JPS6381490A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 量系よΩ刊里分野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従来技術 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化皿鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分子Ｐ
ｌさせて用いるバインダー型構成、敗能別に電荷発生層
と電荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてはならない。

ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン（Ｍ
、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ。

Ｂｅ１ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
　ｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐ　１　ｉｅｄ　　Ｐ。

ｌｙｍｅｒ　　５ｃｉｅｎｃｅ）第１７巻の第８８５頁
乃至第８９２頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製され得る事が、また、同著者により、１９７９年
のアメリカンケミカルソサエティー（Ａｍｅｒｉｃａｎ
　　ＣｈｅｍｆｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行によるプラ
ズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　　Ｐｏｌｙ
ｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論じられ
ている。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如く１０１６ΩＣｍ程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体か開示されている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒沿と炭化水素の混合ガスから生
成される１０１３〜１０Ｉ５Ωｃｍの高抵抗のプラズマ
重合月央を１０人〜１００人設けた上にアモルファスシ
リコン層を設けた感光体が開示きれている。特開昭５９
−１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモ
ルファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散す
るのを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭
素膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示きれている
。特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とそ
の上に設けｆこアモルファスシリコン層との接着性を改
善するために、接着層として２００人〜２μｍのダイヤ
モンド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示きれ、残留
電荷の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている
。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くな（、また、ａ−５ｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を０．１〜１μ
ｍ設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１４
８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成さ
せる技術が開示されている。特開昭６０−６１７６１号
公報には、表面保ｍ層として、５００人〜２μｍのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされてている。

特開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５μ
ｍ程度の無定形成′素または硬質炭素膜を表面保護層と
して用いる技術が開示きれ、膜厚が５μｍを越えると感
光体活性に悪影響が及ぶとされている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−３ｔの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、ａ−３ｉの持づ前記
した本質的問題を解決するものではない。

一方、アモルファスシリコン膜については、スピア（Ｗ
、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンバ（Ｐ。

Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　
　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９４
９頁において、極性副葬が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５６−
６２２５４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公報、
特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１１９
３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、特開
昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７−１７７１４
６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開昭５
７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４９号
公報、特開昭５７−１７４４５０号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示されて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。

発明が解決しようとする問題点 以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。

本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が酸素原
子とハロゲン原子とを含有せしめる事により、燐原子及
び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に炭素
原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリ
コンゲルマニウム膜との積層においては電荷輸送性を有
し、容易に好適な電子写真特性を示し始める事を見出し
た。その理論的解釈には本発明者においても不明確な点
が多く詳細に亙り言及はできないが、酸素原子とハロゲ
ン原子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン膜
中に捕捉されている比較的不安定なエネルギー状態の電
子、例えばπ電子、不対電子、残存フリーラジカル等が
形成するバンド構造が、燐原子及び硼素原子のうち少な
くとも一方を含有すると共に炭素原子を含有してなる水
素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜が
形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子帯において
近似したエネルギー準位を有するため、燐原子及び硼素
原子のうち少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を
含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲ
ルマニウム膜中て発生したキャリアが容易に酸素原子と
ハロゲン原子とを含有してなる水素化アモルファスカー
ボン膜中へ注入され、ざらに、このキャリアは前述の比
較的不安定なエネルギー状態の電子の作用により酸素原
子とハロゲン原子とを含有してなる水素化アモルファス
カーボン膜中を好適に走行し得′るためと推定される。

本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に酸素原子とハロゲン原子と
を含有してなる水素化アモルファスカーボン膜を電荷輸
送層として使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のうち少
なくとも一方を含有すると共に炭素原子を含有してなる
水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウムの
薄膜を電荷発生層として使用した感光体を提供する事を
目的とする。

間”点を解決するための゛ 即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成きれる少なくとも酸素原子とハロゲン原子
とを含有してなる水素化アモルファスカーボン膜であり
、かつ、該電荷発生層が燐原子及び硼素原子のうち少な
くとも一方を含有すると共に炭素原子を含有してなる水
素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜で
あることを特徴とする感光体に関する（以下、本発明に
よる電荷輸送層をａ　−Ｃ膜及び電荷発生層をａ−３ｉ
膜と称する）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能きえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成きれる少なくとも酸素原子とハロゲン原子とを含有し
てなる水素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ、電
荷発生層として同じくグロー放電により生成きれる燐原
子及びＦＪ！４素原子のうち少なくとも一方を含有する
と共に炭素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモル
ファスシリコンゲルマニウム膜を設けた事を特徴とする
機能分離型感光体に関する。該電荷輸送層は、可視光も
しくは半導体レーザー光付近の波長の光に対しては明確
なる光導電性は有きないが、好適な輸送性を有いきらに
、帯電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染性等の電子写真
感光体性能に優れ、しがも透光性にも浸れるため、機能
分離型感光体としての積層構造を形成する場合において
も極めて高い自由度が得られるものである。また、該電
荷発生層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近の波
長の光に対して優れた光導電性を有し、しかも従来のア
モルファスシリコン感光体に比べて極めて薄い膜厚で、
その機能を活かす事ができるものである。

本発明においては、ａ　−Ｃ膜を形成するために有機化
合物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、テ
゛カン、ウンテ゛カン、トチ゛カン、トリデカン、テト
ラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン
、オクタデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコ
サン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコ
サン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノ
ナコサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタ
トリアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソ
ブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、
ネオヘキサン、２．３−ジメチルブタン、２−メチルヘ
キサン、３−エチルベブタン、２，２−ジメチルペンタ
ン、２，４−ジメチルペンタン、３．３−ジメチルペン
タン、トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルへ
ブタン、２．２−ジメチルヘキサン、２，２．５−ジメ
チルヘキサン、２，２．３−トリメチルペンタン、２，
２．４−トリメチルペンタン、２，３゜３−トリメチル
ペンタン、２．３．４−）ジメチルペンタン、イソナノ
ン、等のイソパラフィン、。

等が用いられる。不飽和炭化水素としては、例えば、エ
チレン、プロピレン、イソブチレン、１−ブテン、２−
ブテン、１−ペンテン、２−ペンテン、２−メチル−１
−ブテン、３−メチル−１−ブテン、２−メチル−２−
ブテン、１−ヘキセン、テトラメチルエチレン、１−ヘ
プテン、１−オクテン、ｌ−ノネン、ｌ−デセン、等の
オレフィン、並びに、アレン、メチルアレン、ブタジェ
ン、ペンタジェン、ヘキサジエン、シクロペンタジェン
、等のジオレフィン、並びに、オシメン、アロオシメン
、ミルセン、ヘキサトリエン、等のトリオレフイン、並
びに、アセチレン、ブタジイン、１゜３−ペンタジイン
、２，４−へキサジイン、メチルアセチレン、１−ブチ
ン、２−ブチン、１−ベンヂン、１−ヘキシン、１−ヘ
プチン、１−オクチン、１−ノニン、１−デシン、等が
用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロウンデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボレ
ン、・ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネン
セスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレ
ン、セドレン、カンホレン、フイロクラテン、ボドカル
プレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が
用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメ
ン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン
、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチ
ルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビ
フェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェ
ニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフ
タリン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、
等が用いられる。

ざらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね３ｏ乃
至６０原子％含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばＣＮ
Ｈ分析を用いる事により知る事ができる。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。

本発明における電荷輸送層としてのａ　−Ｃ膜のＦＪ厚
は、通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至
５０ｕｍ、特に７乃至２０μｍが適当であり、５μｍよ
り薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画＠濃度を得
る事ができない。また、５０μｍより厚いと、生産性の
面で好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の暖に５μｍ以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送され明減衰に寄
与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成きれるイオン状態を経て形成きれてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ膜中に少な
くとも酸素原子を添加するために酸素化合物が使用され
る。該酸素化合物における相状態は常温常圧において必
ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶
融、蒸発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相
でも固相でも使用可能である。酸素化合物としては、例
えば、酸素、オゾン、水蒸気、−酸化炭素、二酸化炭素
、亜酸化炭素、等の無機化合物、水酸基（−ＯＨ）、ア
ルデヒド基（−ＣＯＨ）　、アシル基（ＲＣ○−１−Ｃ
ＲＯ）、ケトン基（＞Ｃｏ）　、エーテル結合（−〇−
）、エステル結合（−Ｃｏｏ−）　、酸素を含む複素環
、等の官能基或は結合を有する有機化合物、等が用いら
れる。水酸基を有する有機化合物としては、例えば、メ
タノール、エタノール、プロパツール、ブタノール、フ
リルアルコール、フルオロエタノール、フルオロブタノ
ール、フェノール、シクロヘキサノール、ベンジルアル
コール、フルフリルアルコール、等が用いられる。アル
デヒド基を有する有機化合物としては、例えば、ホルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオアルデヒド、
ブチルアルデヒド、グリオキサール、アクロレイン、ベ
ンズアルデヒド、フルフラール、等が用いられる。アシ
ル基を有する有機化合物としては、例えば、ギ酸、酢酸
、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、パルミチン酸、ステア
リン酸、オレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、
安息香酸、トルイル酸、サリチル酸、ケイヒ酸、ナフト
エ酸、フタル酸、フラン酸、等が用いられる。ケトン基
を有する有機化合物としては、例えば、アセトン、エチ
ルメチルケトン、メチルプロピルケトン、ブチルメチル
ケトン、ビナコロン、ジエチルケトン、メチルビニルケ
トン、メシチルオキシド、メチルへブテノン、シクロブ
タノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセト
フェノン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、バレロ
フエノン、ジベンジルケトン、アセトナフトン、アセト
フェノン、アセトフロン、等が用いられる。エーテル結
合を有する有機化合物としては、例えば、メチルエーテ
ル、エチルエーテル、プロピルエーテル、ブチルエーテ
ル、アミルエーテル、エチルメチルエーテル、メチルア
ミルエーテル、メチルアミルエーテル、メチルアミルエ
ーテル、エチルプロピルエーテル、エチルアミルエーテ
ル、エチルアミルエーテル、ビニルエーテル、アリルエ
ーテル、メチルビニルエーテル、メチルフリルエーテル
、エチルビニルエーテル、エチルアミルエーテル、アニ
ソール、フエネトール、フェニルエーテル、ベンジルエ
ーテル、フェニルベンジルエーテル、ナフチルエーテル
、酸化エヂレン、酸化プロピレン、酸化トリメチレン、
テトラヒドロフラン、テトラヒドロビラン、ジオキサン
、等が用いられる。エステル結合を有する有機化合物と
しては、例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピ
ル、ギ酸ブチル、ギ酸アミル、酢酸メチル、酢酸エチル
、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピオン
酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル
、プロピオン酸ブヂル、プロピオン酸アミル、酪酸メチ
ル、酪酸エチル、酪酸プロピル、酪酸ブチル、酪酸アミ
ル、吉草酸メチル、吉草酸エチル、吉草酸プロピル、吉
草酸ブチル、吉草酸アミル、安息香酸メチル、安息香酸
エチル、ケイ皮酸メチル、ケイ皮酸エチル、ケイ皮酸プ
ロピル、サリチル酸メチル、サリチル酸エチル、サリチ
ル酸プロピル、サリチル酸ブチル、サリチル酸アミル、
アントラニル酸メチル、アントラニル酸エチル、フント
ラニル酸ブチル、アントラニル酸アミル、フタル酸メチ
ル、フタル酸エチル、フタル酸ブチル、等が用いられる
。酸素を含む複素環化合物としては、フラン、オキサゾ
ール、フラザン、ビラン、オキサジン、モルホリン、ベ
ンゾフラン、バンゾオキサゾール、クロメン、クロマン
、ジベンゾフラン、キサンチン、フェノキサジン、オキ
ソラン、ジオキソラン、オキサチオラン、オキサジアジ
ン、ベンゾイソオキサゾール、等が用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、全構成原子に対して７．０原子％以下である
。ここで酸素原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例
えばオージェ分析により知る事ができる。酸素原子の量
が７．０原子％より高い場合には、少量の添加では好適
な輸送性を保証していた酸素原子が、逆に膜の低抵抗化
を招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。また、酸素
源ガスの一部のもの、例えば、酸素ガス、オゾンガス、
−酸化炭素ガス等においては、エツチング効果が強く現
れ、その流量を増やす事により酸素原子の膜中への添加
量を増加きせようとすると、成膜速度が低下し、ある程
度の！ｌ！！厚が必要とされる電荷輸送層の成膜にわい
ては不都合となる。従って、本発明における酸素原子添
加量の範囲は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の酸素化合物の導入量を増減することにより制御するこ
とが可能である。酸素化合物の導入量を増大きせれば、
本発明によるａ　−Ｃ膜中への酸素原子の添加量を高く
することが可能であり、逆に酸素化合物の導入量を減少
させれば、本発明によるａ　−Ｃ膜中への酸素原子の添
加量を低くすることが可能である。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ膜中に少な
くともハロゲン原子を添加するためにハロゲン化合物が
使用きれる。ここでハロゲン原子とは、弗素原子、塩素
原子、臭素原子、及び沃素原子をいう。該ハロゲン化合
物における相状態は常温常圧において必ずしも気相であ
る必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華
等を経て気化しうるものであれば、液相でも固相でも使
用可能である。ハロゲン化合物としては、例えば、弗素
、塩素、臭素、沃素、弗化水素、弗化塩素、弗化臭素、
弗化沃素、塩化水素、塩化臭素、塩化沃素、臭化水素、
臭化沃素、沃化水素、等の無機化合物、ハロゲン化アル
キル、ハロゲン化アリール、ハロゲ化スチレン、ハロゲ
ン化ポリメチレン、ハロホルム、等の有機化合物が用い
られる。ハロゲン化アルキルとしては、例えば、フッ化
メチル、塩化メチル、臭化メチル、ヨウ化メチル、フッ
化エチル、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、フ
ッ化プロピル、塩化プロピル、臭化プロピル、ヨウ化プ
ロピル、フッ化ブチル、塩化ブチル、臭化ブチル、ヨウ
化ブチル、フッ化アミル、塩化アミル、臭化アミル、ヨ
ウ化アミル、フッ化ヘキシル、塩化ヘキシル、臭化ヘキ
シル、ヨウ化ヘキシル、フッ化へブチル、塩化へブチル
、臭化へブチル、ヨウ化へブチル、フッ化オクチル、塩
化オクチル、臭化オクチル、ヨウ化オクチル、フッ化ノ
ニル、塩化ノニル、臭化ノニル、ヨウ化ノニル、フッ化
デシル、塩化デシル、臭化デシル、ヨウ化デシル、等が
用いられる。ハロゲン化アリールとしては、例えば、フ
ルオルベンゼン、クロルベンゼン、ブロムベンゼン、ヨ
ードベンゼン５、クロルトルエン、ブロムトルエン、ク
ロルナフタリン、ブロムナフタリン、等が用いられる。

ハロゲン化スチレンとしては、例えば、クロルスチレン
、プロムスヂレン、ヨードスチレン、フルオルベンゼン
、等が用いられる。ハロゲン化ポリメチレンとしては、
例えば、塩化スチレン、臭化メチレン、ヨウ化メチレン
、塩化エチレン、臭化エチレン、ヨウ化エチレン、塩化
トリメチレン、臭化トリメチレン、ヨウ化トリメチレン
、ジ塩化ブタン、ジ臭化ブタン、ショウ化ブタン、ジ塩
化ペンタン、ジ臭化ペンタン、ショウ化ペンタン、ジ塩
化ヘキサン、ジ臭化ヘキサン、ジヨウ化ヘキサン、ジ塩
化へブタン、ジ臭化へブタン、ショウ化へブタン、ジ塩
化オクタン、ジ臭化オクタン、ショウ化牙りタン、ジ塩
化ノナン、ジ臭化ノナン、ジ塩化デカン、ジヨウ化デカ
ン、等が用いられる。ハロホルムとしては、例えば、フ
ルオロホルム、クロロホルム、ブロモホルム、ヨードホ
ルム、等が用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有されるハロゲ
ン原子の量は、全構成原子に対して０゜１乃至２５原子
％である。ここで、膜中に含有されるハロゲン原子の量
は、元素分析の常法、例えばオージェ分析により知る事
ができる。ハロゲン原子の量が０．１原子％より低い場
合には、必ずしも好適な電荷輸送性が保証されず、感度
低下もしくは残留電位の発生等を生じ易くなり、また、
経時的感度安定性も保証されなくなる。ハロゲン原子の
量が２５原子％より高い場合には、適量の添加では好適
な電荷輸送性と残留電位発生防止を保証していたハロゲ
ン原子が、逆に、帯電能の低下、さらには経時後の暗抵
抗を低くする作用を示し、数カ月単位の保管中に電荷保
持能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が保証されな
くなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を招く。従っ
て、本発明におけるハロゲン原子添加量の範囲は重要で
ある。

本発明において化学的修飾物質として含有されるハロゲ
ン原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への
前述のハロゲン化合物の導入量を増減することにより制
御することが可能である。

ハロゲン化合物の導入量を増大させれば、本発明による
ａ−Ｃ膜中へのハロゲン原子の添加量を高くすることが
可能であり、逆にハロゲン化合物の導入量を減少させれ
ば、本発明によるａ　−Ｃ膜中へのハロゲン原子の添加
量を低くすることが可能である。

本発明においては、ａ−５ｉ膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガス等が用いられる。ざらに、化学的
修飾物質として炭素原子を膜中に含有せしめるための原
料ガスとして、メタン、エタン、エチレン、アセチレン
、プロパン、プロピレン、ブタン、ブタジェン、ブタジ
イン、ブテン、−酸化炭素、或は、二酸化炭素等の炭素
化合物ガスが用いられる。また、ゲルマニウム原子を含
有させるために、ゲルマンガスが用いられる。

本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量は、シリコン原子とゲルマニウム原子との
総和に対して、３０原子％以下が好ましい。ここで、ゲ
ルマニウム原子及びシリコン原子の含有率は、元素分析
の常法、例えばオージェ分析により知る事ができる。ゲ
ルマニウム原子の含有量は、膜形成時に流入するゲルマ
ンガスの流量を増加する事により高くなる。ゲルマニウ
ム原子の含有量が高くなるにつれ本発明感光体の長波長
感度は向上し、短波長領域から長波長領域にまで幅広く
露光源が選択され得るようになり好ましいが、ゲルマニ
ウム原子が３０原子％より多く含有されると帯電能の低
下を招くため、過剰の添加は好ましくない。従って、本
発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含有されるゲルマニウム原
子の含有量は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の景は、全構成原子に対して２００００原
子ｐｐｍ以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はＩ
ＭＡ分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が２ｏｏｏｏ原子ｐｐｍより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制御効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は−素原子添加量の範囲は重要であ
る。

本発明において化学的修飾物質として含有される炭素原
子の量は、全構成原子に対して０．００１乃至５原子％
である。ここで炭素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はＩＭＡ分析により知る事が
できる。炭素原子の膜中含有量が０．００１原子％より
低い場合には、ａ−Ｓｉ膜の電気抵抗値が低くなる事か
らａ−３ｉ膜にコロナ帯電等による電界がかかりにくく
なり、光励起キャリアが必ずしも効率よ＜ａ−ＣＩＩ’
Ｊ中に注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯電
能も低下する。炭素原子の膜中含有量が５原子％より高
い場合には、ａ−３ｉ膜の電気抵抗値が寓くなり過ぎ、
光励起キャリアの発生効率の低下及びキャリアの易動速
度の低下により、感度低下を招く。従って、本発明にお
ける炭素原子添加量の範囲は重要である。

本発明におけるａ−３ｉ膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね１０乃至３５原
子％含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばＯＮＨ分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−３ｉ膜のＨＭ厚
は、通常の電子写真プロセスで用いるためには、０．１
乃至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、光吸
収が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、
感度の低下を招く。また、５μｍより厚いと、生産性の
面で好ましくない。このａ−Ｓｉｌ！ｒ！ｃは電荷発生
能に富み、ざらに、本発明の最も特徴とするところのａ
−Ｃ膜との積層構成において効率よ＜ａ−Ｃ膜中に発生
キャリアを注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可
能である。

本発明における原料気体からａ−３ｉ膜を形成する過程
は、ａ−Ｃ膜を形成する場合と同様にして行なわれる。

本発明において化学的修飾物質として含有される炭素原
子、燐原子、或は、硼素原子の量は、主に、プラズマ反
応を行なう反応室への前述の炭素化合物ガス、ホスフィ
ンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減することに
より制御することが可能である。炭素化合物ガス、ホス
フィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるａ−３ｉ膜中への炭素原子、燐原子、
或は、硼素原子の添加量を高くすることが可能であり、
逆に炭素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、ジボラン
ガスの導入量を減少させれば、本発明によるａ−３ｉ膜
中への炭素原子、燐原子、或ば、硼素原子の添加量を低
くすることが可能である。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を順次積層してなる
構成を示したものである。第２図は、別の一形態として
、導電性基板（１）上に電荷発生層（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。第
３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に、電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体
表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層（２）中を導電性
基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発生層（
３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（２）中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第２図及び第３図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。

第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面保護層（
４）を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第１図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいａ−Ｓｉ膜
で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を確
保するために表面保護層を設けることが好ましい。第２
図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久性に優れたａ
−Ｃ膜であるため表面保Ｍ層を設けなくてもよいが、例
えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止するよ
うな、複写機内の各柵エレメントに対する整合性を調整
する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一形
態と成りうる。

第５図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２区の
形態では、導電性基板との接合面がａ−Ｓｉ膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第１図及び第３図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。

第６図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第２図及び第３図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるａ−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５μｍ以下
に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により銹導し、基板上での再結合反
応により同相として堆積きせる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６タ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（
７Ｌ　８）に接続きれている。図中（７１９）〜（７２
１）は常温において液相または固相状態にある原料化合
物を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化の
ため第１乃至第３温調器（７２２）〜（７２４）により
与熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調節
弁（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制御器（
７２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガス
は混合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）を
介して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は
、常温において液相または固相状態にあった原料化合物
が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置
された配管加熱！　（７３４）により、与熱可能とされ
ている。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電
極（７３６）が対向して設置され、各々の電極は電極加
熱器（７３７）により与熱可能ときれている。電力印加
電極（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を
介して高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（７
４０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィル
タ（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されて
おり、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異な
る電力が印加可能とされている。反応室（７３３）内の
圧力は圧力制御弁（７４５）により調整可能であり、反
応室（７３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を
介して、拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポンプ（７４
８）　、或は、冷却除外装置（７４９）　、メカニカル
ブースターポンプ（７５０）、油回転ポンプ（７４８）
により行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な除
外装置（７５３）により安全無害化した後、大気中に排
気きれる。これら排気系配管についても、常温において
液相または固相状態にあった原料化合物が気化したガス
が、途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱
器（７３４）により、与熱可能ときれている。反応室（
７３３）も同様の理由から反応室加熱器（７５１）によ
り与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性基板
（７５２）が設置される。第７図において導電性基板（
７５２）は接地電極＜７３５）に固定して配きれている
が、電力印加電極（７３６）に固定して配されてもよく
、ざらに双方に配されてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、７００番台のものを８００番台に置
き換えて解すればよい。第８図において、反応室（８３
３）内部には、第７図における接地電極（７３５）を兼
ねた円筒形の導電性基板（８５２）が設置され、内側に
は電極加熱器（８３７）が配されている。導電性基板（
８５２）周囲には同じく円筒形状をした電ノコ印加電極
（８３６）が配され、外側には電極加熱器（８３７）が
配きれている。導電性基板（８５２）は、外部より駆動
モータ（８５４）を用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びにＮ極に固定して配きれ
た導電性基板を所定の濃度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如さ・感光体構成の中から所望の構成を得る
ために、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷
発生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電
荷発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を
用いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃
至第３容器から、原料ガスを適宜第１乃至第９流量＄１
１卸器を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧
力調節弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス
流量が安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば
高周波電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入
する。両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上
に固相の膜が形成される。ａ−Ｓｉ膜或はａ−Ｃ膜は、
原料ガスを代える事により任意に形成可能である。放電
を一旦停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を
再開すれば異なる組成の膜を積層する事ができる。また
、放電を持続きせながら原料ガス流量だけを徐々に代え
、異なる組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可
能である。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

去旅健１ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、第２、第３、及び第４調節弁（７０７
，７０８，７０９、及び７１０）を解放し、第１タンク
（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）よりブ
タジェンガス、第３タンク（７０３）より二酸化炭紫ガ
ス、及び第４タンク（７０４）より四弗化炭素ガスを各
々出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、第３、
及び第４ｆＣ量制！（７１３，７１４，７１５、及び７
１６）内へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を調
整して、水素ガスの流量を６０ｓｃＣｍ、ブタジェンガ
スの流量を６０ｓｅｃｍ、二酸化炭素ガスの流量を１２
ｓｅｃｍｓ及び四弗化炭素ガスの流量が１６０ｓｅｃｍ
となるように設定して、途中混合！（７３１）を介して
、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が１．６Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５
０Ｘ横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め１２０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電
極（７３６）に１３０Ｗａｔｔの電力を周波数４００Ｋ
Ｈｚの下で印加して約５０分プラズマ重合反応を行ない
、導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を
電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排
気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して５１原子％、また、オージ
ェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の
量は全構成原子に対して１８．０原子％、ざらに、酸素
原子の量は全構成原子に対して２．０原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第５調節弁（７１１）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク
（７０２）からゲルマンガス、第５タンク（７０５）か
らエタンガス、及び第６タンク（７０６）からシランガ
スを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、第５、
及び第６流量制御器（７１３，７１４，７１７、及び７
１８）内へ流入させた。同時に、第４調節弁（７１０）
を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガスで１１０
０ｐｐに希釈されたジボランガスを、出力圧１．５Ｋｇ
／ｃｍ２の下で第４流量制御器（７１６）内へ、流入さ
せた。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を
２００　ｓ　ｅ　ｃ　ｍ　％ゲルマンガスの流量を１０
１０５ｅ、エタンガスの流量を３　ｓ　ｅ　ｃｍ、シラ
ンガスの流量を１１００５ＣＣ、水素ガスで１１００ｐ
ｐに希釈されたジボランガスの流量を１０１０５ｅに設
定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流量が
安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．９Ｔｏ
ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は
、２４０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６
ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４５Ｗａｔｔの
電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を５
分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中○ＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）、オージェ分析、及びＩＭ
Ａ分析を行なったところ、含有されろ水素原子は全構成
原子に対して２１原子％、硼素原子は１１原子１’　２
ｍ％炭素原子は０．３原子％、ゲルマニウム原子は１５
．７原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一３１０Ｖ（＋２８０　Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は２０Ｖ　／　７４　ｍ　（１８Ｖ、／　ａ　
ｍ　）と極めて高く、このことから充分な帯電性能を有
する事が理解された。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまでＢｏｘ衰するのに要した時間は約５秒（約４秒
）であり、このことから実用上問題のない電荷保持性能
を有する事が理Ｎされた。また、最高帯電電位に初期帯
電した後、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は３．
フルックス・秒（３，２ルツクス・秒）であり、このこ
とから充分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

Ｘ施望旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第３、及び第４調Ｂ弁（７０７，
７０９、及び７１ｏ）を解放し、第１タンク（７０１）
より水素ガス、第３タンク（７０３）より酸素ガス、及
び第４タンク（７０４）より四弗化炭素ガスを各々出力
圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第３、及び第４流量
制ｖｌＪＮ（７１３，７１５、及び７１６）内へ流入さ
せた。

同時に、第１容ｕ（７１９）’よりスチレンガスを第１
温調器（７２２）温度３５℃のもとて第７流量制御器（
７２８）内へ流入させな。そして各流量ＩＪ祁器の目盛
を調整して、水素ガスの流量を６０　ｓ　ｃ　ｃ　ｒｎ
　ｓスチレンガスの流量を３０ｓｃｃｍｑ酸毒ガスの流
量を８ｓｅｃｍ、及び四弗化炭素ガスの流量が３０ｓｅ
ｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）を介
して、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入し
た。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の
圧力が２゜０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５
）を調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、
樅５０×横５０Ｘ　１ｇ３　ｍ　ｍのアルミニウム基板
を用いて、予め１８０℃に加熱しておき、ガス＠ｍ及び
圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４
）により接続しておいた低周波電源（７４１）を投入し
、電力印加′Ｒ極（７３６）に２００Ｗａｔｔの電力を
周波数６０ＫＨｚの下で印加して約４５分間プラズマ重
合反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚き１５μ
ｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了
後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３
３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４８原子％、また、オージ
ェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の
量は全構成原子に対して６．１原子％、ざらに、酸素原
子の量は全構成原子に対して２．３原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第５調節弁（７１１）、及び第
６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）からゲルマンガス、
第５タンク（７０５）からメタンガス、及び第６タンク
（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の
下で第１、第２、第５、及び第６流量制御器（７１３，
７１４，７１７、及び７１８）内へ流入させた。

同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（
７０４）より水素ガスで１００　ｐ　ｐｍに希釈された
ジボランガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４
流量制御器（７１６）内へ、流入させた。各流量制′ｎ
Ｗの目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、
ゲルマンガスの流量を６ＳＣＣｍ、メタンガスの流量を
０．０１ｓｅｃｍ。

シランガスの流量を１０１００５ｅ、水素ガスで１００
　ｐ　ｐｍに希釈されたジボランガスの流量を１０１０
５ｅとなるように設定し、反応室（７３３）内に流入さ
せな。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内
の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４
５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電
性基板（７５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流
量及び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）よ
り周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６
）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生さ
せた。この放電を５分間行ない、厚きＯ０３μｍの電荷
発生層を得た。

得られたａ−Ｓｔ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２０原子％、硼素原子は９原子ｐＰｍｓ
炭素原子は０．００１原子％、ゲルマニウム原子は９．
８原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５３０Ｖ　（＋５６０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３５Ｖ／μｍ　（３７Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１３秒（約１４
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高ｉ電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は１．４ルツク
ス・秒（１，３ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。また、最高帯
電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発光波長
７８０ｎｍ）を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位
にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は８．３ｅ
ｒ、ｇ／ｃｍ”　（７，２ｅｒｇ／ｃｍ２）であり、こ
のことから充分な長波長光感度性能を有する事が理解さ
れた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が　　′理解き
れる。また、この感光体に対して常用のカールソンプロ
セスの中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得
られた。

去旋ガ溢 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、第２、第３、及び第４調節弁（７０７
，７０８，７０９、及び７１０）を解放し、第１タンク
（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）よりエ
チレンガス、第３タンク（７０３）より酸素ガス及び第
４タンク（７０４）より四塩化炭素ガスを各々出力圧１
゜０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、第３、及び第４流
量制御器（７１３，７１４，７１５、及び７１６）内へ
流入きせた。そして各流量制罪器の目盛を調整して、水
素ガスの流量を６０ｓｅｃｍ、エチレンガスの流量を６
０ＳＣＣｍ、酸素ガスの流量を４ｓｅｃｍ、及び四塩化
炭素ガスの流量が２０ｓｅｃｍとなるように設定して、
途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）より反
応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した後
に、反応室（７３３）内の圧力が２．０Ｔｏｒｒとなる
ように圧力調節弁（７４５）を調整した。

一方、導電性基板（７５２）としては、Ｎ５０×１５０
Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２３０℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた
高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６
）に２００　Ｗ　ａｌｌの電力を周波数１３．５６ＭＨ
ｚの下で印加して約７時間プラズマ重合反応を行ない、
導電性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ　−Ｃ膜を
電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排
気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して４２原子％、また、オージェ
分析より含有されるハロゲン原子、即ち、塩素原子の量
は全構成原子に対して４．９原子％、ざらに、酸素原子
の量は全構成原子に対して１．０原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第５調節弁（７１１）、及び第
６調百弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）からゲルマンガス、
第５タンク（７０５）からメタンガス、及び第６タンク
（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の
下で第１、第２、第５、及び第６流量制御器（７１３，
７１４，７１７、及び７１８）内へ流入させた。

同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（
７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボ
ランガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量
制御器（７１６）内へ、流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、ゲルマ
ンガスの流量を６５ＣＣｍ、メタンガスの流量を１０１
０５ｅ、シランガスの流量を１００　ｓ　ｃ　ｃ　ｒｎ
　Ｎ水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボランガス
の流量を１０１００５ｅに設定し、反応室（７３３）内
に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応室（７
３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節
弁（７４５）を調整した。一方、ａ　−Ｃ膜が形成され
ている導電性基板（７５２）は、２５０℃に加熱してお
き、ガスｉ７？ｉ：量及び圧力が安定した状態で、高周
波電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電
力印加電極（７３６）に４０Ｗａｔｔの電力を印加し、
グロー放電を発生させた。この放電を５分間行ない、厚
き０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中○ＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２４原子％、硼素原子は９５原子ｐｐｍ
％炭素原子は１．０原子％、ゲルマニウム原子は１ｏ、
５原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正１ｔｆ電時の測定値を括弧内に示すが、
最高帯電電位は一６７０Ｖ　（＋６６０Ｖ）で有り、即
ち、全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ
当りの帯電能ハ４４Ｖ／μｍ　（４３Ｖ／μｍ）と極め
て高く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解
された。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１７秒（約１４
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は３．０ルツク
ス・秒（１，８ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、佳作して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

Ｘ施ガ丘 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１　（ｌ’Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の
高真空にした後、第１、第２、第３、及び第４調節弁（
７０７，７０８，７０９、及び７１０）を解放し、第１
タンク（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）
よりアセチレンガス、第３タンク（７０３）より酸素ガ
ス、及び第４タンク（７０４）より四弗化炭素ガスを各
々出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、第３、
及び第４流量制御器（７１３，７１４、？１５、及び７
１６）内へ流入させた。そして各流量制御器の目盛をＦ
Ａ整して、水素ガスの流量を１８０ｓｅｃｍ１アセチレ
ンガスの流量を４０ｓｅｃｍ１酸素ガスの流量を４ｓｅ
ｃｍ、及び四弗化炭素ガスの流量が１０１０５ｅとなる
ように設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管
（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の
流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が２．
０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整し
た。一方、導電性基板（７５２）としては、Ｗ５０Ｘ横
５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２５
０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続してお
いた高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７
３６）に２００Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨ
ｚの下で印加して約３時間プラズマ重合反応を行ない、
導電性基板（７５２）上にＩｇざ１５μｍのａ−Ｃ膜を
電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排
気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して３４原子％、また、オージ
ェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の
量は全構成原子に対して２．０原子％、さらに、酸素原
子の量は全構成原子に対して１．１原子％であった。

電荷発生層形成工程； 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第３調節弁（７０９）、第５調
節弁（７１１）、及び第６：Ａ油井（７１２）を解放し
、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク（７
０２）からゲルマンガス、第３タンク（７０３）から四
弗化シランガス、第５タンク（７０５）から四弗化炭素
ガス、及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出
力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１１第２、第３、第５、及
び第６流量制御器（７１３，７１４，７１５，７１７、
及び７１８）内へ流入させた。同時に、第４調節弁（７
１０）を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガスで
ｌｏｏｐｐｍに希釈きれたジボランガスを、出力圧１．
５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制御器（７１６）内へ、
流入させた。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの
流量を２０Ｏｓｃｃｍ、ゲルマンガスの流量を３ｓｅｃ
ｍｓ四弗化シランガスの流量を５０ｓｅｃｍ、四弗化炭
素ガスの流量を０．１ｓｃｃｍ、シランガスの流量を５
０ｓｅｃｍ、水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボ
ランガスの流量を１０１０５ｅとなるように設定し、反
応室（７３３）内に流入きせた。各々の流量が安定した
後に、反応室（７３３）内の圧力が０．９Ｔｏｒｒとな
るように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ　
−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は、２５
０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚ
の下で電力印加電ｆｉ＋（７３６）に３５Ｗａｔｔの電
力を印加し、グロー放電を発生させな。

この放電を５分間行ない、厚ざ０，３μｍの電荷発生層
を得た。

得られたａ−５ｉｌｌにつき、金属中ＯＮＨ分析（板場
製作所要ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及び
ＩＭＡ分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全
構成原子に対して２２原子％、硼素原子は１１原子ｐｐ
ｍ５弗素原子は４．８原子％、炭素原子は０．１原子％
、ゲルマニウム原子は６．４原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一７２０Ｖ　（＋７７００　Ｖ）で有り、即
ち、全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ
当りの帯電能は４７Ｖ／ｕｍ　（５０Ｖ／μｍ）と極め
て高く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解
きれた。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗′ｇ哀するのに要した時間は約１９秒（約２
１秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有す
る事が理Ｎきれた。また、最高帯電電位に初期帯電した
後、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位に
まで明減衰させたところ必要とされた光量は３．８ルツ
クス・秒（３，６ルツクス・秒）であり、このことがら
充分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

叉施健旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装ｆｆ１（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、第３、及び第４調節弁（７
０７，７０８，７０９、及び７１０）を解放し、第１タ
ンク（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）よ
りブタジインガス、第３タンク（７０３）より酸素ガス
、及び第４タンク（７０４）より四弗化炭素ガスを各々
出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、第３、及
び第４流量制Ｄす器（７１３，７１４，７１５、及び７
１６）内へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を調
整して、水素ガスの流量を１８０ｓｅｃｍ１ブタジイン
ガスの流量を４０ｓｅｃｍ、酸素ガスの流量を４ｓｅｃ
ｍ、及び四弗化炭素ガスの流量が１０１０５ｅとなるよ
うに設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管（
７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流
量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が２．０
”［’ｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整
した。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５０Ｘ
横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１
００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状
態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続して
おいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（
７３６）に２００Ｗａｔｔの電力を周波数６００ＫＨｚ
の下で印加して約３０分間プラズマ重合反応を行ない、
導電性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ　−Ｃ膜を
電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排
気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４０原子％、また、オージ
ェ分析より含有きれるハロゲン原子、即ち、弗素原子の
量は全構成原子に対して４．１原子％、ざらに、酸素原
子の量は全構成原子に対して１．８原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２ＦＡ節弁（７０８）、第５調節弁（７１１）、及び
第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）
から水素ガス、第２タンク（７０２）からゲルマンガス
、第５タンク（７０５）からメタンガス、及び第６タン
ク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２
の下で第１、第２、第５、及び第６流量制御器（７１３
，７１４，７１７、及び７１８）内へ流入させた。

同時に、第４７Ａ節弁（７１０）を解放し、第４タンク
（７０４）より水素ガスで１０ｐｐｍに希釈されたホス
フィンガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流
量制御器（７１６）内へ、流入させた。各流量制御器の
目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、ゲル
マンガスの流量を６３ＣＣｍ、メタンガスの流量を３ｓ
ｅｃｍ、シランガスの流量を２００ｓｅｃｍ、水素ガス
で１１００ｐｐに希釈きれたホスフィンガスの流量を１
０１０５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入させた
。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧
力が１．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）
を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基
板（７５２）は、２３０℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周
波数１３゜５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に
３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた
。この放電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生
層を得た。

得られたａ−Ｓｉ１５ｊにつき、金属中ＯＮＨ分析（板
場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及
びＩＭΔ分析を行なったところ、含有される水素原子は
全構成原子に対して１８原子％、燐原子は１２原子ｐｐ
ｍ５炭素原子は０．３原子％、ゲルマニウム原子は１ｏ
、４原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５００■（＋７６０Ｖ）で有り、即ち、全
感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当りの
帯電能は３３Ｖ／μｍ（４９Ｖ／μｍ９　と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１３秒（約１９
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰きせたところ必要とされた光量は２．１ルツク
ス・秒（６，９ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７図乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図 第２図 第４図 第６図 手続補正書 昭和６２年１０月２１日 特許庁長官　小　川　邦　夫　殿 ２、発明の名称 感光体 ３、補正をする者 事件との関係　　出願人 住所　大阪市東区安土町２丁目３０番地　大阪国際ビル
名称　（６０７）　　　ミ／ルタヵメラ株式会社自発補
正 ５、補正の対象 図面 ６、補正の内容 図面第８図を「訂正第８図」の通り補正します。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
   おいて、該電荷輸送層は少なくとも酸素原子とハロゲン
   原子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン膜で
   あり、かつ、該電荷発生層は炭素原子を含有すると共に
   燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してな
   る水素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜或は炭素
   原子を含有すると共に燐原子及び硼素原子のうち少なく
   とも一方を含有してなる弗素化アモルファスシリコンゲ
   ルマニウム膜であることを特徴とする感光体。