JPS62148963A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は炭素薄膜を電荷輸送層とする感光体に関する。

従来技術 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。

従来用いられてきた電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スヂリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
ギザゾール化合物、オキザジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。

また、その構成形態としては、これらの物質を単体で用
いる単層型構成、結着材中に分散させて用いるバインダ
ー型構成、機能別に電荷発生層と電荷輸送層とを設ける
積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられてきた電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。

その一つとして人体への有害性が挙げられるが、前述し
たアモルファスシリコンを除く無機物質ニおいては、何
れも好ましくない性質を持つものであった。

また、電子写真感光体が実際に複写機内で用いられるた
めには、帯電、露光、現像、転写、除電、清掃等の苛酷
な環境条件に晒された場合においても、常に安定な性能
を維持している必要があるが、前述した有機物質におい
ては、何れも耐久性に乏しく、性能面での不安定要素か
多かった。

そのような問題点を解決すべく、近年、感光体、特に電
子写真用感光体にプラズマ化学蒸着法（以下、プラズマ
ＣＶＤ法という）により作製されたアモルファスシリコ
ン（以下、ａ−８ｉと略す）が採用されるに至っている
。

ａ−８ｉ感光体は種々の優れた特性を有する。しかしａ
　−Ｓ　ｉは比誘電率εが１２程度と大きいため、感光
体として充分な表面電位を得るためには、本質的に最低
２５μｍ程度の膜厚が必要であるという問題がある。ａ
−３ｉ感光体は、プラズマＣＶＤ法においては膜の堆積
速度が遅いため作製に長時間を要し、ざらに均質な膜の
ａ　−Ｓ　ｉを得ることが作製時間が長くなる程難しく
なる。その結果、ａ−８ｉ感光体は白斑点ノイズ等の画
像欠陥が発生ずる確率が高く、さらに原料費が高いとい
う欠点等がある。

上記の欠点を改良するための種々の試のがなされている
が、木質的に膜厚をこれより薄く４−ろことは好ましく
ない。

一方、ａ−８ｉ感光体は基板とａ−８ｉとの密着性、さ
らに耐コロナ性、耐環境性あるい＋、Ｉ耐薬品性が悪い
といった欠点も存在する。

そのような問題点を解消するため有機プラズマ重合膜を
ａ　−Ｓ　ｉ感光体のオーバーコート層あるいはアンダ
ーコート層として設ける事が提案されている。前者の例
は、例えば、特開昭６０６１７６１号公報、特開昭５９
−２１４８５９号公報、特開昭５１−４６１３０号公報
あるいは牛、′ｊ開昭５０−２０７２８号公報等が知ら
れており、後者の例は、例えば特開昭６０−６３５４１
弓公ＩＩジ、特開昭５９−　］　３６７４．２号公報、
特開昭５９−３８７５３号公報、特開昭５９−２８１６
＋−号公報あるいは特開昭５６−６０４４７号公報等が
知られている。

有機プラズマ重合膜はエチレンガス、ベンゼン、芳香族
フラン等のあらゆる種類の（ｆ機化合物のガスから作製
できること（例えばニー、ティ、ベル（Δ、Ｔ、Ｂｅ１
ｌ）、エム　ジエン（Ｍ、　５ｈｅｎ）ら、ジャーナル
・オブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（、Ｉｏｕ
ｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｏｌｙｍｅｒ　５ｃ
ｉｅｎｃｅ）、第１７も、８８５−８９２頁（１９７３
年）等）が知られているが、従来の方法で作製した有機
プラズマ重合膜は絶縁性を前提とした用途に限って用い
られている。従って、それらの膜は通常のポリエチレン
膜のごとくＩＯ＋６・Ωｃｍ程度の電気抵抗を有する絶
縁膜と考えられ、あるいは少なくともその様な膜である
との認識のもとに用いられていた。

一方、近年半導体分野において、ダイヤモンド状炭素の
薄膜が提案されているが、その電荷輸送性については全
く知られていない。

特開昭６０−６１７６１号公報記載の技術は、５００人
〜２μｍのダイヤモンド状炭素絶縁膜を表面保護層とし
て被覆した感光体を開示している。

この炭素薄膜はａ−Ｓｉ感光体の耐コロナ放電および機
械的強度を改良するためのものである。重合膜は非常に
薄く、電荷はトンネル効果により膜中を移動し、膜自体
電荷輸送能を必要としない。また、有機プラズマ重合膜
のキャリアー輸送性に関しては一切記載がないし、ａ−
３ｉの持つ前記した本質的問題を解決するものでない。

特開昭５９−２１４．８５９号公報には、スヂレンやア
セチレン等の有機炭化水素モノマーをプラズマ重合によ
り厚さ５μｍ程度の有機透明膜をオーバーコート層とし
て被膜する技術が開示されているが、その層はａ−９ｉ
感光体の剥離、耐久性、ピンホール、生産効率を改良す
るものである。有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性
に関しては一切記載がないし、ａ−５ｉの持つ前記した
木質的問題を解決するものでない。

特開昭５１−４．６１３０号公報には、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール系の有機光半導体」−にスヂレンやエチ
レン等の有機炭化水素モノマーを、グロー放電により、
表面に厚さ３μｍ−０，００１１ｔｍの有機プラズマ重
合膜を形成した感光体を開示している。この技術は、正
帯電でしか使用できｔ了かったポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール系感光体を両極性帯電で使用可能にすることを目
的とする。

この膜は０．００１〜３μｍと非常に薄く、オーバーコ
ート的な保護膜として使用される。重合膜は非常に薄く
、電荷輸送能を必要としないものと考えられる。また、
重合膜のキャリアー輸送性に関しては一切記載がないし
、ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記した木質的問題を解決するも
のでない。

特開昭５０−２０７２８号公報には、基板上に増感層、
有機光導電性電気絶縁体とを順次積層し、さらにその上
に厚さ０．１〜１μｍのグロー放電重合膜を形成する技
術が開示されているが、この膜は湿式現像に耐えるよう
に表面を保護する目的のものであり、オーバーコート的
に使用される。

重合膜は非常に薄く、電荷輸送能を必要としない。

また、重合膜のキャリアー輸送性に関しては一切記載が
ないし、ａ−８ｉの持つ前記した本質的問題を解決する
ものでない。

特開昭６０−６３５４１号公報は、ａ−８ｔのアンダー
コート層に２００人〜２μｍのダイヤモンド状膜を使用
した感光体について開示しているが、その膜は基板とａ
−３ｉの密着性を改善ずろ「１的のものである。重合膜
は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効果により膜中を
移動する。

特開昭５９−１３６７４２号公報には、基板」二に約５
μｍの有機プラズマ重合膜、シリコン膜を順次形成する
半導体装置が開示されている。しかし、その有機プラズ
マ重合膜は、基板であるアルミニウムのａ−Ｓｉへの拡
散を防止する目的のものであるが、その作製法、膜質等
に関しては一切記載がない。また、有機プラズマ重合膜
のキャリアー輸送性に関しても一切記載がないし、ａ−
９ｉの持つ前記した本質的問題を解決するものでな円特
開昭５９−２８１６１号公報には、基板」二に有機プラ
ズマ重合膜、ａ−８ｔを順次形成した感光体が開示され
ている。有機プラズマ重合膜（Ｊ、その絶縁性を利用し
たアンダーコート層でありブロッキング層、接着層ある
いは剥離防止層として機能するものである。重合膜は非
常に薄くてよく、電荷はトンネル効果により膜中を移動
し、膜自体は電荷輸送能を必要としない。また、有機プ
ラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関しては一切記載が
ないし、ａ−８ｔの持つ前記した本質的問題を解決する
ものでない。

特開昭５９−３８７５３号公報には酸素、窒素および炭
化水素の混合ガスからプラズマ重合により１０〜１００
人の有機プラズマ重合薄膜を形成し、その上にａ−８ｉ
層を成膜する技術が開示されている。有機プラズマ重合
膜は、その絶縁性を利用したアンダーコート層でありブ
ロッキング層あるいは剥離防止層として機能するもので
ある。重合膜は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効果
により膜中を移動し、膜自体は電荷輸送能を必要としな
い。また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関
しては一切記載がないし、ａ−８ｔの持つ前記した本質
的問題を解決するものでない。

上述したように、従来では絶縁性の有機プラズマ重合膜
乃至はダイヤモンド状膜をオーバーコート層乃至はアン
ダーコート層に用いることが提案されているが、それら
による電荷の移動は基本的にトンネル効果と電気的絶縁
破壊現象にｊこるものである。

即ぢ、トンネル効果は絶縁層の膜厚が極めて小さいとき
（一般にオンゲス）・ローム単位の厚さ）に、電子が通
りぬけることによって起こる。

また一方、電気的絶縁破壊は、層中に僅かに存在する電
荷担体が電場によって加速されて、絶縁体の原子などを
イオン化できるだ（Ｊのエネルギーを獲得し、イオン化
によって担体が増して、同じ過程が繰り返され、ねずみ
算式に担体が増加する現象である、極めて高電界（一般
に１００Ｖ／μＥ以上）の場合に起こる。

例えば、絶縁体と半導体を積層した感光体構成の場合、
半導体中で発生した電荷は電界により膜中を走行するが
、低電界では絶縁体を通過することができない。絶縁層
が薄い場合には、これは表面電位として無視できるか、
電子写真における、いわゆる禎像特性に与える影響が極
めて小さいため、絶縁層の存在による特性劣化は問題に
ならない。次に繰返し使用による影響を考える。繰返し
使用により絶縁層に電荷が蓄積するが、蓄積電荷による
高電界（例えば、１００Ｖ／μπ以上）が実現すると電
気的絶縁破壊によりそれ以上の電界がかからなくなる。

例えば、１００Ｖ／７１ｉで電気的絶縁破壊が起きるよ
うな絶縁材料をＯ１μｍの厚さで積層した場合、繰返し
によっても絶縁層による、いわゆる残留電位の上昇は僅
かＩＯＶである。

以上の理由により、一般の絶縁材料を感光体に用いる場
合、膜厚は約５μｍ以下にしなければならない。さもな
ければ絶縁層による、残留電位の上昇が５００ｖ以上と
なり、複写画像のカブリを生じ、使用できないものとな
る。

発明が解決しようとする問題点 以上のように、従来、感光体に用いられているｑ機重合
膜はアンダーコート層あるいはオーバーコート層として
使用されていたが、それらはキャリアの輸送機能を必要
としない膜であって、有機重合膜が絶縁性であるとの判
断にたって用いられている。従ってその厚さも高々５μ
ｍ程度の極めて薄い膜としてしか用いられず、キャリア
はトンネル効果で膜中を通過するか、トンネル効果がｊ
υ１待できない場合には、実用」二の残留電位としては
問題にならないでずむ程度の薄い膜でしか用いられてい
ない。

本発明者らは、有機重合膜のａ−８ｉ感光体への応用を
検討しているうちに、本来絶縁性であると考えられてい
た有機重合膜がある水素含ｊ１１になると、電気抵抗が
低下し、電荷輸送性を示し始める事を見出した。

本発明はその新たな知見を利用オろことにより、従来の
ａ−８ｔ感光体の持つ問題点、ずなわ！′）ａ−８ｉの
膜厚、製造時間、製造コスト等にお１ノる問題点等をす
べて解消し、また従来とは全く使用１−１的も、特性も
異なる有機重合膜、特に有機プラズマ重合膜を使用した
感光体、特に本発明（Ｊ感光体における電荷輸送層とし
て、電荷輸送能に優れ、膜厚を５μπ以上としても残留
電位が小さく、本質的に低い誘電率（ε−２，５〜３）
故に帯電能が高い水素含有炭素膜を有するものである。

１１一 本発明は、更にこの感光体の帯電極性を制御することに
よって、電荷輸送能を向上せしめて感度の向」二を図る
と共に、電荷発生層との接合を良好にして感度の向上な
らびに残留電位の低下を抑制した感光体を得ることを目
的とする。

即題点を解決するための手段 本発明は、水素を含む炭素膜がこれを電荷発生層と組み
合わせるとき電荷輸送機能を有すると云う新たな知見に
もとづくものである。即ち、本発明は電荷発生層（３）
と電荷輸送層（２）とを有する機能分離型感光体におい
て、電荷輸送層（２）として炭素膜を有し、前記炭素膜
は水素を総原子量に対しテ０　、１〜６７　ａｔｏｍｉ
ｃ％含有し、ＩＩＩＡ族またはＶ’Ａ族元素により極性
調整されていることを特徴とする感光体に関する。

電子写真感光体として使用するためには電荷発生層およ
び電荷輸送層の積層においても暗抵抗が１０’・００ｍ
以上あり、明暗抵抗比（すなわちゲイン）が１０’〜１
０’程度必要とされる。

本発明感光体は少なくとも電荷発生層と電荷輸送層から
構成され、電荷輸送層として少なくとも一層の水素を含
む炭素（以下、Ｃ：Ｔ−１電荷輸送層と記す）の層を有
し、前記特性を満足することを特徴とする。

本発明にとって好ましいＣ：　Ｉ−Ｉ　Ｍ荷輸送層中の
水素含量は０　、１〜６７　ａｔｏｍｉｃ％（以下、ａ
ｒｍ。

％と記す）、好ましくは　１〜６０ａｔｍ、％、更に好
ましくは３０〜６０ａｔｍ、％である。０　、１　ａｉ
ｍ％より小さいと電子写真に適した暗抵抗が得られず、
６７　ａｔｍ、％より大きいと電荷輸送能がない。

本発明における水素含有炭素膜は、その水素含量並びに
製造方法によって非晶質乃至はダイヤモンド状となる。

大部分の場合、非晶質の形態をとり、膜自体は軟質で高
抵抗である。製造方法と条件によっては、例えば、プラ
ズマＣＶＤ法では水素含量を約４０ａｔｍ％以下にする
と、ダイヤモンド状の炭素膜を得ることができ、そのよ
うな膜はビッカース硬度が２０００以上と硬質で電気抵
抗は１０８Ω・ａｍ以上である。しかし、いずれの炭素
膜も高い電荷輸送性を示す。

本発明のＣ：Ｈ電荷輸送層中の水素含量および構造は元
素分析、赤外吸収スペクトル分析、′Ｈ−ＮＭＲあるい
はＩ３Ｃ−ＮＭＲ等により定量することができる。

本発明のＣ；Ｈ電荷輸送層は好ましくは光学的エネルギ
ーキャップＥ　ｇｏｐｔカ月　５〜３．ＯｅＶ。

および比誘電率εが２．０〜６．０の範囲にあるのがよ
い。

Ｅ　ｇｏｐｔの小さい膜（＜１．５ｅＶ）はバンド端近
傍、即ち、伝導帯下端または充満帯の上端に準位を多く
形成していると考えられる。従って、そのようなＣ：Ｈ
電荷輸送層はキャリアー移動度が小さく、キャリアの寿
命が短いために感光体としての電荷輸送層としては必ず
しも十分でない場合がある。Ｅｇｏｐｔの大きい膜（＞
３．０ｅＶ）は、通常電子写真で使用される電荷発生材
料および輸送材料と障壁を形成しやすく、電荷発生材料
および輸送ｔ４ＨからＥｇｙｐｔの大きいＣ：Ｈ電荷輸
送層へのキャリアーの注入がうまくいかないことがあり
、その結果、良好な感光体特性が得られない場合がある
。

一方、比誘電率は、６．０より大きいと帯電能が低下し
感度も悪くなる。尤もこれを改善するためにＣ：Ｈ電荷
輸送層の膜厚を厚くすることが考えられるが、製造上望
ましくない。また、εを２゜０以上とするのは、それ以
下であると物性特性がポリエチレン的になり、電荷輸送
能が低下する。

Ｅｇｙｐｔおよびεは、Ｃ：Ｉ（電荷輸送層中の水素含
量が低い場合、その水素含量と比較的良い相関関係を有
する。一方水素含量が高いとき（Ｊ、低い場合と比べて
相関性に変動が見られる。これ（ＪＥ　ｇｏｐｔおよび
ε、特にεはＣ：Ｉ−Ｔ電荷輸送層の構造的特徴が大き
く影響しているためと考えられる。

電荷発生層としては特に限定的ではな（アモルファスシ
リコン（ａ−３ｉＸ特性を変えるノこめ種々の異種元素
、例えばＣ，０１ＳＳＮ、Ｐ、　Ｂ。

ハロゲン、Ｇｅ等を含んでいてもよく、また多層構造で
あってもよい）、Ｓｃ膜、Ｓ（！−ΔＳ膜、５ｅ−Ｔｅ
膜、ＣｄＳ膜、酸化亜鉛等の無機物質お、にびビスアゾ
系顔料、トリアリールメタン系染料、デアジン系染料、
オキザジン系染料、キサンチン系染料、シアニン系色素
、スチリル系色素、ビリリウム系染料、アゾ系顔料、キ
ナクリドン系顔料、インノボ系顔料、ペリレン系顔料、
多環キノン系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料、イ
ンダスロン系顔料、スクアリリウム系顔料、フタロシア
ニン系顔料等の有機物質が例示される。

これ以外であっても、光を吸収し極めて高い効率で電荷
担体を発生する材料であれば使用することができる。

電荷発生層は後述するごとく、感光体のどの位置に設け
てもよく、例えば最上層、最下層、中間層いずれに設け
てもよい。層厚は、素材の種類、特にその分光吸収特性
、露光光源、目的等にもよるが、一般に５５５０ｍの光
に対し９０％以上の吸収となるように設定される。ａ−
８ｉ：Ｈの場合で０．１−１μｍ程度である。

本発明の電荷輸送層Ｃ：Ｈ１１荷輸送層に存在する水素
は一部ハロゲン、例えば、フッ素、塩素、臭素等で置き
換えてもよい。この様な膜は撥水性、耐摩耗性が改良さ
れる。

通常の電子写真用にはＣ：Ｈ７１ｉ荷輸送層の厚さは５
〜５０μｍ１特に７〜２０μｍが適当であり、５μｍよ
り薄いと帯電能が低く充分な複写画像濃度を得ることが
できない。５０μｍより厚いと生産性の点で好ましくな
い。このＣ：Ｉ−Ｉ電荷輸送層は透光性、高暗抵抗を有
するとともに電荷輸送性に富み、膜厚を上記のように５
７１ｍ以」―としても電荷トラップを生じることなくキ
ャリアを輸送する。

本発明Ｃ＋Ｈ電荷輸送層はイオン化蒸菅、イオンビーム
蒸着等のイオン状態を経て形成する方法、直流、高周波
、マイクロ波プラズマ法等のプラズマ状態を経て形成す
る方法、減圧ＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法
、光ＣＶＤ法等の中性の粒子から形成する方法、又はこ
れらの組合わ■により形成しても良い。しかし例えば、
電６：ｊ発生層を高周波プラズマまたはＣＶＤ法により
形成する場合には、Ｃ−Ｈ電荷輸送層も同様の方法で成
膜した方が、製造装置コスト・工程の省力化にっながり
好ましい。

Ｃ：Ｈ電荷輸送層を形成するための炭素源としては、Ｃ
、Ｉ（２、Ｃ７Ｉ−Ｌ、Ｃ２Ｈ４、Ｃ３Ｈｅ、ＣＨ，、
Ｃｄ（、ＯｌＣ，Ｈｅ、Ｃ４Ｈ８、Ｃ３Ｈｅ、ＣＨ３Ｃ
ＣＨｌＣ８Ｉ−Ｉ　８、Ｃ，ｏＨ，６等が例示される。

キャリアガスとしてはＨ２、Ａｒ、Ｎｅ５Ｈｅ等が適当
である。

プラズマ法等においてＣ：Ｈ電荷輸送層を形成する際、
水素含有量が４４−０ａｔ、％以下のダイアモンド状炭
素の層を得るには、飽和炭化水素を水素で希釈した原料
を用いるのが好ましい。特に好ましい飽和炭化水素はメ
タン、エタン、プロパン、ブタン等である。反応室内圧
力は低く、高電圧で処理するダイアモンド状炭素の層を
プラズマ法またはイオンビーム法で形成させる条件は、
例えば、−ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス
（Ｊ。

Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、）立２　（１０）Ｏｃｔ、、１
９８１、第６１５１〜６１５７頁に記載されている。も
ちろん、ダイアモンド状炭素の製造法はこれに限定され
るものではなく、スパッタリング法等で形成してもよい
。

ダイアモンド状炭素は耐摩耗性、耐湿性に優れているた
め、これを含む電荷輸送層を表面側に配置してもよい。

また、基板側に設（）ると？ｌｉ荷のｔ］。

人を抑止する。また、この」二に？Ｕ電荷発生層、’Ｖ
肩、ＩＪ波プラズマで形成させるとき、プラズマダメー
ジを防止する等の利点がある。

ＣＡＴ（電荷輸送層は前述した通り、非晶質炭素であっ
てもよく、その場合、水素含量は４０〜６７　ａｔｍ％
程度である。この様な非晶質炭素層はＣｔ　Ｈ４，Ｃ３
Ｈ６、Ｃ２Ｈ２等の不飽和炭化水素で希釈して、プラズ
マ放電やイオンビーム法により形成させることができる
。プラズマ放電時の反応機内圧は、ダイアモンド状炭素
膜の場合より高く、電力は低くする。

非晶質炭素層は電荷輸送層としてａ−９ｉ重電荷生層と
組合せたとき、ａ−８ｉη１層のときより、帯電能およ
び感度において優れた感光体を得ることができる。また
、基板側に配置することにより、電荷注入防止層として
の作用も果す。また、表面硬度の向上、耐刷性、耐湿性
、耐コロナ性、接着性を向上させる。

非晶質炭素膜の内、比較的多くの水素（５５ａｔｍ。

５以上）を含むものは、重合膜、例えばプラズマ重合膜
と称される。プラズマ重合膜は、通常の重合膜と異なり
、高度に架橋した網目構造を有し、そのため、高密度で
剛直、耐薬品性および耐熱性に優れている。また、この
膜はフリーラジカルがトラップされているため、通常の
重合膜に比べて誘電損失が大きいと云う特徴がある。代
表的プラズマ重合膜であるプラズマ重合ポリエチレン膜
では水素原子／炭素原子比が約２．７／２であり、通常
のポリエチレンの融点は存せず、３３０°Ｃ以上の耐熱
性を有している。

上記のごときプラズマ重合膜もまた、電荷発生層と組み
合わせたとき、電荷輸送層としての機能を有する。

本発明においては、上記のごときＣ；Ｈ電荷輸送層の帯
電特性を調節するために、ＩＩＩＡ族またはＶＡ族元素
を混入させる。

感光体を十帯電で用いるとき（Ｊ、相対的に基板側をＰ
型にし、表面側をＮ型にし、−帯電で用いるときは基板
側をＮ型にし、表面側を相対的にＰ型にすることにより
、逆バイアス効果をもた且る。

これにより、帯電能の向上、暗減衰の低減および感度の
向上等の効果が達成される。即ち、Ｃ−Ｈ電荷輸送層と
電荷発生層を積層してなる感光体において、何れの層が
表面側、基板側であっても」−帯電時には表面側を相対
的にＮ型、基板側をＰ型にするよう第ＶＡ族元素、第１
ＩＩＡ族元素を電荷輸送層と必要により電荷発生層に含
有する。これにより表面電荷の注入が防止されるととも
に表面への電子の移動と基板側への正孔の移動が保証さ
れ、且つ基板からの電子の注入が防止される。−帯電時
は上記と逆に作用する。尚、電荷発生層はそれ自体でＰ
型またはＮ型特性を示すのであればＩＩＡ。

ＶＡ族の含有は不要である。

この様な極性調整は単一層内でのＩＩＡ族またはＶＡ族
元素の含量を徐々に基板側または表面側に増加させるこ
とによって行なってもよく、あるい（Ｊ１均一な濃度の
ＩＩＩＡ族またはＶＡ族元素を含有する単一のＣ０Ｈ電
荷輸送層を基板側または表面側に設けてもよい。また、
必要ならば複数の濃度の異なるＣ：Ｈ電荷輸送層を接合
領域に空乏層が形成されるように設けてもよい。

第１図から第１２図は本発明感光体の一態様を示す模式
的断面図である。図中、（１）は基板、（２）は電荷輸
送層としてのＣ；Ｈ電荷輸送層、（３）は電荷発生層を
示している。第１図に示す態様の感光体において、例え
ば十帯電し続いて画像露光すると、電荷発生層（３）で
ヂャージキャリアが発生し電子は表面電荷を中和する。

一方、正孔はＣ：Ｉ−Ｔ電荷輸送層（２）の優れた電荷
輸送性に保証されて基板（１）側へ輸送される。本発明
は、この十帯工時にはＣ−Ｈ電荷輸送層はＩＩＩＡ族を
含有してＰ型に調整されている。従って、正孔は基板側
により容易に移動でき感度向上となり、また基板からの
電子の注入が確実に防止される。電荷発生層（３）はＮ
型のものを用いるのが好ましく、例えば、ａ−９ｉはそ
れ自体弱いＮ型であるから好適である。

尤も、ＶＡ族元素を含めてもよ円これにより表面電荷の
注入防止と電子の移動に有効である。

Ｐ型調整のために使用するｍＡ族元素としては、Ｂ、Ａ
Ｑ、ＧａＳ　Ｉｎ等が例示されるが、Ｂが特に好ましい
。ａ−９ｔ重電荷生層にＶＡ族元素、例えばりんを混入
させて、表面層を相対的に更に強いＮ型としてもよい。

この場合も　Ｃ：　Ｉ（電荷輸送層り極性をＰ型に調整
する。第１図の感光体を一帯電で用いるときは、上記と
反対にｃ：ｔｒ電荷輸送層（２）にりんを含有してＮ型
に」、１整すれば、にく、電荷発生層（３）としてａ−
Ｓｉを用いるときはＢを含有してもよい。

第２図の感光体はｃ：Ｈ電荷輸送層（２）を最−に層と
して用いた例で、十帯電で用いるときは、Ｃ：■］電荷
輸送層（２）の極性は第ＶＡ族元素等を用い電荷発生層
（３）に対し、ｌ’［ｆ射的にＮ型上して電子の移動を
容易とする。−帯電で用いるときは１３等を含有してそ
の逆に調整すればよへ 第３図に示す感光体は、Ｃ：Ｈ電荷輸送Ｆｉ（２）を電
荷発生層（３）の上下に用いた例で、十帯電で使用する
時は、上層のＣ：Ｈ電荷輸送層（２）は電荷発生層（３
）に対してよりＮ型になるようにして電子の移動を容易
とするとともに、下層のｃ：Ｈ電荷輸送層（２）はＰ型
に調整するのが好ましい。

第４〜６図に示す感光体は、第１図から第３図において
示した感光体においてさらにオーバーコート層（４）と
して厚さ０．０１〜５μｍの表面保護層を設けた例で、
電荷発生層（３）、あるいはＣ：■］電荷輸送層（２）
の保護と初期表面電位の向上を図ったものである。表面
保護層は公知の物質を用いればよく、本発明においては
、有機プラズマ重合によって設けることが製造工程の面
等から望ましい。本発明Ｃ：Ｈ電荷輸送層を使用しても
よい。

この保護層（４）にも必要により第１Ｉ［Ａ、第ＶＡ族
元素をドープしてもよい。

第７〜９図に示す感光体は、基板（１）上に電荷輸送層
に用いるＣ：Ｈ電荷輸送層をアンダーコート層（５）と
してバリア一層あるいは接着層としても用いた例である
。もちろん、その他アンダーコート層として公知の材料
を用いてもよい。この場合も有機プラズマ重合法によっ
て設＋Ｊる事が望ましい。バリア一層は基板（１）から
の電荷の注入を有効に阻止するとともに電荷発生層（３
）で発生した電荷を基板側に輸送する整流機能を有する
。この意味において、バリア一層には一１響））工時は
第１ＩＩＡ族元素、−帯電時には第ＶＡ族元素を含有す
るのが望ましい。また、バリア一層の膜厚は０．０１〜
５μｍであるのが好ましい。更に第７〜９図の感光体は
第４〜６図で示したオーバーコート層（４）を基板上に
設けてもよい（第１０図〜第１２図）。

第１１１Ａ族元素をＣ：Ｈ電荷輸送層に混入させるには
、これらの元素を含む適当なガス状化合物を炭化水素ガ
スと共に、イオン化状態またはプラズマ状態にして成膜
すればよい。また、形成されたＣ：Ｈ電荷輸送層をＩＡ
族元素を含む化合物ガスに曝してドープしてもよい。

本発明に使用し得るＢを含む化合物としては、Ｂ（ＯＣ
９Ｈ５）３、Ｂ２ＨＩ１１Ｂｃ！３、ＢＢｒ：＋、ＢＦ
。

等が例示される。

Ａ、ｆ？、を含む化合物としてはＡ児（Ｏｉ−Ｃ３Ｈ７
）３、（ＣＴ（３１＋Ａｊ！、、（Ｃ２Ｈ５）３Ａｊ２
．−　（ｉ−Ｃ４Ｈｓ）３Ａ克、Ａ２０児。等が例示さ
れる。

Ｇａを含む化合物としてはＧａ（Ｏｆ−Ｃ３■−Ｉ７）
３、（ＣＨ３）３Ｇａ、（Ｃ２Ｉ（５）３Ｇａ、　Ｇａ
Ｃｆ１３、ＧａＢｒ３等がある。

Ｉｎを含む化合物としてはＩｎ（Ｏｉ　Ｃ３Ｈ？）３、
（Ｃ２１−Ｉ　５）３Ｉ　ｎ等がある。

■Δ族元素の導入量は、その導入原子量と炭素原子量と
の和に対し、２００００ｐｐｍ以下、より女子ましくは
３〜ＩＯ００ｐｐｍである。

極性調整に用いられるＶＡ族元素として（よ、ＰｌＡｓ
ＳＳｂがあるが、Ｐが特に好ましい。この■Δ族元素も
ＩＩＩＡ族元素と同様にしてＣ：Ｈ電荷輸送層に導入す
ることができる。

本発明に用い得るＶＡ族元素を含む化合物としては、以
下のものがある。

Ｐを含む化合物としては、Ｐ　Ｏ（ＯＣＨ３）３、（Ｃ
７Ｔ−Ｔ５）３Ｐ、ＰＨ３、ＰＯＣ兇３等；ＡＳを含む
化合物としてΔ５Ｔ（３、ＡＳＣ＋２３、ＡｓＢｒ５等
；Ｓｂを含む化合物としてＳ　ｂ（ＯＣＪｌ　＋；）：
＋、ｓｂｃム、ＳｂＨ３等が例示される。

■Δ族元素の導入量は、その導入原子量と炭素原子量と
の和に対し、２００００ｐｐｍ以下、より好Ｊ：しくは
１〜Ｉｏｏｏｐｐｍ程度である。

本発明感光体の電荷発生層には、更に別の元素を導入し
てその特性を調整してもよい。

電荷輸送層（２）に含有してもよい異種元素の例として
、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎをその添加量と炭素原
子量との和に対して］　Ｏａｔｏｍｉｃ％（以下ａｔｍ
、％と記す）以下の量で、これらの元素を混入させるこ
とにより、電荷発生層からの電６：ｊの注入が容易とな
り、残留電位の低下、感度の」１昇、メモリー低減等の
効果が得られる。また、八え基板との接着性、電荷発生
層等との接着性が改良される。

これらの元素含量が１０ａＬｍ、％を越える場合、即ち
、Ｃ：Ｈ膜の中のＣ含量が９０ａｔｍ％を切る場合には
、以下のごとき欠点が生ずる。即し、炭素含量が３０〜
９０ａｔｍ、％のときは、暗抵抗は１−昇するが電荷輸
送効率が低くなる。また、炭素含量５〜３０ａｔｍ、％
では、電荷輸送効果は高いが、誘電率は配合元素、例え
ばＳｔのときは、Ｓｉ自体の特性に支配されることとな
り、本発明の目的を達成し得ない。即ち、帯電能の向」
−１成膜速度、価格等の点で従来のａ−３ｉ系感光体と
大差がなくなる。炭素含量９０〜１１００ａｔ、％では
、炭素膜の優れた電荷輸送能に加えて、電荷発生層との
界面障壁が低下し、積層時の感度が向上する。また、誘
電率が小さいため帯電能が飛躍的に向上する。

これらの元素を導入させるには、ＩＩＩＡ族元素の導入
において述べたと同様の方法を採用すればよい。

Ｓｉ導入には５ｉ２Ｈ８、（Ｃ２Ｈ，）３ｓｉＨＳＳｉ
Ｆ＋、Ｓ＋Ｈ２ＣＬ、ＳｉＣ克い　５ｊ（ＯＣＨａ）い
　Ｓ　１（ＯＣｚＨ５）ｔ、５ｉ（ＯＣ３Ｈ？）４等を
、Ｇｅ導入にはＧｅ１−Ｉ　、、　　ＧｅＣｊ乙い　　
Ｇｅ（ＯＣ２Ｈ４）い　　Ｇｅ（Ｃ２Ｈ５）４等、およ
びＳｎ導入には（ＣＨｓ）ｔｓｎ、　（ＣＪ（ｉ）４Ｓ
ｎ、ＳｎＣ克。等を使用すればよい。

電荷輸送層にＳｔ　、Ｇｅを添加してバンドギャップの
調整を行ない電荷発生層との界面障壁を小さくすること
も可能である。第１図で、多量（〉１０ａｔｏｍｉｃ％
）のＧｅ添加した部分を基体側に偏在させることにより
、余剰光の反射防止を行ない、干渉縞・ボケの発生を防
ぐことも可能である。また、Ｓｉ、Ｇｅを入れることに
より耐摩耗性や撥水性のある硬い膜を形成することがで
きる。

本発明の感光体のＣ：Ｈ電荷輸送層にはさらに窒素、酸
素、硫黄および／または各種金属類を混入させてもよく
、あるいは水素の一部をハロゲンで置換してもよい。

一般に窒素源としてはＮ７、Ｎ　Ｔ−１，、Ｎ、０、Ｎ
０１Ｎｏｔ、Ｃ３Ｈ３ＮＨ，、Ｉ−ＴＣＮ、（ＣＨ３）
３Ｎ。

ＣＨ３Ｎ　Ｈ２等が用いられ、これを混入することによ
り電荷発生層とあ界面障壁を小さくすることができる。

酸素源としては、０２．０３、Ｎ、０、Ｎｏ１ＣＯ１Ｃ
Ｏ之、Ｃ，ＨｆｆｉＣＯＣＩ−Ｉ３、Ｃｌｌ３Ｃ［−１
０等が例示されるが、これを混入することによって帯電
能が向］ニする。また、プラズマＣＶＤ法の場合酸素（
０）を導入することで成膜スピードを上げられるという
副次的な効果もある。

硫黄源としてはＣ８２、（Ｃ２ＨＪ、Ｓ、Ｈ２Ｓ。

Ｓ　Ｐ　ｏ、　Ｓ　Ｏ２等が例示される。硫黄の混入は
光の吸収、干渉防止に有効である。また硫黄（Ｓ）を導
入することで成膜スピードを上げられるという副次的な
効果もある。

混入し得る金属としては、例えば以下のものがある（二
辺下は、混入し使用し得るガスの例）・Ｂ　ａ：　Ｂ　
ａ（ＯＣ２Ｔ４　、）３、　Ｃａ：　Ｃａ（ＯＣ２Ｈ３
）２、Ｆ　ｅ：　Ｆ　ｅ（Ｏｉ−０３Ｈ７）３、（Ｃ２
Ｈ５）ｔＦ　ｅ、　Ｆ　ｅ（ＣＯ）６、　Ｉｆｆ：　Ｈ
ｆ（Ｏｆ−Ｃ３Ｈ７）４、Ｋ：　ＫＯｉ−Ｃ。

Ｉ−Ｉ　７、’　Ｌ　ｉ：　Ｌ　ｉ（Ｏ１−Ｃ３Ｈ７）
、Ｌａ：　Ｌａ（Ｏｉ−Ｃ＋■−■７）い　Ｍｇ：　Ｍ
ｇ（ＯＣＪ４５）３、（Ｃ２ＨＪ２Ｍｇ、Ｎａ：　　　
Ｎａ（０！−ＣＪＩ　７）、　　　Ｎｂ：　　　Ｎｂ（
ＯＣｚＨ５）５、Ｓｒ：　５ｒ（ＯＣＨ３）ｚ、Ｔ　ｉ
：　Ｔ　＋（Ｏ１−Ｃ３Ｈ７）４、Ｔｉ（ＱＣ計ｒ　ｇ
）、、　　’］”　　＋　　Ｃｌ　４、　　　Ｔｅ：　
　　ＨｚＴｅ、　　　Ｓｅ：１−１ｚＳｅ　Ｓ　　Ｔａ
：　　Ｔａ（ＯＣ、Ｈ５）　５、　Ｖ：　　ＶＯ（ＯＣ
２Ｔ−Ｉ５）３、Ｙ　：　Ｙ（０１−Ｃ３Ｔ（７）ａ、
　Ｚｎ：　Ｚｎ（ＯＣｔＩ−Ｉ５）７、（ＣＨ３）、Ｚ
ｎ、（Ｃ２Ｈａ）ｚＺｎ、　　Ｚｒ：　Ｚｒ（Ｏｉ−Ｃ
Ｊ４７）４、　Ｃｄ：　（ＣＨ３）、Ｃｄ、、Ｃｏ：　
　Ｃ０７（Ｃｏ）ｅ、Ｃｒ：　Ｃｒ（Ｃｏ）、＋、　Ｍ
ｎ：　Ｍｎ（ＣＯｔｏ）、Ｍｏ：　Ｍｏ（Ｃｏ）ｅ、Ｍ
ｏＦ　ｅ、　ＭｏＣ兇ｎ、　Ｗ：Ｗ（ＣＯ）６、ＷＦ、
、Ｗｃ４Ｇ。

またＣ：Ｈ電荷輸送層中の水素の一部をハ［ノゲンに代
えることにより、撥水性、摩耗性、透光性が向」二し、
特にフッ素では−ＣＦ１−ＣＦ３、−〇Ｆ、等が形成さ
れて、屈折率ｎが小さくなり（１゜３９）、反射防止効
果が現れる。さらに本発明により得られたＣ０Ｈ電荷輸
送層をアルゴンで後処理した後、大気と接触させると、
カルボニル基が導入され表面が活性化され、また−ＣＦ
　２−はＣＦとなる。

炭素およびハロゲン源としては、ｃ、＋ｒ、ｃ、Ｃ１Ｃ
，Ｉ（、Ｃ４，ＣＨ，、（４、ＣＩ−Ｉ　３Ｂ　ｒ　−
ＣＯＣｆｔ　７、ＣＣ克、Ｆ７、ＣＨＣ克Ｆ２、ＣＦ４
、Ｉ　Ｃ！、Ｃｆ１２、Ｆ２等が挙げられる。一 本発明感光体は電荷発生層と電荷輸送層とをｒＴする。

従ってこれを製造するには少なくとム二工程を必要とす
る。電荷発生層として、例えばグＩＪ−放電分解装置を
用いて形成したａ−８ｔ層を用いるときは、同一の真空
装置を用いてプラズマ重合を行なうことが可能であり、
従ってＣ：Ｈ電荷輸送層や表面保護層、バリア一層等は
プラズマ重合法により行なうのが特に好ましい。

Ｃ：Ｈ電荷輸送層の厚さは電荷保持能の点から厚い方が
良いが、生産性、電荷輸送能の点からは薄い方が良い。

通常の電子写真に用いる場合は５〜５０μ肩である。

第１３図および第１４図はは本発明に係る感光体の製造
装置で容量結合型プラズマＣＶＤ装置を示す。第１３図
は平行平板型プラズマＣＶＤ装置、第１４図は円筒型プ
ラズマＣＶＤ装置を示す。両装置は、第１３図中におい
ては電極板（２２）、（２５）および基板（２４）が平
板型であり、第１４図中においては電極板（３０）およ
び基板（３１）が円筒型でありるという点で相違してい
る。また本発明いおいては、別に誘導結合型プラズマＣ
ＶＤ装置によっても作製することができる。本発明感光
体の製造法を平行平板型プラズマＣＶＤ装置（第１３図
）を例にとり説明する。図中（６）〜（１０）は夫々ｃ
　、ｒ−ｒ、、Ｈ７、Ｂ、Ｈｅ、Ｓ　＋　Ｈ４、Ｎ　２
０ガス、あるいはＮ。

０の代わりにＰＨ３ガスが密閉された第１乃至第５タン
クで、夫々のタンクは第１〜第５調整弁（ＩＩ）〜（１
５）とマスフローコントローラー（１６）〜（２０）に
接続されている。これらのガスは主管（２１）を介して
反応室（２３）に送り込まれる。

反応室（２３）にはコンデンサを介して高周波電源（２
６）に接続される平板型電極板（２２）と電気的に接地
されるとともに、へ見の如き導電性平板型基板（２４）
が載置される平板型アース電極板（２５）が対向配置し
て設けられている。また」１記平板型電極板（２２）は
コイル（２７）を介して直流電圧源（２８）に接続され
ており、高周波電源（２６）からの電力印加に加え直流
バイアス電圧が上乗せ印加されるようになっている。ま
た電極板（２５）上に載置される導電性基板（２４）は
図示しない加熱手段によって、例えば室温〜３５０℃に
加熱されるようになっている。

以上の構成において、例えば第１図に示した感光体を製
造する場合、反応室（２３）を一定の真空状態としてか
ら主管（２１）を介して第１タンク（６）よりＣ３Ｈ４
ガス、第２タンク（７）よりキャリアガスとしてＨ２ガ
スを供給する。一方、高周波電源（２６）より平板型電
極板（２２）に３０　ｗａｔｔｓ　〜］　ｋｗ、の電力
を印加し両電極板間にプラズマ放電を起こし、予め加熱
された基板（２４）上に厚さ５〜５０μｍのＣ：Ｈ電荷
輸送層（２）を形成する。この水素含有量は出発原料ガ
スの種類、原料ガスと希釈ガス（１−Ｉ２、不活性ガス
）比、放電パワー、圧力、基板温度、ＤＣバイアス電圧
、アニール温度、放電周波数等の製造条件にも依存する
が直流電圧源（２８）から５０Ｖ−ＪＫＶのバイアス電
圧を印加することにより制御できる。即ち、水素含有量
はバイアス電圧を大きくすることによって減少し、Ｃ１
Ｈ膜自体の硬度を高くすることができる。こうして形成
されたＣ：Ｈ電荷輸送層は透光性、暗抵抗に優れ、チャ
ージキャリアの輸送性に著しく優れている。尚、この層
に、例えば第３タンク（８）よりｌ３２Ｈ。ガス、また
は第５タンク（１０）よりＮ２０ガスを導入してＰ型に
制御して電荷輸送性を一層高めても良い。Ｂ２Ｈｏガス
の代わりにｌ）　Ｈ，ガスを使用すればＮ型に制御する
ことも可能である。

次に電荷発生層（３）は、第２及び第４タンク（７）、
（９）よりＨ７，５ｉＨａガスを導入することによりａ
−８ｊを母体とする層として形成される。

Ｅ　ｇｏｐｔは、出発原料ガスの種類、原料ガスと希釈
ガス（Ｈ７、不活性ガス）比、放電パワー、圧力、基板
温度、ＤＣバイアス電圧、アニール温度、放電周波数等
に依存する。この中でも特に放電パワー、基板温度、ア
ニール温度がＥ　ｇｏｐｔを大きく変えうる要因となる
。

本発明によるＥｇｏｐｔは、６５丁−ｈν　（式中、α
は吸収係数を、ｈνは光エネルギーを表す）プロットに
よる吸収端より算出できる。

Ｃ：Ｈ膜の比誘電率は特に出発原料ガス、放電電力、放
電により発生（または外部から印加）する直流バイアス
等に依存し、それらを変化ざＵることにより比誘電率の
異なった膜が得られる。

尚、第１５図に示す容量結合型プラズマＣＶ　Ｉ）装置
は、ＣＨ膜源としてＣａ　Ｈａのごときモノマ−を用い
たときのもので、恒温槽（３２）によりモノマー（３３
）を加熱するとともに、反応室に連結された管（３４）
も加熱して、モノマーを蒸気として反応室（２３）内に
導入するものである。その余の構成は第１３図と同一で
ある。

以下、実施例を挙げて本発明を説明する。

実施例１ Ｑユ　（Ｃ：Ｈ層の形成） 第１３図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応室（２３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空に
した後、第１、第２および第３調整弁（１１）〜（１３
）を開放し、第１タンク（６）よりＣｔ　Ｈ４ガス、第
２タンク（７）よりＨ２ガス、第３タンク（８）からＢ
、Ｈ，ガスをマスフローコントローラ（１６）〜（１８
）により、表１に示すガス量となるように調整して反応
室（２３）内へ流入した。なお、Ｂ、Ｈｅ＋Ｈｚ（ｓｃ
ｃｍ）は、Ｂ２ＨｏガスとＨ２ガスのマスフローコント
ローラーによる制御流量の合計を表わし、Ｂ　、Ｈｏ　
／　Ｃ２Ｈ４（＋）ｐｍ）はＣ２Ｈ４ガスの濃度に対す
るＢｔＨｅガス濃度比を表わす。夫々の流量が安定した
後に、反応室（２３）の内圧が０．５’ｌ”ｏｒｒとな
るように調整した。一方、導電性平板型基板（２４）と
しては、３ｘ５０ｘ５０ｍｍのアルミニウム板を用いて
２５０℃に予じめ加熱しておき、各ガス流…が安定し、
内圧が安定した状態で高周波ｉＴｕ椋（２６）および直
流電圧源（２８Ｘ＋　４−００ボルト）を投入し平板型
電極板（２２）に２００ワツト（Ｗ）の電力（周波数１
３．５６ＭＨｚ）を印加して約ＩＯ時間プラズマ重合を
行ない、導電性平板型基板（２４）、ｈにＣ：　Ｈ？！
電荷輸送層形成した。ガス流Ｍ１成膜条件、膜特性を表
１に示した。

Ωプ　（ａ　−Ｓ　ｉ層の形成） 高周波源（２６）からの電力印加を−１ｆ！ｐ停止し、
反応室の内部を真空にした。

第２〜第４調整弁（１２）〜（１４）を開放し、第４タ
ンク（９）より５ｉＨｔガス、第３タンク（８）からＢ
。

Ｈ８ガス、第２タンク（７）から１−１２ガスを夫々マ
スフローコントローラ（１７）〜（１９）を介して表１
に示すガス流量となるように調整して反応室に流入させ
た。夫々の流量が安定した後に、反応室（２３）の内圧
が１．０Ｔｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波源（２
６）と直流電圧源（２８）を投入し、平板型電極板（２
２）にＩＯＷの電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加
してグロー放電を発生させた。成膜条件および得られた
感光体の特性を表１に示す。表中、Ｖｏは初期表面電位
、Ｅ１／２は半減露光量、Ｖｒは残留電位を示す。

なお、基板との接着性の評価において、○は極めて良好
、△は良好、×は使用不能であることを示す。

更に感光体特性としての初期表面電位、半減露光量、残
留電位は下表のごとく、優（０）、良（△）、不可（×
）として評価することにより、本発明の優秀さが理解さ
れる。

表−１ 寒和町２〜２８ 実施例１準じて表２〜表２８に示す条件で極性調整をし
た電荷輸送層を有する感光体を得た。得られた感光体の
特性を同じく表２〜表２８に示す。

なお、ＰＨ！］はマスフローコントローラー（２０）を
介して第５タンク（１０）から供給した。

実施例２ 表−２ 頑鯉止 表−３ 寒凰俗± 表−４ ４３一 実施例５ 表−５ ４４一 実施例６ 表−６ 実施例７ 表−７ 実施例８ 表−８ 衷籠隨見 表−９ 一４８＝ 実施例ＩＯ 表−１０ 実施例１１ 表−１１ １例１２ 表−１２ ５１一 実施例１３ 表−１３ ５２一 実施例１４ 表−１４ １例１５ 表−１５ 実施例１６ 表−１６ ５５一 実施例１７ 表−１７ 実施例Ｉ８ 表−１８ 実施例１９ 表−１９ 実施例２０ 表−２０ 斐例２１ 表−２１ ６０一 実施例２２ 表−２２ 実施例２３ 表−２３ 実施例２４ 表−２４ −６３〜 実施例２５ 表−２５ ６４一 実施例２６ 表−２６ 実施例２７ 表−２７ 害濃例２８ 表−２８ 一６７＝ 坦辣形１〜５ 実施例に準じて表２９〜表３３に示す条件で極性調整を
していない電荷輸送層を有する感光体を得た。得られた
感光体の特性を同じく表２９〜表３３に示す。なお、Ｐ
Ｈ３はマスフローコントローラー（２０）を介して第５
タンク（１０）から供給した。

比較例１ 表−２９ 比較例２ 表−３０ 塩恰鮭影 表−３１ 比較例４ 表−３２ 比較例５ 表−３３ 堆恍釧炙 比較例２において工程（ＩＯＣ・１１層の形成）を省略
し、工程（ＩＩ）と同一条件で膜厚５μｍのａ−Ｓ　ｉ
　：　Ｉ（層を形成せしめ、ａ−８ｉ：Ｈ感光体を得た
。

得られた感光体は初期表面電位（ＶＯ）−−１００■で
半減露光量Ｅ１／２は０．７１ｕｘ°ｓｅｃであり、」
−極性では充分な帯電能を示さず、良好な作像は行えな
かった。また、残留電位、繰り返し安定性の点からも実
用に供するものでなく、基板との接着性も悪かった。

本発明による電荷輸送層が帯電能の向上に著しく寄与し
、かつ好適な輸送性を有する事が理解された。また、基
板との接着性も悪かった。

現姓履刀 比較例２の工程（Ｉ）で作製された本発明による電荷輸
送層の代わりに、ポリエチレン膜を有機重合の常法によ
り作製し、その上に比較例２と同一の条件で工程（ＩＴ
）を施し、ａ−８ｉ層（１μｍ）を作製した。ポリエチ
レン膜の水素含量は６７ａｔｍ、％であり、初期表面電
位は一６００■て、ａ　−８ｉ層に起因するわずかの電
位減衰を有する程度で、Ｔ減債には至らないものであっ
た。また、残留組（１γ、繰り返し安定性の点からも実
用に供オろムので（Ｊなかった。本発明の電荷輸送層の
優位性か認められた。

坂惟鯉ｌ 第１６図に示すアーク放電蒸イ：Ｔ装置を用い、水素を
含有しない炭素膜を形成した。第１６図において、真空
容器（４０）内には電源（４１）に接続された電極支持
棒（４２，４２）が設けられ、夫々に炭素電極（４３）
、（４４）が形成されている基板保持台（４５）Ｊ−に
Ａρ基板（４６）を載置し、容器内の圧力をｌｏ−５Ｔ
　ｏｒｒ、炭素電極への通電電流を５０Δとしてアーク
放電を生起せしめＡρ基板上に厚さ５１ｔｒｐの水素を
含有しない炭素膜を作成した。

得られた炭素膜は１０８Ω・ｃｍ以下の抵抗しか有せず
、電子写真用感光体には使用できないムのであった。

また、炭素膜」−に比較例１と同一の条件でａ−９ｉ：
Ｈ層（ｌμｎ）を積層したところ、膜剥離が生じ′た。

穴明の効果 本発明による炭素膜を電荷輸送層に有する感光体は電荷
輸送性、帯電能に優れ、膜厚が薄くても充分な表面電位
を得ることができ、かつ良好な画像を得ることができる
。本発明に従えば、電荷発生層にａ−３ｉを使用する場
合、従来のａ−８ｉ感光体では達成することのできなか
った薄膜の感光体を得ることができる。

また、Ｉ［ＩＡまたはＶＡ族元素を用いて帯電極性を制
御することにより、電荷輸送能は向上し、電荷輸送層と
電荷発生層との接合が良好となって、感度が向上すると
共に残留電位が低下する。

本発明感光体はその原料が安価であり、必要な各層が同
一の槽内で成膜できるとともに、膜厚が薄くてよいので
、製造コストが安く、かつ製造時間が短くて済む。

本発明による炭素膜は、薄膜に形成してもピンホールが
生じにく、均質に形成することができるので、薄膜化が
容易である。さらに耐：＋　ｃＪす性、耐酸性、耐湿性
、耐熱性および剛直性にら優れているので、表面保護層
として使用４″ると感光体の耐久性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図から第１２図は本発明感光体の模式的断面図を示
す。 第１３図〜第１５図は本発明感光体製造用装置の一例を
示す図であり、第１６図は比較のために用いたアーク放
電蒸着装置の構成を示す図である。 図中の記号は以下の通りである。 （１）・・・基板　　　（２）・・Ｃ・Ｉ−Ｔ電荷輸送
層（３）・・・電荷発生層　　（４）・・・オーバーコ
ート層（５）・・アンダーコート層　（６）〜（１０）
・タンク（１１）〜（１５）・・・調節弁 （１６）〜（２０）・・・マスフローコントローラー（
２１）・・・主管　　　　　（２２）・・・平板型電極
板（２３）・反応室　　　　（２４）・・・平板型基板
（２５）・・・平板型アース電極板 （２６）・高周波電源　　（２７）・・・コイル（２８
）・直流電圧源　　（２９）・・・真空ポンプ（３０）
・・・円筒型電極板　（３１）円筒型基板（３２）・・
・恒温槽　　　　（３３）・・・モノマー（３４）連結
管　　　　（４０）・真空容器（４１）・・電　源　　
　　（４２）・・電極支持棒（／Ｉ３）、（４４）・・
・炭素電極（４５）・・基板保持台（４６）・・・Ａρ
割基 板７９−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）とを有する機
   能分離型感光体において、電荷輸送層（２）として炭素
   膜を有し、前記炭素膜は水素を総原子量に対して０．１
   〜６７ａｔｏｍｉｃ％含有し、IIIＡ族またはＶＡ族元
   素により極性調整されていることを特徴とする感光体。