JPS63113545A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は、帯電特性、Ｆｆ＃減衰特性、光感度特性及
び耐環境性等が優れた電子写真感光体に関する。

［従来の技術］ 水素（Ｈ）を含有するアモルファスシリコン（以下、ａ
−８１：Ｈと略す）は、近年、光電変換材料として注目
されておシ、太陽電池、薄膜トランゾスタ、及びイメー
ジセンサ等のほか、電子写真プロセスの感光体として応
用されている。

従来、電子写真感光体の光導電層を構成する材料として
、ＣｄＳ　、　ＺｎＯ、Ｓｓ　、若しくは５ｓ−Ｔａ等
の無機材料又はポＩＪ　−Ｎ−ビニルカルバゾール（Ｐ
ＶＣｚ　）若しくはトリニトロフルオレノン（ＴＮＦ’
）等の有機材料が使用されていた。しかしながら、ａ　
−８１：　Ｈはこれらの無機材料又は有機材料に比して
、無公害物質であるため回収処理の必要がないこと、可
視光領域で旨い分光感度を有すること、並びに表面硬度
が高く耐磨耗性及び耐衝撃性が優れていること等の利点
を有している。このため、ａ　−８１：　Ｈは電子写真
プロセスの感光体として注目されている。

このａ　−８１：　Ｈは、カールソン方式に基づく感光
体として検討が進められているが、この場合。

感光体特性として抵抗及び光感度が高いことが要求され
る。しかしながら、この両特性を単一の感光体で満足さ
せることが困難であるため、光導電層と導電性支持体と
の間に障壁層を設け、かつ光導電層上に表面電荷保持層
を設けた積層型の構造にすることにより、このような要
求を満足させている。

［発明が解決しようとする問題点］ ところで、ａ−８１：Ｈは１通常、シラン系ガスを使用
したグロー放電分解法によ多形成されるが、この際に、
＆　−Ｓｉ：　Ｈ膜中に水素が取シ込まれ、水素量の差
によシミ気的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、
ａ−８ｉ：Ｈ膜に侵入する水素の量が多くなると、光学
的バンドギャップが大きくなシ、ａ−８ｉ：Ｈの抵抗が
高くなるが、それにともない、長波長光に対する光感反
が低下してしまうので、例えば、半導体レーデを搭載し
たレーデビームプリンタに使用することが困難である。

また、ａ　−Ｓｉ：　Ｈ膜中の水素の含有量が多くなる
と、成膜条件によって、（ＳｉＨ２）ｎ及びＳｉＨ２等
の結合構造を有するものが膜中で大部分の領域を占める
場合がある。そうすると、ゲイトが増加し、シリコンダ
ングリングボンドが増加するため、光導電特性が劣化し
、電子写真感光体として使用不能になる。逆に、ａ−８
ｉ：Ｈ中に取込まれる水素の量が低下すると、光学的バ
ンドギャップが小さくなシ、その抵抗が小さくなるが、
長波長光に対する光感度が増加する。しかし、水素含有
量が少ないと、シリコンダングリングボンドと結合して
これを減少させるべき水素が少なくなる。このため、発
生するキャリアの移動度が低下し、寿命が短くなると共
に、光導電特性が劣化してしまい、電子写真感光体とし
て使用し難いものとなる。

このように、電子写真感光体の光導電層を単一のａ　−
Ｓｉ：　Ｈ層のみで構成したのでは、ａ　−８ｉ　：　
Ｈ層の製造条件によって特性が大きく変化し、望ましい
特性が得られないという問題がある。

この発明は、かかる事慣に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れておシ、残留電位が低く。

近赤外領域までの広い波長領域に亘って感度が高く、基
板との密着性が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体
を提供することを目的とする。

［発明の構成コ （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、種々研究を重ねた結果、電子写真感光体
の光導電層を電荷保持層と電荷発生層とによシ構成し、
そのうち電荷発生層をシリコンを母体とした非晶質材料
により構成し、電荷保持層に所定の複数の半導体膜の積
層即ち超格子構造の領域を形成することにより、上記目
的を達成し得ることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。

即ち、本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と光導
電層とを具備する電子写真感光体において、前記光導電
層は電荷発生層と電荷保持層とを有し、前記電荷発生層
はシリコンを母体とした非晶質材料からなり、前記電荷
保持層はシリコンを母体とし炭素、酸素、および窒素か
らなる群から選択された元素の少なくとも一種を含む非
晶質膜とシリコンを母体としその少なくとも一部が微結
晶化した半導体膜とを交互に積層した領域を有すること
を特徴とする。

本発明において用いる、シリコンを母体としその少なく
とも一部が微結晶化した半導体は、一般にマイクロクリ
スタリンシリコン（μｃ−８ｉ）と呼ばれるものである
。

上記μｃ−３１は、粒径が約数十オンゲストロムの微結
晶シリコンと非晶質シリコンとの混合層によシ形成され
ているものと考えられ、以下のような物性上の特徴を有
している。第一に、Ｘａ回折測定では２θが２８〜２８
．５’付近にある結晶回折パターンを示し、ハローのみ
が現れる無定形のａ−８１から明確に区別される。第二
に、μｃ　−８１の暗抵抗は１０１０Ω・副以上に調整
することができ、暗抵抗がｌＯ５Ω・譚のポリクリスタ
リンシリコンからも明確に区別される。

本発明で用いる上記μｃ　−Ｓｌの光学的バンドギャッ
プ（Ｅｇ＠）は、例えば１．５５　ｅＶとするのが望ま
しい。しかし、一定の範囲で任意に設定することができ
る。望ましいＥｇｏを得るため夫々に所要量の水素を添
加し、μｃ　−Ｓｌ：Ｈとして使用するのが好ましい。

これによシ、シリコンのダングリングボンドが補償され
、暗抵抗と明抵抗との調和がとれ、光導電特性が向上す
る。

なお、実際のμｃ　−Ｓｌ膜は、製造条件等の具体的な
要因によって弱いＰ型またはＮ型を帯びることが多い（
％にＮ型になシ易い）。そこで、超格子構造を形成する
ために必要なＩ型とするために、夫々逆の導電型を有す
る不純物を軽くドーグして前記のＰ型またはＮ型を打消
すのが望ましい。

（作用） 本発明の電子写真感光体では、電荷保持層に前記超格子
構造が設けられているため、この領域では発生したキャ
リアの寿命が長く、移動度も大きくなる。その理論につ
いては未だ充分に確立しているとは言えないが、超格子
構造に特徴的な周期的井戸型ポテンシャルによる量子効
果であることは疑いがなく、これは特に超格子効果とい
われる。

こうして電荷保持層でのキャリアの移動度が大きくなシ
、またキャリアの寿命が長くなることによって電子写真
感光体の感度は著しく向上することになる。

（実施例） 第１図は、本発明の一実施例に係る電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、導電性支持体１
の上に障壁層２が形成され、その上に電荷保持層５およ
び電荷発生層６からなる光導電層３が形成されている。

また、電荷発生層６の上に表面層４が形成されている。

なお、電荷保持層５は超格子構造を有している。

第２図は、本発明の他の実施例に係る電子写真感光体の
断面構造を示す。第２図に示す感光体では、電荷保持層
の一部が超格子構造を有している。

以下、第１図に示す電子写真感光体の構成について、よ
シ詳細に説明する。

導電性支持体ｌは、通常はアルミニウム製のドラムで構
成される。

障壁層２はμｃ−８１やａ　−Ｓｔ：　Ｈを用いて形成
してもよく、またａ　−ＢＮ：Ｈ（窒素および水素を添
加したアモルファス硼素）を使用してもよい。更に、絶
縁性の膜を用いてもよい。例えばμｃ−Ｓｉ：Ｈ及びａ
−８ｌ：Ｈに炭素Ｃ１窒索Ｎ及び酸素０から選択された
元素の一種以上を含有させることによシ、高抵抗の絶縁
性障壁層を形成することができる。障壁層２の膜厚は１
０．ＯＸ−１０ｔｔＩ！＋が好ましい。

上記障壁層２は、導電性支持体１と電荷発生層５との間
の電荷の流れを抑制することによシ感光体表面の電荷保
持機能を高め、感光体の帯電能を高めるために形成され
るものである。従って、半導体層を障壁層に用いてカー
ルソン方式の感光体を構成する場合には、表面に帯電さ
せた電荷の保持能力を低下させないために、障壁層２を
Ｐ型またはＮ型とする。即ち、感光体表面を正帯電させ
る場合には障壁層２をＰ型とし、表面電荷を中和する電
子が電荷発生層を注入されるのを防止する。

逆に表面を負帯電させる場合には障壁層２をＮ型とし、
表面電荷を中和するホールが電荷発生層へ注入されるの
を防止する。障壁層２から注入されるキャリアは元の入
射で電荷発生層６内に発生するキャリアに対してノイズ
となるから、上記のようにしてキャリアの注入を防止す
ることは感度の向上をもたらす。なお、μｃ　−Ｓｉ：
　Ｈ＋ａ　−Ｓｌ：　ＨをＰ型にするためには、周期律
表の第ｍ族に属する元素、例えば硼素Ｂ、アルミニウム
Ａｔ、ガリウムＧム、インゾウムＩｎ　、及びタリウム
Ｔｔ＠−をドーピングすることが好ましい。また、μｃ
−８ｉ：Ｈやａ　−Ｓｔ　：Ｈ’ｉｚＮ型にするために
は周期律表の第Ｖ族に属する元素１例えば窒素期硼素Ａ
ｓ　、アンチモンＳｂ、及びビスマスＢｉ等をドーピン
グすることが好ましい。

電荷発生層６は、光の入射によりキャリアを発生し、こ
のキャリアは、−万の極性のものが感光体表面の帯１！
電荷と中和し、他方のものが電荷保持層５内を走行して
４ｉＩＬ性支持体１に到達する。

電荷保持層５は、第３図にその断面を拡大して示すよう
に、ａ−８ｉからなる薄Ｎ１１とμｃ−８ｔからなる薄
層１２とを交互に積ｔａして構成されている。薄層１１
，１２ｄ、光学的バンドギャップが相違し、それぞれ厚
みが３０〜２００Ｘの範囲にある。

第４図は横軸に厚み方向をとシ、縦軸に光学的バンドギ
ャップをとって示す超格子構造のエネルギバンド図であ
る。このように、光学的バンドギャップが相互に異なる
薄層を積層することによって、光学的バンドギャップの
大きさ自体に拘シなく、光学的バンドギャップが小さい
層を基準にして光学的バンドギャップが大きな層がバリ
アとなる周期的なポテンシャルバリアを有する超格子構
造が形成される。この超格子構造においては、バリア薄
層が極めて薄いので、薄層におけるキャリアのトンネル
効果によシ、キャリアはバリアを通過して超格子構造中
を走行する。また、このような超格子構造においては、
元の入射によ多発生するキャリアの数が多い。従って、
光感度が高い。

なお、超格子構造の薄層のバンドギャップと層厚を変更
することによシ、ヘテロ接合超格子構造を有する層のみ
かけのバンドギャップを自由に調整することができる。

電荷保持層５訃よび電荷発生層６を構成するａ−８１：
Ｈおよびμｃ　−８１：　Ｈにおける水素の含有量は、
０．０１〜３０原子チが好ましく、１〜２５原子チがよ
シ好ましい。このような水素の含有量により、シリコン
のダングリングゲンドが補償され、暗抵抗と明抵抗とが
調和のとれたものとなり、光導電特性が向上する。

ａ　−Ｓｔ：　Ｈ層をグロー放電分解法により成膜する
には、原料としてＳ　ＩＨ４及び５１２Ｈ６等のシラン
類ガスを反応室に導入し、高周波によりグロー放電する
ことにより薄層中にＨを添加することができる。必要に
応じて、シラン類のキャリアガスとして水素又はヘリウ
ムをガスを使用することができる。一方、　５ＩＦ４ガ
ス及び５ｔｃｒ４ガス等の７１０グン化ケイ素を原料ガ
スとして使用することができる。

また、シラン類ガスと７１０ｒン化ケイ素ガスとの混合
ガスで反応させても、同様にＨを含有するａ−８ｉ：Ｈ
を成膜することができる。なお、グロー放電分解法によ
らず、例えば、ス・ヤツタリング等の物理的な方法によ
ってもこれ等の薄層を形成することができる。

μｃ　−Ｓ１層も、ａ　−Ｓｌ：　Ｈと同様に、高周波
グロー放電分解法によシ、シランガスを原料として、成
膜することができる。この場合に、支持体の温度をａ−
８１：Ｈを形成する場合よシも高く設足し、高周波を力
ａ　−Ｓｉ：　Ｈの場合よシも高く設定すると、μｃ−
８ｔ：Ｈを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高
周波電力を高くすることによシ、シランガスなどの原料
ガスの流量を増大させることができ、その結果、成膜速
度を早くすることができる。また、原料ガスのＳｉＨ４
及び５ｔ２ｆ（６等の高次のシランガスを水素で希釈し
たガスを使用することにより、μｃ−８ｔ：Ｈを一層高
効率で形成することができる。

μｃ　−８１：　Ｈ及び”　−Ｓｉ　：　ＨをＰ型にす
るためには、周期律表の第ｍ族に属する元素、例えば、
ホウ素Ｂ、アルミニウムＡＩ　、ガリウムＱａ、インソ
ウムＩｎ　、及びタリウムＴＩ等をドーピングすること
が好ましく、ｐｃ　−Ｓｉ：Ｈ及びａ　−８１：Ｈｋ　
Ｎ型にするためには、周期律表の第Ｖ族に属する元素、
例えば、窒ｉＮ、リンＰ、ヒ索Ａｓ　、アンチモンＳｂ
、及びビスマスａｔ等をドーピングすることが好ましい
。

このｐ型不純物又はｎ型不純物のドーピングによシ、支
持体側から光導電層へ電荷が移動することが防止される
。一方、μｅ　−Ｓｉ：Ｈ及びａ−８１：Ｈに、炭素Ｃ
％窒素Ｎ及び＃Ｒ素Ｏから選択された少なくともｘＭの
元素を含有させることによシ、高抵抗とし、表面電荷保
持能力を増大させることができる。これら元素の含有量
は５〜４０原子饅、好ましくは１０〜３０原子チである
。

電荷発生層６の上に表面層４が設けられている。

電荷発生層６のａ　−Ｓｌ：　Ｈ等は、その屈折率が３
乃至３．４と比較的大きいため、表面での光反射が起き
やすい。このような光反射が生じると、光導電層又は電
荷発生層に吸収される光量の割合いが低下し、光損失が
大きくなる。このため、表面層４を設けて反射を防止す
ることが好ましい。また、表面層４を設けることによシ
、！荷発生層６が損傷から保諌される。さらに、表面層
を形成することによシ、帯電能が向上し、表面に電荷が
よくのるようになる。表面層を形成する材料としては、
ａ　−ＳＩＮ：Ｈ％ｍ　−８１０：Ｈ、及びａ　−８１
Ｃ：Ｈ等の無機化合物並びにポリ塩化ビニル及びポリア
ミド等の有機材料がある。

このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電によシ約５００Ｖの正電圧で帯電させると、第６図
に示すように、ポテンシャルバリアが形成される。この
感光体に光（ｈν）が入射すると、電荷発生層６で電子
と正孔のキャリアが発生する。この伝導帯の電子は、感
光体中の電界によシ、表面層４側に向けて加速され、正
孔は導電性支持体１側に向けて加速される。この場合に
、電荷保持層５では、ポテンシャルの井戸層において、
量子効果の丸めに、超格子構造でない単一層の場合に比
して、キャリアの寿命が５乃至１０倍と長い。更に、超
格子構造においては、バンドギャップの不連続性によシ
、周期的なバリア層が形成されるが、キャリアはトンネ
ル効果で容易にバイアス層を通シ抜けるので、キャリア
の実効移動度はバルクにおける移動度と同等であシ、キ
ャリアの走行性が優れている。

以上のごとく、光学的バンドギャップが相違する薄層を
積層した超格子構造によれば、高光導電特性を得ること
ができ、従来の感光体よシも鮮明な画像を得ることがで
きる。

以下に第５図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放電法によシ製造する装置！、並びに製造方法を
説明する。同図において、ガスボンベ２１．２２，２３
．２４には、例えば夫々５ＩＨ４゜Ｂ２Ｈ６，Ｈ２，Ｃ
Ｈ４等の原料ガスが収容されている。

これらガスデンペ内のガスは、流ｔｖ４整用のパルプ２
６及び配管２７ｔ−介して混合器２８に供給されるよう
になっている。各ボンベには圧力計２５が設置されてお
シ、該圧力計２５を監視しつつパルプ２６ｔ−調整する
ことによシ混合！ａ２８に供給する各原料ガスの流量及
び混合比を調節できる。

混合器２８にて混合されたガスは反応容器２９に供給さ
れる。反応容器２９の底部３１には１回転軸３０が鉛直
方向の回りに回転５］能に取付けられている。該回転軸
３０の上端に、円板状の支持第３２がその面を回転軸３
０に垂直にして固定されている。反応容器２９内には、
円筒状の電極３３がその軸中心を回転＠３０の軸中心と
一致させて底部３１上に設置されている。感光体のドラ
ム基体３４が支持台３２上にその軸中心を回転軸３０の
軸中心と一致させてＳ！置されておシ、このドラム基体
３４の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３５が配設さ
れている。を極３３とドラム基体３４との間には高周波
電源３６が接続されておシ、を極３３およびドラム基体
３４間に高周波電流が供給されるようになっている。回
転軸３０はモータ３８により回転駆動される。反応容器
２９内の圧力は圧力計３７によシ監視され、反応容器２
９はダートパルプ３８を介して真壁ポンプ等の適宜の排
気手段に連結されている。

上記製造装置によシ感光体を製造する場合には、反応容
器２９内にドラム基体３４ｔ−設置した後、ｒ−トバル
ブ３９を開にして反応容器２９内を約０、１　Ｔｏｒｒ
の圧力以下に排気する。久いで、ゴンベ２１．２２，２
３．２４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合して
反応容器２９内に導入する。

この場合に１反応容器２９内に導入するガス流量は反応
容器２９内の圧力が０．１乃至１．　Ｑ　Ｔｏｒｒにな
るように設定する。次いで、モータ３８を作動させてド
ラム基体３４を回転させ、ヒータ３５にょシトラム基体
３４を一定温度に加熱すると共に、高Ｊｌｄ波電源３６
１／Ｃよシミ極３３とドラム基体３４との間に高周波’
に流を供給して、両者間にグロー放電を形成する。これ
によシ、ドラム基体３４上にａ　＝　Ｓｉ：　Ｈが堆積
する。なお、原料ガス中にＮ２０　、　ＮＨ３，Ｎｏ２
．　Ｎ２ｊ　ＣＨ４，Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用する
ことによシ、これらの元素をａ−８ｌ：Ｈ中に含有させ
ることができる。

このよりに、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で、Ｍ造することができるため
、人体に対して安全である。

久て、この発明に係るｔ子写Ｘ感元体を成模し、電子写
真特性を試験した結果について説明する。

試験例 必要に応じて、干渉防止のために、酸処理、アルカリ処
理及びサンドブラスト処理を施した直径が８０ｍ、幅が
３５０１のアルミニウム製ドラム基体を反応容器内に装
着し、反応容器を約１０−５トルの真空度に排気した。

ドラム基体を２５０１：に加熱し、１０　ｒｐｍで自転
させつつ、ＳｉＨ４ガスを５００　ＥＣＣＭ、Ｂ２Ｈ６
ガスを５ＩＨ４ガスに対する流量比で１０　％ｃＨ４ガ
スを１００８ＣＣ’、■という流量で反応容器内に導入
し、反応容器内の圧力’ｔｌトルに調節した。そして、
１３．５６　Ｍｆｌｚの高周波電力を印加してプラズマ
を生起させ、ドラム基体上にＰ型の＆　−ＳｉＣ：　、
）（障壁層を形成した。

次に１放電を一旦停止し、　　ＳｉＨ４ガスを１５０Ｓ
ＣＣＭ　、　Ｎ２ｊスを１２００　ＳＣＣＭとい５訛訃
で反応容器内に導入し、反応容器内の圧力を１．２　Ｔ
ｏｒｒに調節したのち、ｌｋｗの高周波電力を印加し、
１００Ｘのμｃ　−８１：　Ｈ薄層を形成した。次いで
、ｃＨ４ガス′Ｊｆｃ７．５　Ｓα溝の流量で導入し、
４００Ｗの藁周波電力を印加して、５０Ｘのａ−Ｓｉ：
Ｈ薄ＮＪを形成した。このような操作を繰返して、８０
０層のμｃ　−８１Ｃ：　Ｈ薄ａと８００層のａ　−Ｓ
ＩＣ：　Ｈ薄層とを交互に積層し、ヘテロ接合超格子構
造の電荷保持層を１５μｍ形成した。

その後、ＳｉＨ，ガスを５００８ＣＣＭの流量で、Ｂ２
Ｈ６ガスをＳ　ｉＨ４ガス圧対する流量比でＩ　Ｘ　１
０−６となるような流量で反応容器内に導入し、反応容
器内の圧力をＩ　Ｔｏｒｒ　Ｋ調ｉしたのち、５００Ｗ
の高周波電力を印加し、５１ｔｒｎのａ−３ｉ重電荷生
層を形成した。

最後に、０．５μ【ｎのａ−８ｔ：１（表面層を形成し
た。

このようにして形成した感光体表面を約５００Ｖで正帯
′ぼし、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸
収され、電子正孔対のキャリアが発生する。この試１験
例においては、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿
命が高く、高い走行性が得られた。これにより、鮮明で
高品質の画像が得られた。また、この試験例で製造され
た感光体を、繰返し帯電させたところ、転写画像の再現
性及び安定性は極めて良好であシ、更に、耐コロナ性、
耐湿性、及び耐磨耗性等の耐久性が優れていることが実
証された。

また、ｖｉ電荷保持層構成する薄層の種類は、上記試験
例のように２種類に限らず、３種類以上のＷ＃層を積層
しても良く、要するに、光学的バンドギャップが相違す
る薄層の境界全形成すれば良い。

［発明の効果コ この発明によれば、電荷保持層の一部又は全部に、光学
的バンドギャップが相互に異なるＲ層を積層して構成さ
れる超格子構造を使用するから、キャリアの走行性が高
いと共に、高抵抗で帯ＴＪＬ特性が優れた電子写真感光
体を得ることができる。

特に、この発明においては、薄層を形成する材料を適宜
組み合わせることによシ、任意の波長帯の光に対して最
適の光導電特性を有する感光体を得ることができるとい
う利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体を示す
断面図、第２図は同じく他の実施例に係る電子写真感光
体を示す断面図、第３図は第１図一部拡大断面図、第４
図は超格子構造のエネルギバンドを示す図、第５図はこ
の発明の実施例に係る電子写真感光体の製造装置を示す
図、第６図は感光体のエネルギギャップを示す模式図で
ある。 ！・・・導電性支持体、２・・・障壁層、３・・・光導
電ノａ。 ４・・・表面層、５・・・電荷輸送層、６・・・電荷発
生層。 １１　、１２−・・薄層。 出願人代理人　　弁理土鈴　圧式　彦 第１図　　　　第２図 第３図 第　４　口 第５図 手続：？ｒ１３正と、５．３０ 昭和　　年　　月　　日 一特許庁長官　　黒　１）明　雄　殿 特願昭６１−２５９７４６号 ２、発明の名称 電子写真感光体 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 （３０７）　　株式会社　東芝　　（ほか１名）４、代
理人 東京都千代田区霞が関３丁目７番２号　ＵＢＥビル７、
補正の内容 （ｒ）　　明細書第８頁第６行目〜第１１行目の「なお
、・・・・・・望ましい。」を削除する。 （２）第６図を別紙の通り訂正する。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と光導電層とを具備する電子写真感
   光体において、前記光導電層は電荷発生層と電荷保持層
   とを有し、前記電荷発生層はシリコンを母体とした非晶
   質材料からなり、前記電荷保持層はシリコンを母体とし
   炭素、酸素および窒素からなる群から選択された元素の
   少なくとも一種を含む非晶質膜とシリコンを母体としそ
   の少なくとも一部が微結晶化した半導体膜とを交互に積
   層した領域を有することを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）前記電荷保持層を構成する前記非晶質膜および半
   導体膜の膜厚は、３０〜２００Åであることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
3. （３）前記光導電層は、周期律表第III族又は第Ｖ族に
   属する元素から選択された少なくとも１種を含むことを
   特徴とする特許請求の範囲第１又は２項記載の電子写真
   感光体。
4. （４）前記導電性支持体と光導電層との間に、非晶質材
   料又は少なくとも一部が微結晶した半導体材料からなる
   障壁層を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の電子写真感光体。
5. （５）前記障壁層は、周期律表第III族又は第Ｖ族に属
   する元素から選択された少なくとも一種を含むことを特
   徴とする特許請求の範囲第４項記載の電子写真感光体。
6. （６）前記障壁層は、炭素、酸素および窒素からなる群
   から選択された元素の少なくとも一種を含むことを特徴
   とする特許請求の範囲第４項記載の電子写真感光体。
7. （７）前記光導電層の上に表面層を有することを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。