JPS5816244A - 電子写真用像形成部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある電子写真用像形成部材に関する。

電子写真用像形成部材における光導↑１（層を構成する
光導電材料としては、高感度Ｓ　ａ＋低抵抗あって視感
度にできる限り近いスペクト″ル特性を有すること、光
応答速度が大きいこと、可視光領域での光吸収係数が大
きいこと、尤や熱等による外的影響に対して安定性が大
であること、更に加えるならば、製造時或いは使用時に
おいて、人体に対して無公害性であるか又は低公害性で
あること、等々の特性が要求される。

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込壕れる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における公害性は重要な問題点である。面乍ら
、従来の、例えばＳｅ　、　ＣｄＳ　、　ＺｎＯ等の無
機光導電材料やポリ−Ｎビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ
）　、　　）　！Ｊニトロフルオレノン（ＴＮＦ　）等
の有機光導電材料（ＯＰＣ）は、上記の諸条件の総てを
水準以上で必ずしも満足しているとは断言し難い。

例えばＴｅやＡｓを含むＳｅ系光導電層を有する電子写
真用像形成部材は、確かに分光感度領域は改良されるが
、光疲労が大きくなるために、同一原稿を連続的に繰返
し、コピーすると複写画像の画像濃度の低下やバックグ
ランドの汚れ（白地部分のカブリ）を生じたり、また、
引続き他の原稿をコピーすると前の原稿の画像が残像と
して複写される（ゴースト現象）等の欠点を有している
。

れて適当な電気絶縁性の有機重合性結着剤中に分散され
た、所謂、バインダー系光導電層として適用されるが、
このバインダー系光導電層は、百年ら、基本的に構成材
料が光導′ｌ！１工材別と樹脂結着剤の二成分系である
し、且つ光導電材料粒子が結着剤中に均一に分散されて
形成されなければならない特殊性の為に、光導′１イ層
の電気的及び光導電的特性や物理的化学的特性を決定す
るパラメーターが多い。従って、斯かるパラメーターを
厳密に調整しなければ所望の特性を有するｉ導電層を再
現性良く形成することが出来ずに歩留りの低下を招き針
量性に欠けるという欠点がある。

又、バインダー系光導電層は、分散系という特殊性故に
、層全体がポーラスになっており、その為に湿度依存性
が著しく、多湿雰囲気中で使用すると電気的特性の劣化
を米ｆｃＬ、、高品質の複写画像が得られなくなる場合
が少なくない。

更には、光導電層のポーラス１忙には、現像の際の現像
剤の層中への侵入を招来し、離型性、クリーニング性が
低下するばかりか使用不能を招く原因ともなり、殊に、
液体現像剤を使用すると毛管現象による促進をうけてそ
のキャリアー溶剤と共に現像剤が層中に侵透するので上
記の点は著しい。

又、最近注目されているＰＶＫやＴＮＦ等の有機光導電
材料を使用する電子写真用像形成部材においては、耐湿
性、耐コロナイオン性、クリーニング性に欠け、又光感
度が低い、可視光領域における分光感度領域が狭く且つ
短波長側に片谷っている等の欠点を有し、極限定された
範囲でしか使途に供されていない。

従って、電子写真用像形成部材に適用される上述の諸問
題点の解決された優れた光導電層を形成する第三の材料
が所望されている。

その様な材料として最近有望視されているものの中に例
えばアモルファスシリコン　（以後ａ　−Ｓ　ｉと略記
する）がある。

ａ　−Ｓ　ｉ膜は、開発初期のころは、その製造法や製
造条件によって、その構造が左右されるために種々の電
気的特性、光学的特性を示し、再現性の点に大きな問題
を抱えていた。百年ら、アモルファスではｐ、ｎ制御が
不可能とされていたのが、ａ−８ｉにおいて１．１９７
　（ｉ年初頭にアモルファスとして初めてｐ−ｎ接合が
実現し得るという報告（Ａｐｐｌ　ｉｄ　ｐｈｙｓｉｃ
ｓ　Ｌｅｔｔｅｒ；Ｖｏ／２Ｂ、Ａ２．１５Ｊａｎｕａ
ｒｙ、１９７Ｇ）が成されて以来、大きな感心が集めら
れ、以後上として太陽電池への応用に研究開発力が注が
れて米ている。

このため、これ迄に報告されているＢ　−３ｉ膜は、太
陽電池用として開発されたものであるので、その電気的
特性、光学的特性、光電的特性、の点において、電子写
真用像形成部材の光導電　層としては使用し得ないのが
現状である。即ち、太陽電池は、太陽エネルギーをｔｉ
ｔ流の形に変換して散り出すので、８Ｎ比〔光電流（ｉ
ｐ）　／暗電流（ｉｄ）　）が良くて、効率良く電流を
取り出すには、ａ−８ｉ膜の抵抗は比較的小さくなけれ
ばならないが、余り抵抗が小さ過ぎると光感度が低下し
、ＳＮ比が悪くなるので、その特性の一つとしての抵抗
は１０’〜１０８Ω、Ｃｍ程度が要求される。

百年ら、この程度の抵抗（暗抵抗：暗所での抵抗）を有
するａ−８ｉ膜では、電子写真用像形成部材の光導電層
としては、余りにも抵抗（暗抵抗）が低過ぎて、現在、
知られている電子写真法を適用するのでは全く使用し得
ない。

また、これ迄のａ−８ｉ膜に関する報告では、暗抵抗を
増大させると光感度が低下し、例えば、暗抵抗がさ１０
１０Ω、Ｃｍでのａ−８ｉ膜は、光電利得（入射ｐｈｏ
ｔｏｎ当りの光電流）が低下しておりこの点においても
、従来のａ−８ｉは電子写真用像形成部材の光導電層を
形成する材料とは成り得なかった。更には、従来のａ　
−８ｉで光導電層を形成し、該光導電層と支持体との所
謂二層構成の電子写真用像形成部材は、暗減衰速度が大
きい、詰り電荷保持能が小さい為に現在知られている電
子写真法のプロセススピードでは満足な画像形成が行え
ないか、或いは全く画像形成が行えない。

或いは又、従来のａ−８ｉでは、可ｍ光全域に一定の光
感度を持たせることが出来ない、特に４００ｎｍ近傍の
短波長側での感度の低下がある、所望特性を然も、大面
積に亘って得ようとすると製造条件を極めて厳密に制御
する心安がある、更には層成長速度が、例えば８ｅ等に
比べて約１／１００と格段に遅い為に、この点において
も電子写真用像形成部材の′″／ｌ、導？１里層に曹求
される層厚を得るには製造条件を長時間に及んで厳密に
制御し且つある場合にりニ一定に保持する必要がある、
等々改良され得る可き点が幾つか存在する。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたものであって、ａ　
　８１の利点を損わずに、電子写真用像形成部材の光導
電層に適用させるという観点から、ａ−８ｔを含めた多
数の光・導１［祠４・１に就て鋭意研究検討を続けた結
果、曲述の緒問題の全てを解決し得る極めて優れた電子
写真用像形成部材を設計し製造し得る事に成功したもの
である。

本発明は電気的、光学的、光電的特性が常時安定してい
て、感度が極めて高く、耐光疲労性、耐熱性に著しく長
け、繰返し使用に際しても劣１象 化現象を起こさない電子写真用形成部材を提供へ することを主たる目的とする。

本発明の他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることが容易
にできる電子写真用像形成部材を提供することである。

本発明のもう一つの目的は、分光感度領域が略々全可視
光領域を榎っており暗減衰速度が小さくて光応答速度が
速い電子写真用像形成部材を提供することでもある。

本発明の更にもう一つの目的は、耐摩耗性、クリーニン
グ性、耐溶剤性に優れた電子写真用像形成部材を提供す
ることでもある。

更に別の目的は、可視光全域に亘って略一定の光感度を
有すると共ＶＣ１可視元領域での光吸収係数の比較的大
きい電子写真用像形成部材を提供することでもある。

本発明の電子写真用像形成部側゛は、支持体と、障壁層
と、水素化アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉ：Ｈと
略記する）Ｎと該層に積層して設けられてヘテロ接合を
形成するアモルファス無機半導体層（以後ａ−無機半導
体層と略記する）とを構成層として含む事を特徴とする
。

以上の様な構成層とされる本発明の電子写真用像形成部
材は電気的特性、光学的特性及び光導電的特性が全面的
に均一であって、而も斯かる均一性には経時変化がなく
、且つ驚く可きことには、静電的特性、耐コロナイオン
性、耐溶剤性、耐摩耗性、クリーニング性等Ｖこ長けて
いるために、繰返し使用による竜子写Ｘ特性の劣化が殆
んどない、更には又、可視光全域に亘って略々一定の光
感度を有すると共に、可視光領域での光吸収係数が大き
く、光応答速度が良い、暗減衰速度が小さい、等々数々
の優れた特性を有する。

以下、図面に従って本発明を具体的に説明する。

第１図は、本発明の電子写真用像形成部材の最も基本的
な層構成を模式的に示したものである。第１図に示され
る電子写真用像形成部材１０１は、電子写真用としての
支持体１０２上に光導電層】０３が形成されており、該
光導電層１０３は自由表面１０７を有している。

光導電層１０３は、層１０４と層］０５とを構成層とし
、層１（）４及び層１（）５の倒れか一方が後述する方
法で形成されるａ−８ｉ：Ｈで構成され、他方の層がａ
−無機半導体で構成されてヘテロ接合部１０６が設けら
れる。

本発明において、ａ−８ｉ：Ｈ層は、下記のタイプのａ
−８ｉ：Ｈの中の一種類で層形成するがまたは少なくと
も二種類を選択し、異なる伝導型の゛タイプのものが層
接合される状態として層形成することによって得られる
。

■ｎ型　ドナー（ｄｏｎｏｒ）のみを含むもの、或いは
、ドナーとアクセプター（ａｃｃｅｐｔｅｒ）との両方
を含み、ドナーの濃度（Ｎｄ）が高いもの。

■ｐ　ｆＡ’！！　　アクセプターのみ１ｒ：含むもの
、或いは、ドナーとアクセプターとの両方 を含み、アクセプターの濃１ｉ“ｌ’（Ｎｒｌ）が高い
もの。

■ｉ型・　ＮａごＮｄご０のものまたは、Ｎａ　：　Ｎ
ｄＯもの。

本発明における光導電層を構成する層としての■〜■の
タイプのａｓＩ：ｌｌの層Ｖ＋１、後に詳述する様にグ
ロー放電法や反応スパッタリング法等による層形成の際
に、ｎ型不純物１九は、ｐ型不純物、或いは両不純物を
、形成される、ａ−８ｉ：Ｈの層中にその量を制御して
ドーピングしてやることによって形成される。

この場合、本発明者等の実験結果からの知見によれは、
層中の不純物の濃度を川１５〜１ｏｌｌｌＣがの範囲内
に調整することによって、より強いｎ型（またはより強
いｐ型）のａｓＩ：０層からより弱いｎ型（またけより
弱いｐ型）のａ−８ｉ：０層を形成することができる。

■〜■のタイプのａ−８１：１４層は、グロー放電法、
スパッタリング法、イオンインプランテーション法、イ
オンブレーティング法等によって形成される。これ等の
製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規
模、製造される光導電層に所望される電気的、光学的、
及び光電的特性等の要因によって適宜選択されて採用さ
れるが、所望する特性を有する光導電層を製造するため
の制御が比較的容易である、■〜■のタイプに制御する
ために形成されるａ−８ｉ：Ｈ層中に不純物を導入する
のに璽族またはＶ族の不純物を置換型で導入することが
できる等の利点からグロー放電法が好適に採用される。

形成されるａ−８ｊ：０層へのｌｌの含有は１層を形成
する際、製版装置系内にＳｉＨイ、８ｉ２Ｈ，等の化合
物またはＨ２の形で導入し、気体放電によって、それら
の化合物件たはＨ２を分解して、層中に、層の成長に併
せて含有させる。

本発明者の知見によれば、ａ−８ｉ：Ｈ層中の１１の含
有量は、形成される電子写真用像形成部材が、実際面に
おいて優れたものとして適用され得るか否かを左右する
大きな要因の−っであって、極めて重要であることが判
明している。

本発明において、形成される電子写真用像形成部材を実
際面において充分適用させ得るためには、ａ−８口Ｈ層
中に含有されるＨの量は通常の場合１〜４０　ａｔｏｍ
ｉｃ％、好適には５〜３０　ａｔｏｍｉ　ｃ％とされる
のが望ましい。

ａ−８ｉ：Ｈ層中へのＨの含有は、例えば、グロー放電
法では、ａ−８ｉ：Ｈを形成する田発物質としてＳｉＬ
　、　５ｉ２Ｈａ等の水素化硅素ガスを使用するので、
ＳｉＬ　、　５ｉ２Ｈａ等の水素化硅素ガスが分解して
ａｓｉ：０層が形成される際、本発明の開示する方法に
よればＨは自動的に層中に含有されるが、更にＨの層中
への含有を一層効率良く行なうにはＮ　　ａ　ＳＩ：０
層を形成する際に、グロー放電を行なう装置系内に１１
２ガスを導入してやれば良い。

スパッターリング法による場合にはＡｒ等の不活性ガス
またはこのガスをベースとした混合ガス雰囲気中で、Ｓ
ｉをターゲットとしてスパッターリングを行なう際に、
■（２ガスを導入してやるかまたは５ｉＩ（４，５ｉｔ
Ｉ（ａ等の水木化硅木ガス、或いは、不純物のドーピン
グも兼ねてＢ、Ｌ　、　ＰＬ等のガスを尋人してやれば
良い。

ａｓｉ：Ｈ層は、製造時の不純物のドーピングによって
前記■〜■のタイプに制御することができる。

ａ−８ｔ：Ｈ層中にドーピングされる不純物としては、
ａ−８ｉ：Ｈ層をＰ型にするには、周期律表第■族Ａの
元素、例えばＢ　、Ａｚ、Ｇａ、Ｉｎ＋Ｔｚ。

等が好適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合には、
周期律表第■族Ａの元素、例えばＮ。

ｐ　、　Ａｓ　、　Ｓｂ　、　Ｂｉ等が好適なものとし
て挙げられる。

ａ−８ｉ：Ｈ層中にドーピングされる不純物の量は、所
望される電気的、光学的、及び光電的特性に応じて適宜
決定されるが、周期律表第■族Ａの不純物の場合には通
常１０　’　〜１０　”ａｔｏｎｉｉｃ％。

好適には１０−５〜１０　’　ａｔｏｍｉｃ％９周期律
表第■族Ａの不純物の場合には通常１０’〜１０　”ａ
ｔｏｒｎｌｃ％。

好適には１０′−８−１０’ａｔｏｍｉｃ％とされるの
が望ましい。

これ等の不純物のａ−８ｉ：Ｉ（層中へのドーピング法
は、ａ−８ｉ：Ｈ層を形成する際に採用される製造方法
によって谷々異なるものであ−て、具体的には、以降の
説明または実施例において詳述される。

本発明におけるａ−８ｉ：Ｈ層の層厚としては、所望さ
れる電子写真特性を有する光導電層が形成される様に、
他の構成層との相互関係の基に適宜決定されるものであ
るが、通常の場合０．３〜５０μ、好適には０．５〜３
０μ、最適には０．８〜２０μとされるのが望ましい。

本発明において、ａ−無機半導体層を形成する材料とし
ては、ａ−８ｉ：Ｈ層と積層されて電気的に良好なヘテ
ロ接合部を形成［７、光導電層全体としてはａ−８ｉ：
Ｈ層単独の場合よシも可視光領域の光感度領域を増大さ
せる様なａ−無機半導体材料が選択して使用される。

更にほこの様なａ−無機半導体材料で形成されるａ−無
機半導体層は、本発明における光導電層はその内部に接
合部を有するので、従来のものに対して比較的暗抵抗値
が低くても良いが、１０１′Ω・百以上の暗抵抗値を有
する様に形成される方が所望される電子写真特性を有す
る電子写真用像形成部材を製造する場合の製造条件の自
由度及び使用する材料の選択の１１１１度を充分広くと
れるので好ましいものである。

又、別には、本発明の目的を一層効果的に達成する為に
は、ａ−無機半導体層を形成するａ−無機半導体のバン
ドギャップＫｇがａ−８１：　Ｈ層を形成するａ−８ｔ
：ＨのバンドギャップＥｇ１も大きい様な材料を選択し
てａ−無機半導体層を形成するのが望ましい。例えば、
得られる電子写真用像形成部材に可視光全域に亘って略
々一定の光感度を与え、又、その光吸収係数を増大させ
る為には、ε２−が２．１±〇、４ｅＶの範囲内にある
ａ−無機半導体を選択して使用するのが好ましいもので
ある。

本発明において、ａ−無機半導体層を形成する具体的な
材料の有効なものとしては、例えばＳｓ、Ｔｅ、Ｓ、或
いはこれ等の中の二釉以上から成るａ−無機半導体材料
、更には、これ等にＡｓ　ｒ　Ｇｅ　ｔ　Ｓｌ　ｋ加え
た更に別にはＡｇ　’Ｆ’　Ｃｕ等の金を微量加えたａ
−無機半導体材料等のカルコゲン化合物、ＳｉＯや５ｉ
０２等の硅素酸化物、０を微−ｊｉ　（１０’〜１０’
ｌ）ＰＭ　）含んだａ−ｓｔ　、ｃ　′（Ｉｌ−１０２
〜１０’ＰＰＭ含んだａ−８ｉ等が誉けられる。

上記のカルコゲン化合物としては、例えば、ＡａｔＳｅ
ｓ　＋　０．２　Ｘ程度のＡｇｅ含んだＡａｔＳｅｓ　
ｔ　ＡｓｔＳｓ　ｒｏ、２Ｘ程度）Ａｇを含んだＡｓ２
５ｓ　、　ＡｓＳｅ＋ｏ　ｌ　Ｓｅ、ｅ　Ｓ　ｒＳｅ９
ｏＧｅ　ｌ　５ｅｏＴｅ　ｒ　Ａｓ５ｅｏ　＋　Ａｓ２
５ｅａＴｅ　、等々が好適なものとして使用することが
出来る。

これ等列挙したａ−無機半導体層形成材料は、積層され
るａ−８ｉ：Ｈ層との整合が具合い良く行なわれる様に
ａ−８ｔ：Ｈ層に要求される特性との相互関係の基に、
前記所望される条件全満足し得る範囲内において適宜所
望の材料を選択して使用するのが好ましいものである。

本発明において、ａ−無機半導体層の層厚は設計される
電子写真用像形成部材に要求する電子写真特性と実用的
適性に応じて適宜決定されるものであるが、通常、０．
１〜７０μ、好適には０．２〜６０μ、最適にはｏ、　
２〜５０　ｔｔとされるのが望ましい。これ等の数値範
囲からの前記層厚の選択は、例えば光導電層全体系とし
て要求される特性を効果的に達成させる為の諸機能の中
の何如なる機能をａ−無機半導体層に荷わせるかという
点とその為に選択される材料とに応じて適宜成される。

例えば、ａ−無機半導体層に１．電気的な障壁層として
の機能を主に荷わせる場合には下限として０．１μ、上
限としては高々１．０μ程度の層厚とされれば良いもの
であり、又障壁層としての機能的役割に加えて、光導電
層に要求される電気容量の主なる部分を荷うＭ！Ａ能的
役割が要求される場合には１．０〜６０μ程度とされ、
更に別には電気容量を荷う機能と光照射によって電荷を
発生する電荷発生層としての機能の一端を荷うこと金主
に要求される場合には、１．０〜７０μ程度とされ、又
、別には障壁層の機能と前記電荷発生層としての機能の
一端を荷うととが主に要求される場合には、０．２〜５
０μ程度とされる。

不発明においては、層１０４と層１０５とを各々構成す
る材料の伝４型の極性を各々選択してヘテロ接合部１０
６を形成する事は、不発明の目的を一層効果的に達成す
る為に極めて重要な要素である。

即ち、層１０４と賭１０５との積層によりで形成される
ヘテロ接合部１０６への逆バイアス効果を顕著に打出し
、重要な暗減衰の改善を飛躍的に行なうには、例えは層
１０４がｎ型の場合には、層１０５はｐ型に、逆に層１
０４がｐ型の場合には、層１０５はｎ型に、或いは層１
０４がｎ型又はｐ型の場合には、層１０５はｌ型に、Ｊ
Ｊ１０４が１型の場合には、層１０５はｎ型又はｐ型と
されるのが好ましいものである。

具体的には、例えばｎ型のａ−８ｉ：Ｈ層とｐ型のカル
コゲナイドガラス系のａ−無機半導体層との積層、ｐ型
のａ−８ｉ：Ｈ層とＳｉＯ、５ｉｆｔ等のｎ型のａ−無
機半導体層との積層等が挙げられる。

第１図に示した電子写真用像形成部材１０１としては最
も基本的な構成例を示した為に、光導電層１０３中には
１つのへテロ接合部しか示されてないが本発明において
はこの点に限定されるものではなく、本発明の目的の達
成’ＩＦ　＋５１１止しない範囲において光導′ｆＭ、
層１０３は、枚数のへテロ接合を設ける多層構成として
も良いものである。例えば、支持体１０２側から、ａ−
８ｉ：Ｈ層−ａ−無機半導体層−ａ−８ｔ：Ｈノー、ａ
−無機半導体層・＆−８ｉ　二ＨＪ−・ａ−無機半導体
層。

等とした層構成例が挙げられる。

本発明においては、光導電層１０３は、’＋６１Ｊ述し
た様に具体的にはａ−８ｔ：Ｈ層と該層とは異なった材
料で形成されるａ−無機半導体層とを構成層とするが、
更に別の層を第３層として構成層に加えて設計しても良
い。

例えば、光導電層に要求される機能の１つである電荷輸
送機能を有する層を第３層として別に設ける事が出来る
。

電荷輸送層を構成する材料としては光照射によって発生
された電荷が該層と接触して設けられる層より効果的に
注入される様に電気的に良好な接合状態を前記接触する
層と形成し得、電荷の輸送効率の良いものが有効に使用
される。

その禄な電荷輸送層を形成する材料としては、多くの有
機半導体材料（ＯＰＣ）が挙げられる。

具体的には、例えば以下に示されるものが有効なものと
して挙げられる。

ポリビニルカルバシーｋ（ＰＶＣｚ）：　（ＴＮＦ）（
単量体でのモル比１：１）：テトラニトロフルオレノン
；ジニトロアントラセン；ジニトロアクリデン；テトラ
シアノフイレン；ジニトロアントラキノン；　Ｐ　Ｖ　
Ｃｚ　）カルバゾール；Ｎ−エチルカルハソ−ルーＮ−
イソプロピルカルバゾール；Ｎ−フェニルカルパン゛−
ル；テトラフェニルピレン；１−メチルピレン；ペリレ
ン１クリセン；アントラセン；テトラセン；テトラフテ
ン；エリスロミン；２−フェニルナフタリン；アザピレ
ン；フルオレン；フルオレノン−１−エチルピレン；ア
セチルピレン：２，３−ベンゾクリセン；３，４−ベン
ゾピレン；１゜４−ブロモピレン；フェニルインドール
；ヒラゾリン訪導体；ポリイミダゾピロロン；ポリイミ
ドイミダゾピロロン；ポリイミド；ポリイミドオキサド
ール；ポリアミドベンゾイミダゾール；ポリハラフエニ
レン；ポリビニルピレン；ポリビニルテトラセン；ポリ
ビニルペリレン；ポリビニルテトラ７エン；ポリアクニ
ロニトルである。

電荷輸送層の層厚は、本発明の目的を達成する為に該層
に要求される特性及び電荷発生層との関係において適宜
決定されるものであるが、通常は５〜７０μ、好適には
１０〜６０μとされるのが望ましいものである。

本発明において、光導電層全体系としての層厚としては
、該層を構成する層が、その負荷される機能が充分発揮
される様に前記した数値範囲から選択された層厚値を有
する（）〕会に役目１される上に、光導電層全体系とし
て、１ツ［望される電子写真特性、殊に電気的、光学的
及び元１ｂ−的特性及び適用される電子写真法、更には
使用条件、例えば、可撓性が較ｊりされるか否か等に応
じて適宜決定されるものであるが、通常の場合１〜８０
μ、好適には２〜７０μ、最適には２〜５０μとされる
のが望ましい。

本発明において支持体１０２として有効に使用されるも
のとしては、支持体１０２上に直接設けられる層との電
気的接合状態が所望特性を満たすものであれば、電子写
真分野において通常１厨用されているものは大概使用さ
れ得る。

その様なものとし−Ｃ１具体的には、例えば下記のもの
が好適なものとして挙げられる。

ステンレス＋　、ｋｔ、Ｃｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ　、　Ｉ
ｒ　、Ｎｂ　、Ｔａ：Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の依属捷
たはこれ等の合金等の導電性支持体、または、これらの
金属が、表面に設けられた導電性支持体或いは、耐熱性
、少なくとも光導電層１０３金形成する際の温度におい
て耐熱性？示す合成Ｍ脂のフィルムまたはノート、また
はガラス、セラミック等の電気絶縁支持体等が有効なも
のとし−Ｃ挙げられる。

支持体１０２拡その上に光導電層１０３が堆積される前
に、一連の清浄処理が施される。この様な清浄処理にお
いて、一般的にＶよ、例えば金属性支持体であれば、エ
ツチングによって表面を効果的に清浄化するアルカリ性
または酸性の溶液と接触される。その後支持体は清浄雰
囲気中で乾燥され、その後の準備処理がなければ、次い
で光導電層を支持体上に形成する為の装置の堆積室内の
所定位置に設置される。電気絶縁性支持体の場合には、
必要に応じて、その表面會導冨処理される。

例えば、ガラスであれば、Ｉｎｔｏ、　ｌ　８ｎ０２等
でその表面が導電処理され、或いはポリイミドフィルム
等の合成樹脂フィルムであれば、Ａｔ、Ａｇ。

Ｐｂ　、Ｚｎ、Ｎｉ　、Ａｕ　、Ｃｒ　、Ｍｏ　、　Ｉ
ｒ　＋Ｎｂ　、Ｔａ　、ｖｌＴｔ。

ｐｔ等の金属を以って真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング等で処理し、または前記金属でラミネート処
理して、その表面が導電処理される。支持体の形状とし
ては、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得、
所望によって、その形状は決定されるが、電子写真に適
用する場合連続高速複写用とするには、無端ベルト状ま
たは円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの電子写真用像形成部材が形
成される様に適宜決定されるが、可撓性が要求される場
合には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で
あれば、可能な限シ薄くされる。百年ら、この様な場合
、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から
、通常は、１０μ以上とされる。

第１図に示される電子写真用像形成部材の如き、光導電
層１０３が自由表面１０７を有し、該自由表面１０７に
、静電像形成の為の帯電処理が施されるものにおいては
、光導電層１０３と支持体１０２との間に、静電像形成
の際の帯電処理時に支持体１０２側からのキャリアーの
注入を阻止する働きのある障壁層を設けるのが一層好ま
しいものである。この障壁層を形成する材料としては、
選択される支持体の複類及び形成される光導電層の電気
的特性に応じて適宜選択されて使用される。その様な材
料としては、エチレン、ポリカーボネート、ポリウレタ
ン。

ポリバラキシリレン等の絶縁性有機化合物等である。

不発明においては、適用する′電子写真プロセスによっ
ては光導電層１０３上に表面被覆層が設けられる。

表面被覆層に要求される特性は、適用する電公報に記載
されている様な電子写真プロセスを適用するのであれば
、表面被覆層は、電気的絶縁性であって、帯電処理を受
けた際の静電荷保持能が充分あって、ある程度以上の厚
みがあることが要求されるが、例えば、カールソンプロ
セスの如き電子写真プロセスを適用するのであれば、静
電像形成後の明部の電位は非常に小さいことが望ましい
ので表面被覆Ｊ−の厚さとじては非常に薄いことが要求
される。表面被覆層は、その所望される電気的特性を満
足するのに加えて、光導電層１０３に化学的・物理的に
悪影響を与えないこと、光導電層との電気的接触性及び
接着性、更には耐湿性、耐摩耗性、クリーニング性等を
考慮して形成される。

表面被覆層形成材料として有効に使用されるものとして
、その代表的なのは、ポリエチレンテレフタレート；ポ
リカーボネート；ポリプロピレン；ポリ塩化ビニル；ポ
リ塩化ビニリデン；ポリビニルアルコール；ポリスチレ
ン；ポリアミド；ポリ四弗化エチレン；ポリ三弗化塩化
エチレン；ポリ弗化ビニリデン；六弗化プロピレン−四
弗化エチレンコポリマー；三弗化エチレン−弗化ビニリ
デンコポリマー；ポリブテン；ポリビニルブチラール：
ポリウレタン等の合成樹脂；ジアセテート；トリアセテ
ート等のセルロース誘導体等が挙げられる。これ等の合
成樹脂又はセルロース誘導体は、フィルム状とされて光
導電層上に貼合されても良く、又、それ等の塗布液を形
成して、光導電層１０３上に塗布し、層形成しても良い
。表面被覆層の層厚は、所望される特性に応じて適宜決
定されるが、通常の場合、０．５〜７０μ程度とされる
。殊に表面被覆層が光導電層１０３の単なる保護層とし
ての機能を要求される場合には、通常の場合、１０μ以
下とされ、逆に電気的絶縁層としての機能が要求される
場合には、通常の場合１０μ以上とされる。

以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明する。

実施例１ 第２図に示す装置を用い、以下の様に本発明の電子写真
用像形成部材を作成し、画像形成処理を施して画像出し
ヶ行った。

表面が清浄にされたガラス基板（コーニング７０５９；
：Ｉ−＝ング社製：ｌｉ＋ｉ厚、　４ｃＩＩＬｘ　４ｃ
Ｊ両面光学研磨）の一方に、電子ビーム蒸着法によって
Ａｕを２０ＯＡ蒸着し、下地電極全役けた。

このガラス基板室、グロー放電堆積槽２０１内の所定位
置にある固定部材２０３に固定した。

次いで、メインパルプ２２０を全開して堆積槽２０１内
の空気を排気し、約５　Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒの真空度
にした。その後ヒータ−２０４會点火してガラス基板を
均一に加熱して２００℃に上昇させ、この温度に保った
。その後、補助パルプ２１９を全開し、引続いてボンベ
２０７のパルプ２２１τ全開した後、流１を調節パルプ
２１３會徐々に開いて、ボンベ２０７よｐ　８ｉＨ，ガ
スヲ堆槓槽２０１内に導入した。この時、メインパルプ
２２０を調節して堆積槽２０１内の真空度が０．０７５
　Ｔｏｒｒに保持される様にした。

続いて、高周波電源２０５のスイッチ＝ｉＯＮにして、
誘導コイル２０６に：ｔ３．５６＋■ＩｚＱ高周波′区
圧を印加してグロー放電を起し、ガラス基板上にａ−８
ｉ：Ｈ層を形成した。この時の入カグロー放′亀電力は
２Ｗであった。メ、この時のａ−８ｉ：Ｈ層の成長速度
は、約４Ａ／ｓｅｅであって約４０分間真空堆積を行い
、基板上に１．０μ厚のａ−８ｉ：ＨＪｉｉを形成した
。この様にしてａ−８４：Ｈ層の形成された基板を、堆
積終了後、メインバルブ２２０、バルブ２１６　、　ｍ
：ｍ調１ｆｌバルブ２１３、補助バルブ２１９伊閉じ、
基板温度が、１００°０以下になるのを４ｉｉｄ　ｇし
た後リークバルブ２２８を開いて堆イ★）＠　２０　ｉ
内の真空を破り、外部に取り出した。

次いで、上自己の様にして形成されたａ−８ｉ：ＨＩＩ
ｌ上に真空蒸着法によってアモルファスセレン（ａ−８
ｅ）層を１．θμ／朋の析出速度で２μ厚に積層した。

この析出中、ａ−８ｉ：ｌ−１層は室温のまま保持した
。

こうして得られた像形成部材に次に示す様な方法の削像
形成処理會施また。

先ず、暗中に於いて、電源電圧０６にＶで負コロナ帯電
を上記１域形成部材表面に行い、表面電位の暗減衰全光
面電位計で観察した所、極めて電荷保持能は優れておシ
、数分間に亘って初期電位の７５チ以上を保持すること
が判別した。

次に、４５０．５５０．６５０ｎｍ　（それぞれ±５　
ｎｍ幅の波長純度）の干渉フィルターとニュートラルテ
ンシトフィルター（ＮＤフィルター）を各々組み合わせ
て各波長で約１１００ｅｒの光エネルキー量となる光で
透明シート上のテス）ｎ像パターン全通して、上記像形
成部材に照射し静電像に変換した。次いでそれぞれにつ
いて、正帯電粉体トナーで現像した所、いづれも良質か
つほとんど同一の磯淡を表現した。更に、７５０　ｎｍ
の波長光に対しても、良好なトナー画像を提供した。

実施例２ 実施例１と同一の装置を用いて、表面が清浄にされた１
闘厚４ｃＩＩＬｘ４−のアルミニウム基板を実施例１と
同様に固定部材２０３に固定した。

次いで、メインバルブ２２０を全開して堆積槽２０１内
の空気を排気し、約５　ｘ　１０’　Ｔｏｒｒの真空度
にした。その後ヒーター２０４を点火してアルミニウム
基板を均一に加熱して１７０℃に上昇させ、この温度に
保った０その後、補助バルブ２１９を全開し、引続いて
ボンベ２０７のバルブ２１６、ボンベ２０８のバルブ２
１７を全開した後、流１ｔ―節バルブ２１３及び２１４
ヲ徐々に開いて、ボンベ２０７よ＃）８ｉ１−１４ガス
會、ボンベ２０８よりＢ、Ｈ，ガスを堆積槽２０１内に
導入した。フローメーター２１０と２１１の読みからＢ
ｔＨａ／　５ｔｉ（、＝　１０　ＰＰＭとなルヨうＫ　
＊　節バルブ２１３．２１４を開いた０この時、メイン
バルブ２２０を調節して堆積槽２０１内の真空度が約０
．０７５　Ｔｏｒｒに保持ちれる様にした。

続いて、高周波電源２０５のスイッチ金ＯＮにして、誘
導コイル２０６に１３．５６　Ｍｌ−１ｚの高周波電圧
會印加してグロー放％’ｉｘ起し、アルミニウム基板上
にａ−８ｉ：Ｈ層ケ形成した。この時のグロー放電電力
は２Ｗ’ｔ’あった。又、この時のａ−８ｉ：Ｈ層の成
長速度は、約４　Ａ／ｓｅｃであって１時間真空堆積ケ
行い、アルミニウム基板上に１．５μ厚のａ−８ｉ：Ｈ
層全形成した。この様にしてａ−８ｉ：Ｈ層の形成され
た基板を、堆積終了後、メインバルブ２２０、バルブ２
１６゜２１７、流量調節バルブ２１３．２１４、補助バ
ルブ２１９を閉じ、基板温度が１００℃以下になるのを
待ってリークバルブ２２８ケ開いて堆積槽２０１内の真
空を破シ、外部に取９出゛し７’ｃ。

次いで、上記の様にして形成され九ａ−８ｉ：Ｈ層上に
真空蒸着法によってアモルファスＡｓ、Ｓｅ。

層を０．５μ／關の析出速度で１μ厚に積層した。

こうして得られた像形成部材に実施例１と同様の画像処
理を施した所、０６にＶコロナ帯電による０表面電荷の
暗所での電荷保持能は極めて良好であった。又、４５０
，５５０，６５０，７５０ｎｍの各波長光による＠像露
光に対しても良好なトナー画像を提供した。

実施例３ 第３図に示す装置を用いて、以下の様な操作によって電
子写真用像形成部材４作製し、凹１像形成処理を施して
Ｉｌ！Ｉｌ像出し全行った。

表面が清浄にされた０、　２朋厚、６硼×６儂のステン
レス板を基板３０２として、堆積［３０１内の加熱ヒー
ター３０４と熱′電対を内蔵した固定部材３０３上に固
定した。

基板３０２と対向した＊１ａｏ６上には、二酸化ケイ素
（ＳｉＯ□）ターゲット（純度９９．９％）３０５か基
板３０２と平行に約４．５　ｃｍ離されて対向するよう
に固定された。

堆積槽３０１内は、メインバルブ３２４を全開して一旦
５　Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒ　＠、度まで真空にされ（こ
のとき、系の他の全バルブは閉じられている）、補助パ
ルプ３２３及び流出バルブ３２０が開かれ十分に脱気さ
れた後流用バルブ３２０と補助バルブ３２３が閉じられ
た。次、にガスボンベ３０８のバルブ３２７全開け、出
ｌコ圧力計３３１の読みが１　ｋｇ／（１ｒＬ２になる
ように調整された後、流入バルブ３１２が開けられ、続
いて流出バルブ３２０が徐々に開けられ、アルゴンガス
（純度９９．９９９％）　（ｆｌ一槽３０１内に流入さ
せた。圧力計３２５の指示が５×１０″Ｔｏｒｒになる
まで、流出バルブ３２０が徐々に開けられ、この状態で
流量が安定してから、メインバルブ３２４が徐々に閉じ
られ、槽３０１内圧が１　ｘ　１Ｏ−２Ｔｏｒｒになる
まで開口が絞られた。

続いて、高周波電源３３４　ｉＯＮ状態にし、ターゲッ
ト３０５および固定部材３０３間に１３、５６　ＭＨｚ
　、　５００　Ｗ　、　１．６に■の交流電力が入力さ
れた０この条件で安定した放電を続けるようにマツチン
グを取り続けＳｉｎ、層に３０分間０．２μ厚に形成し
た。＾周波電源３３４２０Ｆ’Ｆ’状態にして、流出バ
ルブ３２０、補助バルブ３２３、メインバルブ３２４を
閉じた後リークバルブ３３５全開い□て、大気にリーク
した。堆積槽３０１内の二酸化ケイ素ターゲット３０５
を取９出し、代わ９に結晶シリコン（純度９９．９９９
チ）ターゲット３０５が基板３０２と平行に約４、５　
ｃ１ｎ離されて対向するように固定された。

伯３０１内は、メインバルブ３２４を全開して一旦５　
ｘ　１０’　Ｔｏｒｒ程度盪で真空にされ（このとき、
系の他の全パルプは閉じられている）、補助パルプ３２
３及び流出バルブ３１９，３２０゜３２１が開かれ十分
に脱気された彼、流出バルブ３１９，３２０，３２１Ｊ
助バルブ３２３が閉じられた。

基板３０２は、加熱ヒーター３０４に通電されることで
加熱され、１７０’Ｏに保たれた。そして水素ガスボン
ベ３０７のバルブ３２６’ｉ開け、出口圧力計３３０に
よって１’ｋｇ／ａｍ”に出口圧を調整した。続いて、
流入バルブ３１１を徐々に開いて、フローメーター３１
５内に水素ガス（純度９９．９９９９５％）を流入させ
、続いて、流出バルブ３１９を徐々に開き更に、補助バ
ルブ３２３會開いた〇 槽３０１の内圧を、圧力ｉｉ　３２５で検知しながら流
出バルブ３１９ケ調整して５　Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒま
で流入させた。引き続きアルゴンガスボンベ３０８のバ
ルブ３２７を開け、出口圧力計３３１の読みが１に４Ｉ
／ｃＩｒＬ２になる様に調整された後、流入バルブ３１
２が開けられ、続いて流出バルブ３２０が保々に開けら
れ、アルゴンガス（純度９９．９９９９チ）を＋１１３
０１内に流入させた。圧力計３２５の指示が５×１０″
Ｔｏｒｒになるまで、流出バルブ３２０が徐々に開けら
れ、この状態で流量が安定してから、メインバルブ３２
４が徐々に閉じられ、槽３０１内圧が１　ｘ　１０’　
Ｔｏｒｒになるまで開口が絞られた。フローメーター３
１５゜３１６が安定するのを確認してから、高周波電源
３３４ｉＯＮ状態にし、ターゲット３０５及び固定部材
３０３間に１３．５６■（ｚ　、　１５　ｏｗ。

１、６に■の交流電力が入力された。この条件で安定し
た放電ケ続ける様にマツチングを取りながら層を形成し
た。この様にして１．５時間放電を続は層を形成した・
その後、高周波電源３３４をＯＦＦ状態にし、放電を中
止式せた。引き続いて流出バルブ３１９，３２０’ｉ閉
じメインバルブ７２４を全開して槽３０１内のガスヶ抜
き、５　ｘ　１０’　Ｔｏｒｒまで真空にした。

基板３０２の温度が１００　’Ｏ以下になるのを待って
、メインバルブ３２４を閉じリークバルブ３３５を開け
て大気にリークし−Ｃ１基板を取シ出した。

次いで実施例１と同様に、ａ　　Ｈｅ層を０．５μ積層
して像形成部拐會得た＠ 実施例１と同様の１ｌｉｌ百象形成処理會施した所、■
６にＶコロナ帯電での暗減衰は極めて遅（，４００゜４
．５０，５００，５５０，６００，６５０，７００，７
５０゜８００ｎｍの波長領域（半値幅１０　ｎｍ　）の
光での像露光による静電像の正トナー像は、いずれも鮮
明かつ濃淡のほぼ合った良質な１ｌＩｊＩ像を侍た。

更に■６ＫＶのコロナ帯電においても暗減衰は、ゆつく
ジでおり、像露光による静電像の負トナーによって作ら
れたトナー像は、良ｖＬなものであった。

実施例４ 表面が清浄にされた、ガラス、梧板（コーニング７０５
９　：ダウコーニング社製：１ｍｍ）ｑ、４儂ｘ　４　
ｃｖｔ　、両面光学研磨したもの）表面の一方に、電子
ビーム蒸着法によってＩ　Ｔ　Ｏ（Ｉｎ、０．；　５ｎ
０１゜２０；１成型、６００°Ｃ焼成）を１２０ＯＡ蒸
着した後、５００℃酸素雰囲気中で加熱処理されたもの
を、実施例３と同様の装置（第３図）の固定部材３０３
上にＩＴＯ蒸着面を上面にして設置した。絖いて、実施
例３と同様の操作によって堆積槽３０１内を５×１０″
Ｔｏｒｒの真空となし、基板温度は２００°０に保たれ
た後、（Ａｒ十Ｈ！　（１／　１０　）　　）なる混合
ガスが流され、槽３０１内は、　２　ｘ　１０’　Ｔｏ
ｒｒに調節された・ガス流入が安定し、槽３０１内圧が
一定となり、基板温度が２００°０に安定してから、実
施例３と同様に高周波電源３３４　’ｋＯＮ状態として
、放電を開始させた。この条件で、４５分間放ｔ′４を
持続させた後、高周波電源３３４ｉＯＦＦ状態として放
電全中止させた。

次いで酸素ボンベ３０９のバルブ３２８を開け、出口圧
力を１にｇ／Ｇｍ”に調整し、流出バルブ３１３、流入
バルブ３２１を徐々に開け、フローメーター３１７の耽
みが、容量比で水素ガス流量の５％になるように開口を
町整した０アルゴン、水素、酸素の流量が安定するのを
待って、再び高周波電源３３４をＯＮ状態とし、放電を
再開させた。

放電を、１時間持続させたのち、再び高周波電源３３４
７ｉｉ：ＯＦＦとして放ｔｈ中止させ、流出バルブ３１
９．３２０．３２１を閉じ、更に補助バルブ３２３も閉
じて、メインバルブ３２４を全開して槽３０１内を真空
状態に戻した。基板温度が、１００°０以下になるの會
待って、メインバルブ３２４を閉じ、リークバルブ３３
５會開けて大気にリークした。

こうして得られた像形成部材は、実施例１と同様に、θ
６にＶ帯電、画像露光を施してトナー画像を形成した処
、高鮮明度のＩｌ像が得られた０又、コロナ帯電後、約
１０秒（１″経過したのち、４５０．５５０．６５０．
７５０ｎｍでの各波長領域（半値幅ＩＱｎｍ）で各々画
像露光を行ってもトナー画像の磯度、鮮明度には損失は
、はとんどなかった。

実施例５ 第３図に示す装置を用いて、清浄にされた０、５Ｕ厚、
５Ｃｒｎ×５ｃ１ｎのアルミニウム板を基板３０２とし
て、実施例３と同様に、二酸化ケイ素ターゲット３０５
から０．２μ厚の二酸化ケイ素層をアルミニウム基板３
０２上に形成した。更に実施例４と同様に、ａ−８ｉ：
Ｈ層（１，０μ）とａ−８ｉ　（０）層（０，５μ）倭
形成して、像形成部材を得た。

実施例１と同様にしてｌｉ！Ｉｌ像形成処理ケ施した所
■６にＶのコロナ帯電での暗減衰速度は極めて遅いもの
であった。又、４５０，５５０．６５０゜７５０ｎｍの
各波長光（半値幅１０　ｎｍ　）での画像露光によって
も良質で濃度の高い画像を提供した。更に■６に■のコ
ロナ帯電によっても同等の結果を得た。

実施例６ 実施例４と同様にガラス基板上にＩ’ｖＯ寛極を設けた
ものｔ基板とし、この基板上にＡｓ５ｅｌ。

カルコゲナイドガラスを基板温度４５℃、析出速度０．
３μ／酩の条件で５μ厚に均一に真空蒸着法で形成した
。

次に、実施例１と同様に上記カルコゲナイドガラス層を
もったガラス基板全カルコゲナイドガラスｊ−面を上面
にして第２図の装置の固定部材２０３上に固定し、槽２
０１内ｔＡ窒状態にした後、基板温度は７０℃で、ａ−
８ｉ：ＩＩ層を１．０μ積層させた。

こうして得られた像形成ｉｌｔ材に、■６ＫＶのコロナ
帯電會施した所、暗減衰ｔま遅く、光像照射。

トナー現像によるトナー画像は、［（質でめった。

更に、この像形成部材に■６にＶのコロナ帯電後、裏面
（ガラス基板側）から光像紫照射した所、４５０　、５
５０　、６５０　、７５０　ａｍのいづれの波長光（半
値幅１０ｎ■１）に則しても良質で画像一度の尚いトナ
ーＩＩ！ＩＩ像ｖ　（４４だ・又裏面からの光像照射に
対しても同様に高品質のトナーＩＩ！ＩＩ像がすべての
波長光の場合に得られた。

更に、別には基板温度を２００°０として基板側よｌ）
　Ａｓ５ｅ１．層の代９に２０　μｍ厚のＡｓ、Ｓｅ、
層。

１μ厚のａ−８ｉ：Ｈ層を形成した以外は、上記と同様
の条件及び手順で作成した電子写真用像形成部材も上目
己と同様にシ」視回像出し會行ったところ優れた品質の
トナー画像が転写紙上に得られた。

実施例７ 実施例６と同様にして作製したガラス基板／ｆ　Ｔ　Ｏ
／　ａ−Ａｓ８ｅ１．／　ａ−８ｉ　：　Ｈなる層構成
の部材ｆＢ−８ｉ：Ｈ層を上面にして実施例４と同様に
第３図の装置の固定部材３０３上に固定した。

次いでＡｒ　：Ｈ２：０．＝　１００：２０：１の混合
比でポリシリコンタ−ゲットをスパタリングし、０．３
μ厚に基板温度全室温にしてａ−８ｉ（０）層を積層し
、像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に、■６に■のコロナ帯電
音節した所、暗減衰は極めて遅く、４５０゜５５０．６
５０．７５０ｎｍの各波長光（半値幅１０ｎｍ）で光像
照射後トナー現像した所、各波長光に対していずれも良
好なトナー画像を得た・又裏面からの光像照射に対して
も同様に高品質のトナー画像がすべての波長光の場合に
得られた。

実施例８ 同様の操作によって、ＩＴＯ基板上にグロー放電によっ
てａ−８ｉ：Ｈ層を１μ形成した後、高周波電源２０５
ｉＯＦＦ状態にして、放電だけを中止させた。次いで、
ジボランガス　（純度９９．９９９％）が充填されたボ
ンベ２０８のパルプ２２２を開け、出口圧力を１　ｋｇ
／ｃｒｎ”圧に調整したのち、流入パルプ２１４と流出
パルプ２１７を徐々に開けて、ジボランガスの流：ｌｔ
が、シランガスの１００　ＰＰＭになるように、フロー
メーター２１１の読みで調整した。ｊｔｅ量が安定して
から、再び高周波電源２０５　＝ｋＯＮ状態にして、１
５分間グロー放電を行ない、再び高周波電源２０５ｋＯ
ＦＦ状態とし、補助パルプ２１９、流出バルブ２１６．
２１７、流入パルプ２１３゜２１４を閉じ、メインパル
プ２２０’（ｉ−全開にして、基板温度が１００℃以下
になるまで放置した。その後、メインパルプ２２０を閉
じてから、リークパルプ２２８會開けて大気にリークし
、基板ＩＩ出した。次いで、とのａ−８ｉ二Ｈ層上に、
真空蒸着法によって、ａ−Ａｓ８ｅ、。を０．８μ厚（
析出速度０．３μ／關）に積層し、像形成部材を得た。

この像形成部材に実施例１と同様の画像処理を施した所
、０６にＶコロナ帯電による暗減衰は、極めて遅く、４
００〜８００　ｎｍの光像に対して、良好に光減衰する
ことがそれぞれのトナー画像から確められた。

実施例９ 実施例３と同様に、厚さＱ、２ｍｍ　、　４ｃＩＬｘ　
４ｃｍのステンレス基板上に、二酸化ケイ素層を第３図
の装置で０．２μ厚に形成したものを、第２図に示され
た装置の固定部材２０３に固定した。

続いて、実施例２と同様の操作によってグロ−放電堆積
槽２０１内會５　Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒの真空となし、
基板温度は２００℃に保たれた後、シランガスが流され
、槽２０１内は、０．１　Ｔｏｒｒに調節された。この
時、更にジボランガスが、シランガスの１０　ＰＰＭと
なるように、ジボランガスの充填されたボンベ２０８か
らバルブ３２２を通して、１　＃／（ＸｒＬ２のガス圧
（出］」圧力ゲージ３２５の読み）で流入バルブ３１４
、流出バルブ３１７の調節によってフローメーター３１
１の読みから槽３０１内にシランガスと混合流入された
。ガス流入が安定し、ＪＲ２０１内圧が一定となシ、基
板温度が２００℃に安定してから、実施例２と同様に高
周波電源２０５ｉＯＮ状態として、グロー放電を開始さ
せた。この条件で、５０分間グロー放電を持続させた後
、高周波電源２０５をＯＦＦ状態としてグロー放電を中
止させた０その後、流出バルブ２１６，２１７を閉じ、
補助バルブ２１９、メインパルプ２２０を全開にして、
槽２０１中’ｉ　５　Ｘ　１０”Ｌ’ｏｒｒ　Ｊで真空
ＶＣした０その後、補助パルプ２１９、メインパルプ２
２０は閉じられた。次いで流出バルブ２１６を徐々に開
け、補助パルプ２１９、メインバルブ２２０を上記した
時と同じシランガスの流量状態になる様に復起された。

続いて、ホスフィンガスの充填されたボンベ２０９から
バルブ２２３を通して１　ｋｇ／Ｃｍ”のガス圧で流入
パルプ２１５、流出バルブ２１８の調節によってフロー
メーター２１２の読与から、シランガスの１５０　ＰＰ
Ｍとなるように槽２０１内に混合して流入させガス流入
が安定するのを待った。

絖いて、再び高周波電源２０５をＯＮ状態として、グロ
ー放電を再開させ、この状態全１０分間持続させた後、
加熱ヒーター２０４及び高周波電源２０５’１ｒＯＦＦ
状態として、流出バルブ２１６，２１８を閉じ、メイン
パルプ２２０と補助パルプ２１９を全開にして、！２０
１内を一旦１０’　Ｔｏｒｒ以下にしてから、基板温度
が１００℃以下になるのを待って、補助バ・ルプ２１９
及びメインパルプ２２０を閉じ、次いでリークバルブ２
２８を開けて、大気にリークし、外部に取ｐ出した。

こうして得られたａ−８ｉ：Ｈ層の形成されたステンレ
ス板は、再び、第３図に示される装置の固定部材３０３
に固定された。次いで実施例４の上部層形成と同様の操
作によって、Ａｒ　：　Ｈ２：Ｏ，、−９０：１０：０
．５のガス流電でポリシリコンタ−ゲット音用いて、ａ
−８ｉ（０）層會形成した。

この際放電は、３０分間続けられ、０．５μのａ　−ｓ
ｉ　（ｏ）層がａ−８ｉ：Ｈ層上に形成された。

こうして得られた像形成部材に、暗中において■６　Ｋ
Ｖのコロナ帯電を施した所、極めて高い電荷保持能を有
し、かつ暗減衰は極めて遅いものでめった。更に、４０
０，５００，６００゜７００．８００ｎｍの各波長光（
半値幅１０ｎｍ）における光像の照射と、それに続く負
帯電粉体トナー現像によるトナー画像は、磯度９階調。

鮮明度ともに優れておシ、各波長光での像露光に於いて
良好なトナー画像會得九〇 実施例１０ 実施例１と同様にしてガラス基板上にＡｕ電極を設け、
δらにａ−８ｉ：Ｈ層金１μ堆積させてグロー放電を中
止したのち、流出バルブ２１６を閉じて槽２０１内を真
空に保った０その後、ホスフィンの充填葛れたボンベ２
０９會取りはずし、メタンガス（純度９９．９５％）の
充填されたボンベ２０９−１’（ｒかわシに取シつけた
。このメタンガスボンベ２０９−１のバルブ２２３を閉
じたまま、流入パルプ２１５、流出バルブ２１８、補助
パルプ２１９を全開にして系内金真空にした。続いてバ
ルブ２１５，２１８を閉じ、バルブ２２３を開けて、出
口圧’ｔ−１ｋ４１７ＣＩｒＬ”に調整した。

次いで、流入パルプ２１６を徐々に開けて、シランガス
の流量がａ−８ｉ：Ｈ層形成の場合と等しい量に復起さ
れ、更に流入パルプ２１５及び流出バルブ２１８１々に
開けて、メ〈ンガスも槽２０１内に流入された０メタン
ガス流量は、容量比でシランガスの１０ｔｓとなるよう
に調整した。この状態で再び高周波電源２０５をＯＮ状
態に戻し、グロー放電に４０分間続けた。

高周波ＩＭ、諒２０５　＝、、７　ｏ　ｈ１Ｆ’とし／
こ後流出バルブ２１６，２１８ｉ閉じ、補助パルプ２１
９も閉じて、槽２０１内を真空に戻し、ヒーター２０４
をＯＦＦし、基板温度が１００　’（］以下になるのを
待った。次いで大気にリークして取シ出された０ 像形成部材は、０６にＶコロナイｉＦ奄を施され、４５
０．５５０．６５０．７５０ｎｒｎの各波長光（半値幅
１０ｎｍ）で像露光された後、正帯電トナーによって現
像された。

この際、いづれの波長光でのトナー１１１１１像も極め
て鮮明かつ画像濃度の市いもの′に得た。

実施例１１ 実施例１と同様に、第２図の装置を用いて、ガラス基板
上にＡｕ、更に実施例１と同様の作製条件でａ−８ｉ：
Ｈ３ｆｉ、ａ−８ｅ　６　μ（ｒｌ１ｍ次積層させた後
、ａ−８ｅ層上にポリカーボネイト樹脂を乾燥後１０μ
となるように均一に塗布して、透明な絶縁層を形成し像
形成部材を得た。

この像形成部材の絶縁層表面全面に一次帯電として帯電
電圧■６　ＫＶのコロナ放電全行うと同時に絶縁層側か
ら一様に全面光照射を行った。

その後再び暗所に戻し、二次帯電として■５．５に■の
コロナ放電を行うと同時に４５０．５５０　。

６５０．７５０ｎｍの各波長光（半値幅１０ｎｍ）で像
露光全行った。次いで像形成部材表面は、再び一様に全
面照射された後、負荷電の粉体トナーによって現像され
、転写紙上に転写、定着した所各波長光に於いて解像度
が高く鮮明な画像が得られた。

実施例１２ 実施例１と同様に、第２図の装置音用いて、ガラス基板
上にＡｕ　、　ａ−８ｉ　：Ｈ１／Ｊ　、　ａ−８ｅ　
２°μを積層させた後、ポリビニルカルバゾールヲ乾燥
後１０μの層厚となるように塗布して像形成部材を得た
。この像形成部材に実施例１と同様にして０６にＶのコ
ロナ帯電音節し、４５０，５５０゜６５０．７５０ｎｍ
の光像會それぞれ照射後、正荷電トナーで現像した所極
めて良質なトナー画像をすべての波長光での露光の場合
に得た。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の電子写真用像形成部材の最も基本的
な層構成例ｋ　ｍ？、明する為の模式的説明図、第２図
及び第３図は、各々本発明の電子写真用像形成部材を製
造する為の装置の模式的説明図である。 １０１・・・電子写真用像形成部材、１０２・・・支持
体、１０３・・・光導電層、１０４，１０５・・・層、
１０６・・・ヘテロ接合部、２０１・・・堆積室、２０
２・・・基板、２０３・・・固定部拐、２０４・・・ヒ
ーター、２０５・・・尚周波Ｘ源、２０６・・・銹導コ
イル、２０７〜２０９・・・ボンベ、２１０〜２１２・
・・フローメーター、２１３〜２１５・・・流量調節バ
ルブ、２１６〜２１８・・・パル７’、２１９・・・補
助バルブ、２２０・・・メインパルｊ、２２１〜２２３
・・・バルブ、２２４〜２２６・・・出口圧ゲージ、２
２７・・・ピラニゲージ、２２８・・・リークバルブ、
ｊｏｌ・・・堆積室、３０２・・・基板、３０３・・・
固定部材、３０４・・・ヒーター、３０５・・・ターゲ
ット、３０６・・・対向電極、３０７〜３１０・・・ボ
ンベ、３１１〜３１４・・・流入バルブ、３１５〜３１
８・・・フローメーター、３１９〜３２２・・・流出バ
ルブ、３２３・・・補助バルブ、３２４・・・メインバ
ルブ、３２５・・・ピラニゲージ、３２６〜３２９・・
・バルブ、３３０〜３３３・・・出口圧力計、３３４・
・・高周波′電源、３３５・・・リークバルブ。 特許出願人　　キャノン株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 支持体と、障壁層と、アモルファスシリコン層と、該層
   に積層して設けられてヘテロ接合を形層 成するアモルファス無機半導体と、を構成層と八 して含む事を特徴とする電子写真用像形成部材。