅチャーシニ対
する帯電能２５Ｖ／迦、初期光電変換利得０．２、△Ｅ
＝ １８ｅｒｇ／ｃｙｎ （λ−６３２，８ｎｉ
＋）がえられ１／ま た。
ろ、■チャージに対する帯電能２、ＯＶ／ｕｎ、初期光
電変換刊１１Ｏ，５０、ΔＥ１／２２−４ｏｅｒ／ｃＩ
ｌｉ（λ−６３２，８ｎ１１１） 、 ｅチャーシニ対
する帯電能２５Ｖ／迦、初期光電変換利得０．２、△Ｅ
＝ １８ｅｒｇ／ｃｙｎ （λ−６３２，８ｎｉ
＋）がえられ１／ま た。
実施例７〜９
実施例１で用いたＩＴＯをコーティングしたコーティン
グ７０５９ガラスをＭを真空蒸着したコーティング７０
５９ガラス、ネサ透明専電ガラスおよびステンレススチ
ール基板にかえたほかは実施例１と同様にして多重層膜
を形成し、評価したところ、実施例１と同憧の結果がえ
られた。
グ７０５９ガラスをＭを真空蒸着したコーティング７０
５９ガラス、ネサ透明専電ガラスおよびステンレススチ
ール基板にかえたほかは実施例１と同様にして多重層膜
を形成し、評価したところ、実施例１と同憧の結果がえ
られた。
［発明の効果］
本光明の光導電材料は、ｅチャージおよび■チャージに
対する帯電能力が高く、光応答速度が速いという特徴を
有しており、複写機用感光材料、平面センサー、イメー
ジピックアップチューブなどとして好適に使用しうるも
のである。
対する帯電能力が高く、光応答速度が速いという特徴を
有しており、複写機用感光材料、平面センサー、イメー
ジピックアップチューブなどとして好適に使用しうるも
のである。
第１図は感光体のコロナ帯電特性、表面電位の暗減衰速
度および光応答特性測定に関する説明図である。
度および光応答特性測定に関する説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ グロー放電分解法によつてえられたマイクロクリス
タルを含むアモルファスシリコン合金層とグロー放電分
解法によつてえられた ａ−Ｓｉ＿１＿−＿ｘＣ＿ｘ：Ｈ：Ｙ（式中、ｘは０．
００１＜ｘ＜０．９５、ＹはＨ、ＣｌまたはＦを示す）
で表わされるアモルファスシリコンカーバイド層とを少
なくとも７層づつ交互に積層してなる光導電材料。 ２ 前記マイクロクリスタルを含むアモルファスシリコ
ン合金層の厚さが一層当り１５〜 １５０００Åであり、前記アモルファスシリコンカーバ
イド層の厚さが一層当り５〜２００００Åである特許請
求の範囲第１項記載の光導電材料。 ３ 前記光導電材料が正のコロナ放電に対して帯電能を
有し、その表面電位の減衰緩和時間が０．１秒以上であ
る特許請求の範囲第１項記載の光導電材料。 ４ 前記光導電材料が負のコロナ放電に対して帯電能を
有し、その表面電位の減衰緩和時間が０．１秒以上であ
る特許請求の範囲第１項記載の光導電材料。 ５ マイクロクリスタルを含むアモルファスシリコン合
金層とアモルファスシリコンカーバイド層との交互の積
層が周期的にされてなる特許請求の範囲第１項記載の光
導電材料。 ６ 前記光導電材料が導電性基板上に堆積されてなる特
許請求の範囲第１項記載の光導電材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60183257A JPS6243653A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 光導電材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60183257A JPS6243653A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 光導電材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6243653A true JPS6243653A (ja) | 1987-02-25 |
| JPH0310939B2 JPH0310939B2 (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=16132502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60183257A Granted JPS6243653A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 光導電材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6243653A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62161155A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-17 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPS632061A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632066A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632059A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS632065A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632060A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632064A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632062A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632063A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632057A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS632058A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS6364054A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体 |
| JPS63216382A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-08 | Ishida Scales Mfg Co Ltd | 荷重センサ |
-
1985
- 1985-08-21 JP JP60183257A patent/JPS6243653A/ja active Granted
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62161155A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-17 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPS632061A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632066A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632059A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS632065A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632060A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632064A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632062A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632063A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632057A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS632058A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS6364054A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体 |
| JPS63216382A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-08 | Ishida Scales Mfg Co Ltd | 荷重センサ |
| JP2803796B2 (ja) * | 1987-03-05 | 1998-09-24 | 株式会社イシダ | 荷重センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0310939B2 (ja) | 1991-02-14 |
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