JPS632061A - 超薄膜積層構造を有する光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材
、特に改善された感光層を有する光受容部材、及び該光
受容部材を製造するのに適したプラズマＣＶＤ法による
堆積膜形成装置に関する。

〔従来技術の説明〕

従来、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材とし
ては、その光感度領域の整合性が他の種類の光受容部材
と比較して優れているのに加えて、ビッカース硬度が高
く、公害の問題が少ない等の点から、例えば特開昭５４
−８６３４１号公報や特開昭５６−８３７４６号公報に
みられるようなシリコン原子（Ｓｔ）を母体とする非晶
質材料、いわゆるアモルファスシリコン（以後、［ａ−
８ｉＪと表記する。）から成る光受容部材が注目されて
いる。

ところでこうした光受容部材は、支持体上に、ａ　−Ｓ
ｉ　、特に好ましくは水素原子（Ｈ）又は・・ロゲン原
子（Ｘ）の少なくともいずれか一方を含有するａ−３ｔ
（以後、［ａ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊと表記する。］で
構成され、光導電性を有する感光層を少なくとも有する
ものであシ、該ａ−３ｉ（Ｈ、Ｘ）で構成される感光層
の伝導性を制御するため、ａ　−Ｓ　ｉ　（Ｈ、Ｘ　）
に不純物をドーピングさせることが知られておυ、該不
純物として、半導体分野においていうところのｐ型不純
物である周期律表の第■族に属する原子（以後単に、「
第■族原子」と表記する。）又はｎ型不純物である周期
律表の第Ｖ族に属する原子（以後単に、「第Ｖ族原子」
と表記する。）が用いられている。

また、ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）が有するバンドギャップを調
整して光感度の最大吸収を短波長側又は長波長側に移行
させるため、いわゆるバンドギャップ調整剤を含有せし
めることも知られている。

例えば、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）に酸素原子（０）、炭素原
子（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の中から選ばれる少なくと
も一種を含有せしめた場合には、バンドギャップが拡大
し、光感度の最大吸収が短波長側に移行することが知ら
れている。また、ａ−８１（ＨＩＸ）にゲルマニウム原
子（Ｇｅ）又はスズ原子（Ｓｎ）の少なくともいずれか
一方を含有せしめた場合には、バンドギャップが減少し
、光感度の最大吸収は長波長側に移行する。

しかし−方、こうしたバンドギャップ調整剤を含有せし
めた場合には、禁制帯中に欠陥準位を作ってしまうとい
う問題があり、この欠陥準位の生起が、前述のａ　−Ｓ
　ｉ　（Ｈ、Ｘ　）への第■族原子又は第Ｖ族原子のド
ーピング効果を阻害し、これらの原子の満足のゆくドー
ピングが困難になるという問題がある。

この問題を解決するについて、ａ　　８１（ｔ（＋Ｘ）
へのドーピング処理のために供給する第■族原子または
第■族原子の量を多くすることが行なわれているものの
、この方法においても、供給されるそれらの原子は、全
量がドー・セントとして作用しないことから、それらの
原子の反応系への供給量を絶えず監視して調整しない限
り、かえって欠陥準位の生起をもたらすところとなって
しまうという問題が存在する。

以上のどと＜、＆−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される感光層
のバンドギャップを制御するためには、欠陥準位の生起
をもたらさぬようにバンドギャップ調整剤を添加する必
要のあるところ、現在では、こうした満足のゆくバンド
ギャップの制御を効率的に達成する為に、ａ−３ｔ　（
Ｈ、Ｘ）中に含有せしめる種々の原子の供給量を所望ど
おυに各々調整することは非常に困難でちゃ、バンドギ
ャップを自由に制御することは重大な課題とされている
。

また、上述の類の光受容部材の製造には、−般にプラズ
マＣＶＤ法による堆積膜形成装置が至適なものとして採
用されている。そして所望の光受容部材を製造するにあ
たっては、至適な成膜条件を設定し、その条件に従って
層形成操作が行なわれている。従って、従来のプラズマ
ＣＶＤ法による装置において、成膜条件の設定が容易で
、成膜操作の簡単な装置を提供することによｐ１所望の
特性を有する光受容部材を効率的に量産することを可能
にすることも重要な課題の一つである。

〔発明の目的〕

本発明は、ａ　　Ｓ　ｉ　（Ｈｒ　Ｘ　）で構成される
感光層に係る上述の問題を解決して所望機能を奏するも
のにした、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材
と、その効率的量産に適した装置を提供することを目的
とするものである。

即ち、本発明の主たる目的は、欠陥準位を有さずしてｐ
型不純物又はｎ型不純物が所望状態にドーピングされて
いるとともに、所望のバンドギャップを有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の他の目的は、残留電位の問題が殆んどなく、画
像欠陥の問題がなくして、改善された電気的耐圧性を有
する電子写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の別の目的は、前述の光受容部材の生産性を向上
せしめると共に、その効率的量産を可能にする改善され
たプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置を提供するこ
とにある。

〔発明の構成、効果〕

本発明者らは、従来のａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される
感光層を少なくとも有する電子写真用感光体等に用いら
れる光受容部材及びその製造装置について、前述の諸問
題を克服して上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ねた
結果、先ず前記光受容部材について、その感光層として
、核層を構成する原子の中、シリコン原子と該原子と異
なる種類の原子とが異なる比率で含有される２種類の超
薄膜が複数回積層された層領域を有するものを使用した
場合、感光層についての前述の諸問題を解決し、そのバ
ンドギャップを容易に制御しうるという知見を得た。

該知見について、第５（Ａ）、（Ｂ）図を用いて、以下
に詳しく説明する。

第１）、（Ｅ）図はエネルギーバンドの説明図であり、
図中、ＥＦはフェルミエネルギー、ＥＣは伝導帯端エネ
ルギー、Ｅｖは価電子帯端エネルギー、Ｅｇはバンドギ
ャップを表わしている。

第５（４）図は、バンドギャップの異なる二種の超薄膜
を積層した場合を説明する図である。

前述のごとく、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）膜に、窒素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を
含有せしめた場合には、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）膜の有する
バンドギャップが拡大されることが知られているが、例
えば、ａ−８ｉ（Ｈ。

Ｘ）で構成される超薄膜層と、酸素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有するａ
−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　Ｃ以後、ｒａ−８ｉ　（０，Ｃ，
Ｎ　）　（Ｈ，Ｘ）　Ｊと称呼する。〕で構成される超
薄膜層のように、バンドギャップの異なる超薄膜層を積
層すると、狭いバンドギャップを有する超薄膜層におい
て、量子効果により、図中破線で示すが如きサブバンド
が形成される。

該サブバンドは、伝導帯及び価電子帯の端部よりもエネ
ルギー的に高い位置に形成され、その結果、超薄膜層を
複数回積層した感光層のバンドギャップは、狭いバンド
ギャップを有する層のバンドギャップよりも広がること
となる。（なお図において、価電子帯側では、下側に向
かってエネルギーが高くなり、伝導帯側では、上側に同
かつてエネルギーが高くなるものとしている。） 第５（Ｂ）図は、ｐ型不純物を貧有するａ−８ｉ（Ｈ，
Ｘ）で構成される超薄膜層（以後「ｐ型超薄膜層」と称
する。）と、ｎｆｉ不純物を含有するａ−３ｉ　（Ｈ，
Ｘ）で構成される超薄膜層（以後「ｎ型超薄膜層」と称
する。）とを交互に積層した場合を説明する図である。

この場合には、伝導帯側では、ｐ型超薄膜層ではさまれ
たｎ型超薄膜層で、量子効果にょシ伝導奇瑞エネルギー
Ｅｃよりも高いエネルギー側にサブバンドが形成される
。また同様に、価電子帯側では、ｐ型超薄膜層において
価電子帯端エネルギーＥＶよりも高いエネルギー側に量
子効果によるサブバンドが形成される。それぞれのサブ
バンドは、伝導帯側ではｐ型超薄膜層へ、また価電子帯
側ではｎ型超薄膜層へしみたしが生じる。その結果、光
吸収は、伝導帯のサブバンドと、価電子帯のしみだした
サブバンドの間で生じるため、ｐ型超薄膜層とｎ型超薄
膜層とを積層した感光層のバンドギャップは、ｐ型不純
物を含有するａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）層及びｎ型不純物を含
有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）層の夫々個有のバンドギャッ
プよ９も狭くなるものである。

ところで、こうした超薄膜積層構造膜に、該層とは別の
機能を奏する膜を積層すると、例えばそれを電子写真感
光体に供する場合、前記超薄膜積層構造膜と該膜層に隣
接する別の膜層との界面に電荷輸送に対する障壁が生じ
、光照射後の残留電位が大きくなる等の問題がしばしば
生じる。

本発明者らはこうした背景にあって問題を解決すべく鋭
意研究全型ね、下達する知見を得た。

即ち、本発明者らは、形成する超薄膜積層構造物につい
て、その形成過程で構成超薄膜層の層厚を積層するにつ
れて変化（厚→薄又は薄→厚）させること、又は／及び
前記構成超薄膜層の少くとも一つの構成元素について、
その超薄膜層中での構成比を、核層に隣接する他の超薄
膜層中での前記構成元素の構成比に近づくようにするこ
とによって、第３（ａ）乃至（ｆ）図の模式図に示すご
ときエネルギーバンドが得られるように試みた。なお、
第３図において、縦軸は電子のエネルギーは、横軸は層
厚を示している。

図示においては、超薄膜積層構造の全体にわたってか、
或いは層界面についてか、或いはまた層界面の測成につ
いての変化を示している。

第３（ａ）図の場合は層厚について調整したものでちゃ
、第３（ｂ）図の場合は層の構成元素の構成比について
調整したものでちゃ、第３（ｃ）図は前記層厚（第３（
ａ）図）士前記構成比（第３（ｂ）図）について調整し
たものである。第３（ｄ）図の場合はドーパント（ｐ）
について調整したものであり、第３（ｅ）図の場合はド
ー・９ント（ｐ。

ｎ）について調整したものであシ、第３（ｆ）図の場合
は層界面での構成元素について調整（連続変化）したも
のである。

以上のように超薄膜積層構造にしたところ、該構造体は
、電流を流すと電荷の捕獲、再結合、蓄積を減少させる
ことがわがった。このことはとシもなおさずそれを電子
写真感光体に供する場合、残留電位の減少、そして光感
度の上昇をもたらすことを意味する。

本発明は、以上の知見に基いて完成するに至ったもので
あシ、下記の構成の光受容部材を提供するものである。

即ち、 （１）支持体上に非単結晶で構成される感光層が、構成
元素または構成元素比の異なる２種の超薄膜を複数回交
互に積層させた層領域（Ａ）と、単一の薄膜からなる層
領域（Ｂ）　を有し、層領域（Ａ）と層領域（Ｂ）の界
面近傍で、前記超薄膜の層厚が前記界面近傍以外の層領
域（Ａ）を構成する前記超薄膜の層厚よυ薄いことを特
徴とする超薄膜積層構造を有する光受容部材。

（２）支持体上に非単結晶で構成される感光層が少なく
とも１種の構成元素または構成元素比の異なる２種の超
薄膜を複数回交互に積層させた層領域（Ａ）と、単一の
薄膜からなる層領域（Ｂ）を有し層領域（Ａ）と層領域
（Ｂ）の界面近傍で前記２種の超薄膜の平均の構成元素
比が、前記界面近傍以外の層領域（Ａ）の前記２種の超
薄膜の平均の構成元素比と層領域（Ｂ）の構成元素比の
中間の値であることを特徴とする超薄膜積層構造を有す
る光受容部材。

以下、図示の実施例により本発明の内容をより詳しく説
明する。なお、光受容部材について図示する例は電子写
真用のものではあるが、本発明はこれにより限定される
ものではない。

第１（Ａ）乃至（Ｃ）図は、本発明の電子写真用光受容
部材の層構成の典型的な例を模式的に示した図である。

第１（Ａ）図に示す例は、最も簡単な層構成の例であっ
て、支持体１０１上に感光層１０２　’ｉ設けたもので
ある。

第１（Ｂ）図に示す例は、支持体１０１と感光層１０２
との間に電荷注入阻止層１０３を設けたものであり、第
１（Ｃ）図に示す例は、支持体１０１上に感光層１０２
及び表面層１０４ヲこの順に設けたものであり、第１（
Ｄ）図に示す例は、支持体１０１上に、電荷注入阻止層
１０３、感光層１０２及び表面層１０４ヲこの頭に設け
たものである。

第１（Ｅ）〜（Ｇ）図に図示する例は、いずれも長波長
吸収層１０５を設けた例を示すものであり、第１（Ｅ）
図には、長波長吸収層１０５　’ｅ支持体１０１と感光
層１０２の間に設けたものを、第１　ＣＦ）図には、支
持体１０１上に長波長吸収層１０５、電荷注入阻止層１
０３及び感光層をこの順に設けたものを、そして第１（
Ｇ）図には、支持体１０１上に長波長吸収層１０５、電
荷注入阻止層１０３、感光層１０２及び表面層１０４ヲ
この順に設けたものを各々示している。各図において、
該長波長吸収層１０５と電荷注入阻止層１０３の順序は
入れかえることが可能であシ、更に該長波長吸収層１０
５と電荷注入阻止層１０３の両方の機能を兼ねそなえた
一つの層とすることも可能である。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ。

ステンレス、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＡｕＸＮｂ、’ｌ’ａ
。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス為セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

ＡＬ　Ｃｒｓ　Ｍｏ、Ａｕｓ　　Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ
。

Ｔ１、Ｐｔ　ＸＰｄ　、　　Ｉｎ、０３、ＳｎＯ２、Ｉ
ＴＯ（Ｉｎ、Ｏ。

＋　５ｎＯｚ　）　　等から成る薄膜を設けることによ
って導電性を付与し、或いはポリエステルフィルム等の
合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　ＡｇｓＡｇｓ
　ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｎｔ、　ＡｕＸＣｒ５　Ｍｏ、　　
Ｉｒ）Ｎｂｓ　Ｔａｓ　Ｖ％　Ｔｌ、　Ｐｔ　　等ノ金
属Ｏ薄１］１１Ｘ空蒸着、電子ビーム蒸着、ス・母ツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性を付与する。支
持体の形状は無端ベルト状又は円筒状とし、その厚さは
、所望通シの光受容部材を形成しうる様に適宜決定する
が、光受容部材として可撓性が要求される場合には、支
持体としての機能が充分発揮される範囲内で可能な限シ
薄くすることができる。しかしながら、支持体の製造上
及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は、１０μ
以上とされる。

本発明の光受容部材の感光層１０２は、シリコン原子と
、シリコン原子とは異なる種類の原子とで構成される非
晶質材料で構成されており、該構成原子のうち、シリコ
ン原子と該原子とは異なる原子とが異なる比率で含有さ
れる２種の超薄膜が複数回交互に積層された超薄膜積層
構造を有しているものである。該「シリコン原子とは異
なる種類の原子」としては、第■族原子又は第Ｖ族原子
；酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少
なくとも一種；およびゲルマニウム原子又はスズ原子の
少なくともいずれか一方、からなる群から選ばれる少な
くとも一種が用いられる。そして、これらの「シリコン
原子とは異なる種類の原子」は、前記超薄膜の少なくと
も一方に含有されていればよいものである。即ち、具体
的には、感光層１０２として、例えばａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ
）で構成される超薄膜と＆−８ｌ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，
Ｘ）で構成される超薄膜とが交互に複数回積層された超
薄膜積層構造層、ａ　　３ｓ（Ｈ，Ｘ）で構成される超
薄膜とａ−３ｓＭ（Ｈ，Ｘ）で構成される超薄膜とが交
互に複数回積層された超薄膜構造層、ａ−８ｉ（０，Ｃ
。

Ｎ）（Ｈ，Ｘ）　　で構成される超薄膜とａ−８ｉＭ（
Ｈ，Ｘ）で構成される超薄膜とが交互に複数回積層され
た超薄膜積層構造層、ＩＬ　　Ｓ　ｉ　（Ｈ＊　Ｘ　）
で構成される超薄膜とａ−３ｉ　（Ｇｅ　ＸＳｎ　）　
（Ｈ。

Ｘ）で構成される超薄膜とが交互に複数回積層された超
薄膜積層構造層、ａ−３ｔ　（０、Ｃ、Ｎ）（Ｈ，Ｘ）
で構成された超薄膜とａ−８ｉ（Ｇｅ。

５ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成された超薄膜とが交互に積層さ
れた超薄膜積層構造層等を挙げることができる。（但し
、本発明の感光層はこれらの例により何ら限定されるも
のではない。）〔なお、「ａ−３ｉ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ
，Ｘ）Ｊは酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選
ばれる少なくとも−ｆｆｉｌ　ｋ含有するａ−８ｉ（Ｈ
，Ｘ）を、ｒａ−３ｉＭ（Ｈ，Ｘ）Ｊは第■族原子又は
第Ｖ族原子を含有するａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　ｋ、「ａ
−８ｉ　（Ｇｅ　、　Ｓｎ　）（Ｈ，Ｘ）Ｊはゲルマニ
ウム原子又はスズ原子の少なくともいずれか一方を含有
するａ−８ｔ（Ｈ。

Ｘ）を夫々表記するものとする。〕そして、こうした超
薄膜積層構造層を構成する各超薄膜の膜厚は、１０〜１
５０＾、好ましくは１０〜１００人、最適には１５〜８
０又とすることが望ましい。

感光層１０２中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）とし
ては、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げら
れ、特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることが
できる。そして感光層１０中に含有せしめる水素原子（
Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量、あるいは水素原
子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１
〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは５〜３０　ａ
ｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい。

また、感光層１０２中に含有せしめる第■族原子として
は、具体的には、Ｂ（硼素）、Ａｇ（アルミニウム）、
Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｅ（タリウ
ム）等を用いることができるが、特に好ましいものはＢ
、Ｇａ　　である。

また第Ｖ族原子としては、具体的には、Ｐ（燐）、Ａ８
（砒素）ζＳｂ　（アンチモン）、Ｂｉ　（ビスマス）
等を用いることができるが、特に好ましいものはＰＸＡ
ｓである。そして感光層１０２中に含有せしめる第■族
原子又は第Ｖ族原子の量は、ｌ　Ｘ　ＩＦ３〜Ｉ　Ｘ　
１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｒｎ　％好ましくは５×１０
′″”　〜５　Ｘ　１０”　ａｔｏｍｉ　ｃ　ｐｐｍ　
、最適にはｌ×１０°１〜２　Ｘ　１０２１０２ａｔｏ
　ｐｐｍとすることが望ましい。

更に感光Ｍ２Ｏ３中に含有せしめる酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の量は、０．００１〜５Ｑ　ａｔｏｍｉｃ
％、好ましくは０．００２〜４０’ａｔｏｍｌｃ％、最
適には０、００３〜３０　ａｔｏｍｉ　ｃ％　とするの
が望まシイ。

更にまた、感光層１０２中に含有せしめるゲルマニウム
原子又はスズ原子の量は、１〜６　Ｘ　１０’ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ　、好ましくは１０Ａ−３Ｘ　１０５ａｔ
ｏｒｒ＋４ｃｐＴ”’％最適にはＩ　Ｘ　１０”−２Ｘ
　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍとするのが望ましい。

また、本発明の光受容部材において、感光層の層厚は、
本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１つ
であって、光受容部材に所望の特性が与えられるように
、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要があ
り、通常は３〜１００μとするが、好ましくは５〜８０
μ、最適には７〜５０〃とする。

本発明の光受容部材において、支持体１０１と感光層１
０２の間に設けられる電荷注入阻止層１０３は、感光層
１０２が帯電処理を受けた際に支持体側から感光層１０
２中に電子が注入されることを阻止するために設けられ
る層であゃ、該電荷注入阻止層１０３は、ａ−８１，又
は多結晶シリコン（以後、［ｐｏｌｙ−８ｉ　　Ｊと呼
称する。）、あるいは両者を含むいわゆる非単結晶シリ
コン（以後、ｒ　Ｎｏｎ−８ｔ　Ｊと呼称する。）〔な
お、微結晶質シリコンと通称されるものはａ　−Ｓｉに
分類される。〕に、ｐ型不純物またはｎ型不純物及び／
又は酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる
少なくとも一種を含有せしめたもので構成されている。

ｐ型不純物である第■族原子又はｎ型不純物である第Ｖ
族原子としては、前述の感光層において用いられたもの
と同じものがそのまま用いられるが、電荷注入阻止層１
０２中に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量は
、比較的高濃度とする。即ち、３０〜５　Ｘ　１０’　
ａｔｏｒｎｉｃ　ｐｐｍ　。

好ましくは５０〜Ｉ　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
、最適にはＩ　Ｘ　ｌｏ２〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ　　とすることが望ましい。

また、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の甲から選ばれ
る少なくとも一種を含有せしめることにより、支持体と
の密着性を向上せしめる効果が奏される。そしてこれら
の原子を電荷注入阻止層１０２中に含有せしめる量は、
０．００１〜５０ａｔｏｍ１ｃ％、好ましくは０．００
２〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０
　ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい。

更に、本発明の光受容部材の電荷注入阻止層１０３の層
厚は、３００λ〜１０μ、好ましくは４００Ｘ〜８μ、
最適には５００＾〜５μとするのが望ましい。

ところで、本発明における電荷注入阻止層１０３は、前
述のごとく第■族原子又は第Ｖ族原子及び／又は酸素原
子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも
一種を含有するＮｏｎ　−ＳＬ　（Ｈ，Ｘ）　（以後、
「Ｎｏｎ　−ＳｉＭ（０。

Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）と表記する。〕、即ち、ａ−ＳｉＭ
（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）又はｐｏｌｙ−ＳｉＭ（０、
Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）あるいは両者の混合物で構成される
ものであるが、ｐ　ｏ　１　ｙ　　Ｓ　ｉ　（Ｏｒ　Ｃ
？　Ｎ　）（Ｈ、Ｘ）で構成される層を形成するについ
ては種々の方法があシ、・例えば次のような方法があげ
られる。

その１つの方法は、基体温度を高温、具体的には４００
〜４５０℃に設定し、該基体上にプラズマＣＶＤ法によ
り膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、基本表面に先ずアモルファス状の膜を形成
、即ち、基体温度を約２５０°Ｃにした基体上にプラズ
マＣＶＤ法によυ膜を形成し、該アモルファス状の膜を
アニーリング処理することにより　ｐｏｌｙ化する方法
である。該アニーリング処理は、基体ヲ４００〜４５０
°Ｃに約２０分間加熱するか、あるいは、レーザー光を
約２０分間照射することにより行なわれる。

本発明の光受容部材の感光層１０３上には、表面層１０
４が設けられる。該表面層は、酸素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有するａ
−ｓｌ（Ｈ，Ｘ）（以後、ｒ　ａ−３ｉ　（０，Ｃ，Ｎ
）（Ｈ，Ｘ）ｊ　　と表記する。〕又は窒素原子及び硼
素原子を母体とする非晶質材料〔以後、「＆−ＢＮ（Ｈ
，Ｘ）Ｊ　と表記する。〕、あるいは、炭素原子を母体
とする非晶質材料〔以後、「ａ−Ｃ（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記
する。〕で構成される。

本発明の光受容部材に表面層１０４　’ｉ設ける目的は
、耐湿性、連続縁シ返し使用特性、電気的耐圧性、使用
環境特性、および耐久性＠、を向上せしめることにある
。

特に、表面層としてａ−Ｓｉ（０，Ｃ，Ｎ）（ＨＩＸ）
で構成される層を用いた場合には、表面層と感光層を構
成するアモルファス材料の各々が、シリコン原子という
共通した構成原子を有しているので、表面層１０４と感
光層１０３との界面において化学的安定性が確保できる
。

こうしたａ−８ｉ　（０、Ｃ、Ｎ）　（Ｈ、Ｘ）で構成
される表面層とする場合、表面層中に含有せしめる酸素
原子、炭素原子又は窒素原子の量の増加に伴って、前述
の緒特性は向上するが、多すぎると膜品質が低下し、電
気的および機棹的特性も低下する。こうしたことから、
これらの原子の量は、０．００１〜９０　ａｔｏｍｉｃ
％、好ましくはｌ＝　９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には
１０〜８０　ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい。

また、本発明の光受容部材において、表面層１０４の層
厚も本発明の目的を効率的に達成するために重要な要因
の１つであシ、所望の目的に応じて適宜決定されるもの
であるが、表面層に含有せしめる構成原子の量、ちるい
は表面層に要求される特性に応じて相互的かつ有機的関
連性の下に決定する必要がある。更に生産性や量産性も
加味した経済性の点においても考慮する必要もある。こ
うしたことから、本発明の光受容部材の表面層の層厚は
、３ＸＩＯ−３〜３０μ、より好ましくは４　Ｘ　１０
−３〜２０μ、特に好ましくは５　Ｘ　１０−”〜１０
μ　とする。

本発明の光受容部材における長波長吸収層１０５は、支
持体上、あるいは電荷注入阻止層１０３上に設けられる
ものであって、ゲルマニウム原子（Ｇｅ　）又はスズ原
子（Ｓｎ）の少なくとも一方を含有するＮｏｎ　　Ｓｉ
　（Ｈ、Ｘ）　（以後、Ｎ０ｎ−Ｓｔ　（Ｇｅ　、　Ｓ
ｎ　）　（Ｈ，Ｘ）　　と表記する。〕で構成されてい
る。該長波長吸収層１０５は、ゲルマニウム原子又はス
ズ原子の少なくとも一方を含有せしめることにより、半
導体レーザー等の長波長光源を用いた場合において、感
光層１０２では殆んど吸収しきれない長波長側の光を、
核層１０５で実質的に完全に吸収することができるよう
になり、このことにより、支持体１０１表面からの反射
によって生ずる干渉を防止することができるものである
。長波長側の光を吸収するために核層１０５に含有せし
めるゲ”ルマニウム原子又はスズ原子の量は、１〜９．
５ＸＩＯ’ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ。

好ましくはＩ　Ｘ　１０２〜９　Ｘ　１０５１０５ａｔ
ｏ　ｐｐｍ　、最適には５　Ｘ　ｌｏ”〜８　Ｘ　１０
’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　　とするのが望ましい。

また、該長波長吸収４１０５　ｉ電荷注入阻止層として
の機能を兼ねそなえた層とする場合にあっては、ゲルマ
ニウム原子又はスズ原子と、第■族原子又は第Ｖ族原子
と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる
少なくとも一種とを含有するＮｏｎ　−Ｓｔ　（Ｈ，Ｘ
、）　　で構成される層とすればよい。

次に、本発明の超薄膜積層構造層を有する光受容部材を
製造するのに適した、プラズマＣＶＤ法による堆積膜形
成装置について、因習により詳しく説明するが、本発明
はこれらによって限定されるものではない。

第２図は、本発明のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成
装置の典型例を模式的に示す図であって、第２（Ａ）図
は装置全体の縦断面略図、第２（Ｂ）図は装置全体の横
断面略図である。

第２図において、２０１は、表面にシリコン原子を母体
とするアモルファス膜を形成するための、アルミニウム
製支持体ドラムである。（以下、単に「ト°ラム」と称
す。）ドラム２０１は回転駆動機構２０２によって中心
軸を軸として回転するようになっておシ、ドラム２０１
の内部には、加熱用ヒーター２０３を配置する。該加熱
用ヒーター２０３は、成膜前にドラムを所定温度に加熱
したシ、成膜中にドラムを所定温度に保持したシ、ある
いは成膜後にアニール処理するのに用いる。

２０４ハ、カソード電極でちゃ、アノード電極であるド
ラム２０１と同軸型の対向電極をなしている０２０５は
高周波電源で、カソード電極２０４に高周波電力を供給
し、アースされているアノード電極であるドラム２０１
との間で放電を生起せしめるものである。２０６　、２
０７は碍子であシ、アノード電極２０１とカソード電極
２０４を絶縁している。

カソード電極２０４と碍子２０６　、２０７で形成され
る気密性反応室内は、排気パルプ２０９　、２１０を介
して排気装置２０８により排気される。２１１．２１２
は排気パルプ２０９　、２１０の直前に設けられた真空
計である。

ドラム２０１を配置した成膜空間には、ガス導入制御の
ための電磁弁２１３　、２１４をそれぞれ介して、多数
の原料ガス噴出孔を有する原料ガス供給管２１５　、２
１６により、原料ガスが供給されるようにされており、
該原料ガス供給管２１５゜２１６の他端は、原料ガスボ
ンベ２１７〜２２５．２２７〜２３５に連通している。

原料ガス′ボンベ２１７〜２２５　、２２７〜２３５に
は夫々原料ガスが密封されてお９、例えばガスボンベ２
１７　、２２７にはＳｉＨ４ガス、ガスボンベ２１８　
、２２８にはＨ２ガス、ガスボンベ２１９　、２２９に
ハＣＨ，ガス、ガスボンベ２２０　、２３０にはＧｅＨ
，がス、ガスボンベ２２１ｔ２３１にはＮ２ボンベ、ガ
スボンベ２２２　、２３２にはＮｏガス、ガスボンベ２
２３　、２３３には８２Ｈ，ガス、ガスボンベ２２４　
、２３４にはＰＨ，ガス、ガスボンベ２２５　、２３５
にはＳｉＦ４ガスが夫々密封されている。ガスボンベ２
１７〜２２５　、２２７〜２３５には夫々パルプ２１７
ａ　〜２２５ａ　、　２２７ａ　〜２３５ａが設けられ
ており、ガス圧力レギュレーター２１７ｂ〜２２５ｂ　
、　２２７ｂ　〜２３５ｂ　、流入パルプ２１７ｃ〜２
２５ｃ　、　２２７ｃ〜２３５ｃ　　、　マスフロコン
トａ−ラ−２１７ｄ〜２２５ｄ　、　２２７ｄ〜２３５
ｄ　１及び流出パルプ２１７ｅ〜２２５ｅ　、　２２７
ｅ〜２３５ｅを介して夫々原料ガス供給管２１５　、２
１６に原料ガスを供給するようにされている。

高周波を源２０５、マスフローコントローラー２１７ｄ
へ２２５ｄ　、　２２７ｄ〜２３５ｄ　、ガス流入パル
プ２１７ｅ〜２２５ｅ　、　２２７ｅ〜２３５ｅ　、電
磁弁２１３゜２１４、排気パルプ２０９　、２１０　ハ
マイクロコンピューター（不図示）に接続され、ガス流
量、ガスの流入の制御、反応室内のガスの排気、及びＲ
Ｆｔ界の印加は、マイクロコンピュータ−に入力されて
いる所定のグログラムで制御できるようになっている。

かくなる構成の本発明のプラズマＣＶＤ装置の操作につ
いて、その概略を以下に記載する。

ガスポンベ２１７〜２２５　、２２７〜２３５のパルプ
２１７ａ〜２２５ａ　、　２２７ａ〜２３５ａが閉じ、
さらに流入パルプ２１７ｃ〜２２５ｃ　、　２２７ｃ〜
２３５ｃ及び流出パルプ２１７ｅ　〜２２５ｅ　、　２
２７ａ　〜２３５ｅが開き、排気パルプ２１０ヲ開いて
反応室及び各原料ガス供給用配管内をターボ分子ポング
２１２により真空排気し、真空度が約５　Ｘ　１０−’
　ｔｏｒｒ　　になった時点で流出パルプ２１７ｅ〜２
２５ｅ　、　２２７ｅ〜２３５ｅを閉じる。

次にドラム２０１　’ｅ加熱ヒーター２０３で５０〜４
００℃の所定温度になるまで加熱する。

続いて、ガスボンベ２１７　、２２７よりＳ　ｉ　Ｈ４
ガス、同２１８　、２２７よりＨ，ガス、同２１９　、
２２９よ、９ＣＨ４ガス、同２２０　、２３０よ、ｐＧ
ｅＨ４ガス、同２２１　、２３１よりＮｔガス、同２２
２　、２３２よりＮ。

ガス、同２２３　、２３３よりｕｚガスで３０００ｐｐ
ｍに希釈されたＢｔＨａガス（以下ｒ　Ｂ！Ｈ６／Ｈ！
ガス」と表記する。）、同２２４，２３４より、Ｈ，ガ
スで３０００ｐｐｍに希釈されたＰＨ，ガス（以下ｒ　
ＰＨ５／Ｈ，ガス」と表記する。）、同２２５　、２３
５よりＳ　ｉ　Ｆ４ガスを、各々パルプ２１７ａ〜２２
５ａ　、　２２７ａ〜２３５ａを開き、圧力レギュレー
タ２１７ｂ〜２２５ｂ　、　２２７ｂ〜２３５ｂにより
２にり／ｃ！ＩＬ　　に調整した後、流入パルプ２１７
ｃ　〜２２５ｃ　、　２２７ｃ〜２３５Ｃを徐々に開い
てマスフａ−コントローラー２１７ｄ〜２２５ｄ　。

２２７ｄ〜２３５ｄ内に夫々流入させる。引きつづき、
膜の形成に必要な原料ガスの流出パルプを徐々に開けて
、ドラム２０１とカソード電極２０４の間に形成された
領域に、原料ガス導入管２１５゜２１６より流入させる
。このとき、各領域における原料ガスの流量が所定の値
になるようにマスフロ！コントローラー２１７ｄ＾２２
５ｄ　、　２２７ｄん２３５ｄ　　を設定する。真空計
２１１の値が所望の値になるよう排気パルプ２０９の開
口をマイクロコンピュータ−からの出力により調整する
。そして、ドラム２０１の温度が所定の温度に設定され
ていることを確認し、ドラムを回転させた後、高周波電
源２０５によりカソード電極２０４に高周波電力を供給
し、ドラム２０１とカソード電極２０４との間にグミ−
放電を生起せしめ、グラズマ状態を形成する。

ヒーター２０３によ９５０〜４００℃の所定の温度に加
熱されたドラム２０１の表面導入ガスの種類及び流量を
マイクロコンピュータ−により制御しながら、原料ガス
を反応室内に流入する。圧力調整を行ないつつ、所定の
時間ＲＦ電界を印加し、電界を切る。ガ′スの排気を異
なる組成のガスで行なうことにより、ドラム表面にＡ層
とＢ層とが交互に積層される。

Ａ層及びＢ層の層厚は、各単層の成膜時間、流入ガスの
流量、あるいはＲＦ電源パワーを制御することにより、
所望の値のものが得られる。

ドラム表面に形成された超薄膜構造の膜厚が所定の値に
なったところで高周波電源を止めて放電を中止し、流出
パルプ２１７ｅ　〜２２５ｅ　、　２２７ｅ〜２３５ｅ
　　を閉じる。

以上の操作により超薄膜積層構造層の形成を行なうが、
超薄膜積層構造層以外の層を形成するには、電源のオン
オフ、ガスの流入、排出をくフかえさず、同じ混合比の
混合ガスを必要な流量だけ流入して所定の時間ＲＦ電界
を印加し、上述と同様の操作を行なえばよい。この際、
夫々の層を形成する際に必要な原料ガスの流出パルプ以
外の流出パルプを全て閉じることはいうまでもなく、ま
た、夫々の層を形成する際、前層の形成に使用した原料
ガスが反応室内、及び流出パルプから反応室内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出パルプを
閉じて、排気パルプ２０９　、２１０　’ｅ全全開して
系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行なう
０ 第２（Ａ）図の堆積膜形成装置を用いて、超薄膜積層構
造を、気体状原料ガスと、該気体状原料ガスを酸化する
気体状Ｉ・ロゲン系酸化剤との酸化反応によって形成す
るには、気体状原料ガスとハロゲン系酸化剤とを別々の
ガス導入管で堆積層２０４へ導入し、堆積室内で酸化反
応させる。

その場合気体状原料ガスの流量をマイクロコンピュータ
−により制御して構成原子比の異なる超薄膜を所望の回
数堆積させ、超薄膜積層構造を得る。

この場合気体状原料ガスとしては、水素化ケイ素化合物
、水素化ゲルマニウム化合物、水素化スズ化合物、水素
化炭素化合物等が使用できる０ ハロゲン系酸化剤としてはＦ２、Ｃ１１ｔ、Ｂｒ２、Ｆ
Ｃ６等のハロゲンガスが使用できる。

気体状原料ガスに酸素含有化合物、■、Ｖ族化合物等を
添加しても良い。

〔実施例〕

以下、実施例１〜８により本発明についてより詳細に説
明するが、本発明はこれらにより限定されるものではな
い。

実施例１ 第２図に示した製造装置を用いて、シリンダニ状Ａ７！
’基体表面に、第１表に示す層形成条件で層形成を行な
い、第１図に示す層構成の電子写真用光受容部材を得た
。

層形成操作において、第２層形成の終りの１０周期目に
あって核層の超薄膜構造の層（Ａ層）の形成の際、６ｏ
ＳＣＣＭずつＣＨ４を増加させ、またＨ２　ｋ　４　Ｓ
ＣＣＭずつ減少させて成膜を行った。

得られた光受容部材を、帯電露光実験装置に設置して、
■５．ＯＫＶ　　で０．３秒間コロナ帯電を行ない、直
ちに光像を照射した。光像の照射はタングステンランプ
巻源を用い、０，７１ｕｘ−ｓｅｃの光量を透過型のテ
ストチャートを通して行なった。

その後直ちにｅ荷電性の現像剤で該光受容部材表面全カ
スケード９現像することにより、該光受容部材表面上に
良好なトナー画像を得た。次いで該トナー画像を■５．
ＯＫＶ　　のコロナ帯電で転写紙上に転写したところ、
いずれも、解像力に優れ、階調再現性の良好な、鮮明な
高濃度の画像が得られた。

また、残留電位及び光感度についてテストしたところ、
上述のように、Ａ層について構成元素の調整を行わない
で得た電子写真用光受容部材に比べ、残留電位は１５％
減少し、光感度は１０％向上することがわかった。

実施例２ 実施例１において使用したと同様の１シリンダを基体に
使用し、該基体の表面上に、実施例１におけると同様に
して電子写真用光受容部材を作成した。

なお、本例においては、第２層についてのはじめの２０
層では、Ｂ層形成用のガスの中、ＣＨ４は３０ＳＣＣＭ
　　の割合で増加させ、またＨ２は４０ＳＣＣＭから２
８ＣＣＭずつ減少させた。

得られた光受容部材について実施例１におけると同様に
画像テストしたところ好ましい画像が得られた。

また、該光受容部材は、実施例１において得たものに比
較して残留電位は更に減少し、光感度は更に７％向上し
たものであった。

実施例３ 層形成条件を第２表に示す粂件とした以外は、実施例１
におけると同様に操作して、電子写真用光受容部材を作
成した。

なお、第２層の終シの１０層においては、超薄膜構造の
各周期が前の周期の８０％になるように成膜時の膜厚を
調整し、該膜厚の調整は成膜時間で行なった。

得られた夫々の光受容部材を用いて、実施例１と同様に
して画像形成を行なったところ、解像力に優れ、階調再
現性の良好な、鮮明な高濃度の画像が得られた。

また、残留電位及び光感度について、第２層の終りの１
０層について周期調整を行うことなくして作成した光受
容部材に対比してテストしたところ、本例で作成したも
のは残留電位は１０％減少し、光感度は１５％向上する
ことがわか実施例４ 層形成条件を第３表に示す条件とした以外はすべて実施
例１と同様にして、電子写真用光受容部材を得た。

第２層の終り１０周期においては、超薄膜構造の各周期
が前の周期の８０％になるよう、成膜時間を調整し、ま
たＢ層のＡｒで希釈したＱｅＦ４　（Ｇｅ　Ｆ４／　Ａ
ｒ　＝　１　／　１０　）の流量’ｅ　Ｉ　ＳＣＣＭず
つ減少させた。

得られた電子写真用光受容部材を用いて、実施例１と同
様にして画像形成を行なったところ、解像力に優れ、階
調再現性の良好な、鮮明な高濃度の画像が得られた。

第２層の終９１０周期での周期補正、あるいは構成元素
補正を行なわなかった試料との残留電位、光感度の違い
は第４表に示す。あわせて実施例５の試料の結果も示す
。

実施例５ 第２層の終シ１００周期における超薄膜積層膜を作成す
る際、Ｂ層形成時のＧｅＦ、のｉｔを変化させて、５１
（Ａ成分）およびＧｅ　（Ｂ成分）が第４図に示すよう
に変化させること以外は実施例４と同様にして電子写真
用光受容部材を作成した。

得られた夫々の光受容部材を用いて、実施例１と同様に
して画像形成を行なったところ、解像力に優れ、階調再
現性の良好な、鮮明な高濃度の画像が得られた。

また、該光受容部材についての残留電位及び光感度の測
定結果は、第４表に示すとおりであった。なお、第４表
には、実施例４で作成した光受容部材についての測定結
果を併せて示した。

第　　　４　　　表 （なお、表中の数値は、周期補正及び構成元素の補正が
共にない光受容部材を１としたときの相対値である） 実施例６ 第２（Ａ）図に示す装置のドラムシリンダ２０１の上側
にＡｌｌ、Ｏｓの窓をとりつけ、その窓の上に円形の導
波管をとシつけた。円形の導波管には２．４５ＧＨｚ　
　のマイクａ波電源がとりつけられ、反応室内にマイク
ロ波の電界が印加され、ガスを流すことにより、グラズ
マが発生される。なお、この場合ＲＦ電源２０５はとり
除かれている。

第５表の条件で電子写真用光受容部材を作成した。その
際、このとき第２層のＰ、５１０周期において、Ａ層に
６０　ＳＣＣＭずつＣＨ，全増加させ、またＨｔ　ｋ　
４　ＳＣＣＭずつ減少させ超薄膜構造膜全作成した。

得られた光受容部材を、帯電露光実験装置に設置して、
（ｉ３ｓ、ｏＫｖ　　で０．３秒間コロナ帯電を行ない
、直ちに光像を照射した。光像の照射はタングステンラ
ング光源を用い、０１７　ｌｕｘ・ｓ＠ｃの光ｉを透過
型のテストチャートを通して行なった。

その後直ちにｅ荷電性の現像剤で該光受容部材表面をカ
スケード現像することにより、該光受容部材表面上に良
好なトナー画像を得た。次いで該トナー画像を■５．Ｏ
ＫＶのコロナ帯電で転写紙上に転写したところ、いずれ
も、解像力に優れ、階調再現性の良好な、鮮明な高濃度
の画像が得られた。

第２層の終９１０周期でのＡ層の構成元素の調整を行わ
ないで作成した電子写真用光受容部材に比べ、残留電位
が１０％減少し、また光感度は５％向上した。

実施例７ 第２（Ａ）図に示す装置の原料ガス供給管２１５及び２
１６とガス制御パルプ２１３及び２１４との間にそれぞ
れ石英の反応管をとりつけ、その外側にマイクロ波が印
力口できるように導波管をとシつけた。導波管には２．
４５ＧＨｚ　　のマイクロ波電源がと９つけられ、石英
の反応管にマイクロ波電界が印力口され、石英の反応管
中にガスを流すことにより、プラズマが発生され、プラ
ズマで発白されたラジカルが反応室内に導入されてドラ
ムシリンダー上に成膜が行われる。このときＲＦ電源２
０５はとりはられれている。

また原料ガス供給管２１５　、２１６の構造は、ラジカ
ルの供給に適した構造になおした。また原料がス供給管
２１５　、２１６の配置は２つのガス供給管２１５　、
２１６より吹き出したラジカルが、ドラムシリンダー上
であわさるような配置においた。上記のように改造した
装置を用い第６表の条件で電子写真用光受容部材を得た
。

第２層の終り１０周期においては、超薄膜構造の各周期
が前の周期の８０％になるよう、成膜時間を調整し、ま
たＢ層のＡｒで金沢したＧｅＦ４　（ＧｅＦ４　／　Ａ
ｒ　＝　１／１０　）の流量ｅ　Ｉ　ＳＣＣＭずつ減少
させた。

得られた電子写真用光受容部材を用いて、実施例１と同
様にして画像形成を行なったところ、解像力に優れ、階
調再現性の良好な、鮮明な高濃度の画像、が得られた。

第２層の終りｌＯ同周期の周期補正及び構成元素補正を
行なわなかった試料に比べ、残留電位は２５％小さく、
また光感度は２倍になっていた。

実施例８ 実施例７に用いた装置を用い、但し、マイクａ波の電界
は印加しないで、第７表に示す条件で成膜したところ、
第１図に示す構成の電子写真用光受容部材を得た。第２
層の終５１０周期においては超薄膜構造の各周期が前の
周期の８０％になるように成膜時間を調整した。

得られた電子写真用光受容部材を用いて、実施例１と同
様にして画像形成を行なったところ、解像力に優れ、階
調再現性の良好な、鮮明な高濃度の画像が得られた。

第２層の終り１０周期での周期補正を行なわなかった試
料に比べ、残留電位は１０％小さく、また光感度は１．
５倍になっていた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材の層構成の典型的な例を
模式的に示した図である。第２図は、本発明の光受容部
材を製造するための装置の典型的実施例を模式的に示す
図であ、Ｄ、（Ａ）図は横断面略図、（Ｂ）図は縦断面
略図である。第３図は、超薄膜積層構造層におけるエネ
ルギーバンドの模式的説明図である。第４図は、超薄膜
積層構造層の構成元素の分布の説明図である。 第５図は、感光層のエネルギーの模式的説明図である。 第１図について、 １０１・・・支持体、１０２・・・電荷注入阻止層、１
０３・・・感光層、１０４・・・表面層、１０５・・・
長波長吸収層を兼ねた電荷注入阻止層、１０６・・・長
波長吸収層第２図について、 ２０１・・・ドラム、２０２・・・回転機構、２０３・
・・加熱用ヒーター、２０４・・・カソード電極、２０
５・・・高周波電源、２０６　、２０７・・・碍子、２
０８　、２１２・・・排気装ｆｆ１ｔ、　２０９　、２
１０・・・排気パルプ、２１１・・・真空計、２１３　
、２１４・・・パルプ、２１５　、２１６・・・原料ガ
ス供給管、２１７〜２２５　、２２７〜２３５・・・原
料ガスボンベ、２１７ａ　〜２２５ａ　、　２２７ａ　
〜２３５ａ　・・・パルプ、２１７ｂ〜２２５ｂ　、　
２２７ｂ〜２３５ｂ・・・ガス圧力レギュレター、２１
７ｃ〜２２５ｃ　、　２２７ｅ〜２３５ｃ・・・流入パ
ルプ、２１７ｄ〜２２５ｄ　、　２２７ｄ〜２３５ｄ・
・・マスフロコントローラー、２１７ｅ〜２２５ｅ　、
　２２７ｅ〜２３５ｅ・・・流出パルプ、２３６　、２
３７・・・排気口第２（Ｂ）図 ＝７０８− 第３図 伝導帯端 （ａ） 価電子帯端 （ｂ） 価電子帯端 （ｃ） 価電子帯端 第３図 （ｄ） 価電子ｆ端 （ｅ） （ｆ） 価電子１Ｅ端 第５図 伝導帯 伝導帯 個電子帯 手　　続　　補　　正　　書　（方式）％式％ ２、発明の名称 超薄膜積層構造を有する光受容部材 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　　
（１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住所　　東京都千代田区訪町３丁目１２番地６チ町グリ
ーンビル 電話　（２６１）９８３６ 自　　　発 ６、補正の対象　　　明細書及び図面 ７．補正の内容 願書に最初に添付した明細書及び図面の浄書別紙のとお
り（内容に変更なし） 以　　上

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に形成された非単結晶で構成される感光
   層を有し、該感光層が、構成原子または構成原子比の異
   なる二種の超薄膜を複数回交互に積層させた層領域（Ａ
   ）と、単一の薄膜からなる層領域（Ｂ）を有していて、
   層領域（Ａ）と層領域（Ｂ）の界面近傍で、前記超薄膜
   の層厚が前記界面近傍以外の層領域（Ａ）を構成する前
   記超薄膜の層厚より薄いことを特徴とする超薄膜積層構
   造を有する光受容部材。
2. （２）前記の界面近傍の層領域（Ａ）を構成する超薄膜
   の層厚が、前記層領域（Ｂ）に向つて次第に薄くなるよ
   うに形成されたものである、特許請求の範囲第（１）項
   に記載された光受容部材。
3. （３）支持体上に形成された非単結晶で構成される感光
   層を有し、該感光層が少くとも一種の構成原子または構
   成原子比の異なる二種の超薄膜を複数回交互に積層させ
   た層領域（Ａ）と、単一の薄膜からなる層領域（Ｂ）を
   有していて、層領域（Ａ）と層領域（Ｂ）の界面近傍で
   、前記二種の超薄膜の平均の層構成比が、前記の界面近
   傍以外の層領域（Ａ）の前記二種の超薄膜の平均原子構
   成比と層領域（Ｂ）の構成原子比の中間の値であること
   を特徴とする超薄膜積層構造を有する光受容部材。
4. （４）前記の界面近傍で、前記層領域（Ａ）の二種の超
   薄膜の平均の構成原子比が層領域（Ａ）から層領域（Ｂ
   ）に向つて層領域（Ｂ）の構成原子比に次第に近づくよ
   うに変化している特許請求の範囲第（３）項に記載され
   た光受容部材。