JPS6382465A

JPS6382465A - 感光体

Info

Publication number: JPS6382465A
Application number: JP22943786A
Authority: JP
Inventors: Shuji Iino; 修司飯野; Mochikiyo Osawa; 大澤　以清; Hideo Yasutomi; 英雄保富
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1986-09-26
Filing date: 1986-09-26
Publication date: 1988-04-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産主上Ω邪月分野本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従来技術カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発き
れ実用化きれてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ビラプリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い°爆発性を有するシラン
未分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も
多い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場
合には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、ア
モルファスシリコンは、元来、比誘電率が窩いため帯電
性能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するため
には膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシ
リコン膜を長時間堆積させなくてはならない。

ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン（Ｍ
、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ。

Ｂｅ　ｌ　ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル
・オブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒ
ｎａｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐ。

ｌｙｍｅｒ　　５ｃｉｅｎｃｅ）第１７巻の第８８５頁
乃至第８９２頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製きれ得る事が、また、同著者により、１９７９年
のアメリカンケミカルソサエティ　　（Ａｍｅｒｉｃａ
ｎ　　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行によるプ
ラズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　　Ｐｏｌ
ｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論じら
れている。。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如＜１０１８Ωｃｍ程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成きれる１０１３〜１０１５Ωａｍの高抵抗のプラズマ
重合膜を１０人〜１００人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５９−
１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。

特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として２００人〜２μｍのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−Ｓｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を０．１〜１μ
ｍ設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１４
８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成き
せる技術が開示されている。特開昭６０−６１７６１号
公報には、表面保護層として、５００人〜２μｍのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示きれ、透光性
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされてている。

特開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５μ
ｍ程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示され、膜厚が５μｍを越えると感光
体活性に悪影響が及ぶとされている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−Ｓｉの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、ａ−Ｓｉの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。

一方、アモルファスシリコン膜については、スピア（Ｗ
、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンバ（Ｐ。

Ｑ、１，６Ｃｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフイ
ロソフィカル・マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ
　　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９
４９頁において、極性制御が可能な材料である事が報じ
られて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて
来た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５６
−６２２５４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公報
、特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１１
９３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、特
開昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７−１７７１
４６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開昭
５７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４９
号公報、特開昭５７−１７４４５０号公報、等に、炭素
原子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示され
ているが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭
素原子により調整する事を目的としたものであり、また
、アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。

Ｕが解ゝしようとする　“ 以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。

本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が酸素原
子とアルカリ金属原子とをを含有せしめる事により、燐
原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してなる
水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜
との積層においては電荷輸送性を有し、容易に好適な電
子写真特性を示し始める事を見出した。その理論的解釈
には本発明者においても不明確な点が多く詳細に亙り言
及はできないが、酸素原子とアルカリ金属原子とを含有
せしめた水素化アモルファスカーボン膜中に捕捉されて
いる比較的不安定なエネルギー状態の電子、例えばπ電
子、不対電子、残存フリーラジカル等が形成するバンド
構造が、燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含
有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲル
マニウム膜が形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電
子帯において近似したエネルギー準位を有するため、燐
原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してなる
水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜
中で発生したキャリアが容易に酸素原子とアルカリ金属
原子とを含有せしめた水素化アモルファスカーボン膜中
へ注入され、さらに、このキャリアは前述の比較的不安
定なエネルギー状態の電子の作用により酸素原子とアル
カリ金属原子とを含有せしめた水素化アモルファスカー
ボン膜中を好適に走行し得るためと推定される。

本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に酸素原子とアルカリ金属原
子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン膜を電
荷輸送層として使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のう
ち少なくとも一方を含有してなる水素化或は弗素化アモ
ルファスシリコンゲルマニウムの薄膜を電荷発生層とし
て使用した感光体を提供する事を目的とする。

”キを　２するための　Ｐ即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される少なくとも酸素原子とアルカリ金属
原子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン膜で
あり、かつ、該電荷発生層が燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有してなる水素化或は弗素化アモル
ファスシリコンゲルマニウム膜であることを特徴とする
感光体に関する（以下、本発明による電荷輸送層をａ−
Ｃ膜及び電荷発生層をａ−３ｉ膜と称する）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能さえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成きれる少なくとも酸素原子とアルカリ金属原子とを含
有してなる水素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ
、電荷発生層として同じくグロー放電により生成される
燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してな
る水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム
膜を設けた事を特徴とする機能分離型感光体に関する。

該電荷輸送層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近
の波長の光に対しては明確なる光導電性は有さないが、
好適な輸送性を有し、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性
、耐環境汚染性等の電子写真感光体性能に優れ、しかも
透光性にも優れるため、機能分離型感光体としての積層
構造を形成する場合においても極めて高い自由度が得ら
れるものである。また、該電荷発生層は、可視光もしく
は半導体レーザー光付近の波長の光に対して優れた光導
電性を有し、しかも従来のアモルファスシリコン感光体
に比べて極めて薄い膜厚で、その機能を活かす事ができ
るものである。

本発明においては、　ａ−Ｃ膜を形成するために有機化
合物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オク
タデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン、
トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、
ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサ
ン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリア
コンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、２．３−ジメチルブタン、２−メチルヘキサン
、３−エチルペンタン、２．２−ジメチルペンタン、２
，４−ジメチルペンタン、３，３−ジメチルペンタン、
トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルへブタン
、２．２−ジメチルヘキサン、２，２．５−ジメチルヘ
キサン、２，２．３−トリメチルペンタン、２．２．４
−トリメチルペンタン、２，３゜３−トリメチルペンタ
ン、２，３．４−トリメチルペンタン、イソナノン、等
のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素と
しては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレン
、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２−ペンテ
ン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ブテン
、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキセン、テトラメチ
ルエチレン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン
、１−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メチ
ルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエン、
シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、オシ
メン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等の
トリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン、１
゜３−ペンタジイン、２，４−へキサジイン、メチルア
セチレン、１−ブチン、２−ブチン、１ニペンチン、１
−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１−ノニン
、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シフａ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ピサボレ
ン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカルブ
レン、デシン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン
、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、ブンイドクメン
、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、
ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチル
ベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフ
ェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタ
リン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、等
が用いられる。

ざらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。

本発明におけるａ−ＣＮ中に含まれる水素原子の量はグ
ロー放電を用いるというその製造面から必然的に定まる
が、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね３０乃至
６０原子％含有される。ここで、炭素原子並びに水素原
子の膜中含有型は、有機元素分析の常法、例えばＣＮＨ
分析を用いる事により知る事ができる。

本発明におけるａ７Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は、
成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが、
例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料炭
化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする、
交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめた
直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの組
合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。

本発明における電荷輸送層としてのａ−Ｃ膜の膜厚は、
通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至５０
ｕｍ、特に７乃至２０ａｍが適当であり、５μｍより薄
いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る事
ができない。また、５０μｍより厚いと、生産性の面で
好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に５μｍ以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送され明減衰に寄
与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ膜中に少な
（とも酸素原子を添加するために酸素化合物が使用され
る。該酸素化合物における相状態は常温常圧において必
ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶
融、蒸発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相
でも固相でも使用可能である。酸素化合物としては、例
えば、酸素、オゾン、水蒸気、−酸化炭素、二酸化炭素
、亜酸化炭素、等の無機化合物、水酸基（−ＯＨ）　、
アルデヒド基（−ＣＯＨ）　、アシル基（ＲＣＯ−、−
ＣＲＯ）　、ケトン基（＞Ｃｏ）　、エーテル結合（−
〇−）、エステル結合（−Ｃｏｏ−）　、酸素を含む複
素環、等の官能基或は結合を有する有機化合物、等が用
いられる。水酸基を有する有機化合物としては、例えば
、メタノール、エタノール、プロパツール、ブタノール
、フリルアルコール、フルオロエタノール、フルオロブ
タノール、フェノール、シクロヘキサノール、ベンジル
アルコール、フルフリルアルコール、等が用いられる。

アルデヒド基を有する有機化合物としては、例えば、ホ
ルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオアルデヒ
ド、ブチルアルデヒド、グリオキサール、アクロレイン
、ベンズアルデヒド、フルフラール、等が用いられる。

アシル基を有する有機化合物としては、例えば、ギ酸、
酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、バルミチン酸、ス
テアリン酸、オレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク
酸、安息香酸、トルイル酸、サリチル酸、ケイヒ酸、ナ
フトエ酸、フタル酸、フラン酸、等が用いられる。ケト
ン基を有する有機化合物としては、例えば、アセトン、
エチルメチルケトン、メチルプロピルケトン、ブチルメ
チルケトン、ビナコロン、ジエチルケトン、メチルビニ
ルケトン、メシチルオキシド、メチルへブテノン、シク
ロブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ア
セトフェノン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、バ
レロフエノン、ジベンジルケトン、アセトナフトン、ア
セトチェノン、アセトフロン、等が用いられる。エーテ
ル結合を有する有機化合物としては、例えば、メチルエ
ーテル、エチルエーテル、プロピルエーテル、ブチルエ
ーテル、アミルエーテル、エチルメチルエーテル、メチ
ルプロピルエーテル、メチルブチルエーテル、メチルア
ミルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチル
エーテル、エチルアミルエーテル、ビニルエーテル、ア
リルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルフリルエ
ーテル、エチルビニルエーテル、エチルフリルエーテル
、アニソール、フエネトール、フェニルエーテル、ベン
ジルエーテル、フェニルベンジルエーテル、ナフチルエ
ーテル、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化トリメチ
レン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロビラン、ジオ
キサン、等が用いられる。エステル結合を有する有機化
合物としては、例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸
プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸アミル、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロ
ピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プ
ロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸アミル、酪
酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、酪酸ブチル、酪
酸アミル、吉草酸メチル、吉草酸エチル、吉草酸プロピ
ル、吉草酸ブチル、吉草酸アミル、安息香酸メチル、安
息香酸エチル、ケイ皮酸メチル、ケイ皮酸エチル、ケイ
皮酸プロピル、サリチル酸メチル、サリチル酸エチル、
サリチル酸プロピル、サリチル酸ブチル、サリチル酸ア
ミル、アントラニル酸メチル、アントラニル酸エチル、
アントラニル酸ブチル、アントラニル酸アミル、フタル
酸メチル、フタル酸エチル、フタル酸ブチル、等が用い
られる。酸素を含む複素環化合物としては、フラン、オ
キサゾール、フラザン、ピラン、オキサジン、モルホリ
ン、ベンゾフラン、バンゾオキサゾール、クロメン、ク
ロマン、ジベンゾフラン、キサンチン、フェノキサジン
、オキソラン、ジオキソラン、オキサチオラン、オキサ
ジアジン、ベンゾイソオキサゾール、等が用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、全構成原子に対して７．０原子％以下である
。ここで酸素原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例
えばオージェ分析により知る事ができる。酸素原子の量
が７．０原子％より高い場合には、少量の添加では好適
な輸送性を保証していた酸素原子が、逆に膜の低抵抗化
を招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。また、酸素
源ガスの一部のもの、例えば、酸素ガス、オゾンガス、
−酸化炭素ガス等においては、エツチング効果が強く現
れ、その流量を増やす事により酸素原子の膜中への添加
量を増加させようとすると、成膜速度が低下し、ある程
度の膜厚が必要とされる電荷輸送層の成膜においては不
−都合となる。従って、本発明における酸素原子添加量
の範囲は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の酸素化合物の導入量を増減することにより制御するこ
とが可能である。酸素化合物の導入量を増大させれば、
本発明によるａ−＝Ｃ膜中への酸素原子の添加量を高く
することが可能であり、逆に酸素化合物の導入量を減少
させれば、本発明によるａ　−Ｃ膜中への酸素原子の添
加量を低くすることが可能である。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ膜中に少な
くともアルカリ金属原子を添加するためにアルカリ金属
化合物が使用される。ここでアルカリ金属原子とは、リ
チウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウ
ム原子、及びセシウム原子を云う。該アルカリ金属化合
物ガスにおける相状態は常温常圧において必ずしも気相
で有る必要はなく、また、むしろ気相状態の化合物は少
ないため、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を
経て気化し得るものであれば、液相でも同相でも使用可
能である。アルカリ金属化合物としては、例えば、金属
アルコラード、金属アクリル酸、金属メタクリル酸、或
は、金属フタロシアニン等を用いる事ができる。

本発明において化学的修飾物質として含有されるアルカ
リ金属原子の量は、全構成原子に対して０．１乃至１０
原子％、好適には０．３乃至５原子％である。ここでア
ルカリ金属原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例え
ばオージェ分析により知る事ができる。アルカリ金属原
子の量がＯ０ｌ原子％より低い場合には、必ずしも好適
な電荷輸送性が保証されず、感度低下もしくは残留電位
の発生等を生じ易くなり、また、経時的感度安定性も保
証されなくなる。アルカリ金属原子の量が１０原子％よ
り高い場合には、適量の添加では好適な電荷輸送性と残
留電位発生防止を保証していたアルカリ金属原子が、逆
に、帯電能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が保証
きれなくなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を招き
易くなる。

従って、本発明におけるアルカリ金属原子の添加量範囲
は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有きれるアルカ
リ金属原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室
への前述のアルカリ金属化合物の導入量を増減すること
により制御することが可能である。アルカリ金属化合物
の導入量を増大させれば、本発明によるａ−Ｃ膜中への
アルカリ金属原子の添加量を高くすることが可能であり
、逆にアルカリ金属化合物の導入量を減少させれば、本
発明によるａ−Ｃ膜中へのアルカリ金属原子の添加量を
低くすることが可能である。

本発明においては、ａ−Ｓｉ膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガスが用いられる。また、ゲルマニウ
ム原子を含有させるために、ゲルマンガスが用いられる
。

本発明におけるａ−５ｉ膜中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量は、シリコン原子とゲルマニウム原子との
総和に対して、３０原子％以下が好ましい。ここで、ゲ
ルマニウム原子及びシリコン原子の含有率は、元素分析
の常法、例えばオージエ分析により知る事ができる。ゲ
ルマニウム原子の含有量は、膜形成時に流入するゲルマ
ンガスの流量を増加する事により窩くなる。ゲルマニウ
ム原子の含有量が高くなるにつれ本発明感光体の長波長
感度は向上し、短波長領域から長波長領域にまで幅広く
露光源が選択きれ得るようになり好ましいが、ゲルマニ
ウム原子が３０原子％より多く含有されると帯電能の低
下を招くため、過剰の添加は好ましくない。従ワて、本
発明におけるａ−３ｉ膜中に含有されるゲルマニウム原
子の含有量は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有きれる燐原子
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して２００００原
子ｐｐｍ以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はＩ
ＭＡ分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が２００００原子ｐｐｍより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性！ＩＩ御効果
を保証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗
化を招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、
本発明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要
である。

本発明におけるａ−３ｉ膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね１ｏ乃至３５原
子％含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばＯＮＨ分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−Ｓｉ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、０．１乃
至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、５μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このａ−３ｉｌｌは電荷発生能に富み
、さらに、本発明の最も特徴とするところのａ−ＣＩＩ
５ｉとの積層構成において効率よ＜ａ−Ｃ膜中に発生キ
ャリアを注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能
である。

本発明における原料気体からａ−３ｉ膜を形成する過程
は、ａ−ＣＭを形成する場合と同様にして行なわれる。

本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応
室への前述のホスフィンガス或はジボランガスの導入量
を増減することにより制御することが可能である。ホス
フィンガス或はジボランガスの導入量を増大させれば、
本発明によるａ−３ｔ膜中への燐原子或は硼素原子の添
加量を高くすることが可能であり、逆にホスフィンガス
或はジボランガスの導入量を減少させれば、本発明によ
るａ−３ｉ膜中への燐原子或は硼素原子の添加量を低く
することが可能である。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送ＷＪ（２）と電荷発生層（３）を順次積層してな
る構成を示したものである。第２図は、別の一形態とし
て、導電性基板（１）上に電荷発生層（３）と電荷輸送
層（２）を順次積層してなる構成を示したものである。

第３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に、
電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２
）を順次積層してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子−が電荷輸送層（２）中を感光
体表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発
生した正孔が導電性基板側の電荷輸送層（２）中を導電
性基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発生層
（３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（２）中を
感光体表面に向は走行し、好適な明滅衰に保証きれた静
電潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電
した後、画像露光して使用する場合においては、電子と
正孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれ
ばよい。第２図及び第３図では、画像露光用の照射光が
電荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷
輸送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行
なうことが可能である。

第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面保護層（
４）を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第１図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいａ−３ｉ膜
で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を確
保するために表面保護層を設けることが好ましい。第２
図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久性に優れたａ
−Ｃ膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、例
えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止するよ
うな、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調整
する目的から、表面保護層を設けることもさらなる一形
態と成りうる。

第５図は、さらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面がａ−３ｉ膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第１図及び第３図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。

第６図は、さらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第２図及び第３図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるａ−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５μｍ以下
に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積させる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６タ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（
７１８）に接続されている。図中（７１９）〜（７２１
）は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化のた
め第１乃至第３温調器（７２２）〜（７２４）により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調節弁
（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制御器（７
２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガスは
混合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）を介
して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（
７３６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器
（７３７）により与熱可能とされている。電力印加電極
（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を介し
て高周波電源（７３９Ｌ低周波電力用整合器（７４０）
を介して低周波電源（７４１Ｌローパスフイルタ（７４
２）を介して直流電源（７４３）が接続されており、接
続選択スイッチ（７４４）により周波数の異なる電力が
印加可能ときれている。反応室（７３３）内の圧力は圧
力制御弁（７４５）により調整可能であり、反応室（７
３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を介して、
拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポンプ（７４８）　、
或は、冷却除外装置（７４９）　、メカニカルブースタ
ーポンプ（７５０）　、油回転ポンプ（７４８）により
行なわれる。排ガスについては、さらに適当な除外装置
（７５３）により安全無害化した後、大気中に排気され
る。これら排気系配管についても、常温において液相ま
たは固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途
中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器（７
３４）により、与熱可能とされている。反応室（７３３
）も同様の理由から反応室加熱器（７５１）により与熱
可能とされ、内部に配された電極上に導電性基板（７５
２）が設置される。第７図において導電性基板（７５２
）は接地電極（７３５）に固定して配きれているが、電
力印加電極（７３６）に固定して配されてもよく、さら
に双方に配されてもよい。

第８図は本発明に係わる電子写真感光体の製造装置の別
の一形態を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、
第７図に示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様
であり、付記された番号は、７００番台のものを°８０
０番台に置き換えて解すればよい。第８図において、反
応室（８３３）内部には、第７図における接地電極（７
３５）を兼ねた円筒形の導電性基板（８５２）が設置き
れ、内側には電極加熱器（８３７）が配きれている。

導電性基板（８５２）周囲には同じく円周形状をした電
力印加電極（８３６）が配され、外側には電極加熱器（
８３７）が配されている。導電性基板（８５２）は、外
部より駆動モータ（８５４）を用いて自転可能となって
いる。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１０−’Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃至
第３容器から、原料ガスを適宜第１乃至第９流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。

両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の膜が形成される。ａ−Ｓｉ膜或はａ−Ｃ膜は、原料ガ
スを代える事により任意に形成可能である。放電を一旦
停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開す
れば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放電
を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異な
る組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能であ
る。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

去施劃１本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程：第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，７０
８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より
水素ガス、第２タンク（７０２）よりアセチレンガス、
及び第３タンク（７０３）より二酸化炭素ガスを各々出
力圧１゜０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流
量制御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させ
た。同時に、第２容器（７２０）よりリチウムターシャ
リ−ブチラードガスを第２温調器（７２３）温度２２０
℃のもとで第８流量制御器（７２９）内へ流入させた。

各々の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を
２００ｓｅｃｍ、アセチレンガスの流量を５０ｓｅｃｍ
、、二酸化炭素ガスの流量を１０ｓ１０５ｅ及びリチウ
ムターシャリ−ブチラードガスの流量を１８ｓｅｃｍと
なるように設定して、途中混合器（７３１）を介して、
主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各
々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が
２．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調
整した。一方、導電性基板（７５２）としては、縦５０
×横５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め
２２０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した
状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続し
ておいた高周波電源（７３９）を投入し、電力中加電１
（７３６）に２２０Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６
ＭＨｚの下で印加して約２時間１５分プラズマ重合反応
を行ない、導電性基板（７５２）上に厚さ１５μｍのａ
−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電
力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を
充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
性なつたところ、含有される水素原子の量は炭素原子と
水素原子の総量に対して３３原子％であった。また、オ
ージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、リ
チウム原子の量は全構成原子に対して３．４原子％であ
った。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対して
０．９原子％であフた。

電荷発生層形成工程：次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）　、及び第６調節弁（７１２）を
解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タン
ク（７０２）からゲルマンガス、及び第６タンク（７０
６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／Ｃｍ２の下で第
１、第２、及び第６流量制御器（７１３，７１４、及び
７１８）内へ流入させた。同時に、第４調節弁（７１０
）を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガスで１１
００ｐｐに希釈されたジボランガスを、出力圧１゜５Ｋ
ｇ／ｃｍ２の下で第４流量制御器（７１６）内へ、流入
させた。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量
を２００ｓｅｃｍ、ゲルマンガスの流量を６ｓｃｃｍｑ
シランガスの流量を１００８　ＣＣｍ　ｓ水素ガスでｉ
ｏｏｐｐｍに希釈されたジボランガスの流量を１０１０
５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々
の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１
．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整
した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７
５２）は、２４０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力
が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１
３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４０Ｗ
ａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この
放電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得
た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して１８原子％、硼素原子は１０原子１）　
９ｍＮゲルマニウム原子は９．７原子％であった。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５００Ｖ　（＋４８０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３３Ｖ／μｍ（３１Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１２秒（約１４
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要ときれた光量は１．３ルツク
ス・秒（１，２ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。また、最高帯
電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発光波長
７８０ｎｍ）を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位
にまで明減衰させたところ必要とされた光量は８．９ｅ
ｒｇ／ｃｍ２（７，７ｅｒｇ／ｃｍ２）であり、このこ
とから充分な長波長光感度性能を有する事が理解された
。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

実施伝旦本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程：第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，
７０８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）
より水素ガス、第２タンク（７０２）よりエチレンガス
、及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力圧
１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流量制
御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させた。

同時に、第２容器（７２０）よりカリウムメタクリレー
ト（Ｋ−ＭＡ）ガスを第２温調器（７２３）温度２９０
℃のもとで第８流量制御器（７２９）内へ流入させた。

各々の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を
７０３　ＣＣｍ　ｓエチレンガスの流量を７０ｓｅｃｍ
１酸素ガスの流量を４Ｓ　ＣＣｍ　Ｎ及びカリウムメタ
クリレートガスの流量を８ｓｅｃｍとなるように設定し
て、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）よ
り反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定し
た後に、反応室（７３３）内の圧力が２．２Ｔ。

ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、導電性基板（７５２）としては、樅５０×横５０×
厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２３０℃に
加熱してお苦、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた高
周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）
に２２ＯＷａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下
で印加して約３時間プラズマ重合反応を行ない、導電性
基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送
層として形成した。成膜完了少は、電力印加を停止し、
調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
性なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原子と
水素原子の総量に対して４３原子％であった。また、オ
ージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、カ
リウム原子の量は全構成原子に対して０．６原子％であ
った。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対して
１．１原子％であった。

電荷発生層形成工程：次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク
（７０２）からゲルマンガス、及び第６タンク（７０６
）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１
、及び第６流量制御器（７１３、及び７１８）内へ流入
させた。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４
タンク（７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈さ
れたホスフィンガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下
で第４流量制御器（７１６）内へ、流入させた。各流量
制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃ
ｍ、ゲルマンガスの流量を６８　ＣＣｍｓシランガスの
流量を１００１００５ｅ水素ガスで１１００ｐｐに希釈
されたホスフィンガスの流量を１０１０５ｅに設定し、
反応室（７３３）内に流入させた。各々の流量が安定し
た後に、反応室（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒと
なるように圧力調節弁（７４５）を調整した。

一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）
は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５
６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４０Ｗａｔｔ
の電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を
５分間行ない、厚さ０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２０原子％、燐原子は１１原子ｐＰｍｓ
ゲルマニウム原子は１０原子％であった。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一４００Ｖ　（＋６００Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は２６Ｖ／μｍ　（３９Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１０秒（約１６
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は１．１ルツク
ス・秒（２，３ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度硅能を有する事が理解された。

実施性旦本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程：第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，
７０８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）
より水素ガス、第２タンク（７０２）よりブタジェンガ
ス、及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力
圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流量
制御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させた
。

同時に、第２容器（７２０）よりリチウムターシャリ−
ブチラードガスを第２温調！（７２３）温度１７０℃の
もとで第８流量制御器（７２９）内へ流入させた。各々
の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を７０
ｓｅｃｍ、ブタジェンガスの流量を７０ｓｅｃｍ、酸素
ガスの流量を４ｓｃＣｍ、及びリチウムターシャリ−ブ
チラードガスの流量を８ｓｅｃｍとなるように設定して
、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）より
反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した
後に、反応室（７３３）内の圧力が２．２Ｔｏｒｒとな
るように圧力調節弁（７４５）を調゛整した。一方、導
電性基板（７５２）としては、１Ｚ５０Ｘ横５０×厚３
ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１５０℃に加熱
しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接
続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低周波
電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）に１
５０Ｗａｔｔの電力を周波数６００ＫＨｚの下で印加し
て約４５分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板（
７５２）上に厚さ１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層とし
て形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁
を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につぎ有機元素分析
性なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子と
水素原子の総量に対して５３原子％であった。また、オ
ージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、リ
チウム原子の量は全構成原子に対して１．７原子％であ
った。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対して
０．８原子％であった。

電荷発生層形成工程：次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第３調節弁（７０９）、及び第
６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）から四弗化シランガ
ス、第３タンク（７０２）からゲルマンガス、及び第６
タンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃ
ｍ２の下で第１、第２、第３、及び第６流量制御器（７
１３，７１４，７１５、及び７１８）内へ流入させた。

同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（
７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボ
ランガスを、出力圧１゜５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量
制御器（７１６）内へ、流入きせた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、四弗化
シランガスの流量を５０ｓｅｃｍ、ゲルマンガスの流量
を６　ｓ　ｃ　Ｃｍｓシランガスの流量を５０ｓｅｃｍ
。

及び水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボランガス
の流量を１０１０５ｅとなるように設定し、反応室（７
３３）内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反
応室（７３３）内の圧力が０．９Ｔｏｒｒとなるように
圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形
成きれている導電性基板（７５２）は、２３０℃に加熱
しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波
電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力
印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グ
ロー放電を発生させた。この放電を５分間行ない、厚き
０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２４原子％、硼素原子は１０原子ｐｐｍ
、弗素原子は５原子％、ゲルマニウム原子は１０．５原
子％であった。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５５０Ｖ　（＋５５０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３６■／μｍ　（３６Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１４秒（約１７
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は１．６ルツク
ス・秒（１，４ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

実施例４本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの頭に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程：第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，７０
８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より
水素ガス、第２タンク（７０２）よりブタジインガス、
及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力圧１
．０Ｋｇ／ｃｍ１の下で第１、第２、及び第３流量制御
器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させた。

同時に、第２容器（７２０）よりカリウムメタクリレー
ト（Ｋ−ＭＡ）ガスを第２温調器（７２３）温度２６０
℃のもとで第８流量制御器（７２９）内へ流入させた。

各々の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を
１２０ｓｅｃｍｓブタジインガスの流量を５０ｓｅｃｍ
、酸素ガスの流量を６ｓｅｃｍｓ及びカリウムメタクリ
レートガスの流量を５ｓｅｃｍとなるように設定して、
途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）より反
応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した後
に、反応室（７３３）内の圧力が２．２Ｔｏｒｒとなる
ように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電性
基板（７５２）としては、樅５０Ｘ横５０×厚３ｍｍの
アルミニウム基板を用いて、予め２３０℃に加熱してお
き、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択
スイッチ（７４４）により接続しておいた低周波電源（
７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）に１７０Ｗ
ａｔｔの電力を周波数８００ＫＨｚの下で印加して約１
時間３０分プラズマ重合反応を行ない、導電性基板（７
５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層として
形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を
閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−σ膜につき有機元素分析
性なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子と
水素原子の総量に対して４１原子％であった。また、オ
ージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、カ
リウム原子の量は全構成原子に対して０．９原子％であ
７た。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対して
１．８原子％であった。

電荷発生層形成工程：次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第３調節弁（７０９）、及び第
６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）から四弗化シランガ
ス、第３タンク（７０３）からゲルマンガス、及び第６
タンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃ
ｍ２の下で第１、第２、第３、及び第６流ｆＲ＠御器（
７１３，７１４，７１５、及び７１８）内へ流入させた
。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク
（７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたホ
スフィンガスを、出力圧１゜５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４
流量制御器（７１６）内へ流入きせた。各流量制御器の
目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ１ゲル
マンガスの流量を６ｓｅｃｍｓ四弗化シランガスの流量
を５０ｓｅｃｍ、シランガスの流量を５０ｓｅｃｍ。

水素ガスで１１００ｐｐに希釈きれたホスフィンガスの
流量を１０１０５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流
入きせた。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３
）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（
７４５）を調整した。

一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）
は、２４０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５
６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４０Ｗａｔｔ
の電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を
５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２６原子％、燐原子は１３原子ｐｐｍ、
弗素原子は５．６原子％、ゲルマニウム原子は９．８原
子％であった。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時のり１１定値を括弧内に示すが、
最高帯電電位は一５９０Ｖ　（＋８６０Ｖ）で有り、即
ち、全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ
当りの帯電能は４０Ｖ／μｍ（５６Ｖ／μｍ）と極めて
高く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解さ
れた。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１９秒（約３０
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要ときれた光量は２．３ルツク
ス・秒（５，０ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

＾旅例互本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程：第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、及び第３調節弁（７０７、及び７
０９）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、
及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力圧１
．０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、及び第３流量制御器（７
１３、及び７１５）内へ流入させた。同時に、第１容器
（７１９）よりスチレンガスを第１温調器（７２２）温
度４０℃のもとで第７流量制御器（７２８）内へ、並び
に、第２容器（７２０）よりリチウムターシャリ−ブチ
ラードガスを第２温調器（７２３）温度１７０℃のもと
で第８流量制御器（７２９）内へ流入させた。各々の流
量側ａＩＩ器の目盛を調整して、水素ガスの流量を７０
８　ＣＣｍ　％スチレンガスの流量を４０ｓｅｃｍ、酸
素ガスの流量を１０ｓ１０５ｅ及びリチウムターシャリ
−ブチラードガスの流量を８ｓｅｃｍとなるように設定
して、途中Ｒ合Ｎ　（７３１）　を介して、主ｖ（７３
２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が
安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が２゜２Ｔｏ
ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、導電性基板（７５２）としては、！５０Ｘ横５０×
厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め９０℃に加
熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め
接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低周
波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）に
１５０Ｗａｔｔの電力を周波数１２０ＫＨｚの下で印加
して約４５分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板
（７５２）上に厚さ１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層と
して形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節
弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ’Ｂにつき有機元素分
析行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して４７原子％であった。また、
オージェ分析より含有きれるアルカリ金属原子、即ち、
リチウム原子の量は全構成原子に対して１．７原子％で
あった。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対し
て２．１原子％であった。

電荷発生層形成工程：次いで、実施例１と同様にして本発明による感光体の電
荷発生層を形成した。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一４３０Ｖ　（＋４９０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５６３ａｍであることから１μｍ当り
の帯電能は２８Ｖ／μｍ　（３２Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約８秒（約１２秒
）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いて最高帯電電位の２ｏ％の表面電位にまで
明減衰させたところ必要とされた光量は１．５ルツクス
・秒（１゜２ルツクス・秒）であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解された。また、最高帯電
電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発光波長７
８０ｎｍ）を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位に
まで明減衰させたところ必要とされた光量は１０．４ｅ
ｒｇ／ｃｍ２（７，６ｅｒｇ／ｃｍ２）であり、このこ
とから充分な長波長光感度性能を有する事が理解された
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７図乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。出願人　ミノルタカメラ株式会社第１図第２図第４図第６図手続補正書昭和６２年１０月２１日

Claims

【特許請求の範囲】

電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
おいて、該電荷輸送層は少なくとも酸素原子とアルカリ
金属原子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン
膜であり、かつ、該電荷発生層は燐原子及び硼素原子の
うち少なくとも一方を含有してなる水素化アモルファス
シリコンゲルマニウム膜或は燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有してなる弗素化アモルファスシリ
コンゲルマニウム膜であることを特徴とする感光体。