JPS632057A

JPS632057A - 超薄膜積層構造層を有する光受容部材

Info

Publication number: JPS632057A
Application number: JP61146357A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Ishihara; 俊一石原; Keishi Saito; 恵志斉藤; Kozo Arao; 荒尾　浩三
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-06-23
Filing date: 1986-06-23
Publication date: 1988-01-07
Anticipated expiration: 2011-08-28
Also published as: JP2528280B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材
、特に改善された電荷注入阻止層を有する光受容部材に
関する。

〔従来技術の説明〕

従来、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材とし
ては、その光感度領域の整合性が他の種類の光受容部材
と比べて優れているのに加えて、ビッカース硬度が高く
、公害の問題が少ない等の点から、例えば特開昭５４−
８６３４１号公報や特開昭５６−８３７４６号公報にみ
られるようなシリコン原子を母体とする非晶質材料、い
わゆるアモルファスシリコン（以後、「ａ−ｓ　ｔ　」
と表記する。）から成る光受容部材が注目されている。

ところでこうした光受容部材は、支持体上にａ−８ｉで
構成される感光層を有するものであるところ、該感光層
が帯電処理を受けた際に、支持体側から感光層中に電子
が注入されるのを阻止する目的で支持体と感光層との間
に電荷注入阻止層を設けることが知られている。そして
、該電荷注入阻止層について、ａ−８ｉ、多結晶質シリ
コン（以後、ｒｐｏｎｙ　ｓＪと表記する）又は両者を
含むいわゆる非単結晶シリコン（以後、ＶＮｏｎ−８ｉ
Ｊと呼称する〔尚、微結晶質シリコンと通称されるもの
は、ａ−８ｉに分類される。〕に、ｐ型不純物またはｎ
型不純物のドーピングされたものを使用することが提案
されている。

ところが、ｐ型不純物またはｎ型不純物をドーピングさ
せたＮｏｎ−３ｉ膜は、機能的には満足はされるものの
、支持体との密着性が悪く、支持体から剥離し易いとい
う問題を有し、その膜がｐｏｆｉｙ−８ｉである場合に
はその問題はさらに顕著である。

この問題を解決する策として、ｐ型不純物又はｎ型不純
物“をドーピングさせ九Ｎｏ　ｎ−８ｉ　Ｗｌ　Ｋ　。

更に酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中の一種または
それ以上を含有せしめることが提案されている。

しかしながら、この方法によってみても依然問題が存在
する。即ち、この方法によれば、支持体と前記膜との密
着性が向上し、そして前記膜のバンドギャップが拡大さ
れるという効果が期待できはするものの、禁制帯中に欠
陥準位を作ってしまう問題がある。この欠陥準位の生起
は、Ｎｏｎ−８ｉ膜に、ｎ型半導体またはｎ型半導体に
するためのｐ型不純物またはｎ型不純物のドーピングを
阻害するため、それら不純物の満足のゆくドーピングが
困難になるという問題がある。

そしてこの問題を解決するについて、Ｎｏｎ　−８ｉ　
膜中へのドーピング処理のために供給するｐ型不純物ま
たはｎ型不純物の量を多くすることが行われている。し
かし、この方法においても、供給されるそれら不純物は
、全量がドーパントとして作用しないことから、それら
不純物の反応系への供給量を絶えず監視して調節しない
かぎシ、欠陥準位の生起をもたらすところとなってしま
うという問題が存在する。

〔発明の目的〕

本発明は、構成層の中の電荷注入阻止層に係る上述の問
題を解決して所望機能を奏するものにした改善された多
層構成の、電子写真用の感光体等に用いられる、光受容
部材を提供することを主たる目的とするものである。

本発明の他の目的は、欠陥準位を有さずしてｎ型不純物
又はｐ型不純物が所望状態にドーピングされていて改善
された電荷注入阻止機能を奏する電荷注入阻止層を有す
る受受容部材を提供することＫある。

本発明の更に他の目的は、残留電位の問題がほとんどな
く、画像欠陥の問題がなくして、改善された電気的耐圧
性を有する電子写真用光受容部材を提供することＫある
。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の、電荷注入阻止層を有する雪止写
真用感光体等に用いられる光受容部材及びその製造装置
について、前述の諸問題を解決して上述の本発明の目的
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、先づ前記光受容部
材について、その電荷注入阻止層として、構成原子の一
部が少くとも２種の超薄膜層を成して多数回積層されて
なるもので構成されたものを使用した場合電荷注入阻止
層についての前述の諸問題を解決できる知見を得た。

ところで、こうした超薄膜積層構造膜に、該層とは別の
機能を奏する膜を積層すると、例えばそれを電子写真感
光体に供する場合、前記超薄膜積層構造膜と該膜層に隣
接する別の膜層との界面に電荷輸送に対する障壁が生じ
、光照射後の残留電位が大きくなる等の問題がしばしば
生じる。

本発明者らはこうした背景にあって問題を解決すべく鋭
意研究を重ね、下達する知見を得た。

即ち、本発明者らは、形成する超薄膜積層構造物につい
て、その形成過程で構成超薄膜層の層厚を積層するＫつ
れて変化（厚→薄又は薄→厚）させること、又は／及び
前記構成超薄膜層の少くとも一つの構成元素について、
その超薄膜層中での構成比を、核層に隣接する他の超薄
膜層中での前記構成元素の構成比に近づくようにするこ
とによって、第３（ａ）乃至（ｆ）図の模式図に示すご
ときエネルギーバンドが得られるように試みた。なお、
第３図において、縦軸は電子のエネルギー、横軸は層厚
を示している。

図示においては、超薄膜積層構造の全体にわたってか、
或いは層界面についてか、或いはまた層界面の領域につ
いての変化を示している。

第３（ａ）図の場合は層厚について調整したものであり
、第３（ｂ）図の場合は層の構成元素の構成比について
調整したものであり、第３（ｃ）図は前記層厚（第３（
ａ）図）十前記構成比（第３（ｂ）図）について調整し
たものである。第３（ｄ）図の場合はドーパント（ｐ）
について調整したものであ夛、第３（ｅ）図の場合はド
ーパン）　（ｐ。

ｎ）について調整したものであ）、第３（ｆ）図の場合
は層界面での構成元素について調整（連続変化）したも
のである。

以上のように超薄膜積層構造にしたところ、該構造体は
、電流を流すと電荷の捕獲、角結合、蓄積を減少させる
ことがわかった。このことはとりもなおさずそれを電子
写真感光体に供する場合、残留電位の減少、そして光感
度の上昇をもたらすことを意味する。

本発明は、以上の知見に基いて完成するに至ったもので
あ夛、下記の構成の光受容部材を提供するものである。

即ち、（１）支持体上に非単結晶で構成される電荷注入阻止層
が、構成原子または構成原子比の異なる２種の超薄膜を
複数回交互に積層させた層領域（Ａ）と、単一の薄膜か
らなる層領域（Ｂ）を有し、層領域（Ａ）と層領域（Ｂ
）の界面近傍で前記超薄膜の層厚が前記界面近傍以外の
層領域（Ａ）を構成する前記超薄膜の層厚よ）薄いこと
を特徴とする超薄膜積層構造を有する光受容部材。

（２）支持体上に非単結晶で構成される電荷注入阻止層
が、少なくとも１種の構成原子または構成原子比の異な
る２種の超薄膜を複数回交互に積層させた層領域（Ａ）
と、単一の薄膜からなる層領域（Ｂ）を有し層領域（Ａ
）と層領域（Ｂ）の界面近傍で前記２徨の超薄膜の平均
の構成原子比が、前記界面近傍以外の層領域囚の前記２
稲の超薄膜の平均の構成原子比と層領域（Ｂ）の構成原
子比の中間の値であることを特徴とする超薄膜積層構造
を有する光受容部材。

以下、図示の実施例によシ本発明の詳細な説明する。な
お、光受容部材についての図示の例は電子写真用のもの
であるが、本発明はこれによシ限定されるものではない
。

第１（Ａ）乃至（Ｃ）図は、本発明の電子写真用の光受
容部材の層構成の典型的な例を、模式的に示した図であ
る。

第１（Ａ）図に示す例は、支持体１０１上に、電荷注入
阻止層１０２、感光層１０３及び表面層１０４をこの順
に有するものである。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ１ステンレス、Ａ２、Ｃ
ｒ　、、Ｍｏ　、Ａｕ　、　Ｎｂ　、　’ｌ’ａ　’％
Ｖ、　Ｔｉ５Ｐｔ％　Ｐｂ　　等の金属又はこれ等の合
金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面制置光受容層
を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面ＫＸＮｉＣｒ。

ＡＩ！、、　ＣｒＸ　ＭＯｌＡｕｌ　Ｉｒ、Ｎｂ、　　
Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ１ｐｔ　、　　Ｐｄ　％　　Ｉｎ２Ｏ５
、ＳｎＯ□、ＩＴＯ（工ｎ２０３＋ＳｎＯ□）等から成
る薄膜を設けることによって導電性を付与し、或いはポ
リエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎ
５Ｃｒ　、　）Ｊｌ　％　Ａｙｓ　Ｐｂ　％ＺｎＸＮｉ
、Ａｕ、　Ｃｒ、Ｍｏ、ＩｒＸＮｂ、Ｔａｓ　Ｖ。

Ｔｌ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性を付
与する。支持体の形状は無端ベルト状又は円筒状とし、
その厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様に適
宜決定するが、光受容部材として可撓性が要求される場
合には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で
可能な限シ薄くすることができる。

しかしながら、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強
度等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

本発明の光受容部材の感光層１０３は、シリコン原子を
母体とする非晶質材料、特にシリコン原子を母体とし、
水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）の少なくともい
ずれか一方を含有するアモルファス材料、いわゆる水素
化アモルファスシリコン、ハロゲン化アモルファスシリ
コン、あるいはハロゲン含有水奏化アモルファスシリコ
ン〔以下これらの総称的表記としてｌ’−ａ−８ｉ（Ｈ
，Ｘ）Ｊと表記する。〕で構成される層であって、該・
・ロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩素
、臭素、ヨウ素が挙げられ、特にフッ素、塩素を好適な
ものとして挙げることができる。そして感光層ｌＯ中に
含有せしめる水素原子（Ｈ）の量又は・・ロゲン原子（
Ｘ）の量、あるいは水素原子とノ・ロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％
、より好ましくは５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とするのが
望ましい。

また、本発明の光受容部材において、感光層の層厚は、
本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１つ
であって、光受容部材に所望の特性が与えられるようＫ
、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要があ
り、通常は３〜１００μとするが、好ましくＦｉ５〜８
０μ、より好ましくは７〜５０μとする。

本発明の光受容部材は、前記支持体１０１と前記感光層
１０３との間に、電荷注入阻止層１０２を有するもので
あ）、該電荷注入阻止層１０２は、少なくとも構成原子
の一部が異なる超薄膜を、少なくとも２種類以上複数回
積層してなる超薄膜積層構造を有する層である。即ち、
電荷注入阻止効果を奏するｐ型不純物又はｎ型不純物を
含有するＮｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　Ｃ以後、「Ｎｏ　
ｎ−３ｉ　Ｍ（Ｈ，Ｘ）Ｊ　　と表記する。（但し、Ｍ
はｐ型不純物又はｎ型不純物を表わす。）〕で構成され
る超薄膜層と、支持体との密着効果等を奏する酸素原子
、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一
種を含有するＮｏｎ−Ｎｏｎ−３ｉ、Ｘ）　（以後、ｒ
Ｎｏｎ−３ｉＭ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する
。〕で構成される超薄膜層とを１交互に複数回積層して
なるものである。

上述のｐ型不純物としては、周期律表第■族に属する原
子（以後、単に「第■族原子」と表記する。）、゛具体
的には、Ｂ（硼素）、Ａｘ（アルミニウム）、Ｇａ（ガ
リウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌタリウム）８を用
いることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、Ｇａで
ある。またｎ型不純物としては周期律表第Ｖ族に属する
原子（以後、単忙「第■族原子−１と表記する。）、具
体的には、Ｐ情）、Ａｓ　Ｃ砒素）、Ｓｂ（アンチモン
）、Ｂｆ（ビスマス）等を用いることができるが、特に
好ましいものは、Ｐ、ＡＳである。

電荷注入阻止層１０２中に含有せしめる第■族原子又は
第Ｖ族原子の量は、３０〜５Ｘ１０　ａｔｏｍｉｃｐｐ
ｍ、好ましくは５０−Ｉ　Ｘ　１　（１’　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ、最適にはｌＸｌ０〜５Ｘ１０　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍとすることが望ましい。

また電荷注入阻止層１０２中に含有せしめる酸素原子、
炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも１種
の量は、０．００１〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、好ましく
は０．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適にはｏ、
ｏ　ｏ　ａ〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい
。

本発明の光受容部材の電荷注入阻止層１０２の最適には
５００Ａ〜５μとするのが望ましい。

また、該電荷注入阻止層１０２を構成する超薄膜各層の
層厚は、１０〜１５０Ａ　、好ましくは１０〜１００Ａ
、最適には１５〜８０Ａとするのが望ましい。

ところで、本発明の光受容部材における電荷注入阻止層
１０２は、上述のごとき超薄膜積層構造を有するＮｏｎ
Ｎｏｎ−８ｉ、Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）、即ちａ−８ｉＭ（
０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）又はｐｏｎｙ−８ｉＭ（０，Ｃ
。

Ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成されるものであるが、後者のｐＯ
ＱＹ−８ｉＭ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成される層
は、種々の方法、例えば以下に記載するような方法によ
り適宜形成される。

その１つの方法は、基体温度を高温、具体的には４００
〜４５０℃に設定し、該基体上にプラズマＣＶＤ法によ
り膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、基体表面に先ずアモルファス状の膜を形成
、即ち、基体温度を約２５０℃にした基体上にプラズマ
ＣＶＤ　法によう膜を形成し、該アモルファス状の膜を
アニーリング処理することによりｐｏｎｙ化する方法で
ある。該アニーリング処理は、基体を４００〜４５０℃
に約２０分間加熱するか、あるいは、レーザー光を約２
０分間照射することにより行なわれる。

なお言うまでもないが、こうしたｐｏｎｙ−８ｉＭ（０
，Ｃ，Ｎ）（Ｈ’、Ｘ）で構成される電荷注入阻止層１
０２上には、通常のプラズマＣＶＤ法（基体温度約２５
０℃）によりａ−８ｉ　（ＨＩ　Ｘ　）で構成される感
光層１０３が形成される。

本発明においては、ＮｏｎＮｏｎ−３ｉ　、　Ｃ、Ｎ）
（Ｈ、Ｘ　）で構成される電荷注入阻止層を前述のごと
き超薄膜積層構造層とすることが必要とされるが、電荷
注入阻止層１０２上に形成される前述の感光層１０３に
ついても超薄膜積層構造層とすることができる。

即ち、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される感光層１０３中
には、感光層の伝導性を制御する効果を奏する第皿族原
子又は第■族原子を含有せしめ、感光層の光感度を向上
せしめることができる。また、感光層の膜品質を向上せ
しめるとをもに、感光層の高暗抵抗化をはかる目的で、
酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少な
くとも一種を含有せしめることができる。

ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される感光層中に、こうした
その他の構成原子を含有せしめる場合、構成原子の少な
くとも一部が異なる超薄膜を少なくとも２種類以上複数
回積層した超薄膜積層構造とすることによシ、バンドギ
ャップを調整することができる。

このところについて第５　（Ａ）　、　（Ｂ）図を用い
て説明する。

第５　（Ａ）　、　（Ｂ）図はエネルギーバンドの説明
図であり、図中、ＥＦはフェルミエネルギー、ＥＣは伝
導帯端エネルギー、ＥＶは価電子帯端エネルギー、Ｅｙ
はバンドギャップを表わしている。

第５（Ａ）図は、バンドギャップの異なる二種の超薄膜
を積層した場合を説明する図である。

即ち、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）中に窒素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せしめ
た場合には、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）よυもバンドギャップ
が拡大することを本発明者らは事実として確認している
ところ、更に次のところも確認した。例えば該ａ−８ｉ
（Ｈ，Ｘ）で構成される超薄膜とａ−８ｉ（０，Ｃ，Ｎ
）（Ｈ，Ｘ）で構成される超薄膜のように１バンドギヤ
ツプの異なる超薄膜層を積層すると、狭いバンドギャッ
プを有する超薄膜層で、量子効果によυ、図中破線で示
すが如き、サブバンドが形成される。該サブバンドは、
伝導帯及び価電子帯の端部よりもエネルギー的に高い位
置に形成され、その結果、超薄膜層を積層した感光層の
バンドギャップは、狭いバンドギャップを有する層のバ
ンドギャップよりも広がることをなる。そして、第５（
Ｂ）図は、ｐ型不純物を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される超薄膜層（以後「ｎ型超薄膜層」と称する。

）と、ｎ型不純物を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成
される超薄膜層（以後「ｎ型超薄膜層」と称する。）と
を交互に積層した場合を説明する図である。この場合に
は、伝導帯側では、ｎ型超薄膜層ではさまれたｎ型超薄
膜層で、量今効果により伝導帯端エネルギーＥｃよυも
高いエネルギー側にサブバンドが形成される。また同様
に１価電子帯側では、ｎ型超薄膜層において低電子奇瑞
エネルギーＥｖよシも高いエネルギー側に量各効果によ
るサブバンドが形成される。

それぞれのサブバンドは、伝導帯側ではｎ型超薄膜層へ
、また価電子帯側ではｎ型超薄膜層へしみだしが生じる
。その結果、光吸収は、伝導帯のサブバンドと、価電子
帯のしみだしたサブバンドの間で生じるため、ｎ型超薄
膜層とｎ型超薄膜層とを積層した感光層のバンドギャッ
プは、それぞれｎ型超薄膜層及びｎ型超薄膜層固有のバ
ンドギャップよりも狭くなることをなる。

以上のことから具体的には感光層１０３を、例えば、ａ
　Ｓ　ｉ（Ｈ＊　Ｘ　）で構成される超薄膜層とａ−３
ｉＭ（Ｈ，Ｘ）で構成される超薄膜層とを交互に複数回
積層した超薄膜積層構造層、又は、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）
で構成される超薄膜層とａ−８ｉ（０，Ｃ。

Ｎ）（Ｈ，Ｘ）　　で構成される超薄膜層構造層とを交
互に複数回積層した超薄膜積層構造層、あるいは、ａ−
８ｉＭ（Ｈ，Ｘ）で構成される超薄膜層とａ−８ｉ　（
０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成される超薄膜層とを交互
に複数回接層した超薄膜積層構造層とすることができる
。

本発明の光受容部材における感光層１０３上には、表面
層１０４が設けられる。該表面層は、酸素原子、炭素原
子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有
するａ−ｓｌ（Ｈ，Ｘ）（以後、「ａ−ｓｉ（０，Ｃ，
Ｎ）（Ｈ，Ｘ）　Ｊと表記する。〕又は窒素原子及び硼
素原子を母体とする非晶質材料〔以後、ｌ”’ａ−ＢＮ
（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕、あるいは、炭素原子を母
体とする非晶質材料〔以後、［ａ−Ｃ（Ｈ，Ｘ）　ｊと
表記する。）で構成される。

本発明の光受容部材に表面層１０４を設ける目的は、耐
湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境
特性、および耐久性等を向上せしめることにある。

％ＩＣ，表面層としてａ−３ｉ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ
）で構成される層を用いた場合には、表面層と感光層を
構成するアモルファス材料の各々が、シリコン原子とい
う共通した構成原子を有しているので、表面層１０４と
感光層１０３との界面において化学的安定性が確保でき
る。

こうしたａ−８ｉ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）ｆ構成され
る表面層とする場合、表面層中に含有せしめる酸素原子
、炭素原子又は窒素原子の量の増加に伴って、前述の緒
特性は向上するが、多すぎると層品質が低下し、電気的
および機械的特性も低下する。こうしたことから、これ
らの原子の量は、０．００１〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、
好ましくは１〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８
０ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい。

また、本発明の光受容部材において、表面層１０４の層
厚も本発明の目的を効率的に達成するために重要な要因
の１つであり、所望の目的に応じて適宜決定されるもの
であるが、表面層に含有せしめる構成原子の量、あるい
は表面層に要求される特性に応じて相互的かつ有機的関
連性の下に決定する必要がある。更に生産性や量産性も
加味した経済性の点においても考慮する必要もある。こ
うしたことから、本発明の光受容部材の表面層の層厚は
３×１０〜３０μ、よシ好ましくは４　Ｘ　１０−’〜
２０μ、特に好ましくは５×１０〜１０μとする。

第１（Ｂ）図に示す例では、前述の！１（Ａ）図に示す
電荷注入阻止層１０３に、更にゲルマニウム原子又はス
ズ原子の少なくとも一方を含有せしめ、該電荷注入阻止
層１０３　Ｋ長波長吸収層としての機能を兼ねそなえさ
せた例である。即ち、支持体１０１と感光層１０３との
間に設けられる層１０５は、ｎ型不純物又はｎ型不純物
、および酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ば
れる少なくとも一種と、更にゲルマニウム原子又はスズ
原子の少なくとも一方を含有するＮｏｎ　−５ｉ（ａ、
Ｘ）（以後、「Ｎｏｎ−８ｉ　（Ｇｅ　ｌ　Ｓｎ　）Ｍ
（０＃ＣＩＮ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕で構成され
ている。

核層１０５にゲルマニウム原子又はスズ原子を含有せし
めることにより、半導体レーザ等の長波長の光源を使用
した場合において、感光層１０３では殆んど吸収しきれ
ない長波長側の光を、核層１０５で実質的に完全に吸収
することができるようになり、このことによシ支持体１
０１表面からの反射によって生じる干渉を防止すること
ができるものである。

ゲルマニウム原子又はスズ原子の少なくとも一方を含有
する、超薄膜積層構造を有する電荷注入阻止層を得るた
めには、ｎ型不純物又はｎ型不純物を含有するＮｏｎ　
−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成される超薄膜構造層、および
酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少な
くとも一種とｎ型不純物又はｎ型不純物とを含有するｌ
’Ｊａｎ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される超薄膜構造層の
いずれか一方あるいは両方に、ゲルマニウム原子又はス
ズ原子の少なくとも一方を含有せしめ、これらの層を交
互だ多数回積層すればよい。

長波長側の光を吸収するために含有せしめるゲルマニウ
ム原子又はスズ原子の址は、１〜９．５Ｘ１０　　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは１×１０〜９Ｘ１０５ａ
ｔｏｍ４ｃ　ｐｐｍ、最適には５×１０〜８×１０５１
０５ａｔｏ　ｐｐｍとするのが望ましい。

第１（Ｂ）図に示す例における、感光層１０３及び表面
層１０４は、前述の第１（Ａ）図におけるものと同じで
ある。

最後に、第１（Ｃ）図に示す例は、長波長吸収機能を有
する層１０６と、電荷注入阻止機能を有する層１０２と
を別々の層として、支持体１０１上にこの順に設け、更
にその上に感光層１０３及び表面層１０４を設けたもの
である。該層においては、層１０６は、ゲルマニウム原
子又はスズ原子の少なくとも一方を含有するＮｏｎ　−
８ｉ　（Ｈ＋Ｘ）〔以後、ｒＮＯｎ−８ｉ　（Ｇｅ　、
Ｓｎ　）　（Ｈ，Ｘ）と表記する。〕で構成されており
、その他の層、即ち電荷注入阻止層１０２、感光層１０
３及び表面層１０４は第１（Ａ）図に示す場合と同様の
ものである。

かくなる層構成を有する本発明の光受容部材は、電荷注
入阻止層を、ｎ型不純物又はｎ型不純物を含有するＮｏ
ｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成される超薄膜構造層とを、
交互に多数回積層して得られる層で構成し、更に、形成
する超薄膜積層構造物について、そめ形成過程で構成超
薄膜層の層厚を積層するにつれて変化（厚→薄又は薄→
厚）させること、又は／及び前記構成超薄膜層の少くと
も一つの構成元素について、その超薄膜層中での構成比
を、核層に隣接する他の超薄膜層中での前記構成元素の
構成比に近づくようにすることにより、ｎ型不純物又は
ｎ型不純物と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中か
ら選ばれる少なくとも一種との両方を含有せしめる場合
に生ずるところのドーピング効果の低下、欠陥順位の形
成および光照射時の残留電位の増加等の不都合がすべて
解消されるものである。

次に、本発明の超薄膜積層構造層を有する光受容部材を
製造するのに適した、プラズマＣＶＤ法による堆積膜形
成装置について、図面により詳しく説明するが、本発明
はこれらによって限定されるものではない。

第２図は、本発明のプラズマＣＶＤ法による堆覆膜形成
装置の典型例を模式的に示す図であって、第２（Ａ）図
は装置全体の縦断面略図、第２（Ｂ）図は装置全体の横
断面略図である８第２図において、２０１は、表面にシ
リコン原子を母体とするアモルファス膜を形成するため
の、アルミニウム製支持体ドラムである。（以下、単に
「ドラム」と称す。）ドラム２０１は回転駆動機構２０
２によって中心軸を軸として回転するようになっており
、ドラム２０１の内部には、加熱用ヒーター２０３を配
置する。該加熱用ヒーター２０３は、成膜前にドラムを
所定温度に加熱したり、成膜中にドラムを所定温度に保
持したり、あるいは成膜後にアニール処理するのに用い
る。

２０４は、カソード電極であ）、アノード電極であるド
ラム２０１と同軸型の対向電極をなしている。２０５は
高周波電源で、カソード電極２０４に高周波電力を供給
し、アースされているアノード電極であるドラム２０１
との間で放電を生起せしめるものである。２０６　、２
０７は碍子であり、アノード電極２０１とカソード電極
２０４を絶縁している。

カソード電極２０４と碍子２０６　、２０７で形成され
る気密性反応室内は、排気パルプ２０９　、２１０を介
して排気装置２０８により排気される。２１１．２１２
は排気パルプ２０９　、２１０の直前に設けられた真空
計である。

ドラム２０１を配置した成膜空間には、ガス導入制御の
ための電磁弁２１３　、２１４をそれぞれ介して、多数
の原料ガス噴出孔を有する原料ガス供給管２１５　、２
１６　Ｋよシ、原料ガスが供給されるようにされておシ
、該原料ガス供給管２１５゜２１６の他端は、原料ガス
ボンベ２１７〜２２５゜２２７〜２３５に連通している
。原料ガスボンベ２１７〜２２５　、２２７〜２３５に
は夫々原料ガスが密封されており、例えばガスボンベ２
１７　、２２７にはＳｉＨ４ガス、ガスボンベ２１８　
、２２８にはＮ２ガス、ガスボンベ２１９　、２２９に
はＣＨ４ガス、ガスボンベ２２０　、２３０にはＧｅＨ
４ガス、ガスボンベ２２１．２３１にはＮ２ボンベ、ガ
スボンベ２２２　　、　２３２　ＫはＮＯガス、ガスボ
ンベ２２３　、２３３にはＢ２Ｈ６ガス、カスホンへ２
２４．２３４ＩＩｃはＰＨ，ガス、ガスボンベ２２５　
、２３５　Ｋは５ＩＦ４ガスが夫々密封されている。ガ
スボンベ２１７〜２２５　、２２７〜２３５には夫々パ
ルプ２１７ａ〜２２５ａ　、　２２７ａ〜２３５ａが設
けられており、ガス圧力レギュレーター２１７ｂ〜２２
５ｂ　、　２２７ｂ　〜２３５ｂ、流入パルプ２１７ｃ
　〜２２５ｃ、　２２７ｃ〜２３５ｃ　、マスフロコン
トローラー２１７ｄ〜２２５ｄ　、　２２７ｄ　〜２３
５ｄ、及び流出パルプ２１７ｅ〜２２５ｅ　、　２２７
ｅ〜２３５ｅを介して夫々原料ガス供給管２１５　、２
１６　Ｋ原料ガスを供給するようにされている。

高周波電源２０５．マスフローコントローラー２１７ｄ
〜２２５ｄ　、　２２７ｄ〜２３５ｄ　、ガス流入パル
プ２１７ｅ　〜２２５ｅ　、　２２７ｅ　〜２３５ｅ　
、電磁弁２１３゜２１４、排気パルプ２０９　、２１０
はマイクロコンピュータ−（不図示）に接続され、ガス
流量、ガスの流入の制御、反応室内のガスの排気、及び
ＲＦｔ界の印加は、マイクロコンピュータ−に入力され
ている所定のプログラムで制御できるよう罠なっている
。

かくなる構成の本発明のプラズマＣＶＤ装置の操作につ
いて、その概略を以下に記載する。

ガスボンベ２１７〜２２５　、２２７〜２３５のパルプ
２１７ａ〜２２５ａ　、　２２７ａ〜２３５ａが閉じ、
さらに流入パルプ２１７ｃ　〜２２５ｃ　、　２２７ｃ
　〜２３５ｃ及び流出パルプ２１７ｅ〜２２５ｅ　、　
２２７ｅ〜２３５ｅが開き、排気パルプ２１０を開いて
反応室及び各原料ガス供給用配管内をターボ分子ポンプ
２１２により真空排気し、真空度が約５Ｘ１０−’ｔｏ
ｒｒになった時点で流出パルプ２１７ｅ　〜２２５ｅ　
、　２２７ｅ　〜２３５ｅ　ｆ閉しる。

次にドラム２０１を加熱ヒーター２０３で５０〜４００
℃の所定温度になるまで加熱する。

続いて、ガスボンベ２１７　、２２７よりＳｉＨ４ガス
、同２１８　、２２７よりＮ２ガス、同２１９　、２２
９よりＣＨガス、同２２０　、２３０よりＧｅＨ４ガス
、同２２１　、２３１よりＮ２ガス、同２２２　、２３
２よシＮＯガス、同２２３　、２３３よシＨ２ガスで３
０００ｐｐｍに希釈されたＢ２Ｈ６ガス（以下「Ｂ２Ｈ
６ガス２　ガス」と表記する。）、同２２４　、２３４
より、Ｈ２ガスで３０００ｐｐｍに希釈されたＰＨ５ガ
ス（以下ｒＰＨ，／Ｈ２ガス」と表記する。）、同２２
５　、２３５よシＳｉＦ４ガスを、各々パルプ２１７ａ
　〜２２５ａ　、　２２７ａ〜２３５ａを開き、圧力レ
ギュレータ２１７ｂ〜２２５ｂ、　２２７ｂ〜２３５ｂ
により２＋１ｒ／−に調整した後、流入パルプ２１７Ｃ
〜２２５ｃ　、　２２７ｃ〜２３５Ｃを徐々に開いてマ
スフローコントローラー２１７ｄ〜２２５ｄ、　２２７
ｄ〜２３５ｄ内に夫々流入させる。引きつづき、膜の形
成に必要な原料ガスの流出パルプを徐々に開けて、ドラ
ム２０１とカソード電極２０４の間に形成された領域に
、原料ガス導入管２１５．２１６よシ流入させる。この
とき、各領域における原料ガスの流量が所定の値になる
ようにマスフローコントローラー２１７ｄ〜２２５ｄ　
、　２２７ｄ〜２３５ｄ　　を設定する。真空計２１１
の値が所望の値になるよう排気パルプ２０９の開口をマ
イクロコンピュータ−からの出力により調整する。そし
て、ドラム２０１の温度が所定の温度に設定されている
ことを確認し、ドラムを回転させた後、高周波電源２０
５によシカソード電極２０４に高周波電力を供給し、ド
ラム２０１とカソード電極２０４との間にグロー放電を
生起せしめ、プラズマ状態を形成する。

ヒーター２０３によシ５０〜４００℃の所定の温度に加
熱されたドラム２０１の表面温度、導入ガスの種類及び
流量をマイクロコンピュータ−によシ制御しながら、原
料ガスを反応室内に流入する。圧力調整を行ないつつ、
所定の時間ＲＦ電界を印加し、電界を切る。ガスの排気
を異なる組成のガスで行なうことにより、ドラム表面Ｉ
ｃＡ層とＢ層とが交互に積層される。

Ａ層及びＢ層の層厚は、各単層の成膜時間、流入ガスの
流量、あるいはＲＦ’ｌｌＥ源パワーを制御することＫ
よシ、所望の値のものが得られる。

ドラム表面に形成された超薄膜構造の膜厚が所定の値に
なったところで高周波電源を止めて放電を中止し、流出
パルプ２１７ｅ〜２２５ｅ　、　２２７ｅ〜２３５ｅを
閉じる。

以上の操作によシ超薄膜積層構造層の形成を行なうが、
超薄膜積層構造層以外の層を形成するには、電源のオン
オフ、ガスの流入・排出をくりかえさず、同じ混合比の
混合ガスを必要な流量だけ流入して所定の時間ＲＦ電界
を印加し、上述と同様の操作を行なえばよい。この際、
夫々の層を形成する際に必要な原料ガスの流出パルプ以
外の流出パルプを全て閉じることはいうまでもなく、ま
た、夫々の層を形成する際、前層の形成に使用した原料
ガスが反応室内、及び流出バルブから反応室内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために１流出パルプを
閉じて、排気パルプ２０９　、２１０を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行なう。

第２（Ａ）図の堆積膜形成装置を用いて、超薄膜積層構
造を、気体状原料ガスと、該気体状原料ガスを酸化する
気体状ハロゲン系酸化剤との酸化反応によって形成する
には、気体状原料ガスとハロゲン系酸化剤とを別々のガ
ス導入管で堆積室２０４へ導入し、堆積室内で酸化反応
させる。その場合気体状原料ガスの流量をマイクロコン
ピュータ−により制御して構成原子比の異なる超薄膜を
所望の回数堆積させ、超薄膜積層構造を得る。

この場合気体状原料ガスとしては、水素化ケイ素化合物
、水素化ゲルマニウム化合物、水素化スズ化合物、水素
化炭素化合物等が使用でさる。

ハロゲン系酸化剤としてはＦ２　＋　Ｏ／２　＋　Ｂｒ
２１ＦＯ／　等のハロゲンガスが使用でさる。

気体状原料ガスに酸素含有化合物、Ｉ、Ｖ族化合物等を
添加しても良い。

〔実施例〕

以下、実施例１〜１５により本発明についてより詳細に
説明するが、本発明はこちらにより限定されるものでは
ない。

実施例１第２図にボした製造装置を用いて、シリンダー状Ａ／基
体表面に、第１表に示す層形成条件で層形成を行ない、
第１ＬＡ）図に示す層構成の電子写真用光φ容部材を得
た。

この際、第１層の終＃）１０周期において、Ｂ層に６０
　ＳＣＣＭずつｃＨ４ガスを増加させ、またＨ２ガスを
４　ＳＣＣＭずつ減少させ、超薄膜積層構造膜を作成し
た。

得られた光受容部材を、帯電露光実験装置に設置して、
■５．ＯＫＶで０．３　　秒間コロナ帯電を行ない、直
ちに光像を照射した。光像の照射はタングステンランプ
光源を用い、０．７１ｕｘａｓｅｃの光量を透過型のテ
ストチャートを通して行なった。

その後直ちにｅ荷電性の現像剤で該光受容部材表面をカ
スケード現像することＫより、該光受容部材表面上に良
好なトナー画像を得た。次いで該トナー画像を■５．Ｏ
ＫＶのコロナ帯電で転写紙上に転写したところ、解像力
に優れ、階調再現性の良好な、鮮明な高濃度の画像が得
られた。

次に比較例として、第１層の終シ１０周期におけるＢ層
の構成元素の調整を行わないこと以外はすべて実施例１
と同様にして電子写真用光受容部材を作成し、実施例１
で得られた光受容部材と該比較例で得られたもの夫々に
ついて、光照射時の残留電位及び光感度を測定した。

その結果、実施例１１Ｃより得られた電子写真用光受容
部材は、比較例のものに比べて光照射時の残留電位が１
５チ減少し、光感度は１０チ実施例２層形成条件を第２表に示す条件とした以外はすべて実施
例１と同様にして、第１（Ｃ）図に示す層構成の電子写
真用光受容部材を得た。

得られた光受容部材を用いて、実施例１と同様の方法で
コロナ帯電、タングステンランプによる光像照射、現像
、転写を行なったところ、解像力に優れ、階調再現性の
良好な、鮮明な高濃度の画像が得られた。

また、この電子写真用光受容部材を用い、実施例１と同
様に帯電し、波長７８８鵡の半導体レーザーにより画像
露光を行なった。そして実施例１と同様に現像、転写を
行なったところ、干渉縞のない鮮明な画像が得られた。

また、第２層の終り１０周期でＢ層の構成元素の調整を
行なわないで作成した電子写真用光受容部材に比較して
、光照射時の残留電泣が２５チ減少した。

実施例３〜５第１層形成時の層形成条件を第３表に示す条件とした以
外はすべて実施例１と同様にして、電子写真用光受容部
材を得た。

なお、第１層超薄腹積層構造層の終り１０周期において
は、実施例３ではＡ層においてＮ２ガスｔ−２２ｓｃｃ
Ｍずつ減少させ、Ｈ２ガスを３６　ＳＣＣＭずつ増加さ
せ、実施例４ではＡ層においてｃＨ４ガスを３３　ＳＣ
ＣＭずつ減少させ、Ｈ２ガスを３６ＳＣＣＭずつ増加さ
せた。また、実施例５では終りの１００膚期において、
Ｂ層のＧｅ１ｉ４の量を変化させて、Ｓｉ　（Ａ成分）
及びＧｅ　（Ｂ　ｆｅ、分）が第４図に示すごとく変化
するようにした。

得られた夫々の光受容部材を用いて、実施例１と同様に
して、画像形成を行なった（但し、実施例３においては
、帯電を○帯電とし、■荷電性の現像剤を用いて現像し
、Ｏ帯電により転写した。）ところ、解像力に優れ、階
調再現性の良好な、鮮明な高濃度の画像が得られた。

また、第１層の終９１０周期又は１００周期で層の構成
元素の調整分桁なわないで作成した電子写真用光受容部
材に比較して、光照射時の残留電位はいずれの場合も大
きく減少していた。

実施例６〜１１第２層形成時の層形成条件？第４表に示す条件とした以
外はすべて実施例１と同様にして、電子写真用光受容部
材を得た。

得られた夫々の光受容部材を用いて、実施例１と同様に
して画像形成を行なったところ、解像力に優れ、階調再
現性の良好な、鮮明な高濃度の画像が得られた。

また、第１層Ｂ層の構成元素の調整を行なわずに作成し
た電子写真用光受容部材に比較して、いずれの場合も、
光照射時の残留電位は大きく減少していた。

実施例１２実施例１における第１層の終り１０周期において、各周
期の長さをその前の周期の長さの８０％になるようにし
た以外は、すべて実施例と同じ条件で第１（Ａ）図に示
す層構成の電子写真用光受容部材を得た。

得られた夫々の光受容部材を用いて、実施例１と同様に
して、画像形成を行なったところ、解像力に優れ、階調
再現性の良好な、鮮明な高濃度の画像が得られた。

また、第１層の終り１０周期で層の周期の調整を行なわ
ないで作成した電子写真用光受容部材に比較して、光照
射時の残留電位はいずれの場合も大きく減少していた。

実施例１３第２（Ａ）図°に示す装置の原料ガス供給管２１５及び
２１６とガス制御パルプ２１３及び２１４との間にそれ
ぞれ石英の反応管をとりつけ、その外側にマイクロ波が
印加できるように導波管をとりつけた。導波管にはＺ４
５６Ｈｚのマイクロ波電源がと９つけられ、石英の反応
管に→イクロ波電界が印加され、石英の反応管中にガス
を流すことによシ、プラズマが発生され、プラズマで発
生されたラジカルが反応室内に導入されてドラムシリン
ダー上に成膜が行われる。このときＲＦ電源２０５はと
りはられれている。

また原料ガス供給管２１５　、２１６の構造は、ラジカ
ルの供給に適した構造になおした。また、原料ガス供給
管２１５　、２１６の配置は２つのガス供給管２１５．
２１６よシ吹き出したラジカルがドラムシリンダー上で
あわさるような配置においた。

上記のように改造した装置を用い第５表の条件で電子写
真用光受容部材を得た。

なお、第１層の終、９１０周期において、超薄膜積層構
造の各周期の長さが前の周期の長さの８０％になるよう
に成膜時間を調整し、また第１層ＢＭＩＫおけるＣ２Ｆ
６ガスの流量を３ＳＣＣＭずつ減少させた。

得られた光受容部材を用いて、実施例１と同様にして、
画像形成を行なったところ、解像力に優れ、階調再現性
の良好な、鮮明な高濃度の画像が得られた。

また、第１層の終り１０周期で層の周期及び構成元素の
調整を行なわないで作成した電子写真用光受容部材と比
較して、光照射時の残留電位は２５％減少していた。

実施例１４実施例１３に用いた装置を用い、但し、マイクロ波の電
界は印加しないで、第６表に示す条件で成膜したところ
、第１（Ａ）図に示す層構成の電子写真用光受容部材を
得た。

なお、第１層の終り１０周期においては、超薄膜積層構
造の層の周期が、夫々の前の周期の５Ｏｅｓとなるよう
に、成膜時間を調整した。

また、第１層の終り１０周期で層の周期の調整を行なわ
ないで作成した電子写真用光受容部材に比較して、光照
射時の残留電位は１０チ減少していた。

実施例１５第２（Ａ）図に示す装置のドラムシリンダー２０１の上
側ＫＡｆｉ□０３の窓をとりつけ、その窓の上に円形の
導波管をとりつけた。円形の導波管には１４５ＧＨ２の
マイクロ波電源がとりつけられ、反応室内にマイクロ波
の電界が印加され、ガスを流すことによυ、プラズマが
発生される。もちろんこのときＲＦｔ源２０５はと９は
られれている。

第７表の条件で電子写真用光受容部材を得た。

このとき第１層の終り１０周期において、Ｂ層において
２ＳＣＣＭずつＮｏガスを減少させ、またＨ２ガスを４
ＳＣＣＭずつ増加させ超薄膜積層構造膜を作った。

得られた光受容部材を、帯電露光実験装置に設置して、
■５．ＯＫＶで０．３秒間コロナ帯′道を行ない、直ち
に光像を照射した。光像の照射はタングステンランプ光
源を用い、０．７１ｕｘ＋＋ｓｅｃの光量を透過型のテ
ストチャートを通して行なった。

その後直ちに○荷電性の現像剤で該光受容部材表面をカ
スケード現像することにより、該光受容部材表面°上に
良好なトナー画像を得た。次いで該トナー画像を■５．
ＯＫＶのコロナ帯電で転写紙上尾転写したところ、いず
れも、解像力に優れ、階調再現性の良好な、鮮明な高濃
度の画像が得られた。

また、第１層の終り１０周期におけるＢ層の構成元素の
調整を行わないで作成した電子写真用光受容部材に比較
して、光照射時の残留電位が１０係減少した。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材の層構成の典型的々例を
模式的に示した図である。第２図は、本発明の光受容部
材を製造するための装置の典型的実施例を模式的に示す
図であり、（Ａ）図は横断面略図、（Ｂ）図は縦断面略
図である。第３図は、超薄膜積層構造層におけるエネル
ギーバンドの模式的説明図である。第４図は、超薄膜積
層構造層の構成元素の分布の説明図である。第５図は、感光層のエネルギーの模式的説明図である。第１図だついて、１０１・・・支持体、１０２・・・電荷注入阻止層、１
０３・・・感光層、１０４・・・表面層、１０５・・・
長波長吸収層を兼ねた電荷注入阻止層、１０６・・・長
波長吸収層第２図について２０１・・・ドラム、２０２・・・回転機構、２０３・
・・加熱用ヒーター、２０４・・・カソード電極、２０
５・・・高周波電源、２０６　、２０７・・・碍子、２
０８，２１２・・・排気装置、２０９．２１０・・・排
気パルプ、２１１・・・真空計、２１３　。２１４・・・パルプ、２１５，２１６・・・原料ガス供
給管、２１７〜２２５　、２２７〜２３５・・・原料ガ
スボンベ、２１７ａ〜２２５ａ　、　２２７ａ　〜２３
５ａ−・パルプ、２１７ｂ〜２２５ｂ。２２７ｂ〜２３５ｂ・・・ガス圧力レギュレター、２１
７０〜２２５ｃ　、　２２７ｃ〜２３５Ｃ・・・流入パ
ルプ、２１７ｄ〜２２５ｄ　、　２２７ｄ〜２３５ｄ・
・・マスフロコントローラー、２１７ｅ〜２２５ｅ　、
　２２７ｅ〜２３５ｅ・・・流出パルプ、２３６　、２
３７・・・排気口特許出願人　キャノン株式会社　。代理人　弁理士　荻上豊規　　′ 図面の浄ｇ′内容に変更なし）第１図伝導帯端（ａ）（ｂ）伝導帯端（ｃ）価１子帯端第３図（ｄ）（ｉｉＩｉ電子帯瑞（ｆ）価電子帯端第５図伝導帯伝　　専　　帯イ６Ｎ　　子　帯手　　続　　補　　正　　書　（方式）％式％１、事件の表示昭和６１年特許願１４６３５７号２、発明の名称超薄膜積層構造層を有する光受容部材３、補正をする者事件との関係　　特許出願人住所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２−！；′Ｊ
−名称　　（１００）キャノン株式会社４、代理人住所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グリ
ーンビル電話　（２１ｉ１）９６３６自　　　発６、補正の対象願書、明細書及び図面７、補正の内容「別紙の通り」以上

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体上に、少くともシリコン原子と、伝導性を
制御する物質と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
から選ばれる少なくとも一種とを含有する非単結晶質材
料で構成される電荷注入阻止層と、シリコン原子を母体
とする非晶質材料で構成される感光層とを少くとも有す
る光受容部材であつて、前記電荷注入阻止層が、構成原
子または構成原子比の異なる二種の超薄膜を複数回交互
に積層させた層領域（Ａ）と、単一の薄膜からなる層領
域（Ｂ）を有していて、層領域（Ａ）と層領域（Ｂ）の
界面近傍で、前記超薄膜の層厚が前記界面近傍以外の層
領域（Ａ）を構成する前記超薄膜の層厚より薄いことを
特徴とする超薄膜積層構造を有する光受容部材。
（２）前記の界面近傍の層領域（Ａ）を構成する超薄膜
の層厚が、前記層領域（Ｂ）に向つて次第に薄くなるよ
うに形成されたものである。特許請求の範囲第（１）項
に記載された光受容部材。
（３）支持体上に、少くともシリコン原子と、伝導性を
制御する物質と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
から選ばれる少なくとも一種とを含有する非単結晶質材
料で構成される電荷注入阻止層と、シリコン原子を母体
とする非晶質材料で構成される感光層とを少くとも有す
る光受容部材であつて、前記電荷注入阻止層が、少くと
も一種の構成原子または構成原子比の異なる二種の超薄
膜を複数回交互に積層させた層領域（Ａ）と、単一の薄
膜からなる層領域（Ｂ）を有していて、層領域（Ａ）と
層領域（Ｂ）の界面近傍と前記二種の超薄膜の平均の層
構成比が、前記の界面近傍以外の層領域（Ａ）の前記二
種の超薄膜の平均原子構成比と層領域（Ｂ）の構成比の
中間の値であることを特徴とする超薄膜積層構造を有す
る光受容部材。
（４）前記の界面近傍で、前記層領域（Ａ）の二種の超
薄膜の平均の構成原子比が層領域（Ａ）から層領域（Ｂ
）に向つて層領域（Ｂ）の構成原子比に次第に近づくよ
うに変化している、特許請求の範囲第（３）項に記載さ
れた光受容部材。