JPS6381467A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従米塊逝 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真感光体にも様々な材料が開発され
実用化されてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材ｎの主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大１福に高価なものとなる。１な、成膜辻
度が遅く、成膜時間の増大に伴い想見性を有するシラン
未分解生成物を扮匹状に尾生Ｙる等、生産土の不都合も
多い。また、この扮底が’ＪＪ造時に感光層中に混入し
た場合には、画像品質に著しく怒影響を及ぼす。ざらに
、アモルファスシリコンは、元来、比訪電率が高いため
帯電性能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電する
ためには膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファ
スシリコン膜を長時間堆積させなくてはならない。

ところでアモルファスカーボンｌｌｉ自体は、プラズマ
有機重合膜として古くより知られており、例えばジエン
（Ｍ、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ。

Ｂｅ１ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐ。

ｌｙｍｅｒ　　Ｓｃ　１ｅｎｃｅ）第１７巻の第８８５
頁乃至第８９２頁において、あらゆる有機化合物のガス
から作製され得る事が、また、同著者により、１９７９
年のアメリカンケミカルソサエティー（Ａｍｅｒｉｃａ
ｎ　　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行によるプ
ラズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　　Ｐｏｌ
ｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論じら
れている。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って泪いられ、即ちそれ
らの股は通常のポリエチレン膜の如くｉｏ”Ωａｍ程度
の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくとも
そのような腺であるとの認識のもとに用いられていた。

実際に電子写真感光体への用途にしても同条の認識から
、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に限
られており、所謂アンダーコート層もし・（はオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭６
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される１０１３〜１０１５ΩＣｍの高抵抗のプラズマ
重合膜を１０人〜１００人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示きれている。特開昭５９−
１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示きれている。

特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として２００人〜２μｍのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示きれ、残留電荷
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−Ｓｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
どしてグロー放電重合によるポリマー膜を０．１〜１μ
ｍ設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１４
８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスヂレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成さ
せる技術が開示されている。特開昭６０−６１７６１号
公報には、表面保護層として、５００人〜２μｍのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされてている。

特開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５μ
ｍ程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示きれ、膜厚が５μｍを越えると感光
体活性に悪ＦｊＪＪｉＦが及ぶとされている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−Ｓｉの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放７４重
合を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せ
しめた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性
については全く言及されていないし、ａ−Ｓｉの持つ前
記した本質的問題を解決するものではない。

一方、アモルファスシリコン膜については、スピア（Ｗ
、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンバ（Ｐ。

Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　
　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９４
９頁において、極性制…！が可能な材料である事が報じ
られて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて
来た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５６
−６２２５４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公報
、特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１１
９３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、特
開昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７−１７７１
４６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開昭
５７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４９
号公報、特開昭５７−１７４４５０号公報、等に、炭素
原子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示され
ているが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭
素原子により調整する事を目的としたものであり、また
、アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。

ｕｈ＜　　肖しようとする間返点 以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有健重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用きれていたが、それらはキャ
リアの輸送は能を必要としない膜であって、育成重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならず一二済む・程度の薄い
ｊ灰でしか用いら之１ていない、また、従来、電子写真
に用いられているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で
使用されており、已洛或は生産性等に、不都合な点が表
い。

本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が酸素原
子を含有せしめる事により、水素化或は弗素化アモルフ
ァスシリコンゲルマニウム膜との積層においては電荷輸
送性を有し、容易に好適な電子写真特性を示し始める事
を見出した。その理論的解釈には本発明者においても不
明確な点が多く詳細に亙り言及はできないが、酸素原子
含有水素化アモルファスカーボン膜中に捕捉されている
比較的不安定なエネルギー状態の電子、例えばπ電子、
不対電子、残存フリーラジカル等が形成するバンド構造
が、水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウ
ムが形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子帯にお
いて近似したエネルギー準位を有１゛るため、水素化或
は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜中で発生
したキャリアが容易に酸素原子含有水毒化アモルファス
カーボン膜中へ注入され、さ′らに、このキャリアは前
述の比較的不安定なエネルギー状態の電子の作用により
酸素原子含有水毒化アモルファスカーボン膜中を好適に
走行し得るためと推定される。

本光明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有鵬プラズマ重合膜、持に少なくとも酸素原子を含有
してなる水素化アモルファスカーボン膜を電荷輸送層と
して使用し、かつ、水素化或は弗素化アモルファスシリ
コンゲルマニウムの薄膜を電荷発生層として使用した感
光体を提供する事を目的とする。

間７″Φを解決するための−・ 即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される少なくとも酸素原子を含有してなる
水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、該電荷発
生層が水沿化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニ
ウムｌＩ臂であることを特徴とする感光体に関する（以
下、本発明による電荷輸送層をａ−Ｃ膜及び電荷発生層
をａ　−Ｓｉ膜と称する）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くてもＴｉ１ｔ荷輸送能さ
えあれば済む電荷輸送層としても併用していたため発生
していたこれらの問題点を解決すべく成されたものであ
る。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される少なくとも酸素原子を含有して成る水素化アモ
ルファスカーボン膜を設け、かっ、電荷発生層として同
じくグロー放電により生成きれる水素化或は弗素化アモ
ルファスシリコンゲルマニウム膜を設けた事を特徴どす
る機能分離型感光体に関する。該電荷輸送層は、可視光
もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に対しては明
確なる光導電性は有きないが、好適な輸送性を有し、ざ
らに、帯電能、耐久性、耐揉性、耐環境汚染性等の電子
写真感光体性能ににれ、しかも透光性５こも筺れるため
、機能分離型感光体としての積層構造を形成する場合に
おいても極めて高い自由度が得られるものである。また
、該電荷発生層は、可視光もしくは半導゛体し−ザー光
付近の波長の光に対して優れた光導電性を有し、しがも
従来のアモルファスシリコン感光体に比べて極めて薄い
ＨＲｌｇで、その機能を活かす事ができるものである。

本発明においては、ａ　−Ｃ膜を形成するために有機化
合物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるちのであれば、液相でも固
相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素にはｆｉｉ頚が多いが、飽和炭化水
素としては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタ
ン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン
、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリテ゛カン、テト
ラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘキサデカン
、オクタコサン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコ
サン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコ
サン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノ
ナコサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタ
トリアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソ
ブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、
ネオヘキサン、２，３−ジメチルブタン、２−メチルヘ
キサン、３−エチルペンタン、２，２−ジメチルベンク
ン、２，４−ジメチルベンクン、３，３−ジメチルベン
クン、トリブタン、と−メチルへブタン、３−メチルへ
ブタン、２．２−ジメチルヘキサン、２＋２＋５−ジメ
チルヘキサン、２．２．３−）ジメチルベンクン、２．
２．４−トリメチルペンタン、２．３゜３−トリメチル
ペンタン、２．３．４−トリメチルペンタン、イソナノ
ン、等のイソバラフ、イン、等が用いられる。不飽和炭
化水素としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソ
ブチレン、１−ブテン、２−ブテン、１−ベンゾン、２
−ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１
−ブテン、２−メチル−２−ブテン　１　　ｘ、キセン
、テトラメチルエチレン、１−ヘプテン、１−オクテン
、１−ノネン、１−デセン、等のオレフィン、並びに、
アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘ
キサジエン、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、
並びに、ンｒシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサ
トリエン、等のトリオレフィン、並びに、アセチレン、
ブタジイン、１゜３−ペンタジイン、２，４−へキサジ
イン、メチルアセチレン、１−ブチン、２−ブチン、１
−ペンチン、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチ
ン、１−ノニン、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタテ°カン、シ
クロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シク
ロプロペン、シクロブチ〉・、シクロペンテン、シクロ
ヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノ
ネン、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リ
モネン、テルピノレン、フエランドレン、シルベストレ
ン、ツエン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン
、フエンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビ
サボレン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジ
ネンセスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サン
タレン、セドレン、カンホレン、フィロクラデン、ボド
カルブレン、ミレン、等のデルベン並びに、ステロイド
等が用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイド
クメン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュ
レン、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、
エチルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン
、ビフェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリ
フェニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、
ナフタリン、テトラリン、アントラセン、フェナントレ
ン、等が用いられる。

ざらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。

本発明におけるａ−ＣｆＱ中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね３０乃
至６０原子％含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばＯＮ
Ｈ分析を用いる事により知る事ができる。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水累量を低くする効果を有する。

本発明における′ｒｉ荷＄ｔｉ送層としてのａ　−Ｃ膜
の膜厚は、通常の電子写真プロセスで用いるためには、
５乃至５０μｍ１特に７乃至２０μｍが適当であり、５
μｍより薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃
度を得る事ができない。また、５０μｍより厚いと、生
産性の面で好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に５μｍ以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送され明減衰に寄
与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ　−ＣＭｆＪを形成する
過程としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或
はマイクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプ
ラズマ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、そ
の他にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等
により生成される一イオン状態を経て形成されてもよい
し、真空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成さ
れる中性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これ
らの組み合わせ５二より形成されてもよい。

本発明においては炭化水素の池に、ａ　−Ｃ膜中に少な
・（と乙酸素原子を；６加するために酸毒化合物が使用
される。該δｉ素化合物における相状態は常温常圧にお
いて必ずし乙気柑である必要はなく、加熱或は減圧等に
より溶融、蒸発、昇華等を経て気化しうるものであれば
、液相でも固相でも使用可能である。酸素化合物として
は、例えば、ＭＷ、オゾン、水蒸気、−酸化炭素、二酸
化炭素、亜酸化炭素、等の無機化合物、水ｍ基（−ＯＨ
）　、アルデヒド基（−ＣＯＨ）　、アシル基（ＲＣＯ
−、−ＣＲ○）、ケトン基（＞ＣＯ）、エーテル結合（
−〇−）、エステル結合（−ＣＯＯ−）　、酸素を含む
複素環、等の官能基或は結合を有する有機化合物、等が
用いられる。水酸基を有する有機化合物としては、例え
ば、メタノール、エタノール、プロパツール、ブタノー
ル、フリルアルコール、フルオロエタノール、フルオロ
ブタノール、フェノール、シクロヘキサノール、ベンジ
ルアルコール、フルフリルアルコール、等が用いられる
。アルデヒド基を有する有機化合物としては、例えば、
ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオアルデ
ヒド、ブチルアルデヒド、グリオキサール、アクロレイ
ン、ベンズアルデヒド、フルフラール、等が用いられる
。アシル基を有する有機化合物としては、例えば、ギ酸
、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、パルミチン酸、
ステアリン酸、オレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハ
ク酸、安息香酸、トルイル酸、サリチル酸、ケイヒ酸、
ナフトエ酸、フタル酸、フラン酸、等が用いられる。ケ
トン基を有する有世化合物としては、例えば、アセトン
、エグルメグルケトン、メチルビニルケトン、プチルメ
チルケトン、ビナコロン、ジエチルケトン、メチルビニ
ルケトン、メシチルオキシド、メチルへブテノン、シク
ロブタノン、シクロベンクノン、シクロヘキサノン、ア
セトフェノン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、バ
レロフエノン、ジベンジルケトン、アセトナフトン、ア
セトフェノン、アセトフロン、等が用いられる１、エー
テル結合を有する有機化合物どしては、例えば、メチル
エーテル、エチルエーテル、プロピルエーテル、ブチル
エーテル、アミルエーテル、エチルメチルエーテル、メ
チルビニルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルア
ミルエーテル、ニゲルプロピルエーテル、エチルビニル
エーテル、エチルアミルニーデル、ビニルエーテル、ア
リルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルアリルエ
ーテル、エチルビニルエーテル、エチルフリルエーテル
、アニソール、フェネトール、フェニルエーテル、ベン
ジルエーテル、フェニルベンジルエーテル、ナフチルエ
ーテル、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化トリメチ
レン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロビラン、ジオ
キサン、等が用いられる。エステル結合を有する有機化
合物としては、例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸
プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸アミル、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロ
ピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プ
ロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸アミル、酪
酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、酪酸ブチル、酪
酸アミル、吉草酸メチル、吉草酸エチル、吉草酸プロピ
ル、吉草酸ブチル、吉草酸アミル、安、０香万々メチル
、安息香酸エチル、ケイ皮酸メチル、ケイ皮酸エチル、
ケイ皮酸プロピル、サリチル酸アミル、サリチル酸エチ
ル、サリチル酸アミル、サリチル酸ブチル、サリチル酸
アミル、アントラニル酸メチル、アントラニル酸エチル
、アントラニル酸ブチル、アントラニル酸アミル、フタ
ル酸メチル、フタル酸エチル、フタル酸ブチル、等が用
いられる。酸素を含む複素環化合物としては、フラン、
オキサゾール、フラザン、ビラン、オキサジン、モルポ
リン、ベンゾフラン、パンジオキサゾール、クロメン、
クロマン、ジベンゾフラン、キサンチン、フェノキサジ
ン、オキソラン、ジオキソラン、オキサチオラン、オギ
サジアジン、ベンゾイソオキサゾール、等が用いられる
。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子のＩは、全構成原子に対して７．０原子％以下である
。ここで酸素原子の膜中含有■は、元素分析の常法、例
えばオージェ分析により知る事ができる。酸素原子の量
が７．０原子％より高い場合には、少量の添加で：よ好
適な輸送性を保証していた酸二原子が、膜の高抵抗化を
招く作用を示し、残留電位の上昇を来たす。また、酸素
源ガスの一部のもの、例えば、酸素ガス、オゾンガス、
−酸化炭素ガス等においては、エツチング効果が強く現
れ、その流量を増やす事により酸素原子の膜中への添加
量を増加させようとすると、成膜速度が低下し、ある程
度の膜厚が必要とされる電荷輸送層の成膜においては不
都合となる。従って、本発明における酸素原子；奈加旦
の範囲は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有きれる酸素原
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の酸素化合物の導入量を増減することにより制御するこ
とが可能である。酸素化合物の導入量を増大させれば、
本発明によるａ　−Ｃ。

膜中への酸譜原子の添加量を高くすることが可能であり
、逆に酸素化合物の導入量を減少させれば、本発明によ
るａ　−Ｃ膜中への酸素原子の添加量を低くすることが
可能である。

本発明においては、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｍ’Ａを形成するた
めにシランガス、ジシランガス、或は、弗化シランガス
が用いられる。また、ゲルマニウム原子を含有きせるた
めに、ゲルマンガスが用いられる本発明におけるａ−Ｓ
ｉ膜中に含有されるゲルマニウム原子の含有量は、シリ
コン原子とゲルマニウム原子との総和に対して、３０原
子％以下が好ましい。ここで、ゲルマニウム原子及びシ
リコン原子の含有率は、元素分析の常法、例えばオージ
ェ分析により知る事ができる。ゲルマニウム原子の含有
量は、膜形成時に流入するゲルマンガスの流量を増加す
る事により高くなる。ゲルマニウム原子の含有量が高く
なるにつれ本発明感光体の長波長感度は向上し、短波長
領域から長波長領域にまで幅広く露光源が選択され得る
ようになり好ましいが、ゲルマニウム原子が３０原子％
より多く含有されると帯電能の低下を招くため、過剰の
添加は好ましくない。従って、本発明におけるａ　−Ｓ
ｉ膜中に含有されるゲルマニウム原子のぎ有量は重要で
ある。

本発明におけるａ−ＳｉｌｉＱ中に念まれろ水素原子或
は弗素原子の量はグロー放電を用いると−）うその製造
面から必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或は
シリコン原子と弗素原子の総量に対して、概ね１０乃至
３５原子％含有される。

ここで、水素原子或は弗素原子の膜中含有量は、元素分
析の常法、例えば金属中ＯＮＨ分析、オージェ分析等を
用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−３ｉ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、０．１乃
至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、５μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このａ−３ｉ膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのａ−Ｃ膜との
積層構成において効率よくａ−ＣＩＳｊ中に発生キャリ
アを注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能であ
る。

本発明における原ｆ４気体からａ−Ｓｉ膜を形成する過
程；よ、ａ　−Ｃ膜を形成する場合と同様にして行なわ
れる。

本発明における感光体は、７４．荷発生屡と電荷輸送層
から成−Ｓｍ能分ｉ′！を型の構成とするのが最適で、
該電荷発生層と該電荷輸送層のｖＩ層構成は、必要に応
じて適宜選択することが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を１項次８を層して
なる構成を示したものである。第２図は、別の一形態と
して、導電性基板（１）上に電荷発生層（３）と電荷輸
送／！！ｙ（２）を順次積石してなる構成を示したもの
である。第３図は、別の一形態として、導電性基板（１
）上に、電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸
送層（２）を順次積層してなる構成を示したものである
。

感光体表面を、例えばコロナ帯電冨等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第４図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）巾を感光体
表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層（２）中を導電性
基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発生層（
３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（２）中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証きれた静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第２図及び第３図では、画像露光用の照射光がＩ
Ｆｉ荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電
荷輸送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を
行なうことが可能である。

第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送Ｆ３　（２）と電荷発生Ｎ（３）と表面像！
！　（４）を順次積層してなるｔｇ成を示したものであ
る。即ち第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当
するが、第１図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいａ
　　Ｓｉ膜で有ることから、多くの場合実用上の対湿度
安定性を確保するために表面保護層を設けることが好ま
しい。第２図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久性
に度れたａ−Ｃ膜であるため表面保護層を設けなくても
よいが、例えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを
防止するような、複写機内の各種エレメントに対する整
合性を調整する目的から、表面保護層を設けることもざ
らなる一形態と成りうる。

第５図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生ｊｆｆｌ（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。即
ち第２図の形態に中ｒｕＩ層を設けた形態に相当するが
、第２図の形態では、導電性基板との接合面がａ−Ｓｉ
膜である事から、多（の場合接着性及び注入阻止効果を
確保するために中間層を設ける事が好士しい。第１図及
び第３図の構成の場合、導電性基板との接合面が、接着
性及び注入阻止効果に侵れた、本発明による電荷輸送層
であるため、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電
性基板の前処理方法のような、感光層形成以前の製造工
程との整合性を調整する目的から、中間層を設けること
もざらなる一形態と成りうる。

第６図１よ、ざらなる一形態として、導電性基板（１）
上に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３
）と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示した
ものである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を
設けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同１革であり、
従って第２図及び第３図の構成において中間層と表面体
Ｗｔ層を設けることもざらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜還択することが可能であ
る。本発明によるａ　−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用
いる材′目が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料で
ある場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５μｍ
以下に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で力父電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含
ま・れる活性中性５団あるいは荷電種を基板上に拡散、
電気力、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再
結合反応により固相として１Ｆ！積させる、所謂プラズ
マ重合反応から生成される事が好ましい。

＠７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６タ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流ヱ制御ｇ器（？　１３）
〜（７１８）に接続されている。図中（７１９）〜（７
２１）は常温において液相または固相状態にある原料化
合物を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化
のため第１乃至第３温調藩（７２２）〜（７２４）によ
り与熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調
節弁（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制御器
（７２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガ
スは８合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）
を介して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管
は、常温において液相または固相状態にあった原ｔ゛↓
化合物が気化したガスが、途中で凝結しないように、適
宜配置された配管加熱器（７３４）により、与熱可能と
されている。反応室内には接地ａ（７３５）と電力印加
電ｔｉ（７３６）が対向して設置され、各々の電極は電
極加熱話（７３７）により与熱可能とされている。電力
印加電極（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８
）を介して高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器
（７４０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフ
ィルタ（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続さ
れており、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の
異なる電力が印加可能とされている。反応室（７３３）
内の圧力は圧力制御ｎ’Ｓ！弁（７４５）により調整可
能であり、反応室（７３３）内の減圧は、排気系選択弁
（７４６）を介して、拡散ポンプ（７４７）　、油回転
ポンプ（７４８）　、或は、冷却除外装置（７４９）、
メカニカルブースターポンプ（７５０）、油回転ポンプ
（７４８）により行なわれる。排ガスについては、ざら
に適当な除外装置（７！５３）により安全無害化した後
、大気中に排気される。これら排気系配管についても、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱話（７３４）により、与熱可能とぎれてい
る。反応ｖ（７３３）も同様の理由から反応室加熱器（
７５１）により与熱可能とされ、内部に配された電極上
に導電性基板（７５２）が設置される。第７図において
導電性基板（７５２）は接地型ｗ３（７３５）に固定し
て配されているが、電力印加１４１（７３６）に固定し
て配されてもよく、ざらに双方に配されてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造￥２置と同様であり
、付記された番号は、７００番台のものを８００番台に
置き換えて解すればよい。第８図において、反応室（８
３３）内部には、第７図における接地型Ｄ（７３５）を
兼ねた円筒形の導電性基板（８５２）がＳ２置され、内
側には電極加熱器（８３７）が配きれている。導電性基
板（８５２）周囲には同じく円筒形状をした電力印加Ｔ
ｉ極（８３６）が配され、外側には電極加熱器（８３７
）が配されている。導電性基板（８５２）は、外部より
駆動モータ（８５４）を用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により１．電極並びに電極に固定して配さ
れた導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板
には、前述の如さ・感光体構成の中から所望の構成を得
るために、必要であれば、予めアンダーコートＦ！Ｊ或
：よ電荷発生層を設けて置いてもよい。アンダーコート
層或は電荷発生、層の設置には、本装置を用いてもよい
し別装置を用いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク
及び第１乃至第３容器から、原ｒ−１ガスを適宜第１乃
至第９流量制部器や用いて定流量化しながら反応室内に
導入し、圧力？Ａ節弁により反応室内を一定の減圧状態
に保つ。ガスｆｉＣＭが安定化しな後、接続選択スイッ
チにより、例丸ば高周波電源を選択し、電力印加電極に
高周波電力を投入する。両電極間には放電が開始きれ、
時間と共に基板上に固相の膜が形成される。ａｓｉｆｉ
’Ｑ或はａ−Ｃ膜は、原料ガスを代える事により任意に
形成可能である。放電を一旦停止し、原料ガス組成を変
更した後、再び放電を再開すれば異なる組成の膜を積層
する事ができる。また、放電を持続させながら原料ガス
流量だけを徐々に代え、異なる組成の膜を勾配を持たせ
ながら積層する事も可能である。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要ときれる場合に
巴よ、そのよよ本装置を用いるか、或は同ＩＪに一旦真
空を破り取り出して別装置に移してこれらの石を設け、
本発明による感光体を１りる。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

塞流倒１ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置１Ｊ（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高
真空にした後、第３調節弁（７０９）を解放し、第３タ
ンク（７０３）より酸素ガスを出力圧１．０Ｋｇ／ａｍ
２の下で第３流量制譚器（７１５）内へ流入させた。同
時に、第１容器（７１９）よりミルセンガスを第１温調
器（７２２）温度８５℃のもと第７流量制譚器（７２８
）内へ流入きせた。ｒｉ！ｉ素ガスの流量を４ｓｅｃｍ
、及びミルセンガスの流量を２０ｓｅｃｍとなるように
設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３
２）より反応室（７３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が１．５Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、縦５
０×構５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め１５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた低周波型Ｔ１．（７４１）を投入し、電力印
加電極（７３６）に１２０Ｗａｔｔの電力を周波数３５
ＫＨｚの下で印加して約２時間４０分プラズマ重合反応
を行ない、導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ
−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。

成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して４７原子％であった。また、
オージェ分析より含有される酸素原子の里は全構成原子
に対して０．７原子％であ・また。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２７Ａ節弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を
解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タン
ク（７０２）からゲルマンガス、及び第６タンク（７０
６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第
１、第２、及び第６′ａ量制御器（７１３，７１４、及
び７１８）内へ流入させた。各流量制御器の目盛を調整
して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、ゲルマンガスの
流量を０．６ｓｅｃｍｓ及びシランガスの流量を１０１
００５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入させな。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
７Ａ整した。一方、ａ　−Ｃ膜が形成されている導電性
基板（７５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量
及び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）より
周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）
に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させ
な。この放電を５分間行ない、厚き０．３μｍ（１）電
荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｔ膜につき・、金属中ＯＮＨ分析（板場
製作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析を行な
ったところ、含有きれる水素原子は全構成原子に対して
２０原子％、ゲルマニウム原子は１原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５１０Ｖ（＋６３０Ｖ）で有り、即ち、全
感光体Ｈ先厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能！１３３Ｖ／μｍ（４１Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中を二てＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面
電位によ・で暗パ衰するのに要した時間は約１２秒（約
１６秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有
する事が理解されノニ。また、最高帯電電位に初期帯電
した後、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電
位にまで明減衰させたところ必要ときれた光量は１．２
ルツクス・秒（１，フルックス・秒）であり、このこと
から充分な光感度性能を有する事が理解された。また、
最高帯電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発
光波長７８０ｎｍ）を用いて最高帯電電位の２０％の表
面電位にまで明減衰させたところ必要とされた光量は？
、３ｅｒｇ／ｃｍ２（８，６ｅｒｇ／ｃｍ２）であり、
このことから充分な長波長光感度性能を有する事が理解
された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

宋旅然旦 本光明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０”６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第３調節弁（７０９）を解放し、第３タ
ンク（７０３）よ亜酸化窒素ガスを出力圧１．０Ｋｇ／
ａｍ２の下で第３流量制御器゛（７１５）内へ流入させ
た。同時に、第１容謬（７１９）よりスチレンガスを第
１温調器（７２２）温度３０℃のもと第７流Ｉ制御器（
７２８）内へ流入させた。！ＩＩ酸化窒素ガスの流量を
１５ｓｅｃｍ、及びスチレンガスの流量を４５ｓｅｃｍ
となるように設定して、途中混合器（７３１）を介して
、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が１．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
ｇ整した。一方、導電性基板（７５２）としては、縦５
０Ｘ横５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め１５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力中加電
Ｊｉ（７３６）に１３０Ｗａｔｔの電力を周波数４０Ｋ
Ｈｚの下で印加して約１時間１５分プラズマ重合反応を
行ない、導電性基板（７５２）上に厚さ１５μｍのａ−
Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力
印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充
分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４２原子％であった。また
、オージェ分析より含有される酸素原子の量は、全構成
原子に対して、１．９原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク
（７０２）からゲルマンガス、及び第６タンク（７０６
）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ａｍ２の下で第１
、第２、及び第６流量制御器（７１３，７１４、及び７
１８）内へ流入させた。各流量制郭器の目盛を調整して
水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍｓゲルマンガスの流量
をｅｓｃｃｍ、及びシランガスの流量を１０１００５ｅ
に設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流
量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．９
Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した
。一方、ａ　−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５
２）は、２５０℃に加熱しておさ・、ガス流量及び圧力
が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１
３．５６ＭＨｚの下で電力印加Ｎ極（７３６）に４０Ｗ
ａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させな。

この放電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層
を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧΔ−１３００）及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して２
０原子％、ゲルマニウム原子は１０原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５００Ｖ　（＋６５０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３３Ｖ／μｍ　（４２Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗′ｇ哀するのに要した時間は約１９秒（約２
５秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有す
る事が理解された。また、最高Ｗ電電位に初期帯電した
後、白色光を用いて最高？４電電位の２０％の表面電位
にまで明減衰させたところ必要ときれた光量は１．４ル
ツクス・秒（２，１ルツクス・秒）であり、このことか
ら充分な光感度性能を有する事が理解きれた。また、最
高帯電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発光
波長７８０ｎｍ）を用いて最高帯ｉ電位の２０％の表面
電位にまで明減衰きせたとこる必要とされた光量は８．
ｌｅｒｇ／ｃｍ２（１１，２ｅｒｇ／ａｍ２）であり、
このことから充分な長波長光感度性能を有する事が理解
された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
としてほれた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

大旅例旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷光生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形酸二’！’ｉ： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装Ｅ（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、及び第３（７０７，７０８
、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より水
素ガス、第２タンク（７０２）よりエチレンガス、及び
第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力圧１．０
Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流量制郭１Ｗ
（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させた。そし
て各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を６
０ｓｅｃｍ、エチレンガスの流量を６０ｓｅｃｍ１及び
酸素ガスの流量を１０１０５ｅとなるように設定して、
途中混合ｕ（７３１）を介して、主管（７３２）より反
応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した後
に、反応室（７３３）内の圧力が２．２Ｔｏｒｒとなる
ように圧力調節弁（７４５）を調整した。−・方、導電
性基板（７５２）としては、樅５０Ｘ横５０×厚３ｍｍ
のアルミニウム基板を用いて、予め２５０℃に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選
択スイッチ（７４４）により接続しておいた高周波電１
（７３９）を投入し、電力中加電１１（７３６）に１５
０ＷａｔＬの電力を周波、Ｗ　１３．５６ＭＨｚの下で
印加して約１０時間プラズマ重合反応を行ない、導電性
基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送
層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、
′Ａｓ弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した
。

以上のようにして得られたａ−Ｃ１ｌｉにつき有機元素
分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素
原子と水素原子の総量に対して３９原子％、また、オー
ジェ分析より含有される酸素原子の量は全構成原子に′
対して３．０原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク
（７０２）からゲルマンガス、及び第６タンク（７０６
）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１
、第２、及び第６流量制部１ｉ３（７１３，７１４、及
び７１８）内へ流入きせた。各流量制御器の目盛を調整
して水素ガスの’１４を２００ｓｅｃｍ、ゲルマンガス
の流量を２ｓｅｃｍ、及びシランガスの流量を１１００
５ＣＣに設定し、反応室（７３３）内に流入させた。７
各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧カニＩ！節弁（７４５
）を調整した。一方、ａ　−Ｃ膜が形成されている導電
性基板（７５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流
量及び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）よ
り周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６
）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生さ
せな。

この放電を５分間行ない、厚と０．３μｍの電荷発生層
を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して２
０原子％、ゲルマニウム原子は３原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカー“シランブロじスの中で負
帯電並びに正帯電でｍいたところ次の如さ−性能が得ら
れｒ：ｏここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが
、最高帯電電位は一６７０Ｖ　（＋８４０Ｖ）で有り、
即ち、全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μ
ｍ当りの帯電能は４４■／μｍ　（５４Ｖ／μｍ）と極
めて窩く、このことから充分な帯電性能を有する事が理
解された。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまて暗減衰するのに要した時間は約２８秒（約３８
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯Ｔｉ電位に初期帯電した
後、白色光を用いて最高帯Ｔｉ電位の２０％の表面電位
にまで明減衰させなところ必要とされた光量は２．９ル
ツクス・秒（３，８ルツクス・秒）であり、このことか
ら充分な光感度性能を有する事が理８′？された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したどころ、鮮明な画像が１３られ
た。

害鬼然４ 本発明に係わる袈ｆ！？２置を用いて、第１図に示す如
伊、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設
けた本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，７０
８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より
水素ガス、第２タンク（７０２）よりブタジェンガス、
及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力圧１
．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流量制御
器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させた。

水素ガスの流量を９０ｓｅｃｍ、ブタジェンガスの流量
を７０ｓｅｃｍ、及び酸素ガスの流量を１８ｓｅｃｍと
なるように設定して、途中混合器（７３１）を介して、
主管（７３２）より反応室（７３３）内・＼流入した。

各ノ？の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧
力が２．２７ｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）
を調整した。

一方、導電性基板（７５２）としては、縦５０Ｘ横５０
×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１２０℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた
低周波電源（７４１）を投入し、電力印加Ｔｉ？１（７
３６）に１００Ｗａ１１の電力を周波数５００　Ｋ　Ｈ
ｚの下で印加して約３０分間プラズマ重合反応を行ない
、導電性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ−Ｃ膜を
電荷輸送層どして形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排
気した。

以上のようにして１３られなａ　−Ｃ膜につき有機元素
分析を行なったところ、含有される木工原子の量は炭素
原子と水素原子の総量に対して５５原子％、また、オー
ジェ分析より含有される酸素原子の量は全構成原子に対
して４．８原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調血弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク
（７０２）からゲルマンガス、及び第６タンク（７０６
）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１
、第２、及び第６流Ｉ制運藩（７１３，７１４、及び７
１８）内へ流入させた。各流量制御器の目盛を調整して
水素ガスの流星を２００ｓｅｃｍ、ゲルマンガスの流量
を２０ｓｅｃｍ、及びシランガスの流量を１０１００５
ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の
流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．
０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整し
た。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５
２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、高周波電源＜７３９）より周波数１３
゜５６ＭＨｚの下で電力印加量ｍ　（７３６）に４５Ｗ
ａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この
放電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得
た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して２
０原子％、ゲルマニウム原子は３０原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５４０Ｖ　（＋６３０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３ｕｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３５Ｖ／μｍ（４１Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗′ｔｉ衰するのに要した時間は約３４秒（約
４３秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有
する事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電し
た後、白色光を用いて最高？ｉｆ電電位の２０％の表面
電位にまで明誠衰きせたところ必要ときれた光量は５．
４ルツクス・秒（６，３ルツクス・秒）であり、このこ
とから充分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

実施例５ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分Ｍ装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−’Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，
７０８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７］）よ
り水素ガス、第２タンク（７０２）よりアセチレンガス
、及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力圧
１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流量制
御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入きせた。

そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量
を８８ｓｅｃｍ、アセチレンガスの流量を４５ｓｅｃｍ
１及び酸素ガスの流量が２４ｓｅｃｍとなるように設定
して、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）
より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定
した後に、反応室（７３３）内の圧力が２．○Ｔｏｒｒ
となるように圧力調節弁（７４，５）を調整した。一方
、導電性基板（７５２）としては、樅５０Ｘ横５０×厚
３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２０ｏ℃に加
熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め
接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた高周
波電源（７３９）を投入し、電力印加量ＪＥｆｉ（７３
６）に１００Ｗａｔｔの電力を周波数４ＭＨｚの下で印
加して約４時間４０分プラズマ重合反応を行ない、導電
性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸
送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し
、調Ｂ弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した
。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して３０原子％、また、オージ
ェ分析より含有される酸素原子の量は全構成原子に対し
て６．１原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第３調節弁（７０９）、及び第
６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）から四弗化シランガ
ス、第３タンク（７０３）からゲルマンガス、及び第６
タンク（７０６）から゛シランガスを、出力圧ＩＫｇ／
ｃｍ２の下で第１、第２、第３、及び第６ａ量制８１１
藷（７１３，７１４，７１５、及び７１８）内へ流入き
せた。各１ｆｔｆｆｉ制ｉｌｌ器の目盛を調整して水素
ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、四弗化シランガスの流量
を５０ｓｃｃｍｑゲルマンガスの流量を６ＳＣＣｍ　ｓ
及びシランガスの流量を５０ｓｅｃｍに設定し、反応室
（７３３）内に流入させた。各々の流量が安定した後に
、反応室（７３３）内の圧力が０．９Ｔｏｒｒとなるよ
うに圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜
が形成されている導電性基板（７５２）は、２３０℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高
周波電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で
電力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し
、グロー放電を発生させな。この放電を５分間行ない、
ｒＪ、ぎ０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉｖ！、につき、金属中○ＮＨ分析（板
場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析を行
なったところ、含有される水素原子は全構成原子に対し
て１８原子％、弗素原子は５原子％、ゲルマニウム原子
は１１原子％であった。

特性： ？Ｑられだ感光体を常用のカールソンプロセスの中で負
帯電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られ
た。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最
高帯電電位は一８２０Ｖ　（＋９６０Ｖ）で有り、即ち
、全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当
りの帯電能は５３■／μｍ（６３Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗′ｇ衰するのに要した時間は約４４秒（約４
８秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有す
る事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した
後、白色光を用いて最高帯電電位の２ｏ％の表面電位に
まで明減衰させたとこる必要とされた光量は６．８ルツ
クス・秒（９，０ルツクス・秒）であり、このことから
充分な光感度性態を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として侵れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７［２］乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置
を示す図面である。 第１図　第２図 第３図　　第４図 第５図　　第６図 手続補正書 昭和６２年１０月２１日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
   おいて、該電荷輸送層は少なくとも酸素原子を含有して
   なる水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、該電
   荷発生層は水素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜
   或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜である
   ことを特徴とする感光体。