JPS58127934A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS58127934A JPS58127934A JP57010533A JP1053382A JPS58127934A JP S58127934 A JPS58127934 A JP S58127934A JP 57010533 A JP57010533 A JP 57010533A JP 1053382 A JP1053382 A JP 1053382A JP S58127934 A JPS58127934 A JP S58127934A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- silicon layer
- silicon
- amorphous silicon
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真感光体に関し、特にアモルファスシリ
コンを光導電層として利用した感光体に関するものであ
る。
コンを光導電層として利用した感光体に関するものであ
る。
電子写真の作像に使用する感光体として、従来から次の
ような２種類のものが一般的である。即ちその一つは硫
化カドミウム粉体を有機樹脂で混練して基板上に塗布し
た感光体であシ、他の１つは基板上にアモルファスセレ
ン層を形成した感光体である。しかし前者は耐摩耗性が
弱く長期使用に適さないという欠点がちシ、後者は熱的
に不安定でアモルファス状態が結晶化して感光特性が著
しく劣化するという欠点があった。また両者共に有毒物
質であるため環境汚染等の問題があり、取り扱いに厳重
な注意を要するという問題があった。
ような２種類のものが一般的である。即ちその一つは硫
化カドミウム粉体を有機樹脂で混練して基板上に塗布し
た感光体であシ、他の１つは基板上にアモルファスセレ
ン層を形成した感光体である。しかし前者は耐摩耗性が
弱く長期使用に適さないという欠点がちシ、後者は熱的
に不安定でアモルファス状態が結晶化して感光特性が著
しく劣化するという欠点があった。また両者共に有毒物
質であるため環境汚染等の問題があり、取り扱いに厳重
な注意を要するという問題があった。
このように従来か、ら実用化されている感光体は性能及
び材料がもつ性質等の点から必ずしも満足す現が望まれ
ていた０ これに対して最近アモルファスシリコンに関する研究が
活発になり、耐熱性、高い硬度及び広い波長領域の照射
光に対して高い光感度を有している、等の特性から電子
写真感光体としての利用が試みられている。
び材料がもつ性質等の点から必ずしも満足す現が望まれ
ていた０ これに対して最近アモルファスシリコンに関する研究が
活発になり、耐熱性、高い硬度及び広い波長領域の照射
光に対して高い光感度を有している、等の特性から電子
写真感光体としての利用が試みられている。
アモルファスシリコンは通常グロー放電ＣＶＤ（以下Ｇ
ＤＣＶＤと略す）法によって、モノシラン（ＳｉＨ２）
ガスを材料にして作成される。しかしＧＤＣＶＤ法は成
膜速度が非常に遅いために経費が高くなって実用化には
適さないという問題があった。その上アモルファスシリ
コン層自体の抵１ 抗値は高々１００ｍ程度にしかならず、電子写真感光体
に要求される表面帯電電位をそれだけで保持するには十
分でなく、従ってアモルファスシリコンの抵抗値を上げ
るために特別な処置を施こさねばならない。その一つに
ＧＤＣＶＤ工程によるアモルファスシリコンの成膜中に
酸素を導入して抵抗値を上げる方法が既に提案されてい
る。その他ブロッキング層を作成して抵抗値を上げる方
法も考えられている。しかし前者の方法は極く微量の酸
素を導入する必要があり、酸素の制御に高度な技術を要
するという問題があるだけではなく、酸素の添加は光感
度を大幅に低減させるという欠点がある。一方後者のブ
ロッキング層を設ける方法は適切なブロッキング層が見
い出されていないのが現状である。
ＤＣＶＤと略す）法によって、モノシラン（ＳｉＨ２）
ガスを材料にして作成される。しかしＧＤＣＶＤ法は成
膜速度が非常に遅いために経費が高くなって実用化には
適さないという問題があった。その上アモルファスシリ
コン層自体の抵１ 抗値は高々１００ｍ程度にしかならず、電子写真感光体
に要求される表面帯電電位をそれだけで保持するには十
分でなく、従ってアモルファスシリコンの抵抗値を上げ
るために特別な処置を施こさねばならない。その一つに
ＧＤＣＶＤ工程によるアモルファスシリコンの成膜中に
酸素を導入して抵抗値を上げる方法が既に提案されてい
る。その他ブロッキング層を作成して抵抗値を上げる方
法も考えられている。しかし前者の方法は極く微量の酸
素を導入する必要があり、酸素の制御に高度な技術を要
するという問題があるだけではなく、酸素の添加は光感
度を大幅に低減させるという欠点がある。一方後者のブ
ロッキング層を設ける方法は適切なブロッキング層が見
い出されていないのが現状である。
本発明は上記従来の電子写真感光体における欠点を除去
し、アモルファスシリコンがもつすぐれた光感度及び耐
摩性を損うことなく、高い表面帯電電荷保持特性をもた
せ得る感光体を提供するものである。
し、アモルファスシリコンがもつすぐれた光感度及び耐
摩性を損うことなく、高い表面帯電電荷保持特性をもた
せ得る感光体を提供するものである。
本発明を要約すれば、成膜速度の遅いアモルファスシリ
コン膜は感光体の表面側に、光吸収に必要な厚さ数μｍ
程度の薄い膜として形成し、下部構造にアモルファスシ
リコンどは結晶構造が異なり、マイクロクリスタルや多
結晶構造からなる成膜速度の速いシリコン層を厚く作成
し、該下部構造のシリコン層にｐ＝ｎ、或いはｐ −１
−ｎ接合を形成して帯電電位保持特性をもたせた電子写
真感光体である。
コン膜は感光体の表面側に、光吸収に必要な厚さ数μｍ
程度の薄い膜として形成し、下部構造にアモルファスシ
リコンどは結晶構造が異なり、マイクロクリスタルや多
結晶構造からなる成膜速度の速いシリコン層を厚く作成
し、該下部構造のシリコン層にｐ＝ｎ、或いはｐ −１
−ｎ接合を形成して帯電電位保持特性をもたせた電子写
真感光体である。
尚従来からｐ −ｎ接合を備えた半導体を感光体として
用いる試みもあるが、用いられている半導３ゞ４ 体の抵抗は一般に１０ ０−の低いものであった。この
ように低抵抗体の半導体では、電子写真における静電潜
像としての表面電荷の濃淡は上記低抵抗のために電気的
に平均化されてしまい、従来の作像プロセスを利用した
電子写真装置に利用し得る感光体材料とはなり得ない。
用いる試みもあるが、用いられている半導３ゞ４ 体の抵抗は一般に１０ ０−の低いものであった。この
ように低抵抗体の半導体では、電子写真における静電潜
像としての表面電荷の濃淡は上記低抵抗のために電気的
に平均化されてしまい、従来の作像プロセスを利用した
電子写真装置に利用し得る感光体材料とはなり得ない。
次に実施例を挙げて本発明の詳細な説明する０実施例Ｉ
この実施例は下部構造のシリコン層をマイクロクリス
タルシリコンによって構成する。
この実施例は下部構造のシリコン層をマイクロクリス
タルシリコンによって構成する。
図において、１は電子写真感光体の導電性基板となる直
径１０α、長さ３０ｃｒｎのアルミドラムで、該ドラム
１上に１、マイクロクリスタルシリコン層２が積層され
る。該マイクロクリスタルシリコン層２はＧＤＣＶＤ法
によりまず１０ 個／＋３にｐ（燐）がドープされた
ｎ型層２１が３０μｍの厚さに形成され、次にＢ（ポロ
ン）カニ０貴／、３ の割合にドープされたｐ型層２□
が２０μｍの厚さに形成される。ここで上記ｎ型層２１
程度の極微細結晶粒からなるマイクロクリスタル構造に
形成される。マイクロクリスタル構造は、例えば水素ガ
スと混合されたモノシランガスを２Ｔｏｒｒ程度の圧力
で反応槽内に導き、同反応槽内に設置された基板１を予
め３３０℃の温度に保持した状態で、１．３ＫＷの高周
波電力を供給することによって導入ガスを分解させて基
板１上に成長させることにより形成される。尚ｎ型及び
ｐ型不純物のドーピングは、上記モノシランガスにＰＨ
３ガスやＢＨ２ガスの水素希釈ガスを混入して行われる
０ 上記マイクロクリスタルシリコン層２に、アモルファス
シリコン層３が積層される。該アモルファスシリコン層
３は、微量のＢＦ２がドープされたモノシランガスを用
いてＧＤＣＶＤ法によりｉ型層として形成される。該ア
モルファスシリコン層３はボロンにより補償され、従来
と同様に水素、翳、よって安定化が図られる。該アモル
ファスシリコン層３の生成は、例えば同様のＧＤＣＶＤ
装置を用いて、基板温度を２００℃程度に下げると共に
高周波出力を３００Ｗ程度に降下させて成長させること
によシ、上述のマイクロクリスタルと結晶構造及び電気
的緒特性で異なったアモルファス構造のシリコン層が形
成される。
径１０α、長さ３０ｃｒｎのアルミドラムで、該ドラム
１上に１、マイクロクリスタルシリコン層２が積層され
る。該マイクロクリスタルシリコン層２はＧＤＣＶＤ法
によりまず１０ 個／＋３にｐ（燐）がドープされた
ｎ型層２１が３０μｍの厚さに形成され、次にＢ（ポロ
ン）カニ０貴／、３ の割合にドープされたｐ型層２□
が２０μｍの厚さに形成される。ここで上記ｎ型層２１
程度の極微細結晶粒からなるマイクロクリスタル構造に
形成される。マイクロクリスタル構造は、例えば水素ガ
スと混合されたモノシランガスを２Ｔｏｒｒ程度の圧力
で反応槽内に導き、同反応槽内に設置された基板１を予
め３３０℃の温度に保持した状態で、１．３ＫＷの高周
波電力を供給することによって導入ガスを分解させて基
板１上に成長させることにより形成される。尚ｎ型及び
ｐ型不純物のドーピングは、上記モノシランガスにＰＨ
３ガスやＢＨ２ガスの水素希釈ガスを混入して行われる
０ 上記マイクロクリスタルシリコン層２に、アモルファス
シリコン層３が積層される。該アモルファスシリコン層
３は、微量のＢＦ２がドープされたモノシランガスを用
いてＧＤＣＶＤ法によりｉ型層として形成される。該ア
モルファスシリコン層３はボロンにより補償され、従来
と同様に水素、翳、よって安定化が図られる。該アモル
ファスシリコン層３の生成は、例えば同様のＧＤＣＶＤ
装置を用いて、基板温度を２００℃程度に下げると共に
高周波出力を３００Ｗ程度に降下させて成長させること
によシ、上述のマイクロクリスタルと結晶構造及び電気
的緒特性で異なったアモルファス構造のシリコン層が形
成される。
上記マイクロクリスタルシリコン層２は上述のＧＤＣＶ
Ｄ法によることなく、通常の蒸着法、クラスターイオン
ビーム等の方法で成長させることもできる。
Ｄ法によることなく、通常の蒸着法、クラスターイオン
ビーム等の方法で成長させることもできる。
上記マイクロクリスタルシリコン層２のｐ−ｎ接合は、
複写時の作像プロセスにおける表面帯電電荷が正の場合
は基板上にｐ型層に続いてｎ型層を積層する構造とし、
負の帯電が行われる場合にはｎ型層の上にｐ型層を積層
する構造に作製され、要は表面電位がｐ −ｎ接合に逆
方向のバイアスをかける状態に導電型が選ばれる。
複写時の作像プロセスにおける表面帯電電荷が正の場合
は基板上にｐ型層に続いてｎ型層を積層する構造とし、
負の帯電が行われる場合にはｎ型層の上にｐ型層を積層
する構造に作製され、要は表面電位がｐ −ｎ接合に逆
方向のバイアスをかける状態に導電型が選ばれる。
上述のようにマイクロクリスタル構造上にアモルファス
構造を積層したシリコン感光体を電子写真複写装置に組
込んで作像したところ、非常に高い感度と緻密な画質を
得ることができた。
構造を積層したシリコン感光体を電子写真複写装置に組
込んで作像したところ、非常に高い感度と緻密な画質を
得ることができた。
即ち上部構造の感光体は、表面側のアモルファスシリコ
ン層３が光キヤリア発生層として機能し、下層部のマイ
クロクリスタルシリコン層２がキャリア輸送層として機
能し、いわゆる機能分離型の感光体と同様の動作をする
。アモルファスシリコン層３は水素化され、また微量ボ
ロンの添加によｏＮｔｔ って高抵抗化が図られているため１ｏ Ω７程度の抵
抗を有し、画像露光によって光キャリアを生成する。光
キヤリア発生層のアモルファスシリコン層３に対して、
マイクロクリスタルシリコン層２は極めて低濃度のドー
ピング量からなるｐ −ｎ接合が形成されているため大
部分に空乏層化していると考えられ、高耐圧特性を得る
ことができる。
ン層３が光キヤリア発生層として機能し、下層部のマイ
クロクリスタルシリコン層２がキャリア輸送層として機
能し、いわゆる機能分離型の感光体と同様の動作をする
。アモルファスシリコン層３は水素化され、また微量ボ
ロンの添加によｏＮｔｔ って高抵抗化が図られているため１ｏ Ω７程度の抵
抗を有し、画像露光によって光キャリアを生成する。光
キヤリア発生層のアモルファスシリコン層３に対して、
マイクロクリスタルシリコン層２は極めて低濃度のドー
ピング量からなるｐ −ｎ接合が形成されているため大
部分に空乏層化していると考えられ、高耐圧特性を得る
ことができる。
上記空乏層に加えて、本来キャリアの数が少ない上に再
結合も少ないことからすぐれた電荷保持特性を得ること
ができる＄更にはマイクロクリスタル状態はアモルファ
ス状態に比べて電子の移動度が大きいことから光キャリ
アの輸送層として好適である。
結合も少ないことからすぐれた電荷保持特性を得ること
ができる＄更にはマイクロクリスタル状態はアモルファ
ス状態に比べて電子の移動度が大きいことから光キャリ
アの輸送層として好適である。
上述のようにマイクロクリスタル層は高耐圧特性をもつ
ため、たとえアモルファス層の抵抗値が１０１３Ωｍの
オーダに達しなくても、帯電によって生じた電位を作像
期間に亘って充分保持することができる。尚光キャリア
はアモルファスシリコン、 １０″１１ 層の抵抗値か１０ ０ｍ程度と充分高いため横方向への
逃げがなく、上記マイクロクリスタルシリコン層２の特
性と併せて静電潜像全保持することができる。またアモ
ルファスシリコン層３は広い光波長領域で非常に高い光
感度を有しているため、光の吸収係数が非常に大きいと
いう特性があり、感光体として好しい。
ため、たとえアモルファス層の抵抗値が１０１３Ωｍの
オーダに達しなくても、帯電によって生じた電位を作像
期間に亘って充分保持することができる。尚光キャリア
はアモルファスシリコン、 １０″１１ 層の抵抗値か１０ ０ｍ程度と充分高いため横方向への
逃げがなく、上記マイクロクリスタルシリコン層２の特
性と併せて静電潜像全保持することができる。またアモ
ルファスシリコン層３は広い光波長領域で非常に高い光
感度を有しているため、光の吸収係数が非常に大きいと
いう特性があり、感光体として好しい。
実施例■ この実施例はアモルファスシリコンの下部層
として、アモルファス及びマイクロクリスタルとは異な
る多結晶構造のシリコンを積層して構成する。
として、アモルファス及びマイクロクリスタルとは異な
る多結晶構造のシリコンを積層して構成する。
即ち、本実施例による感光体は１、約４μｍの厚さを有
し、且つ微量のＢ添加によって高抵抗化が図られた水素
化ｉ型アモルファスシリコン層、該アモルファスシリコ
ン層の下に２０〜３０μｍの結晶シリコン、更に同じく
５〜１０μｍのｉ型多結晶シリコンを形成し、続いて最
下層に約１０〜１１ゝ１７ ２０μｍの１０ 個／、＋３のリンをドープした多
結晶シリコン層を形成し、ｐ −１−ｎ構造からなるシ
リコン感光体を構成する。
し、且つ微量のＢ添加によって高抵抗化が図られた水素
化ｉ型アモルファスシリコン層、該アモルファスシリコ
ン層の下に２０〜３０μｍの結晶シリコン、更に同じく
５〜１０μｍのｉ型多結晶シリコンを形成し、続いて最
下層に約１０〜１１ゝ１７ ２０μｍの１０ 個／、＋３のリンをドープした多
結晶シリコン層を形成し、ｐ −１−ｎ構造からなるシ
リコン感光体を構成する。
本実施例においても多結晶シリコンのｐ型層はほとんど
空乏層となっていると考えられ、前述の実施例と同様に
ｉＷ層と共に十分に耐圧を保持せしめ得る。
空乏層となっていると考えられ、前述の実施例と同様に
ｉＷ層と共に十分に耐圧を保持せしめ得る。
具体的な例を挙げると、直径１０ｏＭ、長さ３０αのア
ルミドラム上にＧＤＣＶＤ法により約１０ 個Ａのリン
をドープしたｎ型層を約２０μｍの厚さに成長させる。
ルミドラム上にＧＤＣＶＤ法により約１０ 個Ａのリン
をドープしたｎ型層を約２０μｍの厚さに成長させる。
この際原料ガスであるモノシランのガス圧を５Ｔｏｒｒ
とし、基板温度を４００〜４５０℃と比較的高い温度に
保持し、高周波電力を２ＫＷと高くとることにより、ｎ
型多結晶シリコンを得ることができる。続いて同様の条
件で上３Ｎ１４ 記ｎ型多結晶シリコン上に１０ （ＩＦ、３ （
７） ホ。
とし、基板温度を４００〜４５０℃と比較的高い温度に
保持し、高周波電力を２ＫＷと高くとることにより、ｎ
型多結晶シリコンを得ることができる。続いて同様の条
件で上３Ｎ１４ 記ｎ型多結晶シリコン上に１０ （ＩＦ、３ （
７） ホ。
１ツユ＋ 【赤 −ＩＨλふノー−；１１カμ 悶
〜 ＋１ −、ｅｌ曽π／−１シれる。上記多結
晶シリコン層上に続いてボロンにより補償した厚さ５μ
ｍの水素化ｉ型アモルファスシリコン層が形成される。
〜 ＋１ −、ｅｌ曽π／−１シれる。上記多結
晶シリコン層上に続いてボロンにより補償した厚さ５μ
ｍの水素化ｉ型アモルファスシリコン層が形成される。
該アモルファスシリコン層は基板温度を２５０℃に下げ
モノシランガス圧を０．２Ｔｏｒｒに下げ、且つ高周波
出力を３００Ｗ程度の条件で成長させることにより得ら
れる。
モノシランガス圧を０．２Ｔｏｒｒに下げ、且つ高周波
出力を３００Ｗ程度の条件で成長させることにより得ら
れる。
上記多結晶上にアモルファス結晶構造のシリコンが積層
された感光体を用いてカールソン法による複写動作させ
たところ、非常に良好な画像を得ることができた。本実
施例の構造においても、アモルファスシリコン層は光キ
ヤリア発生層となって表面帯電電位を生じさせる。また
下部の多結晶シリコンは比較的ドーピング量の少ないｐ
−ｎ或いはｐ −１−ｎ接合が形成されているため逆
方向の耐圧を高くすることができ、上記表面帯電電位の
保持特性をもつことができると共に、実施例Ｉのマイク
ロクリスタル構造と同様に大きい電子移動度をもち、光
キヤリア輸送層として好適である。
された感光体を用いてカールソン法による複写動作させ
たところ、非常に良好な画像を得ることができた。本実
施例の構造においても、アモルファスシリコン層は光キ
ヤリア発生層となって表面帯電電位を生じさせる。また
下部の多結晶シリコンは比較的ドーピング量の少ないｐ
−ｎ或いはｐ −１−ｎ接合が形成されているため逆
方向の耐圧を高くすることができ、上記表面帯電電位の
保持特性をもつことができると共に、実施例Ｉのマイク
ロクリスタル構造と同様に大きい電子移動度をもち、光
キヤリア輸送層として好適である。
実施例Ｉ 、、 ＩＩ共に下部層がもつｐ −ｎ又はｐ
−１−ｎ合は複数接合形成して構成することもできる。
−１−ｎ合は複数接合形成して構成することもできる。
以上のように本発明によれば、感光体は基板上にすべて
シリコンによって作成されるため結晶的及び電気的不整
合が少なく、感光体の劣化や疲労の原因になる層界面上
の不整合や界面準位も少なくなる。またアモルファス層
及びアモルファス層と結晶構造が異なる層を共に条件を
変えるのみで同じ装置を利用して成長させることもでき
、製造がやり易いだけでなく設備の経済性にもすぐれた
ものになる。感光体は成膜の遅いアモルファス層は薄く
て済み、実用化に対する問題を解決でき、得られた感光
体は表面がアモルファスシリコンであるため広い範囲の
波長域、特に半導体レーザがもつ７８０ｆｉ近傍まで高
い光感度を示し、ＰＰＣのみならずレーザープリンター
用感光体として最適のものである。
シリコンによって作成されるため結晶的及び電気的不整
合が少なく、感光体の劣化や疲労の原因になる層界面上
の不整合や界面準位も少なくなる。またアモルファス層
及びアモルファス層と結晶構造が異なる層を共に条件を
変えるのみで同じ装置を利用して成長させることもでき
、製造がやり易いだけでなく設備の経済性にもすぐれた
ものになる。感光体は成膜の遅いアモルファス層は薄く
て済み、実用化に対する問題を解決でき、得られた感光
体は表面がアモルファスシリコンであるため広い範囲の
波長域、特に半導体レーザがもつ７８０ｆｉ近傍まで高
い光感度を示し、ＰＰＣのみならずレーザープリンター
用感光体として最適のものである。
図は本発明による実施例を示す感光体の断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電体基板上に光導電層を積層してなる電子写真感
光体において、光導電層として画像露光側にアモルファ
スシリコンからなる第１シリコン層が形成され、該第１
シリコン層より導電性基板側にアモルファスシリコンと
は結晶構造が異なり、キャリア輸送層となる第２シリコ
ン層が形成されてなることを特徴とする電子写真感光体
。 ２、前記第２シリコン層はマイクロクリスタル構造をも
つシリコン層であることを特徴とする請求の範囲第１項
記載の電子写真感光体。 ３、前記第２シリコン層は多結晶構造のシリコンである
ことを特徴とする請求の範囲第１項記載の電子写真感光
体。 ４、前記第１シリコン層はｉ型を示し、第２７す構造を
備えてなることを特徴とする請求の範囲第２項又は第３
項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57010533A JPS58127934A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57010533A JPS58127934A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58127934A true JPS58127934A (ja) | 1983-07-30 |
Family
ID=11752895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57010533A Pending JPS58127934A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58127934A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0232145A2 (en) * | 1986-02-04 | 1987-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member for use in electrophotography |
-
1982
- 1982-01-25 JP JP57010533A patent/JPS58127934A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0232145A2 (en) * | 1986-02-04 | 1987-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member for use in electrophotography |
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