JPS62214619A - 多層薄膜の製造方法 - Google Patents
多層薄膜の製造方法Info
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- JPS62214619A JPS62214619A JP61057689A JP5768986A JPS62214619A JP S62214619 A JPS62214619 A JP S62214619A JP 61057689 A JP61057689 A JP 61057689A JP 5768986 A JP5768986 A JP 5768986A JP S62214619 A JPS62214619 A JP S62214619A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、非晶質Ｓｉ と非晶質Ｇｅなどの半導体薄
膜を、化学気相成長法（ＣＶＤ法）によって交互に積層
成長させていく多層薄膜の製造方法、詳しくは、高品質
の薄膜を生産性良く成長させることを可能ならしめる方
法に関する。
膜を、化学気相成長法（ＣＶＤ法）によって交互に積層
成長させていく多層薄膜の製造方法、詳しくは、高品質
の薄膜を生産性良く成長させることを可能ならしめる方
法に関する。
数十〜数百Ａ周期にバンドギャップやドーピング等を変
化させた多層薄膜は、天然には無い超格子構造を有し、
多方面の分野において新材料として利用できることから
、盛んに開発が進められている。特に、半導体の分野に
おいては、ＧａＡｓ ／ＡｌＧａＡｓに代表される超格
子等の場合、キャリア移動度の向上等がみられるほか、
超格子を非晶質膜で作ることもできるために、薄膜トラ
ンジスタ、光センサ、太陽電池、イメージセンサ、感光
体と云った各種の素子への応用が期待されている。
化させた多層薄膜は、天然には無い超格子構造を有し、
多方面の分野において新材料として利用できることから
、盛んに開発が進められている。特に、半導体の分野に
おいては、ＧａＡｓ ／ＡｌＧａＡｓに代表される超格
子等の場合、キャリア移動度の向上等がみられるほか、
超格子を非晶質膜で作ることもできるために、薄膜トラ
ンジスタ、光センサ、太陽電池、イメージセンサ、感光
体と云った各種の素子への応用が期待されている。
ところが、このような薄膜材料は、従来行われている実
験室レベルのＣＶＤ法では、高品質のものを量産性良く
製造することができず、そのために、実用化に適した新
しい製造方法の開発が望まれていた。
験室レベルのＣＶＤ法では、高品質のものを量産性良く
製造することができず、そのために、実用化に適した新
しい製造方法の開発が望まれていた。
即ち、従来採用されている方法には、
（１） プラズマＣＶＤ法のみを採用し、１つの成膜
室（チャンバ）に交互に種類の異なる原料ガスを流して
多層薄膜を形成する方法、具体例としては、Ｓ＋）１４
とＧｅＨ４ガスを交互に流してプラズマ反応によりａ
（７％ルア７ス）−８ｉ：Ｈ／ａ−Ｇｅ：Ｈの多層膜
を得る方法。
室（チャンバ）に交互に種類の異なる原料ガスを流して
多層薄膜を形成する方法、具体例としては、Ｓ＋）１４
とＧｅＨ４ガスを交互に流してプラズマ反応によりａ
（７％ルア７ス）−８ｉ：Ｈ／ａ−Ｇｅ：Ｈの多層膜
を得る方法。
（２）光ＣＶＤ法のみを採用し、上記同様１つのチャン
バへの原料ガスの供給を切換えて多層薄膜を形成する方
法、例えば、Ｓ １２８６ガスを光に反応させてａ−５
ｉ；Ｈを、５ｉ２Ｉ（６とＧｅＨ４の混合ガスを光に反
応させてａ−８ｉＣｙｅ：Ｈを各々成長させ、ａ−５ｉ
： Ｈ／ａ −５ｉＧｅ ： Ｈの多層膜を得る方法
。
バへの原料ガスの供給を切換えて多層薄膜を形成する方
法、例えば、Ｓ １２８６ガスを光に反応させてａ−５
ｉ；Ｈを、５ｉ２Ｉ（６とＧｅＨ４の混合ガスを光に反
応させてａ−８ｉＣｙｅ：Ｈを各々成長させ、ａ−５ｉ
： Ｈ／ａ −５ｉＧｅ ： Ｈの多層膜を得る方法
。
（３）２つのチャンバを交互に用いて、各々のチャンバ
で成分の異なる薄膜を成長させ、多層膜を得る方法。
で成分の異なる薄膜を成長させ、多層膜を得る方法。
の３つがある。
しかしながら、１つのチャンバ内で原料ガスを交換する
上記（１） 、 （２）の方法では、交換の初期にチャ
ンバ内で残留ガスと新たに供給した原料ガスの混合が起
こるため、界面のシャープな高品質の多層薄膜が得られ
ない。また、原料ガスの混合を少な（するために、ガス
の流速を上げたり、チャンバを小型化したりすると、ガ
スの利用効率が低下し、かつ、装置全体も小型化してし
まうため、生産性が低下する。ガス交換時にチャンバ内
を真空引きして原料ガスの混合を防止する手法もあるが
、これも面倒で手間のか＼る方法であり、生産性の低下
を招く。
上記（１） 、 （２）の方法では、交換の初期にチャ
ンバ内で残留ガスと新たに供給した原料ガスの混合が起
こるため、界面のシャープな高品質の多層薄膜が得られ
ない。また、原料ガスの混合を少な（するために、ガス
の流速を上げたり、チャンバを小型化したりすると、ガ
スの利用効率が低下し、かつ、装置全体も小型化してし
まうため、生産性が低下する。ガス交換時にチャンバ内
を真空引きして原料ガスの混合を防止する手法もあるが
、これも面倒で手間のか＼る方法であり、生産性の低下
を招く。
一方、２つのチャンバを交互に利用する（３）の方法は
、渾料ガスの混合による界面性状の悪化の問題は生じな
いが、チャンバ間での基板の搬送に余分の手間と時間を
費やし、さらに、真空引きなどの操作も必要とするため
、（１１、（２）の方法よりも更に生産性が悪い。
、渾料ガスの混合による界面性状の悪化の問題は生じな
いが、チャンバ間での基板の搬送に余分の手間と時間を
費やし、さらに、真空引きなどの操作も必要とするため
、（１１、（２）の方法よりも更に生産性が悪い。
このため、高品質の多層薄膜を量産できる製法が望まれ
ていた訳であるが、今まで、その要求に応え得る技術は
存在していなかった。
ていた訳であるが、今まで、その要求に応え得る技術は
存在していなかった。
そこで、この発明は、上述の要求に応えることのできる
多層薄膜の製造方法を提供することを目的としている。
多層薄膜の製造方法を提供することを目的としている。
この発明の方法は、上記の目的を達成するため、一方の
薄膜をプラズマＣＶＤ法によって、他方の薄膜を光ＣＶ
Ｄ法によって各々成長させ、これを同一チャンバ内で交
互に繰り返えして異質の薄膜を基板°上に交互に積層す
ると共に、それ等薄膜の原料ガスとして、相手側の薄膜
の成長法に対しては反応しないか又は反応速度が大きく
遅延するガス、即ち、一方の薄膜の原料ガスは、プラズ
マには敏感に反応するが、光に対しては全く反応しない
か又は反応が鈍く、他方の薄膜の原料ガスはそれと正反
対の性質を有するものを用いることを特徴とする。
薄膜をプラズマＣＶＤ法によって、他方の薄膜を光ＣＶ
Ｄ法によって各々成長させ、これを同一チャンバ内で交
互に繰り返えして異質の薄膜を基板°上に交互に積層す
ると共に、それ等薄膜の原料ガスとして、相手側の薄膜
の成長法に対しては反応しないか又は反応速度が大きく
遅延するガス、即ち、一方の薄膜の原料ガスは、プラズ
マには敏感に反応するが、光に対しては全く反応しない
か又は反応が鈍く、他方の薄膜の原料ガスはそれと正反
対の性質を有するものを用いることを特徴とする。
この方法は、第１図に示す如き装置、゛即ち、原料ガス
の導入口１を有するチャンバ２と、ＲＦ電源３に接続さ
れた放電用誘導コイル４を備える誘導結合形のプラズマ
ＣＶＤ装置やλＦ電源のアノード、カソードをチャンバ
内に入れた容量結合型のプラズマＣＶＤ装置に、チャン
バの光学窓５を通してチャンバ内に光を照射する光源６
を付加した装置を使って簡単に実施できる。第１図の６
′は基板７を支持するサセプタ、８はチャンバの排気系
である。
の導入口１を有するチャンバ２と、ＲＦ電源３に接続さ
れた放電用誘導コイル４を備える誘導結合形のプラズマ
ＣＶＤ装置やλＦ電源のアノード、カソードをチャンバ
内に入れた容量結合型のプラズマＣＶＤ装置に、チャン
バの光学窓５を通してチャンバ内に光を照射する光源６
を付加した装置を使って簡単に実施できる。第１図の６
′は基板７を支持するサセプタ、８はチャンバの排気系
である。
この方法によると、単一のチャンバ内に、２種類の薄膜
の原料ガスを一定の比率で混合して供給しても薄膜間の
界面がシャープに形成される。例えば、今、プラズマＣ
ＶＤ法に反応し、光ＣＶＤ法に反応しないガスＡと、プ
ラズマＣＶＤ法には反応せず、光ＣＶＤ法には反応する
ガスＢとを混合してチャンバ内に導入し、プラズマ放電
と光照射を交互に繰り返したとすると、プラズマ放電時
には、ガスＡのみによる成膜が進み、光照射時にはガス
Ｂのみによる膜ができ、そのために、シャープな界面が
得られる。Ａ、１３ガスが反応速度の大きく異なるもの
である場合にも、Ａガスの反応時にはＢガスが、Ｂガス
の反応時にはＡガスが殆んど反応しないため、界面のシ
ャープな多層薄膜が形成される。
の原料ガスを一定の比率で混合して供給しても薄膜間の
界面がシャープに形成される。例えば、今、プラズマＣ
ＶＤ法に反応し、光ＣＶＤ法に反応しないガスＡと、プ
ラズマＣＶＤ法には反応せず、光ＣＶＤ法には反応する
ガスＢとを混合してチャンバ内に導入し、プラズマ放電
と光照射を交互に繰り返したとすると、プラズマ放電時
には、ガスＡのみによる成膜が進み、光照射時にはガス
Ｂのみによる膜ができ、そのために、シャープな界面が
得られる。Ａ、１３ガスが反応速度の大きく異なるもの
である場合にも、Ａガスの反応時にはＢガスが、Ｂガス
の反応時にはＡガスが殆んど反応しないため、界面のシ
ャープな多層薄膜が形成される。
また、Ａ、Ｂガスの混合供給によりガス交換が不要にな
り、ガス混合防止のための真空引き、チャンバの小型化
、ガス流速のアップ、複数チャンバの交互使用等も不要
になるため、生産性が大巾に向上する。
り、ガス混合防止のための真空引き、チャンバの小型化
、ガス流速のアップ、複数チャンバの交互使用等も不要
になるため、生産性が大巾に向上する。
以下に、Ｓ ｉＨ４とＧｅＨ４からａ −Ｓ ｘ ／
ａ −Ｇｅ の多層薄膜を得る方法の一例を示す。こ
の方法では、プラズマＣＶＤ法と、原料ガスに水銀原子
を結合し、その水銀原子を水銀灯光により励起した後、
原料ガスに衝突させ、水銀原子のエネルギーを原料ガス
に移行して反応を起こす水銀増感光ＣＶＤ法を交互に用
いた。
ａ −Ｇｅ の多層薄膜を得る方法の一例を示す。こ
の方法では、プラズマＣＶＤ法と、原料ガスに水銀原子
を結合し、その水銀原子を水銀灯光により励起した後、
原料ガスに衝突させ、水銀原子のエネルギーを原料ガス
に移行して反応を起こす水銀増感光ＣＶＤ法を交互に用
いた。
プラズマＣＶＤ法及び水銀増感光ＣＶＤ法における原料
ガス比に対するバンドギャップは第２図に示す通りであ
る。
ガス比に対するバンドギャップは第２図に示す通りであ
る。
プラズマＣＶＤ法では、原料ガス中のＧｅＨ４の増加に
つれて、はシリニア−にバンドギャップが小さくなって
いくのに対し、水銀増感光ＣＶＤ法では、少量のＧｅＨ
４増加が急激にバンドギャップが下つており、同じガス
組成でも製法によりバンドギャップが大きくなることが
この図から判る。
つれて、はシリニア−にバンドギャップが小さくなって
いくのに対し、水銀増感光ＣＶＤ法では、少量のＧｅＨ
４増加が急激にバンドギャップが下つており、同じガス
組成でも製法によりバンドギャップが大きくなることが
この図から判る。
そこで、実施例は、このバンドギャップの差を利用し、
下記の条件の下で、プラズマ放電６０秒、光照射６０秒
を１００回繰り返して、ａ −８ｉ６．ｇＧｅｏ、１と
ａ−５１Ｏ−Ｉ Ｃｅｏ、ｓの交互に積層された多層薄
膜の試作品を得た。
下記の条件の下で、プラズマ放電６０秒、光照射６０秒
を１００回繰り返して、ａ −８ｉ６．ｇＧｅｏ、１と
ａ−５１Ｏ−Ｉ Ｃｅｏ、ｓの交互に積層された多層薄
膜の試作品を得た。
第３図は、得られたａ−８ｉｏ、ｓ Ｇｅｏ、ｌ／ａ
−５１ｏ、ｔ Ｇｅ、ｇ多層薄膜の膜厚方向の元素分析
結果を示している。
−５１ｏ、ｔ Ｇｅ、ｇ多層薄膜の膜厚方向の元素分析
結果を示している。
元素分析は、ＥＳＣＡ法を用い、薄膜をエツチングしな
がら行ったものである。この図から、ＳｉとＧｅの薄膜
ははゾ均一な厚みで交互に分布しており、ガス交換なし
に多層薄膜が形成されていることが判る。また、第３図
に示される各層の界面での元素分布のいわゆるダレにつ
いては、ＥＳＣＡの深さ方向の測定精度によるものと考
えられ、従って、薄膜間の界面も極めてシャープに形成
されていると云える。
がら行ったものである。この図から、ＳｉとＧｅの薄膜
ははゾ均一な厚みで交互に分布しており、ガス交換なし
に多層薄膜が形成されていることが判る。また、第３図
に示される各層の界面での元素分布のいわゆるダレにつ
いては、ＥＳＣＡの深さ方向の測定精度によるものと考
えられ、従って、薄膜間の界面も極めてシャープに形成
されていると云える。
なお、実施例では、光ＣＶＤ法として水銀増感法を用い
たが、水銀を用いずに原料ガスを励起する直接励起光Ｃ
ＶＤ法、光源として低圧水銀ランプの他にレーザー光を
用いる光ＣＶＤ法も、本発明に採用することができる。
たが、水銀を用いずに原料ガスを励起する直接励起光Ｃ
ＶＤ法、光源として低圧水銀ランプの他にレーザー光を
用いる光ＣＶＤ法も、本発明に採用することができる。
以上の通り、この発明によれば、プラズマＣＶＤ法と光
ＣＶＤ法による励起反応を交互に繰り返し、一方の方法
には良好に反応するが、他方の方法には全く反応しない
か又は反応性の鈍くなる原料ガスを使って２種類の異な
る薄膜を交互に成長、積層していくので、面倒で時間の
か＼る原料ガスの混合防止策を採らずに済み、大型のチ
ャンバを使った、しかも、作業工程の簡略化された高品
質多層薄膜の製造が可能になり、超格子構造をもった多
層薄膜の量産化による実用化に大きく寄与できると云う
効果が得られる。
ＣＶＤ法による励起反応を交互に繰り返し、一方の方法
には良好に反応するが、他方の方法には全く反応しない
か又は反応性の鈍くなる原料ガスを使って２種類の異な
る薄膜を交互に成長、積層していくので、面倒で時間の
か＼る原料ガスの混合防止策を採らずに済み、大型のチ
ャンバを使った、しかも、作業工程の簡略化された高品
質多層薄膜の製造が可能になり、超格子構造をもった多
層薄膜の量産化による実用化に大きく寄与できると云う
効果が得られる。
第１図は、この発明の方法に用いる装置の一例を示す線
図、第２図はプラズマＣＶＤ法と、水銀増感光ＣＶＤ法
によるａ−５ｉＧｅ：Ｈ膜の成長において、原料ガスで
あるＧｅＨ４とＳ ｉＨ４の混合比の変化に対するバン
ドギャップの変化を示すグラフ、第３図は実施例の方法
で得られた多層薄膜の元素成分と膜厚の関係を示す図で
ある。 １・・・ＩＮガスの導入口、２・・・チャンバ、３・・
・ＲＦ電源、４・・・放電用誘導コイル、５・・・光学
窓、６・・・光源 特許出願人 住友電気工業株式会社 同 代理人 鎌 １） 文 − ス ベ″Ｌ−費セべへ〉 − り Ｏ １に材彊衾
図、第２図はプラズマＣＶＤ法と、水銀増感光ＣＶＤ法
によるａ−５ｉＧｅ：Ｈ膜の成長において、原料ガスで
あるＧｅＨ４とＳ ｉＨ４の混合比の変化に対するバン
ドギャップの変化を示すグラフ、第３図は実施例の方法
で得られた多層薄膜の元素成分と膜厚の関係を示す図で
ある。 １・・・ＩＮガスの導入口、２・・・チャンバ、３・・
・ＲＦ電源、４・・・放電用誘導コイル、５・・・光学
窓、６・・・光源 特許出願人 住友電気工業株式会社 同 代理人 鎌 １） 文 − ス ベ″Ｌ−費セべへ〉 − り Ｏ １に材彊衾
Claims (2)
- （１）構成元素或いは成分の異なる２種類の薄膜を化学
気相成長法（ＣＶＤ法）により成長せしめて、基板上に
交互に、多層に積重ねる方法において、一方の薄膜をプ
ラズマＣＶＤ法によつて、他方の薄膜を光ＣＶＤ法によ
つて各々成長させると共に、それ等薄膜の原料ガスとし
て、相手側の薄膜の成長法に対しては、反応しないか又
は反応速度が大きく遅延するガスを用いることを特徴と
する多層薄膜の製造方法。 - （２）上記光ＣＶＤ法として、水銀増感法を用いること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の多層薄膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61057689A JPS62214619A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 多層薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61057689A JPS62214619A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 多層薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62214619A true JPS62214619A (ja) | 1987-09-21 |
Family
ID=13062912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61057689A Pending JPS62214619A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 多層薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62214619A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS632063A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632059A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS632065A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632060A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632061A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632064A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632062A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632066A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632057A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS632058A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS6364054A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体 |
| JPS64730A (en) * | 1987-02-12 | 1989-01-05 | Hideomi Koinuma | Formation of multilayer thin-film |
| US4933300A (en) * | 1987-02-12 | 1990-06-12 | Hideomi Koinuma | Process for forming multilayer thin film |
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1986
- 1986-03-14 JP JP61057689A patent/JPS62214619A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS632063A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632059A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS632065A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632060A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632061A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632064A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632062A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632066A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632057A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS632058A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS6364054A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体 |
| JPS64730A (en) * | 1987-02-12 | 1989-01-05 | Hideomi Koinuma | Formation of multilayer thin-film |
| US4933300A (en) * | 1987-02-12 | 1990-06-12 | Hideomi Koinuma | Process for forming multilayer thin film |
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