JPS62148964A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

奪溝Ｊ各−ｑ利用−分男ｆ 本発明は炭素薄膜を電荷輸送層とする感光体に関する。 倣米珠軒 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。 従来用いられてきた電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリヒニルカルハゾール、金属フタロシアニン、
ジス）２ゾ顔！１、トリスアゾ顔料、ベリレノ顔１１、
ｌ−リフェニルメタン化合物、ｌ・リフェニルアミン化
合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン
化合物、オギザゾール化合物、オギザジアゾール化合物
、等の有機物質が挙げられる。 また、その構成形態として（」、これらの物質を単体で
用いる単層型構成、結着材中に分散させて用いるバイン
ダー型構成、機能別に電荷発生層と電荷輸送層とを設け
る積層型構成等が挙げられる。 しかしながら、従来用いられてきた電子写真感光体材１
ｉ１にはそれぞれ欠点があった。 その一つとして人体への有害性が挙げられるが、前述し
たアモルファスシリコンを除く無機物質においては、何
れも好ましくない性質を持つものであった。 また、電子写真感光体が実際に複写機内で用いられろた
めに（」、帯電、露光、現像、転写、除電、清掃等の苛
酷な環境条件に晒された場合においても、常に安定な性
能を維持している必要かあるか、前述１刀こ自′機物質
において（Ｊ、何れし耐久性に乏しく、性能面での不安
定要素が多か−、た。 そのような問題点を解決４−へく、近年、感光体、特に
電子写真用感光体にプラズマ化学蒸着法（以下、プラズ
マＣＶ　Ｉ）法という）により作製されたアモルファス
ンリコン（以下、ａ−８ｉと略す）が採用されるに至っ
ている。 ａ−８ｉ悪感光は種々の優れノコ特性を有４−る。しか
しａ−８ｉｉｊ比誘電率εが１２程度と大きいため、感
光体として充分な表面電位を得ろためには、本質的に最
低２５７ｚｍ程度の；ｌ負厚が必要であるという問題が
ある。ａ−８ｉ悪感光（Ｊｌ　プラズマ（’、Ｖｌ）法
においては膜の堆積速度か遅いため作製に長時間を要１
２、さらに均質ム゛膜のａ−８ｉを得ることが作製時間
が長くなる程難１．＜なろ。その結果、ａ−３ｉ感光体
は白斑点ノイズ等の画像欠陥が発生ずる確率が高く、さ
らに原ネ」費が高いという欠点等かある。 ｌ−記の欠点を改良ケろ丸めの種々の試みがなされてい
るが、本質的に暎１ソをこれより薄＜′４−ろごと（ま
好上１．＜ない。 一方、ａ−８ｉ感光体（Ｊ塙仮とａ−８Ｉとの密着性、
さらに耐コ１１す性、耐環境性あるいは耐薬品性か悪い
といった欠点う＃　？「４−ろ。 そのような問題点を解消４−るため自機プラズマ重合膜
をａ−８ｉ悪感光のオーバーコート層あるいはアンダー
コート層と１．て設ける事が提案されている。前者の例
は、例えば、特開昭５９−２１４８５９号公報、特開昭
５１−４６１３０号公報あるいは特開昭５０−２０７２
８号公報等が知られており、後者の例は、例えば特開昭
６０−６３５４１号公報、特開昭５９−１３６７４２号
公報、特開昭５９−３８７５３号公報、特開昭５！１１
−２８１６１号公報あるいは特開昭５６−６０４４７号
公報等が知られている。 有機プラズマ重合膜はエチレンガス、ヘンセン、芳香族
ンラン等のあらゆる種類の有機化合物のガスから作製で
きるごと（例えばニー８テイ、ヘル（Ａ　、　Ｔ　　Ｂ
ｅｌ　ｌ）、エム　ンエン（Ｍ、　５ｈｅｎ）ら、ジャ
ーナル・オブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（、
Ｉｏｕｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｏｌｙｍｅｒ
　５ｃｉｅｎｃｅ）、第１７巻、８８５−８９２頁（１
９７３年）等）が知られているが、従来の方法で作製し
た有機プラズマ重合膜は絶縁性を前提とした用途に限っ
て用いられている。従って、それらの暎は通常のポリエ
チレン膜のごと＜＋０１６Ω・ＣＺ程度の電気抵抗を有
する絶縁膜と考えられ、あるいは少なくともその様な膜
であるとの認識のもとに用いられていノこ。 一方、近年半導体分野において、ダイヤモンド状炭素の
薄膜が提案されているが、その電荷輸送性については全
く知られていない。 特開昭６０−６１７６１号公報記載の技術は、５００人
〜２７ｔｍのダイヤモンｌζ状炭素絶縁膜を表面保護層
として被覆した感光体を開示している。 この炭素薄膜はａ　−Ｓ　ｉ感光体の耐コロナ放電およ
び機械的強度を改良するためのものである。重合−４＝ 膜は非常に薄く、電荷はトンネル効果に上り膜中を移動
し、１１す自体電荷輸送能を必要としない。また、有機
プラズマ重合膜のギヤリアー輸送性に関しては一切記載
かないし、ａ−８，！の持つ前記した本質的問題を解決
４″るものでない。 特開昭５９　２１４８５９号公報には、スヂレンやアセ
チレン等の有機炭化水素モノマーをプラズマ重合により
厚さ５μｍ程度の有機透明膜をオーバーコート層として
被膜Ｗる技術が開示されているが、その層ｉ」：　ａ−
８ｉ悪感光の剥離、耐久性、ピンポール、生産効率を改
良するちのである。有機プラズマ重合膜のキャリアー輸
送性に関しては一切記載がないし、ａ−８ｉの持つ前記
した本質的問題を解決するものでない。 特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール系の有機光半導体上にスヂレノやエチレン
等の何機炭化水素モノマーを、クロー放電により、表面
に厚さ　３ノｔｍ〜０００１／１ｍの自機プラズマ重合
膜を形成した感光体を開示している。ごの技術は、正帯
電でしか使用でさなかったポリ−Ｎ−上ニルカルバゾー
ル系感光体を両極性帯電で使用可能にずろことを目的と
する。 この模は０００１〜３７ｚｍと非常に薄く、オーバーコ
ート的な保護膜として使用されろ。重合膜は非猟に薄く
、電荷輸送能を必要としないものと考えられる。また、
重合膜のギヤリアー輸送性に関しては一切記載がないし
、ａ−Ｓｉの持つ前記１゜た本質的問題を解決ずろもの
でない。 特開昭５０−２０７２８号公報には、基板１−に増感層
、有機光導電性電気絶縁体上を順次積層し、さらにその
−１雪こ厚さ０．１〜１μｍのグロー放電重合膜を形成
する技術が開示されているが、この膜は湿式現像に耐え
るように表面を保護する１」的のものであり、オーハー
コー）・的に使用される。 重合膜は非常に薄く、電荷輸送能を必要としない。 また、重合膜のギヤリアー輸送性に関しては一切記載が
ないし、ａ−８ｉの持つ前記した本質的問題を解決する
ものでない。 特開昭６０−６３５４１号公報は、ａ−８ｉのアンダー
コート層に２００人〜２７１ｍのダイヤモンド状膜を使
用しノこ感光体について開示ｌ−でいろか、その暎（」
基板とａ−８ｉの密着性を改ｈ４−ろ１−１的θ）もの
である。重合膜ｔＪ：　、Ｊｌ−常に薄くてよく、電グ
ｆｕトンネル効果によｉ）膜中を移動４−ろ。 特開昭５９−１３（ｉ７４２号公報に（Ｊ１基板１゜に
約５７ｚｍの有機プラズマ重合膜、シリコン膜を順次形
成する半導体装置が開示されている。しかし、その有機
プラズマ重合膜は、基板であるアルミニウムのａ−８ｉ
への拡散を防＋１−４−る１］的のものであるが、その
作製法、膜質等に関して（Ｊ−切記載がない。また、ｉ
機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関しても一切記
載がないし、ａ−８ｉ（／：）持つ前記した本質的問題
を解決ずろものでない。 特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に有機プラ
ズマ重合膜、ａ−８ｉを順次形成した感光体が開示され
ている。４１機プラズマ重合膜は、その絶縁性を利用し
たアンダーコート層でありブ「１ソギング層、接着層あ
るいは剥離防ＩＬ層として機能するものである。重合膜
は非常に薄くてよく、電荷（」トンネル効果により膜中
を移動し、膜自体（」電荷輸送能を必要としない。また
、有機プラズマ重合膜のギヤリアー輸送性に関しては一
切記載がないし、ａ−８ｉの持つ前記した本質的問題を
解決４−るらのでない。 特開昭５９−３８７５３号公報には酸素、窒素および炭
化水素の混合ガスからプラズマ重合により１０〜１００
人の有機プラズマ重合薄膜を形成し、その−ヒにａ−８
ｉ層を成膜する技術が開示されている。有機プラズマ重
合膜は、その絶縁性を利用したアンダーコート層であり
ブロッキング層あるいは剥離防止層として機能するもの
である。重合膜は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効
果により膜中を移動し、膜自体は電荷輸送能を必要とし
ない。また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に
関しては一切記載がないし、ａ−８ｉの持つ前記した本
質的問題を解決するものでない。 −１−述したように、従来では絶縁性の有機プラズマ重
合膜乃至−はダイヤモンド状膜をオーバーコート層乃至
はアンダーコート層に用いることが提案されているが、
それらによる電荷の移動は基本的にトンネル効果と電気
的絶縁破壊現象による乙のである。 即１５、トンネル効果は絶縁層の膜厚が極めて小さいと
き（一般にオンゲスト「ノーノｊｌｉ侍の厚さ）に、電
子が通りぬζＪることによって起こる。 また一方、電気的絶縁破壊（Ｊ、層中に僅かに存在ずろ
電荷担体が電場によって１＋ｔ＋速されて、絶縁体の原
子などをイオン化できるだけのエネルギーを獲得し、イ
オン化によって担体が増して、同じ過程が繰り返され、
ねずみ算式に担体か増加する現象である、極めて高電界
（一般にＩ　００　ｖ／　ｔｔｔｔｒ以−に）の場合に
起こる。 例えば、絶縁体と半導体を積層ｊ７た感光体構成の場合
、）１（導体中で発生した電荷は電界によｔ）１１５中
を走行するが、低電界で＋ｊ絶縁体を通過ずろことがで
きない。絶縁層が薄い場合に（」、これは表面電位とし
て無視できるか、電ｒ写貞にお（する、いイつゆろ現像
特性に与える影響か極めて小さいため、絶縁層の存在に
よる特性劣化は問題にならない。次に繰返し使用に」ユ
る影響を考えろ。繰返１゜使用により絶縁層に電荷か蓄
積４−るが、蓄積電荷による高電界（例えば、１００Ｖ
／７１ｓ以Ｌ）か実現４−ると電気的絶縁破壊によりそ
れ以！−の電界がかからなくなる。 例えば、１００Ｖ／７１ｇで電気的絶縁破壊か起きろよ
うな絶縁材料をＯＩＢｍの厚さで積層１．た場合、繰返
しによっても絶縁層による、いわゆる残留電位の−１−
昇（」作力用０■である。 以］−の理由により、一般の絶縁材料を感光体に用いる
場合、膜厚は約５μＭ以下にしな（」ればならない。さ
もな（Ｊれば絶縁層による、残留電位の−ｌｘ　昇が５
００Ｖ以上となり、複写画像のカブリを生し、使用でき
ないものとなる。 また特開昭５ｔ−１４５５４０号公報には、シリコンお
よび／またはゲルマニウム光導電層中に化学修飾物質と
して炭素を含有さｌ゛る技術が開示されているが、その
炭素膜■はＯｌ〜３０ａｔｏｍｉｃ％（以下、ａｉｍ％
と記す）であり、そのような炭素含量は暗抵抗の向上を
図ることはできるが感度低下を生じる。 光１す１か解体りようとノヌー間陣点 以１のように、従来、感光体に用いられているイ１機重
合暎（」アンダーコー、ｌ・層あるいはオーバーニド川
・層と１．て使用されていたが、それら（」キャリアα
ン輸送機能を必・歩とｌ、　ｊ、ｉい膜゛ｒあっτ、ｆ
ｉ機１１７合模か絶縁性Ｃあろとの判断にノニ）て用い
らイ］ている。従ってその厚さも、ｙ＋、々５１ｔｒｒ
ｔ程度の極めて薄い１１％として１．か用いらイ１す、
ギヤリア（Ｊトンネル効果で膜中を通過するか、トンネ
ル効ｌＪｌか１１１１待できない場合に（」、実用１−
の残留電位ど１．ては問題にム゛らないで正む程度の薄
い股で１．かＩＩいらイ９ていない。 本発明者らは、何機重合膜のａ−８ｉ感光体への応用を
検討１．ているろらに、本末絶縁＋Ｉ＋であると考えら
れていた何機重合膜かある水素含ｆｊｔになると、電気
抵抗が低ドシ、電荷輸送性を示Ｉ７始めろ事を見出した
。 本発明（」その新たム゛知見を利用づ′ることにより、
従来のａ−８ｉ感光体の持つ問題点、４〜なわちａ−８
１の膜厚、製造時間、製造コスト等にお（Ｉる間照点等
をすべて解消し、また従来とは全く使用目的ら、特性も
異なる有機重合膜、特に有機プラズマ重合膜を使用した
感光体、特に本発明は感光体における電荷輸送層として
、電荷輸送能に優れ、膜厚をＦＨｔｍ以−にとしても残
留電位が小さく物性面でも優れた水素含有炭素膜を有す
るものである。 本発明の他の目的は、この水素含有炭素薄膜を電荷輸送
層として用いたときの電荷発生層からの電荷の注入を容
易にし、残留電位の低下、感度の−に昇、メモリーの低
減等を図ることである。 明部ｌ（針解内亨ヌしは吟−Δ千刷一 本発明は、水素を含む炭素膜がこれを電荷発生層と組み
合わせるとき電荷輸送機能を有すると云う新たな知見に
もとづくものである。即ち、本発明は電荷発生層（３）
と電荷輸送層（２）とを有する機能分離型感光体におい
て、電荷輸送層（２）として炭素膜を有し、前記炭素膜
は水素を総原子量に対してＯ、Ｉ−６７ａｔｏｍｉｃ％
、Ｓ＋、Ｇｅおよび／またはＳｎをその添加量と炭素量
の和に対して１０　ａｔｏｍｉｃ％以下含有することを
特徴とする感光体に関する。 電子写真感光体として使用上るために（」電荷発生層お
よび電荷輸送層の積層においてら暗抵抗が１０°Ω・ｃ
ｍ以上あり、明暗抵抗比（すなわちゲイン）カ月０２〜
１０’程度必要とされろ。 本発明感光体は少なくとも電荷発生層と電荷輸送層から
構成され、電荷輸送層として少なくとら一層の水素を含
む炭素の層（以下、ｒ　Ｃ：　ｔｌ電荷輸送層１と云う
）を有し、かつ該０．■電荷輸送層は１０ａｔｍ、％以
下のＳ＋、Ｇｅおよび／また（ｊ：　Ｓ　ｎを含有し、
前記特性を満足ずろごとを特徴とする。 一方、製造方法と条件によって（」、本発明にとって好
ましいＣＩＩ電荷輸送層中の水素含量は０．１〜６７　
　ａｔｏｍｉｃ％（以下、ａｔｍ、％と記ず）、好まし
くは　１〜６０ａｔｍ、％、更に好ましくは３０〜６０
ａｔｍ、％である。０　、　ｌ　ａｔｍ　　％より小さ
いと電子写真に適した暗抵抗が得られず、６７ａｔｍ、
％より大きいと電荷輸送能がない。 本発明における水素含有炭素膜は、その水素含量並びに
製造方法によって非晶質乃至はダイヤモント状となる。 大部分の場合、非晶質の形態をとり、膜自体（」軟質で
高抵抗である。一方、得られノコ製造方法と条件、例え
は、プラズマ（ＣＶ　Ｄ法では水素含量を約４０ａｔｍ
％以十に１刀、二ときはダイヤモンド状の炭素膜を得る
ごとができ、そのような膜はヒラカース硬度が２０００
以上と硬質で電気抵抗は１０８Ω・１以上である。しか
し、いずれの炭素膜ら高い電荷輸送性を示す。 本発明のＣ：　Ｈ電荷輸送層中の水素含量および構造は
元素分析、赤外吸収スペクトル分析、’ＩＴ−ＮＭＲあ
るいは”Ｃ−ＮＭＲ等により定量することができる。 該Ｃ：　Ｔ−（電荷輸送層はさらにＳｌ、Ｇｅおよび／
またはＳｎをその添加量と炭素量の和に対して１０ａｔ
ｍ　　％以下含有している。これらの元素を含有させる
ことにより、電荷発生層からの電荷の注入が容易になり
、残留電荷の低下、感度のに昇、メモリーの低減を達成
ずろことができる。 またＡρ基板との接着性、電荷発生層等との接着性が改
良される。 これらの元素含量が１０８１ｍ％を越えろ場合、即ち、
０・ＩＩ電荷輸送層の中θ）Ｃ含量が９０ａｔｍ％を切
る場合に（」、以下のことき欠点が生４−ろ。 即し、炭素含量が３０〜９０ａｊｍ％のときは、暗抵抗
は−１−昇するか電荷輸送効率が低くなる。また炭素含
量５〜３０ａｔｍ％では、電荷輸送効率は高いが誘電率

【」配合元素、例えばＳｉのどきは、Ｓｉ自体の特性に
支配されることとなり、本発明の］］的を達成し得ない
。即し、帯電能の向上、成膜速度、価格等の点で従来の
ａ−Ｓｉ系感光体と大差がなくなる。炭素含量９０〜１
１００ａＬ％では、炭素膜の優れた電荷輸送能に加えて
、電荷発生層との界面障壁が低下し、積層時の感度が向
上する。 また誘電率が小さいノこめ帯電能が飛躍的に］；東１−
する。 本発明のＣ：＋Ｉ’Ｆ［荷輸送層（Ｊ好よ＋、　＜　ｉ
Ｊ光学的エネルギーギャップＥｇｏｐｔか１．５〜３．
ＯｅＶ。 および比誘電率εが２０〜６．０の範囲にあるのがよい
。 Ｅｇｏｐｔの小さいＩＰ！　（＜Ｉ　、５ｅＶ）　ｌバ
ント端近傍、即ら、伝導帯下端または充満帯の上端に準
位を多く形成していると考えられる。従って、その上う
なＣ：Ｈ電荷輸送層はキャリアー移動度が小さく、キャ
リアの寿命が短いために感光体としての電荷輸送層とし
ては必ずしも十分でない場合がある。Ｅ　ｇｏｐｔの大
きい膜（＞３．０ｅＶ）は、通常電子写真で使用される
電荷発生材ネ１および輸送材料と障壁を形成しやすく、
電荷発生材料および輸送材料と障壁を形成１．やすく、
電荷発生材料および輸送材料からＥｇｏｐｔの大きいＣ
・Ｉ（電荷輸送層へのキャリアーの注入がうまくいかな
いことがあり、その結果、良好な感光体特性が得られな
い場合がある。 一方、比誘電率とは、６．０より大きいと帯電能が低下
し感度も悪くなる。尤もこれを改善するためにＣＡＴ（
電荷輸送層の膜厚を厚くすることが考えられるが、製造
」−望ましくない。また、εを２．０以上とするのは、
それ以下であると物性特性がポリエチレン的になり、電
荷輸送能が低下するためである。 ■ｇｇｏｐｔおよびεは、Ｃ・Ｈ電荷輸送層中の水素含
量が低い場合、その水素含…と比較的良い相関関係を有
する。一方水素含量が高いときは、低い場合と比へて相
関性に変動が見られろ。これ（」Ｅｇｏｐｔおよびε、
特にεはＣ：Ｈ電荷輸送層の構造的特徴が大きく影響し
ているためと考えられろ。 電荷発生層としては特に限定的で（」なくアモルファス
ンリコン（ａ−９ｉＸ特性を変えるため種々ノ異種元素
、例えばＣ１０、Ｓ、Ｎ、Ｐ、＋３、ハロゲン、Ｇｅ等
を含んでいてもよく、また多層構造であってもよい）、
Ｓｅ膜、５ｅ−Ａｓｌｌｌ、５ｅ−Ｔｅ膜、ＣｄＳ膜、
酸化亜鉛等の無機物質およびビスアゾ系顔料、トリアリ
ールメタン系染寧−１、デアジン系染籾、オキサジン系
染料、キサンチン系染料、ンアニン系色素、スチリル系
色素、ピリリウム系染ネ］、アゾ系類１１、キナクリＩ
Ｓン系顔１４、インジゴ系顔料、ペリレン系顔ネ」、多
環キノ□ン系顔月、ビスベンズイミダゾール系顔料、イ
ンダスロン系顔料、スクアリリウム系顔料、フタロノア
ニン系顔１等の何機物質が例示さイ１ろ。 こイ１以外であっても、光を吸収し極めて高い効率で電
荷担体を発生ずる材ネ９１であれば使用オろことかでき
る。 電荷発生層は後述するごとく、感光体のどの（Ｖ置に設
置）でもよく、例えば最上層、最下層、中間層いずれに
設けてもよい。層厚（ｊＸ素材の種類、特にその分光吸
収特性、露光光源、１］１的等にもよるが、一般に５５
５ｎｍの光に対し９０％以上の吸収となるように設定さ
れろ。ａ−９ｉ　：　Ｔｌの場合で０１〜１７１ｍ程度
である。 本発明のＣ：Ｈ電荷輸送層に存在する水素ｉ」：　一部
ハロゲン、例えば、フッ素、塩素、臭素等で置き換えて
もよい。この様な膜は撥水性、耐摩耗性が改良される。 通常の電子写真用にはＣ：ＩＩ電荷輸送層の厚さは５〜
５０μｍ１特に７〜２０７１ｍが適当であり、５μｍよ
り薄いと帯電能が低く充分な複写画像濃度を得ることが
できない。５０μｍより厚いと生産性の点で好ましくな
い。この０・Ｉ（電荷輸送層は透光性、高暗抵抗を有す
るとともに電荷輸送性に富み、膜厚を上記のように５μ
ｍ以上と１．ても電荷トフップを生しろことなくギート
リアを輸送４ろ。 本発明０．１１電曲輸送層はイオン化蒸着、イオンビー
ム蒸着等のイオン状態を杆で形成Ａる方法、直流、高周
波、マイクロ波ブラスマ法等のプラズマ状態を経て形成
する方法、減圧ＣＶ　Ｉ）法、真空蒸着法、スパッタリ
ンク法、光ＯＶ　Ｄ法等の中性の杓子からｌｆｅ成４゛
ろ方法、又はごれらの組合わりにより形成１．てら良い
。（、かＩ７例えば、電荷発生層を高周波プラズマまた
はｃ　Ｖ　Ｄ法に３に〇形成４−る場合には、Ｃａｌ＋
電荷輸送層も同様の方法で成膜した方が、製造装置コス
ト・上程の省力化につながり好ましい３゜ Ｃ：ＬＩ電りｆ輸送層を形成づ−る丸めの炭素源と１゜
ては、Ｃ３ＩＩ２、Ｃ２１Ｔ［ｌ、Ｃ２１Ｌ、（”、　
３　ＩＩ　６、Ｃ１１４、Ｃ４１ｒ＋ｏＳＣｅｌ１６、
ｃ　４１−（ａ、０３Ｎ、、Ｃｌｌ３ＣＣＩＴ。 ｃ　８ｔｒ、、Ｃ１ｏ１１．６等が例示されろ。 ギヤリアガスとしては１］２、Δｒ、Ｎｅ、Ｉｌｅ等が
適当である。 プラズマ法等に於いて、Ｃ：ＩＩ電荷輸送層を形成する
際、水素含有量が４０ａｔｍ、％以下のダイアモンド状
炭素の膜を得るには、飽和炭化水素を水素で緩和した原
料を用いるのが好ましい。特に好ましい飽和炭化水素は
メタン、エタン、プロパン、ブタン等である。反応機内
圧力は低く、高電圧で処理する。ダイアモンド状炭素の
膜をプラズマ法またはイオン・ビーム法で形成させる条
件は、例えばジャーナル・オブ・アプライド・フィック
ス（、■、Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ、）可２　（１０）Ｏｃ
ｔ、１９８Ｌ第６１５１〜６１５７頁に記載されている
。もちろんダイアモンド状炭素の製造法はこれに限定さ
れるものではなく、スパッタリング法等で形成してもよ
い。 ダイアモンド状炭素は耐摩耗性、耐湿性に優れているた
め、これを含む電荷輸送層を表面側に配置してもよい。 また基板側に設けると電荷の注入を抑止する。また、こ
の上に電荷発生層を高周波プラズマで形成させるとき、
プラズマダメージを防止する等の利点がある。 Ｃ：１−１電荷輸送層は前述した通り、非晶質炭素であ
ってもよく、この場合、水素含量は４０〜６７　ａｔｍ
、％である。この様な非晶質炭素層はＣ’；、Ｉｌ、、
Ｇ５１ｌｅ、Ｃ２Ｈ２等の不飽和炭化水素を水素で希釈
して、プラズマ放電やイオンビーム法により形成させる
ことができる。プラズマ放電時の反応機内圧はダイアモ
ンド状炭素膜の場合より高く、電圧は低くする。 非晶質炭素は電荷輸送層として、ａ−８ｉ重電荷生層と
組み合わせたとき、ａ−３Ｔ単層のときより帯電能およ
び感度において優れた感光体を得ることができる。また
、基板側に配置することにより、電荷注入防止層として
の作用も果たす。また表面硬度の向−し、耐刷性、耐湿
性、耐コロナ性、接着性を向−トさせる。 非晶質炭素膜の内、比較的多くの水素（５５ａｔｍ。 ％以１−）を含むものは重合膜、例えばプラズマ重合膜
と称される。プラズマ重合膜は、通常の重合膜と異なり
、高度に架橋しノこ網目構造を有し、そのため、高密度
で剛直、耐薬品性および耐熱性に優れている。またこの
膜（Ｊフリーラジカルがｌ・ラップされているため通常
の重合膜に比べて誘電損失が太きいと訂う特徴がある。 代表的プラズマ集合膜であるプラズマ重合ポリエチレン
膜では水素原子／炭素＋ｉｉｉ　ｒ−比が約２７／２で
あり、通常のポリエチレンの融点は（ｊ、ｔ！ず、３３
０°Ｃ以１ユの耐熱性を有１２ている。 Ｓ＋、Ｇｅおよび／またはＳｎを含む水素含有炭素膜を
形成させるには、炭化水素ガス、例えば、Ｃ１１，、Ｃ
２１１２、Ｃ２ｔｌｎ、　Ｃ２■−ｒｅ１Ｃ３Ｉ（ｅ、
Ｃ３Ｈａ、Ｃ４１ｒ、、Ｃ４Ｈ、。、Ｃ４ｔｌ　ｅ、Ｃ
Ｉ−（３ＣＣＩ等と−に記元素源、例えばＳｉのときは
５ｉｒ（４，５ｉ２１１ａ、（Ｃ２Ｈ６）３Ｓ　ｉｌｌ
、Ｓ　＋　Ｆ　４．５ｉｌｌ、ｃＬ、５ｉＣＬ、Ｓ　ｉ
（ＯＣＨ３）４、Ｓ　Ｉ（ＯＣ２Ｉ（６）４、Ｓ　ｉ（
ＯＣ３ｌ−１７）４等、ＧｅのときはＧｅｌ１．、Ｇｅ
Ｃａ４、Ｇ　ｅ（ＯＣ２１１ａ）４、Ｇｅ　（Ｃ２）−
１４）　４等、Ｓｎのときは（Ｃｌ−１３）４Ｓ　ｎ、
（Ｃ２１Ｌ）＋５ｎＳＳｎＣＬ等を混合して、例えば高
周波プラズマ放電させればよい。 Ｃ：　Ｔ−１電荷輸送層の厚さは電荷保持能の点から厚
い方がよいが、生産性、電荷輸送能の点からは薄い方か
よい。通常の電子写真に用いる場合は５〜！’５０７ｔ
ｍ、好ましくは７〜２０μｍがよい。このＣａ１１層は
透光性、高暗抵抗を有ずろととらに組曲輸送性に富み、
膜厚を−１−記のよもに５）ｔｍ以上としても電荷トラ
ップを生じろことなくキャリアを輸送する。 本発明においては、」〕記のごときＣ：Ｈ電荷輸送層の
帯電特性を調節するために、ｍＡ族またはＶＡ族元素を
混入させてもよい。 感光体を１−帯電で用いるときは、相対的に基板側をＰ
型にし、表面側をＮ型にし、−帯電で用いるときは基板
側をＮ型に１７、表面側を相対的にＰ型にすることによ
り、逆バイアス効果をもたせる。 これにより、帯電能の向上、暗減衰の低減および感度の
向−に等の効果か達成される。即ち、Ｃ■１電荷輸送層
と電荷発生層を積層してなる感光体において、何れの層
が表面側、基板側であっても十帯工時には表面側を相対
的にＮ型、基板側をＰ型にするよう第ＶＡ族、第ｎＴＡ
族元素を電荷輸送層と必要により電荷発生層に含有する
。こイ１により表面電荷の注入が防止されるとともに表
面への電子の移動と基板側への正孔の移動が保証され、
月つ、基板からの電子の注入が防止される。−帯電時は
上記と逆に作用する。尚、電荷発生層はそれ自体でＰ型
またはＮ型特性を示すのであれば第■Ａ、第ＶＡ族の含
有は不要である。 この様な極性調整は単一層内でのＩｒ１Ａ族またはＶＡ
族元素の含量を徐々に基板側または表面側に増加させる
ことによって行なってもよく、あるいは、均一な濃度の
ＩＴＩＡ族またはＶＡ族元素を含有する単一のＣ：Ｈ電
荷輸送層を基板側または表面側に設けてもよい。また、
必要ならば複数の濃度の異なるＣ：Ｈ電荷輸送層を接合
領域に空乏層が形成されるように設けてもよい。 第１図から第１２図は本発明感光体の一態様を示す模式
的断面図である。図中、（１）は基板、（２）はＣ：　
Ｉ（電荷輸送層、（３）は電荷発生層を示している。第
１図に示す態様の感光体において、例えば十帯電し続い
て画像露光すると、電荷発生層（３）でチャージキャリ
アが発生し電子は表面電荷を中和する。一方、正孔はＣ
：Ｈ電荷輸送層（２）の優れた電荷輸送性に保証され−
Ｃ基板（１）側へ輸送されろ。前述しノこ通り、このＣ
、ｔｌ　％荷輸送層（２）はＳｉ、Ｇｅ１Ｓｎのいずれ
か、またはそれらの２以−にをＩＯａｔｍ％以下含むも
ので感光体と１２での感度を向−１ニしている。十帯工
時には、電荷発生層として特に極性調整を行なっていな
いａ−８ｉを用い、相対的にＣ：Ｈ電荷輸送層はＰ型に
調整するのが好ましい。即ち、ａ−８ｉはそれ自体弱い
Ｎ型乃至は真性であるから、表面からのｉＥ重電荷注入
を防止し、またＰ型に調整（刀コＣ：　Ｉ（電荷輸送層
は正孔の移動を容易とする。 Ｐ型調整のために使用するＩＩＴＡ族元素として（Ｊ、
８％　ＡＱｌＧａ−Ｅｎ等が例示されるが、■３か特に
好ましい。ａ−９ｉ重電荷生層にＶＡ族元素、例えばり
んを混入させて、表面層を相対的に更に強いＮ型として
もよい。この場合もＣ：Ｈ電荷輸送層の極性をＰ型に調
整してもよい。第１図の感光体を一帯電で用いるときは
、」二記と反対にＣ：Ｈ電荷輸送層（２）にりんを含有
してＮ型に調整すればよく、電荷発生層（３）としてａ
−８ｉを用いるときは■３を含有してもよい。 第２図の感光体はＣ：Ｈ電荷輸送層（２）を最−１一層
として用いた例で、−１帯電で用いろとき（」、Ｃ：Ｉ
ｌ？！荷輸送層（２）の極性は第ＶＡ族元素等を用い電
荷発生層（３）に対し、相対的にＮ型として電子の移動
を容易とする。−帯電で用いるときはＢ等を含有してそ
の逆に調整ずれはよい。 第３図に示す感光体は、Ｃａ１ｌ電荷輸送層（２）を電
荷発生層（３）の上下に用いた例で、十帯電で使用する
時は、−１一層のＣＩＩ電荷輸送層（２）は電荷発生層
（３）に対してよりＮ型になるようにして電子の移動を
容易とするとと乙に、下層のＣ：Ｈ電荷輸送層（２）は
１〕型に調整するのが好ましい。 第４〜６図に示す感光体は、第１図から第３図において
示した感光体においてざらにオーバーコート層（４）と
して厚さ０，０１〜５７１ｍの表面保護層を設けた例で
、電荷発生層（３）あるいはＣ：Ｌ（電荷輸送層（２）
の保護と初期表面電位の向上を図ったものである。表面
保護層は公知の物質を用いればよく、本発明においては
、有機プラズマ重合によって設（Ｊろことか製造工程の
面等から望ましい。 本発明ＣＩ［電荷輸送層を使用１．でもよい。この保護
層（４）にム必要に３Ｌり第１１＋　Ａ、第ＶＡ族元素
を１・−プしてもよい。 第７〜９図に示ｒ感走体は、Ｊｌを仮（１）に１こ０１
１層をアンダー＝１−１・層（５）どしてバリア一層あ
るいは接着層としてらＹ［トＡｋ例である。もちろん、
そのｆｉｔ！アンダーコート層どして公知の材料を用い
てもよい。この場合ら自機プラズマ重合法によって設（
ｊろ事が望ましい。バリア一層は基板（１）からの電荷
の注入を何効にｌ！１１＋ｌ−ケるとともに電荷発生層
（３）で発生した電荷を基板側に輸送Ｊ−る整流機能を
有する。この意味において、バリア一層には十帯工時は
第１ＴＩＡ族元素、−帯電時に（」第ＶＡ族元素を含有
するのが望ましい。また、バリア一層の膜厚ｉＪ：０．
ｒｌｌ〜５７１ｍであるのが好ましい。 更に第７〜９図の感光体（Ｊ第４〜６図で示したオーバ
ーコート層（４）を基板１−に設（１′てらよい（第１
０図１〜第１２図）。 第１ＩＩ　Ａ族元素をＣ：　Ｈ電荷輸送層に混入さＵる
には、これらの元素を含む適当なガス状化合物を炭化水
素ガスと共に、イオン化状態またはプラズマ状態にして
成膜ずればよい。また、形成されたＣＩＩ電荷輸送層を
■Ａ族元素を含む化合物ガスに曝ｊ７てドープしてもよ
い。 本発明に使用１．得るＢを含む化合物としては、Ｂ（Ｏ
ＣｕＩ２）３、Ｂ　２　Ｈ，、ＢＣ，ｅ３、ＲＲｒ３、
ＢＦ３等か例示される。 Ａ児を含む化合物としてはＡ！（０＋−Ｃ３１１７）ｓ
、（ｃｒ−１３）３Ａ兇、（Ｃ２Ｈｓ）３Ａ　！、、（
ヒＣ４Ｈ３）３Ａｊｕ、ＡＲ，Ｃ／！、３等が例示され
る。 Ｇａを含む化合物としてはＧａ（Ｏｉ−Ｃ３１ｒ７）ａ
、（ＣＨａ：）：＋Ｇａ−（ＣｔＨ５）３Ｇａ１ＧａＪ
ａ、ＧａＢｒ３等がある。 Ｉｎを含む化合物としてはＩ　ｎ（Ｏｉ−Ｃ３Ｈ７）３
、（ｃ　Ｊ−１５）３　ｒ　ｎ等がある。 ［■Δ族元素の導入量はその導入原子量と炭素原子爪と
の和に対し、２００００ｐｐｍ以下、より好ましくは３
〜Ｉ０００ｐｐｍである。 極性調整に用いられるＶＡＡ族元素しては、Ｐ１Ａｓ、
’Ｓｂがあるが、■〕が特に好ましい。このＶＡＡ族元
素ＩＩＩ　Ａ族元素と同様に１．てＣ：Ｈ電荷輸送層に
導入することができる。 本発明に用い得るＶＡＡ族元素含む化合物と１゜では、
以下のものがある。 Ｐを含む化合物として、Ｐ　Ｏ（ＯＣ１１３）３、（Ｃ
Ｊ（５）ｓＰ　１Ｐ　ｌ−ｌ５、ＰＯＣｆ１３等；Ａｓ
を含む化合物と１．てＡ　ｓ　Ｉ−ｒ　３、Ａ　ｓ　Ｃ
ｆ！−３、ＡｓＢｒ３等；Ｓｌ）を含む化合物と１．て
５ｂ（ＯＣＪ（５）３、Ｓ　ｂ　Ｃ，１２，ａ、ＳｂＨ
３等が例示される。 ＶＡ＃元索の導入量はその導入原子量と炭素原子量との
和に対し、２００００ｐｐｍ以１ζ、より好まｌ、＜は
Ｉｌ−１０００ｐｐ程度である。 本発明感光体の電荷発生層には、更に別の元素を導入し
てその特性を調整してもよい。 電荷輸送層はその作製条件（結合状態）、不純物により
着色（例えば、黄色、青色、茶色）することがあるが、
第２図〜第４図、第５図、第６図、第８図〜第１２図の
構成では、それを利用１．て電荷発生層への有害光カッ
トの効果を持たせることができる。 本発明の感光体のＣ・ＴＩ電荷輸送層にはさらに窒素、
酸素、硫黄および／または各種金属類を混入さＵてもよ
く、あるいは水素の一部をハロゲンで置換してもよい。 一般ニ窒素源としテハＮ２、Ｎｉ１３、Ｎ２０゜Ｎｏ、
Ｎｏ２、Ｃ２Ｈ５Ｎ　Ｉ−１２，１−ＩＣＮ、（ＣｔＬ
）３Ｎ。 ＣＩ（３Ｎ　１１２等が用いられ、これを混入すること
により電荷発生層との界面障壁を小さくすることができ
る。 酸素源としては、０２．０３、Ｎ２０、Ｎｏ。 Ｃ０１ＣＯ３、Ｃ）Ｉ　３０　ＣＨ３、ＣＩｈＣｌｌ０
等が例示されるが、これを混入することによって帯電能
が向上する。また、プラズマＣＶＤ法の場合酸素（０）
を導入することで成膜スピードを−１−ぼられるという
副次的な効果もある。 硫黄源としてはＣＳ　７、ＣＣ３Ｈｓ）２ｓ、　Ｉｅ２
ｓ。 ＳＦ６、ＳＯ２等が例示される。硫黄の混入は光の吸収
、干渉防止に有効である。また硫黄（Ｓ）を導入するこ
とで成膜スピードを上げられるという副次的な効果もあ
る。 混入１．得る金属と１．では例えば以下のものかある（
二以下は混入に際し使用し得るカスの例）。 １−（ａ：１ｌａ（ＯＣ２１Ｌ）３＋　　Ｃａ：　Ｃａ
（ＯＣＪ＋ａ：Ｌ＋：Ｆｅ：　Ｆｅ（Ｏｉ−Ｃ３１Ｉ７
）３、（ＣＪ−Ｉｓ）２Ｆｅ。 Ｆｅ（Ｃｏ）５；　　Ｉｌｆ：　ｌ１ｆ（０１−Ｃｓｌ
ｌＪ：に：ＫＯ＋−Ｃ３ＴＪ７：Ｉ、＋・Ｌｉ０ｉ−Ｃ
３Ｔ（７；Ｌａ：Ｌａ（ＯＩ−Ｃ３１ｈ）４：　　Ｍｇ
：　Ｍｇ（ＯＣＩｌ５）２、（Ｃ２１１６）２Ｍｇ；　
　Ｎａ：　Ｎａ０ｉ−Ｃ３１Ｌ；Ｎｂ・Ｎｂ（ＯＣ９Ｉ
Ｉ５）ｓｉ　　Ｓｂ：　５ｂ（ＯＣ２Ｈ５：Ｌ＋、５ｂ
Ｃ（！３、ＳｂＨ３；　　Ｓｒ：　５ｒ（ＯＣＩｌ、）
２；　　Ｔｉ：Ｔ　ｉ（Ｏｉ　Ｃｓｌ（？）４、ＴＩ（
ＯＣ４ｔＬ）４、ＴｉＣＬ；Ｔ”　ａ：　Ｔ　ａ（ＯＣ
、ｌｌ　Ｊ５；　　Ｖ　：　Ｖ　Ｏ（ＯＣ２Ｉ（５）３
、Ｖ　０（ＯｔＣ４ＩＩｅ）３：　　Ｙ　：　Ｙ（ＯＩ
　０３１４７）３：Ｚｎ：　Ｚ、ｎ（ＯＣｐＨ５）２、
（ｃ　Ｉ（３）　２　Ｚ　ｎ５（Ｃ２Ｈ５）２Ｚｎ；　
　　Ｚｒ：　　Ｚｒ（Ｏｉ　　０３Ｈ７）＋：Ｃｄ：　
（ＣＩＩ３）２Ｃｄ：　Ｃｏ：　Ｃ０２（Ｃｏ）８；Ｃ
ｒ：　Ｃｒ（ＣＯ）ｏ；　　Ｍｎ：　Ｍｎ２（ＣＯ）＋
ｏ；　　Ｍｏ：Ｍ　ｏ　（ＣＯ）　ｅ、Ｍｏｂ、、Ｍ　
ｏ　ＣＱ　ｏ　；　　Ｗ　：　Ｗ　（ＣＯ）　６、ＷＦ
、、ＷＣＱａ：　　Ｔｅ：　Ｈ２Ｔｅ；　　Ｓｅ：　Ｈ
２Ｓｅ０またＣ＋Ｈ７ｌｆｔ荷輸送層中の水素の一部を
ハロゲンに代えることにより、撥水性、摩耗性、透光性
が向」ニジ、特にフッ素では〜ＣＦ、−ＣＦ２、ＣＰ　
３等が形成されて、屈折率ｎが小さくなり（１，３９）
、反射防止効果が現れる。 さらに本発明により得られたＣ：Ｈ電荷輸送層をアルゴ
ンで後処理した後、大気と接触させると、カルボニル基
が導入され表面が活性化され、また−ＣＦ、−はＣＦと
なる。 炭素およびハロゲン源としては、Ｃ２Ｈ３（４、Ｃ、Ｉ
−１３Ｃｊ！、ＣＩ−１３Ｃ，９、ＣＨ３Ｂ　ｒ、　Ｃ
ＯＣＲ，ｖ、ＣＣＲ，２Ｆ２、ＣＨＣ、ｅ　Ｐ　２、Ｃ
Ｆ４、ＨＣ［、Ｃ１２、Ｆ２等が例示される。 本発明感光体は電荷発生層と電荷輸送層とを有する。従
ってこれを製造するには少なくとも二工程を必要とする
。電荷発生層として、例えばグロー放電分解装置を用い
て形成したａ−８ｉ層を用いるときは、同一の真空装置
を用いてプラズマ重合を行なうことが可能であり、従っ
てＣ：Ｈ電荷輸送層や表面保護層、バリア一層等はプラ
ズマ重−３２〜 合法により行なうのが特に好ま１．い。 第１３図および第１４図はけ本発明に係る感光体の製造
装置で容量結合型プラズマＣＶ　Ｄ装置を示す。第１３
図は平行平板型プラズマＣＶＤ装置、第１４図は円筒型
プラズマＣＶＤ装置を示す。両装置は、第１３図中にお
いては電極板（２２）、（２５）および基板（２４）が
平板型であり、第１４図中においては電極板（３０）お
よび基板（３１）が円筒型でありるという点で相違して
いる。また本発明いおいては、別に誘導結合型プラズマ
ＣＶＤ装置によっても作製することができる。 本発明感光体の製造法を平行平板型プラズマＣＶＤ装置
（第１３図）を例にとり説明する。図中（６）〜（１０
）は夫々Ｃ２Ｈ，、Ｈ２、Ｂ　２Ｈｅ、ＳｉＨ，、Ｇ２
Ｈ，ガスが密閉された第１乃至第５タンクで、夫々のタ
ンクは第１〜第５調整弁（１１）〜（１５）とマスフロ
ーコントローラー（１６）〜（２０）に接続されている
。これらのガスは主管（２Ｉ）を介して反応室（２３）
に送り込まれる。 反応室（２３）にはコンデンサを介して高周波電源（２
６）に接続される平板型電極板（２２）と電気的に接地
されろとどちに、八！の如き導電（Ｉし１（板型括板（
２４）が載置されろ平板型アース電極板（２５）が対向
配置して設置ＪらＪｌでいる。また上記ト１’　ＩＩｖ
　？（すＵ極板（２２）はコイル（２７）を介して直流
電ｎ：源（２８）に接続されており、Ｉ届周波電源（２
６）からの電力印加に加え直流バイアス電圧が１−乗せ
印加されろようになっている。また電極板（２５）　ｌ
買こ載置されろ導電性基板（２４）は図示しない加熱手
段によって、例えば室温〜３５０℃に加熱されるように
な−、ている。 以Ｌ０′）構成において、例えば第１図に示した感光体
を製造する場合、反応室（２３）を一定のＮ（空状態と
してから主管（２１）を介して第１タンク（６）、にり
Ｃａ１１．ガス、第２タンク（７）よりギヤリアガスと
してＩＩ２カス、第４タンク（９）より５ｉ１１．ガス
を供給ケる。一方、高周波電源（２６）より平板型電極
板（２２）に３０　ｗａｉｔｓ−１ｋｗ、の電力を印加
し両電極板間にプラズマ放電を起こし、予め加熱された
基板（２４）Ｊ−に厚さ５〜５０μｍで、ＩＯａ（ｍ、
％以下のＳｌを含むＣａ１ｌ電荷輸送層（２）を形成す
る。 電荷軸１送層（２）ｔＪ水索を０．１−（ｉ７ａｔｍ％
含打ずろが、この水素合有量（」出発原ネ」ガスの種１
０．１皇料カスと希釈カス（ＩＩ２、不活性ガス）比、
放電パワー、圧力、１，１、板温度、Ｉ）０バイアス電
１１、アニール温度、放電周波数等の製造条件にｂ１Δ
ｆｊ４“ろカ直ｍ　’ＭＬ　圧隙（２８）か＋：）５０
　Ｖ−ｌ　１ぐＶのハ（アス電圧を印加４るごとにより
制御で、きる。ｌ！ｌＩら、水素含Ｍ　尾ｉＪバイアス
電圧を大きく４”ろことによって減少１７、Ｃ：Ｉｌ電
荷輸送層自体の硬度を高くオろごとかで八ろ１、こうし
て形成さ２］ノー０１１屯荷輸送層は透光性、１１１３
抵抗に優れ、チャー７ギヤリアの輸送性に著しく優れて
いる。尚、この層に、例えは第３タンク（８）よりｆ（
２１ｆｅカスを２９人（、ζ１）型に制御して組曲輸送
性を一層高めてら良い。 ＋３２１１ｓ力スノ代わりニＰ　１１３ガスを便ＩＩＩ
　４−　ｔ＋、　ｔＪＮ２（１１に制御づ−ろことら可
能である３３次に電荷発生層（３）ｉＪ、、第２及び第
４タンク（７）、（９）より１−１３．５ｉｌｌ、ガス
を導入することによりａ−Ｓｉを母体と４〜る層と１−
で形成される。 Ｅｇｏｐｔは、出発原木］ガスの種類、原ＩＩカスと希
釈ガス（Ｈ，、不活性ガス）比、放電パワー、圧力、基
板温度、Ｉ）Ｃバイアス電圧、アニール温度、放電周波
数等に依存する。この中でも特に放電パワー、基板温度
、アニール温度がＥ、ｇｏｐＬを大きく変えうる要因と
なる。 本発明によるＥｇｏｐｔは、（■７−　ｈν　（式中、
αは吸収係数を、１１νは光エネルギーを表す）プロッ
トによる吸収端より算出できる。 Ｃ：　Ｊ−（電荷輸送層の比誘電率は特に出発原料ガス
、放電電力、放電により発生（または外部がら印加）す
る直流バイアス等に依存し、それらを変化させることに
より比誘電率の異なった膜が得られる。 尚、第１５図に示す容量結合型プラズマＣＶＤ装置は、
Ｃ：Ｉ−１電荷輸送層源としてＣ、ＩＩ　Ｂのごときモ
ノマーを用いたときのもので、恒温槽（３２）によりモ
ノマー（３３）を加熱するとともに、反応室に連結され
た管（３４）も加熱して、モノマーを蒸気として反応室
（２３）内に導入するものである。その余の構成は第１
３図と同一である。 以１・、実施例を挙げて本発明を説明する。 実施１引１− りり−（ρ−；ｊ！町荷呻洛層省厄Ｉ戊う第１３図に示
すグロー放電分解装置において、ま４゛反応室（２３）
内部をｌ　０−６Ｔｏｒｒ程度の高真空に１刀こ後、第
１、第２および第４調整弁（１１）、（１２）、（１４
）を開放し、第１タンク（６）より、ｃ　、　Ｉ−１４
ガス、第２タンク（７）よりＨ，ガスおよび第４タンク
（９）よりＳ＋Ｈ４カ゛スをｍカゲーンＩｋｇ／ｃｙｙ
ｔ２のＦでマスフローコントローラー（１６）、（１７
）、（１９）内へ流入させた。そして、各マスフローコ
ント「Ｊ−ラーの目盛りを調整して、Ｃ２１（４の流量
を６０　ＳＣＣｍ％■Ｉ、を８０　ｓｃｃｍ、　Ｓ　ｉ
ｌＬを０　、２　ｓｅｃｍとなるように設定して、反応
室（２３）内へ流入した。夫々の流…が安定した後に、
反応室（２３）の内圧が１　、２１”　ｏｒｒとなるよ
うに調整した。一方、導電性基板（２４）としては、厚
さ３ｍｍの５０ｘ５０＋＋ｚのアルミニウム板を用いて
２５０℃に予め加熱しておき、各カス流量が安定し、内
圧が安定した状態で高周波電源（２６）を投入し、電極
板（２２）に１　（１０ｗａｔｔｓの電ヵ（周波数１３
．５６ＭＨｚ）を印加してプラズマ重合を５時間持続し
て行い、導電性基板（２４）（第１図厚さ約５μｎのＣ
：ＩＩ電荷輸送層（２）を形成１刀こ。 −（ＩＩ：ｌ　　（ａ二茨鼾蹟ｐ↓戒）電荷輸送層形成
後、高周波電源（２６）から電力印加を停止１−すると
ともに、マスフローコントローラーの流量を０設定にし
、反応室（２３）内を十分脱気した。その後、第４タン
ク（９）より１００％５ｉｒ１４ガスを９０　ｓｅｃｍ
、第３タンク（８）よりＨ２で希釈１゜たＢ、■］６カ
スを２１０ｓｅｃｍ、タンク（図示セス）ヨリＮ、Ｏガ
スをＩ　ｓｃｃｍ反応室内部に流入さ且、内圧を１．０
Ｔｏｒｒに調整した」二で高周波型ｌｌ１ｉｉ（２９）
を投入して２０ｗａｔｔｓの電力を印加した。２０分間
放電を続け、約１μ屑のａ−９ｉ層（３）を形成した。 得られた感光体の初期表面電位Ｖｏ＝＋３４０Ｖ１半減
露光量Ｅ１／２は３　、６　Ｑｕｘ−ｓｅａであった。 Ｃ■１電荷輸送層の水素含量は５０ａｔｍ、％であった
。さらにこの感光体を３０℃、８５％Ｒ１１の環境で７
２時間放置したが基板との接着性は良好であった。また
、作像実験でも良好な画像が得らイまた。 以−にの結果を表１にま七めノこ。 尚、基板との接着性、或いは電荷発生層との接着性の評
価において、Ｏは極めて良好、△は良好、×は使用不能
であることを示づ−。 初期表面電位、半減露光量、残留電位はＦ表のごとく、
優（○）、良（△）、不可（×）と１．て評価すること
により本発明の優秀さが理解される。 ＝４０一 実施例２ 実施例１に亭じ表−２に示ケ条件でＡｌ！基板りに電荷
輸送層と電荷発生１Ｍ表を形成させた。実施例３以下も
同様である。 寒廊剋】− 表−３ 実施ＶＡ１．．４− 表−４ １鯉】 表−５ ４４一 実施例６ 表−６ 実！！拒例−７− 表−７ 実７＠　イタ２す！：ｊ− 表−８ 東岸り一町 表−９ ４８一 実施例１０ 表−１０ 東周り」１ 表−１１ きＫ　７！！　ｊシリｊ□□≧り□ 表−１２ 火施湾ｊ３ 表−１３ 害廊倒」−１− 表−１４ 未塵鯉−１− 表−１５ 害！＠例−３６− 表−１６ ＝５５一 実施例Ｉ７ 表−１７ 実施例」−鼾 重量部 スヂレン　　　　　　　　　　　　　　　２００メチル
メタクリレート　　　　　　　　　　１６０アクリル酸
ｎ−ブチル　　　　　　　　　　７５β−ヒトロギシプ
ロビルアクリレ−１・　　　５５マレイン酸　　　　　
　　　　　　　　　　　　８過酸化ヘンゾイル　　　　
　　　　　　　　７５エチレングリコールモノメチルエ
ーテル　１５０前記組成の混合物を、キシレン３５０重
量部を含み１０５℃に保たれた反応容器に、窒素気流中
撹拌しながら２時間かけて滴下して反応さ什、重合開始
後２時間半たってから、さらに過酸化ベンゾイル０５重
量部を加え、加熱および撹拌しながら８時間反応させ、
不揮発分５０％、粘度８００　ｃｐｓのヒト〔１キシル
基含有熱硬化性アクリル樹脂を得た。 このヒドロキシル基含有熱硬化性アクリル樹脂３４重量
部とメラミン樹脂（スーパーベッカミンＪ８２０、大日
本インキ（株）製）６重量部とを結着剤とし、これらと
２．Ｃ５，７−チトラニトロー９−フルオレノン　０５
宙吊部、ε型銅フタロンアニン（東ｌηインギ（株）製
）２０重量部、セ１：ｌソルブアセテ−１，４０重石部
、メチルエチルケトン４０重に部をホールミルボッｉ・
に入れ、３（１時間混練して光導電性塗料を調製し、こ
の塗＄４をＦ足表１８のＣ：Ｈ電荷輸送層（２）のｌ−
に塗布、乾燥後、加熱硬化さ１１、ｌノｚｍ厚の先導電
層を有４−る電子写真用感光体を得た。 以−１−の結果を表１８によとぬた。 表　　１８ 実１ｊ笥ケ１ｌ−９− 表−１９ ６０一 実施例２０ 表−２０ ’ｉ４１＋ｍ　ｊり１ｊｊ−− 表−２Ｉ 実施例２２ 表−２２ ６３一 実施例２３ 表−２３ ６４一 実施例２４ 電荷発生層は実施例Ｉ８と同様に下記表−２４のｃ：ｔ
ｒ電荷輸送層（２）の」二に設けた。 害輿岱１−？５ 表−２５ 実施例２６ 表−２６ 輝例−鼾鼾 表−２８ 火施Ｖｉ１１２９ 表−２９ 実施例３０ 電荷発生層は実施例１８と同様に下記表３０のＣＩＩ電
荷輸送層（２）の−にに設けた。 害施鮮鼻−！− 表−３１ 用枳り貝− 実施例１に阜じ、表３２に示す条件下に、Ｓｉ含量Ｏａ
ｔｍ％の電荷輸送層を有する感光体を得た。 比較例２〜８は電荷輸送層中にＳｉ、Ｇｅ、あるいはＳ
ｎを０あるいはｌｏａｔｍ％以上含量させたものである
。 表−３２ １１十ｋ（列？− 用蛇例且 現恰肛 其コ中ｑｊＩＡｊＦｉ− １１う中イ！ｆタリ６ 比中５≧１−り−７１− 表−３８ 比較例８ 発明の効果 本発明による炭素膜を電荷輸送層に有する感光体は電荷
輸送性、帯電能に優れ、膜厚が薄くても充分な表面電位
を得ることができ、かつ良好な画像を得ることができる
。本発明に従えば、電荷発生層にａ−８ｉを使用する場
合、従来のａ−９ｉ感光体では達成することのできなか
った薄膜の感光体を得ることができる。 更に、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎをその添加量と炭
素量の和に対しＩＯａｔｍ％以下含有させることにより
、電荷発生層からの電荷の注入が容易になり、残留電位
の低下、感度の上昇、メモリーの低減といった効果が達
成される。加えて、炭素のみの場合に比べ基板との接着
性、および電荷発生層との接着性が改良される。　本発
明感光体はその原料が安価であり、必要な各層が同一の
槽内で成膜できるとともに、膜厚が薄くてよいので、製
造コストが安く、かつ製造時間が短くて済む。 本発明による炭素膜は、薄膜に形成してもピンホールが
生じにくく、均質に形成することができるので、薄膜化
が容易である。さらに耐コロナ性、耐酸性、耐湿性、耐
熱性および剛直性にも優れているので、表面保護層とし
て使用すると感光体の耐久性が向にする。

【図面の簡単な説明】

第１図から第１２図は本発明感光体の模式的断面図を示
す。 第１３図〜第１５図は本発明感光体製造用装置の一例を
示す図であり、第１６図は比較のために用いたアーク放
電蒸着装置の構成を示４−図である。 図中の記号は以下の通りである。 （１）基板　　　（２）・・Ｃ：ＴＩ電荷輸送層（３）
・・電荷発生層　　（４）・・・オーバーコート層（５
）アンダーコート層　（６）〜（ｌＯ）タンク（１１）
〜（１５）・・調節弁 （Ｉ６）〜（２０）・マスフローコントローラー（２１
）・・主管　　　　　（２２）・平板型電極板（２３）
・反応室　　　　（２４）・・・平板型基板（２５）・
・平板型アース電極板 （２６）・・・高周波電源　　（２７）・・・コイル（
２８）直流電圧源　　（２９）・・真空ポンプ（３０）
・円筒型電極板　（３１）円筒型基板（３２）・・恒温
槽　　　　（３３）・・モノマー（３４）連結管　　　
　（４０）・・真空容器（４１）・・・電　源　　　　
（４２）・・・電極支持棒（４３）、（４４）炭素電極
（４５）・基板保持台（４６）・・・Ａρ基板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）とを有する機
   能分離型感光体において、電荷輸送層（２）として炭素
   膜を有し、前記炭素膜は水素を総原子量に対して０．１
   〜６７ａｔｏｍｉｃ％、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎ
   をその添加量と炭素量の和に対して１０ａｔｏｍｉｃ％
   以下含有することを特徴とする感光体。