JPS5875156A - 電子写真法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある電子写真用像形成部材を利用した電子写真法
に関する。

従来、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する光導
電材料としては、Ｓｅ　、　ＯｄＳ　、　ＺｎＯ等の無
機光導電材料やポＩＪ　＋　Ｎビニルカルバゾール（ｐ
ｖｉｃ）　、　）リニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の
有機光導電材料（ｏｐｏ）が一般的に使用さている。

百年ら、これ等の光導電材料を使用する電子写真用像形
成部材に於いては、未だ諸々の解決され得る可き点があ
って、ある程度の条件緩和る。

例えば、Ｓｅを光導電層形成材料とする電子写真用像形
成部材は、Ｓｅ単独では、例えば、可視光領域の光を利
用する場合、その分光感度領域が狭いのでＴｅやＡｓ　
ｆ添加して分光感度領域を拡げることが計られている。

百年ら１．この様な、Ｔｅ＋′ＡＳを含むＳｅ系光導電
層を有する電子写真用像形成部材は、確かに分光感度領
域は改良されるが、光疲労が大きくなる為に、（ロ）−
原稿を連続的に繰返し、コピーすると複写画像の画像濃
度の低下やバックグランドの汚れ（白地部分のカプリ）
を生じたシ、又、引続き他の原稿をコピーすると前、の
原稿の画堺が残像として複写される（ゴースト現象）等
の欠点を有している。

而も、Ｓｅ殊にＡ龜、　Ｔｅは人体に対して極めて有・
害な物質であるので、製造時に於いて、人体への接触が
ない様な製造装置を使用する工夫が必セであって、装置
への資本投下が著しく大きい。更には、製造後に於いて
も、光導電層が嵐呈していると、クリーニング等の処理
を受ける際、光導電層表面は直に摺擦される為に、その
一部が削り取られて、現像剤中に混入したシ、複写機内
に飛散したり、複写画像中に混入したりして、人体に接
触する原因を与える結果音生む◎又、Ｓｅ系光導電層は
、その表面がコロナ放電に、連続的に多数回繰返し晒さ
れると、層の表面付近が結晶化又は酸化を起して光導電
層の電気的特性の劣化を招く場合が少なくない。或いは
、又、光導電層表面が露呈していると、靜電浩像の可視
化（現像）に際し、液体現像剤を使用する場合、その溶
剤と接触する為に耐溶剤性（耐液現性）に優れているこ
とが要求されるが、この点に於いて、Ｓｅ系光導電層は
必ずしも満足しているとは断言し難い。

これ等の点を改良する為に、Ｓｅ系光導電層の表面を、
所謂保護層や電気絶縁層等と称される表面被覆層で覆う
ことが提案されている。

百年ら、これ等の改良に関しても、光導電層と表面被覆
層との接着性、電気的接触性及び表面被積層に要求され
る電気的特性や表面性の点又、別には、Ｓｅ系光導電層
は、常連の場合真空蒸着によって形成されるので、その
為の装置への著しい資本投下を必要とし、且つ、所期の
光導電特性゛全有する光導電層を再現性良く得るには、
蒸着温度、蒸着基板温度、真空度、冷却速度等の各種の
製造パラメーター全厳密に調整する会費がある。

更に、表面被覆層は、光導電層表面に、フィルム状のも
のを接着剤を介して貼合するか、又は、表面被覆層形成
材料を塗布して形成される為に、光導電層゛を形成する
装置とは別の装置を設置する心壁があって、設備投資の
著しい増大があって、昨今の様な減速経済成長期に於い
ては湛だ芳しくない。

又、Ｓｅ系光導電層は、電子写真用像形成部材の光導電
層としての高暗抵抗を保有する為に、アモルファス状態
に形成されるが、Ｓｅの結晶化が約６５℃と極めて低い
温度で起る為に、製造後の堆扱い中に、又は使用中に於
ける周囲温度や画像形成プロセス中の他の部材との摺擦
による摩擦熱の影響を多分に受けて結晶化現象を起し、
暗抵抗の低下を招き易いという耐熱性上にも欠点がある
。

一方、’ＺｎＯ、ＯｄＳ等を光導電層構成材料として使
用する電子写真用像形成部材は、その光導電層が、Ｚｎ
ＯやＯｄＳ等の光導電材料粒子を適当な樹脂結合剤中に
均一に分散して形成されている。

この、所謂バインダー系光導電層を有する像形ｌ成部材
は、Ｓｅ系光導電層を有する像形成部材に較べて製造上
に於いて有利であって、比較的製造コストの低下を計る
ととが出来る・即ち、バインダー系光導電層は、ＺｎＯ
やＯ’ｄ　Ｓの粒子と適当な樹脂結着剤と全適当な溶剤
を用いて混練して調合した塗布液を適当な基体上に、ド
クターブレード法、ディッピング法等の塗布方法で塗布
した後固化させるだけで形成することが出来るので、Ｓ
ｅ系光導電層を有する像形成部材に較べ製造装置にそれ
程の資本投下ケする必要がないばかりか、製造法自体も
簡便且つ容易である〇丙午ら、バインダー系光導電層は
、基本的に構成材料が光導電材料と樹脂結着剤の二成分
系であるし、且つ光導電材料粒子が樹脂結着剤中に均一
に分散されて形成されなければならない特殊性の為に、
光導電層の電気的及び光導電的特性や物理的化学的特性
を決定するパラメーターが多く、従って、斯かるパラメ
ーターヲ厳密に調整しなければ所望の特性を有する光導
電層を再現性良く形成することが出来ずに歩留りの低下
を招き量産性に欠けるという欠点がある〇又、バインダ
ー系光導電層は、分散系という特殊性故に、層全体がポ
ーラスになっており、その為に湿度依存性が著しく、多
湿雰囲気中で使用すると電気的特性の劣化を来たし、高
品質の複写画像が得られなくなる場合が少なくない。

更には、光導電層のポーラス性は、現像の際の現像剤の
層中への侵入を招来し、離型性、クリーニング性が低下
するばかりか使用不能を招く原因ともなり、殊に、液体
現像剤を使用すると毛管現象による促進を受けてそのキ
ャリアー溶剤と共に現像剤が層中に侵透するので上記の
点は著しいものとなり、Ｓｅ系光導電層の場合と同様に
光導電層表面を表面被覆層で覆うことが必要となる。

百年らミこの表面被覆層を設ける改良も、光導電層のポ
ーラス性に起因する光導電層表面の凹凸性故に、その界
面が均一にならず、光導電層と表面被覆層との接着性及
び電気的接触性の良好な状態を得る事が仲々困難である
という欠点が存する。

又、ＯｄＳ　ｋ使用する場合には、ＣｄＳ自体の人体へ
の影替がある為に、製造時及び使用時に於いて、人体に
接触したり、或いは、周囲環境下に飛散したりすること
のない様にする必要がある。ＺｐＯ”！（使用する場合
には、人体に対する影響は殆んどないが、ＺｎＯバイン
ダー系光導電層は光感度が低く、分光感度領域が狭い、
光疲労が著しい、光応答性が悪い等の欠点を有している
。

又、最近注目されているＰＶＫやＴＮＦ等の有機光導電
材料を使用する電子写真用像形成部材に於いては、表面
が導電処理されたポリエチレンテレフタレート等の適当
な支持体上にＰＶＫやＴＮＦ等の有機光導電材料の塗膜
を形成する−だけで光導電層２形成出来るという製造上
に於ける利点及び可撓性に長けた電子写真用像形成部材
が製造出来るという利点を有するものであるが、他方に
於いて、耐湿性、耐コロナイオンこれ等の有機光導電材
料の中には発癌性物質の疑いがあるものもある等、人体
に対してその多く社全く無害であるという保証がなされ
ていない。

この様に、電子写真用像形成部材の光導電層全形成する
材料として従来から指摘されている光導電材料を使用し
た電・子写真用像形成部材は、利点と欠点を併せ持つ為
に、ある程度、製造条件及び使用条件を緩和して各々の
使途に合う適当な電子写真用像形成部材を各々に選択し
て実用に供しているのが現腎である。

従って、上述の諸問題点の解決された優れた電子写真用
像形成部材が得られる様な電子写真用像形成部材の光導
電層を形成する材料としての第３の材料が所望されてい
る。

その様な材料として最近有望視されているものの中ニア
モルファスシリコン（以後ａ−８ｉと略記する）がある
。

ａ　−８ｉ膜は、開発初期のころは、その製造法や製造
条件によって、その構造が左右される為に種々の電気的
特性・光学的特性會示し、再現性の点に大きな問題を抱
えていた０例えば、初期に於いて、真空蒸着法やスパッ
タリング法で形成されたａ−８ｉ膜はボイド等全多量に
含んでいて、その為に電気的性質も光学的性質も大きく
影＊’ｔ−受け、基礎物性の研究材料としてもそれ程注
目されてはおらず、又、応用の為の研究開発もなされな
かった。百年ら、アモルファスではｐ、ｎ制御が不可能
とされていたのが、ａ−８ｉに於いて、１９７６年初頭
にアモルファスとしては初めてｐ−ｎ接合が実現し得る
という報告（Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃｓ　　Ｌ
ｅｔｔｅｒ　　；　　Ｖｏｌ　　２８　　、　　Δ６２
　。

１５　Ｊａｎｕａｒｙ　１９７６　）が成されて以来、
大きな関心が集められ、以後上記ｐ−ｎ接合が得られる
ことに加えて結晶性シリコン（ｃ−８ｉと略記する）で
は非常に弱いルミネセンスがａ−８ｉでは高効率で観測
されるという点から、主として太陽電池への応用に研究
開発力が注がれて来ているＯ この様に、これ迄に報告されているａ−８ｉ膜は、太陽
電池用として開発されたものであるので、その電気的特
性・光学的特性の点に於いて、電子写真用像形成部材の
光導電層としては使用し得えないのが実情である。即ち
、太陽電池は、太陽エネルギーを電流の形に変換して取
シ出すので、効率良く大きな電流を取り出すには、ａ−
８ｉ膜の明抵抗′（電磁波照射時の抵抗）はある程度以
下にしなければならない。一方、余り暗抵抗（電磁波非
照射時の抵抗）が小さ過ぎるａ−８ｉ膜では効率良く大
きな電流を取り出すことが出来ない。この様な点から′
、太陽電池に応用するには、ａ−８ｉ膜の暗抵抗は１０
’〜１０”Ω・儂程度が要求きれている。

百年ら、この程度の暗抵抗を有するａ−８ｉＪＩｆでは
、そのままで電子写真用像形成部材の光導電層として適
用させようとして−も、余りにも暗抵抗が低く過ぎて、
現在、知られている電子写真特性は全く使用し得ない◎
　“ 又二電子写真用像形成部材の光導電′層の形成材料とし
ては明抵抗が暗抵抗に較べて′２〜４桁程度小さいこと
が橡求されるが、従来、報公さｔＬ　テイルａ　−Ｓｉ
膜では精々２桁程度であるので、この点に於いても従来
のａ−８ｉ＃では、そのままで電子写真用像形成部材あ
光導電層として、適用しようとしても充分満足し得る光
導電層とは成り得なかった。

又、別には、ａ−８ｉ膜に関するある報告によれば、例
えば暗抵抗が二１０ｔｏΩ・儂であるａ−８ｉ膜は光電
利得（入射ｐｈｏｔｏｎ当りの光電流）が低下しており
、この点に於いても、従来のａ−８ｉ膜はそのままでは
完全な電子写真用像形成部材の光導電層とは成り得なか
った。

更に、電子写真用像形成部材の光導電層として要求され
る上記以外の他の要件、例えば、静電的特性、耐コロナ
イオン性、耐浴剤性、耐光疲労性、耐湿性、耐熱性、耐
摩耗性、クリーニング性等の点に於いては、従来全く未
知数であった。

本発明は、上記の諸点に鑑み成されたものでａ−８ｉに
就て電子写真用像形成部材の光導電層への適用という観
点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、ある特性全
盲する特定の層構造の−ａ−８ｉ層とすれば、電子写真
用像形成部材の光導電層として極めて有効に適用され得
るばかりでなく、電子写真用像形成部材の従来の光導電
層と較べて殆んどの点に於いて凌駕していることを見出
した点に基いてい−る。

本発明は、製造時に於いては、装置のクローズドシステ
ム化が容易に出来るので、人体に対する悪影響を避は得
ることが出来、又一旦製造されたものは使用上に際し、
人体ばかりかその他の生物、更には自然環境（対しての
影響がなく無公害であって、殊に耐熱性、耐湿性に優れ
、電子写真特性が常時委定していて、殆んど使用環境に
限定を受けない全環境型であり、耐光疲労性、耐コロナ
イオン性に著しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象
を起さない電子写真用像形成部材を利用する電子写真法
を提案することを生麩る目的とする。

本発明の他の目〜的は、濃度が高く、）・−フトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真法を提案することである。

本発明のもう一つの目的は、光感度が高く、又、分光感
度領域が略々全可視光域を覆っており暗減衰速度が小さ
くて光応答性が速く、且つ耐摩耗性、クリーニング性、
耐俗剤性に優れた電子写真用像形成部材を利用した電子
写真法を提案することでもある。

本発明の所期の目的は、光導電層を以降に於いて詳述す
る特性を有するａ−８ｉ系先光導電を有する電子写真用
像形成部材に、前記光導電層に於ける空乏層の幅を拡げ
る帯電処理と、電磁波の照射と、を行って静電像を形成
する事によって達成される。

本発明の電子写真法に於いて用いられる電子写真用像形
成部材の最も代表的な構成例が第１図及び第２図に示□
される◎第１図に示される電子写真用像形成部材１は、
支持体２．ａ−８ｉ系先光導電３から構成され、光導電
層３は像形成面となる自由表面４を有し、該層３中には
空乏層５が形成されている。

本発明に於いて、ａ−８ｉ系光導電層３中に空乏層５を
設けるには、光導電層３を、下記のタイプのａ−８ｉの
中の少なくとも二種類を選択し、異なるタイプのものが
接合される状態として層形成する事によって成される。

■ｎ型ａ−８ｉ・・・・・・ドナー（ｄｏｎｏｒ　）　
　のみを含むもの、或いは、ドナーとアクセプター（ａ
ｃｃｅｐｔｏｒ　）との両方を含み、ドナーの濃度（Ｎ
ｄ）が高いもの０ ■ｎ＋型ａ’−８ｉ・・・・・・■のタイプの中で殊Ｋ
ｎ型・特性の強い（Ｎｄがよシ高い）もの。

■ｐＷａ−８ｉ・・・・・・アクセプターのみ會含むも
の。或いは、ドナーとアクセプターとの両方を含み、ア
クセプターの濃度（Ｎａ）が高、いもの。

■ｐ＋型ａ−８ｉ・・・・・・■のタイプの中で殊にｐ
型性性の強い（Ｎａがより高い）もの。

■電型ａ−８ｉ・・・・・・Ｎａ　：　Ｎｄ二〇のもの
又は、Ｎａ　′：Ｎｄのもの。

即ち、空乏層５は、１例えば、所望に従って表面特性全
盲する支持体２上に、先ず、ｉ型のａ−８ｉ層を所定の
層厚で形成し、次いで該ｉ型ａ−８ｉ層上にｐ型のａ−
８ｉ層を形成することによってｉ型ａ−８ｉ層とｐ型ａ
−８ｉ層との接合部として形成される（以後、空乏層５
に関して支持体２側のａ−８ｉＮｉｉ内部層、自由表面
４側のａ−８ｉ層を外部層と称する）。詰り、空乏層５
は、異なるタイプのａ−８１層が接合される様に、光導
電層３を形成した場合に、内部ａ−８ｉ層と外部ａ−８
ｉ層との境界遷移領域に形成される。

本発明に於ける空乏層５は、電子写真用像形成部材に静
電像を形成するプロセス中の一工程である電磁波照射工
程の際に、照射される電磁波を吸収して移動可能なキャ
リアーを生成する層としての機能全盲する。又、空乏層
５は、定常状態では、フリーキャリアーの枯渇した状態
どなっているので所謂真性半導体としての挙動を示す。

本発明に於いては、光導電層３を構成する層である内部
層６と外部層７とが同一材料であるａ＝８ｉで構成され
、その接合部（空乏層５）はホモ（ｈｏｍｏ　）接合と
なっているので、内部層６と外部層７とは電気的・光学
的に良好な接合が成されており、又、内部層・外部層の
エネルギーバンドは滑らかに接合されている。更に空乏
層５には、該層の形成の際に、形成された固有の電界゛
（拡散電位）（エネルギーバンドの傾キ）が存在してい
る。この為に、キャリアー生成効率が良くなるばかりか
、又、生成したキャリアーの再結合確率が減少し、即ち
、量子効率が増大し、光泥答速度が速くなり、残留電荷
の発生を防ぐという効果が生ずる０ 従って、本発明に於いては空乏層５内に於いて、光の様
な電磁波の照射によって生成されたキャリアーは静電像
の形成に有効に働くという利点が存する。

又、本発明の像形成部材は、その特長をより効果的に利
用する為に、静電像を形成する際、光導電層３中に形成
されている空乏層５に、逆バイアス（逆方向バイアス）
となる様な電圧が印加される様に帯電極性を選択して、
外部層面に帯電処理が施される。この逆バイアスが空乏
層５に印加されると、空乏層５の層厚は、該層に印加さ
れる電圧の略１／２乗の大°きさで増加する。例えば、
高電圧（１０’Ｖ／ｃｍ以上）下では、空乏層５の厚さ
は帯電処理を施さない時の厚さに較べて、数倍から数十
倍にもなる０又、空乏層５への逆バイアス印加は接合に
よって形成された固有の電界（拡散電位）そ更に急峻な
ものとする。

この事は、先に述べた効果を一層顕著なものとする。

本発明に於いては、前述した如く、内部層６と外部層７
とが同一材料で形成され、空乏層５は、内部層６と外部
層７の接合によって形成されるの・で、光導電層３全体
が連続した製造工程の下に形成する事が出来るという利
点も存する。

空乏層５の層厚としては、接合させる内部層６と外部層
７の誘電率や両層の接合前のフェルミ・Ｖペルの差、即
ち、接合されるａ−８ｉＪｉｋ前記の■〜■のタイプに
制御する為に層中にドーピングされる不純物の密度によ
って決定され、殊に不純物のドーピング量を調整するこ
とで数十人〜数μ迄変化させる事が出来る。

そして、前述した如く、逆バイアスによる空乏層５の層
厚の拡がりのため逆バイアスをして、使用する場合には
、数百人〜数十μまでにもひろげて用いることができる
。従って、逆バイアスの程度によって空乏層５め層厚は
、適宜変化させられる。

但し、高電界の逆バイアスを空乏層５上に印加させる場
合、トンネ゛リングやなだれ破壊をおこさない程度に、
後述する不純物の濃度と印加電圧全決定する必要がある
Ｏつまり、不純物濃度があまりに高濃度の場合、比較的
低い逆ノ（イアスでトンネリングやなだれ破壊を生じて
、空乏層５の充分な拡が９（電気容量の減少）と空乏層
５への充分な電界を得ることができなくなるＯ 本発明に於いては、空乏層５は、電磁波を吸収してキャ
リアーを生成する役目會荷うことがらすれば、空乏層５
に入射して来る電磁波を可能な限り吸収する様にする為
に層茫厚くするのが良い。百年ら、他方に於いて、空乏
層５に於いて生成されたキャリアーの貴結合確率を低下
させる重要因子である、空乏層５に形成される固有の電
界の単位厚さ当りの強さは、層の厚さに逆比例するので
、この点に限れば、空乏層５の厚さは薄い方が良いもの
とされる。

従って本発明に於いては、その目的が充分達成される様
にする為に上記２点が考慮される必要がある。即ち本発
明に於いては電磁波照射によるキャリアーの生成を大部
分空乏層５中で行うので、像形成部材１に電磁波照射す
る際の照射方向に従って、内部層６と外部層７の何れか
一方ｔ１コントラストの充分とれた静電像が形成される
のに充分なキャリ゛アーが空乏層５中に於いて発生され
得る様に、即ち、照射される電磁波が空乏層５に充分到
達し得る様に形成される。必要がある。ところで、通常
の使、用に供される電子写真用像形成部材に於いては照
射される電磁波として可視光が採用されて、いる。従っ
て、ａ−８ｉの光吸収係数が波長領域４００〜７００ｎ
ｍの範囲で５　Ｘ　１０”〜１０’ｃｒＩＬ−’である
から、先の目的を達成する為には、少なくとも帯電処理
が成された際、光照射側の層表面から５０００λ以内に
空乏層５あ少なくとも一部が存在する様に、光照射側の
層として内部層−６又は外部層７の何れか一方を形成す
る必要がある０又、該層厚の下限としては、基本的には
、内部層６と外部層７の接合によって空乏層５が形成さ
れさえすれば良いとする点から、薄い方が電磁波の照射
量に対する空乏層５中でのキャリアー発生効率全増大さ
せる事が出来るので、製造技術的に可能な限り厚さは薄
くされる。

他方、ｐ型（ｐ＋型含）やｎ型（ｎ＋型含）ｔ−外部層
として用いる場合、不純物濃度によってその暗抵抗は大
きく変化するが、そのほとんどが従来の電子写真的観点
からすれば、全く使用できないものである。

その理由は、余り抵抗の小さいものでは、静電像が形成
される際に層の横方向への電荷の逃げｔ防ぐだけの表面
抵抗性がないから使用出来ないとするものである◎ 百年ら、本発明に於いては、−前述した空乏層５への逆
バイアスによる空乏層５の層厚の拡がシ゛があシ、この
事実はフリーキャリアーの掃き出しを意味しており、こ
のことは外部層が比較的低抵抗であっても見掛は上高抵
抗の舞いをすることになり、又逆バイアス方向の帯電は
、外部層のフリーキャリアーを表面方向へ掃き出させる
効果を有するために外部層に同様の変化を誘起する。従
って、外部層を構成するものとして、上記に説明した空
乏層の拡がり効果とフリーキャリアーの掃き出し効果が
、本発明の目的の電子写真的観点からすれば、使用出来
ないとされていた比較的低抵抗値を有するものでも使用
され得ることを可能′としている。

゛　内部層６と外部層７の中の何れか一方である、電磁
波照射側の層でない層、換言すれば、空乏層５に関して
電磁波照射側との反対にある層は、空乏層５で発生した
電荷を効果的に輸送する機能を荷うと共に、光導電層３
の電気容量の太きさに大いに寄与する様に形成されるこ
とも出来る。

この理由から、斯かる層は、製造される像形成部材の製
造コストや製造時間等も含めた経済性も加味して通常の
場合０．５〜１００μ、好適には１〜５０μ、最適には
１〜３０μの層厚の範囲で形成されることが望まれる。

又、更には、可撓性の要求される像形成部材の場合には
、他の層や支持体２の可撓性の程度具合にも関係するが
、好適には上限として３０μ以下に形成されるのが望ま
しいものである。

第１図に於いては、本発明の像形成部材の好適な実施態
様に就いて、内部層６と外部層７として■〜■のタイプ
の中の累々る二種類のタイプのａ−８ｉ層を選択、例え
ば、ｐ型とｉ型、ｐ＋型とｐ型、ｎ＋型とｎ型、ｐ型と
ｎ型等の組合せとして選択し、これ等を接合させて、光
導電層３を形成した例を挙げて、従来のに対するその優
位性に就いて説明したが、更に、支持体２側から、ｐ−
１−ｎ、ｎ−１−ｐと云う様に■〜■の中の三種類の異
なるタイプのａ−８ｉ層を接合して光導電層を構成した
場合も本発明の良好な実施態様となシ得る。この場合に
は、光導電層中に空乏層が二つ存在することになる。

この場合、二つの空乏層に分割して高電界を印加できる
ため大きな電界の印加が可能となり、高い表面電位を得
ることがよシ容易となる。

光導電層を支持体側からｎ−１−ｐ、又はｐ−１−ｎの
層構成とした場合には、以下に示ヂ如きの特長を有する
様になると共に種々の電子写真プロセスが適用され得る
様になる。

即ち、支持体側からの光導電層中への電荷の注入を防ぐ
効果がアシ、更には、表面側と支持体側の両方からの電
磁波照射が再録である為、両面同一画像照射や異なる画
像照射による同時ａｄｄ　−ｏｎ方式の画像照射をも可
能にする。そして更には、静電像消去の為の裏面照射（
支持体側からの照射）や後述するＮＰ方式による裏面照
射（支持体側からの電荷注入を促進する）そして耐久性
向上のための裏面照射も可能となる。

本発明の電子写真用像形成部材の光導電層を・構成する
層としての■〜■のタイプのａ−８ｉ　ｆｆｉは、後に
詳述する様にグロー放電法や反応スパッタリング法等に
よる層形成の際に、ｎ型不純物（形成されるａ−８ｉ層
を■又は■のタイプにする）又は、ｎ型不純物゛（形成
されるａ−８ｉ層を■又は■のタイプにする）、或いは
、両不純物を、形成されるａ−８ｉ層中にその量を制御
してドーピングしてやる事によって形成される。

この場合、本発明者等の実験結果からの知見によれば、
層中の不純物の濃度を１０１ｓ〜１０Ｉ９ｃｒｎＪの範
囲内に調整することによって、よシ強いｎ型（又はよシ
強いｐ型）のａ−８ｉ層からよシ弱いｎ型（又はよシ弱
いｐ型）のａ−８ｉ層を形成する事が出来る。

■〜■のタイプのａ−８ｉ層は、グロー放電法、スパッ
ターリング法、イオンインプランテーション法、イオン
ブレーティング法等によって形成される。これ等の製造
法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、
製造される像形成部材に所望される電子写真特性等の要
因によって適宜選択されて採用されるが、所望する電子
写真特性を有する像形成部材を製造する為の制御が比較
的容易でおる、■〜■のタイプに制御する為にａ−８ｉ
層中に不純物を導入するのに■族又はＶ族の不純物を置
換型で導入することが出来る等の利点からグロー放電法
が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用してａ−８ｉ層を形成し
て為良い。ａ−８ｉ’層は、本発明の目的と・する電子
写真用像形成部材が得られる可く、その暗抵抗及び光電
利得が、例えば、Ｈを含有させて制御される。ここに於
いて、ｒａ−８ｉ層中にＨが含有されている」というこ
とは、「Ｈが、Ｓｉと結合した状態」、［Ｈがイオン化
して層中に取り込まれている状態］又は「Ｈ２として層
中に取シ込まれている状態」の何れかの又はこれ等の複
合されている状態を意味する。ａ−８ｉ層へのＨの含有
は、層を形成する際、製造装置系内にＳｉＨ４，Ｓｉ２
Ｈ６等の化合物又は凡の形で導入した後、熱分解、グロ
ー放電分解等の方法によって、それ等の化合物又はルを
分解して、ａ−８ｉ層中に、層の成長に併せて含有させ
ても良いし、又、イオンインプランテーション法で含有
させても良い。

本発明の知見によれば、ａ−８ｉ層中へのＨの含有量は
、形成される像形成部材が実際面に於いて適用され得る
か否かを左右する大きな要因の一つであって、殊に形成
されるａ−８ｉ層をｐ型又はｎ型に制御する一つの要素
として、極めて重要であることが判明している。

本発明に於いて、形成される像形成部材を実際面に充分
適用させ得る為には、ａ−’Ｓｉ層中に含有されるＨの
量は通常の場合１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％。

好適には５〜３　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　５Ｘとされるのが
望ましい。ａ−８ｉ層中へのＨ含有量が上記の数値範囲
に眼定される理由の理論的裏付は今の処、明確にされて
おらず推論の域を出ない。丙午ら、数多くの実験結果か
ら、上記数値範囲外のＨの含有量では、例えば本発明の
像形成部材の光導電層を構成する内部層又は外部層とし
ての要求に応゛じた特性に制御するのが極めて困難で′
ある、製造された電子写真用像形成部材は照射される電
磁波に対する感度が極めて低い、又は場合によっては、
該感度が殆んど認められない、電磁波照射によるキャリ
アーの増加が小さい等が認められ、Ｈの含有量が上記の
数値範囲内にちるのが必要条件であることが裏付けられ
ている。

ａ−Ｓｉ層中へのＨの含有は、例えば、グロー放電法で
は、ａ−８ｔを形成する出発物質がＳｉＨ，。

５ｉ２Ｈａ等の水素化物を使用するので、ＳｔＬ　、　
５ｔ２Ｈａ等の水素化物が分解してａ−８ｉ層が形成さ
れる際、Ｈは自動的に層中に含有されるが、更にＨの層
中への含有を一層効率良く行なうには、ａ−８ｉ層を形
成する際に、グロー放電を行なう装置系内にＨ２ガスを
導入してやれば良い。

スパッターリング法による場合にはＡｒ　等の不活性ガ
ス又はこれ等のガスをベースとした混゛合ガス雰囲気中
でＳｉをターゲットとしてスパンターリングを行なう際
にＨ２ガスを導入してやるか又はＳｉＬ　、　５ｉ２Ｈ
ａ等の水素化硅素ガス、或いは、不純物のドーピングも
兼ねてＢ２Ｈａ　、　ＰＨｓ等のガスを導入してやれば
良い。

本発明の目的を達成する為にａ−８ｉ層中に含有される
Ｈの量を制御するには、蒸着基板温度又は／及びＨを含
有させる為に使用される出発物質の製造装置系内へ導入
する量を制御してやれば良い。更には、ａ−８ｉ層を形
成した後に、該層を活性化した水素雰囲気中に晒しても
良い。

又、この時ａ−８ｔ層を結晶温度以下で加熱するのも一
つの方法である。殊にａ−８ｉ層の暗抵抗を向上させる
ためには、該加熱処理法は有効な・手段である。又、高
強度の光の様な電磁波を照射して、ａ−８ｉ層の暗抵抗
を向上させる方法も有効な方法である。

ａ−８ｉ層中にドーピングされる不純物としては、ａ−
８ｉ層をｐ型にするには、周期律表第■族Ａの元素、例
えばＢ　、　Ａｔ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｔ等が好適なものと
して挙げられ、ｎ型にする場合には、周期律表第■族Ａ
の元素、例えば、Ｎ、Ｐ、ＡＢＩＳｂ、Ｂｉ等が好適な
ものとして挙げられる。これ等の不純物は、ａ−８ｉ層
中に含有される量がｐｐｍオーダーであるので、光導電
層を構成する主物質程その公害性に注意を払ら必要はな
いが、出来る限り公害性のないものを使用するのが好ま
しい。この様な観点からすれば、形成されるａ−８ｉ層
の電気的・光学的特性を加味して、例えば、Ｂ、Ａｓ、
Ｐ、Ｓｂ等が最適である。この他に、例えば、熱拡散や
インプランテーションによってＬｉ等がインターステイ
シアルにドーピングされることでｎ型に制御することも
可能である。

ａ−８ｉ層中にドーピングされる不純物の量は、所望さ
れる電気的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周
期律表第■族Ａの不純物の場合には、通常ｊＯ’　〜１
０−”ａｔｏｍｉｃ％、好適には１０−’〜１０　’ａ
ｔｏｍｉｃ％２周期律表第■族Ａの不純物の場合には、
通常１０”−”〜１０　”ａｔｏｍｉｃ　Ｘ、好適には
１０−８〜１０−’　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ま
しい。

これ等不純物のａ−８ｉ層中へのドーピング方法は、ａ
−８ｉ層を形成する際に採用される製造法によって各々
異なるものであって、具体的には、以降の説明又は実施
例に於いて詳述される。

第１図に示される電子写真用像形成部材の如き、光導電
層３が自由表面４を有し、該自由表面４に、静電像形成
の為の帯電処理が施される像形成部材に於いては、光導
電層３と支持体２との間に、静電像形成の際の帯電処理
時に支持体２側からのキャリアーの注入を阻止する働き
のある障壁層を設けるのが一層好ましいものである。こ
の様な支持体２側からのキャリアーの注入を阻止する働
きのある障壁層を形成する材料としては、選択される支
持体の種類及び形成される光導電層の電気的特性に応じ
て適宜選択されて適当なものが使用される。その様な障
壁層形成材料としては、例えば、ＡＴＯｓ　ｔ　ｓｉｏ
　ｔＳｔｏ２等の無機絶縁性化合物、ポリエチレン、ポ
リカーポライド、ポリウレタン、パリレン等の有機絶縁
性化合物Ａｕ　、　Ｉ’ｒ　、　Ｐｔ　、　Ｒｈ　、　
Ｐｄ　、Ｍｏ等の金属である。

支持体２としては、導電性でも電気絶縁性でちっても良
い。導電性支持体としては、例えば、ス°テンレス、Ａ
Ｌ＋Ｃｒ　、Ｍｏ、Ａｕ　、　Ｉｒ　、Ｎｂ　、Ｔｅ　
、Ｖ。

Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金ｔ；挙げら
れる。電気絶縁性支持体としては、ボ１ノエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボ、ネート、セルローズ）　ＩＪ
アセテート、ポ１ｊプロピレン、ボ１７塩ノ 化ビニル、ポリ塩化ピリニデン、ボＩＪスチレン、ポリ
アミド等の合成樹脂のフィルム又はシート、ガラス、セ
ラミック、紙等が通常使用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電°処理されるの〃；望ましい。

例えば、ガラスでちれば、Ｉｍｐｓ　、　５ｎＯ７等で
その表面が導電処理され、或いはポリエステルフィルム
等の合成樹脂フィルムであれば、ｌｔ。

Ａｇ　、Ｐｂ　、Ｚｎ　、Ｎｉ　、Ａｕ　、Ｃｒ　、Ｍ
ｏ　、　Ｉｒ、Ｎｂ　、Ｔａ、Ｖ。

Ｔｉ　、　Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、
スパッタリング等で処理し、又は前言己金属でラミネー
ト処理して、その表面力；導電処理される。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等、任
意の形状とし得、所望によって、その形状は決定される
が、連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状
とするの力；望ましい。

支持体の厚さは、所望通υの像形成部材力；形成される
様に適宜決定されるが、像形成部材として可撓性が要求
される場合には、支持体としての機能が充分発揮される
範囲内であれば、可會ヒな限り薄くされる。丙午ら、こ
の様な場合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度
等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

第１図に示す如き、光導電層表面が露呈している層構成
の像形成部材であって、外部層（ＩＩＩ７５＼ら電磁波
照射を行うものに於いては、’　　ａ−８ｔの屈折率ｎ
が約３．３５と比較的大きいので、従来の光導電層と較
べて、電磁波照射の際、光導電層表面で反射が起り易く
、従って、光導電層に吸収される電磁波の量の割合が低
下し、照射される電磁波の損失率が大きくなる。この損
失率を出来る限り減少させるには、光導電層上に１反射
防止層を設けると良い。

反射防止層の形成材料としては、光導電層に悪゛影響を
与えないこと及び反射防止特性に優れているという条件
の他に、更に電子写真的特性、例えば、静電像を形成す
る際の層の横方向への電荷の流れが生じない様にある程
度以上の表面抵抗を有すること、液体現像法を採用する
場合には、耐溶剤性に優れていること、更に′は反射防
止層を形成する条件内で、既に形成されている光導電層
の特性を低下させない事等の条件が要求される。

本発明の目的を達成する為の必要条件の一つであるａ−
８ｉ層中に含有されるＨの量は前記した数値範囲であっ
て、その含有量は、該範囲内において、その層に要求さ
れる特性が満足した状態で得られる可く適宜決定される
が、重要なことは含有されたＨは要求される特性が付与
されるのに有効に寄与する状態で含有されている必要が
あることである。

又、本発明の目的を達成する為の必要条件の別な一つで
あるａ−８ｉ層中にドーピングされる不純物の濃度は、
前記した数値範囲であって、そのドーピング量は、該範
囲内において、その層に要求される特性が満足される状
態で得られる可く適宜決定されるが、特に有効に作用す
る空乏層が形成されるには、−０２９−なる値が次のＮ
ａ十Ｎｄ 範囲にある様に、Ｎａ、Ｎｄの値を決めると一層好ａＮ
ｄ ネリング現象が起らない様に、７、。なる値の上限は決
められ、通常は１０′８ｃｍ−３とされる。下限として
は、形成されるａ−８ｉ層中の、単位体積当りのＳｔの
自由ダングリングボンドの数Ｎよりも大きな値とされ、
好適にはＮよシも１ｉ２桁以上、最適には１桁以上大き
な値とされるのが望ましいものである。

第１図に示される像形成部材１は、光導電層３が自由表
面４を有する構成のものであるが、光導電層３表面上に
は従来のある種の電子写真用像形成部材の様に、所謂保
護層や電気的絶縁層等の表面被覆層を設けてもよい。そ
の様な表面被覆層を有する像形成部材が第２図に示され
る。

第２図に示される像形成部材８は、第１図における光導
電層３と同様に空乏層１１、内部層１２及び外部層１３
を有する光導電層１０上に自由表面を有する表面被覆層
１４を有する点以外は、構成上に於いて、第１図に示さ
れる像形成部材１と本質的に異なるものではない。百年
ら表面被複層１４に要求される特性は、適用する電子写
真プロセスによって各々異なる。即ち、例えば、特公昭
４２−２３９１０号公報、同４３−２４７４８号公報に
記載されているＮＰ方式の様な電子写真プロセスを適用
するのであれば、表面被覆層１４は、電気的絶縁性であ
って、帯電処理を受けた際の静電荷保持能が充分あって
、あ゛る程度以上の厚みがあることが要求されるが、例
えば、カールソンプロセスの剪き電子写真プロセスを適
用するのであれば、静電像形成後の明部の電位は非常に
小さいことが望ましいので表面被覆層１４の厚さとして
は非常に薄いことが要求される。表面被複層１４は、そ
の所望される電気的特性を満足するのに加えて、光導電
層１０に化学的・物理的に悪影響を与えないこと、光導
電層１０との電気的接触性及び接着性、更には耐湿性、
耐摩耗性、クリーニング性等を表面被覆層１４の形成材
料として有効に使用チレンテレフタレート、ポリカーボ
ネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビ
ニリチン、ポリビニルアルコール、ポリスチレン。

ポリアミド、ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチ
レン、ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六弗化プ
ロピレン−四弗化エチレンコポリマー、三弗化エチレン
−弗化ビニリデンコポリマー、ボリブデン、ポリビニル
ブチラール。

ポリウレタン等の合成樹脂、ジアセテート、トリアセテ
ート等のセルロース誘導体等が挙げられる。こｈ等の合
成樹脂又はセルロース誘導体は、フィルム状とされて光
導電層ｌｏ上に貼合されても良く、又、それ等の塗布液
を形成して、光導電層１０上に塗布し、層形成しても良
い。

表面被覆層１４の層厚は、所望される特性に応じて、又
、使用される材質によって適宜決定されるが、通常の場
合、０．５〜７０μ程度とされる。殊に表面被覆層１４
が先述した保護層としての機能が要求される場合には、
通常の場合。

１０μ以下とされ、逆に電気的絶縁層としての機能が要
求される場合には、通常の場合１０μ以上とされる。百
年ら、この保護層と電気絶縁層とを差別する層厚値は、
使用材料及び適用される電子写真プロセス、設計される
像形成部材の構造によって、変動するもので、先の１０
μという値は絶対的なものではない。

又、この表面被覆層１４は、先に述べた如き反射防止層
としての役目も荷ゎせれば、その機能が一層拡大されて
効果的と々る。

次に本発明の電子写真用像形成部材を、グロー放電法及
びスパッタリング法によって製造する場合に就ての概要
を説明する。

第３図は、インダクタンスタイプグロー放電法によって
、本発明の電子写真用像形成部材を製造する為のグロー
放電蒸着装置の模式的説明図である。

１６はグロー放電蒸着槽であって、内部にはａ−８ｉ系
先光導電を形成する為の基板１７が固定部材１８に固定
されており、基板１７の下部側には、基板１７を加熱す
る為のヒーター１９が設置されている。蒸着槽１６の上
部には、高周波電源２０と接続されている誘導コイル２
１が巻かれており、前記高周波電源２０がＯＮされると
誘導コイル２１に高周波電力が投入されて、蒸着槽１６
内にグロー放電が生起される様になっている。

蒸着槽１６の上端部には、ガス導入管が接続されており
、ガスボンベ２２，２３．２４！り各々のボンベ内のガ
スが必要時に蒸着槽１６内に導入される様になっている
。２５，２６．２７は各々の°°フローメータであって
ガスの流量を検知する為のメータであシ、又、２８，２
９．３０は流入パルプ、３１，３２．３３は流出パルプ
。

３４は補助パルプである。

又、蒸着槽１６の下端部はメインパルプ３５を介して排
気装置（図示されていない）に接続されている。１５は
、蒸着槽１０内の真空を破る為のリークパルプである。

第３図のグロー放電装置を使用して、基板１７上に所望
特性の光導電層を形成するには、先ず、所定の清浄化処
理を施した基板１７を清浄化面を上面にして固定部材１
８に固定する。

基板１７の表面を清浄化するには、通常、実施されてい
る方法、例えば、アルカリ又は酸等による化学的処理法
が採用される。又、ある程度清浄化した後蒸着槽１６内
の所定位置に設置し、その上に光導電層を形成する前に
グロー放電処理を行っても良い。この場合、基板１７の
清浄化処理から光導電層形成迄同−系内で真空を破るこ
となく行うことが出来るので、清浄化した基板面に汚物
や不純物が付着するのを避けることが出来る。基板１７
を固定部材１８に固定したら、メインパルプ３５を全開
して蒸着槽１６内の空気を矢印Ａで示す様に排気して、
真う 空度二ＩＱ　　ｔｏｒｒ程度にする。

次に補助パルプ３４を全開し、続いて流出パルプ３１，
３２，３３．流入パルプ２８，２９゜３０を全開し、フ
ローメーター２５　、２６　、２７内も脱気する。その
後蒸着槽１６内が所定の真空度に達したら補助パルプ３
４、流入バルブ２８゜２Ｑ　、３０、流出パルプ３１，
３２，３３を閉じる。続いて、ヒーター１９を点火して
基板１７を茄熱し所定温度に達したら、その温度に保つ
。

ガスボンベ２２はａ−８ｉを形成する為の原料ガス用で
あって、例えば％　ＳＩＫ　ｇ　Ｓ＋晶、　ＳｊＪつ又
は、それ等の混合物等が貯蔵されている。又、ボンベ２
３及びボンベ２４は形成するａ−８ｉ層を■〜■のタイ
プに制御するのに該層中に不純物を、導入する為の原料
ガス用であってｓ　Ｐｕｓ　、　Ｐ鵞Ｈａ。

ＢｍＨａ　、　Ａｓｈｓ　等が貯蔵されている。

基板１７が所定の温度に達したのを確認した後、ボンベ
２２のバルブ３６を開ケ、出口圧ゲージ３９の圧を所定
圧に調整し、次いで流入バルブ２８を徐々に開けて、フ
ローメーター２５内へ例えばＳｉＨ，等のａ−８ｉ形成
用の原料ガ玉を流入させる。引き続いて、補助パルプ３
４を所定位置まで開け、次いでビラニーゲージ４２の示
す値を注視し乍ら、流出パルプ３１を徐々に開けて、ボ
ンベ２２から蒸着槽１６内に供給されるガスの流量を調
整する。形成されるａ　−８４層中に強いて前記した不
純物をドーピングしない場合には、蒸着槽１６内にボン
ベ２２よりａ−８ｉ形成用の原料ガスが導入された時点
に於いて、ビラニーゲージ４２を注視し乍らメインパル
プ３５を調節して、所定の真空度、通常の場合は、ａＳ
ｊ層を形成する際のガス圧で１０−２〜３　ｔｏｒｒに
保つ。次いで、蒸着槽１６外に巻かれた誘導コイル２１
に高周波電源２ｏにより所定周波数、通常の場合は０．
２〜３０Ｍ１ｌｚの高周波電力を供給してグロー放電を
蒸着槽１６内に起すと、ａ−Ｓｉ形成用の原料ガス、例
えば、ＳｉＨ４ガスが分解して、基板１７上にＳｉが蒸
着されて内部層が形成される。

形成されるａ−８ｉ層中に不純物を導入する場合には、
ボンベ２３又は２４より不純や生成用のガスを１ａＳｉ
層形成時に蒸着槽１６内に導゛大してやれば良い。この
場合、例えば流出パルプ、３２を適当に調節することに
より、ボンベ２３よシの蒸着槽１６へのガスの導入量を
適切に制御することが出来る。従って、形成されるａ−
８ｉ層中に導入される不純物の量を任意に制御すること
が出来る他、更に、ａ−８ｉ・層の厚み方向に不純物の
量を変化させることも容易に成し得る。

上記の様にして、基板１７上に先ず内部層を所定厚で形
成した後、次の様にして外部層を形成して光導電層全体
を形成する。

先ず第１の例としては内部層をボンベ２２から供給され
るＢ　−Ｓｉ形成用の原料ガスのみを蒸着槽１６内に導
入して形晟した場合には、外部層を形成する際、ボンベ
２２からのａ　−Ｓｉ形成用の原料ガスにボンベ２３又
はボンベ２４からの不純物用の原料ガスを混合して蒸着
槽１゛６内に導入して、既に形成されている内部層と９
はタイプの異なる外部層を形成する。

第２の例としては、内部層を、例えば、ボンベ２２から
のＢ　−Ｓｉ形成用の原料ガスにボンベ２３からの不純
物用の原料゛ガスを混合して蒸着槽１６に導入して形成
した場合には、外部層としては、ボンベ２２からのａ−
８ｉ形成用の原料ガスのみか又はボンベ２２からのａ　
−Ｓｉ形成用の原料ガスにボンベ２４からの不純物用の
原料ガスを混合して蒸着槽１６に導入して、既に形成さ
れている内部層とはタイプの異なる外部層を形成する。

第３の例としては、内部層をボンベ２２からのａ　−Ｓ
ｉ形成用の原料ガスと、例えばボンベ２３からの不純物
用の原料ガスとの混合ガスを蒸着槽１６内に導入して形
成した後、内部層を形成した時とは、ａＳｉ形成用の原
料ガスと不純物用の原゛料ガスとの混合比を変えた混合
ガスを蒸着槽１６内に導入して外部層を形成する。

以上の様な方法によ？て、内部層と外部層を形成するこ
とによって、内部層と外部層との接合部に空乏層が形成
、され、本発明の目的とする電子写真用像形成部材の光
導電層が形成されたことになる。

光導電層をＰ−ｉ−ｎ、Ｐ　−Ｐ−ｎ等の層構成の様に
空乏層を２つ有する様に形成するには上記の３つの方法
を所望に従って適宜選択して層形成すれば良いものであ
る。

第３図に示されるグロー放電蒸着装置に於いては、　Ｒ
Ｆ　（ｒａｄｉｏ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）インダクタン
スタイプグロー放電法が採用されているが、この他ｓＲ
Ｆキャパシタンスタイプ、ＤＣ二ｆｆｌタイプ等のグロ
ー放電法も採用される。

形成されるａ−８ｉ系光導電層の特性は成長時の基板温
度に大きく依存するのでその制御は厳密に行うのが好ま
しい。本発明に於いては基板温度を通常は５０〜３５０
℃ｓ好適には１００〜２００℃の範囲とすることによっ
て、電子写真用として有°効な特性を有するａ　−Ｓｉ
系光導電層が形成される。更に基板温度はａ　−Ｓｉ層
形成時に連続的又は断続的に変化させて所望の特性を得
る様にすることも出来る。又、ａ−８ｉ層の成長速度も
ａ　−Ｓｉ層の物性を大きく左右する要因であって、本
発明の目的を達成するには通常の場合０．５−１００λ
／　ｓｅｃ好適には１〜５’　ＯＡ　／ｓｅｃとされる
のが好ましい。

第４図は、スパッタリング法によって、本発明の像形成
部材を製造する為の装置の一つを示す模式的説明図であ
る。

４３は蒸着槽であって、内部には％’　ａ　−Ｓｉ系光
導電層を形成する為の基板４４が蒸着槽４３とは電気的
に絶縁されている導電性の固定部材４５に固定されて所
定位置に設置されている。

基板４４の下方には、基板４４を加熱する為のヒーター
４６が配置され、上方には、所定間隔を設けて基板４４
と対向する位置には多結晶又は単結晶シリコンターゲッ
ト４７がスパッタ用電極４８に取り付けられて配置され
ている。

基板４４が設置されている固定部材４５とシリコンター
ゲット４７間には、高周波電源３６によって、高周波電
圧が印加される様になっている。又、蒸着槽４３には、
ボンベ′４９．５０．５１．５２が各々、流入パルプ５
３．５４．５５．５６、フローメータ５７．５８．５９
．６０、流出パルプ６ｉ、６２．６３．６４、補助パル
プ６らを介して接続されておシ、ボンベ４９．５０．５
１，５２より各々必要時に蒸着槽４３内に所望のガスが
導入される様になっている。

今、第４図の装置を用いて、基板４４上に空乏層を有、
するａ−８ｉ系光導電層を形成するには先ず、メインパ
ルプ６６を全開して蒸着槽４３内の空気を矢印Ｂで示す
様に、適当な排気装置を使用して排気し、次いで補助パ
ルプ６５、流入パルプ５３〜５６、流出パルプ６１〜・
６４を全開して蒸着槽４３内を所定の真空度にする。

次に、ヒーター４６を点火して基板４４を所定の温度ま
で加熱する。スパッターリング法によってａ−８ｉ系光
導電層を形成する場合、この基板４４の加熱温度は、通
常５０〜３５０℃、好適には１００〜２００℃とされる
。この基板温度は、ａ−８ｉ層の成長速度、層の構造、
ボイドの存否等を左右し、形成されたａ−８ｉ層の物性
を決定する一要素であるので充分なる制御が必要である
。又、基板温度は、　ａ−８ｉ層の形成時に、一定に保
持しても良いし、又ａ−８ｔ層の成長と共に上昇又は下
降又は上下させても良い。

例えば、ａ−８ｉ層の形成初期に於いては、比較　・的
低・い温度Ｔ、に基板温度を保ち、ａ−８ｉ層がある程
度成長したらＴ、よシも高い温度Ｔ、まで基板温度を上
昇させなからａ−８ｉ層を形成し、ａ−８ｉ層形成終期
には再びＴ、より低い温度Ｔ、に基板温度を下げる等し
て、ａ−８ｉ層を形成することが出来る。この様にする
ことによって、ａ−８ｉ層の電気的・光学的性質を層厚
方向に一定巻しくは連続的に変化させることが出来る。

又、ａ−８ｔは、その層成長速度が、他の、例えば、Ｓ
ｓ等に較べて遅いので、形成する層厚が厚くなると層形
成初期に形成されたａ−８ｉ（基板側に近いａ−８ｉ）
は、層形成終了迄の間に、層形成初期の特性を変移させ
る恐れが充分考えられるので、層の厚み方向に一様な特
性を有するａ−８ｉ層を形成する為には層形成開始から
層形成終了時に亘って基板温度を上昇させ乍ら層形成す
るのが望ましい。この基板温度制御操作はグロー放電法
を採用する場合にも適用される。

基板４４が所定の温度に加熱されたことを検知した後、
流入パルプ５３〜５６、流出パルプ６１〜６４、補助パ
ルプ６５を閉る。

次に、出口圧ゲージ７３を注視し乍ら、パルプ６８　ヲ
、、徐々に開けて、ポンベ５０の出口圧を所定圧に調整
する。続いて、流入パルプ５４を全開してフローメータ
ー５８内に、例えばＡｒガス等の雰囲気ガスを流入させ
る。その後、補助、Ｓルプ６５を全開′シ、次いでメイ
ンパルプ６６、及び流出パルプ６２を調整し乍ら雰囲気
ガスを漢着槽４３内に導入し、所定の真空度に蒸着槽４
３内を葆つ。

次に、出口圧ゲージ７２を注視し乍らパルプ６８を徐々
に開けて、ポンベ４９の出口圧を調整する。続いて、流
入パルプ５３を全開してフローメーター５７内にＨ２ガ
スを流入させる。次いでメインパルプ６６及び流出パル
プ６１を調節しなからＨ２ガスを蒸着槽４３内に導入し
所定の真空度に保つ。このＨ２ガスの蒸着槽４３への導
入は、基板４４上に内部層として形成されるａ−８ｉ層
中にＨを含有させる必要がない場合には省略される。Ｈ
２ガス及びＡｒガス等の雰囲気ガスの蒸着槽４３内への
流量は所望する物性のａ−８ｉ層が形成される様に適宜
決定される。例えば、雰囲気ガスとＨ２ガスとを混合す
る場合には蒸着槽４３内の混合ガスの圧力としては真空
度で、通常は１０−３〜１０−’　ｔｏｒｒ　ｓ好適に
は５Ｘ１０−３〜３　Ｘ　１０−２ｔｏｒｒとされる。

ＡｒガスはＨｅガス等の稀ガスに代えることも出来る。

形成されるａ　−Ｓ　ｉ層中に強いて前記した不純物を
ドーピングしない場合には、ｌ蒸着槽４３内に所定の真
空度になるまで、雰囲気ガス及びＨ２ガス又は雰囲気ガ
スが導入された後、高周波電源７６により、所定の周波
数及び電圧で、基板４４がｉ置されている固定部材４５
とスパッタ用゛電極４８間に高周波電圧を印加して放電
させ、生じた、例えばＡｒイオ／等の雰囲気ガスのイオ
ンでシリコンターゲットをスパッタリングし、基板４４
上に内部層としてのａ二Ｓｉ層を形成する０ 形成されるａ−８ｉ層中に不純物を導入する場合には、
ポンベ５０又は５１より不純物形成用の厳科ガスを、・
−８ｉ層形成時に蒸着槽４３内に導入してやれば良い。

この場合の導入法は、第３図に於いて説明したのと同様
である。

上記の様にして基板４４上に先ず内部層を所定厚で形成
した後、第３図に於いて説明したのと同様に内部層上に
外部層を形成する。

第４図の説明に於いては、高周波電界放電によるスパッ
タリング法であるが、別に直流電界放電によるスパッタ
リング法を採用′シ、でも良い。

高周波電圧印加によるスパッタリング法に於いては、雪
の周波数は通常０，２〜３０Ｍ１ｌｚ好適には５〜２０
Ｍ［ｌｚとされ、又、放電電流密度は通常０．１〜１０
ｍＡ／ｃｒ／１１好適には１〜５　ｍＡ／ｍとされるの
が望ましい。又、充分なパワーを得る為には通常１００
〜５０００ｖ１好適には：３’００〜５０００Ｖの電圧
に調節されるのが良い。

スパッタリング法によって、製造する際のａ−８ｉ層の
成長速度は、主に基板温度及び放電条件によって決定さ
れるものであって、形成された層の物性を左右する大き
な要因の一つである。

本発明の目的を達成する為のａ−８ｉ層の成長速度は、
通常の場合０．５〜１００人八ｅｃ％へ適には１〜５０
λ／ｓｅｃとされるのが望ましい。スパッターリング法
に於いてもグロー放電法と同様に不純物のドーピングに
よって形成されるａ−８ｉ層をｈ警戒いはｐ型に調整す
ることが出来る。不純物の導入法は、スパッタリング法
に於いてもグロー放電法と同様であって、例えば、　Ｐ
Ｈ３−Ｐ２Ｈ４。

Ｂ２Ｈ６等の如き物質をガス状態でａ−８ｉ層形成時に
蒸着槽４３内に導入して、ａ−８ｉ層中にＰ又はＢを不
純物としてドーピングする。この他、又、形成されたａ
−８ｔ層に不純物をイオンインプランテーション法によ
って導入しても良い。

〈実施例１〉 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置された第
３図に示す装置を用い、以下の如き繰作によって電子写
真用像形成部材を作製した。

表面が清浄にされた０、　２１ｍ厚５ｃＩｒＬりのモリ
ブデン板（基板）１７を、グロー放電蒸着槽１６内の所
定位置にある固定部材１８に堅固に固定した。基板１７
は、固定部材１８内の加熱ヒーター９によって±０．５
℃犯精度で加温される。

温度はい熱電対（アルメル−カロメル）によって基板裏
面を直接測定されるようになされた。

次いで系内の全パルプが閉じられていることを確認して
からメインパルプ３５を全開して、槽１６内が排気され
、約５　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒの真空度にした。その後
ヒーター１９・の入力電圧を上昇させ、モリブデン基板
温度を検知しながら入力電圧を変化させ、１５０℃の一
定値になるまで安定させた。

その後、補助パルプ３４、ついで流出パルプ３１．３２
，３３及び流入パルプ２８　、２９　。

３０を全開し、フローメーター２５．２６．２７内も十
分脱気真空状態にされた。バルブ３１゜３２．３３を閉
じた後、シランガス（純度９９．９９９％）ボンベ２２
のバルブ３６を開け、出口圧ゲージ３９の圧をＩＫｔｌ
ｃｒｌに調整し、流入パルプ２８を徐々に開けてフロー
メータ２５内ヘシランガスを流入させた。引きつづいて
、流出パルプ３１を徐々に開け、ついで補助パルプ３４
を徐々に開け、ビラニーゲージ４２の読みを注視しなが
ら補助パルプ３４の開口を調整し、槽内が１×１０−２
ｔｏｒｒ”になるまで補助パルプ３４を開けた。

槽内圧が安定してから、メインパルプ３５を徐々に閉じ
ビラニーゲージ４２の指示が０．５　ｔｏｒｒになるま
で開口を絞った。内圧が安定するのを確認してから、高
周波電源２０のスイッチをｏｎ状態にして、誘導コイル
２１に、５１ＪＨｚの高闇波電−力を投入し、槽内１６
のコイル内部（槽上部）にグロー放電を発生させ、３０
Ｗの入力電力とした。上条性で基板上にシリコン膜を生
長させ、４時間開条件を保った後、その後、高周波電源
２０をｏｆｆ状態とし、グロー放電を中止させた状態で
、ジポラン（Ｂ２Ｈ１１）ガス（純度９９．９９９　％
）ボンベ２３のパルプを開き、出口圧ゲージ４０の圧を
ＩＫｔｌｃｒｌに調整し、流入パルプ２９を徐々に開は
フローメータ２６にジポランガスを流入させた後、流出
パルプ３２を徐々に開け、フローメータ２６の読みが、
シランガスの流量の０．０８　ｖｏｌＴｏになる様に流
出パルプ３２の開口を定め、安定化させた。

引き醜き、再び高周波電源２０をｏｎ状態にして、グロ
ー放電を再開させた。こうしてグロー放電を更に１時間
持続させた後、加熱ヒーター９をｏｆｆ状態にし、高周
波電源２０もｏｆｆ状態とし、基板温度が１００℃にな
るのを待ってから流出パルプ３１．３２を閉じメインバ
ルブ３５を全開にして、槽内を１０’ｔｏｒｒ以下にし
庭後、メインバルブ３５を閉じ、槽１６内をリークバル
ブ１５によって大気圧として基板を取り出した。こうし
て得られたサンプルを像形成部材Ａとした。この場合、
形成されたａ−８ｔ層の全厚は約６μであった。こうし
て得られた像形成部材Ａを、帯電露光実験装置に設置し
、（９６ｋＶで０、２　ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、直
ちに光像を照射した。光像ｉ１キセノンランプ光源を用
い、フィルター（Ｖ−０５８、東芝社製）を用いて５５
０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光１５１ｕｘ−５ｅＣ
を透過型のテストチャートを通して照射された。その後
直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアーを含有
）を部材Ａ表面にカスケードすることによって、部材Ａ
表面上に良好なトナー画像を得た。部材Ａ上のトナー画
像をｓ　十’５’ｋＶの′コロナ帯電で転写紙上に転写
した処、解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度
の画像が得られた。

一方■６　ｋＶのコロナ帯電を行い上記と同様の条件で
の一露光後、ｅ荷電性の現像剤で現像を試みたが、上記
の結果に較べて画像濃度の低いボゲた画像が得られた。

更にθ６ｋＶの帯電を行い、■荷電性現像剤を使用して
、上記のＶ−０５８のフィルターの代わりに、三色フィ
ルターＢ　、　Ｇ　’、　Ｈのそれぞれのフィルターを
用いた場合、いづれの場合にもほぼ同様に良好な画像が
転写紙上に得られた。

〈実施例２〉 第４図に示す装置を用いて、以下の如き操作によって電
子写真用像形成部材を作製した。

表面が清浄された０、２１１ＩＩ厚１０ＸＩＯｃＩＩＬ
のステンレス板上に、電子ビーム真空蒸着法によって、
厚さ約８００人の白金薄膜が蒸着されたものを基板、と
じて、スパッタリング蒸着槽４３内の加熱ヒーター４６
と電熱対を内蔵した固定部材４５上に固定された。基板
４４と対向した電極上には、多結晶シリコン板（純度９
９．９９９　％　）ターゲット４７が基板４４と平行に
約４．５ＣＩ１１離されて対向するように固定された。

槽４３内は、メインパルプ６６を全開して一旦５　Ｘ　
１０’ｔｏｒｒ程度まで真空にされ（このとき、系の全
パルプは閉じられている）、補助パルプ６５および流出
パルプ６１，６２，６３，６４が開らかれ十分に脱気さ
れた後、流出パルプ６１，６２゜６３．６４と補助パル
プ６５が閉じられた。

基板４４は、加熱ヒーター電源が入力され、２００℃に
保たれた。そして水素（純度９９．９９９９５％　”）
ボンベ４９のパルプ６８を開け、出口圧力計７２によっ
てＩ　ＫＰ／ｃｒｌに出口圧を調整した。続いて、流入
パルプ５３を徐々に開いて、フローメータ５７内に水素
ガスを流入させ、続いて、流出パルプ６１を徐々に開き
更に、補助パルプ６５を開いた。

槽４３の内圧を、圧力計６７で検知しながら流出パルプ
６１を調整して５　ｘ　１０’ｔｏｒｒ　ｔで流入させ
た。引き続きアルゴン（純度９９．９９９９　％　）ガ
スボンベ５０のパルプ６９を開け、出口圧力計７３の読
みが１勢憶になる様に調整された後、流入パルプ５４が
開けられ、続いて流出パルプ６２が徐々に開けられ、ア
ルゴンガスを槽内に流入させた。

槽内圧針６７の指示が５　Ｘ　１０’ｔｏｒｒになるま
で、流出パルプ６２が徐々に開けられ、この状態で流量
が安定してから、メインパルプ６６が徐々に閉じられ、
槽内圧がｌＸ１０ｔｏｒｒＫなるまで開口が絞られた。

続いて、ボスフィン（ＰＨ，）ガス（純度９９．９９９
５チ）ボンベ５２のパルプ７１を開き、出口圧ゲージｉ
５を１明Ｕに調整し、流入パルプ５６を開き、徐々に流
出パルプ６４を開け７０−メータ６０の読みから、水素
ガスの７０−メータ５７の示す流量の約１．０ｖｏｊｌ
の流量で流入されるように流出パルプ６４を調整した。

フローメータ５７．５８．６０が安定するのを確認して
から、高周波電源７６をＯｎ状態にし、ターゲット４７
および固定部材４５間に１３．５６１１ｚ　、　５００
　Ｖ　、　１．６　ｋＶの交流電力が入力された。この
条件で安定した放電を続ける様にマツチングを取りなが
ら層を形成した。この様にして４時間放電を続は内部層
を形成した。その後高周波電源７１をｏｆｆ状態にし、
放電を一旦中止させた。引き続いて流出パルプ６１，６
２．６４を閉じメインパルプ６６を全開して槽内ガスを
抜き、５Ｘ１０　ｔｏｒｒまで真空にした。

その後内部層形成の場合と同様に、水素ガス、Ａｒガス
を導入してメインパルプ６６の開口を調節して槽内圧を
２　Ｘ　１０−２ｔｏｒｒとした。続いて、ジボランガ
ス（純度９９．９９９５チ）ボンベ５１のパルプ７゜を
開は出口圧を出口圧力ゲージ７４の読みが１勢−になる
よう調整し、流入パルプ５５を開け、流出パルプ６３を
徐々に開けて、フローメータ５９によって水素ガス流量
の１、Ｏｖｏｌ　９６の流量となるよう調整さ五た。水
素、アルゴン、ジボランのガス流量が安定してから、再
び高周波電源７６をＯＮ状態にして１．６　ｋＶ印加し
放電を再開した。

この条件で、４０分間放電を続けたのち、高周波電源７
６をｏｆｆ状態とし、加熱ヒーター４６の電源もｏｆｆ
状態とした。基板温度が１００”Ｃ以下になるのを待っ
て、流出パルプ５７　、５８　、５９を閉じ、補助ハル
プロ５を閉じた後、メインパルプ６６を全開して槽内の
ガスを抜いた。その後メインパルプ６６を閉じてリーク
パルプ７７を開いて大気圧にリークしてから基板を取り
出した。このサンプルを像形成部材Ｂとした。

この場合、形成されたａ−８ｉ層の厚さは、８μであっ
た。

こうして得られた像形成部材Ｂを、実施例１と同様に試
験した所、ｅ６ｋＶのコロナ帯電Φ荷電性現像剤の組み
合せの場合に、解像力、階調性、画像濃度ともにすぐれ
た画像が得られた。

〈実施例３〉 表面が清浄にされた、コーニング７０５９ガラス（ｌｓ
ＩＩ厚、４Ｘ４ｃｍ、両面研磨したもの）表面の一方に
、電子ビーム蒸着法によってＩＴＯ（ＩｎｚＯａ　：　
Ｓｎｏｗ　２０　：　１成型、６００℃焼成）を１２０
ＯＡ蒸着した後５００℃酸素ふん囲気中で加熱処理され
たものを、実施例１と同様の装置（第３図）の固定部材
１８上にＩＴＯ蒸着面を上面にしｒ設置した。続いて、
実施例１と同様の操作によってグロー放電槽１６内を５
Ｘ１０’ｔｏｒｒ　の真空となし、基板温度は１７０℃
に保たれた後、シランガスが流され、槽内は、０．８ｔ
ｏｒｒ　　に調節された。この時′、更にホスフィンガ
スが、シランガスの０．１　ｖｏｌ、％となるように、
ホスフィンガスのポ／ぺ２・４かラハルプ３８を通して
、ｔｋｇ／ａＩＰのガス圧（出口圧力ゲージ４１の読み
）で流入パルプ３０、流出パルプ３３の調節によってフ
ローメーター２７の読みから槽１６内にシランガスと混
合流入された。ガス流入が安定し槽内圧が一定となり、
基板温度が１７０℃に安定してから、実施例１と同様に
高周波電源２０をｏｎ状態として、グロー放電を開始さ
せた。この条件で、３０分間グロー放電を持続させた後
、高周波電源２０　ｉ　ｏｆｆ状態としてグロー放電を
中止させ内部層の形成を終った。その後、流出パルプ３
１．３３を閉じ、補助パルプ３４、メインパルプ３５を
全開にして、槽中を５　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒまで真空
にした。その後、補助パルプ３４、メインパルプ３５は
閉じられ、流出パルプ３１を徐々に開け、補助パルプ３
４、メインパルプ３５を上記した内部を傷形成時と同じ
シランガスの流幇状態になる様に復起された。

続いて、再び高周波電源２０をｏｎ状態として、グロー
放電を再開させ、この状態を８時間持続させた後、加熱
ヒーター９及び高周波電源２０をｏｆｆ状態として、基
板温度が１００℃になるのを持って、流出パルプ３１を
閉じ、メインパルプ３５と補助パルプ３４を全開にして
、槽１６内を一旦１０’　ｔｏｒｒ以下にしてから、メ
インパルプ３５を閉じ、槽１６内をリークパルプ１５で
リークし基板を取り出した。こう−して像形成部材Ｃを
作製した。形成されたａ−％ｉ層の全厚は、約１１μで
あった。こうして得られた像形成部材Ｃに就で、画像形
成の試験をした。ｅ６ｋＶのコロナ帯電裏面露光Φ荷電
性現像剤の組み合せで画像形成処理した場合に実用に供
しうる良質な画像を得ることが出来た。

〈実施例４〉 実施例）と同様の、ＩＴＯをガラス基板（コーニング７
０５９）上に蒸着した基板を用いて実施例３と同様の条
件と手順で同様の層構成のものを形成した後、引き続い
て基板加熱ヒーターをｏｎ状態にしたままで、高周波電
源２０をｏｆｆ状態とした。続いてジボランガスのポン
ベ２３のパルプ３７を開け、出ロ圧ゲー゛ジ４０の圧を
１ｋｇ、／ａＩｐに調整し、流入バルブ２９を徐々に開
けて、フローメーター２６内へジボランガスを流入させ
た。更に流出パルプ３２を徐々に開け、フローメーター
２６の読みがシランガスの流量の０．０８　ｖｏｌ　Ｔ
ｏになる様に流出パルプ３２の開口を定め、槽内へのシ
ランガスの流量とともに流量が安定化するのを待った。

続いて、高周波電源２０を再びｏｎ状態として、グロー
放電を開始させ、この条件でグロー放電を４５分間持続
させた後、加熱ヒーター９及び高周波電源２０をｏｆｆ
状態として、基板温度がｉ　ｏ　ｏ　’ｃになるのを待
った。その後、流出パルプ３１゜３２を閉じ、メインパ
ルプ３５を全開にして槽１６内を一旦１０−５ｔｏｒｒ
以下にした後、メインパルプ３５を閉じて、槽１６内を
リークパルプ１５によって大気圧した後、基板を取り出
した。こうして像形成部材りを得た。形成された全ａ　
−ｇｉ層の厚さは約１２μであった。

こうして得られた像形成部材りを、実施例１と同様に帯
電露光の実験装置に静置して画像形成の試験をした所、
−６ｋＶのコロナ帯電、Φ荷電性現像剤の組み合せの場
合に、極めて良質の、コントラストの高いトナー画像が
転写紙上に得られた。

〈実施例５〉 表面がパブ研磨され鏡面状にされた後洗浄された０、　
１　ｔａｎ厚のＵ板（４又４ｃｍ）上に、電子ビーム蒸
着法によって２０００人厚のＭｇＦｗ層が均一に蒸着さ
れた。これを基板として実施例１と何□様に第３図に示
す装置の固定部材１８上にＭｇＲ蒸着面を上面にして静
置した。

続いて実施例１と同様の操作によってグロー放電槽１６
内及・び全ガス流入系を５　Ｘ　１０”！ｔｏｒｒの真
空とｂし、基板温度を２２０℃に保った。

続いて実施例１と同様の各パルプの操作で槽１６内にシ
ランガスを導入し槽内圧を、１．　Ｏｔｏｒｒにした。

シランガス流量及び基板温度が安定した後、高周波電源
２０をｏｎ状態として、グロー放電を開始させた。この
条件で、５時間グロー放電を持続させた後高周波電源２
０を°ｏ’ｆｆ状態としてグロー放電を中止させた。引
き続い、て、パルプ３８，３０．３３の開口を調節して
、ホスフィンガスのボンベ２４からホスフィンガス流量
がシランガス流量の０．０５　ｖｏ、ｌ　％となるよう
に７０−メータ２７の読みを注視し乍ら安定させて槽１
６内に導入した。その後、再び高周波電源２０をｏｎ状
態として、グロー放電を再開させた。このグロー放電の
間、流出パルプ３３を約１０分間の間にシランとの混合
比が初期値０．０５　ｖｏｌ　’％から０．０１　ｖｏ
１％増加するように次第に開けて、１時間グロー放電を
持続させた後、高周波電源２０及び加熱ヒーター９がｏ
ｆｆ状態とされた。基板温度が１００℃以下に自然冷却
されるのを待って、流出バルブ３１及び３３が閉じられ
、引き続きメインパルプ３５が全開されて、檜、１６内
は、１０’　ｔｏｒｒ以下にされた。

その後、メインパルプ３５は閉じられ、リークパルプ１
５を開けることによって槽１６内１大気圧に戻され、層
形成された基板が取り出された。こうして像形成部材Ｅ
を得た。形成されたａ−’ｉｉｉ層の全厚は約７．５μ
であった。

得られた像形成部材Ｅを実施例１と同様に帯電−露光−
現像の試験を行った所、■６　ｋＶのコロナ帯電、ｅ荷
電極の現像剤の組み合せの場合に、極めて良質な画像を
得ることが出来た。

続いて、像形成部材Ｅは、市販の複写機（ＮＰ−Ｌ７キ
ヤノン株式会社製を一部改造した実験機）の感光体用ド
ラム（感光層のないＵドラム）に接地されるように固定
され、■６　ｋＶ帯電、鐸光、現像（ｅ荷電性液体現像
剤、市販品）液絞りｅ帯電、転写■°帯電の工程によっ
て普通紙上に良質の画像を得た０又この工程を、〈９力
島えしｌＯ万枚連続コピーしても、全く画質の変化がな
かった。

〈実施例６〉 表面が清浄にされた０、１ａｕａ厚のＵ基板（４×４　
ｃｍ　）が実施例１と同様に第３図に示す装置の固定部
材１８上に静置された。続いて実施例１と同様の操作“
によってグロー放電蒸着槽１６内及び全ガス流入系を５
　Ｘ　１０’ｔｏｒｒの真空となし、基板温度は、２５
０℃に保たれた。実施例１と同様の各パルプ操作で槽１
６内にシランガスが流され、槽内圧は０．３　ｔｏｒｒ
にされた９更にジボランガスのポンベ２３のノくルプ３
７を開け、出口圧ゲージ４０の圧を１ｋｇ／−に調整し
流入パルプ２９を徐々に開け、フローメーター２６の読
みがシランガス流量のＯ，Ｌ　５　ｖｏｌチになる様に
流出パルプ３２も徐々に開けられてジボランガスが流入
された。シランガス及びジボランガス基に流量が安定化
し、基板温度が２５０°Ｃで安定化してから、高周波電
源２０をｏｎ状態として、槽１６内にグロー放電を開始
させた。この条件でグロー放電を３０分間行った後、グ
ロー放電−を続けながら、ジポランの流出パルプ３２を
フローメータ２６を注視しながら徐々に閉じ、シランガ
ス流量に対してジポランガス流量が０．０５　ｖｏｌ　
Ｔｏになるまで開口を絞った。この゛条件で更にグロー
放電を６時間続けた後、流出バ化ブ３１・、３２共に閉
じ、槽ｌ、６内を一旦５　Ｘ　１０−６ｔｏｒｒまで真
空状態にした。続いて、シランガスが再び同・様の゛条
件ズ流され、槽ｌ６内は再び、０．３　ｔｏｒｒにされ
た後、ホスフィンガスのボンベ、２４からパルプ３８を
通して１ｋｇ／ｃｙのガス圧で流入パルプ３０、流出パ
ルプ３３の調節によってフローメータ２７の読みから、
シランガスの０．０８　ｖｏｌ　％となるように槽１６
内に混合して流入させた。ガス流入が安定してから、高
周波電源２０をＯｎ状態として、グロー放電を開始させ
、４５分間持続させた後、高周波電源２０、及び加熱ヒ
ーター９をｏｆｆ状態として後、基板温度が１００℃に
なるのを待って、流出パルプ３１．３３共に閉じられ、
メインノ（ルプ３５が全開されて槽１６が一旦１０’　
ｔｏｒｒ以下にされてからメインパルプ３５を閉じ、リ
ークパルプ１５を開いて槽１６内を大気圧に戻してから
基板を取り出した。

形成されたａ−Ｓｉ層の全厚は約９μであった０こうし
て得られたサンプルを、サンプル裏面のＭ面を接着テー
プで目ばりした後、更にポリカーボネート樹脂の３０チ
トルエン溶′液に垂直方向にサンプルを浸漬した後、１
．５　ｃｍ　／　ｓｅｃの速度で引き上げてａ−Ｓｉ層
上にポリカーボネート樹脂１５μ層を設けた。その後接
着テープは除去された。

こうして像形成部材Ｆを得た。

得られた像形成部材Ｆを、市販の複写機（ＮＰ−Ｌ７キ
ヤノン株式会社製）を改造した実験機の感光体用ドラム
（感光層のないＡｌドラム）に接地されるように固定し
、ｅ７ｋＶ１次帯電、露光同時ＡＣ６ｋＶ帯電、現像（
■荷電性液体現像剤）、液絞り（ローラー絞り）、転写
（９５ｋＶ帯電の連結工程によって普通紙上に鮮明な画
像コントラストの高い画像を得た。又この工程をくりか
えしｌＯ万枚以上コピーしても、初期の良質な画像を維
持した。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、夫々本発明の電子写真用像形成部
材の構成の一例を示す模式的構成断面図、第３図、第４
図は夫々本発明の電子写真用像形成部材を製造する為の
装置の一例を示す模式的説明図である。 １．８・・・・電子写真用像形成部材 ２．９・・・・・・支持体　、　　３．１０・・−・−
・光導電層４・・・・・・自由表面　　、１４・・・・
・・表面値覆層１６．４３１１１０１．蒸着槽

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 支持体と、アモルファスシリコンから成る光導電層とを
   有する電子写真用像形成部材に、前記光導電層に於ける
   空乏層８幅、を拡げる帯電処理と、電磁波の照射と、を
   行って静電像を形成する工程を含む事を特徴とする電子
   写真法。