JPH01214871A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、電子写真感光体（以下、単に感光体とも称する）
として例えばアモルファスＳｅ、またはアモルファスＳ
ｅｌ：Ａｓ、　Ｔｅ、　Ｓｂなどの不純物をドープした
光導電性材料を用いた感光体、あるいはＺｎＯやＣｄＳ
などの光導電性材料を樹脂バインダーに分散させて用い
た感光体などが使用されている。しかしながら、これら
の感光体は耐熱性、環境汚染性９機械的強度の点で問題
がある。

近年、光導電性材料としてアモルファスシリコン（ａ　
−３ｉ　）を用いることによって、これら従来の電子写
真感光体の欠点を解決する技術が提案されている。蒸着
あるいはスパッタリングによって作製されたａ−３ｉは
暗所での比抵抗が１０５０・ｃｍと低く、また、光導１
度が極めて小さいので電子写真感光体としては望ましく
ない。このようなａ　−８１では、５ｉ−５ｉ結合が切
れたいわゆるダングリングボンドが生成し、この欠陥に
起因してエネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在
する。このために熱励起担体のホッピング伝導が生じて
暗比抵抗が小さくなり、また光励起担体が局在準位に捕
獲されるために光導電性が悪くなっている。

これに対してシランガス（Ｓｉ）！、）　　のグロー放
電分解または光ＣＶＤによって作製した水素化アモルフ
ァスシリコン（ａ−Ｓｉ（Ｈ））では、上記欠陥を水素
原子（Ｈ）で捕獲し、ＳｉにＨを結合させることによっ
てダングリングボンドの数を大幅に低減できるので光導
電性が極めて良好になり、ｐ型およびｎ型の価電子制御
も可能となったが、暗比抵抗値は高々１０６〜１０１１
Ω・ｃｍであって電子写真感光体として充分な１０′２
Ω・Ｃｌ１１以上の比抵抗値に対して未だ低い。

従ってこのようなａ　−３ｉ（Ｈ）　からなる感光体は
表面電位の暗減衰速度が大きく初期帯電位が低い。

しかし、このようなａ　−３ｉ０１）　　にほう素を適
量ドープすれば比抵抗を１０′２Ω・ｃｍ以上まで高め
電荷保持機能を付与することができ、カールソン方式に
よる複写プロセスに適用することが可能となる。

ところがａ　−３ｉ（Ｈ）　の成膜速度やａ　−３ｉ０
１）　　の内部応力からくる基体との密着性等により膜
厚が制限されるため、充分な画像濃度を得るには感光体
のより一層の帯電電位の向上が望まれている。

また、このようなａ　−３ｉ（Ｈ）　　を表面とする感
光体は初期的には良好な画像が得られるものの長期間大
気中あるいは高湿中に保存しておいた後画像評価した場
合、しばしば画像不良を発生することが判明している。

また、多数回複写プロセスを経験するとしだいに画像ぼ
けを生じて（ることもわかっている。このような劣化し
た感光体は特に高湿中において画像ぼけを発生しやすく
、複写回数が増すと画像ぼげを生じ始める臨界湿度はし
だいに下がる傾向があることが確かめられている。

上述のごとく、ａ　−５ｉ（Ｈ）　感光体は長期にわた
って大気や湿気にさらされることにより、あるいは複写
プロセスにおけるコロナ放電などで生成される化学種（
オゾン、窒素酸化物１発生期酸素など）により、感光体
最表面が影響を受けやすく何らかの化学的な変質によっ
て画像不良を発生するものと考えられているが、その劣
化メカニズムについてはこれまでにまだ充分な検討はな
されていない。このような画像不良の発生を防止し耐刷
性を向上するために、ａ−３ｉ（Ｈ）感光体の表面に保
護層を設けて化学的安定化を図る方法が試みられている
。

例えば、表面保護層として水素化アモルファス炭化シリ
コン（ａ−３ｉｘＣ＋−＋＋（Ｈ）、　　Ｏ＜Ｘ＜　ｔ
＞　。

あるいは水素化アモルファス窒素化シリコン（ａ　　５
ＩＸＮＩ−Ｘ（）Ｉ）　、　　Ｏ＜　Ｘ　＜　１　）を
設けることによって感光体表面層の複写プロセスあるい
は環境雰囲気による劣化を防ぐ方法が知られている（特
開昭５７−１１５５５９号公報）。しかし、表面保護層
中の炭素濃度あるいは窒素濃度を最適な値に選べば耐刷
性をかなり改良することができるが、高湿度雰囲気中（
Ｒ８８０％以上）での耐湿性を維持することができず数
万枚の複写プロセスを経験すると相対湿度６０％台で画
像ぼけを発生し、これらの表面保護層を付与しても耐刷
性、耐湿性を大幅に向上することができない状況にある
。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、上記諸問題を解決すべく成されたもので、ａ
　−３ｉ材料について電子写真感光体に使用される光導
電体としての適用性とその実用性という観点から総括的
に研究検討を続けた結果、ａ−３ｉ系の感光層を特定の
電荷輸送層と電荷発生層の積層としてさらにａ−３ｉ系
の感光層上に特定の表面保護層を設けた層構成に設計さ
れ作製された感光体は、実用上充分使用し得るばかりで
なく、従来の感光体と較べてみてもほとんどの点にふい
て凌駕しており、著しく優れた特性、耐刷性、耐環境性
を有していることを見出した点に基づいている。

本発明の目的は、上述の欠点を除去して、長期保存およ
び繰り返し使用に際しても劣化現象を起こさず、充分な
帯電性能を持ち、かつ高湿雰囲気中においても画像不良
等の特性の低下がほとんど観測されない、感光体として
の特性が常時安定していてほとんど使用環境に制限を受
けない耐久性。

耐刷性、耐湿性に優れかつ望ましい光電特性を有するａ
−３ｉ系感光体を提供することにある。

さらに、本発明の他の目的゛は、光感度が高く分光感度
も可視域全般ふよび赤外域にわたっている感光体を提供
することである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明によれば、導電性基体上にアモルファス水素化炭
化シリコンまたはアモルファス水素化弗素化炭化シリコ
ンからなる電荷輸送層と、アモルファス水素化シリコン
またはアモルファス水素化弗素化シリコンまたはゲルマ
ニウムを含むアモルファス水素化シリコンよりなる電荷
発生層と、水素または水素と弗素を含むアモルファス炭
素からなる表面層との少なくとも３つの層を順次積層し
てなる感光体とすることによって解決される。

〔作用〕

このような構成において、アモルファスシリコン系材料
からなる電荷輸送層と電荷発生層とによって良好な帯電
性能、光感度が与えられ、アモルファス炭素からなる表
面層によって耐刷性、耐湿性、耐保存性、感光体特性の
安定性が確保され、もって上記の課題が解決される。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。

第１図は本発明による感光体の一実施例を示し、導電性
基体１上にブロッキング層２、電荷輸送層３、電荷発生
層４、バッファ層５、表面層６が順次積層された構成で
ある。

導電性基体１は円筒状、シート状いずれでも良く、材質
的にはアルミニウム、ステンレスなどの金属、あるいは
ガラスや樹脂上に導電処理を施したものでもよい。

ブロッキング層２の目的は導電性基体１からの電荷の注
入を阻止することである。材料的には、＾Ｒ２ｒ：ｈ、
　ＡＲＮ、　Ｓｉｎ、　５ｉ０２．　　ａ　　Ｓ！＋−
ｘＣｘ（Ｆ、Ｈ）（０＜Ｘ＜１）、　　ａ　−３ｉＮｘ
（Ｈ）　　（０＜Ｘ＜４／３）。

ａ　−Ｃ（Ｈ）　、　　ａ−Ｃ（Ｆ）や周期律表■族、
Ｖ族の元素をドープしたａ　−Ｃ（）Ｉ）　、　　ａ　
−Ｃ（Ｆ）　、　　ａ　−３ｉ（Ｈ）　　などを使用で
きる。膜厚は１μｍ以下と薄い方が良い。

電荷輸送層３はアモルファス水素化炭化シリコンまたは
アモルファス水素化弗素化炭化シリコンからなる。ある
いはこれらの材料に周期律表■族。

Ｖ族の元素などをドープした層でも良い。例えば■族で
は流量比でＢＪｓ／５ＩＨｓ　＝　１〜２０ｖｏｌ　ｐ
ｐｍ　とする。電荷輸送層３中の炭素濃度は１０〜５Ｑ
ａｔｍ％が適当である。また膜厚は１５〜５０μｍとす
るのが良い。

電荷発生層４はアモルファス水素化シリコンまたはアモ
ルファス水素化弗素化シリコンまたはゲルマニウムを含
むアモルファス水素化シリコンからなる。

あるいは、これらの材料に周期律表■族、Ｖ族の元素な
どをドープした層でも良い。例えば■族では電荷輸送層
３と同様に流量比で８２１’１６　／　Ｓ！）１４　＝
１〜２０ＶＯｆｆｉ　Ｉ）ｐｍとする。膜厚は５〜１０
μｍが良い。

５μｍ未満であると感度が不充分であり、１０μｍを越
えると感光体としての帯電性能が低下する。

バッファ層５は電荷発生層４と表面層６との間の材料的
異質性を緩和するためのもので、材料的にはａ　−３！
＋−ｘｃｘ（１１）　　（０＜　Ｘ　＜　１　）　。

ａ　−Ｓｉ＋−ｘｃｘ（Ｆ、Ｈ）　（０＜Ｘ＜　１　）
　、　　ａ−３ｉＮ＋＋（Ｈ）（０＜Ｘ＜４／３）　、
　　ａ　　５ｉＯｘ（ｔｌ）　（０＜Ｘ＜２）　。

ａ　−３＋Ｏｘ　（Ｆ、　Ｈ）　　（０＜　Ｘ　＜　２
　）などを使用できる。

次に、表面層６は水素または水素と弗素によって炭素未
結合手が安定化されたアモルファス炭素からなる。アモ
ルファス炭素とは基本的にはＸ線あるいは電子線による
回折像が明確でなく、たとえ一部が結晶部を含んだとし
てもその比率は低いことを意味している。水素は炭素と
結合してその赤外線吸収スペクトルの少なくとも２９０
０ｃｍ−’近辺に吸収が存在する。表面層６の膜中の水
素濃度は２０〜５０原子％が好ましく、さらに好適には
３０〜５０原子％が望ましい。また、炭素未結合手安定
化の手段として、水素以外に弗素、酸素、窒素を含むこ
とも有効である。

次に、実施例の感光体の製造方法について第２図に概念
的構成図として例示するような製造装置により説明する
。真空槽１１の中にアルミニウム円筒からなる導電性基
体１を基体保持部１２に装着し、真空槽１１内の圧力を
１０−＠Ｔｏｒｒになるように排気ポンプ１６により排
気バルブ１７を介して排気する。基体１の温度を所定温
度、例えば５０〜３５０℃になるように保持部１２内の
ヒータ１４および対向電極１３のヒータ１５により加熱
する。保持部１２と導電性基体ｌは周方向の膜均一性を
出すために回転する。

次に前述のような各層を成膜するに必要な各種の原料ガ
スの圧力容器２１〜２５の中から成膜に必要なガスの圧
力容器バルブ、例えば１８を開け、流量調節計１９を通
し、ストップバルブ２０を開けて、真空槽１１の中に供
給する。他のガスについても同様である。次に、槽内圧
力を所定の圧力、例えば０、００１〜５　Ｔｏｒｒに調
節後、高周波（ＲＦ）電源３１から高周波（１３，５６
Ｍ　Ｈｚ　）電力を絶縁材３２を介して対向電極１３に
供給し、対向電極１３と基体１との間にグロー放電を発
生させて成膜を行う。

第２図には圧力容器およびそれに付属する装置は５セツ
ト示されているが、このセット数は使用するガスの種類
に応じて適宜増減される。

次に、具体的な実施例について述べる。

実施例１ トリクロルエチレンで脱脂洗浄したアルミニウムの円筒
基体１を第２図の製造装置の真空槽１１の保持部１２に
装着し、次の条件で厚さ０．２μｍのブロッキング層２
を形成した。

５ｉＪ（１００％）流量　　　　　　　２５０ｃｃ／分
Ｂ２Ｈ＠（５０００１）Ｉｌｍ、　Ｉ２ベース）流量　
２０ｃｃ／分ガス圧　　　　　　　　　　　　０．５Ｔ
ｏｒｒＲＦ電力　　　　　　　　　　　　５ｏｗ基体温
度　　　　　　　　　　　２００℃成膜時間　　　　　
　　　　　　１０分さらにこの上に次の条件で電荷輸送
層３を厚さ２５μｍに形成した。

５ＩＨ４（１００％）流量　　　　　　　２００ｃｃ／
分口Ｊｓ（２０ｐｐｍ、　Ｈ，ベース）流１　　１０ｃ
ｃ／分Ｃ２Ｈ４（ｔ００％）流量　　　　　　　６０ｃ
ｃ／分ガス圧　　　　　　　　　　　　１．２Ｔｏｒｒ
基体温度　　　　　　　　　　　２００℃ＲＦ電力　　
　　　　　　　　　３００Ｗ成膜時間　　　　　　　　
　　　３時間さらにこの上に次の条件で電荷発生層４を
厚さ６μｍに形成した。

５ＩＨ４（１００％）流量　　　　　　　２００ｃｃ／
分Ｂ２Ｈｇ（２０ｐｐｍ、　）Ｉ２ベース）流１　　１
０ｃｃ／分ガス圧　　　　　　　　　　　　１．２Ｔｏ
ｒｒ基体温度　　　　　　　　　　　２００℃ＲＦ電力
　　　　　　　　　　　　３００Ｗ成膜時間　　　　　
　　　　　　４０分さらにこの上に次の条件でバッファ
層５を厚さ０．１μｍに形成した。

５Ｉ８４（１００％）流１　　　　　　　１００ｃｃ／
分゛ＣＨ４（１００％）流量　　　　　　　８０ｃｃ／
分ＢｔＨｓ（２０００ｐｐｍ、　Ｌベース）流量　１５
ｃｃ／分ガス圧　　　　　　　　　　　　１．　ＱＴｏ
ｒｒＲＦ電力　　　　　　　　　　　　２００Ｗ基体温
度　　　　　　　　　　　２００℃成膜時間　　　　　
　　　　　　２分 最後にこの上に次の条件でａ−Ｃ（Ｈ）表面層６を厚さ
０．３μｍに形成した。

ＣＪ４（１００％）流量　　　　　　　３６ｃｃ／分ガ
ス圧　　　　　　　　　　　　０．　ＩＴｏｒｒＲＦ電
力　　　　　　　　　　　３００Ｗ基体温度　　　　　
　　　　　　１１０℃成膜時間　　　　　　　　　　　
３０分基体温度は赤外線温度計と熱電対により測定した
。

以上のようにして形成した感光体を試料１とする。試料
１における電荷輸送層３のエネルギーギャップＥｇは２
．　ＯｅＶであり、炭素濃度は２Ｑａｔｍ％である。ま
た、電荷発生層４のエネルギーギャップＥｇはｌ、　３
ｅＶである。また、バッファ層５の組成はａ　　Ｓ！ｏ
、ｔｃｏ、５（Ｈ）であり、Ｅｇは２．１ｅＶである。

表面層６のＥｇは２．５ｅＶ　、密度は１．４ｇ　／　
ｃｕｔ　、屈折率は１．７．熱放出により測定した水素
濃度は４５原子パーセントである。

試料１を市販のカールソン方式の普通紙複写機に装着し
５万枚のコピーを実施したが画像濃度が高く極めて鮮明
な画像が得られた。また、５万枚コピー実施後、雰囲気
を変えながらコピーテストを行ったが、３５℃、相対湿
度８５％の雰囲気中におけるコピーにおいても画像は鮮
明であった。

比較例１ 比較のために、試料１と同様の手順で表面層６だけがな
い感光体を作製し、５万枚コピー実施後同様のコピーテ
ストを行ったが、３５℃、相対湿度６０％の雰囲気中で
のコピーにおいてすでに画像分解能が低下し画像ぼけが
生じた。従ってこの表面層を形成することにより耐湿性
が向上することが判る。

表面層６の形成のためには必ずしもＣ，Ｈ，を用いる必
要はなく、各種の炭化水素、例えばＣＨ４゜Ｃ２Ｈ，、
Ｃ，Ｈ，、Ｃ，Ｈ，。、Ｃ□Ｈ，、Ｃ，Ｈ，などのガス
およびこれらのガスと水素や酸素との混合ガスの使用が
可能である。表面層形成の際の基体温度は好適には５０
〜１５０℃が望ましく、単位ガス量適たりのガスの分解
に要するエネルギーは３００〜２００００Ｊ／ｃｃが望
ましい。ガス圧は０．００１〜０．５Ｔｏｒｒが望まし
い。

成膜時には、外部からバイアス電圧を加えることも膜質
の制御上有効である。またＲＦ放電の場合は自然にバイ
アスが発生してくる。これを通常は自己バイアスと呼ん
でいるが、このようなバイアス電圧は＋１００〜＋５Ｑ
ＯＶ、　−１００〜−１５００Ｖが適している。

実施例２ 実施例１と同様ブロッキング層２を形成し、その上に以
下の条件で電荷輸送層３を厚さ２５μｍに形成した。

５ｉＦ４（１００％）流量　　　　　　　２００　ｃｃ
／分ＢＪｓ（２０ｐｐｍ、　Ｈ！ベース）流量　　１０
ｃｃ／分Ｃ２Ｈ，（１００％）流量　　　　　　　６０
ｃｃ／分ガ８圧　　　　　　　　　　　　１．　’１Ｔ
ｏｒｒ基体温度　　　　　　　　　　　２００℃ＲＦ電
力　　　　　　　　　　　　３００Ｗ成膜時間　　　　
　　　　　　　３時間さらにこの上に実施例１と同様に
して電荷発生層４．バッファ層５１表面層６を順次形成
した。

以上のように形成した感光体を試料２とする。

試料２を試料１と同様の普通紙複写機に装着し、５万枚
のコピーを実施したが画像濃度が高く、極めて鮮明な画
像が得られた。また５万枚コピー実施後の３５℃、相対
湿度８５％雰囲気中のコピーにおいても鮮明な画像が得
られた。

比較例２ 比較例として電荷輸送層３と電荷発生層４の機能を一層
で行わないこととし、実施例１と同様にしてブロッキン
グ層を形成し、その上に以下の条件で光導電層を厚さ３
１μｍに形成した。

５ｉｔ１．　（１００％）流量　　　　　　　２００ｃ
ｃ／分Ｂｚ）Ｉｇ（２０ｐｐｍ、　）Ｉ、ベース）流量
　　１０ｃｃ／分ガス圧　　　　　　　　　　　　１．
２Ｔｏｒｒ基体温度　　　　　　　　　　　２００℃Ｒ
Ｆ電力　　　　　　　　　　　３００Ｗ成膜時間　　　
　　　　　　　　３時間４０分さらにこの上に実施例１
と同様にしてバッファ層５１表面層６を順次形成した。

以上のように形成した感光体を試料３とする。

試料３を試料ｌと同様の普通紙複写機に装着し５万枚の
コピーを実施した。画像濃度は試料１゜２に比較し低い
が、鮮明な画像が得られた。試料ｌと３の電気特性を調
べたところ、試料１は試料３に比較して帯電電位が４０
％程高いことが判った。

このことから本発明が有効であることが判る。

比較例３ 比較例として電荷輸送層３と電荷発生Ｊ！１４の機能を
一層で行わせることとし、比較例２と同様な構成で以下
の条件で光導電層を厚さ３１μｍに形成した。

５ｉＨ１（１００％）流量　　　　　　　２００ｃｃ／
分Ｂ２Ｈｓ（２０ｐｐｍ、　Ｈａベース）流量　　１０
ｃｃ／分Ｃ２Ｈ，（１００％）流量　　　　　　　６０
ｃｃ／分ガス圧　　　　　　　　　　　　１．２Ｔｏｒ
ｒ基体温度　　　　　　　　　　　　２００℃ＲＦ電力
　　　　　　　　　　　　３００Ｗ成膜時間　　　　　
　　　　　　３時間４０分以上のように形成した感光体
を試料４とする。

試料４を試料１と同様の普通紙複写機に装着し５万枚コ
ピーを実施した。画像濃度は高いが、全体的に若干地汚
れのある画像が得られた。試料１と４の電気特性を調べ
たところ、試料４は試料１に比較して半減衰露光量感度
で約１／２であることが判った。

以上比較例２．３より本発明が非常に効果のあることが
判る。

実施例３ 実施例１と同様の手順で電荷輸送層３までを形成し、こ
の上に以下の条件で電荷発生層４を厚さ６μｍに形成し
た。

５ＩＦ４（１００％）流量　　　　　　　２００ｃｃ／
分ｅｉｏｓ（２０ｐｐｍ、　）１２ベース）　流量　　
１０ｃｃ／分ガス圧　　　　　　　　　　　　１．２Ｔ
ｏｒｒ基体温度　　　　　　　　　　　２００℃ＲＦ電
力　　　　　　　　　　　３００Ｗ成膜時間　　　　　
　　　　　　４０分さらにこの上に実施例１と同様にし
てバッファ層５１表面層６を順次形成した。

以上のように形成した感光体を試料５とする。

試料５を試料１と同様の普通紙複写機に装着し、５万枚
コピーを実施した。画像濃度が高く、極めて鮮明な画像
が得られた。また５万枚コピー実施後の３５℃１．相対
湿度８５％雰囲気中のコピーにおいても鮮明な画像が得
られた。

実施例４ 実施例１と同様の手順で電荷輸送層３までを形成し、そ
の上に以下の条件で電荷発生層４を厚さ６μｍに形成し
た。

ＳｉＨ４（１００％）流量　　　　　　　２００ｃｃ／
分ＧｅＨ，（１００％）流量　　　　　　　５０ｃｃ／
分ＢＪＩＩ（２０ｐｐｍ、　Ｈ２ベース）　流量　　１
０ｃｃ／分ガス圧　　　　　　　　　　　　１．２Ｔｏ
ｒｒ基体温度　　　　　　　　　　　２００℃ＲＦ電力
　　　　　　　　　　　　３００Ｗ成膜時間　　　　　
　　　　　　４０分さらにこの上に実施例１と同様にし
てバッファ層５１表面層６を順次形成した。以上のよう
に形成した感光体を試料６とする。試料６を試料１と同
様普通紙複写機に装着し、５万枚コピーを実施した。画
像濃度が高く、極めて鮮明な画像が得られた。また５万
枚コピー実施後の３５℃、相対湿度８５％雲囲気中のコ
ピーにおいても、鮮明な画像が得られた。

さらに試料６を市販の半導体レーザーブリンクに装着し
出力したところ、非常に鮮明な画像が得られた。他実施
例の試料においても充分な画像が得られたが、試料６の
方がより鮮明であった。

〔発明の効果〕

本発明によれば、電子写真感光体をアモルファス水素化
炭化シリコンまたはアモルファス水素化弗素化炭化シリ
コンからなる電荷輸送層と、アモルファス水素化シリコ
ンまたはアモルファス水素化弗素化シリコンまたはゲル
マニウムを含むアモルファス水素化シリコンよりなる電
荷発生層と、水素または水素と弗素を含むアモルファス
炭素からなる表面層とを順次積層した構成としたことで
、良好な帯電性能、光感度を発揮し、また、耐湿性。

耐刷性、耐保存性、感光体特性の安定性が飛躍的に向上
した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の感光体の層構成を示す断面
図、第２図は本発明の実施に用いる製造装置の一例の概
念的構成図である。 １　導電性基体、２　ブロッキング層、３　電荷輸送層
、４　電荷発生層、５−バッファ層、６第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）導電性基体上に形成されたアモルファスシリコン系
   材料からなる感光層と、該感光層上に形成された表面層
   とを備えた電子写真用感光体において、前記感光層が基
   体側よりアモルファス水素化炭化シリコンまたはアモル
   ファス水素化弗素化炭化シリコンからなる電荷輸送層と
   、該電荷輸送層上にアモルファス水素化シリコンまたは
   アモルファス水素化弗素化シリコンからなる電荷発生層
   からなり、かつ前記表面層が水素または水素と弗素とを
   舎むアモルファス炭素からなり、少なくともこれら３つ
   の層を順次積層してなることを特徴とする電子写真感光
   体。