JPS6382452A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産！よΩ利里分野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従来技術 カールソン法の発明以来、電子写真の応眉分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発き
れ実用化されてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に＠された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉廖状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。さらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比Ｍ電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてはならない。

ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン（Ｍ
、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ。

Ｂｅ１ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐ。

ｌｙｍｅｒ　　５ｃｉｅｎｃｅ）第１７巻の第８８５頁
乃至第８９２頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製され得る事が、また、同著者により、１９７９年
のアメリカンケミカルソサエティ　　（Ａｍｅｒｉｃａ
ｎ　　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行によるプ
ラズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　　Ｐｏｌ
ｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論じら
れている。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有ａ！重合
膜は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそ
れらの膜は通常のポリエチレン膜の如＜１０’６Ωｃｍ
程度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なく
ともそのような膜であるとの認識のもとに用いられてい
た。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識
から、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層
に限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバ
ーコート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される１０１３〜１０Ｉ５Ωｃｍの高抵抗のプラズマ
重合膜を１０人〜１００人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５９−
１３６７４２号公報には、アルミ基板上もこ投けたアモ
ルファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散す
るのを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭
素膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている
。特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とそ
の上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善
するために、接着層として２００人〜２μｍのダイヤモ
ンド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電
荷の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
′電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−３
ｉの有する前記した本質的問題を解決するものではない
。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を０．１〜１μ
ｍ設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１４
８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保８Ｗ層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水
素モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成
させる技術が開示されている。特開昭６０−６１７６１
号公報には、表面保護層として、５００人〜２μｍのダ
イヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示きれ、透光
性の面から膜厚ば２μｍ以下が好ましいとされてている
。特開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５
μｍ程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層と
して用いる技術が開示され、膜厚が５μｍを越えると感
光体活性に悪影響が及ぶとされている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−Ｓｉの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、ａ−Ｓｉの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。

一方、アモルファスシリコン膜については、スピア（Ｗ
、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンバ（Ｐ。

Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　
　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９４
９頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５６−
６２２５４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公報、
特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１１９
３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、特開
昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７−１７７１４
６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開昭５
７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４９号
公報、特開昭５７−１７４４５０号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示されて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。

発明が　°　しようとする間ｒ、Φ 易上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。

本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が酸素原
子とアルカリ金属原子とをを含有せしめる事により、燐
原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると共
に窒素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルファ
スシリコン膜との積層においては電荷輸送性を有し、容
易に好適な電子写真特性を示し始める事を見出した。そ
の理論的解釈には本発明者においても不明確な点が多く
詳細に亙り言及はできないが、酸素原子とアルカリ金属
原子とを含有せしめた水素化アモルファスカーボン膜中
に捕捉されている比較的不安定なエネルギー状態の電子
、例えばπ電子、不対電子、残存フリーラジカル等が形
成するバンド構造が、燐原子及び硼素原子のうち少なく
とも一方を含有すると共に窒素原子を含有してなる水素
化或は弗素化アモルファスシリコン膜が形成するバンド
構造と電導帯もしくは荷電子帯において近似したエネル
ギー準位を有するため、燐原子及び硼素原子のうち少な
くとも一方を含有すると共に窒素原子を含有してなる水
素化或は弗素化アモルファスシリコン膜中で発生したキ
ャリアが容易に酸素原子とアルカリ金属原子とを含有せ
しめた水素化アモルファスカーボン膜中へ注入され、ざ
らに、このキャリアは前述の比較的不安定なエネルギー
状態の電子の作用により酸素原子とアルカリ金属原子と
を含有せしめた水素化アモルファスカーボン膜中を好適
に走行し得るためと推定される。

本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に酸素原子とアルカリ金属原
子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン膜を電
荷輸送層として使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のう
ち少なくとも一方を含有すると共に窒素原子を含有して
なる水素化或は弗素化アモルファスシリコンの薄膜を電
荷発生層として使用した感光体を提供する事を目的とす
る。

Ｉｌ壱を７゛するための　戸 即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される少なくとも酸素原子とアルカリ金属
原子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン飲で
あり、かつ、該電荷発生層が燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有すると共に窒素原子を含有してな
る水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜であること
を特徴とする感光体に関する（以下、本発明による電荷
輸送層をａ−Ｃ膜及び電荷発生層をａ−Ｓｉ膜と称する
）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能ざえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される少なくとも酸素原子とアルカリ金属原子とを含
有してなる水素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ
、電荷発生層として同じくグロー放電により生成される
燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると
共に窒素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルフ
ァスシリコン膜を設けた事を特徴とする機能分離型感光
体に関する。該電荷輸送層は、可視光もしくは半導体レ
ーザー光付近の波長の光に対しては明確なる光導電性は
有ざないが、好適な輸送性を有し、ざらに、帯電能、耐
久性、耐候性、耐環境汚染性等の電子写真感光体性能に
優れ、しかも透光性にも優れるため、機能分離型感光体
としての積層構造を形成する場合においても極めて高い
自由度が得られるものである。また、該電荷発生層は、
可視光もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に対し
て優れた光導電性を有し、しかも従来のアモルファスシ
リコン感光体に比べて極めて薄い膜厚で、その機能を活
かす事ができるものである。

本発明においては、ａ−ＣＰｊｉを形成するために有機
化合物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘキサデカン、オク
タデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン、
トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、
ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサ
ン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリア
コンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、２．３−ジメチルブタン、２−メチルヘキサン
、３−エチルペンタン、２，２−ジメチルペンタン、２
．４−ジメチルペンタン、３，３−ジメチルペンタン、
トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルへブタン
、２．２−ジメチルヘキサン、２，２．５−ジメチルヘ
キサン、２．２．３−）リンチルベンタン、２，２．４
−トリメチルペンタン、２，３゜３−トリメチルペンタ
ン、２．３．４−トリメチルペンタン、イソナノン、等
のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素と
しては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレン
、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２−ペンテ
ン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ブテン
、２−メチル−２−ブテン、ｌ−ヘキセン、テトラメチ
ルエチレン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン
、１−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メチ
ルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエン、
シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、オシ
メン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等の
トリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン、１
゜３−ペンタジイン、２．４−へキサジイン、メチルア
セチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペンチン、１
−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１−ノニン
、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタジェン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルピノレン、フエランドレン、シルベストレン、
ツエン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フ
エンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボ
レン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネン
セスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレ
ン、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドヵル
ブレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が
用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメ
ン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン
、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチ
ルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ピ
フェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェ
ニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフ
タリン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、
等が用いられる。

ざらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
グミ−放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね３ｏ乃
至６ｏ原子％含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばＣＮ
Ｈ分析を用いる事により知る事ができる。

本発明におけるａ　−ＣＪ［ｉ中に含まれる水素原子の
量は、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化す
るが、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、
原料炭化水素ガスの希釈率を低（する、印加電力を高く
する、交番電界の周波数を低くする、交＠電界に重畳せ
しめた直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これ
らの組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する
。

本発明における電荷輸送層としてのａ　−Ｃ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至５
０　ｕ　ｍ　％特に？乃至２０μｍが適当であり、５μ
ｍより薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度
を得る事ができない。また、５０ｔ１ｍより厚いと、生
産性の面で好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高１！＃抵抗を有するとと
もに電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に５μｍ以上と
してもキャリアはトラップされる事態（輸送され明減衰
に寄与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成きれるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ膜中に少な
くとも酸素原子を添加するために酸素化合物が使用され
る。該酸素化合物における相状態は常温常圧において必
ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶
融、蒸発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相
でも固相でも使用可能である。酸素化合物としては、例
えば、酸素、オゾン、水蒸気、−酸化炭素、二酸化炭素
、亜酸化炭素、等の無機化合物、水酸基（−ＯＨ）　、
アルデヒド基（−ＣＯＨ）　、アシル基（ＲＣ○−１−
ＣＲＯ）　、ケトン基（＞Ｃｏ）、エーテル結合（−〇
−）、エステル結合（−ＣＯＯ−）、酸素を含む複素環
、等の官能基或は結合を有する有機化合物、等が用いら
れる。水酸基を有する有機化合物としては、例えば、メ
タノール、エタノール、プロパツール、ブタノール、フ
リルアルコール、フルオロエタノール、フルオロブタノ
ール、フェノール、シクロヘキサノール、ベンジルアル
コール、フルフリルアルコール、等が用いられる。アル
デヒド基を有する有機化合物としては、例えば、ホルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオアルデヒド、
ブチルアルデヒド、グリオキサール、アクロレイン、ベ
ンズアルデヒド、フルフラール、等が用いられる。アシ
ル基を有する有機化合物としては、例えば、ギ酸、酢酸
、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、バルミチン酸、ステア
リン酸、オレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、
安息香酸、トルイル酸、サリチル酸、ケイビ酸、ナフト
エ酸、フタル酸、フラン酸、等が用いられる。ケトン基
を有する有機化合物としては、例えば、アセトン、エチ
ルメチルケトン、メチルプロピルケトン、ブチルメチル
ケトン、ビナコロン、ジエチルケトン、メチルビニルケ
トン、メシチルオキシド、メチルへブテノン、シクロブ
タノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセト
フェノン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、バレロ
フエノン、ジベンジルケトン、アセトナフトン、アセト
チェノン、アセトフロン、等が用いられる。エーテル結
合を有する有機化合物としては、例えば、メチルエーテ
ル、エチルエーテル、プロピルエーテル、ブチルエーテ
ル、アミルエーテル、エチルメチルエーテル、メチルプ
ロピルエーテル、メチルブチルエーテル、メチルアミル
エーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエー
テル、エチルアミルエーテル、ビニルエーテル、フリル
エーテル、メチルビニルエーテル、メチルフリルエーテ
ル、エチルビニルエーテル、エチルフリルエーテル、ア
ニソール、フエネトール、フェニルエーテル、ベンジル
エーテル、フェニルベンジルエーテル、ナフチルエーテ
ル、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化トリメチレン
、テトラヒドロフラン、テトラヒドロビラン、ジオキサ
ン、等が用いられる。エステル結合を有する有機化合物
として４＞、例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プ
ロピル、ギ酸ブチル、ギ酸アミル、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピ
オン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロ
ピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸アミル、酪酸
メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、酪酸ブチル、酪酸
アミル、吉草酸メチル、吉草酸エチル、吉草酸プロピル
、吉草酸ブチル、吉草酸アミル、安息香酸メチル、安息
香酸エチル、ケイ皮酸メチル、ケイ皮酸エチル、ケイ皮
酸プロピル、サリチル酸メチル、サリチル酸エチル、サ
リチル酸プロピル、サリチル酸ブチル、サリチル酸アミ
ル、アントラニル酸メチル、アントラニル酸エチル、ア
ントラニル酸ブチル、アントラニル酸アミル、フタル酸
メチル、フタル酸エチル、フタル酸ブチル、等が用いら
れる。酸素を含む複素環化合物としては、フラン、オキ
サゾール、ブテノン、ビラン、オキサジン、モルホリン
、ベンゾフラン、バンゾオキサゾール、クロメン、クロ
マン、ジベンゾフラン、キサンチン、フェノキサジン、
オキソラン、ジオキソラン、オキサチオラン、オキサジ
アジン、ベンゾイソオキサゾール、等が用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、全構成原子に対して７．０原子％以下である
。ここで酸素原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例
えばオージェ分析により知る事ができる。酸素原子の量
が７．０原子％より高い場合には、少量の添加では好適
な輸送性を保証していた酸素原子が、逆に膜の低抵抗化
を招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。また、酸素
源ガスの一部のもの、例えば、酸素ガス、オゾンガス、
−酸化炭素ガス等においては、エツチング効果が強く現
れ、その流量を増やす事により酸素原子の膜中への添加
量を増加きせようとすると、成膜速度が低下し、ある程
度の膜厚が必要とされる電荷輸送層の成膜においては不
都合となる。従って、本発明における酸素原子添加量の
範囲は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の酸素化合物の導入量を増減することにより制御するこ
とが可能である。酸素化合物の導入量を増大させれば、
本発明によるａ　−Ｃ膜中への酸素原子の添加量を高く
することが可能であり、逆に酸素化合物の導入量を減少
させれば、本発明によるａ　−Ｃ膜中への酸素原子の添
加量を低くすることが可能である。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ膜中に少な
くともアルカリ金属原子を添加するためにアルカリ金属
化合物が使用きれる。ここでアルカリ金属原子とは、リ
チウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウ
ム原子、及びセシウム原子を云う。該アルカリ金属化合
物ガスにおける相状態は常温常圧において必ずしも気相
で有る必要はなく、また、むしろ気相状態の化合物は少
ないため、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を
経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可
能である。アルカリ金属化合物としては、例えば、金属
アルコラード、金属アクリル酸、金属メタクリル酸、或
は、金属フタロシアニン等を用いる事ができる。

本発明において化学的修飾物質として含有きれるアルカ
リ金属原子の量は、全構成原子に対して０．１乃至１０
原子％、好適には０．３乃至５原子％である。ここでア
ルカリ金属原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例え
ばオージェ分析により知る事ができる。アルカリ金属原
子の量が０゜１原子％より低い場合には、必ずしも好適
な電荷輸送性が保証されず、感度低下もしくは残留電位
の発生等を生じ易くなり、また、経時的感度安定性も保
証されなくなる。アルカリ金属原子の量が１０原子％よ
り高い場合には、適量の添加では好適な電荷輸送性と残
留電位発生防止を保証していたアルカリ金属原子が、逆
に、帯電能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が保証
されなくなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を招き
易くなる。

従って、本発明におけるアルカリ金属原子の添加量範囲
は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有きれるアルカ
リ金属原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室
への前述のアルカリ金属化合物の導入量を増減すること
により制御することが可能である。アルカリ金属化合物
の導入量を増大させれば、本発明によるａ−Ｃ膜中への
アルカリ金属原子の添加量を高くすることが可能であり
、逆にアルカリ金属化合物の導入量を減少させれば、本
発明によるａ−Ｃ膜中へのアルカリ金属原子の添加量を
低くすることが可能である。

本発明においては、ａ　　Ｓ　を膜を形成するためにシ
ランガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用い
られる。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原
子を膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフ
ィンガス或はジボランガス等が用いられる。さらに、化
学的修飾物質として窒素原子を膜中に含有せしめるため
の原料ガスとして、窒素ガス、アンモニアガス、！Ｔｉ
酸化窒素ガス、或は、二酸化窒素ガス、等の窒素化合物
ガスが用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して２００００原
子ｐｐｍ以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はＩ
ＭＡ分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が２００００原子ｐｐｍより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制御効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。

本発明において化学的修飾物質として含有される窒素原
子の量は、全構成原子に対して０．００１乃至３原子％
である。ここで窒素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はＩＭＡ分析により知る事が
できる。窒素原子の膜中含有量が０．００１原子％より
低い場合には、ａ−Ｓｉ膜の電気抵抗値が低くなる事か
らａ−Ｓｉ１１！Ｊにコロナ帯電等による電界がかかり
にくくなり、光励起キャリアが必ずしも効率よ＜ａ−Ｃ
膜中に注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯電
能も低下する。窒素原子の膜中含有量が３原子％より高
い場合には、ａ−Ｓｉ膜の電気抵抗値が高くなりすぎ、
光励起キャリアの発生効率の低下及びキャリアの易動速
度の低下により、感度低下を招く。従って、本発明にお
ける窒素原子添加量の範囲は重要である。

本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね１０乃至３５原
子％含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばＯＮＨ分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−３ｉ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、０．１乃
至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、５μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このａ−Ｓｉ膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのａ−Ｃ膜との
積層構成において効率よ＜ａ−Ｃ膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ−Ｓｉ膜を形成する過程
は％ａ−ｃ膜を形成する場合と同様にして行なわれる。

本発明において化学的修飾物質として含有される窒素原
子、燐原子、或は、硼素原子の量は、主に、プラズマ反
応を行なう反応室への前述の窒素化合物ガス、ホスフィ
ンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減することに
より制御することが可能である。窒素化合物ガス、ホス
フィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるａ−Ｓｉ膜中への窒素原子、燐原子、
或は、硼素原子の添加量を高くすることが可能であり、
逆に窒素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、ジボラン
ガスの導入量を減少させれば、本発明によるａ−Ｓｉ膜
中への窒素原子、燐原子、或は、硼素原子の添加量を低
くすることが可能である。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を順次積層してなる
構成を示したものである。第２図は、別の一形態として
、導電性基板（１）上に電荷発生Ｎ（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。第
３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に、電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送Ｎ（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体
表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層（２）中を導電性
基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発生層（
３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（２）中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第２図及び第３図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。

第４図は、さらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面保護層（
４）を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第１図の形態では、最表面が＃４湿性に乏しいａ−３ｉ
ＢＩＡで有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定
性を確保するために表面保護層を設けることが好ましい
。第２図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久性に優
れたａ−Ｃ膜であるため表面保護層を設けなくてもよい
が、例えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止
するような、複写機内の各種エレメントに対する整合性
を調整する目的から、表面保護層を設けることもざらな
る一形態と成りうる。

第５図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面がａ−３ｉ膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第１図及び第３図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。

第６図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第２図及び第３図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるａ−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５μｍ以下
に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆ｍさせる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６タ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（
７１８）に接続されている。図中（７１９）〜（７２１
）は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化のた
め第１乃至第３温調器（７２２）〜（７２４）により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調節弁
（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制都器（７
２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガスは
混合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）を介
して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（
７３６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器
（７３７）により与熱可能とされている。電力印加′Ｔ
ｉ１（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を
介して高周波電源（７３９）　、低周波電力用整合器（
７４０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィ
ルタ（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続され
ており、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異
なる電力が印加可能とされている。反応室（７３３）内
の圧力は圧力制御弁（７４５）により調整可能であり、
反応室（７３３）内の減圧は、排気系遷択弁（７４６）
を介して、拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポンプ（７
４８）　、或は、冷却除外装置（７４９）、メカニカル
ブースターポンプ（７５０）、油回転ポンプ（７４８）
により行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な除
外装置（７５３）により安全無害化した後、大気中に排
気される。これら排気系配管についても、常温において
液相または固相状態にあった原料化合物が気化したガス
が、途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱
器（７３４）により、与熱可能ときれている。反応室（
７３３）も同様の理由から反応室加熱器（７５１）によ
り与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性基板
（７５２）が設Ｗされる。第７図において導電性基板（
７５２）は接地電極（７３５）に固定して配されている
が、電力印加量ｆｆ１（７３６）に固定して配されても
よく、ざらに双方に配されてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、７００番台のものを８００番台に置
き換えて解すればよい。第８図において、反応室（８３
３）内部には、第７図における接地電極（７３５）を兼
ねた円筒形の導電性基板（８５２）が設置され、内側に
は電極加熱器（８３７）が配されている。導電性基板（
８５２）周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極（
８３６）が配され、外側には電極加熱器（８３７）が配
されている。導電性基板（８５２）は、外部より駆動モ
ータ（８５４）を用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃至
第３容器から、原料ガスを適宜第１乃至第９流量制都器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調筋
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。

両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の膜が形成きれる。ａ−Ｓｉ膜或はａ−Ｃ膜は、原料ガ
スを代える事により任意に形成可能である。放電を一旦
停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開す
れば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放電
を持続きせながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異な
る組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能であ
る。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

去施透１ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１．０−６Ｔ　ｏ　ｒ　ｒ程度
の高真空にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０
７，７０８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０
１）より水素ガス、第２タンク（７０２）よりブタジイ
ンガス、及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々
出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３
流“量制御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入
させた。

同時に、第２容Ｕ　（７２０）よりカリウムメタクリレ
ート（Ｋ−ＭＡ）ガスを第２温調器（７２３）温度２６
０℃のもとで第８流量制御器（７２９）内へ流入させた
。各々の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量
を１２０ｓｅｃｍ、ブタジインガスの流量を５０ｓｅｃ
ｍ、酸素ガスの流量を６ｓｅｃｍｓ及びカリウムメタク
リレートガスの流量を５ｓｅｃｍとなるように設定して
、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）より
反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した
後に、反応室（７３３）内の圧力が２．２Ｔｏｒｒとな
るように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電
性基板（７５２）としては、Ｈ５０×横５０×厚３ｍｍ
のアルミニウム基板を用いて、予め２３０℃に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選
択スイッチ（７４４）により接続しておいた低周波電源
（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）に１７０
Ｗａｔｔの電力を周波数８００　Ｋ　Ｈｚの下で印加し
て約１時間３０分プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板（７５２）上に厚さ１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
性なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子と
水素原子の総量に対して４１原子％であった。また、オ
ージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、カ
リウム原子の量は全構成原子に対して０．９原子％であ
った。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対して
１．８原子％であワた。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第５調節弁（７１１）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第５タンク
（７０５）から窒素ガス、及び第６タンク（７０６）か
らシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第
５、及び第６流ＩｋｆａＪｔＭＭ　（７１３，７１７、
及び７１８）内へ流入きせた。同時に、第４調節弁（７
１０）を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガスで
１１００ｐｐに希釈されたジボランガスを、出力圧１゜
５Ｋｇ／ａｍ２の下で第４流量制御器（７１６）内へ、
流入とせな。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの
流量を２００ｓｅｃｍ、窒素ガスの流量をＯ，Ｏｌｓｅ
ｃｍ、シランガスの流量を１０１００５ｅ、水素ガスで
１１００ｐｐに希釈されたジボランガスの流量を１０１
０５ｅとなるように設定し、反応室（７３３）内に流入
させた。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）
内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７
４５）をＷＪ整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている
導電性基板（７５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガ
ス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９
）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７
３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発
生させた。この放電を５分間行ない、厚さ０．３μｍの
電荷発生層を得た。

得られたａｓｉｆｆｆｉにつき、金属中ＯＮＨ分析（板
場製作断裂ＥＭＧＡ−１３００）、オージェ分析、及び
ＩＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全
構成原子に対して２５原子％、硼素原子は１０原子ｐＰ
ｍｓ窒素原子は０．００１原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一７９０Ｖ　（＋７８０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は５２■／μｍ（５１Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約２８秒（約２６
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯Ｔｉ電位に初期帯電した
後、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位に
まで明減衰させたところ必要とされた光量は２．９ルツ
クス・秒（２，８ルツクス・秒）であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

去旅例旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、及び第３調節弁（７０７、及び７
０９）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、
及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力圧１
．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第３流量制御器（７
１３、及び７１５）内へ流入きせた。同時に、第１容器
（７１９）よりスチレンガスを第１温調器（７２２）温
度４０℃のもとで第７流量制御器（７２８）内へ、並び
に、第２容！　（７２０）よりリチウムターシャリ−ブ
チラードガスを第２温調器（７２３）温度１７０℃のも
とで第８流量制御器（７２９）内へ流入させた。各々の
流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を７０ｓ
ｅｃｍ１スチレンガスの流量を４０ｓｅｃｍ、酸素ガス
の流量を１０１０５ｅ、及びリチウムターシャリ−ブチ
ラードガスの流量を８ｓｅｃｍとなるように設定して、
途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）より反
応室（７３３）内へ流入した。各々のｔＣＪｉが安定し
た後に、反応室（７３３）内の圧力が２゜２Ｔｏｒｒと
なるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導
電性基板（７５２）としては、縦５０ｘ横５０ｘ厚３ｍ
ｍのアルミニウム基板を用いて、予め９０℃に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選
択スイッチ（７４４）により接続しておいた低周波電源
（７４１）を投入し、電力印加Ｎ極（７３６）に１５０
Ｗａｔｔの電力を周波数１２０ＫＨｚの下で印加して約
４５分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板（７５
２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形
成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調筋弁を閉
じ、反応室（７３３’）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原子と
水素原子の総量に対して４７原子％であった。また、オ
ージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、リ
チウム原子の量は全構成原子に対して１．７原子％であ
った。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対して
２．１原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調健弁（７０７）、
第５調節弁（７１１）、及び第６調箇弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第５タンク
（７０５）からアンモニアガス、及び第６タンク（７０
６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ａｍ２の下で第
１、第５、及び第６流量制御器（７１３，７１７、及び
７１８）内へ流入させた。同時に、第４ｔ１節弁（７１
０）を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガスでＺ
ｏｏｐｐｍに希釈されたジボランガスを、出力圧１．５
Ｋｇ／ａｍ２の下で第４流量制扉器（７１６）内へ、流
入きせた。各流量側ａｉＩ器の目盛を調整して水素ガス
の流量を２００ｓｅｃｍ、アンモニアガスの流量を２ｓ
ｅｃｍｓシランガスの流量を１００１００５ｅ水素ガス
で１１００ｐｐに希釈されたジポランガスの流量を１０
１０５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入させた。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が０．９Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、ａ−ＣＭが形成されている導電性基板
（７５２）は、２４０℃に加熱しておき、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、窩周波電源（７３９）より周波
数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４
５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。

この放電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層
を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２１原子％、硼素原子は１１原子ｐｐｍ
、窒素原子は０．３原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一６３０Ｖ　（＋７８０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は４１■／μｍ（５１Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分なＷＩ電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１２秒（約２０
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は２．４ルツク
ス・秒（１，５ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

Ｘ旅鑓旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、ＴｉＲ輸送暦、Ｎ荷発生層をこの順に設け
た本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−’Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，
７０８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）
より水素ガス、第２タンク（７０２）よりエチレンガス
、及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力圧
１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流量制
都器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させた。

同時に、第２容器（７２０）よりカリウムメタクリレー
ト（Ｋ−ＭＡ）ガスを第２温調！　（７２３）温度２７
０℃のもとて第８流量制ａｌ！（７２９）内へ流入きせ
た。各々の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流
量を７０ｓｅｃｍ、エチレンガスの流量を７０ｓｅｃｍ
ｓ酸素ガスの流量を４８　ＣＣｍ　％及びカリウムメタ
クリレートガスの流量を８ｓｅｃｍとなるように設定し
て、途中混合器（７３１）を介して、主！（７３２）よ
り反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定し
た後に、反応室（７３３）内の圧力が２．２Ｔ。

ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、導電性基板（７５２）としては、１２１５ＱＸ横５
０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２３０
’Ｃに加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続してお
いた高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７
３６）に２２０Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨ
ｚの下で印加して約３時間プラズマ重合反応を行ない、
導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を電
荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停
止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気
した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して４３原子％であった。また、
オージェ分析より含有きれるアルカリ金属原子、即ち、
カリウム原子の量は全構成原子に対して０．６原子％で
あった。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対し
て１．１原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第５調節弁（７１１）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第５タンク
（７０５）から窒素ガス、及び第６タンク（７０６）か
らシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ａｍ２の下で第１、第
５、及び第６流量制御！（７１３，７１７、及び７１８
）内へ流入させな。同時に、第４調節弁（７１０）を解
放し、第４タンク（７０４）より水素ガスで１１００ｐ
ｐに希釈されたジボランガスを、出力圧１゜５Ｋｇ／ａ
ｍ２の下で第４流量制御器（７１６）内へ、流入させた
。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２０
０ｓＣｃｍ、窒素ガスの流量を１０１０５ｅ、シランガ
スの流量を１００ｓＣＣｍ　ｓ水素ガスで１１００ｐｐ
に希釈されたジボランガスの流量を１０１０５ｅに設定
し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流量が安
定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒ
ｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方
、ａ　−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は
、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６
ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４０Ｗａｔｔの
電力を印加し、グロー放電を発生させな。この放電を５
分間行ない、厚ざ０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉｌｌｉにつき、金属中ＯＮＨ分析（板
場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及
びＩＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は
全構成原子に対して２４原子％、硼素原子は１０原子ｐ
ｐｍ、窒素原子は１，０原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一７３０Ｖ　（＋９００Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は４８Ｖ／μｍ（５９Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１７秒（約２２
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は４．２ルツク
ス・秒（１，９ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

実施例４ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，
７０８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）
より水素ガス、第２タンク（７０２）よりブタジェンガ
ス、及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力
圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流量
制都器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させた
。

同時に、第２容器（７２０）よりリチウムターシャリ−
ブチラードガスを第２温調器（７２３）温度１７０℃の
もとで第８流量制ａｌｔＷ（７２９）内へ流入させた。

各々の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を
７０ｓｅｃｍ１ブタジェンガスの流量を７０ｓｅｃｍ、
酸素ガスの流量を４ｓｃＣｍ％及びリチウムターシャリ
−ブチラードガスの流量を８５ＣＣｍとなるように設定
して、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）
より反応室（７３３ン内へ流入した。各々の流量が安定
した後に、反応室（７３３）内の圧力が２．２Ｔｏｒｒ
となるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、
導電性基板（７５２）としては、Ｇｔｉ５０Ｘ横５０×
厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１５０℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低
周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）
に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数６００ＫＨｚの下で印
加して約４５分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板（７５２）上に厚ざ１５ｕｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子と
水素原子の総量に対して５３原子％であった。また、オ
ージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、リ
チウム原子の量は全構成原子に対して１．７原子％であ
った。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対して
０．８原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第３ｗＪ節弁（７０９）、第５調節弁（７１１）、及び
第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）
から水素ガス、第３タンク（７０３）から四弗化シラン
ガス、第５タンク（７０５）から窒素ガス、及び第６タ
ンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ａｍ
２の下で第１、第３、第５、及び第６流量制御器（７１
３，７１５，７１７、及び７１８）内へ流入させた。同
時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（７
０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボラ
ンガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制
御器（？　１６）内へ、流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、四弗化
シランガスの流量を５０３ＣＣｍ、窒素ガスの流量をｌ
ｓｃｃｍ１シランガスの流量を５０ｓｅｃｍ１水素ガス
で１１００ｐｐに希釈されたジボランガスの流量を１０
１００５ｅとなるように設定し、反応室（７３３）内に
流入きせた。各々の流量が安定した後に、反応室（７３
３）内の圧力が０．９Ｔ。

ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、ａ　　ＣＨ’Ａが形成されている導電性基板（７５
２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３
．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａ
ｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放
電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た
。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２２原子％、硼素原子は９５原子ｐｐｍ
Ｎ弗素原子は５原子％、窒素原子は０．１原子％であっ
た。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一７３０Ｖ　（＋７２０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は４８Ｖ／μｍ（４７Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１５秒（約１７
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は２．０ルツク
ス・秒（１，フルックス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理Ｍされた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

宋施色旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの頭に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、第２、及び第３調箇弁（７０７，７０
８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より
水素ガス、第２タンク（７０２）よりアセチレンガス、
及び第３タンク（７０３）より二酸化炭素ガスを各々出
力圧１゜０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、第２、及び第３流
量制御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させ
た。同時に、第２容器（７２０）よりリチウムターシャ
リ−ブチラードガスを第２温調器（７２３）温度２２０
℃のもとで第８流量制御器（７２９）内へ流入させた。

各々の流量制罪器の目盛を調整して、水素ガスの流量を
２００ｓｅｃｍ、アセチレンガスの流量を５０ｓｅｃｍ
、二酸化炭素ガスの流量を１０ｓ１０５ｅ及びリチウム
ターシャリ−ブチラードガスの流量を１８ｓｅｃｍとな
るように設定して、途中混合器（７３１）を介して、主
管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々
の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が２
．５Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整
した。一方、導電性基板（７５２）としては、！５０Ｘ
横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２
２０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状
態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続して
おいた高周波電源（７３９）を投入し、電力印加量ｔｌ
（７３６）に２２０Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６
ＭＨｚの下で印加して約２時間１５分プラズマ重合反応
を行ない、導電性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ
−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電
力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を
充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
性なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子と
水素原子の総量に対して３３原子％であった。また、オ
ージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、リ
チウム原子の量は全構成原子に対して３．４原子％であ
った。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対して
０．９原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第５調節弁（７１１）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第５タンク
（７０５）から窒素ガス、及び第６タンク（７０６）か
らシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第
５、及び第６流量制御器（７１３，７１７、及び７１８
）内へ流入させた。同時に、第４調節弁（７１０）を解
放し、第４タンク（７０４）より水素ガスでｔｏｐｐｍ
に希釈されたホスフィンガスを、出力圧１゜５Ｋｇ／ａ
ｍ２の下で第４流量制御器（７１６）内へ、流入させた
。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２０
０ｓｅｃｍ、窒素ガスの流量を３ｓｅｃｍ、シランガス
の流量を２００　ｓ　ｃＣｍ１水素ガスで１００　ｐ　
ｐｍに希釈されたホスフィンガスの流量を１０１０５ｅ
に設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流
量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．９
Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した
。一方、ａ　−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５
２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３
．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａ
ｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放
電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た
。

得られたａ−ＳｉＷｉｃにつき、金属中ＯＮＨ分析（板
場製作断裂ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及
びＩＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は
全構成原子に対して１８原子％、燐原子は１２原子ｐｐ
ｍ、窒素原子は０．３原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一６１０Ｖ（＋９００Ｖ）で有り、即ち、全
感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当りの
帯電能は４０■／μｍ　（５９Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１５秒（約２３
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯ｆｆｉ電位の２０％の表面電位
にまで明減衰させたところ必要とされた光量は１．２ル
ツクス・秒（４，２ルツクス・秒）であり、このことか
ら充分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
゛として優れた性能を有するものである事が理解される
。また、この感光体に対して常用のカールソンプロセス
の中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られ
た。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７図乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図　　第２図 第３図　　第４図 第５図　　第６図 手続補正書 昭和６２年１０月２１日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
   おいて、該電荷輸送層は少なくとも酸素原子とアルカリ
   金属原子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン
   膜であり、かつ、該電荷発生層は窒素原子を含有すると
   共に燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有し
   てなる水素化アモルファスシリコン膜或は窒素原子を含
   有すると共に燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方
   を含有してなる弗素化アモルファスシリコン膜であるこ
   とを特徴とする感光体。