JPS6373262A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明はシリコンを光導電層に用いた耐環境性の良好な
電子写真感光体に関し、特に帯電特性、暗減衰特性およ
び光感度特性等を改善した電子写真感光体に係る。

（従来の技術） 水素Ｈを含有するアモルファスシリコン（以下、ａ−５
ｉ：Ｈと略す）は、近年光電変換材料として注目されて
おり、太陽電池、薄膜トランジシスタ、およびイメージ
センサ等の外、電子写真プロセスの感光体にも応用され
ている。

電子写真感光体としてのａ−８ｉ　　：Ｈは下記のよう
な特長を有しているため、従来広く使用されて来た電子
写真感光体の光導電層構成材料、即ちＣｃｌＳ、ＺｎＯ
，Ｓｅ、若しくは５ｅ−Ｔ８等の無機材料や、ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）若しくはトリニトロ
フルオレノン（ＴＮＦ）等の有数材料に代る電子写真プ
ロセスの感光体として注目されている。

第一の特長は、ａ−８ｉ：Ｈが無公害物質であるため、
前記の無別材料および有機材料のように回収処理の必要
がないことである。

第二の特長は、可視光領域で高い分光感度を有し、また
表面硬度が高く耐摩耗性および耐衝撃性が優れている等
の利点を有してことである。

上記特長を有するａ−３ｉ：Ｈは、カールソン方式（ゼ
ログラフィ一方式）による感光体として検討が進められ
ている。この場合、感光体には光感度が高いことのみな
らず、表面電荷を充分に保持できる高い抵抗が要求され
るが、この両特性をａ−３ｉ　　：Ｈの単一膜構造で満
足させることは困難である。このため、ａ−８ｉ：Ｈ光
導電層と導電性支持体との間に障壁層を設け、且つ光導
電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の構造とするこ
とによって電荷保持能力を高め、上記の要求を満足させ
る手段が採用されている。

（発明が解決しようとする問題点） 通常の場合、上記のａ−８ｉ：ＨＩＩＱはシラン系ガス
を使用したグロー放電分解法により形成され、その際に
膜中に取り込まれる水素によってシリコンのダングリン
グボンドが飽和される。従って、取込まれる水素量の差
によって電気的および光学的特性が大きく変動する。

即ち、ａ−３ｉ：Ｈ膜に侵入する水素の量が多くなると
、ダングリングボンドの飽和度が高くなフて光学的バン
ドギャップが大きくなる。これはａ−８ｉ　：Ｈの抵抗
を高くする反面、長波長光に対する光感度を低下させる
ため、例えば長波長の半導体レーザ光源を搭載したレー
ザビームプリンタに使用するのは困１Ｍとなる。また、
ａ−３ｉ　　：ＨＩｌ！中の水素含有量が過剰になると
、成膜条件によっては３１−８ｉ結合の開裂を伴って膜
中の大部分に（ＳｉＨ２）ｎ及び５ＩＨ２等の結合構造
が形成されることがある。これはボイドの増加をもたら
し、また新たなシリコンダングリングボンドを生成させ
るため、光導電特性が劣化し、電子写真感光体として使
用不能になってしまう。

逆にａ−８ｉ：Ｈ中に取込まれる水素の吊が低下すると
、光学的バンドギャップは小さくなる。

このため抵抗は小さくってしまうが、長波長光に対する
光感度は増加する。また、シリコンダングリングボンド
が飽和されずに残留するから、発生するキャリアの移動
度が低下し、キャリア寿命が短くなる。そのため光ｉｊ
［ｆ特性が劣化し、電子写真感光体としては使用し難い
ものとなる。

上記のように、電子写真感光体の光導電層を単一のａ−
８ｉ　　：Ｈｆｆｌのみで構成した場合、ａ−８ｉ　　
：Ｈｇｌの製造条件によって特性が大きく変化し、望ま
しい特性が得られない問題がある。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ａ−８ｉ：
Ｈ感光体と同碌に基板との密着性および耐環境性に優れ
ると共に、帯電能に優れ、残留電位が低く、しかも近赤
外領域までの広い波長領域に亙って感度が高い電子写真
感光体を提供することを課題とするものである。

［発明の構成コ （問題点を解決するための手段） 発明者は種々研究を重ねた結果、感光体の少なくとも一
部に、相互に光学的バンドギャップが異なる厚さ３０〜
５００人の薄い半導体層を積層したヘテロ接合超格子構
造を使用することによって上記の課題を達成できること
に想到し、本発明に至ったものである。

即ち、本発明による電子写真感光体は、４ｇ　Ｈ性支持
体と、光導電層とを有する電子写真感光体において、前
記光導電層は、その少なくとも一部が光学的バンドギャ
ップが相互に異なり且つ厚みが３０〜５００人である二
種以上の半導体層をｖ４層して構成されていることを特
徴とするもので、ヘテロ接合超格子を構成する前記半導
体層としてマイクロクリスタリンシリコン（μｃ−８ｉ
）及びアモルファスシリコン（ａ−８ｉ　）を用いる。

上記μｃ−８ｉは、粒径が約数十オンゲストロムの微結
晶シリコンと非晶質シリコンとの混合層により形成され
ているものと考えられ、以下のような物性上の特徴を有
している。第一に、Ｘ線回折測定では２θが２８〜２８
．５°付近にある結晶回折パターンを示し、ハローのみ
が現れる無定形のａ−８ｉから明確に区別される。第二
に、μｃ−３ｉの暗抵抗は１０１０Ω・α以上に調整す
ることができ、暗抵抗が１０５０・ｃｒｎのポリクリス
タリンシリコンからも明確に区別される。

本発明で用いる上記ａ−８ｉ及びμｃ−８ｉの、ｐｔ 光学的バンドギャップ（ＥＱ　　　）は、ａ−３ｉで１
，７５　ｅＶ、　μＣ−３ｉ　ｒ　１．５〜１，７　ｅ
Ｖとするφｐｔ のが望ましい。この望ましいＥＱ　　　＠４’Ｊるため
夫々に所要ｎの水素を添加し、μｃ−８ｉ：Ｈ及びａ−
８ｉ：Ｈとして使用するのが好ましい。これにより、シ
リコンのダングリングボンドが補償され、暗抵抗と明抵
抗との調和がとれ、光導電特性が向上する。

・ｐｔ ａ−３ｉ及びμｃ−８ｉのＥＱ　　　を調整するために
、必要に応じて炭素、酸素、窒素のうちの少なくとも一
種の元素を含有させてもよい。

なお、実際のμｃ−８ｉ　Ｆｌ及びａ−８：膜は、製造
条件等の具体的な要因によって弱いＰ型またはＮ型を帯
びることが多い　（特にＮ型になり易い）。そこで、超
格子構造を形成するために必要なＩ型とするために、夫
々逆の導電型を有する不純物を軽くドープして前記のＰ
型またはＮ型を打消すのが望ましい。

（作用） 本発明の電子写真感光体では、光導電層に前記超格子構
造が設けられているため、この領域では発生したキャリ
アの寿命が長く、移動度も大きくなる。その理論につい
ては未だ充分に確立しているとは言えないが、超格子構
造に特長的な周期的井戸型ポテンシャルによる量子効果
であることは疑いがなく、これは特に超格子効果といわ
れる。

こうして光導？ＩＪｉでのキャリアの移動度が大きくな
り、またキャリアの寿命が長くなることによって電子写
真感光体の感度は著しく向上することになるが、その詳
細については後述する通りである。

また、μｃ−８ｉ及び／又はａ−Ｓ；に炭素、酸素、窒
素のうちの少なくとも一種を含有させた場合には、前記
のようにバンドギャップを調整するだけでなく、光導電
層の抵抗を増大して表面の電荷保持能力を高めることが
できる。

（実施例） 第１図は、本発明の一実茄例になる電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、１は導電性支持
体である。該導電性支持体の上には障壁層２が形成され
、その上には光導電層３が形成されている。更に、光導
電層３の上には表面層４が形成されている。

第２図は本発明の他の実施例になる電子写真感光体の断
面構造を示す図で、この実施例では電荷発生層および電
荷輸送層からなるｎ脂分離型の光導電層が用いられてい
る。即ち、導電性支持体１及び障壁層２の上に電荷輸送
層５が形成され、該電荷輸送層の上に電荷発生層６が形
成されている。

更に、電荷発生層６の上には表面層４が形成されている
。

上記第１図および第２図の実施例における各部の詳細は
、次に説明する通りである。

導電性支持体１は、通常はアルミニウム製のドラムで構
成される。

障壁層２はμｃ−８ｉやａ−８ｉを用いて形成してもよ
く、またａ−ＢＮ：Ｈ（窒素および水素を添加したアモ
ルファス硼素）を使用してもよい。

更に、絶縁性の膜を用いてもよい。例えば、μｃ−８ｉ
　　：　Ｈ及びａ−３ｉ　　：Ｈに炭素Ｃ１窒素Ｎ及び
酸素Ｏから選択された元素の一種以上を含有させること
により、高抵抗の絶縁性障壁層を形成することができる
。障壁層２の膜厚は１００人〜１０譚が好ましい。

上記障壁層２は、導電性支持体１と光導電層３（または
電荷発生層５）との間の電荷の流れを抑制することによ
り感光体表面の電荷保持機能を高め、感光体の帯電能を
高めるために形成されるものである。従って、半導体層
を障壁層に用いてカールソン方式の感光体を構成する場
合には、表面に帯電させた電荷の保持能力を低下させな
いために、障壁層２をＰ型またはＮ型とする。即ち、感
光体表面を正帯型させる場合にはｌｉｉ壁ＦＦＪ２をＰ
型とし、表面電荷を中和する電子が光導電層に注入され
るのを防止する。逆に表面を負帯電させる場合には障壁
層２をＮ型とし、表面電荷を中和するホールが光導１ｆ
ｆｆｌへ注入されるのを防止する。障壁層２から注入さ
れるキャリアは光の入射で光導？ｌＦ３．６内に発生す
るキャリアに対してノイズとなるから、上記のようにし
てキャリアの注入を防止することは感度の向上をもたら
す。なお、μｃ−ｓｔ　　：Ｈやａ−３ｉ：＠をＰ型ニ
ｔ　ルタメには、周期律表の第■族に屈する元素、例え
ば硼素Ｂ１アルミニウムＡｎ、ガリウムＧａ、インジウ
ムｌｎ、及びタリウム下２等をドーピングすることが好
ましい。また、μＣ−８ｉ：＠やａ−３ｉ：ＨをＮ型に
するためには周期律表の第Ｖ族に属する元素、例えば窒
素、燐Ｐ、砒素Ａｓ、アンチモンＳｂ１及びビスマスＢ
ｉ等をドーピングすることが好ましい。

第１図の実施例における光導電層３および第２図の実施
例における電荷発生層２６は、第３図にその断面を拡大
して示すように、膜厚が夫々３０〜５００人の範囲にあ
るμＣ−３ｉ：＠薄層１１及びａ−ｓｔ　　：Ｈ＠層１
２を交互に積層して構成されている。ａ−８＋：Ｈ薄層
１１及び ｔｌｃ−８ｉ　　：　ＨＦａＦｉ　１２ニハ、水素Ｈヲ
ｏ、ｏｉ乃至３０原子％、好ましくは１乃至２５原子％
含有させる。

これにより、シリコンのダングリングボンドが補償され
、暗抵抗と明抵抗との調和がとれ、光導電特性が向上す
る。

既述シタＪ：つに：、μｃ−８ｉ　　：Ｈａｆｆｌｌｌ
とａ−８ｔ　　：Ｈ］ｆｆ１１２とは光学的バンドギャ
ップ（ＥＱ’Ｐｔ）が相違する。即ち、この場合はμｃ
−８ｉ　ｔ−［１１１のＥａｏｐ　は１．５５　ｅＶ、
ａ−３ｔ　　：　Ｈｉｌｇｌ　２のＥｏ”ｐｔは１，７
５ｅＶ”ｌ’ある。従って、厚さ方向を横軸、縦軸にＥ
　ｏ　’ｐｔをとったエネルギーバンド図は第４図のよ
うになる。

図から明らかなように、Ｅｏ’ｐｔの大きいａ−８ｉ　
　：　ＨＩｌｌ　２がポテンシャルバリアとなり、Ｅｇ
ｏｐ　の小さいμｃ−８ｉ　：Ｈ薄層１１がポテンシャ
ル井戸となる周期的なポテンシャル、即ち超格子ポテン
シャルが形成される。なお、超格子構造を構成するｉ１
層１１．１２のＥｇ”ｐｔと膜厚を変更することにより
、ヘテロ接合超格子構造における見かけのバンドギャッ
プを自由に調整することができる。

上記のような超格子構造ではバリア１１が極めて薄いの
で、電子はトンネル効果によりバリアを通過して超格子
構造中を走行する。また、相互に近接するポテンシャル
井戸のエネルギー準位間で相互に摂動が生じ、超格子構
造全体に広がるエネルギーバンドが形成される（ｉＢ格
子効果）。このため、超格子構造内ではバルク半導体領
域に比べて著しく大きいキャリア移動度が得られる。ま
た、前記超格子効果によってキャリアに対する再結合中
心の影響が小さくなり、従ってキャリアの寿命はバルク
内での寿命の５〜１０倍と長くなる。こうして光導電層
内でのキャリアの移動度および寿命が向上することによ
り、電子写真感光体としての感度は著しく高くなる。こ
れについては更に後述する。

第２図の実茄例における電荷輸送層５としては、例えば
ａ−８ｉ　　：Ｈ，ｕｃ−８ｉ　　：ＨノＪ：つｔ、：
ＩＩ壁層２およびＭ荷発生層６との被着性が良好なもの
を用いる。その場合、Ｅｇｏｐ　が前記超格子構、ｐｔ 造におけるポテンシャル井戸のＥＱ　　　と同程度にな
るようにする。また、ａ−３ｉ：Ｈやμｃ−８ｉ：Ｈを
用いる場合には、酸素、炭素および／または窒素を添加
して抵抗を増大させ、表面電荷の保持能力を向上させる
のが好ましい。

表面層４は、ａ−８ｉＮ：Ｈ（窒素および水素を添加し
たアモルファスシリコン）。

ａ−８ｉＯ：Ｈ（酸素および水素を添加したアモルファ
スシリコン）、ａ−８ｉＣ：Ｈ（炭素および水素を添加
したアモルファスシリコン）等の無拠化合物、或いはポ
リ塩化ビニル及びポリアミド等の有機材料で形成される
。このような表面層４を設けるのは次の理由からである
。即ち、光導電層３や電荷発生層６のａ−５ｉ：Ｈ等は
屈折率が３乃至３．４と比較的大きいため、表面での光
反射が起き易い。この光反射は光導電層３または電荷発
生層６に吸収される光重の割合を低下させ、光損失を太
きするため、表面層４を設けて反射を防止するのである
。また、表面層４を設けることによって先導電層３又は
電荷発生層６を損傷から保護し、更に帯電能を向上して
表面に電荷が良くのるようにすることができる。

次に、上記実施例になる電子写真感光体の全体的な作用
について、第５図を参照して説明する。

なお、以下の説明は第２図に示したＩ面分離型の実施開
開するものであるが、第１図の実ｔＩ！！例についても
略同様にあてはまるものである。

まず、コロナ放電を用いることにより、電子写真感光体
の表面層４を約５００　Ｖの正電圧で帯電させる。これ
により表面層４と導電性支持体１との闇には電界が誘起
され、第７図に示すようなボテシャルが形成される。こ
の感光体の所定領域に選択的に光（ｈν）を入射すると
、光入射領域では電荷発生層６内で電子−正孔のキャリ
ア対が発生し、これら各キャリアは感光体中の電界によ
って夫々の導電帯を移動する。即ち、正孔は導電性支持
体１側に向けて加速され、電荷輸送に！Ｉ５および障壁
層２を通って導電性支持体１に流出する。一方、電子は
表面層４側に向けて加速され、表面層４に到達して既に
表面に帯電されている正電荷を中和する。その結果、光
入射領域では表面ｒＡ２に帯電されていた正電荷が消失
し、光が入射されなかった領域にのみ正電荷が残留する
から、表面層４には光の入射分布に対応した静電潜像が
形成される。従って、負に帯電したトナーを散布して現
像処理を行なえば前記静電潜也に対応したトナーによる
顕像が形成され、これを紙表面に熱転写することによっ
て印刷された画像が得られる。

上記の作用説明から明らかなように、カールソン方式に
よる電子写真感光体の感度は、最初に感光体表面に帯電
された正電荷の保持能力と、光入射で発生した電子（光
電子）が前記正電荷を中和する効率に依存する。既述の
ように、この実施例の感光体では障壁層２の存在によっ
て、表面に帯電された正電荷が光電子の中和によらない
で消失することを防止している。また、電荷発生層６の
超格子構造により光電子の移動度が大きく且つ寿命が長
いから、発生した光電子は途中で消滅することなく高い
効率で表面の正電荷を中和する。また、表面層４で入射
光の反射を防止していることも感度の向上に寄与する。

これらの要素によって、上記実施例の電子写真感光体は
極めて高い光導電特性を有し、従来の感光体よりも鮮明
な両像を１！することができる。なお、表面を負に帯電
させた場合の作用も、上記と略同様である。

次に、上記実施例の電子写真感光体を構成するａ−８ｉ
：ＨＩＩＯｌｕｃ−８ｉ　　：Ｈｌを形成スル方法につ
いて説明する。

ａ−８ｉ：Ｈｆ１（Ｊはグロー放電分解法で形成するこ
とができる。即ち、原料としてＳｉＨ＋及び５ｉ２Ｈｓ
等のシラン類ガスを反応室に導入し、高周波によりグロ
ー放電することにより、ａ−８ｉ＠１ｍを成膜すると同
時に、該薄層中にＨを添加することができる。この場合
、必要に応じて水素またはヘリウムをシラン類のキャリ
アガスとして使用することができる。水素をキャリアガ
スに使用すれば、Ｓ　ｉ　Ｆ４ガス及びＳｉＣλ４ガス
等のハロゲン化珪素を原料ガスとして使用することがで
きる。また、シランン類ガスとしてハロゲン化硅素ガス
との混合ガスで反応させても、同様にＨを含有するａ−
８ｉ：Ｈを成膜することができる。なお、グロー放電分
解法によらず、１９１１えばスパッタリング等の物理的
な方法によっても、これ等の薄層を形成することができ
る。

μｃ−８ｉも、ａ−８ｉ：Ｈの場合と同様の高周波グロ
ーｔＪ！ｌ電分解法により、シランガスを原料として形
成することができる。その場合、成１２基体の温度をａ
−８ｉ：Ｈを形成する場合よりも高く設定し、且つ高周
波電力をａ−３ｉ：＠の場合よりも高く設定することに
より、μＣ−８ｉ：Ｈを形成し易くなると共に、シラン
ガス等の原料ガスの流台を増大させて成膜速度を早くす
ることができる。また、原料ガスの　ＳｉＨ４及び５ｉ
２Ｈｓ等の高次のシランガスを水素で稀釈したガスを使
用すれば、μｃ−８ｉ：Ｈを一層効率良く形成すること
ができる。

既述のように障壁層２としてａ−ＢＮ：Ｈｍを用いるこ
ともできるが、この成膜にはＢ２　ＨｓとＮ２もしくは
ＮＨ３の高周波グロー放電分解法による。

以下に第６図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放定法により製造する装置、並びに製造方法を説
明する。同図において、ガスボンベ２１．２２，２３．
２４には、例えば夫々Ｓ　ｉ　Ｈ４，８２Ｈｓ　、Ｈ２
、ＣＨ４等の原料ガスが収容されている。これらガスボ
ンベ内のガスは、流旦調整用のバルブ２６及び配管２７
を介して混合器２８に供給されるようになっている。各
ボンベには圧力計２５が設置されており、該圧力計２５
を監視しつつバルブ２６を調整することにより混合器２
８に供給する各原料ガスの流量及び混合比をｒＡ節でき
る。混合器２８にて混合されたガスは反応容器２９に供
給される。反応容器２９の底部３１には、回転軸３０が
鉛直方向の回りに回転可能に取付けられている。、該回
転軸３０の上端に、円板状の支持用３２がその面を回転
軸３０に垂直にして固定されている。反応容器２９内に
は、円筒状の電極３３がその軸中心を回転軸３０の軸中
心と一致させて底部３１上に設置されている。

感光体のドラム基体３４が支持台３２上にその軸中心を
回転軸３０の軸中心と一致させて載置されており、この
ドラム基体３４の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３
５が配設されている。ｍＫ３３とドラム基体３４との間
には高周波電源３６が接続されており、電極３３および
ドラム基体３４間に高周波電流が供給されるよういなっ
ている。回転軸３０はモータ３８により回転駆動される
。反応容器２９内の圧力は圧力計３７により監視され、
反応容器２９はゲートバルブ３８を介して真空ポンプ等
の適宜の排気手段に連結されている。

上記製造装置により感光体を製造する場合には、反応容
器２９内にドラム基体３４を設置した後、ゲートバルブ
３９を開にして反応容器２つ内を約０、Ｉ　Ｔｏｒｒの
圧力以下に排気する。次いで、ボンベ２１，２２，２３
．２４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合して反
応容器２９内に導入する。この場合に、反応容器２９内
に導入するガス流倒は反応容器２９内の圧力が０．１乃
至１．０Ｔ　ｏｒｒになるように設定する。次いで、モ
ータ３８を作動させてドラム群体３４を回転させ、ヒー
タ３５によりドラム基体３４を一定温度に加熱すると共
に、高周波型ＦＡ３６により電極３３とドラム基体３４
との間に高周波電流を供給して、両者間にグロー放電を
形成する。これにより、ドラム基体３４上にａ−３ｉ：
Ｈが堆積する。なお、原料ガス中にＮ２０．ＮＨ３、Ｎ
Ｏ２、Ｎ２　。

ＣＨ４＋’　Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用することによ
り、これらの元素をａ−３ｉ：Ｈ中に含有させることが
できる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で製造することができるため、
人体に対して安全である。

最後に、本発明に係る電子写真感光体を成膜し、電子写
真特性を試験した結果について説明する。

製造例および特性試験例 必要に応じて干渉防止のための酸処理、アルカリ処理お
よびサンドブラスト処理を施した直径８０ｆｆｌｆｆｉ
、幅３５０ＩＩ１ｍのアルミニウム製ドラム基体を反応
容器内に装着し、反応容器を約１０”　’　Ｔｏｒｒの
真空度に排気した。ドラム基体を２５０℃に加熱し、１
０　ｒｐｍで自転させツツ、５ｉ）−１４ガスを５００
Ｓ　ＣＣＭ　、”’　Ｂ　２１−１５ガスをＳｉＨ＋ガ
スに対する流量化で１０−６、ＣＨ４ガスを１１００８
ｃｃの流聞で反応容器内に導入し、反応容器内を　１Ｔ
ｏｒｒに調節した。続いて１３．５６ＭＨ２の高周波電
力を印加してプラズマを生起させ、Ｐ型のａ−８ｉ：Ｈ
障壁層を形成した。

次いで、Ｂ２　Ｈ６／Ｓ　ｉ　Ｈ４比を１０−７、ＣＨ
４ガスをＯに設定し、５００　Ｗの高周波電力を投入し
て膜厚２０譚のｉ型ａ−８ｉ　　：）−（電荷輸送層を
形成した。

次に、放電を一旦停止してＨ２ガス流量を５００８ＣＣ
Ｍ導入し、反応圧力を１．２１”ｏｒｒに調節した後、
１にの高周波電力を印加して膜厚５０人のμｃ−８ｉ：
Ｈａ層を形成した。次に、５ｉＨｎガスが５００　ＳＣ
ＣＭ、Ｂ２　Ｈｓ　／Ｓ　ｉ　Ｈ４が１０−７になるよ
うに設定した後、５００Ｗの高周波電力を印加して５０
人のａ−３ｔ　）−１薄層を形成した。このような操作
を繰返して、２５０　層のｕｃ−８ｉ：Ｈａ層と２５０
層のａ−３ｉ　　：Ｈ）１とを交互に積層し、ヘテロ接
合超格子溝道の電荷発生層を５−の厚さに形成した。次
いで、表面層として厚さ０．５　譚のａ−３ｉ　　：）
１表面層を形成した。

このようにして形成した感光体表面を約ｓｏｏ　ｖで正
帯電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸
収され、電子正孔対のキャリアが発生する。この試験例
では多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が高く、
高い走行性が得られた。

その結果、鮮明で高品質の画像が１９られた。また、こ
の試験例で製造された感光体を繰返し帯電させたところ
、転写画像の再現性および安定性は極めて良好であり、
更に、耐コロナ性、耐湿性、および耐摩耗性等の耐久性
が優れていることが実証された。

加えて、このようにして製造された感光体は半導体レー
ザの発振波長である７８０乃至７９０　ｎｍの長波長光
に対しても高い感度を有する。この感光体を半導体レー
ザプリンタに搭載してカールソンプロセスにより画像を
形成したところ、感光体表面の露光量が２５８ｒｇｃｉ
２である場合でも、鮮明で高解像度の画像を得ることが
できた。

更に、この感光体を繰返し帯電して使用したところ、転
写画像の再現性および安定性が高く、耐コロナ性、耐湿
度性および耐摩耗性等の耐久性に優れてることが明らか
になった。

なお、上記の例では電荷発生層の厚みを５−としたが、
これに限らす１または３購等に設定しても感光体として
実用可能である。薄層は、上記試験例のａ−８ｉ：Ｈ，
及びμｃ−８ｉ：Ｈに限らないことは勿論である。

［発明の効果コ 以上詳述したように、本発明の電気写真感光体では光導
電層の一部または全部に、光学的バンドギャップが相互
に異なる薄層をｆ？１層して構成される超格子構造を使
用するから、可視光から近赤外光の広い波長領域に亙っ
て高感度であり、キャリアの走行性が高いと共に、高抵
抗で帯電特性が優れる等、顕著な効果を得ることができ
る。特に、本発明では薄層を形成する材料を適宜組合わ
せることにより、任意の波長帯の光に対して最適の光導
電特性を有する感光体を得ることができる利点がある。

吟テ咽珊→−簡哩令奔咋 つ［１＝図＝Ｇお嘴仁磐さ明：の＜喘二例１↓プＦン戸
電ギト丙Ｅ真−感→Ｖ

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実茄例になる電子写真感光体を示す
断面図であり、第２図は他の実旅例になる電子写真感光
体を示す断面図、第３図は第１図および第２図の一部を
拡大して示す断面図、第４図は超格子構造のエネルギー
バンドを示す図、第５図は第２図の実施例になる電子写
真感光体の全体的な作用を示す説明図、第６図は本発明
の電子写真感光体を製造する装置を示す図である。 １・・・導電性支持体、２・・・障壁層、３・：・光導
電層、４・・・表面層、５・・・電荷輸送層、６・・・
電荷発生層、１ｌ−ｐｃ−ｓｒ　Ｈａ層、１２−ａ−８
ｉ　Ｈｉｌｌ”ｉ出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 〈厚フ、を匈〉 第４図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と、光導電層とを有する電子写真感
   光体において、前記光導電層はその少なくとも一部が、
   厚さ３０〜５００Åであるマイクロクリスタリンシリコ
   ンとアモルファスシリコンとを交互に積層して構成され
   ることを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）前記マイクロクリスタリンシリコンとアモルファ
   スシリコンとは、水素を含有することを特徴とする特許
   請求の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。
3. （３）前記光導電層は炭素、酸素、窒素のうち少なくと
   も一種の元素を含有することを特徴とする特許請求の範
   囲第（１）項記載の電子写真感光体。
4. （４）前記光導電層は、周期律表の第III族または第Ｖ
   族に属する元素から選択された少なくとも一種の元素を
   含有することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項、
   第（２）項または第（３）項記載の電子写真感光体。
5. （５）前記光導電層と支持体との間に障壁層が介挿され
   、更に前記光導電層上に表面層が形成されていることを
   特徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載の電子写真
   感光体。
6. （６）前記光導電層が、前記マイクロクリスタリンシリ
   コンとアモルファスシリコンとを交互に積層して構成さ
   れた電荷発生層と、その下に積層されている電荷輸送層
   とからなることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
   〜第（５）項の何れか１項記載の電子写真感光体。