JPS6382436A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 属菌上９皿里分野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従米遠街 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、′トリフェニルアミン化合物、ヒ
ドラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、
オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有
機物質が挙げられる。また、その構成形態としては、こ
れらの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散
させて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と
電荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、ＰＡ像、転写、
除電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合において
も、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述
した有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能
面での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。さらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてはならない。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能ざえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用しそいたため発生してい
たこれらの間芯点を解決すべく成されたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される少なくとも酸素原子とハロゲン原子とを含有し
てなる水素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ、電
荷発生層として同じくグロー放電により生成される燐原
子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してなる水
素化或は弗素化アモルファスシリコン膜を設けた事を特
徴とする機能分離型感光体に関する。該電荷輸送層は、
可視光もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に対し
ては明確なる光導電性は有ざないが、好適な輸送性を有
し、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染性等
の電子写真感光体性能に優れ、しかも透光性にも優れる
ため、４３８能分離型感光体としての積層構造を形成す
る場合においても（］めで高い自由度が得られるもので
ある。また、該電荷発生層は、可視光もしくは半導体レ
ーザー光付近の波長の光に対して優れた光導電性を有し
、しかも従来のアモルファスシリコン感光体に比べて極
めて薄い膜厚で、その機能を活かす事ができるものであ
る。

ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン（Ｍ
、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ。

Ｂｅ１ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐａｌｙｍ、ｅｒ　
　５ｃｉｅｎｃｅ）第１７巻の第８８５頁乃至第８９２
頁において、あらゆる有機化合物のガスから作製され得
る事が、また、同著者により、１９７９年のアメリカン
ケミカルソサエティー（Ａｍｅｒｉｃａｎ　　Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行によるプラズマボリマラ
イゼーション（Ｐｌａｓｍａ　　Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａ
ｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論じられている。

しかしながら従来の方法で作製しｔ：プラズマ有機重合
膜は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそ
れらの膜は通常のポリエチレン膜の如く１０１６Ωｃｍ
程度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なく
ともそのような股であるとの認識のもとに用いられてい
た。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識
から、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層
に限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバ
ーコート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合されたＭ
４百構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファ
スシリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭
５９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層
及び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから
生成される１０１３〜１０”ΩＣｍの高抵抗のプラズマ
重合膜を１０人〜１００人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５９−
１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭素
膜を基板表面に形成せ−しめた感光体が開示されている
。特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とそ
の上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善
するために、接着層として２００人〜２μｍのダイヤモ
ンド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電
荷の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−Ｓｔ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を０．１〜１μ
ｍ設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１４
８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水累
モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成き
せる技術が開示されている。特開昭６０−６１７６１号
公報には、表面保護層として、５００人〜２μｍのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされてている。

特開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５μ
ｍ程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示され、膜厚が５μｍを越えると感光
体活性に悪影響が及ぶとされている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オニバーコー
ド層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−３ｉの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、ａ−Ｓｉの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。

一方、アモルファスシリコン膜については、スピア（Ｗ
、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンバ（Ｐ。

Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　
　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９４
９頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５６−
６２２５４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公報、
特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１１９
３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、特開
昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７　１７７１４
６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開昭５
７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４９号
公報、特開昭５７−１７４４．５０号公報、等に、炭素
原子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示され
ているが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭
素原子により調整する事を目的としたものであり、また
、アモルファスシリコン自体の厚い膜を必要としている
。

が解決しようとする間県 以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。

本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が酸素原
子とハロゲン原子とを含有せしめる事により、燐原子及
び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化
或は弗素化アモルファスシリコン膜との積層においては
電荷輸送性を有し、容易に好適な電子写真特性を示し始
める事を見出した。その理論的解釈には本発明者におい
ても不明確な点が多く詳細に互り言及はできないが、酸
素原子とハロゲン原子とを含有してなる水素化アモルフ
ァスカーボン膜中に捕捉されている比較的不安定なエネ
ルギー状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリ
ーラジカル等が形成するバンド構造が、燐原子及び硼素
原子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化或は弗
素化アモルファスシリコン、模か形成するバンド構造と
電導帯もしくは荷電子帯において近似したエネルギー準
位を有するため、燐原子及び硼二原子のうち少なくとも
一方を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリ
コン膜中で発生したキャリアが容易に酸素原子とハロゲ
ン原子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン膜
中へ注入され、ざらに、このキャリアは前述の比較的不
安定なエネルギー状態の電子の作用により酸素原子とハ
ロゲン原子とを含有してなる水素化アモルファスカーボ
ン膜中を好適に走行し得るためと推定される。

本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に酸素原子とハロゲン原子と
を含有してなる水素化アモルファスカーボン膜を電荷輸
送層として使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のうち少
なくとも一方を含有してなる水素化或は弗素化アモルフ
ァスシリコンの薄膜を電荷発生層として使用した感光体
を提供する事を目的とする。

１号題点を解決するための・−段 即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される少なくとも酸素原子とハロゲン原子
とを含有してなる水素化アモルファスカーボン膜であり
、かつ、該電荷発生層が燐原子及び硼素原子のうち少な
くとも一方を含有してなる水素化或は弗素化アモルファ
スシリコン膜であることを特徴とする感光体に関する（
以下、本発明による電荷輸送層をａ−Ｃ膜及び電荷発生
層をａ−Ｓｉ膜と称する）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能きえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される少なくとも酸素原子とハロゲン原子とを含有し
てなる水素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ、電
荷発生層として同じ（グロー放電により生成きれる燐原
子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してなる水
素化或は弗景化アモルファスシリコン膜を設けた事を特
徴とする機能分離型感光体に関する。該電荷輸送層は、
可視光もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に対し
ては明確なる光導電性は有さないが、好適な輸送性を有
し、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染性等
の電子写真感光体性能にぼれ、しかも透光性にも優れる
ため、機能分離型感光体としての積層構造を形成する場
合においても極めて高い自由度が得られるものである。

また、該電荷発生層は、可視光もしくは半導体レーザー
光付近の波長の光に対して優れた光導電性を有し、しか
も従来のアモルファスシリコン感光体に比べて極めて薄
い膜厚で、その機能を活かす事ができるものである。

本発明においては、ａ　−Ｃ膜を形成するために有機化
合物ガス、特に炭化水嚢ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要しよなく、加熱或は渥圧等により溶融、
蒸発、昇華等を経て気化しうるちのであれば、液相でも
固相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンテ゛カン、トチ°カン、トリデカン、テトラ
デカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、
オクタデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサ
ン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサ
ン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナ
コサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタト
リアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブ
タン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネ
オヘキサン、２．３−ジメチルブタン、２−メチルヘキ
サン、３−エチルペンタン、２．２−ジメチルペンタン
、２．４−ジメチルペンタン、３．３−ジメチルペンタ
ン、トリブタン、２−メヂルＪ＼ブタン、３−メチルへ
ブタン、２．２−ジメチルヘキサン、２＋２＋５−ジメ
チルへキサシ、２．２．３−）ジメチルペンタン、２，
２．４−トリメチルペンタン、２．３゜３−トリメチル
ペンタン、２．３．４−トリメチルペンタン、イソナノ
ン、等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化
水素としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブ
チレン、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２−
ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−
ブテン、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキセン、テト
ラメチルエチレン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−
ノネン、１−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン
、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジ
エン、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに
、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン
、等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイ
ン、１゜３−ペンタジイン、２．４−へキサジイン、メ
チルアセチレン、ｌ−ブチン、２−ブチン、１−ペンチ
ン、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクテン、１−
ノニン、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ピサボレ
ン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカルブ
レン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン
、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン
、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、
ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチル
ベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スヂレン、ビフ
ェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、ジベンジル、メチルベン、インデン、ナフタ
リン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、等
が用いられる。

さらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね３０乃
至６０原子％含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばＣＮ
Ｈ分析を用いる事により知る事ができる。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含よれる水素原子の里は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。

本発明における電荷輸送層としてのａ　−Ｃ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至５
０μｍ１特に７乃至２０μｍが適当であり、５μｍより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事ができない。また、５０ＬＬｍより厚いと、生産性の
面で好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に５μｍ以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送され明減衰に寄
与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
・イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラ
ズマ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その
他にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等に
より生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、
真空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される
中性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの
組み合わせにより形成きれてもよい。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−ＣＰ、中に少
なくとも酸素原子を添加するために酸素化合物が使用さ
れる。該酸素化合物における相状態は常温常圧において
必ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧等により
溶融、蒸発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液
相でも固相でも使用可能である。酸素化合物としては、
例えば、酸素、オゾン、水蒸気、−酸化炭素、二酸化炭
素、亜酸化炭素、等の無機化合物、水酸基（−ＯＨ）　
、アルデヒド基（−ＣＯＨ）　、アシル基（ＲＣ〇−１
−ＣＲｏ）、ケトン基（＞Ｃｏ）、エーテル結合（−〇
−）、エステル結合（−ＣＯＯ−）、酸素を含む複素環
、等の官能基或は結合を有する有機化合物、等が用いら
れる。水酸基を有する有機化合物としては、例えば、メ
タノール、エタノール、プロパツール、ブタノール、フ
リルアルコール、フルオロエタノール、フルオロブタノ
ール、フェノール、シクロヘキサノール、ベンジルアル
コール、フルフリルアルコール、等が用いられる。アル
デヒド基を有する有機化合物としては、例えば、ホルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオアルデヒド、
ブチルアルデヒド、グリオキサール、アクロレイン、ベ
ンズアルデヒド、フルフラール、等が用いられる。アシ
ル基を有する有機化合物としては、例えば、ギ酸、酢酸
、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、バルミチン酸、ステア
リン酸、オレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、
安息香酸、トルイル酸、サリチル酸、ケイヒ酸、ナフト
エ酸、フタル酸、フラン酸、等が用いられる。ケトン基
を有する有機化合物としては、例えば、アセトン、エチ
ルメチルケトン、メチルプロピルケトン、ブチルメチル
ケトン、ビナコロン、ジエチルケトン、メチルビニルケ
トン、メジデルオキシド、メチルへブテノン、シクロブ
クノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセト
フェノン、プロピオフェノン、ブヂロフエノン、バレロ
フエノン、ジベンジルケトン、アセトナフトン、アセト
チェノン、アセトフロン、等が用いられる。ニーデル結
合を有する有機化合物としては、例えば、メチルエーテ
ル、エチルエーテル、プロピルエーテル、ブチルエーテ
ル、アミルエーテル、エチルメチルエーテル、メチルプ
ロピルエーテル、メチルアミルエーテル、メチルアミル
エーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエー
テル、エチルアミルエーテル、ビニルエーテル、フリル
エーテル、メチルビニルエーテル、メチルフリルエーテ
ル、エチルビニルエーテル、エチルフリルエーテル、ア
ニソール、フエネトール、フェニルエーテル、ベンジル
エーテル、フェニルベンジルエーテル、ナフチルエーテ
ル、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化トリメチレン
、テトラヒドロフラン、テトラヒドロビラン、ジオキサ
ン、等が用いられる。エステル結合を有する有機化合物
としては、例えば、ギ酸メヂル、ギ酸エチル、ギ酸プロ
ピル、ギ酌ブチル、ギ酸アミル、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピオ
ン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピ
ル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸アミル、酪酸メ
チル、酪酸エチル、酪酸プロピル、酪酸ブチル、ｒｎ酸
アミル、吉草酸メチル、吉草酸エチル、吉草酸プロピル
、吉草酸ブチル、吉草酸アミル、安息香酸メチル、安息
香酸エチル、ケイ皮酸メヂル、ケイ皮酸エチル、ケイ皮
酸プロピル、サリチル酸メチル、サリチル酸アミル、サ
リチル酸プロピル、サリチル酸ブチル、サリチル酸アミ
ル、アントラニル酸メチル、アントラニル酸エチル、ア
ントラニル酸ブチル、アントラニル酸アミル、フタル酸
メチル、フタル酸エチル、フタル酸ブチル、等が用いら
れる。酸素を含む複素環化合物としては、フラン、オキ
サゾール、フラザン、ビラン、オキサジン、モルホリン
、ベンゾフラン、パンジオキサゾール、クロメン、クロ
マン、ジベンゾフラン、キザンテン、フェノキサジン、
オキソラン、ジオキソラン、λキサチオラン、オキサジ
アジン、ベンゾイソオキサゾール、等が用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、金溝成原子に対して７．０原子％以下である
。ここで酸素原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例
えばオージェ分析により知る事ができる。酸素原子の量
が７．０原子％より高い場合には、少量の添加では好適
な輸送性を保証していた酸素原子が、逆に膜の低抵抗化
を招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。また、酸素
源ガスの一部のもの、例えば、酸素ガス、オゾンガス、
−酸化炭素ガス等においては、エツチング効果が強く現
れ、その流量を増やす事により酸素原子の膜中への添加
量を増加させようとすると、成膜速度が低下し、ある程
度の膜厚が必要とされる電荷輸送層の成膜においては不
都合となる。従って、本発明における酸素原子添加量の
範囲は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の酸素化合物の導入量を増減することにより制御するこ
とが可能である。酸素化合物の導入量を増大させれば、
本発明によるａ　−Ｃ膜中への酸素原子の添加量を高く
することが可能であり、逆に酸素化合物の導入量を減少
させれば、本発明によるａ　−Ｃ膜中への酸素原子の添
加量を低くすることが可能である。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ１ｆ４中に
少なくともハロゲン原子を添加するためにハロゲン化合
物が使用される。ここでハロゲン原子とは、弗素原子、
塩素原子、臭素原子、及び沃素原子をいう。該ハロゲン
化合物における相状態は常温常圧において必ずしも気オ
目である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸発
、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固相
でも使用可能である。ハロゲン化合物としては、例えば
、弗素、塩素、臭素、沃素、弗化水素、弗化塩素、弗化
臭素、弗化沃素、塩化水素、塩化臭素、塩化沃素、臭化
水素、臭化沃素、沃化水嚢、等の無機化合物、ハロゲン
化アルキル、ハロゲン化アリール、ハロゲ化スチレン、
ハロゲン化ポリメチレン、へロホルム、等の有機化合物
が用いられる。ハロゲン化アルキルとしては、例えば、
フッ化メチル、塩化メチル、臭化メチル、ヨウ化メチル
、フッ化エチル、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチ
ル、フッ化プロピル、塩化プロピル、臭化プロピル、ヨ
ウ化プロピル、フッ化ブチル、塩化ブチル、臭化ブチル
、ヨウ化ブチル、フッ化アミル、塩化アミル、臭化アミ
ル、ヨウ化アミル、フッ化ヘキシル、塩化ヘキシル、臭
化ヘキシル、ヨウ化ヘキシル、フッ化へブチル、塩化へ
ブチル、臭化へブチル、ヨウ化ヘプチル、フッ化オクチ
ル、塩化オクチル、臭化オクチル、ヨウ化オクチル、フ
ッ化ノニル、塩化ノニル、臭化ノニル、ヨウ化ノニル、
フッ化デシル、塩化デシル、臭化デシル、ヨウ化デシル
、等が用いられる。ハロゲン化アリールとしては、例え
ば、フルオルベンゼン、クロルベンゼン、ブロムベンゼ
ン、ヨードベンゼン、クロルトルエン、ブロムトルエン
、りａルナフタリン、ブロムナフタリン、等が用いられ
る。ハロゲン化スチレンとしては、例えば、クロルスチ
レン、ブロムスチレン、ヨードスチレン、フルオルスチ
レン、等が用いられる。ハロゲン化ポリメチレンとして
は、例えば、塩化メチレン、臭化メチレン、ヨウ化メヂ
レン、塩化エチレン、臭化エチレン、ヨウ化エチレン、
塩化トリメチレン、臭化トリメチレン、ヨウ化トリメチ
レン、ジ塩化ブタン、ジ臭化ブタン、ショウ化ブタン、
ジシランガス、ジ臭化ペンタン、ショウ化ペンタン、ジ
塩化ヘキサン、ジ臭化ヘキサン、ショウ化ヘキサン、ジ
塩化へブタン、ジ臭化へブタン、ショウ化へブタン、ジ
塩化オクタン、ジ臭化オクタン、ショウ化オクタン、ジ
塩化ノナン、ジ臭化ノナン、ジ塩化デカン、ジヨウ化デ
カン、等が用いられる。へロホルムとしては、例えば、
フルオロホルム、クロロホルム、ブロモホルム、ヨード
ホルム、等が用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有きれるハロゲ
ン原子のｉｆよ、全構成原子に対して０゜１乃至２５原
子％である。ここで、膜中に含有されるハロゲン原子の
量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析により知る
事ができる。ハロゲン原子の量が０．１原子％より低い
場合には、必ずしも好適な電荷輸送性が保証きれず、感
度低下もしくは残留電位の発生等を生じ易くなり、また
、経時的感度安定性も保証されなくなる。ハロゲン原子
の量が２５原子％より高い場合には、適量の添加では好
適な電荷輸送性と残留電位発生防止を保証していたハロ
ゲン原子が、逆に、帯電能の低下、ざらには経時後の暗
抵抗を低くする作用を示し、数カ月単位の保管中に電荷
保持能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が保証され
なくなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を招く。従
って、本発明におけるハロゲン原子添加量の範囲は重要
である。

本発明において化学的修飾物質として含有されるハロゲ
ン原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への
前述のハロゲン化合物の導入量を増パすることにより制
御することが可能である。

ハロゲン化合物の導入量を増大させれば、本発明による
ａ−Ｃ膜中へのハロゲン原子の添加量を高くすることが
可能であり、逆にハロゲン化合物の導入量を減少させれ
ば、本発明によるａ　−Ｃ膜中へのハロゲン原子の添加
量を低くすることが可能である。

本発明においては、ａｓｔ膜を形成するためにシランガ
ス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられる
。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を膜
中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィンガ
ス或はジボランガスが用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して２００００原
子ｐｐｍ以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はＩ
ＭＡ分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が２００００原子ｐｐｍより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、ｔ】性制部効果を
保証していた；前原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗
化を招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、
本発明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要
である。

本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね１０乃至３５原
子％含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばＯＮＨ分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−３ｉ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、０．１乃
至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、５μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このａ−Ｓｉ膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのａ−Ｃ膜との
積層構成において効率よ＜ａ−Ｃ膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ−Ｓｉ膜を形成する過程
は、ａ−Ｃ膜を形成する場合と同様にして行なわれる。

本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応
室への前述のホスフィンガス或はジボランガスの導入量
を増減することにより制睡することが可能である。ホス
フィンガス或はジボランガスの導入量を増大させれば、
本発明によるａ−Ｓｉ膜中への燐原子或は硼素原子の添
加量を高くすることが可能であり、逆にホスフィンガス
或はジボランガスの導入量を減少きせれば、本発明によ
るａ−Ｓｉ膜中への燐原子或は硼素原子の添加量を低く
することが可能である。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の植層溝成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を１煩次積層してな
る構成を示したものである。第２図は、別の一形態とし
て、導電性基板（１）上に電荷発生層（３）と電荷輸送
層（２）を順次ＶＩ層してなる構成を示したものである
。第３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に
、電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（
２）を順次積層してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体
表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層（２）中を導電性
基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発生層（
３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（２）中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第２図及び第３図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜体形成を行な
うことが可能である。

第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面保護層（
４）を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第１図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいａ−３ｉ膜
で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を確
保するために表面保護層を設けることが好ましい。第２
図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久性に優れたａ
−Ｃ膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、例
えば現像剤の付着によ４感光体表面の汚れを防止するよ
うな、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調整
する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一形
態と成りうる。

第５図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
をｊ＠次積層してなる構成を示したものである。即ち第
２図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図
の形態では、導電性基板との接合面がａ−Ｓｉ膜である
事から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保する
ために中間層を設ける事が好ましい。第１図及び第３図
の構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注
入阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるた
め、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の
前処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整
合性を調整する目的から、中面層を設けることもざらな
る一形態と成りうる。

第６図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次Ｖｔ層してなる構成を示した
ものである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を
設けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第２図及び第３図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるａ　−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用
いる材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料であ
る場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５μｍ以
下に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電征を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積させる、所謂プラズマ重合反応
から生成きれる事が好ましい。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを富封した第１乃至第６タ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（
７１８）に接続されている。図中（７１９）〜（７２１
）は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化のた
め第１乃至第３温調器（７２２）〜（７２４）により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調節弁
（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制御器（７
２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガスは
混合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）を介
して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器（７３４）　により、与熱可能とされて
いる。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極
（７３６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱
器（７３７）により与熱可能とされている。電力印加電
極（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を介
して高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（７４
０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィルタ
（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されてお
り、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異なる
電力が印加可能とされている。反応室（７３３）内の圧
力は圧力制御弁（７４５）により調整可能であり、反応
室（７３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を介
して、拡散ポンプ（７４？）　、油回転ポンプ（７４８
）　、或は、冷却除外装置（７４９）　、メカニカルブ
ースターポンプ（７５０）、油回転ポンプ（７４８）に
より行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な除外
装置（７５３）により安全無害化した後、大気中に排気
きれる。これら排気系配管についても、常温において液
相または固相状態にあった原ｆ：↓化合物が気化したガ
スが、途中で凝結しないように、適宜配置された配管加
熱器（７３４）により、与熱可能とされている。反応室
（７３３）も同様の理由から反応室加２８器（７５１）
により与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性
基板（７５２）が設置きれる。第７図において導電性基
板（７５２）は接地電極（７３５）に固定して配されて
いるが、電力印加電ｆｌ（７３６）に固定して配きれて
もよく、ざらに双方に配きれてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、７００番台のものを８００番台に置
き換えて解すればよい。第８図において、反応室（８３
３）内部には、第７図における接地電ｉ　（７３５）を
兼ねた円筒形の導電性基板（８５２）が設置され、内側
には電極加熱器（８３７）が配されている。導電性基板
（８５２）周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極
（８３６）が配され、外側にば電イΣ加黙器（８３７）
が配されている。導電性基板（８５２）は、外部より駆
動モータ（８５４）を用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
ｏ−４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第４乃至第６タンク及び第１乃至
第３容器から、原料ガスを適宜第１乃至第９流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極仮に高周波電力を投入する
。両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固
相の膜が形成される。ａ−Ｓｉ膜或はａ−Ｃ膜は、原料
ガスを代える事により任意に形成可能である。放電を一
旦停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開
すれば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放
電を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異
なる組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能で
ある。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要ときれる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

去施然１ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、第３、及び第４調節弁（７
０７，７０８，７０９、及び７１０）を解放し、第１タ
ンク（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）よ
りアセチレンガス、第３タンク（７０３）より酸素ガス
、及び第４タンク（７０４）より四弗化炭素ガスを各々
出力圧１．０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、第２、第３、及
び第４流量制御器（７１３，７１４，７１５、及び７１
６）内へ流入させた。そして各流旦制御：ｗ器の目盛を
調整して、水素ガスの流量を１８０ｓｅｃｍ１アセチレ
ンガスの流量を４０ｓｅｃｍ、酸素ガスの流量を４ｓｃ
ｃｒｒ＋、及び四弗化炭素ガスの流量が１０１０５ｅと
なるように設定して、途中混合器（７３１）を介して、
主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各
々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が
２．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調
整した。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５０
Ｘ横５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め
２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した
状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続し
ておいた高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極
（７３６）に２００Ｗａｔｔの電力を周波数１３゜５６
ＭＨｚの下で印加して約３時間プラズマ重合反応を行な
い、導電性基板（７５２）上に厚さ１５μｍのａ　−Ｃ
膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印
加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分
に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して３４原子％、また、オージ
ェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の
量は全構成原子に対して２．０原子％、ざらに、酸素原
子の量は全構成原子に対して１．１原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０
１）から水素ガス、及び第６タンク（７０６）からシラ
ンガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第６
流量制御器（７１３、及び７１８）内へ流入させな。同
時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（７
０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボラ
ンガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制
御器（７１６）内へ、流入させた。各流量制都器の目盛
を調整して水素ガスの流量を２００ｓｃＣｍ、シランガ
スの流量を１０１００５ｅ、水素ガスで１１００ｐｐに
希釈されたジボランガスの流量を１０１００５ｅに設定
し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流量が安
定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒ
ｒとなるように圧力調節弁（７４，５）を調整した。一
方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は
、２５０℃に加熱しておぎ、ガス流■及び圧力が安定し
た状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６
ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの
電力を印加し、グロー放電を発生させな。この放電を５
分間行ない、厚き０゜３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（ｔｌｌ
製作所製ＥＭＧＡ−１３００）　１．ｔ−ジ工分析、及
びＩＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は
全構成原子に対して１５原子％、硼素原子は１００原子
ｐｐｍであった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一８６０Ｖ　（＋５８０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は５６Ｖ／ａｍ　（３８Ｖ／μｍ）と棲めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約２９秒（約１９
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は９．０ルツク
ス・秒（２，９ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として侵れた性能を有するものである事が理解きれる。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

Ｘ施皿旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、第３、及び第４調面弁（７
０７，７０８，７０９、及び７１０）を解放し、第１タ
ンク（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）よ
りエチレンガス、第３タンク（７０３）より酸素ガス及
び第４タンク（７０４）より四塩化炭素ガスを各々出力
圧１゜０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、第３、及び第
４流量制御器（７１３，７１４，７１５、及び７１６）
内へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を調整して
、水素ガスの流量を６０ｓｅｃｍ、エチレンガスの流量
を６０ｓｅｃｍ、酸素ガスの流量を４ｓｅｃｍ、及び四
塩化炭素ガスの流量が２０ｓｅｃｍとなるように設定し
て、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）よ
り反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定し
た後に、反応室（７３３）内の圧力が２．ＯＴｏｒｒと
なるように圧力調節弁（７４５）を調整した。

一方、導電性基板（７５２）としては、樅５０×１５０
Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２３０℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた
高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６
）に２００Ｗａ１１の電力を周波数１３．５６ＭＨｚの
下で印加して約３時開平プラズマ重合反応を行ない、導
電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ　−Ｃ膜を電
荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停
止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気
した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４２原子％、また、オージ
ェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、塩素原子の
量は全構成原子に対して４．９原子％、さらに、酸素原
子の量は全構成原子に対して１．０原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０
１）から水素ガス、及び第６タンク（７０６）からシラ
ンガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第６
流量制御器（７１３、及び７１８）内へ流入させた。同
時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（７
０４）より水素ガスで１００　ｐ　ｐｍに希釈されたジ
ボランガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ａｍ２の下で第４流
量制御器（７１６）内へ、流入させた。各流量制御器の
目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｃＣｍ％シラ
ンガスの流量を１０１００５ｅ、水素ガスで１１００ｐ
ｐに希釈されたジボランガスの流量を１０１０５ｅに設
定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流量が
安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏ
ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は
、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、高周波電源（７３９）より周波ｔ！Ｊ１．１
３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗ
ａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この
放電を５分間行ない、厚ざ０６３μｍの電荷発生層を得
た。

得られたａ−３ｉ膜につぎ、金属中○ＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して１８原子％、＠素原子は１０原子ｐｐｍ
であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一６１０Ｖ（＋６７０Ｖ）で有り、即ち、全
感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当りの
帯電能は４゜７７μｍ　（４４Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａＸの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間ｔよ約１５秒（約１
７秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有す
る事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した
後、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位に
まで明減衰きせたとこる必要とされた光量は１．６ルツ
クス・秒（１，５ルツクス・秒）であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

実施例３ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０＝Ｔｏｒｒ程度の高真空に
した後、第１、第３、及び第４調節弁（７０７，７０９
、及び７１０）を解放し、第１タンク（７０１）より水
素ガス、第３タンク（７０３）より酸素ガス、及び第４
タンク（７０４）より四弗化炭素ガスを各々出力圧１．
０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第３、及び第４流量制御器
（７１３，７１５、及び７１６）内へ流入させた。

同時に、第１容器（７１９）よりスチレンガスを第１温
調器（７２２）温度３５℃のもとで第７流量制御器（７
２８）内へ流入させた。そして各流量制ｉ用益の目盛を
調整して、水素ガスの流量を６０ｓｅｃｍ、スチレンガ
スの流量を３０ｓｅｃｍ。

酸素ガスの流量を８ｓｅｃｍｓ及び四弗化炭素ガスの流
量が３０ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合器（
７３１）を介して、主管（７３２）より反応室（７３３
）内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室（
７３３）内の圧力が２゜０Ｔｏｒｒとなるように圧力Ｆ
Ａ節弁（７４５）を調整した。一方、導電性基板（７５
２）としては、樅５０Ｘ横５０×厚３ｍｍのアルミニウ
ム基板を用いて、予め１８０℃に加熱しておき・、ガス
流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ
（７４４）により接続しておいた低周波電源（７４１）
を投入し、電力印加電極（７３６）に２００Ｗａｔｔの
電力を周波数１２０ＫＨｚの下で印加して約４５分間プ
ラズマ重合反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚
き１５μｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。

成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元毒分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４８原子％、また、オージ
ェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の
量は全構成原子に対して６．１原子％、さらに、酸素原
子の量は全構成原子に対して２．３原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０
１）から水素ガス、及び第６タンク（７０６）からシラ
ンガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第６
流量制瀕器（７１３、及び７１８）内へ流入させた。同
時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（７
０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたホスフ
ィンガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量
制ｉ卸器（７１６）内へ、流入させた。各流量制御器の
目盛を調整して水素ガスの流量を２００８ＣＣｍ　％シ
ランガスの流量を１０１００５ｅ水素ガスで１１００ｐ
ｐに希釈されたホスフィンガスの流量を１０１０５ｅに
設定し、反応室（７３３）内に流入きせた。各々の流量
が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．８Ｔ
ｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。

一方、ａ−Ｃ膜が形成きれている導電性基板（７５２）
は、２５０℃に加熱しておぎ、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５
６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４０Ｗａｔｔ
の電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を
５分間行ない、厚き０゜３ａｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中○ＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−４３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して１８原子％、燐原子は１２原子ｐｐｍで
あった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５３０Ｖ　（＋７９０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３５Ｖ／μｍ　（５２Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａＸの９Ｑ％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１２秒（約１８
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初Ｍ帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
て明減衰させたところ必要ときれた光景は１．２ルツク
ス・秒（２，フルックス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として擾れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

実施例４ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製しな。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、第２、第３、及び第４調節弁（７ｏ７
．７０８．７０９、及び７１０）を解放し、第１タンク
（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）よりブ
タジェンガス、第３タンク（７０３）より二酸化炭素ガ
ス、及び第４タンク（７０４）より四弗化炭素ガスを各
々出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、第３、
及び第４流量制御器（７１３，７１４，７１５、及び７
１６）内へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を調
整して、水素ガスの流量を６０ｓｃＱｍ、ブタジェンガ
スの流量を６０ｓｅｃｍｓ二酸化炭素ガスの流量を１２
ｓｅｃｍ１及び四弗化炭素ガスの流量が１６０ｓｅｃｍ
となるように設定して、途中混合器（７３１）を介して
、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が１．６Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５
０×横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め１２０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電
極（７３６）に１３０Ｗａｔｔの電力を周波数１３゜５
６ＭＨｚの下で印加して約１時間半プラズマ重合反応を
行ない、導電性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ−
Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。

成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して５１原子％、また、オージ
ェ分析より含有きれるハロゲン原子、即ち、弗素原子の
量は全構成原子に対して１８．０原子％、ざらに、酸素
原子の量は全構成原子に対して２．０原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０
１）から水素ガス、及び第６タンク（７０６）からシラ
ンガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第６
流量制卯器（７１３、及び７１８）内へ流入させた。同
時に、第４調節弁（７１０３を解放し、第４タンク（７
０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたホスフ
ィンガスを、出力圧１−５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量
制御器（７１６）内へ、流入させた。各流量制＃器の目
盛を調整して水素ガスの流量を２００ＳＣＣｍ１シラン
ガスの流量を１０１００５ｅ、水素ガスで１１００ｐｐ
に希釈されたホスフィンガスの流量を１０１００５ｅに
設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流量
が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．８Ｔ
ｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。

一方、ａ−Ｃ１λが形成されている導電性基板（７５２
）は、２００ｔ：に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３
．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に５５Ｗａ
ｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放
電を５分間行ない、厚さ０．３μｍの電荷発生層を得ｔ
：。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　１．？−ジｘ分析、及び
ＩＭＡ分析を行なったどころ、含有される水素原子は全
構成原子に対して２０原子９６、燐原子は１１５原子ｐ
ｐｍてあった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如と性能が得られた
。ここでは、正帯電時の♂り定値を括弧内に示すが、最
高帯電電位は一２３０Ｖ　（＋４００Ｖ）で有り、即ち
、全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当
りの帯電能は１５Ｖ／μｍ　（２６Ｖ／μｍ）と寓く、
このことから充分な帯電性能を有する事が理解された。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約５秒（約７秒）
であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事が
理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後、白
色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にまで明
減衰きせたとこる必要とされた光量は３．０ルツクス・
秒（９，５ルツクス・秒）であり、このことから充分な
光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
としてほれた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

実施例５ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０＝Ｔｏｒｒ程度の高真空に
した後、第４、第２、第３、及び第４調節弁（７０７，
７０８，７０９、及び７１０）を解放し、第１タンク（
７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）よりブタ
ジインガス、第３タンク（７０３）より酸素ガス、及び
第４タンク（７０４）より四弗化炭紮ガスを各々出力圧
１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、第３、及び第４
流量制御器（７１３，７１４，７１５、及び７１６）内
へ流入きせた。そして各流量制御器の巨盛を調整して、
水素ガスの流量を１８０ｓｅｃｍ１ブタジインガスの流
量を４０ｓｅｃｍ、酸素ガスの流量を４ｓｅｃｍｓ及び
四弗化炭素ガスの流量が１０１０５ｅとなるように設定
して、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）
より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定
した後に、反応室（７３３）内の圧力が２．０Ｔｏｒｒ
となるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、
導電性基板（７５２）としては、ｔｔｌ　５０　Ｘ横５
０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１８０
℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておい
た高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３
６）に２００Ｗａｔｔの電力を周波数ＩＭＨｚの下で印
加して約３０分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４ｏ原子％、また、オージ
ェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の
量は全構成原子に対して４．１原子％、ざらに、酸素原
子の量は全構成原子に対して１．８原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク
（７０２）から四弗化シランガス、及び第６タンク（７
０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で
第１、第２、及び第６流量制御器（７１３，７１４、及
び７１８）内へ流入させた。同時に、第４調節弁（７１
０）を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガスで１
００　ｐ　ｐｍに希釈されたジボランガスを、出力圧１
．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流旦制御器（７１６）内へ
、流入むせた。各流量制御器の目盛を調整して水素ガス
の流量を２００ｓｅｃｍｓ四弗化シランガスの流量を５
０ｓｅｃｍ、シランガスの流量を５０ｓｃｃｍｑ水毒ガ
スで１１００ｐｐに希釈されたジボランガスの流量を１
０１０５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入させた
。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧
力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）
を調整した。一方、ａ−σ膜が形成されている導電性基
板（７５２）は、２３０℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周
波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に
３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させな
。この放電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生
層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２４原子％、硼素原子は１３原子ｐｐｍ
、弗素原子は５原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯Ｍ電位は一６９０Ｖ　（＋６９０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は４５Ｖ／μｍ（４５Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１４秒（約１６
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰きせたとこる必要とされた光量は３．５ルツク
ス・秒（３，２ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７図乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図　第２図 第３図　　第４図 第５図　　第６図 手続補正書 昭和６２年１０月ｚ１日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
   おいて、該電荷輸送層は少なくとも酸素原子とハロゲン
   原子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン膜で
   あり、かつ、該電荷発生層は燐原子及び硼素原子のうち
   少なくとも一方を含有してなる水素化アモルファスシリ
   コン膜或は燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を
   含有してなる弗素化アモルファスシリコン膜であること
   を特徴とする感光体。