JPS6381365A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） （従来の技術） 従来、電子写真感光体の光導電層は、＾−５ｅ（非晶質
セレン）　、　ＣｄＳ、　　ＺｎＯ，Ａ−５ｉ　（非晶
質シリコン）等の無機光導電材料で構成したり、ポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール（ｐｖＫ）とトリニトロフルオ
レノン（ＴＮＦ）の電荷移動鎖体、トリフェニルメタン
誘導体とチアピリリウム塩をポリカーボネート中に含む
系、ジスアゾ顔料やフタロシアニン顔料などの有機顔料
系の材料等を含む電荷発生層とヒドラゾン誘導体やトリ
フェニルアミン話導体などの電子供与性分子を有機ポリ
マー中に含む電荷輸送層との積層構造としたりするのが
一般的である。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、これらの光導電材料を使用する電子写真
感光体においては、未だ種々の解決されるべき点がある
。

例えばＡ−５ｅを光導電層形成材料とする電子写真感光
体は、Ｓｅ単独ではその分光感度領域が可視域の短波長
側に偏っているので応用範囲が限られてしまう。そこで
Ｔｅや＾Ｓを添加して分光感度領域を拡げることが試み
られている。しかしこの様なＴｅや＾Ｓを含むＳｅ系の
光導電層を有する電子写真感光体は、その分光感度領域
は改良されるものの、光疲労の増大、高温環境での帯電
性低下、あるいは低温環境での残留電位上昇などがあり
、画質の低下や繰り返し使用時の安定性が失なわれてし
まう等の問題点があった。しかもＳｅ、　Ａｓ、　Ｔｅ
、特に°＾ＳやＴｅは人体に対し極めて有害な物質であ
るので製造時に於て人体への接触がない様な製造装置を
使用する工夫が必要であった。また、光導電層の硬度が
低くクリーニングの確実性と装置の小型化に優れたブレ
ードクリーニングを適用すると光導電層表面が露出して
いると、光導電層表面がじかに摺擦されることによフて
、その一部が削り取られて現像剤中に混入したり、ある
いは複写機内に飛散したり、複写画像中に混入したりし
て人体に接触する原因を与える結果を生じる。また、Ｓ
ｅは結晶化温度が低いので、少しの加熱や光照射などで
容易に結晶化を起こし、これが原因で帯電性の低下を引
き起こすことがあった。

一方、ＺｎＯ，ＣｄＳ等を光導電層構成材料として使用
する電子写真感光体は、一般的にはその光導電層がＺｎ
ＯやＣｄＳ等の光導電材料粒子を適当な樹脂結着材中に
均一に分散して形成されている。

しかしながら、ＺｎＯを使用する場合には可視光に感度
を持たせるために有機顔料を添加するなどの分光増感が
必要になる、あるいは繰り返し使用により感度が低下し
ていくという欠点があるため余り多数回の繰り返し使用
はできなかった。又、ＣｄＳはＺｎＯと違って人体に影
響がある為に、ＣｄＳを使用する場合には製造時及び使
用時に於て人体に接触したり或いは周囲環境に飛散した
りすることのない様にする必要があった。更に、バイン
ダー系光導電層は、光導電材料粒子が樹脂結着材中に均
一に分散されなければならないという特殊性の為に、光
導電層の電気的及び光導電的特性や物理的化学的特性を
決定するパラメータが多く、かかるパラメータを厳密に
調整しなければ所望の特性を有する光導電層を再現性良
く形成する事が出来ず、そのため歩留りの低下を招き量
産性に欠けるという欠点があった。加えて又、バインダ
ー系光導電層は分散系という特殊性故に層全体がポーラ
スになっており、湿度依存性が著しく、多湿雰囲気中で
使用すると電気的特性の劣化を来たし高品質の複写画像
を得られなくなる場合が少なくないなどの問題もあった
。

又、これとは別にＰＶＫ／ＴＮＦ電荷移動鎖体、有機顔
料、電子供与性分子あるいは有機ポリマー等の有機材料
を用いる電子写真感光体は、耐コロナイオン性が低いた
め使用中に特性が劣化する、トナーと同様に有機ポリマ
ーを使うためクリーニング性に問題が生じ易い、機械強
度が弱いため表面が傷つき易い等の問題があり、長期間
にわたって高画質を維持しながら使用するのが困難なこ
とが多かった。また、比較的自由な分子設計が可能であ
るといっても、実際には例えば電荷輸送層の場合、電子
供与性分子とバインダーポリマーとの相溶性不良などの
ために使用出来るバインダーポリマーにかなり制約が出
るなどの問題があった。また、これら打機光導電材料の
中でも広く利用されている電子吸引性分子や電子供与性
分子などには人体に害を及ぼすものも多く、発癌性を有
するものも多々あるので、これらの面からの制約も実際
の材料選択の際に大きな障害となることが多かった。

〔発明の目的〕

本発明者等は上記従来例の電子写真感光体の様々な欠点
を除去した電子写真感光体を得る為に鋭意研究の結果、
炭素を主体とする膜で機能分離型の電子写真感光体の電
荷移動層を形成することにより電子写真感光体としての
優れた特性が得られることを見い出し本発明を完成した
。

すなわち、本発明の目的は高い帯電能を持ち、少ない帯
電電流と少ない露光エネルギー量で画像形成可能な電子
写真感光体を提供する事にある。

また、本発明の他の目的は、高速画像形成が可能な電子
写真感光体を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質な画像を得る事が
容易に出来る電子写真感光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は温度、湿度等の使用環境の変
動に対して安定な画像を維持する事が可能な電子写真感
光体を提供す名車にある。

本発明のさらに他の目的は繰り返し使用の際のコロナ放
電生成物や紙粉などの付着の影響が少なく、また表面に
傷がつかず長期間継続的に安定な画像を維持しながら使
用可能な電子写真感光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は、感光層の化学変化や劣化あ
るいは結晶化等の変質がおこらず、長期間の悪環境下で
の保管に耐えて保管前と変わらない良好な画質を再現す
る事が可能な電子写真感光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は、製造工程の途中やオフィス
等での取扱いの際に人体に触れても全く害がなく、また
現像剤中に感光層の一部が削れて混入し、それがコピー
上のトナー画像に含まれて人体に接触したりしても全く
安全て、必要ならば使用終了後に一部ゴミと一緒に廃棄
する事も安全上全く問題なく、一般家庭で使用する際に
も特別の注意なしに安全に使用可能で、火災などの非常
時に他のものと一緒に燃えてしまっても有毒な気体を放
出しない、従フてあらゆる点で全く安全な電子写真感光
体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は、製造時に有害な原料を使用
せず、又は従来に較べて必要な有害原料の使用量が極端
に少なくても製造可能で、このため製造設備に取り付け
る必要のある有害物除害装置やその他の製造上の安全対
策に要するコストを著しく削減出来る電子写真感光体を
提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は製造用の原料とじて入手し易
く、安価な原料を使用する事の出来る低コストな電子写
真感光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は不均一材料の混合や分散ある
いは粒度分布制御などといった複雑な工程を取る事なく
、また塗布液の調液や塗布中の粘度制御あるいは多層構
造の際に起きる層間汚染や溶剤排気の処理などを必要と
しない簡略化された工程で製造でき、またメンテナンス
の容易な製造装置を用いて製造出来る電子写真感光体を
提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は製造時の微粉未形成や製造容
器内に付着した膜のはがれによる微粒子の発生がなく、
長時間安定して欠陥のない均一な感光層を得る事の出来
る電子写真感光体を提供する事にある。

（問題点を解決するための手段） 本発明の上記目的は、支持体上に電荷発生層と電荷輸送
層とを積層した感光層を有する電子写真感光体であって
、前記電荷輸送層が水素原子を含む炭素化合物と脱水素
剤との組合せを主原料とした炭素を主体とする膜として
形成する工程を有する事を特徴とする電子写真感光体の
製造方法により達成される。

本発明における炭素を主体とする膜とは、例えばポリエ
チレンの様な炭化水素系の高絶縁性直鎖有機ポリマーや
、炭素原子からなる黒鉛の真空蒸着膜の様な低抵抗のグ
ラファイト多結晶膜の如きものとは、その特性が大きく
異なるものである。

本発明の目的は、この様な従来の炭素膜では達成されな
い。その理由は、水素を多量に含む上記ポリエチレンの
様な有機ポリマーを電荷輸送層に使用した場合には、帯
電能を向上することはできるものの、可視域や近赤外域
の光に対する感度がほとんど得られないためである。ま
た、上記グラファイト多結晶膜のようなものでは、帯電
能が低下して実用的な電子写真感光体が得られないため
である。

本発明における炭素を主体とする膜は単結晶、多結晶、
非晶質あるいはこれらの相の混合した相のいずれの形態
をとっても良いが、好ましくは少なくともその電気伝導
度σ　が１Ｏ−ＩＩΩ−１ｃｍ−１以下であって、しか
も膜中に含まれる水素濃度が４０原子％以下、さらにそ
の光学的バンドギャップＥｇｏｐＣが１．５ｅＶ以上の
もとすることが望ましい。

本発明は上記のような物性範囲の炭素を主体とする膜が
、高絶縁性でありながらその層中に電荷が注入されると
注入された電荷が電場により輸送されるという現象を見
い出したことに基づいており、かかる炭素を主体とする
膜は、従来の製造条件では製造できない。一般に、電子
写真感光体における電荷の伝導形態は成膜条件にかなり
大きく依存し、きれいなバンド伝導を起こせる成膜条件
は必ずしも広くなく、分散型の性格の強い過渡電流波形
が得られる場合も多く、このことは本発明においても同
様であるが、本発明における炭素を主体とする膜は、こ
のような状態にあっても電子写真感光体として充分に使
用可能なものである。

ところで、過去においてＡ−５ｉや＾−Ｇｅを主体とし
てこれに炭素を加えた層を電子写真感光体の構成層の１
つとしてに利用した例としては、特開昭５４−５５４３
９、特開昭５５７４０４０．特開昭５５−４９３０４、
特開昭５６−１２１０４１、特開昭６０−２６３４５、
特開昭６１−９４０４８、特開昭６１−９４０４９、特
開昭６１−１０５５５１なとがある。しかしこれらはＡ
−５ｉ又はＡ−Ｇｅから得られる機能を維持させつつ、
炭素の添加によりその膜特性を改良したのものであり、
炭素を主体とすることによって得られる機能を利用した
ものではない。すなわち、第１に本発明の炭素を主体と
すてもなるべく少なくする。さらに上記の諸提案で成膜
に使われている成膜条件はＡ−５ｔや八−Ｇｅ層の形成
の際に通用されているものであって、その様な条件では
本発明の目的を達成する膜は出来ない。

本発明における電子写真感光体の電荷輸送層に通用可能
な炭素質膜は、例えば炭素化合物と水素　　　　　□Ｓ
Ｓ脱膜構成できるような条件、具体的には後述の実施例
に記載されたような成膜条件を設定して形成する。この
条件の設定は、本発明者によって初めてなされたもので
ある。成膜のメカニズムについては必ずしも定かではな
いが、原料ガスの放電や原料ガスの加熱などによって原
料気体分子にエネルギーを与えたり、成膜中の基板を加
速電子でたたいたり、成膜途中で生じるイオンを電場で
加速したり、プラズマ生成領域に磁場印加したりする事
が本発明に言うところの炭素質膜を得る上で有効である
。

本発明における炭素を主体とする膜は、炭素−水素結合
を含む炭素化合物と炭素−水素結合を切断する能力をも
つ化合物、即ち脱水素剤との組合せを主原料とする気相
成膜法により作成する。気相成膜法としては種々のもの
が使用可能である。

原料気体の放電により生成するプラズマ、原料気体の熱
分解及び原料気体への光照射等により原料気体中の分子
にエネルギーを付与すると基板上に膜形成することがで
きる。

今のところ成膜のメカニズムについては余り詳しくは分
らないが、現象としては炭素−水素結合を含む炭素化合
物と炭素−水素結合を切断する能力をもつ脱水素剤との
組合せを主原料とすると、得られる炭素膜中に含まれる
炭素−炭素結合の種類が限定される傾向を示すと同時に
、膜中の水素濃度も低減される傾向が見られた。

炭素−水素結合を含む炭素化合物をＣＩ＋４、脱水素剤
をＦ２とする組合せを主原料とし、同一装置で種々の励
起法を検討した結果、反応の詳細は不明であるが、得ら
れた炭素膜中の水素濃度は、ＣＨ４を主原料とした場合
に比べてＣ−Ｃ二重結合が低減する傾向が見られ、　Ｆ
が膜に取り込まれる場合も見られた。また、膜中に取り
込まれたＦｙｌ子数のＣ原子数に対する比（Ｆ／Ｃ）は
ガス流量比を変えることにより変化し、それに伴なって
膜の密度も変る傾向が見られた。

尚、ここで述べたＣ−Ｃの二重結合の存在量はＦＴ−Ｉ
Ｒ（フーリエ変換赤外分光法）を用い−＜８（３０００
〜３１００Ｃ［Ｉ＋−’　）と　ンＣで　　（２８００
〜３０００ｃａｂ−’　）の各吸収ピークの強度で判断
することができる。

第１図及び第２図に本発明による電子写真感光体の最も
代表的な構成例を示す。これら図において、符号１３及
び２３で示すものが本発明でいう炭素質膜で構成された
電荷輸送層である。１２及び２２は電荷発生層、１４及
び２４は支持体、１１は表面層、２１は電荷注入阻止層
である。

電荷輸送層１３及び２３は、水素原子を多量に含むこと
は好ましくなく、水素原子の含有量としては４０原子％
以下、望ましくは３０原子％以下であることが好ましい
。多すぎる水素原子量は光感度低下、残留電位上昇ある
いは表面の傷のつき易さの原因になるからである。しか
し水素原子の膜中への構造的含有は、帯電性の向上や残
留電位の低減に効果があるので、好ましくはその下限を
０．Ｏ１１原子とするのが望ましい。

また、上記水素原子のみならず、電荷輸送層を構成する
炭素質膜には、フッ素や塩素などのハロゲン原子（Ｘ）
や窒素原子も含有してよく、これら電荷輸送層１３及び
２３はその電気伝導度が大きすぎると、帯電性の低下や
画像のぼけを生ずる場合があるのでＩｇ−１１Ω−１（
＠−１以下であることが好ましい、さらに電荷輸送層！
３及び２３の光学的バンドギャップＥｇｏｐｔは　１．
５ｅＶ以上、望ましくは２　、　ＯｅＶ以上であること
が好ましい、特に第２図の構成の場合には光学的バンド
ギャップは２．５ｅＶ以上ある事が望ましい。

電荷輸送層１３及び２３を構成する炭素質膜は非晶質で
あっても良いし、結晶相を含むものであっても良い。殊
にラマンスペクトルの１３３３ｃｍ−’を含む領域のス
トークス線で特徴づけられる構造を少なくとも部分的に
含む事が望ましい。電荷輸送層を構成する炭素質膜が完
全なダイヤモンド構造を多量に含むダイヤモンド多結晶
に近い膜であれば、電子写真感光体の帯電性及び感度、
表面硬度、耐　　　。

天性等を向上させる傾向があるが、残留電位はやや高め
になる場合が多い、また、炭素質膜は成膜条件によって
は着色することがあるが、得られる膜が非晶質もしくは
結晶性のいかんにかかわらず、例えば成膜時の水素又は
ハロゲンの流量比を高める事により着色を減じる事が出
来る。

電荷輸送層１３及び２３を構成する炭素質膜半導体的不
純物として、周期律表第■族又は第Ｖ族に属する原子に
よるドーピングを行ない、その特性を改善する事が出来
る。このような第ｍ族又は第Ｖ族の原子によるドーピン
グは、本発明の電子写真感光体を正帯電又は負帯電で使
用する際の帯電性を高め、感度を向上させ、残留電位を
下げる効果がある。これは、これら原子のドーピングに
より電荷輸送層１３及び２３の電荷キャリアの濃度が変
化するか、又は電荷キャリアーの輸送性が変化するため
と考えられる。この変化は比較的おだやかであるので、
その制御は容易である。これら原子の添加量は好ましく
は５　ｐｐｍ以上５原子％以下の範囲、より有効な範囲
としては５０ｐｐａ１以上１原子％以下であるのが望ま
しい。これらのより詳しい条件は実施例中で述べる。第
ｍ族に属する原子としてはＢ、＾ｌ、　Ｇａ、　Ｉｎ、
　Ｔ１等が挙げられる。第Ｖ族の原子としてはＮ、　　
Ｐ、　Ａｓ、　Ｓｂ、　Ｂｉ等が挙げられる。製造安定
性、コスト、効果の大きさなどからはＮ、　　Ｐ、　　
Ｂ、　ＡＩなどが特に望ましい。

電荷輸送層１３及び２３の膜厚は使用条゛件等により適
宜選択することがきでるが、好ましくは１μ以上１ＯＯ
−以下の間にあることが望ましい。これは、１＃Ｌ１１
以下では通常の現像方法では満足出来るる時間がかかり
過ぎＬ％に海１％たり、支持体との密着性等に間層を生
じる場合があるためである。前記層厚のより好ましい範
囲は、５μ以上５０μ以下である。この範囲では使用条
件がゆるやかになって使い易いばかりか、従来の感光体
に比して膜厚が薄くても画像濃度が高くなる傾向がある
ので、製造コスト低減にと）て有利である。

本発明による電子写真感光体における電荷発生層１２及
び２２は、光導電性を有するものであれば従来公知のい
かなる構成のものでもよい。例えばプラズマＣｖＤによ
り成膜した＾−５ｉ：Ｈを主体とする０、５〜２０μ程
度の膜厚のものや、これに更にＧｅやＣ等を含有させた
ものを挙げることができる。本発明ではこのような電荷
発生層からのｔに荷輸送層への電荷注入を良好に行なう
事が出来る。

本発明による電子写真感光体では、電荷輸送層として下
記実施例に記載された条件で作成された電荷輸送能力に
優れ、且つ電気抵抗（電気伝導度の逆数）の高い炭素質
膜を用いているため、電荷発生層１２．２２を従来の電
子写真感光体におけるよりも低抵抗のものとすることが
できる。具体的には例えば、電気伝導度の値としてｌＯ
→ＯΩＣｍ程度以下であってもよい。従って、光導電性
が大きくても低抵抗であるために利用困難であった材料
でも使用する事が可能になり、極めて高い感度が得られ
るものである。

本発明による電子写真感光体の支持体１４及び２４は支
持体としての機械的強度が満されれば絶縁体であっても
導電体であっても良いが、くり返し使用する場合には少
なくとも支持体１４及び２４の感光層と接する側が導電
性処理されていることが望ましい。導電性支持体として
は＾ｌ、　Ｆｅ、　Ｎｉ、ステンレス、Ｓｎ、　２ｎ、
　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｔｉ、　Ｔａ、　Ｗ、　Ａｕ、　Ａ
ｇ、　ＰＬ等の金属やＳｉ、　Ｇｅ、グラファイトなど
が使用可能である。感光層の接着性等の改良その他の目
的で導電性支持体の表面に支持体金属とは別の導電性の
物質をコーナイングしても良い。絶縁性支持体としては
ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリ
スチレン、ポリアミド、ＰＥ等の有機ポリマーの他、ガ
ラス、セラミックスなどの無機材料も使用出来る。支持
体の大きさ及び形状は本発明の電子写真感光体の使用用
途により自由に選択する事が出来、手の平に乗る様な小
さなカード状のものや円筒型あるいはベルト状のものな
どどれも使用可能である。

第１図の電子写真感光体の場合には、通常、表面層１１
を設ける事が望ましい。特に電荷発生層１１防止の向上
をはかるために表面層１１を設けることが望ましい。表
面層１１は可視光領域においである程度透明で電気伝導
度が低ければ色々な材料が使用可能である。例えばプラ
ズマＣｖＤなどで形成されたＡ−５ｉＣ（ＩＩ、Ｘ）、
＾−５ｊＮ（Ｈ，Ｘ）など（Ｄ　ＩＩＭ　テも良い。

また電荷輸送層１３や２３に使用出来る炭素を主体とす
る層であっても良いが、その場合は光学的バンドギャッ
プが、望ましくは２．ＯｅＶ又はそれ以上で尖 でいても良い。このハロゲン原子は表面層の自由表面近
くにのみ含有されるか、又はその表面から内部方向に向
かって濃度勾配を持）ていても良い。

第２図の電子写真感光体の場合には電荷注入阻止層２１
を、電荷発生層２２と支持体２４との間に設ける事が望
ましい。これにより帯電能の一層の向上や画質の欠陥の
発生をより一層防止出来る。電荷注入阻止層２１として
はプラズマＣｖＤなどで成膜された不純物でドーピング
されたＡ−５ｔ（ｌ（、Ｘ）などが使用可能である。感
光体を正帯電で使用する場合には電荷注入阻止層２１は
ｐ型、負帯電で使用する場合にはｎ型にドーピングして
おくことが好ましい。ｐ型にする場合にはＢ、　ＡＩの
ような第■族原子が、ｎ型にする場合にはＮ、　Ｐ、　
Ａｓのような第は、後述するような気相成膜法を用い、
具体的には実施例に示した条件で炭素化合物を含む気体
を放電エネルギーや熱エネルギーあるいは光エネルギー
を利用しての励起、イオン化あるいは分解する等により
得る。この成膜の際、基板を加速電子でたたいたり、途
中で生じるイオンを電場で加速したり、プラズマ生成領
域に磁場を印加したりすることにより本発明の炭素質膜
を得ることができる。もちろん、炭素化合物の気体を全
く用いず、炭素又は炭素化合物を主体とする固体をター
ゲットとするスパッタリングを利用する事もある特定の
成膜条件下では可能である。

成膜のメカニズムの詳細は定かではないが、炭素イオン
又は炭素化合物のイオンあるいは炭素化合物のラジカル
生成と、水素を用いる場合には水素の供給量が本発明に
通用される良質の炭素質膜を得る上で重要である。水素
を用いる場合には成膜前の励起過程で少なくとも部分的
にラジカル化又はイオン化させておくとよい。さらに、
基体にバイアス電圧をかけて成膜面をイオン衝ｊするか
、又は基体方向へ電子を加速して成膜面付近で炭素化合
物を電子で励起するのも有効である。この場合の電子の
供給は、プラズマによる他、加熱したフィラメントを利
用しても良い。また、基体に直接外部電源によりバイア
ス電圧を印加しない場合であっても、例えばＲＦプラズ
マＣｖＤを実施する場合におけるように基体を接地させ
ず、この基体側に高周波印加する事によって生じる自己
バイアスを利用することが望ましい。基体温度も重要な
パラメータであって、４５０℃以上に設定する事が好ま
しい。

第３図に本発明の電子写真感光体の製造に好適な成膜装
置の一例を示す。この第３図において、符号２Ｂ、　２
７．２８．２９．３０．３１．３２．３３．３４．６２
゜６３、６６、６７で示すものは、成膜に使用するガス
のコントロールに用いるバルブである。　３９．４０゜
４１、４２．６０は原料ガス、エツチングガス、キャリ
アーガスあるいはドーピング用ガス等の所望のガスを保
持するガスボンベ、６１は液体材料を気化させる装置で
必要に応じ水素ガスやアルゴンガスを一緒に流す事が出
来る様になっている。３５．３６゜３７、３８．６４．
６５はマスフローコントローラーである。５２は真空槽
で主バルブ２５を介して真空排気ポンプへ通じている。

真空槽５２は全体を水冷出来る様にしである。４５及び
４６は電極で、直流又は交流の電圧を印加できるように
なっている。電極４Ｂの表面には必要に応じてスパッタ
リング用ターゲットを置くことができる。５４．６８は
ガード電極で、真空槽５２と同様にアースされており、
不要な場合は取り外せるようになっている。５３は基体
で、この表面に感光層を成膜する。４４は基体加熱ヒー
ターで、高さを調節することが出来、タングステン、タ
ンタル等のワイヤー、うず巻線又はメツシュ等の種々の
形状のものを必要に応じて使用し、加熱の際には通常は
５０Ｈｚの交流電力を印加する。４３は真空Ｍ１５２の
まわりに巻いたコイルで、必要に応じて直流を流して磁
場を発生させる。４７は１３．５８ＭＨｚの高周波電源
で負荷インピーダンスに応じてマツチングを取れる様に
しである。４８は直流電源、５０および５１はキャパシ
ター、４９はインダクタンスコイルである。６９．７０
は電極４５および４６の高周波印加側を上下に入れ換え
るための切り換え回路である。

第４図は本発明の電子写真感光体の製造に好適な成膜装
置の他の一例である。この第４図において、符号？９．
８０．８１．８２．８３．８４．８５．８Ｂ、　８７゜
８８、８９．９０，９１．９２で示すものは、成膜に使
用するガスのコントロールに用いるバルブである。バル
ブ８６と８５を使いわける事によりガス導入場所を選択
出来るようになっている。７２．７３．７４．７５゜７
６は原料ガス、エッチグガス、キャリアーガス、あるい
はドーピング用ガス等の所望のガスを保持するガスボン
ベ、７８は液体材料を気化させる装置で必要に応じ水素
ガスやアルゴンガスを一緒に流す事が出来る様になって
いる。９３．９４．９５．９Ｂ。

９７、９８はマスフローコントローラーである。７１は
真空槽で主バルブ１０４を介して真空排気ポンプへ通じ
ている。　１０７はマイクロ波電源、１０９はマイクロ
波の導波管である。　１０８はインピーダンスのマツチ
ングを取るためのチューナーである。　！１０はマイク
ロ波投入口の窓ガラスで１石英板もしくはその他のマイ
クロ波を吸収しにくい材料で出来ている。９９は仕切り
板で、その設置位置を変化させる事が出来るようになっ
ており、この仕切板９９の位置を調整することにより真
空１ｆＩ７１内へ入射したマイクロ波を反射して、その
位置により共振を起こさせ、効率よくマイクロ波が原料
ガス等へ吸収される様にする事が出来るようになってい
る。

１０６は電磁コイルで直流印加により静磁場を発生させ
る事が出来る。　１００は基体ホルダーで基体１０３を
支えている。基体１０３は基体ヒーター１０１及び＋０
２により基体を加熱する事が出来るようになっている。

基体ホルダー１００はアースから絶縁されており、直流
電源１０５で電圧印加する事が出来る。１０８はガード
電極である。

本発明における炭素を主体とする膜の製造原料として用
いることのできる炭素化合物としては、メタン、エタン
、プロパン、ブタン等のアルカン系炭化水素又はその誘
導体（例えばＣＨ３Ｃｌ、　０Ｈ３Ｆなど）、またエチ
レン、プロピレン、ブチレン、アミジノ等のアルカン系
炭化水素又はその誘導体、またアセチレン、ペンチン、
ブチン、ヘキシン等のアルキン系炭化水素又はその誘導
体が挙げられる。さらにはベンゼン、ナフタリン、アン
トラセン、トルエン、キシレン、あるいはとリジン、ピ
コリン、キノリン、インドール、アクリジン、フェノー
ル、クレゾール等の芳香族炭化水素又はその誘導体、メ
タノール、エタノール、プロパツール、ブタノール等の
アルコール、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチル
ケトン、ジイソプロピルケトン、ジイソブチルケトン、
ジアセチル等のケトン類又はその誘導体、アセトアルデ
ヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド等のア
ルデヒド又はその誘導体、メチルアミン、ジメチルアミ
ン、トリメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン
等のアミン又はその誘導体、ジメチルエーテル、メチル
エチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルｎブ
チルエーテル等のエーテル又はその誘導体、酢酸メチル
、酢酸エチル等の酢酸誘導体なども使用可能である。こ
れらのうち常温で液体又は固体のものは、水素、アルゴ
ン等のキャリアーガスを用いて、バブリングその他によ
り反応室内へ運ぶか、又は加熱により気化させて用いる
ことが好ましい。上記の様な炭素化合物とともに、水素
、アンモニアなどを反応室内へ送り込んでも良い。

で また、本発明丙電子写真感光体で製造原料として用いる
脱水素剤としては、Ｆ２．０１２　、　Ｂｒ２　、１２
等のハロゲン、ＢＦ３　、ＩＩＦ、　ＩＩｃＩ、　Ｈｅ
ｒ等のハロゲン化物、Ｎ２０．　Ｎ２Ｏ３等の窒素酸化
物、ジメチルス　　　　　“ルホキシド、キノン類、ク
ロロベンゼン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロ
ゲン化有機化合物、ジオキサン、ニトロ化合物等が使用
可能である。

これらのうち、常温で液体または固体のものは、水素、
アルゴン、その他のキャリアーガスを用いてバブリング
、その他により反応室へ運ぶか、または加熱により気化
させる事ができる。

また、周期律表第ｍ族又は第■族に属する原子をドーピ
ングする場合には、　ＢＨ３，Ｂ２Ｈ６，ＰＨ３，Ａｓ
Ｈ３，ＮＨ３の様な水素化物などやＡｌ（ＣＨ３）！、
　Ｇａ（ＣＨ３）３などの気体を同時に送り込んで成膜
を行なうと良い。

（実施例） 以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。

実施例１ 第３図の装置を用い、第１図に例示の電子写真感光体を
以下のようにして作成した。

まず、電気伝導度が約１０−２Ω−Ｉｃｍ−１の円板型
のｎ型シリコンウェハーを基体５３として用い、フッ酸
の希釈水溶液で基体表面の酸化膜を除去した後、この基
体を上部電極４５に固定した。次に真空槽５２を密閉し
、真空排気系により約２ｘ　１Ｏ−７Ｔｏｒｒまで減圧
した。次に基体の円形形状に合せてうす巻き状にまいた
タングステンワイアー４４に５０Ｈｚの交流電力を印加
して、このワイヤー４４を約２５００”Ｃまで加熱して
得られる輻射熱により、上記シリコン基板を加熱した。

シリコン基体の裏側が４５０”Ｃになるまで待った後に
、ワイヤー４４を約ｚｏｏｏ’ｃまで下げて基体温度を
約４５０℃に安定させた。

次に電磁コイル４３に直流電力を流して真空槽５２の上
部容器表面での磁場が８００Ｇａｕｓｓになる様に電流
の大きさを制御した。さらに切り換え回路８９、７０を
Ａの位置にセットし、直流電源４８を基体側が一３００
ｖになる様に合せた。そしてマスフローコントローラー
３７．　：１８を最もしぼった状態でＣＨ４のボンベ４
１のバルブ２８及び３３、Ｆ２のボンベ４２のパルプ２
９及び３４を開いた。そして、各々のガスの流量が５Ｓ
ｔｌｌ；Ｍ及び１１００５ＣＣとなる様にマスフローコ
ントローラ３７及び３８をセットした。このときの圧力
はθ、（ｌＱ２　Ｔｏｒｒであった。

次に電源４７をＯＮにして放電を始め、投入パワーを３
５０Ｗに合せた。全体が安定状態に達してから４８時間
後に放電電源４７と４８をＯＦＦにし、バルブ２８．２
９を閉じて放電を停止した。こうして炭素を主体とする
約８μの電荷輸送層を得た。

次に、基体加熱フィラメント４４の電流を弱くしてその
まま放置し、基体温度が測定値で２５０℃まで下がるの
を待ってから極性切換スイッチ６９と７０をＢの状態に
した。次にＳｉＨ４のボンベＢＯのバルブ６２と６６及
びＨ２のボンベ４２のバルブ２９及び３４を開き、Ｓｉ
）＋４がＩＯＳＣＣＭ％Ｈ２が９０Ｓ１１：（：Ｍとな
る様にマスフローコントローラー６４と３８を調節した
。そして高周波電源４７をＯＮにし、約１μの厚さのＡ
−Ｓｉ：Ｈからなる前記の電荷発生層を電荷輸送層上に
積層した。

これに続いて、Ｃ２Ｈ２のボンベ４０のバルブ２７及び
３２を開き、マスフローメータ３６を使ってアセチレン
をＳｉＨ４とＨ２に加えて行き、Ａ　−Ｓｉ；Ｈからな
る電荷発生層上に約１０００人のＡ−５ｉＣ：Ｈからな
る表面層を積層した。

すべての成膜が終った後、バルブ２７．２８．２９゜３
２、３３．３４．３０を閉じ、加熱フィラメント４４の
電流を切って基体が充分に冷却した後、真空を破って前
述の各層を形成した基板を真空槽５２から取り出した。

こうして第１図の構造の電子写真感光体が得られた。

こうして得られた電子写真感光体を実験用の電子写真複
写装置にセットして、電子写真特性を測定したところ、
良好な帯電性と光感度を示した。

続いて負帯電し像露光して、トナー現像したところ高品
質な画像が得られた。

実施例２ 電荷輸送層の作成条件を以下のように変更する以外は、
実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。

基体バイアスは一１００Ｖて、基体温度を４５０℃とし
た。原料ガスとしてＣＨＣｌＦ２とＦ２を用い、ＣＩＩ
ＣＩＦ。

をＩＯＳＣＣＭ　、　Ｈ２を１１００５ＣＣで真空槽５
２の中へ送り込んだ、フィラメント温度は２４００℃と
し、ＲＦパワーは３００Ｗとした。コイル４３に電流を
流し、磁場６００Ｇａｕｓｓで成膜を行なった。成膜時
の圧力は０、（１２Ｔｏｒｒとした。

このようにして得られた電子写真感光体を実施例１の場
合と同様に電子写真特性を測定したところ、高い帯電能
と感度を示し、負帯電してトナー像露光し、現像したと
ころ良好な画像が得られた。

上記と全く同様の条件で電荷輸送層だけをＳｉ基体上に
形成したものの膜組成分析したところ、赤外吸収スペク
トルによる水素濃度の測定によると水素が含有されてい
た。

実施例３ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜はＣＨＩＩ：１２Ｆとフッ素とアンモ
ニアの混合ガスを用い、流量はＣＨＣｌ２ＦをＩＯＳＣ
ＣＭ　。

フッ素を８７５ＣＣＭ　、アンモニアを３５ＣＣＭとし
た。

圧力は０．００２Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３５０Ｗ、基板
バイアス−２３０Ｖ　、基板温度５５０℃で磁場は８０
０Ｇａｕｓｓとした。

他方、得られた電子写真感光体を実施例１と同様に実験
用複写装置にセットして電子写真特性を測定したところ
、良好な帯電性と感度を示した。

又、別に正帯電で像露光してトナー現像したところ明瞭
な画像が得られた。

実施例４ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜にはＣＨＦ３とフッ素とフッ化水素の
混合ガスを用いた。流量はＣＨＦ３を２０ＳＣＣＭ、フ
ッ素を７７ＳＣＣＭ、フッ化水素１０　ｍｏ１％の水素
による希釈ガスを３ＳＣＣＭ、　ＲＦパワー４５０Ｗ　
、基体バイアスＯＶ、基体温度２５０℃、圧力０　、０
１Ｔｏｒｒとしの場合と同様に良好な帯電性を示し、正
帯電で良好な画質のトナー画像が得られた。膜中にはフ
ッ素が取り込まれている事が認められた。

実施例５ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜はメタンとフッ素の混合ガスを用いて
行ない、流量はメタンを　５５ＣＣＭ　、フッ素を９５
５ＣＣＭとした。そして、これに水素で　１　ｍｏ１％
まで希釈したジボランを０．５５ＣＣＭの割合で流し込
んだ。圧力は０．０６Ｔｏｒｒ、基板温度３５０℃、Ｒ
Ｆパワー２５０Ｗ、基板バイアス−＋００Ｖで成膜を行
なった。

できあがった電子写真感光体は実施例１と同様に良好な
帯電性を示し、正帯電で良好な画質のトナー画像が得ら
れた。

実施例６ 円筒状の基体上に成膜できるように改造した第３図の装
置を用い、第２図に例示の電子写真感光体を以下のよう
にして作成した。

ＡＩ製円筒基体を用い、まず真空槽５２を約２×１０’
　Ｔｏｒｒまで真空排気した。次にＡノ基体を２３０℃
に加熱し、ＳｉＨ４流ｆｆｔ　１０５００Ｍ　、　Ｈｚ
流ｚ　９ｏｓｃｃＭ　、　Ｂ２Ｈ，流ｉ　０．５ＳＣＣ
Ｍとして０．ＩＴｏｒｒにて、ＲＦパワー　１５０Ｗテ
Ｂを高密度に含むＰ型（７）Ａ−５ｉ：Ｈからなる電荷
注入阻止層を１０００人の厚さに形成した。次にＳｉ）
！、とＢ２Ｈ６の流量を０にして、Ｈ７のみを流して　
Ｉｈｒ放電を続けた。その後、再びＳｉＨ４を１１０５
ＣＣ流し、Ｈ２流量９０ＳＣＣＭで放電させ、約１μの
Ａ　−５ｉ：Ｈからなる電荷発生層を上記電荷注入阻止
層上に形成した。

この後、ＳｉＨ４とＨ２の流れを止め、　４Ｘ　１０−
’　Ｔｏｒｒまで減圧した後、電荷輸送層の成膜を次の
条件で行なった。すなわち、アセトンを含存するＨ２ガ
スを気化装置６１を用いて発生させ、真空Ｍ５２へ送り
込んだ。Ｈ２中のアセトンは約３　ｍｏ１％であり、混
合気の流ｆｆｉハ２００ＳＣＩｌ：Ｍ、７ツ素ハ５０ｓ
［；ｆｌ：Ｍ、圧力は１Ｔｏｒｒとした。また、ＲＦパ
ワーを４５０Ｗ、基体バイアスを一７０ｖ１磁場の強さ
は５００Ｇａｕｓｓとした。

こうして得られた電子写真感光体を実験用に改造したＮ
Ｐ７５５０１　　（キャノン株式会社）にセットし連続
繰り返えし画像形成を行なったところ、いずれの転写画
像も良好な画質であった。

実施例７ 第４図の装置を用い、以下の様にして第１図の構造の電
子写真感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜条件として、マイクロ波パワー６００
Ｗ、原料ガスとしてメチルブロマイドとフッ素との混合
ガスを用いた。マイクロ波周波数は２．４５　ＧＨｚと
した。メチルブロマイドの流量は５Ｓ（：ＣＭ、７ツ素
の流量は５０５Ｃ（：Ｍテ圧力は０．０００７Ｔｏｒｒ
とした。磁場は８７５Ｇａｕｓｓとし、電子サイクロト
ロン共鳴が起きる様にした。この条件で隔壁９９の位置
を調節し、真空ＭＩ７１がマイクロ波の空洞共据器とし
て動作する様にしたところ、隔壁９９の開口部からプラ
ズマ吹き出しが見られた。基体温度は３５０℃、基板バ
イアスは一１５０Ｖとした。この条件で成膜された電荷
輸送層の膜厚は９．３μであった。

この様にして作成した電荷輸送層の上に引き続いてＡ−
５ｉ：Ｉｔの電荷発生層を作成した。まず基体加熱ヒー
タ　１０２の電流を切って基体温度が１００℃まで下が
るのを待ち、それから電流を再び流しテ２００℃で一定
に保ツタ。次に：５ｉＨ４を　１０５（ｆｌ：Ｍ、Ｈ７
を５０ＳＣＣＭ流して、圧力を２．６ｘ　１Ｏ−３Ｔｏ
ｒｒにし、磁場を８７５Ｇａｕｓｓとしてマイクロ波を
没入した。マイクロ波パワーは３００Ｗとした。こうし
て電荷輸送層上に約１μのＡ−５ｉ：Ｈからなる電荷発
生層を成膜し、さらに連続してＣＨ４流量７ＳＣＣＭ、
ＳｉＨ４流Ｉｆｆ　３ＳＣＣＭ、　Ｈ２流量５０ＳＣ（
：Ｍで表面層を形成し、第１図の構造の電子写真感光体
を得た。

この感光体を実験用電子写真装置にセットし、電子写真
特性を測定したところ高い帯電性と良好な感度を示し、
負帯電で像露光して現像したところ良好な画像が得られ
た。

実施例８ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜はメタンとフッ素のガスを用いて行な
い、流量はメタンを５５ＣＣＭ、フッ素１１００５ＣＣ
、水素で１ｏｒｎｏｌ！Ｊに稀釈したフォスフインｏ、
５俸 ＳＣＣＭとし、圧力は０．３Ｔｏｒｒとした。基１ｉ　
ｔｒ’Ａ度３５０℃、ＲＦパワー６００Ｗ％磁場４００
ガウス、基板バイアスは一２００ｖで成膜を行なった。

こうして得られた電子写真感光体について実施例１と同
様にして電子写真特性を測定したところ、負帯電で良好
な画質のトナー画像が得られた。

実施例９ 第５図の装置を用い、以下のような成膜条件及び操作を
用いる以外は実施例６と同様の方法によって第２図の構
造の電子写真感光体を作成した。

ＡＩ製円筒基板を用い、まず真空層５２を約６×１０’
　Ｔｏｒｒまで真空排気した。次に＾ｌ基体を２３０℃
に加熱しＳｉＨ４流Ｊｌ　３０ＳＣＣＭ　、　Ｈ２流ｆ
ｆｉ　１８０ＳＣＣＭ、　Ｂ２Ｈ６流Ｉｔ　　１．５ｓ
ｃ（：Ｍとして、　０．ＩＴｏｒｒにてＲＦパワー５０
０Ｗ　’ｔ’　Ｂが高濃度にドープされたＰ型のＡ−５
ｉ：Ｈからなる電荷注入阻止層を１０００人の厚さに形
成した。次にＳｉＨ４とＢ２Ｈ６の流量を０にし、Ｈ２
のみを流してｌｈｒ放電をつづけた。その後、再びＳｉ
Ｈ４を３０Ｓ（：ＣＭ流し、Ｈ７流量１８０ｓｃ（：Ｍ
で放電させ、約１μのＡ−５ｉ：）１からなる電荷発生
層を上記電荷注入阻止層上に形成した。

この後、５ｒＨ４とＢ２の流れを止め、　４ｘ　１０−
’　Ｔｏｒｒまで電圧した後、電荷輸送層の成膜を次の
条件で行なった。すなわち、アセトンを含有するＨ、ガ
スを気化装置６１を用いて発生させ、真空層５２へ送り
込んだ。Ｂ２中のアセトンは約３　ｍｏｌ′４であり混
合気の流量は３００ＳＣ１ｌ：Ｍ、フッ素は５０５ＣＣ
Ｍ、圧力は０．７Ｔｏｒｒとした。また、ＲＦパワーを
６５０Ｗ−基体バイアスを一１１０Ｖ　、磁場の強さは
６００Ｇａｕｓｓとした。

こうして得られた電子写真感光体は正帯電で良好な帯電
性を示した。この感光体を市販の複写機（キャノン製Ｎ
Ｐ７５５Ｇ）を改造した実験装置にとりつけた後、画像
形成を行なったところ初期の良好な・画質が得られ、　
１２０万枚のコビーテ曵ト後も良好な画質が維持された
。

実施例１０ 第３図の装置を用い、極性切換スイッチ６９と７０をＢ
の状態にし、電荷輸送層の成膜条件を以下のように変え
た以外は実施例１と同様の手順により、第１図の構造の
電子写真感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜は、メタンとフッ素を原料とし、流量
はメタン１１００５ＣＣ，フッ素５０ＳＣＣＭ、圧力Ｉ
Ｔｏｒｒ、　ＲＦパワー１５０Ｗ、基体温度２３０℃と
し、成膜中は基体加熱フィラメント４４を８００℃程度
に下げて行なった。電磁コイルには電流は流さず、基体
付近に磁場はかけなかった。この条件で成膜された電荷
輸送層の膜厚は１８μであった。

こうして得られた第１図の構造の電子写真感光体は集電
％ＭＫ％〜実用的に使用し得ることが確認された 実施例１１ 第３図の装置を用い、電荷輸送層の成膜条件を以下のよ
うにする以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を
作成した。

電荷輸送層の成膜はＣ２Ｈ３ＣＩＦ２とフッ素のガスを
使用し、流量はＣ２Ｈ３ＣＩＦ２をＳＯ５ＣＣＭ、フッ
素を５０５１１：ＣＭ、圧力Ｑ、０３Ｔｏｒｒ、　ＲＦ
パワー４５０Ｗ　、基体バイアスＯＶ、基体温度は成膜
開始時に４５０℃、その後成膜中には基体加熱ヒーター
４４の電流を切って行なった。直流バイアス用電源４８
の電圧はＯｖに設定し、極性切換スイッチ６９と７０は
電荷輸送層成膜時にはＡの状態にした。磁場は用いなか
った。

この条件で成膜された電荷輸送層の膜厚は８ＩＡｊであ
った。

こうして得られた電子写真感光体は実用的に使用し得る
ことが確認された。

実施例１２ 第３図の装置を用い、極性切換スイッチ６９と７０をＢ
の状態にし、電荷輸送層の成膜条件を以下のように変え
た以外は実施例１と同様の手順により、第１図の構造の
電子写真感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜は、メタンとフッ素ガスを原料とし、
流量はメタンＩＯ５ＩｃｃＭ、フッ素９０ＳＣＣＭ、圧
力５　Ｔｏｒｒ、　ＲＦパワー２５０Ｗ％基板温度２０
０℃とし、成膜中は基板加熱フィラメント４４を８００
℃程度に下げて行なった。電磁コイルには電流は流さず
、基板付近に磁場はかけなかった。この条件で得られた
電荷輸送層の膜厚は１８μであった。

こうして得られた第１図の構造の電子写真感光体はに使
用し得ることが確認された。

実施例１３ 第３図の装置を用い、電荷輸送層の成膜条件を以下のよ
うにする以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を
作成した。

電荷輸送層の成膜はエチレンとフッ素ガスを使用し、流
量はエチレン５５ＣＣＭ、フッ素１２０ｓｅｃＭ、係 圧力０．０３Ｔｏｒｒ、　ＲＦパワー４５０Ｗ　、基極
バイアスＯｖ、基板温度は成膜開始時に４５０℃、その
後成膜中には基体加熱ヒーター４４の電流を切って行な
った。直流バイアス用電源４８の電圧はＯｖに設定し、
極性切換スイッチ６９と７０は電荷輸送層成膜時にはＡ
の状態にした。磁場は用いなかった。この条件で成膜し
た電荷輸送層の膜厚は８μであった。

こうして得られた電子写真感光体は実用的に使用し得る
ことが確認された。

〔発明の効果〕

以上に説明したように、本発明によってもたれされる効
果としては下記に列挙するようなものを挙げることがで
きる。

ｌ）高い帯電能を持ち、少ない帯電電流・と少ない露光
エネルギー量で画像形成可能な電子写真感光体を提供す
る事が可能となった。

２）高速画像形成が可能な電子写真感光体を提供するこ
とが可能となった。

３）濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度
の高い、高品質な画像を得る事が容易に出来る電子写真
感光体を提供する事が可能となった。

４）温度、湿度等の使用環境の変動に対して安定な画像
を維持する事が可能な電子写真感光体を提供する事が可
能となった。

５）繰り返し使用の際のコロナ放電生成物や紙粉などの
付着の影響が少なく、また表面に傷がつがず長期間継続
的に安定な画像を維持しながら使用可能な電子写真感光
体を提供する事が可能となった。

６）感光層の化学変化や劣化あるいは結晶化等の変質が
おこらず、長期間の悪環境下での保管に耐えて保管前と
変わらない良好な画質を再現する事が可能な電子写真感
光体を提供する事が可能となった。

７）製造工程の途中やオフィス等での取扱いの際に人体
に触れても全く害がなく、また現像剤中に感光層の一部
が削れて混入し、それがコピー上のトナー画像に含まれ
て人体に接触したりしても全く安全で、必要ならば使用
終了後に一部ゴミと一緒に廃棄する事も安全上全く問題
なく、一般家庭で使用する際にも特別の注意なしに安全
に使用可能で、火災などの非常時に他のものと一緒に燃
えてしまっても存毒な気体を放出しない、従ってあらゆ
る点で全く安全な電子写真感光体を提供する事が可能と
なった。

８）製造時に有害な原料を使用せず、又は従来に較べて
必要な有害原料の使用量が極端に少なくても製造可能で
、このため製造設備に取り付ける必要のある有害物除害
装置やその他の製造上の安全対策に要するコストを著し
く削減出来る電子写真感光体を提供する事が可能となっ
た。

９）製造用の原料として人手し易く、安価な原料を使用
する事の出来る低コストな電子写真感光体を提供する事
が可能となった。

１０）不均一材料の混合や分散あるいは粒度分布制御な
どといった複雑な工程を取る事なく、また塗布液の調液
や塗布中の粘度制御あるいは多層構造の際に起きる層間
汚染や溶剤排気の処理などを必要としない簡略化された
工程で製造でき、またメンテナンスの容易な製造装置を
用いて製造出来る電子写真感光体を提供する事が可能と
なった。

ＩＩ）製造時の微粉未形成や製造容器内に付着した膜の
はがれによる微粒子の発生がなく、長時間安定して欠陥
のない均一な感光層を得る事の出来る電子写真感光体を
提供する事が可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の電子写真感光体の実施形態
の例を示す模式的構成断面図、第３図、第４図及び第５
図は本発明の電子写真感光体の製造に用いることのでき
る装置の一例を示す模式的概略図である＝ １４、２４は支持体、１３．２３は電荷輸送層、１２．
２２は電荷発生層、１１は表面層、２１は電荷注入阻止
層、５２．７１は成膜を行なう真空槽、４７は高周波電
源、１０７はマイクロ波電源、４５．４６は電極、、　
１００は基板ホルダー、４３及び１０６は電磁コイルで
ある。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に電荷発生層と電荷輸送層とを積層した
   感光層を有する電子写真感光体の製造方法であって、前
   記電荷輸送層を、水素原子を含む炭素化合物と脱水素剤
   との組合せを主原料とした炭素を主体とする膜として形
   成する工程を有する事を特徴とする電子写真感光体の製
   造方法。
2. （２）前記炭素を主体とする膜が、水素、窒素及び酸素
   から成る群から選ばれる少なくとも１つ以上の原子を含
   む事を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写
   真感光体の製造方法。
3. （３）前記炭素を主体とする膜が周期律表第III族に属
   する原子を５原子％以下の濃度で含有する特許請求の範
   囲第１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
4. （４）前記炭素を主体とする膜が周期律表第Ｖ族に属す
   る原子を５原子％以下の濃度で含有する特許請求の範囲
   第１項に記載の電子写真感光体の製造方法。