JPS5875155A - 電子写真用像形成部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ−ｅｒ１８等を示す）の様な電磁波゛
を利用して僚影成するのに使用される電子写真用像形成
部材に関する。

従来、電子写真用像形成部材の光導電層を構成□する光
導電材料としては、Ｓｅ　、　ＣｄＳ　、　ＺｎＯ等の
無機光導電材料やポリ−Ｎビニルカルバシー　＆　（Ｐ
ＶＫ）　、　）リニ）０７ｓ、ｔｖノｙ（ＴＮＦ）等の
有機光導電材料（ＯＰＣ）が一般的に使用されている＠
” 内生ら、これ尋の光導電材料を使用する電子写真用像形
成部材に於いては、未だ諸々の解決され得る可き点があ
って、ある程度の条件緩和をして、個々の状況に応じて
各々適当な電子写状 真用会形成部材が使用されているのが実声であるＯ 例えば、　８ｅを光導電層形成材料とする電子写真用像
形成部材は、Ｓｅ単独では、例えば、可視光領域の光を
利用する場合、その分光感度領域が狭いのでＴｏやんを
添加して分光感度領域を拡げることが計られている。

内生ら、この様な、Ｔｅ　’？　Ａｓを含む＆来光導電
層を有する電子写真用像形成部材は、確かに分光感度領
域は改良されるが、光疲労が大きくなる為に、同一原稿
を連続的に繰返し、コピーすると複写画像の画像濃度の
低下やバックグラン□ドの汚れ（白地部分のカブリ）を
生じたり、又、引続き他の原稿をコピーすると前の原稿
の画像が残僚として複写される（ゴースト現象）等の欠
点を有している。

而も、　Ｂｅ殊ＫＡＩ　、　Ｔｏは人体に対して極めて
有害な物質であるので、製造時に於いて、人体への接触
がない様表製造装置を使用する工夫が必要であって、装
置への資本投下が著しく大きい。

更には、製造後に於いても、光導電層が露呈していると
、クリーニング等の処理を受ける際、光導電層表面は直
に摺擦される為に、その一部が削り堆られて、現儂剤中
に混入したり、複写機内に飛散したり、複写画儂中に混
入したりして、人体に接触する原因を与える結果を生む
０又、＆系光導電層は、その表面がコロナ放電に、連続
的に多数回繰返し晒されると、層の表面付近が結晶化又
は酸化を起して光導電層の電気的特性の劣化を招く場合
が少なくない。或いは、又、光導電層表面が露呈してい
ると、静電、潜偉の可視化（現ｇＩ）に際し、液体現儂
剤を使用する場合、その溶剤と接触する為に耐溶剤性（
耐液現性）Ｋ優れていることが要求されるが、この点に
於いて、Ｓｅ系光導電層は必ずしも満足しているとは断
言し難いＯ これ等の点を億良する為に、−系光導電層の表面を、所
謂保護層や電気絶縁層等と称される表面被覆層で覆うこ
とが提案されている。

内生ら、これ等の改良に関しても、光導電層と表面被覆
層との接着性、電気的接触性及び表面被覆層に要求され
る電気的特性や表面性の点に於いて充分なる解決が成さ
れているとは云い状 難いのが現−である。

又、別には、Ｓｅ系光導電層は、通常の場合真空蒸着に
よって形成されるので、その為の装置への著しい資本投
下を必要とし、且つ、所期の光導電特性を有する光導電
層を再現性良く得るＫは、蒸着温度、蒸着基板温度、真
空度、冷却速度等の各種の製造パラメーターを厳密に調
整する必要がある。

更に、表面被覆層は、光導電層表面に、フィルム状のも
のを接着剤を介して貼合するか、又は、表面被覆層形成
材料を塗布して形成される＄に、光導電層を形成する装
置とは別の装置を設置する必要があって、設備投資の著
しい増大が返って、昨今の様な滅連峰済成長期に於いて
は甚だ芳しくない。

又、Ｓ・系光導電層は、電子写真用倫形成部材の・光導
電層としての高暗抵抗を保有する為に。

アモルファス状態に形成されるが、Ｓ・の結晶化が約６
５℃と極めて低い温度で起る為に、製造後の取扱い中に
、又は使用中に於ける周囲温度や画僚形成プロセス中の
他の部材との摺擦による摩擦熱の影響を多分に受けて′
結晶化現象を起し、暗抵抗の低下を招き易いという耐熱
性上にも欠点がある〇 一方、　ＺｎＯ、ＣｄＳ等を光導電層構成材料として使
用する電子写真用像形成部材け、その光導電層が、Ｚｎ
ＯやＣｄ８等の光導電材料粒子を追歯な樹脂結合剤中に
均一に分散して形成されている。この、所■バインダー
系光導電層を有する像形成部材は、Ｂｅ系光導電層を有
する像形成部材に較べて製造上に於いて有利であって、
比較的製造コストの低下を計ることが出来る。即ち、バ
インダー系光導電層は、　ＺｎＯやＣｄＳの粒子と適当
な樹脂結着剤とを適当な溶剤を用いて混線して調合した
塗布液を適当な基体上に、ドクターブレード法、ディッ
ピング法等の塗布方法で塗布した後固化させるだけで形
成するととが出来るので、Ｓｅ系光導電層を有する像形
成部材に較べ製造装置にそれ程の資本投下をする必要が
ないばか秒か、製造法自体も簡便且つ容易であるＯ 而、乍ら、バインダー系光導電層は、基本的に構成材料
が光導電材料と樹脂結着剤の二成分系であるし、且つ光
導電材料粒子が樹脂結着剤中に智−に分散されて形成さ
れなければならない特殊性の為に、光導電層の電気的及
び光導電的特性や物理的化学的特性を決定するパラメー
ターが多く、従って、斯かるパラメーターを厳密に調整
しなければ所望の特性を有する光導電層を再現性良く形
成することが出来ずに歩留シの低下を招き量産性に欠け
るという欠点がある。

又、バインダー系光導電層は、分散系という特殊性故に
、層全体がポーラスになっており、その為に湿度依存性
が著しく、多湿雰囲気中で使用すると電気的特性の劣化
を来丸し、高品質の複写画像が得られなくなる場合が少
なくない。

・更に社、光導電層のポーラス性は、現倫の際の現像剤
の層中への侵入を招来し、離型性、りＩＪ　　＝ング性
が低下するばかりか使用不能を招く原因ともか砂、殊に
、液体現像剤を使用すると毛管現象による促進をうけて
そのキャリアー溶剤と共に現像剤が層中に侵透するので
上記の点は著しいものと々す、　Ｓｅ系光導電層の場合
と同様に光導電層表面を表面被覆層で覆うことが必要と
なる。

両年ら、この表面被覆層を−ゆる改良も、光導電層６°
ポーラス性に起因する光導電層表面の凹凸性故に１その
界面が均一にならず、光導電層と表面被覆層との接着性
及び電気的接触性の良好な状態を得る事が仲々困難であ
るという欠点が存する。

又、　ＣａＳを使用する場合には、ＣｄＳ自体の人体へ
の影響がある為に、製造時及び使用ＩＩＫ於いて、人体
に接触した知、或−は、周囲環境下に飛散し九抄するこ
とのない様にする必要がある□　ＺｎＯを使用する場合
に社、人体に対する影響社殆んどないが、ＺｎＯバイン
ダー系光導電層唸光感度が低く、分光感度領域が狭い、
光疲労が着しい、光応答性が悪い等の欠点を有している
Ｏ 又、最近注目されているＰＶＫやＴＮＦ等の有機光導電
材料を使用する電子写真用像形成部材に於いては、表面
が導電処理されたポリエチレンテレフタレート等の適当
表支持体上にＰＶＫや薄等の有機光導電材料の塗膜を形
成するだけで光導電層を形成出来るという製造上に−於
ける利点及び可撓性に長けた電子写真用像形成部材が製
造出来ると−う利点を有するものであ゛るが、他方に於
いて、耐湿性、耐コロナ１イオン性、りに片寄っている
等の欠点を有し、極限定された範囲でしか使途に供され
ていない。然もとれ等の有機光導電材料゛の中には発癌
性物質の凝いがあるものもある等、人体に対してその多
く社全く無害であるという保証がなされていないＯ・こ
の様に、電子写真用像形成部材の光導電層を形成する材
料として従来から指摘されている光導電材料を使用した
電子写真用像形成部材は、利点と欠点を併せ持つ為に、
ある程度、製造条件及び使用条件を緩和して各々の使途
に合う適従って、上述の諸問題一点の解決された優れた
電子写真用像形成部材が得られる様な電子写真用像形成
部材の光導電層を形成する材料としての第３の材料が所
望されている。

その様な材料として最近有望視されている屯のの中にア
モルファスシリコン（以後ａ−８１°と略記する）があ
る０ ａ−８ｔ膜は、開発初期のζろは、その製造法や製造条
件によって、その構造が左右される為に種々の電気的特
性・光学的特性を示し、再現性の点に大きな問題を抱え
ていえ。例えば、初期Ｋｔｋいて、真空蒸着法やスパッ
タリング法で形成されたａ−８ｉ膜はボイド郷を多量に
含んでいて、その為に電気的性質も光学的性質も大きく
影響を受け、基礎物性の研究材料としてもそれ糧注目さ
れてはおらず、又、応用の為の研究開発もなされなかっ
た。両年ら、アモルファスではＰｅｎ制御が不可能とさ
れていたのが、ａ−８Ｌに於いて％　１９７６年初頭に
アモルファスとしては初めてｐ−ｎ接合が実現し得ると
いう報告（−Ａｐｐｌｌｅｄ　Ｐｂ７ｓｉｔｓ　Ｌｅｔ
ｔｅｒ　；　Ｖｏ１２８　、　Ａ　２　　＊１５　Ｊａ
ｎｕａｒ７１９７６　）が成されて以来、大きな関心が
集めちれ、以後上記ｐ−ｎ接合が得られることに加えて
結晶性シリコン（ｃ−８ｉと略記する）では非常に弱い
ルミネセンスがａ−８１では高効率で観測されるという
点から、主として太陽電池への応用に研究開発力が注が
れて来ている０ この様に、これ迄に報告されている１−８１膜は、太陽
電池用として開発されたものであるので、その電気的特
性・光学的特性の点に於いて、電子写真用像形成部材の
光導電層としては使用状 し得えないのが実βである。即ち、太陽電池は、太・陽
エネルギーを電流の形に変換して取り出すので、効率良
く大きな電流を取り出すにはｓ　ａ−ｓｔ膜の明抵抗（
電磁波照射時の抵抗）はある程度以下に′しなければな
ら表い。一方、余り暗抵抗（電磁波非照射時の抵抗）が
小さ過ぎるａ−８ｉ膜では効率曳く大きな電流を取り出
すことが出来ない。この様な点から、太陽電池に応用す
るには、ａ−８ｉ膜の暗抵抗は１０”〜１０”Ω・国程
度が要求されている。

両生ら、この程度の暗抵抗を有するａ−８ｔ膜では、そ
のままで電子写真用像形成部材の光導電層として適用さ
せようとしても、余抄にも暗抵抗が低く過ぎて、現在、
知られている電子写真法には全く使用し得たい。

又、電子写真用像形成部材の光導電層の形成材料として
は明抵抗が暗抵抗に較べて２〜４桁１！度小さいことが
要求されるが、従来、報告されているａ−８ｔ膜では精
々２桁程度であるので、この点に於いても従来のａ−８
Ｉ膜では、そのままで電子写真用像形成部材の光導電層
として、適用しようとしても充分濡足し得る光導電層と
は成り得なかつ九〇 又、別には、ａ−８ｉ膜に関するある報告によれば、例
えば、暗抵抗が一１ＯΩ・国であるａ−８ｉ膜は光電利
得（入射Ｐｈｏｔｏｎ当りの光電流）が低下しており、
この点に於いても、従来のａ−８１膜はそのままでは完
全な電子写真用像形成部材の光導電層とは成り得なかっ
た。

更に、電子写真用像形成部材の光導電層として要求され
る上記以外の他の要件、例えば、着電的特性、耐コロナ
イオン性、耐溶剤性、耐光疲労性、耐湿性、耐熱性、耐
摩耗性、クリーニング性等の点に於いては、従来全く未
知数であった。

本発明は、上記の諸点に鑑み成され九もので１−８１に
就て電子写真用像形成部材の光導電層への適用という観
点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、ある特性を
有する特定の層構造のａ−８１層とすれば、電子写真用
像形成部材の光導電層として極めて有効に適用され得る
ばかシ・でなく、電子写真用−像形成部材の従来の光導
電層と較べて殆んどの点に於いて凌駕していることを見
出した点に基−ている０ 本発明は、製造時に於いては、装置やクローズドシステ
ム化が容易に出来るので、人体に対する悪影響を避は得
ることが出来、又一旦製造された屯のは使用上に際し、
人体ばか抄かその他の生物、更には自然環境に対しての
影響がまく無公害であって、殊に酎−単性、耐湿性に優
れ、電子写真特性が常時安定していて、殆んど使用方性
、耐コロナイオン性に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さない電子写真用像形成部材を提供する
ことを主たる目的とする０本発明の他の目的は、１１が
高く、ハーフトーンが鮮明に出て且つ解偉度の高い、高
品質５画偉を得る事が容易に出来る電子写真用像形成部
材を提供することである。

本発明の亀う一つの目的は、光感度が高く、又、分光感
度領域が略々全可視光域を覆っており暗減衰速度が小さ
くて光広答性が速く、且つ耐摩耗性、クリーニング性、
耐溶剤性に優れた電子写真用像形成部材を提供すること
でもある。

本発明の所期の目的は、光導電層を以降に於−て詳述す
る特性を有するａ−８ｉ系先光導電とし、且つ咳層中に
空乏層を形成した事によって達成される◇ 本発明の電子写真用像形成部材の最も代表的表構成例が
第１図及び第２図に示される。第１図に示される電子写
真用像形成部材１は、支持体２．ａ−８ｔ系先光導電３
から構成され、光導電層３は偉形成面となる自由表面４
を有し、骸層３中には空乏層５が形成されている。

本発明に於いて、ａ−８ｔ系先光導電３中に空乏層５を
設けるには、光導電層３を、下記のタイプのａ−８ｔの
中の少なくとも二種類を選択し、異なるタイプのものが
接合される状態として層形成する事によって成される。

（ｉ’）　ｎ　ＩＩ　ａ　−Ｓｔ　……ドナー（ｄｏｎ
ｏｒ　）のみを含むもの、或いは、ドナーとアクセプタ
ー（ａｃｅｅｐｔｏｒ　）　　との両方を含み、ドナー
の濃度（Ｎｄ）が高いもの。

■ｎ”１ｌａ−８ｉ・・・・−・■のタイプの中で殊に
ｎ型特性°の強い（Ｎｄがより高い）もの。

■ｐＨａ−８ｉ・・・・・・アクセプターのみを含むも
の。或いは、ドナーとアクセプターとの両方を含み、ア
クセプターの濃ｆ（Ｎａ）が高いもの。

■ｐ＋型ａ−８ｉ・・・・・・■のタイプの中で殊にｐ
型物性の強い（Ｎａがより高い）もの。

■ｉ　Ｗａ　−Ｓｌ　・−・Ｎａ″：Ｎｄ２Ｏのもの又
は、Ｎａ　１ｄのもの。

即ち、空乏層５は、例えば、所望に従った表！特性を有
する支持体２上に、先ず、１型のａ−８上層を所定の層
凧で形成し、次いで該ｉ型ａ−８１層上にｐ型のａ−ｓ
ｔ廟番形成す〜るととによって１２１１ｍ−８１層とｐ
Ｈ亀−８％層との接合部としで形成される（以後、空乏
層５に関して支持体２側０ａ−８ｔ層を内部層、自由表
面４側のａ−８１層を外部層と称する）。詰り、空乏層
５は、異なるタイプのａ−８上層が接合される様に、光
導電層３を形成した場合に、内部ａ−８１層と外部ａ−
８ｉ層との境界遷移領域に形成される。

本発明に於ける空乏層５は、電子写真用儂形成部材に靜
電僧を形成するプロセス中の一工程である電磁波照射工
程の際に、照射される電磁波を吸収して移動可能なキャ
リアーを生成する層としての機能を有する。又、空乏層
５は、定常状態では、フリーキャリアーの枯渇した状態
となっているので所謂真性半導体としての挙動を示す〇 本発明に於いては、光導電層３を構成する層である内部
層６と外部層７とが同一材料であるａ−８ｉで構成され
、その接合部（空乏層５）はホモ（ｈｏｍｅ）　　接合
となっているので、内部層６と外部層７とは電気的・光
学的に良好な接合が成されてお艶、又、内部層・外部層
のエネルギーバンドは滑らかに接合されている。更に！
２！乏層５には、該層の形成の際に、形成された固有の
電界（拡散電位）（エネルギーバンドの傾き）が゛存在
している０この為に、キャリアー生成効率が良くなるば
かにか、又、生成したキャリアーの再結合確率が減少し
、即ち、量子効率が増大し、光応答速度が速くなり、残
留電荷の発生を防ぐという効果が生ずる。

従って、本発明に於いては空乏層５内に於いて、光の様
な電磁波の照射によって生成されたキャリアーは静電儂
の形成に有効に働くという利点が存する。

又、本発明の偉形成部材は、その成長をより効果的に利
用する為に、静電會を形成する際、光導電層３中に形成
されている空乏層５に、逆バイアス（逆方向バイアス）
となる様な電圧が印加される様に帯電極性を選択して、
外部層面に帯電処理が施される０この逆バイアスが空乏
層５に印加されると、空乏層５の層厚は、該層に印加さ
れる電圧の略々１／２乗の大きさで増加する＠例えば、
高電圧（１０’　Ｖ／１１１以上）下で社、空乏層５の
厚さは帯電処理を施さない時の厚さに較べて、数倍から
数十倍にもなる。又、空乏層５への逆バイアス印加は接
合によって形成され九固有の電界（拡散電位）を更に急
峻なものとする。

この事は、先に述べた効果を一層顕著なものとする。

本発明に於いては、前述した如く、内部層６と外部層７
と空間−材料で形成され、空乏層５は、内部層６と外部
層７の接合によって形成されるので、光導電層３全体が
連続し九製造工程の下に形成する事が出来るという利点
も存する。

空乏層５０層厚としては、接合させる内部層６と外部層
７の誘電率や両層の接合前のフェル電レベルの差、即ち
、接合されるａ−８１層を前記の■〜■のタイプに制御
する為に層中にドーピングされる不純物の密度によって
決定され、そして、前述した如く、逆バイアスによる空
芝屑５の層厚の拡がシのため逆バイアスをして使用する
場合には、数百Ａ〜数十μま、でに４１ひろぜて用いる
ことがてきる。従って、逆バイアスの種度によって空乏
層５の層厚は、適宜変化させられる〇 但し、高電界の逆バイアスを空乏層５上に印加させる場
合、トンネリングやなだれ破壊をおこさない種度に１後
述する不純物の濃度と印加電圧を決定する必要がある。

っま抄、不純物濃度があまシに高濃度の場合、比”較的
低い逆バイアスでトンネリングやなだれ破壊を生じて、
空乏層５の充分な拡がり（電気容量の瀘少）と空乏層５
への充分な電界を得ることかで潰なくなる。

本発、明に於いては、空乏層５は、電磁波を吸収してキ
ャリアーを生成する役目を荷うこと泰らすれば、空乏層
５に入射して来る電磁波を可能な限抄吸収する様にする
為に層を厚くするのが良い。丙午ら、他方に於いて、空
乏層５に於いて生成され九キャリアーの再結合確率を低
下させる重要因子である、空乏層５に形成される固有の
電界の単位厚さ尚りの強さは、層の厚さに逆比例するの
で、この点に限れば、空乏層５ノ厚さは薄い方が良いも
のとされる。

従って本発明に於いては、その目的が充分達成される様
にする為に上記２点が考慮される必要がある０即ち本発
明に於いては、電磁波照射、によるキャリアーの生成を
大部分空乏層５中で行うので、像形成部材ＩＫ電磁波照
射する際の照射方向に従って、内部層６と外部層７の何
れか一方を、コントラストの充分とれた静電儂が形成さ
れるのに充分なキャリアーが空乏層５中に於いて発生さ
れ得る様に１即ち、照射される電磁波が空乏層５に充分
到達し得る様に形成される必要がある。ところで、通常
の使用に供される電子写真用僚形成部材に於いては照射
される電磁波として可視光が採用されている。従って、
ａ−ｓｔの光吸収係数が波長領域４００〜７００　ａｓ
の範囲でｓｘｌゲ〜１　ｆｔｍ−’であるから、先の目
的を達成する為には、少なくと屯帯電処理が成された際
、光照射側の層表面から５０００λ以内に空乏層５の少
なくとも一部が存在する様に、光・照射側の層として内
部層６又は外部層７の何れか一方を形成する必要がある
◇又、該層厚の下限としては、基本的には、内部層６と
外部層７の接合によって空乏層５が形成されさえすれば
良いとする点から、薄い方が電磁波の照射量に対する空
乏層５中でのキャリアー発生効率を増大させる事が出来
るので、製造技術的に可能な限り厚さは薄くされる。

他方、ｐ　ＩＩ（ｐ”ｌｌ含）やｎ型（ｎ”ｌｌ含）を
外部層として用いる場合、不純物濃度によってその暗抵
抗は大きく変化するが、そのほとんどが従来の電子写真
的観点からすれば、全く使用できないものである。

その理由は、°余り抵抗の小さいものでは、静電倫が形
成される際に層の横方向への電荷の逃げを防ぐだけめ表
面抵抗性がないから使用出来ないとするものである。　
　　　゛ 画情ら、本発明に於いては、前述し九空芝屑５への逆バ
イアスによる空乏層５の層厚の拡が秒があ秒、仁の事実
はフリーキャリアーの掃き出しを意味しており、このこ
とは外部層が比較的低抵抗であって屯見掛社上高抵抗の
舞いをすることに！　り、又逆バイアス方向の帯電は、
外部層のフリーキャリアーを表面方向へ掃き出させる効
果を有するために外部層Ｋ１１ｉＪ１１！の変化を鍔起
する。従って、外部層を構成するものとして、上記ＫＩ
！明した空乏層の拡がり効果とフリーキャリアーの掃き
出し効果が、本斃明Ｏ目的が達成される程に期待され得
るのであれば従来の電子写真的観点からすれば、使用出
来′＆いとされていえ比較的低抵抗値を有するものでも
使用され得ることを可能としている。

内部層６と外部層７の中の何れか一方である、電磁＃Ｌ
照射側の層でな一層、換言すれば、空乏層５ＫＩＩして
電磁波照射側との反対ＫＴｏる層は、空乏層５で発生し
た電荷を効果的に輸遇す為機能を荷うと共に１光導電層
３の電気容量の太きさに大いに寄与する様に形成されゐ
ことも出来る。

゛この環内から、斯かる層は、製造される１１形成部材
の製造コストや製造時間等も含めた経済性も加味して通
常の場合、０．５〜１００μ、好適Ｋｔｉ１〜５０μ、
最適には１〜３０＃の層厚の範囲で形成されることが望
まれる。又、更には、可撓性Ｏ要求される儂形成部材の
場合には、他の層や支持体２の可撓性ＯＳ度具合に％関
係するが、好適には上限として３０μ以下に形成される
のが望ましいものである−０ 第１図に１にいては、本発明のｇＩ！形成部材の好適な
実施態様に就いて、内部層６と外部層７として■〜■の
タイプの中の異倉る二種類のタイプのａ−８層層を選択
、例えば、ｐＨと目Ｌｐ”蓋とｐＨ１，♂型とｎ型、ｐ
Ｈとｎｌ１等の組含せとして選択し、これ等を接金させ
て、光導電層３を形成しえ例を挙げて、従来４ＤＫ対す
るそＯ優位性に就−て説明し丸が、更に、支持体１側か
ら、ｐ・１・ａｓｈ・量・ｐと云う様にΦ〜■の中の三
種類の異なるタイプのａ　−Ｓ　１層を接金して光導電
層を構成し九場合も本発明の良好な実施態様とｅＤ得る
。この場合には、光導電層中に空乏層が二つ存在すると
とくなる。

との場合、二つの空乏層に分割して高電界を印加できる
丸め大きな電界の印加が可能となり、高い表面電位を得
ることがよ゛シ容易となる。

光導電層を支持体側からｎｉ・ｐ、又はｐ・量・ｎの層
構成とした場合には、以下に′８す如き０４＋１長を有
する様になると共に種々の′電子写真プロセスが適用さ
れ得る様になる。

即ち、支持体側からの光導電層中への電荷の注入を防ぐ
効果があり、更には、表面側と支持体側の両方からの電
磁波照射が可能である為、両爾同−画偉照射や異なる画
偉照射による同時ａｄｄ−ｏｎ方式の画懐雇射をも可能
にすゐ、そして更には、静電像消去の為の裏面照射（支
持体側からの照射）中後通するＮＰ方弐による裏面照射
（支持体側からの電荷注入を促進する）そして耐久性向
上の丸めの裏面照射゛も可能と−る。

本発明Ｏ電子写真用像形成部材の光導電層を構威す為層
としての■〜■のタイプのａ−８ｉ’層は゛、後に詳述
する様に／ロー放電法中反応スパッタリング法勢による
層形成０ＩＩＩＫ、　！１ｍ！不純物（形成されるａ−
８１層を■又は■のタイプにする）又は、ｐｍ！不純物
（形成されるａ　−ｇ　１層を■又は■のタイプにする
）、＊いは、両不純物を、形成されるａ　−８１層中に
そＯ量を制御して゛ドーピングして中ふ事によって形成
される。

ζ′の場合、本発明者等の実験結果からの知見によれば
、層中の不純物の濃度を１σ−１ｓ〜１６１８ａｍ　４
　（）ＩＩＩ　ｍ内に調整することによって、より強い
ｎ　ＩＩ（・叉はよ）強いｐ　ｌｌ）　Ｏａ−８層層か
らよりｌ１％／％１１又はよ）弱％／％〆型）のａ−８
層層を形成する事が出来る。　゛ ■〜■のタイプのａ　−Ｓ　１層は、グロー放電法、ス
パッタリング法、イオンインプランテーシｌン法、・イ
オングレーティング法等によって形成される。これ等Ｏ
Ｉｌ造法は、製造条件、設備資本投下の負荷＠度、製造
規模、製造される像形成部材に所望される電子写真特性
等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望す
る電子写真特性を有するｆＩ１１ｙ＃虞部材を製造する
為の制御が比較的容易である、■〜■のタイプに制御す
６為Ｋａ−８１１層中に不純物を導入するＯＫ−族又は
Ｖ族の不純物を置換型で導入すゐことが出来る等の利点
からグロー放電法が好適に採用される。

更に１本発明Ｋｔｋいては、グロー放電法とスパッタリ
ング法とを同一装置系内で併用して１−８１層を形成し
て−ｊＬ％／％、ａ−８１層は、本発明の目的とする電
子写真用儂形成部材が得られる可く、その暗抵抗及び光
電利得が、例えば、Ｈを含有させて制御される。ここに
於いて、ｒａ−■層中ＫＨが含有されている１というヒ
と社、「Ｒが、組と結合し良状態」、［Ｈがイオン４ヒ
して層中ＫＩＩＬに込まれている状態Ｊ′文は「迅とし
て層中に取）込まれている状１ａＪｏ何れかの又はこれ
勢の複合されている状態を意味する一ａ　−Ｓ　１層へ
のＨの含有は、層を形成する際、製造装置系内Ｋ　５Ｉ
ＩＴｉ　、　Ｓｔ、！（ｓ等の化合物又は■、の形で導
入し先後、熱分解、グロー放電分解等の方法によっで、
それ等Ｑ化合物ｘａ＆を分解して、ａ−Ｓｉ層中に、層
の成長に併せて含有させて％ｊＬいし、又、イオンイン
プランテーシｌン法で含有させて４良い。

本発明者の知見によれば、ａ−８１層中へのＨの含有量
は、形成される像形成部材が夷１１１ＮＫ於いて適用−
され得るか否かを左右する大きな要因の一つであって、
殊に形成されるａ−８１層をｐ型又はｍ１ｌＫ制御する
一つの要素として、極めて重要であるととが判明してい
る。

本発明に於いて、形成される像形成部材を実際面に充分
適用させ得る為には、ａ−Ｓｉ層中に含有されるＨの量
は通常の場合１〜４０　ａｔｏｍｉｃ−好適には５〜３
０　ａｔｏｍｌ＠−とされるのが望ましい、ａ−８１層
中へのＨ含有量が上記Ｏ数値範−に限定される理由の運
輸的裏付は今の処、明確にされておらず推論の域を出な
い、両生も、歇多くの実験結果から、上記数値ＩＩ８外
のＲの含有量では、例えば本発明の像形成部材の光導電
層を構成する内部層又は外部層としての要求に応じ九特
性に制御するのが極めて困難である製造された電子写真
用像形成部材は照射される電１１１１１１ｍＫ対する感
度が極めて低い、又紘場合によっては、該感度が殆んど
認められな一１電磁波層射によるキャリアーの増加が小
さｉ等が認められ、Ｈの含有量が上記の数値範囲内ＫＴ
ｏるのが必要条件であることが裏付けられている。ａ−
８Ｉ層中へＯＨの含有は、例えば、グロー放電法では、
ａ−８１を形成する出発物質が５ｔｌＬ　、　８１＊Ｈ
−螢の水素化物を使用するので、Ｓｉ＆　−ＢｉＪ＆等
の水素化物が分解してａ−８１層が形成される際、Ｈは
自動的に層中に含有されるが、更ＫＨの層中への含有を
一層効率良く行なうには、ａ−８１層を形成するＩＩＫ
、グロー放電を行なう装置系内ＫＬガスを導入して中れ
ば良い。

スパッタリング法による場合にはＡｒｌｌｌ０不活性ガ
ス又はこれ等のガスをペースとし九混合ガス雰−気中で
８１をターゲットとしてスパッタリングを行なうＩＩＫ
Ｈ！ガスを導入してやるか又は、ＳｉＨ４，８１ｍ＆等
の水素化硅素ガス、或いは、不純物Ｏドーピングも兼ね
てＩＢ嘗Ｌ　、　ＰＨ１勢のガスを導入してやれば裏込
。

本発ｖｓｏ＠的を達成す為為Ｋａ−８１層中に含有され
るＨＯ量を制御するには、１着基板温度又は／及び■を
含有させる為に使用される出発物質の製造装置系内へ導
入する量を制御してやれば良い、更には、ａ−８１層を
形成し先後に、諌層を活性化し九水素雰−気中に晒して
４嵐い。

又、この時ｍ−８１層を結晶温度以下で加熱するのも一
つの方法である。殊Ｋａ−８１ＪｌＯ暗抵抗を向上させ
るためＫは、諌加熱処理法は有効な手段である。又、高
強度ｏｚｏｎｅ電磁波を照射して１．−Ｓｔ層Ｏ暗抵抗
を向上させる方法も有効な方法である。

ａ−８１層中にドーピングされる不純物としては、ａ−
８１層をｐ蓋にするには、周期律ＩＩ嬉■１１ＡＯ元素
、例えばＢ、　ＡＪ、　Ｇａ、　Ｌａ、　Ｔｊ等が好適
なものとして挙けられ、１臘にする場合に社、周期律１
Ｍ！第Ｖ族Ａの元素、例えば、Ｎ　ｅ　Ｐ　＠　Ａｓ　
＠Ｓｂ、引等が好適なものとして挙げられる。これ等の
不純物け、ａ−Ｓｉ層中に含有される量がｐｐｍオーダ
ーであるので、光導電層を構成する主物質程その公害性
に注意を払う必要はないが出来る限り公害性の表いもの
を使用するのが好ましい。この様ｆｋＩ！点からすれば
、形成されるａ−８１層の電気的・光学的特性を加味し
て、例えば、Ｂ、　Ａｓ、　Ｐ、　８ｂ等が最適である
。この他に１例えば、熱拡散やイノプランテーションに
よってＬｌ等がインターステイシアルにドーピングされ
ることでｍｌ！に制御することも可能である。

ａ−Ｓｉ層中にドーピングされる不純物Ｏ量は、所望宴
れる電気的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周
期律表第翫族Ａの不純物の場合には、通常１　Ｇ’　〜
１０’ａｔｏｍｉｃＸ　％好適には１Ｇ’〜１０″ａｔ
ｏｍｉｃ　Ｘ　ｓ周期律表第Ｖ族Ａの不純物の場合には
、通常１０４〜１　Ｇ−”　ａｔｏｍｉｃ　Ｘ％好遣に
は１０’　〜１６’ａｔｏｍ１ｅ％とされるのが望資し
−。

ヒれ勢不純物のａ−８１層中へのドーピング方法は、ａ
−８１層を形成する−に採用される製造法によりて各々
異なるもＯであって、具体的ｋＦｉ；以降の説明又は実
施例ＫＩＩＩｋいて詳述される。

第１１１に示宴れる電子写真用儂拳虞部材の如き、光導
電層３が自由表１ｉｉ４を有し、該自由表面４に、静電
像形成の為の帯電ＩＩ＆運が施される像形成部材に於い
ては、光導電層３と支持体２との間に、静電像形成の際
の帯電処理時に支持体２伺からの中ヤリアーＯ注入を阻
止する働きのある障壁層を設けるのが一層好ましい亀の
である。この様な支持体２側からのキャリアー〇注入を
阻止する働きのある障壁層を形成する材料としては、選
択される支持体の種類及び形成される光導電層の電気的
特性に応じて適宜選択されて適轟なものが使用される。

そＯＩｎ障壁層形成材料としては、例えば、Ａ６へ、８
１０゜８ｉ０．勢の無機絶縁性化金物、ポリエチレン、
ポリカーボネート、ポリウレタン１パダレン等Ｏ有機絶
縁性化舎物Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｐｔ、　ｕｈ、　ｐａ、　
Ｎｏ等の金属である。

支持体２としては、導電性でも電気絶縁性でありても良
い。導電性支持体として杜、例えば、ステンレス、Ａｊ
ｅ　ｅｒｌ　ｌ１ｌｓ＠　Ａａ＠　ｂ　Ｉ　ｓ、　Ｔ＠
＊　Ｖ　＊η、Ｐ＊、Ｎ　　等の金属又はこれ畔の合金
が挙げられる。電気絶縁性支持体としては、ポリエステ
ル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズトリ
アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビリニデン、ポリエチレン、ポリアンド等の合成樹脂
のフィルム又はシート、ガラス、セラ２ツク、紙郷が通
常使用される。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には
。

少なくともその一方の表面を導電処理されるのが望まし
い。

例えば、ガラスであれば、　　Ｉｎ２０ｉ＊　ｋへ等で
その表面が導電処理され、或いはポリエステルフィル五
等の合成樹脂フィルムであれば、ｕ、ムｇ。

ｐｂ、　！ｓ＠　Ｎｌ、　ｂｅ　ｅｒｌ　ｋ、　Ｉｒ＠
　Ｉｂｌ　’ｈ、　Ｖ＄　ＴｉｔＰ＠郷の金属で真空蒸
着、電子ビーム蒸着、スバツタリ／グ等で処理し、又は
前記金属でランネート処理して、その表面が導電処理さ
れる。支持体Ｏ形状としては、円筒状、ベルト状、板状
等、任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定
されるが、連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は
円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通妙の像形成部材が形成される様
に適宜決定されるが、像形成部材として可撓性が要求さ
れる場合に社、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば、可能な限り薄くされる。両年も、この様
な場合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の
点。

から、通常は、１０−以上゛とされる。

第１図に示す如き、光導電層表面が無呈している層構成
の像形成部材であって、外部層側から電磁波照射を行う
ものに於いてＵ、ａ−８ＩＯ屈折率−が約３，３５と比
較的大きいので、従来の光導電層と較べて、電磁波照射
の際、光導電層表面で反射が起抄易く、従って、光導電
層に吸収される電磁波の量の割合が低下し、照射される
電磁波の損失率が大きくなる。゛との損失率を出来る限
り減少させるには、光導電層上に反射防止層を設けると
良い。

反射防止層の形成材料としては、光導電層に悪影響を与
えないこと及び反射防止特性に優れているという条件の
他に、更に電子写真的特性、例えば、静電像を形成する
際の層の横方向への電荷の流れが生じない様にある程度
以上の表面抵抗を有する仁と、液体現像法を採用する場
合には、耐溶剤性に優れていること、更には反射防止層
を形成する条件内で、既に形成されている光導電層の特
性を低下させない事等Ｏ条件が要求される。

本発明の目的を達成する為の必禎条件の一つである自−
１１層層中に含有されるＨの量は前記した数値範囲であ
って、その含有量は、皺範囲内において、その層に要求
される特性が満足した状態で得られる可く適宜決定され
るが、重要なことは含有されたＨは要求される特性が付
与されるのに有効に寄与する状態で含有されている必要
があることである。

又、本発明の目的を達成する為の必要条件の別な一つで
あみ畠−＆層中にドーピングされる不純物の濃度は！配
した数値範囲でありて、そのドーピング量時、該範囲内
において、その層ＫＩＩＩ求される特性が満足される状
態で得られる可（適宜決定されるが、特に有効に作用す
る空乏層が形成されるには’Ｎａ＋Ｎｄなる値が次９範
ｌＩ！ＡＫある様に、Ｎａ　＠　Ｎｄの値を決めると一
層好ましいものでおる。即ち、所定の逆バイアス電圧が
空乏層に印加された時、なだれ破壊やトンネリング現象
が起らな一様ＫＮａ＋ＮＩなる値の上限は決められ、通
常は１６に１．＠→とされる。下限としては、形成され
る一一＆層中の、単位体積？ＭＩｂの８１０自由ダング
リングボンドＯａＸよりも大きな値とされ、好適にはＮ
よ抄も１桁以上、最適Ｋａ１桁以上大きな値とされるの
が望ましいものである。

第１図に示される像形成部材１は、光導電層重が自由表
１ｔｉ４ｔ−有する構成のものであるが、光導電層３表
面上には従来のある種の電子写真用像形成部材の＠に、
所關保繰層や電気的絶縁性轡の表面被覆層を設けてもよ
い。その様な表面被覆層を有するｆ象形成部材が第２図
に示される。

第２図に示される像形成部材８は、第１図における光導
電層３と同様に空乏層１１．内部層１２及び外部層１３
を有する光導電層１０上に自由表面を有す表面被覆層１
４を有する点以外は、構成上に於いて、第１図に示され
る像形成部材１と本質的に異なるものではない。両年ら
表面被覆Ｊｌ　１４　ＩＣ要求される特性は、適用する
電子写真プロセスによって各々異なる。即ち、例えば、
特公昭４２−２３９１０号公報、同４ｍ−２４７４１号
公報に記載されているＮＰ方式の様な電子写真プロセス
を適用するのであれば、表面被覆層１４は、電気的絶縁
性であって、帯電処理を受けた際の静電荷保持能が充分
あって、ある程度以上の厚みがあることが要求されるが
、例えば、カールソンプロセスの如き電子写真ブーセス
を適用するのであれば、静電縁形成後の明部の電位は非
常に小さいことが望ましい０で表面被覆層１４の厚さと
しては非常に薄いことが要求される。表面被覆層１４轄
、その所望され石電気的特性を満足するのに加えて、光
導電層１０に化学的・物理的に悪影響を与えないこと、
光導電層１０との電気的接触性及び接着性、更には耐湿
性、耐摩耗性、クリーニング性等を考慮して形成される
。

表面被覆層１４の形成材料とし工有効に使用されるもの
として、その代表的なのは、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリ
スチレン、ボリプミゝド、ポリ四弗化エチレン、ポリ三
弗化塩化エチレン、ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデ
ン、六弗化プａビシンー四弗化エチレンコポリマー、三
弗化エチレン−弗化ビニリデンコポリマー、ボリブデン
、ポリビニルブチラール、ポリウレタン尋の合成樹脂、
ジアセテート、トリアセテート等のセルローズ霞導体等
が挙げられる。これ等の合成樹脂又社セル―−ス誘導体
は、フィルム状とされて光導電層１０上に貼合されても
良く、又、それ等の塗布液を形成して、光導電層１０上
に塗布し、層形成しても良い。

表面被覆層１４の層厚は、所望される特性に応じて、又
、使用される材質によって適宜決定されるが、通常の場
合、（Ｌｌｌ〜７０μ＠度とされる。殊に表面被覆層１
４が先述した保繰層としての機能が要求される場合には
、通常の場合１、ｌＯ＃以下とされ、逆に電気的絶縁層
としての機能が要求さ、れる場合には、通常の場合１０
μ以上とされる。両年ら、との保画層と電気絶縁層とを
差別する層厚値は、使用材料及び適用される電子写真プ
ロセス、設計される像形成部材の構造によって、変動す
るもので、先のｌＯμという値は絶対的なものではない
。

又、この表面被覆層１４は、先に述べた如き反射防止層
としての役目も荷わせれば、その機能が一層拡大されて
効果的となる。

次に本発明の電子写真用像形成部材を、グロー放電法及
びスパッタリング法によって製造する場合に就での概要
を説明する。

第３図は、インダクタンスタイプグ四−放電法、により
て、本発明の電子写真用像形成部材を製造する為のグロ
ー放電蒸着装置の模式的説明図である。

１６はグロー放電蒸着槽であって、内部には１−粗系光
導電層を形成する為の基板１７が固定部材１８に固定さ
れており、基板１丁の下部側には、基板１７を加熱する
為のヒーター１−が設置されている。蒸着槽１６の上部
には、高周波電源２０と接続されている誘導コイル２１
が巻かれており、前記高周波電源２０がＯＮされると誘
゛導コイル２１に高周波電力が投入されて、蒸着４１１
６内にグ四−放電が生起される様になっている。

蒸着槽ｘｉｏ上端部には、ガ・導入管が接続されており
、ガスボンベ２２．２３，２４よ抄各々のボンベ内のガ
スが必要時に蒸着槽１６内に導入される様になっている
。冨５，２６．１７は各々の７０−メータであってガス
の流量を検知する為のメータであ抄、又、２８１２ｓｓ
　　３６は流入パルプ、１１，３１　３３は流出パルプ
、３４は補助パルプである。

又、蒸着槽１６の下端部はメインパルプ３Ｉｓを介して
排気装置（図示されていない）Ｋ接続されている。ＩＳ
は、蒸着槽１０内の真空を破る為のリークパルプである
。

第３図のグロー放電装置を使用して、基板１７上に所望
特性の光導電層を形成するには、先ず、所定の清浄化処
理を施した基板１１を清浄化面を上面にして固定部材１
８に固定する。

基板１丁の表面を清浄化するには、通常、実施されてい
る方法、例えば、アルカリ又紘酸等による化学的処理法
が採用される。又、ある程度清浄化した後蒸着槽１６内
の所定位置に設置し、その上に光導電層を形成する前に
グ四−放電処理を行っても良い。この場合、基板１７の
清浄化処理から先導一層形成造同一系内で真空を破るこ
となく行うことが出来るので、清浄化した基板面に汚物
や不純物が付着するのを避けることか出来る。基板１丁
を同定部材１８に固定したら、メイン／（ルプ３ｓを全
開して蒸着槽１、・内の空気を矢印ムで示す様に排気し
て、真空度＝１０噂１・ｔ「程度にする。

次に補助パルプ３４を全開し、続いて流出Ｉ（シブ３１
，３雪、３ｓ、流入パルプ鵞８．意・−３０を全開し、
フローメーター鵞ｓ、ｚｓ、ｔ’ｙ内も脱気する。その
後蒸着槽１６内が所定の真空［［Ｋ達したら補助／（ル
プ３４、流入Ｉ（ルプ鵞８゜ｚｓ、ｇｏ、流出パルプ３
　ｉｓ　３　鵞、３１　を閉じる。続いて、ヒーター１
９を点火して基板１丁を加熱し所定温度に達したら、そ
の温度に保つ。

ガスボン゛ぺ２２は虐−＆を形成する為の原料ガス用で
ありて１例えｄｓ　”＋ｅ−為を飄ｊＨｓ；又は、それ
等の混合物等が貯蔵されて−る。又、ボンベ２３及びボ
ンベ２４は形成する―−ｉｍ層を■〜■Ｏタイプに制御
するのに諌層中に不純物を導入する為の原料ガス用であ
って、ＰＨ，。

Ｐ２Ｈ４＠　Ｂ西ｇ　ＡｓＨ２等が貯蔵されている。

基板１７が所定の温度に達したのを確認し先後、ボンベ
２２のパルプ３６を開け、出口圧ゲージ３９の圧を所定
圧に調整し、次いで流入／＜ルプ２８を徐々に開けて、
フローメーター２５内へ例えば８ｉＨ，等のａ　−８１
形成用の原料ガスを流入させる。引き続いて、補助パル
プ３４を所定位置まで開け、次いでビラニーゲージ４２
の示す値を注視し乍ら、流出パルプ３１を徐々に開けて
、ボンベ２２から蒸着槽１６内に供給されるガスの流量
を調整する。形成されるａ　＝　８ｉ層中に強いて前記
した不純物をドーピングしない場合Ｋｄ、Ｓ着槽１・内
にボンベ２２よ抄１−胆形成用の原料ガスが導入された
時点に於いて、ビラニーゲージ４２を注視し乍らメイン
バルブＳＳを調節して、所定の真空度、通常の場合は、
ａ−８ｔ層を形成する際のガス圧で１６４〜Ｓ＠・ｒｒ
　　Ｋ保り。次いで、蒸着槽１６外に巻かれた誘導コイ
ル２１に高周波電源２０により所定周波数、通常の場合
は（Ｌ２〜３０　ｈＭ冨の高周波電力を供給してグロー
放電を蒸着槽１６内に起すと、＝−８１形成用の原料ガ
ス、例えば、＆Ｈ４ガスが分解して、基板１丁上に＆が
蒸着されて内部層が形成される。

、形成されるじ４層中に不純物を導入する場合には、ボ
ンベ２３又は！４より不義物生威用のガスｔ　、ａ−脂
層形成時に蒸着槽１６内に導入してやれば喪い。この場
合、例えば流出バルブ３！を適轟に調節することにより
、ポ／べ！３よ抄の蒸着槽１６へのガスの導入量を適切
に制御することが出来る＠従りて、形成される一一＆層
中に導入される不純物の量を任意に制御することが出来
る他、更に％　ａ　−ｍ層の厚み方向に不純物の量を変
化させることも容易に成し得る。

上記の様にして、基板１Ｔ上に先ず内部層を所定厚で形
成し丸後、次０１１Ｋ　Ｌ、て外部層を形成して光導電
層全体を形成する。

先ず第１０例として社内部層をポ／ぺ３鵞から供給され
るａ　　！１１形成用の原料ガスのみを蒸着槽１６内に
導入して形成し九場合には、外部層を形成する際、ボン
ベ２倉からの一一飄形成用ＯＪＩ料ガスにボンベ＝ｓ又
はボンベ２４からＯ不純物用の原料ガスを混合して蒸着
Ｉ１１馨内に導入して、既に形成されている内部層とは
タイプの異なる外部層を形成する。

第２の例としては、内部層を、例えば、メンバ２！から
のａ−ｊｌｉｌ成形の原料ガスにボンベ意３からの不純
物用の原料ガスを混合して蒸着槽重６に導入して形成し
た場合には、外部層としては、ボンベ２２からのａ　−
ｊｉｉ形成用の原料ガスのみか又社ボ／べ２２からの一
−ａｔ形成用Ｏ原料ガスにボ／べ２４からの不純物用の
原料ガスを混合して蒸着槽１−に導入して、既に形成さ
れている内部層とはタイプの異なる外部層を形成する。

第３の例としては、内部層をボ／べ２２からの一一胆形
成用の原料ガスと、例えばボンベ２ｓからの不純物用の
原料ガスとの混合ガスを蒸着槽１・内に導入して形成し
た後、内部層を形成した時とは、麿−８ム形成用の原料
ガスと不純物用の原料ガスとの混合比を変え先混合βス
を蒸着槽１６内に導入して外部層を形成する。

以上Ｑ様な方法によって、内部層と外部層を形、成する
ことによって、内部層と外部層との接合部に空乏層が形
成され、本発明の目的とする電子写真用像形成部材の光
導電層が形成されたことになる。

光導電層をｐ・轟・曽、−＋・ｔ・−等０層構成の様に
空乏層を２つ有する様に形成するＫｄ上記の３つの方法
を所望にＩｉりて適宜選択して層形成すれば曳いもので
ある。

第３図に示されるグー−放電蒸着装置に於−てハ、凰ν
（ｒｍｄｌ・ｆｒ・噌璽・ｍａｔツ）　インダクタンス
タイプダ胃−放電法が採用されているが、この他、Ｒν
キャパシタンスタイプ、ＤＯ二極タイプ等のダ請−放電
法４採用される。

形成されるｌｌ−８１系党導電層Ｏ＊ａａ威長時の基板
温ｌｌ！に大きく依存するのでその制御は厳密に行うの
が好まし一０本発明に於いては基板温度を通常はＳＯ〜
３務・℃、好適Ｋ１１ｌ＠６〜ｚｏｏ℃ｏｌｌｌｌｌと
する仁とによつて、電子写真用として有効な特性を有す
る一一＆系光導電層が形成される。更に基板温度はａ８
ｉ１１形成時に連続的又社断較的に変化させて所望の特
性を得る様にすることも出来る。又、ａ−８１層の成長
速度も膳−ｍ層の物性を大きく左右する要因でありて、
本発明の目的を達成するには通常の場合αＳ〜１００ム
／域好適には１〜５・ム／繻とされるのが好ましい。

第４図社、スパッタリング法によりて、本発明の像形成
部材ｔ−製造する為の装置の一つを示す模式的説明図で
ある。

４３は蒸着槽であうて、内部には一一凪系光導電層を形
成する為の基板４４が蒸着槽４３と紘電気的に絶縁され
ている導電性の固定部材４５に固定されて所定位ｔｌＫ
設置されている。基板４４の下方には、基板４゛４を加
熱する為のヒーター４６が配置され、上方には、所定間
隔を設けて基板４４と対向する位置には多結晶又は単ｍ
晶シリコンターゲット４７がスパッタ用電極４＠に取卦
付ゆられて配置されている。

基板４４が設置されている固定部材４ｓとシリコンター
ゲット４７間には、高周波電源亭−に、よって、高周波
電圧が印加される様になりている。又、蒸着槽４３に杜
、ボンベ４９ｔＳ＠ｓ５１、Ｓ鵞が各々、流入バルブ５
３ｅ　Ｓ４＊　ｌｌ５ｓ６、ツー−メータ５丁ｅ　　！
８．５１ｅ　　＠＊ｓ流出バルブＩｓ　Ｚ＃　６２＊　
ｆ５３ｅ　＠　４、補助バルブ８４１介して接続されて
おり、ボンベ４９゜ｓｏｔ　　ｓｘｔ　　ｓｚより各々
必要時に蒸着槽４３内に所望のガスが導入される様Ｋ　
ｔｋ−）ている。

今、第４図の装置を用いて、基板４４上に空乏層を有す
るａ　−８１系光導電層を形成するには先ず、メインバ
ルブ６６を全開して蒸着槽４３内の空気を矢印Ｂで示す
様に、適当な排気装置を使用して排気し、次いで補助パ
ルプＳＳ、流入パルプ５３〜ｓ６、流出バルブ６１〜６
４を全開して蒸着槽４３内を所定の真空度にする。

次に、ヒーター４６を点火して基板４４を所定の温［ま
で加熱する。スパッタリンダ法によってａ　＝　ＩＬＬ
系光導光導電層成する場合、この基板４４の加熱温度は
、通常５０〜３５６℃、好適ＫＨｉｏｏ〜２００℃とさ
れる。この基板温度は、―−胆層の成長速度、層の構造
、ボイドの存否等を左右し、形成され九ａ　−１１１層
の物性を決定する一要素であるので充分なる制御が必要
である。又、基板温度は、ａ　　８１層の形成時に、一
定に保持しても良いし、又虐−胆層の成長と共に上昇又
は下降又社上下させても夷い。

例えば、ａ７ｓ１層の形成初期に於いては、比較的低い
温度？、に基板温度を保ち、ａ−１！ｌ１層がある程度
成長したらテ、よりも高い温度！！ｔ−ｃＪ＆板温度を
上昇させなからａ−１１１層を形成し、暑−脂層形成終
期には再び！！より低い温度！、に基板温度を下げる等
して、＠−８１層を形成することが出来る。この様にす
ることによって、ａ−Ｓｔ層の電気的・光学的性質を層
厚方向に一定着しくは連続的に変化させ、る、ことが出
来る。

又％ａ−ｓｕは、その層成長速度が、他の１例えば、８
・等に較べて遅いので、形成する層厚が厚くなると層形
成初期に形成されたーー親（基板側に近い一一＆）は、
層形成ｍｉ迄の関に、層形成初期ｏｔｒｉ性を変移させ
る恐れが充分考えられるので、層の厚み方向に一様な特
性を有する畠−＆層を形成する為には層形成開始から層
形成終了時に亘つて基板温度を上昇させ乍ら層形成する
のが望まし−。この基板温度制御操作はグ四−放電法を
採用する場合にも適用される。

基板４４が所定の温度に加熱された仁とを検知し先後、
流入バルブ５ｍ−５ｓ、流出バルブ６１〜６４、補助バ
ルブ６ｓを朔る。

次に、出口圧ゲージマ３を注視し乍ら、バルブ６易を徐
々に開けて、ボンベＳＯの出口圧を所定圧に゛調整する
。続いて、流入バルブ５４を全開して７０−メーターｓ
Ｉ内に、例えばＡｒガス等の雰囲気ガスを流入させる。

その後、補助バルブ６＠を全開し、次いでメインバルブ
６−及び流出バルブ６２を調整し乍も雰囲気ガスを蒸着
槽４３内に導入し、所定Ｏ真空度に蒸着槽４３内を保つ
。

次に、出口圧ゲージ７２を注視し乍らバルブ６８を徐々
に開けて、ぎンぺ４９の出口圧を調整する０続いて、流
入パルプ５３を全開して７０−メーター５７内ＫＩｌ＆
ガスを流入させる０次いでメインバルブ６６及び流出パ
ルプ６１を調節しながらへガスを蒸着槽４３内に導入し
所定の真空ｆＫ保つ。このＩ＆ガスの蒸着槽４ｓへの導
入は、基板４４上に内部層として形成されるａ−８１層
中ＫＨを含有させる必要がな一場合には省略される。鴇
ガス及びＡｒガス等の雰囲気ガスの蒸着槽４３内への流
量は所望する物性のａ−８１層が形成される様に適宜決
定される０例えば、雰囲気ガスとａガスとを混合する場
合には蒸着槽４３内の混合ガスの圧力としては真空度で
、通常ｔｉｌ　Ｑ　〜１０　　ｔｏｒｒｓ好適Ｋａ５Ｘ
１　Ｇ’　〜３　Ｘ　１０　　ｔｏｒｒとされる□　Ａ
ｒガスはＨｅガス等の権ガスに代えることも出来る０形
成されるａ−８易層中に強いて前記し九不純物をドーピ
ングしない場合には、蒸着槽４３内に所定の真空ｔＫな
るまで、雰囲気ガス及びａガス又は雰囲気ガスが導入さ
れ先後、高周波電源７６により、所定の周波数及び電圧
で、基板４′４が設置されている固定部材４５とスパン
・ター用電極４８間に高周波電圧を印加して放電させ、
生じえ、例えばＡｒイオン等の雰囲気ガスのイオンでシ
９；ンターゲットをスパッタリングし、基板４４上に内
部層として０ａ−８層層を形成する〇 形成されるａ−８層層中に不純物を導入する場合には、
ぽンべ５０又は５１よ）不純物形成用の原料ガスを、ａ
−８層層形成時に蒸着槽４３内に導入してやれば良い。

この場合の導入法は、第３図に於いて説明し九のと同様
である。

上記の様にして基板４４上に先ず内部層を所定厚で形成
した後、第３図に於いて説明し九のと同様に内部層上に
外部層を形成する。

第４図の説ＩＦ１に於いては、高周波電界放電によるス
パッタリング法でするが、別に直流電界放電によるスパ
ッタリング法を採用しても良い。

高周波電圧印加による゛スパッタリング法に於いては、
その周波数は通常０．２〜３Ｇ＆、好適には５〜２０＆
とされ、又、放電電流密度は通常０、１〜１０　ｒｒＡ
／（ｘｉ、好適には１〜５ｍム／ｄとされるのが望まし
い。又、充分なパワーを得る為には通常Ｚｏｏ　〜５ｏ
ｏｏｖ、好適には３００〜５ＱＯＯＶの電圧に調節され
るのが良い。

スパッタリング法によって、製造する際の１−８１層の
成長速度は、主に基板温度及び放電条件によって決定さ
れるものであって、形成された層の物性を左右する大き
な要因の−っである。本発明の目的を達成する為のａ−
８層層０成長速度は、通常の場合０．５〜１００ム／畠
・ｃ１好適には１〜５０λ／ｓ＠ｅとされるのが望まし
い。スパッタリング法に於いてもグロー放電法と同様に
不一物のドーピングによって形成されるａ−８層層をｎ
Ｗ或いはｐ型に調整することが出来る。不純物の導入法
は、スパッタリング法に於いてもグロー゛放電法と同様
であって、例えば、ＦＨ＠　ｅ　Ｐ＊％　ｅ　ＢＡＨ＠
等の如き物質をガス状態でａ−８層層形成時に蒸着槽４
３内に導入して、ａ−８層層中ＫＰ又はＢを不純物とし
てドーピングする。この他、又、形成され九ａ　−Ｓ　
１層に不純物をイオンインプランテーシ冒ン法によって
導入しても良い。

〈笑施例１〉 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置され走路
３図に示す装置を用い、以下の如き繰作によって電子写
真用像形成部材を作製しえ。

表面が清浄にされ九Ｇ、　２■厚５３１ｊｌｌのモリブ
デン板（基板）１７を、グレー放電蒸着１１１６内の所
定位置にある固定部材１８ＫＩＩｌｌＫｍｌ定し丸。基
１［１７は、同定部材１８内の加熱ヒーター９によって
±ｏ、　ｓ　℃の精度で加温される。

温度は、熱電対（アルメル−カロメル）によって基板裏
面を直接測定されるようＫなされ九。

次いで系内の全パルプが閉じられていることを確認して
からメインパルプ３５を全開して、槽１６内が排気され
、約５Ｘ１０ｔｏｒｒの真空度にした＝その後ヒーター
１９の入力電圧を上昇させ、モリブデン基板温度を検知
しながら入力電圧を変化させ、１５０℃の一定値Ｋｌる
まで安定させた。

その後、補助パルプ３４、ついで流出パルプ３１．３２
．３３及び流入パルプ２Ｂ、２ｆｌ。

３０を全開し、７ａ−メーター２５　、２６．２７内も
十分脱気真空状態にされた。パルプ３１゜３２．３３を
閉じた後、シランガス（純度９９゜９９９５４’）ボン
ベ２２のパルプ３６を開け、出口圧ゲージ３９の圧を１
４９／ｃｄに調整し、流入パルプ２８を徐々に開けて７
０−メータ２５内ヘシランガスを流入させ九。引きつづ
いて、流出パルプ３１を徐々に開け、ついで補助パルプ
３４を徐々に開け、ビラニーゲージ４２の読みを注視し
ながら補助パルプ３４の開口を調整し、槽内がＩ　Ｘ　
１０　　ｔｏｒｒ　Ｋなるまで補助パルプ３４を開けた
。槽内圧が安定してから、メインパルプ３５を徐々に閉
じビラニーゲージ４２の指示が０．５、ｔｏｒｒ　Ｋな
るまで開口を絞った。内圧が安定するのを確認してから
、高周波電源２０のスイッチをｏｎ状態にしてＪ誘導コ
イル２１に、５１＆の高周波電力を投入し、槽内１６の
コイル内部（槽上部）にグロー放電を発生させ、３０Ｗ
の入力電力とした０上条件で基板上にシリコン膜を生長
させ、４時間開条件を保った後、その後、高周波電源２
０をｏｆｆ状態とし、グロー放電を中止させた状態で、
ジボランガス（Ｍ度９９．９９９１Ｇ）ボンベ２３０パ
ルプを開き、出口圧ゲージ４０の圧を１＃／ｄＫ調整し
、流入パルプ２９を徐々に開け７ｏ−メータ２６にジボ
ランガスを流入させた後、流出パルプ３２を徐々に開け
、７ｃ１−メータ２６の読みが、シランガスの流量の０
．０８マｏｌ−Ｋｔｋる様に流出パルプ３ｉｏ開口を定
め、安定化させえ。

引き続き、再び高周波電［２０をｏｎ状１１にして、グ
ロー放電を？！開させた。こうしてグロー放電を更に１
時間持続させ先優、加熱ヒーター９をｏｆｆ状態ＫＬ、
高周波電源２０もｏｆｆ状態とし、基板温度が１００℃
にな、るのを待ってから流出パルプ３１．３２を閉じメ
インパルプ３５を全一にして、槽内を１０ｔｏｒｒ以下
にし先後、メインパルプ３５を閉じ檜１６内をリークパ
ルプ１５によって大気圧として基板を取り出し丸。こう
して得られたサンプルを像形成部材ムとしえ。この場合
、形成され九ｍ−８１層の金厚線約６−であつ九〇 こうして得られた像形成部材Ａを、帯電露光実験装置に
設置し、θ６ＫＶで０．２ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像は、キ竜ノンランプ光源を
用い、フィルター（Ｖ−０５８、東芝社１１）を用いて
５５０　ｎｍ以下の波長域の光を除いた光１５１ｕｘ−
ｍｅｃを透過蓋のテストチャートを通して照射された。

その後直ちＫＳｅ荷電性の現倫剤（トナーとキャリアー
を含有）を部材Ａ表面にカスケードすることによって、
部材ム宍面上に良好なトナー画像を得九。部材Ａ上のト
ナー画像を、＋５ＫＶのコロナ帯電で転写紙上に転写し
た所、解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
ｉｉ＊が得られ九〇 一方の６ＫＶのコロナ帯電を行い上記と同様の条件での
露光後、ｅ荷電性の現會剤で現像を試みたが、上記の結
果に較べて両会濃度の低いポケ九両会が得られた。

更Ｋｅ６ＫＶの帯電を行い、ｅ荷電性現像剤を使用して
、上記のｖ−ｏｓｓのフィルターの代わりに、三色フィ
ルターＢ、Ｇ、Ｒのそれヤれのフィルターを用い九場合
、いづれＯ場合に４はぼ同様ＫｊＬ好表画表面像写紙上
に得られえ。

〈１１Ｗ施例２〉 第４図に示す装置を用いて、以下の如き操作によって電
子写真用像形成部材を作製し友。

表面が清浄され九（Ｉｇｍ厚１ＯＸＩＯ傷のステンレス
板上に、電子ビーム真空蒸着法によって、厚さ約８００
λの白金薄膜が蒸着され丸亀のを基板として、スパッタ
リング蒸着槽４３内の加熱ヒーター４６と電熱対を内蔵
し九固定部材４５上に固定された０基［４４と対向し九
屯極上には、多結晶シリコン板（純度９９．９９９１１
）ターゲット４７が基板４４と千行く約４．５　ｆｉ離
されて対向するようＥ１ｍ定された。

檜４３内は、メインパルプ６６を全開して−Ｈ５ｘｌＯ
ｔｏｒｒｌｉ！度まで真空にされ、（このとき、系の全
パルプは閉じられている）、補助バルブ６５シよび流出
パルプ４１１．＄２．６３．６４が開らかれ十分に脱気
され九螢、流出パルプ６１　、６２゜１８３．６４と補
助バルブ６５が閉じられ九。

基１［４４は、加熱ヒーター電源が入力され、２００℃
に保たれた。そして水素（純度９９．９９９９５チ）ボ
ｙぺ４９のバルブ６８を開け、出口圧力計７２によって
１＆ｉｉＦ／ｍに出口圧を調整した。続いて、流入パル
プ５３を徐々に開いて、７０−メータ５７内に水素ガス
を流入させ、続いて、流出パルプ６１を徐々に開き更Ｋ
Ｊ補助パルプ６５を開い友。

槽４３の内圧を、圧力計６７で検知しながら流出パルプ
６１を調整して５Ｘ１０ｔｏｒｒｔで流入させ九〇引き
続きアルゴン（純［９９，９９９１９ＩＩ’）ガスぽン
べ５０のパルプ６９を開け、出口圧力計７３”Ｏ読みが
１＃ｌ／ＣｄＫなる様に調整され友後、流入パルプ５４
が開けられ、続いて流出パルプ６２が徐々に開けられ、
アルゴンガスを槽内に流入させ九。槽内圧針６７の指示
がＳ　Ｘ　１０　ｔｏｒｒＫ　＆る壇で、流出パルプ６
２が徐々に開けられ、この状態で流量が安定してから、
メインパルプ６６が徐々に閉じられ、槽内圧が１ｘｌＯ
ｔｏｒｒ　Ｋ’＆るまで開口が絞られた。続いて、ホス
フィンガス（Ｎｌ１９９．９９９５　％　）　Ｍ　ｙへ
５２　Ｏパルプ７１を開き、出口圧ゲージ７５を１１９
７０１１に調整し流入パルプ聞を開き、徐々に流出パル
プ６４を開はフローメーター６０（Ｄ貌みから、水素ガ
スの７ａ−メータ５７の示す流量の約１．Ｏｖｏ／　＊
ＯＲ量で流入されるように流出パルプ６４を調整し九〇
７ｏ−メータ５７゜５８．６０が安定するのを確暉して
から、高周旋電源７ｄをｏｎ状態にし、ターゲット４７
および一定１１材４５間に１３．５６＆、５００Ｖ、１
．６ＫＶの交流電力が入力され丸。この条件で安定した
放電を続ける様にマツチングをＩＩＪ）ながら層を形成
しえ。この様にして４時間放電を続は内部層を形成した
。その後高周妓電（７１をｏｆｆ状１１にし、放電を一
旦中止させえ。引き続いて流出パルプ６１．６２．６４
を閉じメインパルプ−６を全開して槽内ガスを抜き、５
　Ｘ　１　Ｇ４ｔｏ汀まで真空にした。その後内部層形
成の場合と同様に、水素ガス°、Ａｒガスを導入してメ
インパルプ６６の開口を調節して槽内圧を２Ｘ１０ｔｏ
ｒｒとしえ。続いて、ジポランガス（純度９９．ｌＱ９
５％　’）ぎンぺ５１のパルプ７０を開は出口圧を出口
圧力ゲージ７４の読みが１ｋｌ／ｄになるよう調整し、
流入パルプ５５を開け、流出パルプ６３を徐々に開けて
、７０−メータ５９によって水素ガス流量の１．０マＯ
ｌ−の流量となるよう調整されえ。水素、アルゴン、ジ
ボランのガス流量が安定してから、再び高周旋電源７６
をＯＮ状態にして１．６　Ｋ　Ｖ印加し放電を再開した
。この条件で、４０分間放電を続けたのち、高周波電源
７６をｏｆｆ状態とし、加熱ヒーター４６Ｋ）電源もｏ
ｆｆ状態とじ九。基板温度が１００℃以下になるのを待
って、流出パルプ５７，５８．５９を閉じ、補助パルプ
８Ｂを閉じた後、メインパルプ６６を全開して槽内のガ
スを抜いえ。その後メインパルプ６６を閉じてリークパ
ルプ７７を開いて大気圧にリークしてから基板を攻）出
した。このサンプルをｇＩＩ形成部材Ｂとし友。

・この場合、形成され九ａ−８ｉ層の厚さは、８μであ
り九〇 こうして得られた像形成部材Ｂを、実施例１と同様に試
験した所、８６ＫＶのコロナ帯電ｅ荷電性現像剤の組み
合せの場合に、解曽力、階調性、画像濃度ともＫすぐれ
良画像が、得られ九〇 〈実施例３〉 表面が清浄にされえ、コーニング７０５Ｓガラス（ｌ層
厚、４ｘ４ａｍ、両画研磨したもの）表面の一方に１電
子ビ一ム蒸着法によって！旬（Ｉｎ１０ｇ　：　８４２
０　：　１成璽、６００℃焼成）を１２００ム蒸着し先
後５００℃酸素ふん囲気中で加熱ｌ＆層されえものを、
実施例１と同様の装置（第３図）の固定部材１口上Ｋｘ
〒ＯＮ着画を上面にして設置し九〇続いて、実施例１と
同様の操作によってグミ−放電槽１６内を５Ｘ１Ｇ’ｔ
ｏｒｒ　（）真空となし、基板温度は１７０″’ＯＫ保
九れえ後、シランガスが流され、槽内は、０．１ｌｔｏ
ｒｒに調整された。この時、更にホスフィンガスが、シ
ランガスの０．１ｖｏｒ−となるように１ホスフインガ
スのボンベ２４からパルプ３８を通して、１＆ｐ／ａｔ
のガス圧（出口圧力ゲージ４１の読み）で流入パルプ３
０１流出パルプ３３の調節によって７０−メータ２７の
読みから槽１６内にシランガスと混合流入された。ガス
流入が安定し槽内圧が一定となり、基板温度が１７０″
ＯＫ安定してから、実施例１と同様に高周波電源２０を
ｏｎ状簡゛として、グロー放電を開始させ九〇この条件
で、３０分間グロー放電を持続させた後、高周波電源２
０をｏｆｆ状態としてグ四−放電を中止させ内部層の形
成を終つ九。その後、流出パルプ３１．３３を閉じ、補
助パルプ３４、メインパルプ３５を全開にして、槽中を
５Ｘ１０’ｔｏｒｒまで真空にした。その後、補助パル
プ３４、メインパルプ３５は閉じられ、流出パルプ３１
を徐ｋＫ開け、補助パルプ３４、メインパルプ３５を上
記した内部層形成時と同じシランガスの流量状態になる
様ＫＩＩ起され九。続いて、再び高周波電源２０をｏｎ
状態として、グロー放電をＰｌｌｌさせ、との状態を８
時間持続させ九後、加熱ヒーター９及び高周披電１１２
Ｇをｏｆｆ状態として、ｉ＆板温度が１００″ＯＫなる
のを持って、流出パルプ３１を閉じ、メインパルプ３ｓ
と補助パルプ３４を全開にして、檜１６内を一旦１Ｇ’
ｔｏｒｒ以下にしてから、メインパルプ３５を閉じ、檜
１６内をリークパルプ１５でリークし基板を散り出しえ
。こうして像形成部材Ｃを作製しえ。

形成され九ｍ−８１層の全厚は、約１１μであった。ζ
うして得られた像形成部材Ｃに就て、画像形成６試験を
した。８８ＫＶのコロナ帯電裏面露光Φ荷電性現僚剤の
組み合せで画像形成処理した場合に実用に供しうる良質
な画像を得ることが出来え。

〈実施例４〉 実施例３と同様の、ＩＴＯをガラス基板（コーニング７
０５Ｇ）上ＫＭ着しえａ鞭を用いて実施例３と同様の条
件と手履で同様０層構成Ｏものを形成した後、引き続い
て基板加熱ヒーターを・ｎ状態にした！まで、高周波電
１［２０をｏｆｆ状謄としえ。続いて、ジボランガスの
ボンベな３０バルブ３７を開け、出口圧ゲージ４０４０
圧を１＃／ｃｄに調整し、流入パルプ２９を徐々に開け
て、７ａ−メータ２６内へシボ２ンガスを流入させ九〇
更に流出パルプ３２を徐々に開け、７０−メータ２６の
読みがシランガスｏｔＩｌ量の０．０８マ０／−になる
様に流出パルプ３２の開口を定め、槽内へのシランガス
の流量とともに流量が安定化するのを待った。続いて、
高周波電源２０を再びｏｎ状態として、グロー放電を開
始させ、この条件でグロー放電を４５分間持続させ先後
、加熱ヒーター９及び高周披電１Ｉ１２０をｏｆｆ状態
として、基板温度が１００℃になるのを待つ九〇その後
、流出パルプ３１．８２を閉じメインパルプ３５を全開
にして檜１６内を一旦１０　ｔｏｒｒ以下にした後、メ
インパルプ３５を閉じて、檜１６内をリークパルプＩＳ
Ｋよって大気圧にし先後、基板を取り出した。こうして
像形成部材りを得九。形成され大全ａ−８ｉ層の厚さは
約１２＃であった〇 ・こうして得られた像形成部材りを、実施例１と同様に
帯電露光の実験装置に静置して画像形成の試験をし要所
、−６ＫＶＯコロナ帯電、ｅ荷電性現像剤の組み合せの
場合に、極めて巌質の、コントラストの高いトナー両会
が転写紙上に得られえ。

〈実施例５〉 表面がパブ研磨され儒面状にされた後洗浄された０、１
閣厚のＡ／ＩＥ（４Ｘ４傷）上に１電子ビ一ム蒸着法に
よってλ０００ム厚０１ｋＦ、層が均−ＫＪＩ着されえ
。これを基板として実施例１と同機に第３図に示す装置
の同定部材１８上にｈｋＦｍ蒸着藺蒸着面にして静置し
え。

続いてｌｌ！膣例１と同様の操作によってグロー放電槽
１６内及び全ガス流入系を５　Ｘ　１０’ｔｏｒｒＯ真
空となし、基板温度を２２０℃に保つえ。

続いて実施例１と同様の各パルプの操作で檜１６内にシ
ランガスを導入し槽内圧を、ＬＯｔｏｒｒ　Ｋし九０シ
２ンガス流量及び基板温度が安定し先後、高周波電源２
０をｏｎ状態として、グロー放電をＷ４始させた。この
条件で、５時間グロー放電を持続させ先後、高周波電源
２０をｏｆｆ状態としてグロー放電を中止させた。引き
続いて、パルプ３ｇ、３０．３３の開口を調節して、ホ
スフィンガスのボンベ２４からホスフィンガス流量がシ
ランガス流量の０．０５マｏ１％となるように７０−メ
ータ２７の読みを注視し乍ら安定させて槽１６内に導入
した。その後、昇び高周波電源２０をｏｎ状態として、
グロー放電を再開させた。このグロー放電の間、流出パ
ルプ３３を約１０分間の間にシランとの混合比が初期値
０．０５ｖｅｒｌＧから０．０１　ｖｏ／　％増加する
ように次第−開けて、１時間グロー放電を持続させ九後
、高周波電源２０及び加熱ヒーター９がｏｆｆ状態とさ
れた。基板温度が１００℃以下に自然冷却されるのを待
って、流出パルプ３１及ヒ３３が閉じられ、引き続きメ
インパルプ３５が全開されて、槽１６内は、１０’　ｔ
ｏｒｒ以下にされえ。

その後、メインパルプ３５は閉じられ、リークパルプ１
５を開けることによって槽１６内は大気圧に戻され、層
形成された基板が取り出された。ζうして像形成部材Ｅ
を得え。形盛され九ｍ−８１層の全厚は約７．６＃であ
った。

得られた像形成部材鵞を実施例１と同様に帯電−露光−
現像の試験を行った所、ｅ６ＫＶのコロナ帯電、ｅ荷電
極の現像剤の組み合せの場合に１極めて良質な画像を得
ることが出来え。

続いて、像形成部材Ｅは、市ＨＯ複写機（ＮＰ−Ｌ７キ
ヤノン株式会社製を一部改造し九実験機）の感光体用ド
ラム（感光層のないＡ／ドラム）Ｋ接地されるように固
定され、ｅ６ＫＶ帯電、−光、現１ｍ（θ荷電性筐体ａ
ｍ剤、市販品）液絞りｅ帯電、転写ｅ帯電の工程によっ
て普通紙上ＫｊＬ質の画像を得た０゛又この工程を、く
〉かえし１０万枚連続コピーしても、全く画質の変化が
なかった。

〈実施例６〉 表面が漬浸にされ九〇、　１閤厚のＡ／基板（４ｘ　４
　ｃｍ　）が実施例１と同様に第３図に示す装置の固定
部材１８上に静置された。続いて実施例１と同様の操作
によってグロー放電蒸着槽１６内及び全ガス流入系を５
　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒ　Ｏ真空となし、基板温度は、
２５０″ＯＫ保たれ九。実施例１と同様の各パルプ操作
で檜１６内にシランガスが流され、槽内圧は０．３　ｔ
ｏｒｒ　Ｋされた。

更にジボランガス〆ンべ２３のパルプ３７を−け、出口
圧ゲージ４Ｇ圧をＩＩｃｇ／ｄＫ調整し、流入パルプ２
９を徐々に開け、７ｃｌ−メーター２６０読みがシラン
ガス流量の０．１５ｖｏｊ＊になるＩＩＫＮ！出バルブ
３２も徐々に開けられてジボランガスが流入された。シ
ランガス及びジポランガス共に流量が安定化し、基板温
度が２５０℃で安定化してから、高周波電６１２Ｇを＠
亀状簾として、檜１６内にグロー放電を開始させた。

この条件でグロー放電を３０分間行っ先後、グロー放電
を続け□ながら、ジボラジ”（Ｄ＠出パルプ３２ｆ７Ｈ
−メータ２６を注視しなから徐々に閉シ、シランガス流
量に対してジポランガス流量が０．０５％になるまで開
口を絞つ九。仁の条件で更にグロー放電を６時間絖妙先
後、流出パルプ３１．３２共に閉じ、榴１６内を一１ｓ
ｘ１０ｔｏｒｒｔで真空状態にしえ。続いて、シランガ
スが再び同様の条件で流され、榴１６内は再び０．３　
ｔｏｒｒ　Ｋされた後、ホスフィンガスぎンぺ２４から
パルプ３８を通゛して１＃／−のガス圧で流入パルプ３
Ｇ、流出バルブ３３の調節によって７０−メータ２７の
読みから、シランガスのＯ，ＯＳ−となるように槽１６
内Ｋｌ！合して流入させえ。ガス流入が安定してから、
高周皺電源２０をｏｎ状態として、グロー放電を開始さ
せ、４５分間持続させ九俵、高周波電源２０゜及び加熱
ヒーター９をｏｆｆ状曹として後、基板温度がｌＯＯ″
’ＯＫなるのを侍って、流出バルブ３１．３３共に閉じ
られ、メインパルプ３ｓが全開されて槽１６が一旦１０
ｔｏｒｒ以下にされてからメインパルプ３５を閉じ、リ
ークパルプ１５を−いて檜１６内を大気圧ＫＮしてから
基板を散り出し丸。

形成されたａ−８ｉ層の全厚は約９声であった。

こうして得られたサンプルを、サンプル裏面のＡｊ面を
接着テープで目ばりしぇ後頁にポリカーボネート樹脂の
３０１！トルエン溶筐Ｋｆｌ直方肉にサンプルを浸漬し
先後、１．５　Ｃａｌ　／　＠＠＠の速度で引き上けて
ａ−８１層上にポリカードネート樹脂１５μ層を設けた
。その後接着テープは除去された。

こうして像形成部＃Ｆを得九〇 得られた像形成部材Ｆを、市販のＩＩ写機（ＮＰ−Ｌ７
；キャノン株式会社＃）を改造した実験機の感光体゛用
ドラム（感光層のないＡ−ドラム）ＫＩＩ地されるよう
に固定し、９７ＫＶ１次帯電、露光同時ＡＣ６ＫＶ帯電
、現儂（ｅ荷電性液体現像剤）、液絞り（−−ラー絞り
）、転写０５ＫＶ帯電の連結工１！によって普通紙上に
＃嘴な画像コントラストの高い＊＊を得た。又このｌ１
をくりかえし１０万枚以上コピーしても、初期の良質な
ｉｉｉ僚を維持した。

【図面の簡単な説明】

第１１１及び第２図は、夫々本発明の電子写真用・ＩＩ
形成部材の構成の一例を示す模式的構成断面図、 第３図、第４図夫々は本発明の電子写真用像形成部材を
製造する為の装置の一例を示す模式約説明園である。 １．８・・・・・・電子写真用像形成部材２１．９・・
・・・・支持体　、３．１０・・・・・・光導電層４・
・・・・・自由表面　　、１４・・・・・・表面被覆層
１６　、４３・、・０８．蒸着槽

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 支持体と、障壁層と、アモルファスシリコンで構成され
   ている光導電層とを有し、且つ、該光導電層が空乏層を
   有する事を特徴とする電子写真用像形成部材。