JPS632065A - 超薄膜積層構造を有する光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、電子写真用感光体等に適用される電磁波エネ
ルギーに感受性のある光受容部材、殊に電荷担体の走行
性及び感度が改善された光受容部材に関する。

〔従来の技術〕

従来、電子写真用感光体等に適用さｎるｉ磁波エネルギ
ー（以降、広義としてのｒｌ　’！Ｆ−使用する）に感
受性のある光受容部材の光受容１を構成する感光層の構
成材料としては、光感度領域の整合性が他の材料と比較
して優れており、又、光生戊電荷担寧（以下「元キャリ
ア」と記す）の輸送特性が良好で、加えてビッカース硬
度が高く、公害の開音が実平的にはない等の点から、例
えば特開昭５４−８６３４１号公報、′＃開昭５６−８
３７４６号公報等に記載さｎている様な、シリコン原子
（Ｓｌ）を母体とする非晶質材料、所謂アモルファスシ
リコン（以後「ａ−８ｉｌと略奪スる）、殊に、水素原
子や、弗素原子等のハロゲン原子（Ｘ）等の補償剤で補
償さｎた７モル７アスシリコン（以後「＆−８ｉ　（Ｈ
、Ｘ）ｊ　と略記する）が注目されている。

そして、電子写真の帯電特性を同上せしめたり、また耐
湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特
性２よび耐久性等と向上せしめたりするために、高抵抗
で使用される元を透過する非晶質材料で構成さｎた高抵
抗層を感５′ｅ層の下部層あるいは表面層として用いる
ことによって、所望の性能を確保している。この高抵抗
層を構成する材料としては、酸素原子（０）、炭素原子
（Ｃ）、及び窒素原子（Ｎ）の中から選ばｎる少なくと
も一種を比較的高濃度に有するａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　
（以後、「ａ　　Ｓｉ　（Ｏｔ　Ｃｊ　＊Ｎ　）（Ｈ，
Ｘ）Ｊと表記する。〕を使用することが提案されている
。

ところがａ−８１（０、ａ　、Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成
さｎる表面層は、高抵抗であるため、繰り返しの帯電及
び画像露光により、表面層の表面に残留電位を生ずる場
合があり、該残留電位か画像欠陥をひきおこしてしまう
と′いう問題がある。また、ａ−８ｔ（０，０，Ｎ）（
Ｈ，Ｘ）で構成される下部層又は／及び表面層を設けて
も、長時間の耐久により核層の互する画像欠陥防止層と
しての機能が低下し、画像欠陥を生ずるという問題もあ
る０ 更に、上記高抵抗層と、静電替像を形成するにあたって
重要な役割を担う光キャリアの発生や輸送に関与する層
（電荷発生層及び電荷輸送層〕との界面は、電気的、機
械的な整合性か要求され、該要求が満たさｎない場合に
は、電荷担体の蓄積によるゴーストや帯電レベルの変動
に伴う像カブリ、又、表面層又は／及び下％Ｎの剥離等
が引さ起され、その影響は少なくない。

これ等の問題を解決するために、ａ−８ｉ（０゜Ｃ！、
Ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成さｎる層（以後「層（０゜Ｃ，Ｎ
）Ｊと略記する）か、核層（０，０，Ｎ）中に於ける、
酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中より選択されて含
有さｎる原子（以後「原子（０，０，Ｎ）Ｊと略記する
）の層厚方向に於ける濃度の分布が除々に減って（増し
て）いる様に原子（０、Ｏ、Ｎ）が層（０、Ｏ、Ｎ）中
に含有される構成とされる提案がなされている。このこ
とによって、前記の問題は充分に解決されるが、−方で
、層（０，Ｃ，Ｎ）の層厚が多少とはいえ、広がること
になり、光吸収特性の低下、元キャリアの走行性の低下
等が起り、電子写真用Ｓ光体をはじめとする光受容部材
としての重要な役割を果せなくなって仕舞う場合がある
。

〔発明の目的〕

本発明は、上述の点に鑑み成されたものであり、従来の
前記問題を解決して所望機能を奏するものにした、電子
写真用感光体等に用いらｎる光受容部材を提供すること
を主たる目的とするものである。

本発明の別の目的は、長時間の耐久性を有し、光応答性
の改善された光受容部材を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、残留電位の問題か殆んどなく
、画像欠陥の問題がなくして、改善された電気的耐圧性
を有する電子写真用光受容部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の電荷発生層及び電荷輸送層で構成
される感光層？少なくとも有する電子写真用感光体等に
用いられる光受容部材について、前述の諸問題を克服し
て上述の目的を達成すべく鋭意研究を重やた結果、支持
体と、電磁波エネルギーを受容して電荷担体を発生する
機能２有し、構成原子の比が異なる少なくとも二種類の
超薄膜を複数回交互に積層させて成る電荷発生層と、該
電荷発生層に於いて発生された電荷担体を輸送する機能
を有し、シリコン原子と、酸素原子、炭素原子及び窒素
原子の中より選択される少なくとも一種と？含む非単結
晶材料で構成され且つ前記選択された原子の濃度の分布
が層厚方向に於いて変化している電荷輸送層と、を具備
する事を特徴とする超′Ｉ４膜積層構造を有する光受容
部材（但し、前記構成原子の比とは、各構成原子の量を
、夫々ＸＩ、　Ｘ２、・・・・・・・・・絢・・・・・
・・・・とすると、ｉ番目の構成原子の比はＸ（／ΣＸ
（と表わさｎｚＸ４が零の場合も含まれるものとする）
とすることにより、光応答特性が良く　（即ち、光感度
スペクトルが広く、光キャリアの輸送特性に優ｎ　ｔ−
）　、シかも長時間の耐久によっても圓像欠陥や残留電
位の発生がない光受容部材が得られるという知見を得た
。

上述の６Ａに、本発明の光受容部材に於いては、電荷輸
送層（以後「ＯＴｌ、Ｊと略記する）が、酸素原子、炭
素原子及び窒票原子の中より選択さｎる少なくとも一種
の原子（０，０，Ｎ）を含有し・且つ層厚方向に於いて
、その濃度の分布か変化している槌にし、加えて、電荷
発生層１（以後１’−０ＧＬＪと略記する）２、構成原
子の比が異なる少なくとも二種類の超薄膜を複数回交互
に積層させて構成するので、ＣＴＬとｃＧＬとの間に明
瞭な界面が形成ざｎることがなく１それにより、４°楡
送さｎるべさ元キャリアが界面で再結合したり、トラ、
ブしたりして内皿電界を形成して帯電特性が変動したり
、ゴーストを生じせしめたりする不都合？回避すること
が出来るのと同時に、元キャリアの生成と走行特性の改
善ご一段と計ることが出来る。

以下、図面を用いてより具体的に本発明を詳述する。尚
、以下に光受容部材について図示する例は電子写真用の
ちのではあるが、撮像管ターゲット、長尺ものラインセ
ンサ、フォトダイオード、更には元キャリアを利用する
半導体装置全般−（−例えば太＠電池なども含む−〉−
に適用でざるものであり、本発明Ｇ２図示の例に限定さ
ｎないのは勿論である。

第１図は、ツＣ受容部材を作餐する為のＲＦ放電または
マイクロ波放電を用いた堆積膜形成装置の一例を模式的
に説明する為の模式的説明図である。

第１図に示される堆積膜形成装置は、高真空にし得る堆
積室１００、パワー導入用の電極？兼ねた周ｇ壁１０２
、上壁１０３、底壁１ｏ４、碍子１０５、加熱用ヒータ
ー１０７、ガス導入管１０８、ガス放出孔１０９、パル
プ１１０、排気管１１１、排気バルブ１１２電圧印加手
段、１３、内圧モニター１１４、ｘ　ス供翰、ｆ％　２
００　、ガスボンベ２０１〜２０５、パルプ２１１〜２
１５、マスフローコントローラー２２１〜２２５、流入
パルプ２３１〜２３５、流出パルプ２４１〜２４５、圧
力調整器２５１〜２５５そして、前記マス７０−コント
ローラー２２１〜２２５、流出パルプ２４１〜２４５お
よび排気パルプ１１２　′５：制御するためのマイクロ
コンピュータ−（不図示）から構成され、反応容器１０
０内に円筒状基体】０６が設置ぎＩＬる。

該装ひを用いて従来の光受容部材を形成するのは公知で
あるが、例えば本発明の超薄膜積層構造は前記装置で以
下の様にして形成された。

超薄膜形成用の第１の原料ガス？ガスボンベ２０１に入
ｎ１第２の原料ガスごガスボンベ２０２に入ｎ、第１の
原料ガス及び第２ノ〕原料ガス希釈用のガスごボンベ２
０３に入ｎた。

まず、超に漠檀、賓溝造杉成前；こ堆望室１００内ご十
分に排気して、マス７０−コントローラー２２１．２２
２．２２３及び流入パルプ２４１．２４２．２４３牙マ
イクロコンピュータ−ここより、第４Ｈに示すように各
原料ガスを制御し、堆積室１００に導入した。第４図の
流量の変化領域は、流入／（ルフ２４１．２４２の開口
度をマイクロコンピュータにより制御して行った。そし
て各原料ガスの導入と同時に、ＲＦｔ源またはマイクロ
波電源である電圧印加手段１１３より所定の電力を電極
を兼ねた周Ｈ壁１０２へ導入した。前記超薄膜積層構造
の全体の１厚は、第４図に示す流量の変化様式で所定の
時間保つことで制御した。

第１図に示す装置を用いて作製される電子写真感光体の
層構成の従来の例の一つを第２図の（＆）に示す。第２
図の（ａ）に示される光受容部材は基体２６１上に密層
性を上げるために酸素原子を積極的に増大せしめて堆積
したａ−８ｉＯ（Ｈ、Ｘ　）の下部Ｎ２６２、元キャリ
ヤを生成しかつ該キャリヤを輸送せしめる層としてのａ
−８ｉ（Ｈ，Ｘ）層２６３、表面を保護し帯電特性を良
くするために炭素原子を棲面的に増大せしめて堆積した
ａ−８ｉＯ（Ｈ、Ｘ　）の上部屡２６４とから成ってい
る光受容層を有している。それぞれのＭは必要ガスを定
流量となるようにマスプローコントローラーを制御して
堆積する。この例の問題点は前述したように、光入射側
の上部Ｎｌ２６４とｌ！Ｌ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）暦２６３と
の界面で光キャリヤがトラ。

プされゴーストの原因になったり帯電特性に変動をきた
すことがあることであり、また下部層２６２とａ−８ｉ
　（Ｈ、Ｘ　）　Ｊｉｊ　２６３との界面にキャリヤが
たまって次に走行してくるキャリヤの走行な悪化させる
こともあることである０ このキャリアのトラップを防ぐために界面ビ形成せずに
又は明瞭に形成することな（ａ−８ｉ（０，Ｃ，Ｎ）（
Ｈ，Ｘ）で構成される層の原子（０，０，Ｎ）の濃度の
分布が層厚方向に於いて変化している様に第２図（′ｂ
）に示すごとく形成されることもある（層間界面を示す
点線は界面が明白でないことを示す）。基体２７１上に
酸素原子が上部に向って次第に減少していく分布を有す
る下部層２７２、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）層２７３、上部に
向って炭素原子の含有量が増大していく分布を有する上
部ａ−８ｉＯ（Ｈ、Ｘ　）層２７４から成る。

図中破線は例えば二次イオン質量分析などで製膜のパッ
ク・グランドと充分に区別さｎうる量として検出して決
めらｎるａ−８ｉ　（０、Ｏ、Ｎ）（Ｈ，Ｘ）領域を表
わしている。ところが、ａ−８１（０，０，Ｎ）（Ｈ，
Ｘ）領域に於ける酸素原子または／および炭素原子また
は／３よび窒素原子の含有量は元キャリアの輸送という
観点から適度に押えられるぺ舌である一方、同時に帯電
能保持、密着性の確保のためには全量（層全体に含有さ
ｎるｊｌ）として必要量は満さねばならないから、例え
ば本例の如舌傾斜分布で構成すると、光受容層の１厚は
変らないとすると、上部層２７４の１厚の占める割合は
増し、逆に光キャリアを生成し輸送する役割のａ−８ｉ
　（Ｈ、Ｘ　）　層は実質的に薄くなってしまう。その
為元キャリアの生成量が特に長波長側で低化してしまい
、結果として長波長光側での光感度の低下Ｔｒ：もたら
し、特に半導体レーザー？・用いたレーザープリンタで
は致命的な欠陥となる。勿論この問題は、成膜時間を延
長してａ−８１（Ｈ、Ｘ　）　Ｎｊ　２７３を厚く堆積
してやれば（光受容層の層厚を厚くする）解決されるが
、実際の生産においては、特に他の光受容部材の膜形成
時間に比して決して速いとはいえない＆−８ｉ（ＥＩ、
Ｘ）の堆積膜形成速度の現状では、成膜時間の延長は好
ましいことではない。またａ　　５ｉ（Ｈ＋Ｘ）層の厚
膜化は当然成膜中の微少な条件変動によるピンホール発
生や、厚膜時の応力歪による剥離等の問題を起こす。

他方、元キャリアの輸送を低化することなく長波長光感
度を上げるためにバンドギャップの異なる柑料と超Ｕ膜
として交互に積層して感光層を構成する技術か知らｎで
おり、例えは特開昭６０−１４０３５４号公報に開示さ
れている。本発明者等による実験によｎば該公報に開示
される技術のみでは、電子写真用感光体等の光受容部材
として不充分なことが分った。即ち、１ＩＪｆｆａ公報
に従って光受容部材を作製したところ、確かに長波長側
に光感度がのび、長波長光によって生成さｎた光子ヤリ
アの走行性も改善されているが、繰り返しの安定性、つ
まり残留電位に伴う電位変動とゴースト、ならびに温度
に対する不安定性が指摘された。

この原因は、本発明者等の知見によｎば、熱生成キャリ
アや他から注入さｎたキャリアのたまりやすいシリコン
／ゲルマニウムｍ／１７膜は、画像露ツＣ以前に余剰キ
ャリアをスイープアウトする為に充分な電界を印加せね
ばならないか、前記公報に開示きれた光受容部材の層構
成は、それに対応でざるようにはなっていないし、また
公報の説明中で示唆もされていない。しかしこのことは
、実際の電子写真装置に毅て繰り返し画像と形成するに
際して、短時間にキャリアのスイープアウトを灯って感
光体を初期化するのは不可欠のことである。

本発明者等の更に進めた実験によると、第２図（Ｃ）の
如さ、ａ−８ｉ（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，ＸＬＩｊｔ中に
含有さｎる原子（０，０，Ｎ）が層厚方向に分布をもっ
て含有されるように構成して巧さ、熱生成キャリアの数
または／および種類の異なる材料を少なくとも二種以上
それぞｎＰｉｉＲ膜として交替して複数回摂層した光受
容層に石効な電界を印加すべく配した光受容部材が、そ
の長波長の元を含む元の応答待けと更にはその繰り返し
安定性＆：、鎖１’Ｌでいることかり７Ｄ１つだ。第２
図（ａ）で示される構成の光受容部材に超薄膜構造の光
受容層を設けると、残留電位が増え、ゴーストも生じ一
′Ｐすかった。δそｂくこの理由は、超薄膜元受容層か
らキャリアスイープアウト過程におけるキャリアの移動
量が多く、通常第２図（ＩＬ）の杉で光受容部材として
用いる場合よりも、＆−８ｉ　（Ｈ、Ｘ　）　ｆｉｌｌ
とａ　　Ｓｉ　（０＋　Ｃ、Ｎ　）　（Ｅ（＋　Ｘ　）
との界面の影響をうけ易いたのだと考えられる０以上述
べてさたように本発明のポイントは、超薄膜元受容層に
よって層厚を増すことなく元キャリアの発生効率な艮＜
シ、所望の（とりわけ長波長光の→光感度増大管実現す
るにあたり、前記光受容層の熱キャリアや注入′２！ｎ
たキャリアをスイープアウトするために銀層に電界が印
加さｎる層購成とすると共に、スイープアウトするキャ
リアが途中でトラップさｎる可能性を高くする界面を排
除した構成とすることにある。

したがって超薄膜積層構造を有するπ荷発生層は、電界
が充分Ｇこ印加さｎかつキャリアをスイープアウトでさ
、そのキャリアが他の層にトラ、プしない条件さえとと
のえば、第３図の（ａ）〜（Ｑ）に示すごとく、光受容
部材のどの場所に配されてもよい。

第２図（Ｑ）では超薄膜１ａＦｍ構造の電荷発生；σは
ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）層のほぼ中央に配さね作製のための
ガス制御が一番やり易い形である。第３図（＆）では、
超薄！積層構造の電荷発生Ｎ３０５からキャリアがスイ
ープアウトする際に片方のキャリアの飛程が小さい場合
有利である。ガえは負帯電なら正孔に対するスィーブア
ウト方向は表面へ向けてであり、電子に対しては基体側
に向うので、飛程の長い電子が長い距離を走行するよう
な構成である。この例では、ａ　　Ｓｉ　（０＋　Ｏ＋
Ｎ）　（ＦＩ、Ｘ）層中に、超薄膜積層電荷発生層３０
５が設けられている。

第３図（ｂ）では表面に超薄膜積層電荷発生層３０５が
設けらｎており、入射してくる元を広範なスペクトルに
わたって吸収することがで舌、色再現性ご良好なものと
することができる。第３図（０）では、基体側に設けら
ｎでおり、光受容層に必要な波長の光のみ′５：導くこ
とがでさるＯ例えばレーザープリンタ等では、レーザー
波長にのみ感度を有すｎばよく、レーザー波長より短い
波長の光は、感光体のごく表面でキャリア輸送に関与し
ない形で吸収さｎてしまうのが迷光によるコントラスト
ダウンを妨げて好ましい。

本発明に於る超薄膜積層電荷発生層として適用される材
料は、周期的な量子井戸ご形成するためのバンドギャッ
プの異なる材料の積層、フェルミ電位の異なる材料の積
層、の中から選ばｎる。

バンドギャップの異なる材料の組としては、同一原子か
ら成るものとして、モル７オロジーの異なるもの、即ち
、アモルファスシリコン（所ＦＪ、マイクロクリスタリ
ンはアモルファスに分類される〕、ポリクリスタルシリ
コン、の中から選ばｎる組が挙げられる。また、アモル
ファスシリコンの中には水素化やハロゲン化の程度の異
なることによりバンド・ギャップの異なるものがあり、
こちらはアモルファスシリコン同士で適用可能である。

更にブレーンサイズの異なるポリクリスタルシリコン同
士も可能である。これら同一原子力）ら成る組のものは
、膜堆積時に、例えばガス流ｌを少しだけ変化させると
か、パワーのみご若干変化させるとか、成膜が容易であ
るという利点と、実際の膜成長時に大言な変化を起さな
いので成膜スピードを落とさない、できた膜も結晶学的
整合性に優れているといった利点を有している。

異種原子から成るバンドギャップの異なる材料としては
、テトラヘドラル系非晶質の、ａｓｉ、ａ　　Ｇｅ　％
　　ＩＬＬ−ＣＸ　ａ　　５ｉＧｅ　％　　ａ　　Ｓｉ
、Ｃ１ａ　　ＧｅＯ％またそれらの水素含有物、ハロゲ
ン含有物、酸工含有物、窒素含有物、更にはそれらの混
合物をはじめ、対応するポリクリスタル、やＧ＆λ６１
ＧＩＬＰ、ＩｎＩ’ＸＢＮなどの■−■化合物、同混晶
、ｚ！１０、ＺｎＳ　、　Ｚｎ５ｅなどのｎ−ｔｉ化合
物などが挙げらｎる。こ八ら′Ａ１原子から成る組の８
薄膜槽？Ｊ電荷発生居の１Ｍ点は、元キャリアの発生１
即ち光応答スペクトルと拗送将性の選択の自由度か広が
ることである。

本発明−〇適用可能な層薄り接層構造を有する電荷発生
層の別の例は、発生する熱キャリアの種類の異なる材料
、即ちフェルミ準位の異なる材料、典型としてはｐ型、
ｎ型不純物で伝導型？制御したものが挙げらｎｌ特に有
効なものはシリコンご母材とする非単結晶に、ｐ型の不
純物としてはＢ％　Ａ１％　Ｇａｓ　Ｉｎなどｌ族元素
を、ｎ型の不純物としてＮ　１Ｐ　％　Ａ８　％　ｓｂ
などＶ族元素を、それぞｎドープしたものか挙げらｎる
。

このフェルミ準位の人なる材料による超薄膜積層電荷発
生Ｊｉｉを光受容部材に用いることの利点は、ＣＧＬの
見かけ上のバンドギャップを単なるドーピングによって
菱化すと以上昏こ大１−に変えることができ、感光体の
感度スペクトルを大幅に変化させることがでさる点であ
る。

更にバンドギャップが異なりしかも伝導型の異なる材料
の積層でも、超薄膜積層電荷発生層が可能であり、ａ−
８ｉＯＣＰ型〕と真性ａ　−Ｓ　ｉの積層のように、−
方の電荷担体（この場合′ε子）の走行性のみを他方よ
りも良好なものとすることかでさるという利点を有して
いる。

本発明による光受容部材の作製方法としては、前記した
装Ｍを用いるはか、よく知られた加熱蒸着、スパッタリ
ング、ＲＦ−グロー放電法、マイクロ波グロー放ヱ法、
ＬＰ−ＯＶＤをはじめ、近年提案されている別励起ラジ
カルを会合せしめて堆積するＥＲ−ＯＶＤや、ＳｉＨ４
とＦ２の酸化反応を用いる堆積法などが適用可能である
。

超薄膜種層電荷発生層の作製は、ガス供給源と基体との
間に配さｎたマスク付ターンテーブルを回転せしめたり
、マス７０−コントローラーでガスの流量を制御したり
、パルプの開閉によってガスビ断続せしめることによっ
て成ｚ１時のガス比率を変化させることによって行われ
る。

〔実施例〕

以下本発明ご実施列を以ってより具体的に詳述する。

実施ＶＡ？ 第１図に示した堆積膜形成装置を用いて、また該堆積嘆
彩戊袈置？泪いた超薄腓積コ賓造作製方法に従って、シ
リンダー状Ａ、／基体表面りこ、第１表・コこ示す層形
成多件で層形成を行い、第２図（０）に示す層構成の電
子写真用光受容部材を得た。

得らｎた光受容部材を用いて、？７ｐ９ｏ：３ｏ（キャ
ノン（株）製）にて画像形成を行ったところ、解Ｃ力に
優れ、階調−再現性の良好な、鮮明な高濃度の画像が得
られ、従来の電子写真用光受容部材と比較して、波長７
８８　ｎｍの半導体レーザー感度が約１５％向上した。

実施ｒＩＡ２〜９ 実施例１と同じ装置ご用い、第３．膚ご第２表また：′
１第３表に示す形成条件にした以外は実施例１と同じ層
形成条件で、シリンダー状ＡＪ基体表面に、層形成を行
い、第２図ＩＣ）に示す層構成の電子写真用光受容部材
を得た。

得らｎた夫々の光受容部材を用いて、実施例１と同様に
して画像形成を行なったとこ名、解像力にＦｉｎｓ階調
再現性の良好な、鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例１０−１３ 実施例１と同じ装置を用い、第３＃ご第４表に示す形成
条１羊にした以外は実施例と同じ１杉成東件で、シリン
ダー状１基体表面に、層形成を行い、第２図（Ｑ＞に示
す層構成の電子写真用光受容部材を得た。

得らちだ夫々の光受容部材？用いて、画像形成を行った
ところ、解像力に％ｎ、ｎｌ再現性の良好な、鮮明で高
濃度のｒＭ像か得らちだ。

なお、第４表の成膜条件では、少くとも一方が結晶性を
有することが反射電子線回折により確Ｓ３された。

実施例１４〜１６ 実施例１と同じ装置を用い、そｎぞれ第５表第６表、第
７表に示す】形成条件でシリンダー状へ！基体表面にＦ
ｊ影形成行い、そｎぞれ第３図（ａ）、第３図（１））
、第３図＜ｃ＞に示す層構成の電子写真用光受容部材を
得、実施例１と同様の方法で評価したところ、従来のも
のより約５〜１０％感度が高いことが判明し、解像力に
優れ、階調再現性の良好な、鮮明で高濃度の画像が得ら
れた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材を製造する装置の一例で
ある成膜装Ｗを模式的に示した模式的構成図、第２図は
、従来の光受容部材のＲｊ構成’Ｅ模式的に示した模式
的構成図、第３図は、本発明の光受容部材の届構成を模
式的に示した模式的構成図、第４図は、第１図に示す装
置にｂけるガス流魚コントロールの一例を説明する為の
模式的説明図である。 １００・・・・・・・・・高真空にし得る堆積室１０２
・・・・・・・・・パワー導入用の電極を兼ねた周囲壁 １０３・・・・・・・・・　１倣 １０４・・・・・・・・・底壁 １０５・・・・・・・・・碍子 １０６・・・・・・・・・円筒状基体 １０７・・・・・・・・・加熱用ヒーター１０８・・・
・・・・・・ガス導入管 】０９・・・・・・・・・ガフ、放出孔１１０・・・・
・・・・・バルブ １１１・・・・・・・・・排気管 １１２・・・・・・・・・排気パルプ １１３・・・・・・・・・電圧印加手段１１４・・・・
・・・・・内圧モニター２００・・・・・・・・・ガス
供給系 ２０１〜２０５・・・・・・・・・ガスボンベ２１１〜
２１５・・・・・・・・・バルブ２２１〜２２５・・・
・・・・・・　マス７０−コントローラー２３１〜２３
５・・・・・・・・・流入パルプ２４１〜２４５・・・
・・・・・・流出パルプ２５１〜２５５・−・・・・・
・・圧力＊ｍ器２６１　、２７１．２８１・・・・・・
・・・基体２６２．２７２．２８２　・−・−・−・−
下部ａ−８ｉ　（０、Ｃ、Ｎ）（ｆ（、：層 ２６３．２７３．２８３．２８６−−−−　　ｈ−３ｉ
　（Ｈ’、Ｘ）、”。 ２６４．２７４．２８４　・・−・・−川　上部ａ−８
ｉ　（０、Ｏ、Ｎ）（Ｈ，χ層 ２８５・・・・・・・・・超薄膜種、Ｉ！ｆ構造層３０
１・・・・−・・・基体 ３０２　・−・・−・・・下部ａ−ｓｉ（ｏ、ｃ、Ｎ）
（、Ｈ，Ｘ）ｆ１３０３　＝　　ａ−８ｉ（Ｈ、Ｘ）、
９３０４．３０４　＝−・・−・、、上部ａ−８１（０
，０，Ｎ）　ＣＨ，Ｘ）　７％３０５・・・・・・・・
・超薄膜積層構造層持許出願人　キャノン株式会社 代理人弁理士　荻　　上　　豊　　規 （Ａ） 第 （Ａ）　　　　　　　　　　　　（Ｂ）２図 （Ｂ） ３図 （Ｃ）　　　　　（Ｄ） 手　　続　　補　　正　　書　（方式）　　　　　　　
　　　６゜昭和６１年　７月２１日　　７゜ 昭和６１年特許願１４６３６５号 ２、発明の名称 超薄膜積層構造を有する光受容部材 ３　補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　　
（１００）キャノン株式会社 ４　代理人 住所　　東京都千代田区坊町３丁目１２番地６麹町グリ
ーンビル ５　補正命令の日付 補正の対象　　　明細書及び図面 補正の内容 願書に最初に添付した明細書及び図面の浄書別紙のとお
り（内容に変更なし） 以　　上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 支持体と、電磁波エネルギーを受容して電荷担体を発生
   する機能を有し、構成原子の比が異なる少なくとも二種
   類の超薄膜を複数回交互に積層させて成る電荷発生層と
   、該電荷発生層に於いて発生された電荷担体を輸送する
   機能を有し、シリコン原子と、酸素原子、炭素原子及び
   窒素原子の中より選択される少なくとも一種とを含む非
   単結晶材料で構成され且つ前記選択された原子の濃度の
   分布が層厚方向に於いて変化している電荷輸送層と、を
   具備する事を特徴とする超薄膜積層構造を有する光受容
   部材。 （但し、前記構成原子の比とは、各構成原子の量を、夫
   々Ｘ＿１、Ｘ＿２・・・・・・・・・Ｘ＿ｉ・・・・・
   ・・・・とすると、ｉ番目の構成原子の比はＸ＿ｉ／Σ
   Ｘ＿ｉと表わされ、Ｘ＿ｉが零の場合も含まれるものと
   する）