JPS5821257A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPS5821257A JPS5821257A JP56119603A JP11960381A JPS5821257A JP S5821257 A JPS5821257 A JP S5821257A JP 56119603 A JP56119603 A JP 56119603A JP 11960381 A JP11960381 A JP 11960381A JP S5821257 A JPS5821257 A JP S5821257A
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- temp
- photosensitive region
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は広範囲の波長の光に感度がある電子写真感光体
Ｋｌｌする。
Ｋｌｌする。
従来よ抄電子軍真感光体に於ける光導電層材料としては
匿に様々な形態のものが提案され実用化されている。光
導電層としては、高感度、高抵抗で＆拳、場らに耐熱性
、耐摩耗性、無公害性、検感ｆｌｌＫ近いスペクトル特
性を有することが重９−Ｑあるが、従来の光導電層に用
いられているセレンまたはセレン合金、酸化亜鉛や硫化
カドミウム郷は、上記の諸条件の総てを水準以上に必ず
しも満足けしていない。
匿に様々な形態のものが提案され実用化されている。光
導電層としては、高感度、高抵抗で＆拳、場らに耐熱性
、耐摩耗性、無公害性、検感ｆｌｌＫ近いスペクトル特
性を有することが重９−Ｑあるが、従来の光導電層に用
いられているセレンまたはセレン合金、酸化亜鉛や硫化
カドミウム郷は、上記の諸条件の総てを水準以上に必ず
しも満足けしていない。
例えば、分光感度蕾域を広げる為にテルルやヒ素を加え
たセレン系光導電層を有する電子１真用像形成部材は、
温度や湿度による電気的特性の変化が大きく、又光疲労
が大きくなる為に＠′Ｊｉ＠ｌｌの均一性や安定性岬の
欠ける欠点を有している。
たセレン系光導電層を有する電子１真用像形成部材は、
温度や湿度による電気的特性の変化が大きく、又光疲労
が大きくなる為に＠′Ｊｉ＠ｌｌの均一性や安定性岬の
欠ける欠点を有している。
而も、セレン、殊にヒ素、テルルは人体に対して極めて
有害であ抄、強変的にも弱いことから、普写画倫中に混
入したに、複写機内に飛散した参じて、人体Ｋｉｌ触す
る原因となる。
有害であ抄、強変的にも弱いことから、普写画倫中に混
入したに、複写機内に飛散した参じて、人体Ｋｉｌ触す
る原因となる。
又セレン靴導電層は、光導電層として高暗抵抗を保□
有する為にアモルファス状１ｉＫ形成されるがセレンの
結晶化が６５℃と椿めて低い温度で起る為に使用中に於
ける画倫形成プロセス中の他ｅ）部材との摩擦熱の影響
な受けて結晶化を起し、暗抵抗の低下を招き易いという
耐熱性上にも欠点がある・一方、酸化亜鉛、硫化カドミ
ウム岬を光導電層構成材料として所謂バインダー系光導
電層を有する曽ＷＩ４成部材は、光導電層の電気的及び
光導電的轡性や物署的化学的轡性を決定するパラメータ
ーが多く再現性が悪く歩留抄の低下を招き、又湿炭依存
性が著しく、電気的特性の劣化を来たし、クリーニング
性も良くない。
結晶化が６５℃と椿めて低い温度で起る為に使用中に於
ける画倫形成プロセス中の他ｅ）部材との摩擦熱の影響
な受けて結晶化を起し、暗抵抗の低下を招き易いという
耐熱性上にも欠点がある・一方、酸化亜鉛、硫化カドミ
ウム岬を光導電層構成材料として所謂バインダー系光導
電層を有する曽ＷＩ４成部材は、光導電層の電気的及び
光導電的轡性や物署的化学的轡性を決定するパラメータ
ーが多く再現性が悪く歩留抄の低下を招き、又湿炭依存
性が著しく、電気的特性の劣化を来たし、クリーニング
性も良くない。
本発明は以上の事実に基すいて、従来の光導電層が欠如
していた無会書性、耐熱性、耐摩耗性に対しＷＩＩｓ釣
な特性を有し、光感度領域の広いグロー放電分解法によ
シ生成１れるア毫ルファスシリコンｃ以下ｍ−８１と略
す）を光導電層とする電子写真感光体を提供することを
目的とする。
していた無会書性、耐熱性、耐摩耗性に対しＷＩＩｓ釣
な特性を有し、光感度領域の広いグロー放電分解法によ
シ生成１れるア毫ルファスシリコンｃ以下ｍ−８１と略
す）を光導電層とする電子写真感光体を提供することを
目的とする。
亀−８１はグロー放電分解法により基板上ＫＩＩ形威形
成る。グロー放電分解法とは、シランガスをグー−放電
中で分解して液膜する方法で、誘導結合法と容量艙合法
の２つのプラズマ発生方法があるが、不純物を含有しな
い純粋なａ−ｓｔｌｌは通常Ｍｌｌ半導体として作用し
、そｑ）体積抵抗が低く暗減衰速度が速すぎて良好な画
像が得にくい、ところがシランガスにジボランガスを混
入してグロー放電分甥することで、ａ−８１に硼素が添
加され真性半導体さらＫけｐｌ半導体となり、夫々の添
加量に応じてａ−８１の体積抵抗値が蜜化する。更にａ
−８１の体積抵抗はｌｌＩ形成形成基板設定温度によっ
ても便化する。したがって硼素の添加量及び基板設定温
度を速度に設定すれば高抵抗のａ−ｓｉｌｌが得られ、
単層構造の感光体としてカールソ湖弐に充分使用できる
。一方、ａ−ｓｔｌｌの光感度領域を広げる為に光学禁
止帯幅を狭くすることが考えられ、基板設定温度を上げ
ることで達成されゐ。
成る。グロー放電分解法とは、シランガスをグー−放電
中で分解して液膜する方法で、誘導結合法と容量艙合法
の２つのプラズマ発生方法があるが、不純物を含有しな
い純粋なａ−ｓｔｌｌは通常Ｍｌｌ半導体として作用し
、そｑ）体積抵抗が低く暗減衰速度が速すぎて良好な画
像が得にくい、ところがシランガスにジボランガスを混
入してグロー放電分甥することで、ａ−８１に硼素が添
加され真性半導体さらＫけｐｌ半導体となり、夫々の添
加量に応じてａ−８１の体積抵抗値が蜜化する。更にａ
−８１の体積抵抗はｌｌＩ形成形成基板設定温度によっ
ても便化する。したがって硼素の添加量及び基板設定温
度を速度に設定すれば高抵抗のａ−ｓｉｌｌが得られ、
単層構造の感光体としてカールソ湖弐に充分使用できる
。一方、ａ−ｓｔｌｌの光感度領域を広げる為に光学禁
止帯幅を狭くすることが考えられ、基板設定温度を上げ
ることで達成されゐ。
しかしながら基板設定温度を上げることは、＆−ｅ１１
１の体積抵抗を下げるととＫなる。
１の体積抵抗を下げるととＫなる。
これらの事実よ抄１本発明においては、体積抵抗の高い
ａ−８１１１が得られるように硼素ｑ】添加量を適度に
設定し、同一膜形成時に基板温度をｔ化させることで電
子写真感光体の光導電体層として光感度領域ｑ）広いも
のを作成した。′ここでａ−ＥＩｉｌｌＩの作成方法と
しては、−１図に示すグロー放電分解装置を用い、シボ
ランガスを混合したシランガスを分解、清浄アル１＝ウ
ム基板褒＠Ｋａ−８１１１１を形成した０代表的作威条
件は１１５６ＭＨ＊でＲシバクー１００〜！１ｏ００
Ｗａｔｔ＠ の電力を加え、ガス圧はα５〜１０ Ｔ
ｏｒｒ 、ガス流量は毎分ｓｏ 〜ｓｏｏｃａ１ｗ形ａ
速度は毎分１５０〜５００Ａ％基板温度は室温〜４００
℃、Ｗｉ厚は７〜２０５ｍである。
ａ−８１１１が得られるように硼素ｑ】添加量を適度に
設定し、同一膜形成時に基板温度をｔ化させることで電
子写真感光体の光導電体層として光感度領域ｑ）広いも
のを作成した。′ここでａ−ＥＩｉｌｌＩの作成方法と
しては、−１図に示すグロー放電分解装置を用い、シボ
ランガスを混合したシランガスを分解、清浄アル１＝ウ
ム基板褒＠Ｋａ−８１１１１を形成した０代表的作威条
件は１１５６ＭＨ＊でＲシバクー１００〜！１ｏ００
Ｗａｔｔ＠ の電力を加え、ガス圧はα５〜１０ Ｔ
ｏｒｒ 、ガス流量は毎分ｓｏ 〜ｓｏｏｃａ１ｗ形ａ
速度は毎分１５０〜５００Ａ％基板温度は室温〜４００
℃、Ｗｉ厚は７〜２０５ｍである。
以下、ｌＩ施例に従って観明する。
実施例１
清浄アルζ二りム基板上に上述したａｔでシランガスＫ
１００ ｐｐ朧のジボランガスを混合して６時間グロ
ー放電分簿継続、厚さ１０声脆ＯＩＦを得た。
１００ ｐｐ朧のジボランガスを混合して６時間グロ
ー放電分簿継続、厚さ１０声脆ＯＩＦを得た。
基板温度は３５０℃に加熱後放電を開始し、放電中に毎
分、各々α５．ｔｏ、ｔｓ、 ２．０℃の速さで冷却し
て１２０℃となった謄点を後は一定とした。
分、各々α５．ｔｏ、ｔｓ、 ２．０℃の速さで冷却し
て１２０℃となった謄点を後は一定とした。
これらの１−８１膜の暗減衰速度及び光吸収係数の試験
結果を１１１表に示す。
結果を１１１表に示す。
鮪１１Ｉ
但し、光感度けａ−８１の光学禁止帯に対応する付近の
波長で判断し、いずれも 皇好なものＫＯを付ｌである。
波長で判断し、いずれも 皇好なものＫＯを付ｌである。
この結果よ転、体積抵抗の高い（１０”Ω・１以上）の
領域が膜厚の％〜Ｈあることが望ましい。
領域が膜厚の％〜Ｈあることが望ましい。
実施例２
実施例１で冷却後の基板温度を２００℃としたものの結
果を鮪２！！に示す。
果を鮪２！！に示す。
第１表と同様な判断を施してあり、最終基板温度２００
℃の場合は体積抵抗の高い領域が膜厚の％あゐことが望
ましい。
℃の場合は体積抵抗の高い領域が膜厚の％あゐことが望
ましい。
実施例１で基板温度３５０℃で３〜４時間放電分解後、
基板温度を１２０℃にして３〜２時間放電分解を施した
もの、オた実施例２で１１基板温賓３５０℃で３時間、
２００℃で３時間放電分解したものも同様に良好な結果
を４たらす。
基板温度を１２０℃にして３〜２時間放電分解を施した
もの、オた実施例２で１１基板温賓３５０℃で３時間、
２００℃で３時間放電分解したものも同様に良好な結果
を４たらす。
ａ −８１ＪＰの体ｓｉ抗及び光電利得制御のために駿
寓 ＊＊、炭素などを加えたものでも良好である。
寓 ＊＊、炭素などを加えたものでも良好である。
１１１１図はア毫ルファスシリコンを外戚するための概
略図である。 １・・・・・・配管 ２・・・・・・パルプ３・・
・・・・反応管 ４・・・・・・高周波コイル５・・
・・・・基板 ６・・・・・・基板ホルダー７・・
・・・・圧力計 ８・・・・・・基板ホルダー支持棒
９・・・・・・高周波電源 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工金 代理人 弁理士 最上 務 第１図
略図である。 １・・・・・・配管 ２・・・・・・パルプ３・・
・・・・反応管 ４・・・・・・高周波コイル５・・
・・・・基板 ６・・・・・・基板ホルダー７・・
・・・・圧力計 ８・・・・・・基板ホルダー支持棒
９・・・・・・高周波電源 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工金 代理人 弁理士 最上 務 第１図
Claims (1)
- ダーー放電分解法によシ生成されるアモルファスシリコ
ン党導電層ＫｓＰいて、禁止帯幅が皺光導電層内で変化
していることを４１１像とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56119603A JPS5821257A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56119603A JPS5821257A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821257A true JPS5821257A (ja) | 1983-02-08 |
| JPH0380305B2 JPH0380305B2 (ja) | 1991-12-24 |
Family
ID=14765475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56119603A Granted JPS5821257A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821257A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS616654A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-13 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真感光体及びその製造方法 |
| JPS6123158A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US5738963A (en) * | 1995-08-23 | 1998-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-receiving member for electrophotography having a photoconductive layer composed of a first layer region and a second layer region having different energy bandgaps and characteristic energies |
| US5939230A (en) * | 1996-05-23 | 1999-08-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member |
| US5945241A (en) * | 1996-08-29 | 1999-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member for electrophotography and fabrication process thereof |
| US6379852B2 (en) | 1996-09-11 | 2002-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light-receiving member |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56146142A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Hitachi Ltd | Electrophotographic sensitive film |
-
1981
- 1981-07-30 JP JP56119603A patent/JPS5821257A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56146142A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Hitachi Ltd | Electrophotographic sensitive film |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS616654A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-13 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真感光体及びその製造方法 |
| JPS6123158A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH0514898B2 (ja) * | 1984-07-11 | 1993-02-26 | Stanley Electric Co Ltd | |
| US5738963A (en) * | 1995-08-23 | 1998-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-receiving member for electrophotography having a photoconductive layer composed of a first layer region and a second layer region having different energy bandgaps and characteristic energies |
| US5939230A (en) * | 1996-05-23 | 1999-08-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member |
| US5945241A (en) * | 1996-08-29 | 1999-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member for electrophotography and fabrication process thereof |
| US6379852B2 (en) | 1996-09-11 | 2002-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light-receiving member |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0380305B2 (ja) | 1991-12-24 |
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