JPS63178250A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性及び耐環
境性等が優れた電子写真感光体に関する。

［従来の技術］ 水素（Ｈ）を含有するアモルファスシリコン（以下、ａ
　−Ｓｉ：Ｈと略す）は、近年、光電変換材料として注
目されており、太陽電池、薄膜トランゾスタ、及びイメ
ーゾセンサ等のほか、電子写真プロセスの感光体に応用
されている。

従来、゛電子写真感光体の光導電層を構成する材料とし
て、ＣｄＳ　％ＺｎＯ％　３ｅ　％若しくは５ｓ−Ｔｅ
等の・・無機材料又は、ｔ？ＩＪ−Ｎ−ビニルカルバゾ
ール（ＰＶＣＺ）若しくはトリニトロフルオレノン（Ｔ
ＮＦ　）等の有機材料が使用されていた。しかしながら
、ａ−８ｉ　：Ｈはこれらの無機材料又は有機材料に比
して、無公害物質であるため回収処理の必要がないこと
、可視光領域で高い分光感度を有すること、並びに表面
硬度が高く耐磨耗性及び耐衝撃性が優れていること等の
利点を有している。このため、ａ−８１：Ｈは電子写真
プロセスの感光体材料として注目されている。

このａ　−Ｓｉ：Ｈは、カールソン方式に基づく感光体
の材料として検討が進められているが、この場合、感光
体特性として抵抗及び光感度が高いことが要求される。

しかしながら、この両特性を単一の感光体層で満足させ
ることが困難であるため。

光導電層と導電性支持体との間に障壁層を設け、かつ光
導電層上べ表面電荷保持層を設けた積層型の構造にする
ことによシ、このような要求を満足させている。

［発明が解決しようとする問題点］ ところで、従来、障壁層としては高抵抗の絶縁性単一層
が用いられているが、このような障壁層では、膜厚が厚
いと光導電層から支持体へ流れるキャリアが障壁層を通
過できず、その結果、残留電位が高くなってしまう。−
万、膜厚が薄いと現像バイアスによシ絶縁破壊を生じて
しまう・ま九、障壁ノーとしてｐ型又はｎ型の半導体を
用いた場合には、膜厚が厚いとダングリングボンド等の
構造欠陥にキャリアがトラップされ、残留電位が高くな
り、一方、膜厚が薄い場合には支持体からのキャリアを
ブロックできず、帯電能が低下してしまう。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、あって
、帯電能が優れておシ、残留電位が低く、近赤外領域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、基板との密着性
が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供するこ
とを目的とする。

［発明の構成コ （問題点を解決するための手段〕 本発明者らは、種々研究を重ねた結果、電子写真感光体
の障壁層として超格子構造を用いることによシ、上記目
的を達成し得ることを見出し。

本発明を完成するに至った。

即ち１本発明の電子写真感光体は、導電性支持体、障壁
層、および光導電層を具備する電子写真感光体において
、前記障壁層は、伝導型を支配する元素を首む第１の非
晶質シリコン薄膜と、微結晶シリコン薄膜と、炭素、酸
素および窒素から選ばれた少なくとも１′ｓｉの元素を
含む第２０非晶質シリコン薄膜とを交互に積層して構成
され、かつそれぞれの薄膜の膜厚が３０〜２００Ｘであ
ることを特徴とする。

本発明の電子写真感光体において、障壁層を構成する超
格子構造の第１の非晶質シリコン（ａ−Ｓｌ　）薄層に
含まれる伝導型を支配する元素とは、例えば周期律表第
■族又は第Ｖ族に属する元素である。

これら元素の含有量は好ましくは　１０４〜／　原子チ
、よシ好ましくは　７’ｏ　−２〜７ｏ　　　原子チで
ある〇 障壁層を構成する超格子構造の第２０非晶質シリコン（
ａ−８ｉ　）薄膜に含まれる炭素、酸素および窒素から
選ばれた少なくとも１種の元素の含有量は、好ましくは
５〜３０原子チ、より好ましくは５〜２０原子チである
。

本発明において用いられる微結晶シリコン（μｃ　−Ｓ
ｔ　）は、粒径が約数十オンゲストロムの微結晶化した
シリコンと非晶質シリコンとの混合１缶により形成され
ているものと考えられ、以下のような物性上の特徴を有
している。第一に、Ｘ線回折測定では２θが２８〜２８
．５°付近にある結晶回折パターンを示し、ハローのみ
が現れる無定形のａ−８ｉから明確に区別される。第二
に、μｃ　−Ｓｌの暗抵抗は１Ｏ１０Ω・副以上に調整
することができ、暗抵抗が１０５０・αのポリクリスタ
リンシリコンからも明確に区別される。

（実画例） 第１図は、本発明の一実施例になる電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、１は導電性支持
体である。該導電性支持体の上には障壁層２が形成され
、その上には光導電層３が形成されている。更に、光導
電７ｍ　３の上には表面ノｌ＃４が形成されている。

第２図は本発明の他の実力例になる電子写真感光体の断
面構造を示す図で、この実月例では電荷発生ノーおよび
電荷輸送層からなる機能分離型の光導電ノーが用いられ
ている。即ち、導電性支持体１及び障壁ノー２の上に電
荷輸送層５が形成され、該電荷輸送層の上に電荷発生層
６が形成されている。

更に、電荷発生層６の上には表面層４が形成されている
。

上記第１図および第２図の実施例における各部の詳細は
、次に説明する通シである。

導電性支持体１は、通常はアルミニウム製のドラムで構
成される。

１１壁層２は、ｍ　ｌ　（７）　ａ−８ｔ　＠ｇ、　μ
ｃ−８１＠膜および第２０ａ”ｓｌ薄膜の超格子構造を
有しており、これら薄膜は水素が添加されたもの（μｃ
−８ｔ：Ｈ、ａ−８ｉ二Ｈ）とすることができる。

上記障壁層２は、導電性支持体１と電荷発生層５との間
の電荷の流れを抑制することによシ感元体表面の電荷保
持機能を高め、感光体の帯電能を高めるために形成され
るものである。従って、半導体層を障壁層に用いてカー
ルノン方式の感光体を構成する場合には、異面に帯電さ
せた電荷の保持能力を低下させないために、障壁Ｊｆｌ
ｉ　２をｐ型またはｎ型とすることができる。即ち、感
光体表面を正帯電させる場合には障壁ノー２をｐ型とし
、表面電荷を中和する電子が電荷発生層に注入されるの
を防止する。逆に表面を負帯電させる場合には＃１壁層
２をｎ型とし、表面電荷を中和するホールが電荷発生層
へ注入されるのを防止する。Ｒ壁層２から注入されるキ
ャリアは光の入射で電荷発生層６内に発生するキャリア
に対してノイズとなるから、上記のようにしてキャリア
の注入を防止することは感度の向上をもたらす。なお、
ａ−８ｌおよびμｃ−８ｌをｐ型にするためには１周期
律表の第■族に属する元素、例えば硼素Ｂ１アルミニウ
ムＡ４ガリウムＱａ　、インゾウムＩｎ　、及びタリウ
ムＴｔ等をドーピングすることが好ましい。また、ａ−
３１およびμｅ−８ｔをｎ型にするためＫは周期律表の
第■族に属する元素、例えば窒素、燐Ｐ、砒素Ａｓ　、
アンチモンｓｂ、及びビスマス８１等をドーピングする
ことが好ましい。

また、超格子構造の第１のａ−８ｉ薄膜およびμＣ−８
ｉ薄膜にも炭素、窒素および酸素から選択された元素の
一種以上を含有させることによシ、障壁層をよシ高抵抗
とすることができる。

障壁層２の厚みは、１００Ｘ−１０＃ｌが好ましい。

障壁層２の上に形成される光導電層３は、ａ−８１：Ｈ
又はμｃ−８１：Ｈによシ構成することができる。

光導′ｆ！Ｌ層３に光が入射するとキャリアが発生し、
このキャリアのうち一方の極性のものは感光体表面の″
Ｆｒ！電電荷と中和し、他方の極性のものは光導電層３
を走行して導電性支持体に到達する。また。

第２図に示す機能分離型の感光体においては、元の入射
により電荷発生Ｊｄ　ｅにギヤリアが発生し、このキャ
リアのうち一方の極性のものは感光体表面の帯１ｆ電荷
と中和し、他方の極性のものは電荷輸送）ｄ　５を走行
して導電性支持体に到達する。

障壁ｊｄ　２および光導電層３を構成する。ａ−８ｉ：
Ｈおよびμａ−８１：ＨＫおける水素の含有量は、０．
Ｏ１〜３０原子チが好ましく、１〜２５原子チがよシ好
ましい。このような水素の含有量によシ、シリコンのダ
ングリングボンドが補償され、暗抵抗と明抵抗とが調和
のとれたものとなシ、光導電特性が向上する。

ａ−８ｌ　：Ｈ層をグロー放電分解法によシ成模するに
は、原料としてＳ　ＩＨ４及びＳ１□Ｈ６等のシラン類
ガスを反応室に導入し、高周波によｐグロー放電するこ
とによ＃）薄層中にＨを添加することができる。

必要に応じて、シラン類のキャリアガスとして水素又は
ヘリウムをガスを使用することができる。

−万、　ＳｉＦ４ガス及びｓ　ｔ　ｃｔ４ガス等のハロ
ダン化ケイ素を原料ガスとして使用することができる。

また、シラン類ガスとハロダン化ケイ素ガスとの混合ガ
スで反応させても、同様Ｋ）Ｉを含有するａ−８ｉ：Ｈ
を成膜することができる。なお、グロー放電分解法によ
らず、例えば、スパッタリング等の物理的な方法によっ
てもこれ等の薄層を形成することができる。

μｃ　−Ｓｉ層も、ａ　−Ｓｉ：Ｈと同様に、高周波グ
ロー放電分解法によシ、シランガスを原料として、成膜
することができる。この場合に、支持体の温度をａ　−
Ｓｉ：Ｈを形成する場合よシも高く設定し、高周波電力
もａ　−ｓｔ、ａの場合よシも高く設定すると、μｃ−
８ｌ：Ｈを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高
周波電力を高くすることにより、シランガスなどの原料
ガスの流量を増大させることができ、その結果、成膜速
度を早くすることができる。また、原料ガスの５ＩＨ４
及び５１２Ｈ６等の高次のシランガスを水素で希釈した
ガスを使用することＫより、μｃ　−３１：Ｈを一層高
効率で形成することができる。

光導電層３又は電荷発生層５の上に表面層４が設けられ
ている。

光導電層３又は電荷発生層６を構成するａ−８ｌ　：Ｈ
等は、その屈折率が３乃至３．４と比較的大きいため、
表面での光反射が起きやすい。このような光反射が生じ
ると、光導電層３又は電荷発生層６に吸収される光量の
割合いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表面
層４を設けて反射を防止することが好ましい。また、表
面層４を設けることにより、電荷発生層６が損鴻から保
護される。

さらに１表面層を形成することにより、帯電能が向上し
、表面に電荷がよくのるようＫなる。乏面層を形成する
材料としては、ａ　−ＳｉＮ：Ｈ、ａ−８ｉＯ：Ｈｌ及
びａ　−ＳＩＣ：ｆ（等の無機化合物並びにポリ塩化ビ
ニル及びポリアミド等の有機材料がある。

このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電によシ約５００ｖの正電圧で帯電させた状態で光（
ｈν）が入射すると、光導電層３において電子と正孔の
キャリアが発生する１、この伝導帯の電子は、感光体内
の電界によシ表面層４側に向けて加速され、正孔は導電
性支持体１側に向けて加速される。この場合、従来の高
抵抗の絶縁性単一ノーからなる障壁層を用いると、前述
のように。

膜厚が厚いと光４を層から支持体へ流れるキャリアが障
壁層を通過できず、その結果、残留電位が高くなってし
まう。−万、膜厚が薄いと現像バイアスにより絶縁破壊
を生じてしまう。また、障壁層としてｐ型又はｎ型の半
導体を用いた場合には。

膜厚が厚いとグングリングゴンド等の構造欠陥にキャリ
アがドラッグされ、残留電位が高くなシ、−万、膜厚が
薄い場合には支持体からのキャリアをブロックできず、
帯電能が低下してしまう。これに対し、本発明の感光体
のように、障壁層を超格子構造とすると、ポテンシャル
井戸層においては、量子効果のために、超格子構造でな
り単一層の場合に比して、キャリアの寿命が５乃至１０
倍と長い。また、超格子構造においては、バンドギャッ
プの不連続性により、周期的なバリア層が形成されるが
、キャリアはトンネル効果で容易にバイアス層を通シ抜
けるので、キャリアの笑効移動度はバルクにおける移動
度と同等であシ、キャリアの走行性が優れている。以上
のごとく、薄層を積層した超格子構造によれば、高光導
電特性を得ることができ、従来の感光体よシも鮮明な画
像を得ることができる。

以下に第３図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放電法によシ製造する装置、並びに製造方法を説
明する。同図において、ガスゴンペ２１．２２，２３，
２４には、例えば夫々５ｉｎ４゜Ｂ２Ｈ６，Ｈ２，ＣＨ
４等の原料ガスが収容されている。

これらガスボンベ内のガスは、Ｒ盆調整用のパルプ２６
及び配萱２７を介して混合器２８に供給されるようにな
っている。各；ぜンベには圧力計２５が設置されており
、該圧力ｔｌ−ｚｓ’ｘ監視しつつパルプ２６を調整す
ることによシ混合器２ＢＶＣ供給する各原料ガスの流量
及び混合比を調節できる。

混合器２８にて混合されたガスは反応容器２９に供給さ
れる。反応容器２９の底部３１１１Ｃは１回転軸３０が
鉛直方向の回シに回転可能に取付けられている。該回転
軸３０の上端に、円板状の支持台３２がその面を回転軸
３０に垂直にして固定されている。反応容器２９内には
、円筒状の電極３３がその軸中心を回転軸３０の軸中心
と一致させて底部３ノ上に設置されている。感光体のド
ラム基体３４が支持臼３２上にその軸中心を回転軸３０
の軸中心と一致させて載置されておシ、このドラム基体
３４の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３５が配設さ
れている。電極３３とドラム基体３４との間には高周波
を源３６が接続されており、電極３３およびドラム基体
３４間に高周波電流が供給されるようになっている。回
獣軸３０はモータ３８によシ回転駆動される。反応容器
２９内の圧力は圧力１計３７により監視され１反応容器
２９はダートバルブ３８を介して真空ボンダ等の適宜の
排気手段に連結されている。

上記製造装置によシ感元体を製造する場合には。

反応容器２９内にドラム基体３４を設置した後、ゲート
パルプ３９を開にして反応容器２９内を約０、ＩＴｏｒ
ｒの圧力以下に排気する。次いで、メンペ２１．２２，
２３．２４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合し
て反応容器２９内に導入する。

この場合に１反応容器２９内に導入するガス流量は反応
容器２９内の圧力がＯ，ｌ乃至１．　ＯＴｏｒｒになる
ように設定する。次いで、モータ３８を作動させてドラ
ム基体３４を回転させ、ヒータ３５によシトラム基体３
４を一定温度に加熱すると共に、高周波電源３６によシ
ミ極３３とドラム基体３４との間に高周波電流を供給し
て、両者間にグロー放電を形成する。これによシ、ドラ
ム基体３４上にμａ　−Ｓｉ：）ｔやａ　−Ｓｉ：Ｈが
堆積する。、なお、原料ガス中にＮ２０．ＮＨ３，ＮＯ
２，Ｎ２．ＣＨ４１Ｃ２Ｈ４１０２ガス等を使用するこ
とによｐ、ｃ、Ｑ、Ｎをμｅ−８１：Ｈ＋ａ−８ｉ：Ｈ
中に含有させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で製造することかでさるため１
人体に対して安全である。

次に、この発明に係る電子写真感光体を成膜し、電子写
真特性を試験した結果について説明する。

試験例１ 必要に応じて、干渉防止のために、酸処理、アルカリ処
理及びサンドブラスト処理を施した直径が８０鴫、幅が
３５０ｍ＋のアルミニウム製ドラム基体を反応容器内に
装着し１反応容器を約１Ｏ−５トルの真空度に排気した
。ドラム基体を２５０℃に加熱し、ｌ　Ｏｒｐａ＞で自
転させつつ、５ＩＨ４ガスを３００　ＳＣＣＭ　、　Ｂ
２Ｈ６ガスをＳｉＨ４ガスに対する流量比で１ｘｌＯ−
ｓという流量で反応容器内に導入し。

反応容器内の圧力をｌトルＫｔ４ｊｌた。そして。

４００Ｗの高周波電力を印加してグラズマを生起さぞ、
ドラム基体上にｐＦｉのａ−８１：Ｈ薄層を５０又形成
した。次いで、５ＩＨ４ガス流量を５０　ＳＣＣＭとし
、Ｈ２ガスを５００　ＳＣＣＭ、　Ｂ２１（６ガスを８
１Ｈ４ガスに対する流量比で５×１Ｏ−２の流量で反応
容器内に導入し、Ｗの高周波電力を印加し、ｔｏＯＸの
ｐ型μｅ−８ｉ：Ｈ薄層（結晶化度６５％）を形成した
。

そして、更に、Ｓ　ｉＨ４がスを１００ｓｃ匡Ｍ２ガス
を４０１）　ＳＣＣＭという流量で反応容器内に導入し
、５００Ｗの高周波電力を印加して、　１０ｏ　　Ｘの
ａ　−ＳＩＮ：Ｈ７１層層を形成した。このような操作
を繰返シテ、２５層のｐＷａ−８ｔ：ｆｆ層と２５層の
９次に、　５ＩＨ４ガスを５００　ＳＣＣＭ　、　Ｂ２
Ｈ６がスをＳｉＨガスに対する流量比が１０−６となる
ような流量で反応容器内に導入し、反応容器内を１トル
とし、３００Ｗの高周波電力を印加して１５ｘのｌ型ａ
　−Ｓｉ：Ｈ光導電層を形成した。

最後に、０．５μｍの厚さのａ　−ＳＩＣ：Ｈからなる
表面層を形成した。

このようにして形成した感光体表面を約５　Ｑ＋、ｉ　
Ｖで正帯電し、白色光をｊｌＩ元すると、この光は電荷
発生層で吸収され、電子正孔対のキャリアが発生する。

この試験例においては、多数のキャリアが発生し、キャ
リアの寿命が高く、高い走行性が得られた。これによシ
、鮮明で高品質の画像が得られた。また、この試験例で
製造された感光体を、繰返し帯電させたところ、転写１
Ｉｌｉｉ儂の再現性及び安定性は極めて良好であシ、更
に、耐コロナ性。

耐湿性、及び耐磨耗性等の耐久性が優れていることが実
証された。

試験例２ 光導電性としてｉ型ａ　−Ｓｉ：ｌ（層の代わ）にｌ型
μｃ−８ｔ／％ｉを形成したことを除き、試験例１と同
様にして電子写真感光体を製造した。なお、ｌ型μｃ　
−ＳＩ　Ｍは、　　８１）１４ガスをｌ　００　ＳＣＣ
Ｍ、Ｈ２ガスを１２００　ＳＣＣＭという流量で反応室
内に導入し。

圧力を１．２トルとし、ｌ　ｋＷの高尚＆電力を印加す
ることによシ得られた。

このようにして製造された感光体は、半導体レーデの発
振波長でちる７８０乃至７９０　ｎｒｎの長波長光に対
しても嶋い感度を有する。この感光体を半導体レーデプ
リンタに搭載してカールソンプロセスにより画像を形成
したところ、感光体表面の露光量が２５　ｅｒｇα２で
ある場合でも、鮮明で高解像度の画像を得ることができ
た。

この感光体を繰返し帯電したところ、転写画像の再現性
及び安定性が高く、耐コロナ性、耐湿性、及び耐磨耗性
などの耐久性が優れていた。

試験例３ 障壁層を構成する薄膜の１つであるａ−８ＩＮ：Ｈ薄層
の代わりにａ　−ＳｉＣ：Ｈ薄層を形成したことを除き
、試験例１と同様にして電子写真感光体を製造した。な
お、ａ　−ＳｉＣ：Ｈ薄層は、ＳｉＨ４ガスを１１００
５ＣＣ、ＣＨ４ガスを３００８ＣＣＭの流量で反応器内
に導入し、４００Ｗの高周波電力を引加することによシ
得られた。

この感光体を用いて試験例１と同様にして画像を形成し
たところ、鮮明で高品質の画像が得られた。この感光体
を繰返し帯電したところ、転写画像の再現性及び安定性
が高く、耐コロナ性、耐湿性、及び耐磨耗性などの耐久
性が優れていた。

また、薄層の稲類は、上記試験例のように３種類に限ら
ず、４種類以上の薄層を積増しても良く、要するに、光
学的ノ１ンドギャップが相違する薄層の境界を形成すれ
ば良い。

［発明の効果コ 本発明によれば、障壁層に超格子構造を用いているため
、キャリアの走行性が高いとともに、高抵抗のため帯電
特性の優れた電子写真感光体を得ることができる１、特
に、この発明においては、薄層を形成する材料を適宜組
み合わせることにより、任意の波長帯の元に対して８通
の光導電特性を有する感光体を得ることができるという
利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係る電子写真感光体を示す断
面図、第２図は他の実施例に係る電子写真感光体を示す
断面図、第３図は本発明の実施例に係る電子写真感光体
の製造装置を示す図である。 １・・・４′ｆ！Ｌ性支持体、２・・・障壁層、３・・
・光導電層、４・・・表面層、５・・・電荷輸送層、６
・・・電荷発生層。 出願人代理人　弁理士　鈴　圧式　彦 第７図　　　　第２図 第３図 手続補正書 １．事件の表示 特願昭６２−１０３３２号 ２、発明の名称 電子写真感光体 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 （３０７）　　株式会社　東芝 （ほか１名） ４、代理人 東京都千代田区霞が関３丁目７番２号　ＵＢＥビル７、
補正の内容 明細書第１７頁第２０行目の「Ｗの高周波電力」をｒ７
００Ｗの高周波電力」と訂正する。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体、障壁層、および光導電層を具備す
   る電子写真感光体において、前記障壁層は、伝導型を支
   配する元素を含む第１の非晶質シリコン薄膜と、微結晶
   シリコン薄膜と、炭素、酸素および窒素から選ばれた少
   なくとも１種の元素を含む第２の非晶質シリコン薄膜と
   を交互に積層して構成され、かつそれぞれの薄膜の膜厚
   が３０〜２００Åであることを特徴とする電子写真感光
   体。
2. （２）前記伝導型を支配する元素は、周期律表第III族
   および第Ｖ族に属する元素から選ばれた少なくとも１種
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電
   子写真感光体。
3. （３）前記微結晶シリコン薄膜および第２０非晶質シリ
   コン薄膜の少なくとも一方は、周期律表第III族および
   第Ｖ族に属する元素から選ばれた少なくとも１種を含有
   することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子
   写真感光体。
4. （４）前記第１の非晶質シリコン薄膜および微結晶シリ
   コン薄膜の少なくとも一方は、炭素、酸素および窒素か
   ら選ばれた少なくとも１種の元素を含むことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
5. （５）前記光導電層は、周期律表第III族又は第Ｖ族に
   属する元素から選択された少なくとも一種の元素を含む
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真
   感光体。
6. （６）前記光導電層は、炭素、酸素および窒素のうちの
   少なくとも一種を含むことを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の電子写真感光体。
7. （７）記光導電層の少なくとも一部は微結晶シリコンか
   らなることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の電
   子写真感光体。
8. （８）前記光導電層の上に表面層を有することを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。