JPS6385637A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明はシリコンを光導電層に用いた耐環境性の良好な
電子写真感光体に関し、特に帯電特性、暗減衰特性およ
び光感度特性等を改心した電子写真感光体に係る。

（従来の技術） 水素Ｈを含有するアモルファスシリコン（以下、ａ−３
ＩＨと略す）は、近年光電変換材料として注目されてお
り、太陽電池、薄膜トランジシスタ、およびイメージセ
ンサ等の外、電子写真プロセスの感光体にも応用されて
いる。

電子写真感光体としてのａ−３ＩＨは下記のような特長
を有しているため、従来広く使用されて来た電子写真感
光体の光導電層構成材料、即ちＣｄＳ、ＺｎＯ，Ｓｅ、
若しくは５ｅ−Ｔｅ等の無機材料や、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール（ＰＶＣｚ）若しくはトリニトロフルオレ
ノン（ＴＮＦ）等の有機材料に代る電子写真プロセスの
感光体として注目されている。

第一の特長は、ａ−ＳＩＨが無公害物質であるため、前
記の無機材料および有機材料のように回収処理の必要が
ないことである。

第二の特長は、可視光領域で高い分光感度を有し、また
表面硬度が高く耐摩耗性および耐衝撃性が優れている等
の利点を有していることである。

ｌ記特長を有するａ−３ＩＨは、カールソン方式（ゼロ
グラフィ一方式）による感光体として検討が進められて
いる。この場合、感光体には光感度が高いことのみなら
ず、表面電荷を充分に保持できる高い抵抗が要求される
が、この両特性をａ−３！　Ｈの単一膜＋７４造で満足
させることは困難である。このため、ａ−３ＩＨ光導電
層と導電性支持体との間に障壁層を設け、且つ光導電層
上に表面電荷保持層を設けた積層型の構造とすることに
よって電荷保持能力を高め、上記の要求を満足させる手
段が採用されている。

（発明が解決しようとする問題点） 通常の場合、上記のａ−ＳＩＨ膜はンラン系ガスを使用
したグロー放電分解法により形成され、その際に膜中に
取り込まれる水素によってシリコンのダングリングボン
ドが飽和される。従って、取込まれる水素量の差によっ
て電気的および光学的特性が大きく変動する。

即ち、ａ−３ｉＨ膜に侵入する水素の量が多くなると、
ダングリングボンドの飽和度が高くなって光学的バンド
ギャップが大きくなる。これはａ−ＳＩ　Ｈの抵抗を高
くする反面、長波長光に対する光感度を低下させるため
、例えば長波長の半導体レーザ光源を搭載したレーザビ
ームプリンタに使用するのは困難となる。また、ａ−Ｓ
ＩＨ膜中の水素含有量が過剰になると、成膜条件によっ
てはＳ　１−３　Ｉ結合の開裂を伴って膜中の大部分に
（Ｓ　１Ｈ２）ｎ及びＳｉＨ２等の結合構造が形成され
ることがある。これはボイドの増加をもたらし、また新
たなシリコンダングリングボンドを生成させるため、光
導電特性が劣イヒし、電子写真感光体として使用不能に
なってしまう。

逆にａ−３ｔ　Ｈ中に取込まれる水素の量が低下すると
、光学的バンドギャップは小さくなる。このため抵抗は
小さくなってしまうが、長波長光に対する光感度は増加
する。また、シリコンダングリングボンドが飽和されず
に残留するから、発生するキャリアの移動度が低下し、
キャリア寿命が短くなる。そのため光導電特性が劣化し
、電子写真感光体としては使用し難いものとなる。

上記のように、電子写ｎ感光体の光導電層を単一のａ−
ＳＩ　Ｈ層のみで構成した場合、ａ−ＳＩＨ膜の製造条
件によって特性が大きく変化し、望ましい特性が得られ
ないという問題がある。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ａ−３ｉ　
Ｈ感光体と同様に基板との密着性および耐環境性に優れ
ると共に、帯電能に優れ、残留電位、が低く、しかも近
赤外領域までの広い波長領域に亙って感度が高い電子写
真感光体を提供することを課題とするものである。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 発明者は種々研究を重ねた結果、感光体の少なくとも一
部に、相互に光学的バンドギャップが異なる厚さ３０〜
２００人の薄い半導体層を積層したベテロ接合超格子構
造を使用することによって上記の課題を達成できること
に想到し、本発明に至ったものである。

即ち、本発明による電子写真感光体は、導電性支持体と
、光導電層とを有する電子写真感光体において、前記光
導電層はその少なくとも一部が、厚みが３０〜２００人
でケイ素を母体としてそれぞれ濃度が異なる炭素を含譬
する二種以−Ｉ−の半導体層を積層して構成されている
。そして異なる半導体層の界面近傍において前記炭素の
濃度が連続的に変化することを特徴とする。

上記μｃ−Ｓｌは、粒径が約数十オングストロームの微
結晶シリコンと非晶質シリコンとの混合層により形成さ
れているものと考えられ、以下のような物性上の特徴を
有している。第一に、Ｘ線回折計１定では２θが２８〜
２８．５°付近にある結晶回折パターンを示し、ハロー
のみが現れる無定形のａ−３ｉから明確に区別される。

第二に、μＣ−６ｉの暗抵抗は１０１０Ω・備以−ヒに
調整することかでき、暗抵抗が１０５Ω・αのポリクリ
スタリンシリコンからも明確に区別される。

更に、μｃ−Ｓｉは結晶化度によって光学的バ。ｐＬ ンドギャップ（Ｅｇ　　　）が異なり、結晶化度がｐｔ 増加するとＥｇ　　　は減少する。従って、結晶化度の
異なるμｃ−Ｓｔ薄層の組合せによって超格子構造を形
成することができる。

本発明におけるμｃ−Ｓｌは、所要量の水素を添加する
ことによりμｃ−３ＩＨとして使用するのが望ましい。

これによりμｃ−３１のＥ　ｇ−ｐｔをａｍでき、また
シリコンのダングリングボンドが補償される−ため暗抵
抗と明抵抗との調和がとれ、光導電特性を向上できる。

また、μｃ−８ｒのＥｇ−ｐｔ副調整るために、必要に
応じて炭素、酸素、窒素のうちの少なくとも一種の元素
を含有させてもよい。

なお、実際のμｃ−３Ｉ膜は、製造条件等の具体的な要
因によって弱いＰ型またはＮ型を帯びることが多い（特
にＮ型になり易い）。そこで、超格子構造を形成するた
めに必要なＩ型とするために、夫々逆の導電型を有する
不純物を軽くドープして前記のＰ型またはＮ型を打消す
のが望ましい。

（作用） 本発明の電子写真感光体では、光導電層に前記超格子構
造が設けられているため、この領域では発生したキャリ
アの寿命が長く、移動度も大きくなる。その理論につい
ては未だ充分に確立しているとは言えないが、超格子構
造に特長的な周期的井戸型ポテンシャルによる量子効果
であることは疑いがなく、これは特に超格子効果といわ
れる。

こうして光導電層でのキャリアの移動度が大きくなり、
またキャリアの寿命が長くなることによって電子写真感
光体の感度は著しく向上することになるが、その詳細に
ついては後述する通りである。

また、μｃ−Ｓｉに炭素、酸素、窒素のうちの少なくと
も一種を含有させた場合には、前記のようにバンドギャ
ップを調整するだけでなく、光導電層の抵抗を増大して
表面の電荷保持能力を高めることができる。

（実施例） 第１図は、本発明の一実施例になる電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、１は導電性支持
体である。該導電性支持体の上には障壁層２が形成され
、その上には光導電層３が形成されている。更に、光導
電層３の上には表面層４が形成されている。

第２図は本発明の他の実施例になる電子写真感光体の断
面構造を示す図で、この実施例では電荷発生層および電
荷輸送層からなる機能分離型の先導電層が用いられてい
る。即ち、導電性支持体１及び障壁層２の上に電荷輸送
層５が形成され、該電荷輸送層の上に電荷発生層６が形
成されている。

更に、電荷発生層６の上には表面層４が形成されている
。

上記第１図および第２図の実施例における各部の詳細は
、次に説明する通りである。

導電性支持体１は、通常はアルミニウム製のドラムで構
成される。

障壁層２はμｃ−３ｉやａ−３ｉを用いて形成してもよ
く、またａ−ＢＮ：Ｈ（窒素および水素を添加したアモ
ルファス硼素）を使用してもよい。

更に、絶縁性の膜を用いてもよい。例えば、μＣ−５Ｉ
　Ｈ及びａ−５ｉＨに炭素Ｃ，窒素Ｎ及び酸素Ｏから選
択された元素の一種以上を含有させることにより、高抵
抗の絶縁性障壁層を形成することができる。障壁層２の
膜厚は１００人〜ｔＯｌＩＭが好ましい。

上記障壁層２は、導電性支持体１と光専電層３（または
電荷発生層５）との間の電荷の流れを抑制することによ
り感光体表面の電荷保持機能を高め、感光体の帯電能を
高めるために形成されるものである。従って、半導体層
を障壁層に用いてカールソン方式の感光体を構成する場
合には、表面に帯電させた電荷の保持能力を低下させな
いために、障壁層２をＰ型またはＮ型とする。即ち、感
光体表面を正帯電させる場合には障壁層２をＰ型とし、
表面電荷を中和する電子が光導電層に注入されるの、を
防止する。逆に表面を負帯電させる場合には障壁層２を
Ｎ型とし、表面゛電荷を中和するホールが光導電層へ注
入されるのを防止する。障壁層２から注入されるキャリ
アは光の入射で光導電層３．６内に発生するキャリアに
対してノイズとなるから、上記のようにしてキャリアの
注入を防止することは感度の向上をもたらす。なお、μ
ｃ−３ＩＨやａ−Ｓｔ　ＨをＰ型にするためには、周期
律表の第■族に属する元素、例えば硼素Ｂ、アルミニウ
ムＡ、Ｉ！、ガリウムＧａ、インジウムＩｎ、及びタリ
ウムＴ、ｆ等をドーピングすることが好ましい。また、
μｃ−３ｆＨやａ−３ＩＨをＮ型にするためには周期律
表の第ｖ族に属する元素、例えば窒素、燐Ｐ１砒索Ａｓ
、アンチモンＳｂ１及びビスマスＢｉ等をドーピングす
ることが好ましい。

第１図の実施例における光導電層３および第２図の実施
例における電荷発生層６は、第３図にその断面を拡大し
て示すように、膜厚が夫々３０〜２００人の範囲にある
μｃ−３ｉＨ薄層１１．１２を交互に積層して構成され
ている。μｃ−ＳｉＨ薄層１１の結晶化度は２０％、Ｅ
ｇ−ｐＬは１．６２　ｅＶである。また、μｃ−８ｉ　
Ｈ薄層１２の結晶化度。ｐ【 は７０％、Ｅｇ　　　は１．５３　ｅＶである。これら
μｃ−３Ｉ　Ｈ薄層１１．１２には水素Ｈを０．０１乃
至３０原子％、好ましくは１乃至２５原子％含有させる
。

これにより、シリコンのダングリングボンドが補償され
、暗抵抗と明抵抗との調和がとれ、光尋電特性が向上す
る。

上記のように１．ｃｚ−ｃ−ＳＩＨ薄層１１．１２は光
学的・バンドギャップ（Ｅｇｏｐｔ）が相違するか。　
ｐｔ ら、厚さ方向を横軸、縦軸にＥｇ　　　をとったエネル
ギーバンド図は第４図及び第５図のようになｅｐす る。第４図から明らかなように、Ｅｇ　　　の大きい結
晶化度２０％のμｃ−３ｉ　Ｈ薄層１１がボテンｐｔ シャルバリアとなり、Ｅｇ　　　の小さい結晶化度７０
％のμｃ−３ｉＨ薄層１２がポテンシャル井戸となる周
期的なポテンシャル、即ち超格子ポテンシャルが形成さ
れる。なお、超格子構造を構成す。ｐす る薄層１１．１２の１１４　　　と膜厚を変更すること
により、ペテロ接合超格子構造における見かけのバンド
ギャップを自由に調整することができる。

上記のような超格子構造ではバリア薄層が極めて薄いの
で、電子はトンネル効果によりバリアを通過して超格子
構造中を走行する。また、相互に近接するポテンシャル
井戸のエネルギー準位間で相互に摂動が生じ、超格子構
造全体に広がるエネルギーバンドが形成される（超格子
効果）。このため、超格子構造内ではバルク半導体領域
に比べて著しく大きいキャリア移動度が得られる。また
、前記超格子効果によってキャリアに対する再結合中心
の影響が小さくなり、従ってキャリアの寿命はバルク内
での寿命の５〜１０倍と長くなる。こうして光導電層内
でのキャリアの移動度および寿命が向上することにより
、電子写真感光体としての感度は著しく高くなる。これ
については史に後述する。

第４図が通常の超格子であるのに対し、第５図が本発明
の超格子構造である。第４図のように不連続なバンドギ
ャップを仔する方がキャリアの発生数、移動度等に関し
ては良好であるが、この構造を成膜するには各薄膜を成
膜するごとに高周波電力の印加を止め、反応室内が次の
成膜条件となるまで充分放置しなければならない。この
ため時間のロスを生じ、量産性に乏しい。また界面近傍
で原子が拡散現象を生じるため、このような不連続な境
界は形成しにくい。そこで考案したのが第５図に示すよ
うな本発明の構造である。

図に示されるように、境界近傍だけ光学的バンドギャッ
プを連続的に変化させている。成膜方法としては電カ一
定のまま添加物及び不純物を含むガスの流量を適宜変化
させる。逆に使用するガスの流量を一定にしておいて、
電力を変化させてもよい。

このような方法をとると、成膜条件を変化させても反応
室内は次の条件にすみやかに移行せず、緩衝的な成膜条
件が存在することになる。これが反映されて第５図にみ
られる構造となる。また前述の拡散現象がこれを助ける
。さらに成膜条件の安定を待たずに成膜が行なえるため
成膜時間が著しく短縮され、優れた１産性が得られた。

また膜の変化に連続性をもたせることにより、層間にお
ける膜の密着が良好になった。

第２図の実施例における電荷輸送層５としては、例えば
ａ−３ｉＨ，μｃ−３ｊＨのように障壁層２および電荷
発生層６との被着性が良好なものを。ｐｔ 用いる。その場合、Ｅｇ　　　が前記超格子構造に。ｐ
ｔ おけるポテンシャル井戸のＥｇ　　　と同程度になるよ
うにする。また、ａ−３Ｉ　Ｈやμｃ−ＳｉＨを用いる
場合には、酸素、炭素および／または窒素を添加して抵
抗を増大させ、表面電荷の保持能力を向上させるのが好
ましい。

表面層４は、ａ−ＳｉＮ：Ｈ（窒素および水素を添加し
たアモルファスシリコン）、ａ−３ｉＯ：Ｈ（酸素およ
び水素を添加したアモルファスシリコン）、ａ−３ｉＣ
：Ｈ（炭素および水素を添加したアモルファスシリコン
）等の無機化合物、或いはポリ塩化ビニル及びポリアミ
ド等の有機材料で形成される。このような表面層４を設
けるのは次の理由からである。即ち、光導電層３や電荷
発生層６のａ−Ｓｔ　Ｈ等は屈折率が３乃至３．４と比
較的大きいため、表面での光反射が起き易い。この光反
射は光導電層３または電荷発生層６に吸収される光量の
割合を低下させ、光損失を大きするため、表面層４を設
けて反射を防止するのである。

また、表面層４を設けることによって光導電層３又は電
荷発生層６を損傷から保護し、史に帯電能を向上して表
面に電荷が良くのるようにすることができる。

次に、」１記実施例の電子写真感光体を構成するμｃ−
Ｓｉ　Ｈ膜、ａ−８［Ｈ膜を形彫する方法について説明
する。

ａ−５ＩＨ膜はグロー放電分解法で形成することができ
る。即ち、原料として５ｉＨａ及びＳｉ２Ｈ６等のシラ
ン類ガスを反応室に導入し、高周波によりグロー放電す
ることにより、ａ−Ｓｉ薄層を成膜すると同時に、該薄
層中にＨを添加することができる。この場合、必要に応
じて水素またはヘリウムをシラン類のキャリアガスとし
て使用することができる。水素をキャリアガスに使用す
れば、５ｉＦａガス及びＳ　ｉ　Ｃ１＜ガス等のハロゲ
ン化珪素を原料ガスとして使用することができる。また
、シランン類ガスとしてハロゲン化硅素ガスとの混合ガ
スで反応させても、同様にＨを含有するａ−３ｉＨを成
膜することができる。

なお、グロー放電分解法によらず、例えばスパッタリン
グ等の物理的な方法によっても、これ等の薄層を形成す
ることができる。

μｃ−５ｌ　も、ａ−ＳＩＨの場合と同様の高周波グロ
ー放電分解法により、シランガスを原料として形成する
ことができる。その場合、成膜基体の温度をａ−ＳｉＨ
を形成する場合よりも高く設定し、且つ高周波電力をａ
−８ｉＨの場合よりも高く設定することにより、μｃ−
８ｉ　Ｈを形成し易くなると共に、シランガス等の原料
ガスの流量を増大させて成膜速度を早くすることができ
る。

また、原料ガスの５ｉＨａ及び５ｉ２Ｈｅ二Ｇの高次の
シランガスを水素で稀釈したガスを使用すれば、μｃ−
３ＩＨを一層効率良く形成することができる。

既述のように障壁層２としてａ−ＢＮ：Ｈ層を用いるこ
ともできるか、この成膜にはＢ２　Ｈ［ｉとＮ２もしく
はＮＨ３の高周波グロー放電分解法による。

以下に第６図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放電法により製造する装置、推びに製造方法を説
明する。同図において、ガスボンベ２１，２２，２３．
２４には、例えば夫々５ｉＨａ、Ｂ２　Ｈ６，Ｈ２，Ｃ
Ｈ４等の原料ガスが収容されている。これらガスボンベ
内のガスは、流２調整用のバルブ２６及び配管２７を介
して混容器２８に供給されるようになっている。各ボン
ベには圧力計２５か設置されており、該圧力計２５を監
視しつつバルブ２６を調整することにより混合器２８に
供給する各原料ガスの流量及び混合比を調節できる。混
合器２８にて混合されたガスは反応容器２つに供給され
る。反応容器２９の底部３１には、回転軸３０が鉛直方
向の回りに回転可能に取付けられている。該回転軸３０
の上端に、円板状の支持筒３２がその面を回転軸３０に
垂直にして固定されている。反応容器２９内には、円筒
状の電極３３がその軸中心を回転軸３０の軸中心と一致
させて底部３１上に設置されている。

感光体のドラム基体３４が支持台３２上にその軸中心を
回転軸３０の軸中心と一致させて載置されており、この
ドラム基体３４の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３
５が配設されている。電極３３とドラム基体３４との間
には高周波電源３６が接続されており、電極３３および
ドラム基体３４間に高周波電流が供給されるようになっ
ている。回転軸３０はモータ３８により回転駆動される
。反応容器２つ内の圧力は圧力計３７により監視され、
反応容器２つはゲートバルブ３８を介して真空ポンプ等
の適宜の排気手段に連結されている。

」１記製造装置により感光体を製造する場合には、反応
容器２９内にドラム基体３４を設置した後、ゲートバル
ブ３９を開にして反応容器２９内を約０、Ｉ　Ｔｏｒｒ
の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ２１．２２．２
３．２４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合して
反応容器２９内に導入する。

この場合に、反応容器２９内に導入するガス流量は反応
容器２９内の圧力が０．１乃至１．０１’ｏｒｒになる
ように設定する。次いで、モータ３８を作動させてドラ
ム基体３４を回転させ、ヒータ３５によりドラム基体３
４を一定温度に加熱すると共に、高周波電源３６により
電極３３とドラム基体３４との間に高周波電流を供給し
て、両者間にグロー放電を形成する。これにより、ドラ
ム基体３４上にμｃ−ＳｉＨやａ−ＳＩＨが堆積する。

なお、原料ガス中にＮ２０．ＮＨ３、ＮＯ２、Ｎ２　。

ＣＨａ　、Ｃ２Ｈａ　、０２ガス等を使用することによ
り、これらの元素をμｃ−ＳＩＨやａ−３ｊＨ中に含有
させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で製造することができるため、
人体に対して安全である。

最後に、本発明に係る電子写真感光体を成膜し、電子写
真特性を試験した結果について説明する。

製造例および特性試験例 試験例１ 必要に応じて干渉防止のための酸処理、アルカリ処理お
よびサンドブラスト処理を施した直径８０ｍｍ、幅３５
０ｎ＋＋ｎのアルミニウム製ドラム基体を反応容器内に
装着し、反応容器を約１０″″５　Ｔｏｒｒの真空度に
排気した。ドラム基体を２５０℃に加熱し、１０　ｒｐ
ｍで自転させツツ、５ｉＨｔガスを５００３ＣＣＭ、Ｂ
２　Ｈ６ガスを５ｉＨＡガスに対する流量比で１０−８
、ＣＨａガスを１００３ＣＣ）Ｉの流量で反応容器内に
導入し、反応容器内をｌ　Ｔｏｒｒに調節した。

続いて１３．５８　Ｍｌｌｚの高周波電力を印加してプ
ラズマを生起させ、Ｐ型のａ−３Ｉ　Ｈ障壁層を形成し
た。

次いで、Ｂ２Ｈａ／５ｉＨａ比を１０−７、ＣＨａガス
をＯに設定し、５００Ｗの高周波電力を投入して膜厚２
０ｕのｌ型ａ−３ＩＨ電イ：：ｊ輸送層を形成した。

次に、放電を一旦停止して５ｉＨａガスを３００ＳＣＣ
Ｍを導入して、Ｂ；＋Ｈｅ／５ｉＨａ比を５Ｘ１０−６
とし、かつＣＨａガスを２８ＣＣＭ導入すると共に、反
応圧力を０．７　Ｔｏｒｒに調節した後、２００ｋＷの
高周波電力を印加して膜厚５０人のａ−３ｉＣ：Ｈ薄層
を形成した。続いて高周波電力を印加したままでＣＨａ
ガスの流量を３０３ＣＣＭとし、膜厚５０人のａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ薄層を形成した。このような操作を繰返して、５
００層のａ−ＳｉＣ：Ｈ層とバンドギャップの異なる５
００層のａ−ＳｉＣ：Ｈ層を交互に積層し、ヘテロ接合
超格子構造の電荷発生層を５μｍの厚さに形成した。次
いで、表面層として厚さ０．５μｍのａ−ＳｉＣ：Ｈ表
面層を形成した。

このようにして形成した感光体表面を約５００ｖで正帯
電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収
され、電子正孔対のキャリアが発生する。この試験例で
は多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が高く、高
い走行性が得られた。

その結果、鮮明で高品質の画像が得られた。また、この
試験例で製造された感光体を繰返し帯電させたところ、
転写画像の１１１現性および安定性は極めて良好であり
、更に、耐コロナ性、耐湿性、および耐摩耗性等の耐久
性が優れていることが実証された。

加えて、このようにして製造された感光体は半導体レー
ザの発振波長である７８０乃至７！ＪＱ　ｎｍの長波長
光に対しても高い感度を有する。この感光体を半導体レ
ーザプリンタに搭載してカールソンプロセスにより画像
を形成したところ、感光体表面の露光口が２５　ｅｒｇ
／ｃＭ２である場合でも、鮮明で高解像度の画像を得る
ことができた。

試験例２ この試験例においては試験例１においてＰ型ａ−３ｉＣ
：Ｈ障壁層をＰ型μｃ−５ｉＣ：Ｈとした。条件は５ｉ
Ｈａガスを５０ＳＣＣＭ、Ｈ２ガスをＩ　ＳＣＣＭ、Ｃ
Ｈｔを２　ＳＣＣＭそしてＢ２　Ｈｅガスを５ｉＨｉガ
スに対する流量比で５Ｘ１０−３という流量で反応室内
に導入すると共に、反応圧力を１．２　Ｔｏｒｒに調節
した後、ｌ　　ｋＷの高周波電力を印加して膜厚５００
０人のμｃ−ＳｉＣ：Ｈ薄層を形成した。この薄層の結
晶化度は７０％、結晶粒径は４０人であった。

このようにして形成した感光体表面に試験例１と同様に
画像を形成させたところ、鮮明で高品質の画像が得られ
た。

なお、上記の例では電荷発生層の厚みを５．５μｍとし
たが、これに限らず１または３μｍ等に設定しても感光
体として実用可能である。薄層は、上記試験例のａ−Ｓ
ｉＨｌ及びμｃ−ＳｉＨに限らないことはもちろんであ
る。

［発明の効果］ 以上詳述したように、本発明の電気写真感光体では光導
電層の一部または全部に、光学的バンドギャップが相互
に異なる薄層を積層して構成される超格子構造を使用す
るから、可視光から近赤外光の広い波長領域に亙って高
感度であり、キャリアの走行性が高いと共に、高抵抗で
帯電特性が優れる等、顕著な効果を得ることができる。

特に、本発明では薄層を形成する材料を適宜組合わせる
ことにより、任意の波長帯の光に対して最適の光導電特
性を有する感光体を得ることができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例になる電子写真感光体を示す
断面図であり、第２図は他の実施例になる電子写真感光
体を示す断面図、第３図は第１図および第２図の一部を
拡大して示す断面図、第４図は超格子構造のエネルギー
バンドを示す図、第５図は本発明の超格子構造のエネル
ギーバンドを示す図、第６図は本発明の電子写真感光体
を製造する装置を示す図である。 １・・・導電性支持体、２・・・障壁層、３・・・光導
電層、４・・・表面層、５・・・電荷輸送層、６・・・
電荷発生層、１ｌ−ｐｃ−３ｉＨ薄層、１２・−ａ−３
ｉ　Ｈ薄層出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１図 第３図 第４図 第５図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と、光導電層とを有する電子写真感
   光体において、前記光導電層は、その少なくとも一部が
   厚さ３０〜２００Åで珪素とそれぞれ濃度が異なる炭素
   を含有した非晶質材を交互に積層して構成され、かつ異
   なる半導体層の界面近傍において前記炭素の濃度が連続
   的に変化していることを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）前記光導電層は、周期律表の第III族または第Ｖ
   族に属する元素から選択された少なくとも一種の元素を
   含有することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
   載の電子写真感光体。
3. （３）前記光導電層と支持体との間に非晶質材又はその
   少なくとも一部が微結晶化した半導体材料からなる障壁
   層が介挿されていることを特徴とする特許請求の範囲第
   （１）項に記載の電子写真感光体。
4. （４）前記障壁層は、周期律表の第III族または第Ｖ族
   に属する元素から選択された少なくとも一種の元素を含
   有することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
   の電子写真感光体。
5. （５）前記光導電層は炭素、酸素、窒素のうち少なくと
   も一種の元素を含有することを特徴とする特許請求の範
   囲第（３）項又は第（４）項記載の電子写真感光体。
6. （６）前記光導電層上に表面層が形成されていることを
   特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真感
   光体。