JPS6381363A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電子写真装置に用いられる電子写真感光体に関
する。

（従来の技術） 従来、電子写真感光体の光導電層は、＾−５ｅ（非晶質
セレン）　、　ＣｄＳ、　　ＺｎＯ，＾−５ｉ（非晶質
シリコン）等の無機光導電材料で構成したり、ボリルＮ
−ビニルカルバゾール（ｐｖｇ）とトリニトロフルオレ
ノン（ＴＮＦ）の電荷移動鎖体、トリフェニルメタン話
導体とチアピリリウム塩をポリカーボネート中に含む系
、ジスアゾ顔料やフタロシアニン顔料などの有機顔料系
の材料等を含む電荷発生層とヒドラゾン誘導体やトリフ
ェニルアミン誘導体などの電子供与性分子を有機ポリマ
ー中に含む電荷輸送層との積層構造としたりするのが一
般的である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、これらの光導電材料を使用する電子写真
感光体においては、未だ種々の解決されるべき点がある
。

例えばＡ−５ｅを光導電層形成材料とする電子写真感光
体は、Ｓｅ単独ではその分光感度領域が可視域の短波長
側に偏っているので応用範囲が限られてしまう。そこで
Ｔｅや＾Ｓを添加して分光感度領域を拡げることが試み
られている。しかしこの様なＴｅやＡｓを含むＳｅ系の
光導電層を有する電子写真感光体は、その分光感度領域
は改良されるものの、光疲労の増大、高温環境での帯電
性低下、あるいは低温環境での残留電位上昇などがあり
、画質の低下や繰り返し使用時の安定性が失なわれてし
まう等の問題点があった。しかもＳｅ、Ａｓ、　Ｔｅ、
特に八ｓやＴａは人体に対し極めて有害な物質であるの
で製造時に於て人体への接触がない様な製造装置を使用
する工夫が必要であった。また、光導電層の硬度が低く
クリーニングの確実性と装置の小型化に優れたブレード
クリーニングを通用すると光導電層表面が露出している
と、光導電層表面がじかに摺擦されることによフて、そ
の一部が削り取られて現像剤中に混入したり、あるいは
複写機内に飛散したり、複写画像中に混入したりして人
体に接触する原因を与える結果を生じる。また、Ｓｅは
結晶化温度が低いので、少しの加熱や光照射などで容易
に結晶化を起こし、これが原因で帯電性の低下を引き起
こすことがあった。

一方、ＺｎＯ，ＣｄＳ等を光導電層構成材料として使用
する電子写真感光体は、一般的にはその光導電層がＺｎ
ＯやＣｄＳ等の光導電材料粒子を適当な樹脂結着材中に
均一に分散して形成されている。

しかしながら、ＺｎＯを使用する場合には可視光に感度
を持たせるために有機顔料を添加するなどの分光増感が
必要になる、あるいは繰り返し使用により感度が低下し
ていくという欠点があるため余り多数回の繰り返し使用
はできなかった。又、ＣｄＳはＺｎＯと違って人体に影
響がある為に３ＣｄＳを使用する場合には製造時及び使
用時に於て人体に接触したり或いは周囲環境に飛散した
りすることのない様にする必要があった。更に、バイン
ダー系光導電層は、光導電材料粒子が樹脂結着材中に均
一に分散されなければならないという特殊性の為に、光
導電層の電気的及び光導電的特性や物理的化学的特性を
決定するパラメータが多く、かかるパラメータを厳密に
調整しなければ所望の特性を有する光導電層を再現性良
く形成する事が出来ず、そのため歩留りの低下を招き量
産性に欠けるという欠点がありだ。加えて又、バインダ
ー系光導電層は分散系という特殊性故に店全体がポーラ
スになっており、湿度依存性が著しく、多湿雰囲気中で
使用すると電気的特性の劣化を来たし高品質の複写画像
を得られなくなる場合が少なくないなどの問題もあった
。

又、これとは別にｐｖに／ＴＮ　Ｆ電荷移動鎖体、有機
顔料、電子供与性分子あるいは有機ポリマー等の有機材
料を用いる電子写真感光体は、耐コロナイオン性が低い
ため使用中に特性が劣化する、トナーと同様に有機ポリ
マーを使うためクリーニング性に問題が生じ易い、機械
強度が弱いため表面が傷つき易い等の問題があり、長期
間にわたって高画質を維持しながら使用するのが困難な
ことが多かった。また、比較的自由な分子設計が可能で
あるといっても、実際には例えば電荷輸送層の場合、電
子供与性分子とバインダーポリマーとの相溶性不良など
のために使用出来るバインダーポリマーにかなり制約が
出るなどの問題があった。また、これら有機光導電材料
の中でも広く利用されている電子吸引性分子や電子供与
性分子などには人体に害を及ぼすものも多く、発癌性を
有するものも多々あるので、これらの面からの制約も実
際の材料選択の際に大きな障害となることが多かった。

（発明の目的〕 本発明者等は上記従来例の電子写真感光体の様々な欠点
を除去した電子写真感光体を得る為に鋭意研究の結果、
炭素を主体とする膜で機能分離型の電子写真感光体の電
荷移動層を形成することにより電子写真感光体としての
優れた特性が得られることを見い出し本発明を完成した
。

すなわち、本発明の目的は高い帯電能を持ち、少ない帯
電電流と少ない露光エネルギー量で画像形成可能な電子
写真感光体を提供する事にある。

また、本発明の他の目的は、高速画像形成が可能な電子
写真感光体を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質な画像を得る事が
容易に出来る電子写真感光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は温度、湿度等の使用環境の変
動に対して安定な画像を維持する事が可能な電子写真感
光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は繰り返し使用の際のコロナ放
電生成物や紙粉などの付着の影響が少なく、また表面に
傷がつかず長期間維続的に安定な画像を維持しながら使
用可能な電子写真感光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は、感光層の化学変化や劣化あ
るいは結晶化等の変質がおこらず、長期間の悪環境下で
の保管に耐えて保管前と変わらない良好な画質を再現す
る事が可能な電子写真感光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は、製造工程の途中やオフィス
等での取扱いの際に人体に触れても全く害がなく、また
現像剤中に感光層の一部が削れて混入し、それがコピー
上のトナー画像に含まれて人体に接触したりしても全く
安全で、必要ならば使用終了後に一部ゴミと一緒に廃棄
する事も安全上全く問題なく、一般家庭で使用する際に
も特別の注意なしに安全に使用可能で、火災などの非常
時に他のものと一緒に燃えてしまっても有毒な気体を放
出しない、従ってあらゆる点で全く安全な電子写真感光
体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は、製造時に有害な原料を使用
せず、又は従来に較べて必要な有害原料の使用量が極端
に少なくても製造可能で、このため製造設備に取り付け
る必要のある有害物除害装　　　′置やその他の製造上
の安全対策に要するコストを著しく削減出来る電子写真
感光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的社製運用の原料として入手し易
く、安価な原料を使用する事の出来る低コストな電子写
真感光体を提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は不均一材料の混合や分散ある
いは粒度分布制御などといった複雑な工程を取る事なく
、また塗布液の調液や塗布中の粘度制御あるいは多層構
造の際に起きる層間汚染や溶剤排気の処理などを必要と
しない簡略化された工程で製造でき、またメンテナンス
の容易な製造装置を用いて製造出来る電子写真感光体を
提供する事にある。

本発明のさらに他の目的は製造時の微粉未形成や製造容
器内に付着した膜のはがれによる微粒子の発生がなく、
長時間安定して欠陥のない均一な感光層を得る事の出来
る電子写真感光体を提供する事にある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の上記目的は、支持体上に電荷発生層と電荷輸送
層とを積層した感光層を有する電子写真感光体であって
、前記電荷輸送層が構造式Ｘ３Ｃ−ＣＸ３　　（但し、
Ｘはハロゲン原子）で示される化合物を主原料とした炭
素を主体とする膜として形成する工程を有する事を特徴
とする電子写真感光体の製造方法により達成される。

本発明における炭素を主体とする膜とは、例えばポリエ
チレンの様な炭化水素系の高絶縁性直鎮有機ポリマーや
、炭素原子からなる黒鉛の真空蒸着膜の様な低抵抗のグ
ラファイト多結晶膜の如きものとは、その特性が大きく
異なるものである。

本発明の目的は、この様な従来の炭素膜では達成されな
い。その理由は、水素を多量に含む上記ポリエチレンの
様な有機ポリマーを電荷輸送層に使用した場合には、帯
電能を向上することはできたとしても、可視域や近赤外
域の光に対する感度がほとんど得られないためである。

また、上記グラファイト多結晶膜のようなものでは、帯
電能が低下して実用的な電子写真感光体が得られないた
めである。

本発明における炭素を主体とする膜は単結晶。

多結晶、非晶質あるいはこれらの相の混合した相のいず
れの形態をとっても良いが、好ましくは少なくともその
電気伝導度σ。が１０−＋１Ω−１ｃｍ＝１以下であっ
て、しかも膜中に含まれる水素濃度が４０ｉ子％以下、
さらにその光学的バンドギャップＥｇが１．５ｅＶ以上
であることが望ましい。

本発明は上記のような物性範囲の炭素を主体とする膜が
、高絶縁性でありながらその層中に電荷が注入されると
注入された電荷が電場により輸送されるという現象を見
い出したことに基づいており、かかる炭素を主体とする
　は従来の製造条件では製造できない。一般に、電子写
真感光体における電荷の伝導形態はＪ＆膜条件にかなり
大きく依存し、きれいなバンド伝導を起こせる成膜条件
は必ずしも広くなく、分散型の性格の強い過渡電流波形
が得られる場合も多く、このことは本発明においても同
様であるが、本発明における炭素を主体とする膜は、こ
のような状態にあっても電子写真感光体として充分に使
用可能なものである。

ところで、過去においてＡ−Ｓ　ｉや＾−Ｇｅを主体と
してこれに炭素を加えた層を電子写真感光体の構成層に
１つとして利用した例としては、特開昭５４−５５４：
１９、特開昭５５−４０４０、特開昭５５−４９３０４
、特開昭５６−１２１０４１、特開昭６０−２６３４５
、特開昭６１−９４０４８、特開昭６１−９４０４９、
特開昭６１−１０５５５１などがある。しかしこれらは
八−５ｉ又は八−Ｇｅから得られる機能を維持させつつ
、炭素の添加によりその膜特性を改良したのものであり
、炭素を主体とすることによって得られる機能を利用し
たものではない。すなわち、第１に本発明の炭素を主体
とする膜（以後、「炭素質膜」と表記する）には、上記
ＳｉやＧｅは含ませないか、もしくは含ませたとしても
なるべく少なくする。さらに上記の諸提案で成膜に使わ
れている成膜条件は＾−５ｉやＡ−Ｇｅ層の形成の際に
適用されているものであって、その様な条件では本発明
の目的を達成する膜は出来ない。

本発明における炭素質膜は、例えば炭素化合物と水素分
子とを原料とする気相成膜法により、先に述べたような
特定の性状や特性を有する炭素を主体とする膜を構成で
きるような条件、具体的には後述の実施例に記載された
ような成膜条件を設定して形成する。この条件の設定は
、本発明者によって初めてなされたものである。成膜の
メカニズムについては必ずしも定かではないが、原料ガ
スの放電や原料ガスの加熱などによって原料気体分子に
エネルギーを与えたり、成膜中の基板を加速電子でたた
いたり、成膜途中で生じるイオンを電場で加速したり、
プラズマ生成領域に磁場印加したりする事が本発明に言
うところの炭素質膜を得る上で有効である。

本発明における炭素を主体とする膜は、構造式ｘ３ｃｍ
ｃｘ３　　（但し、Ｘはハロゲン原子）で示される化合
物を主原料とする気相成膜法により作成する。ここでＸ
はハロゲン原子であればよく、同一のハロゲン原子であ
る必要はない、気相成膜法としては種々のものが使用可
能である。原料気体の放電により生成するプラズマ、原
料気体の熱分−解及び原料気体への光照射等により原料
気体中の分子にエネルギーを付与すると基板上に膜形成
する事ができる。

今のところ成膜のメカニズムについては余り詳しくは分
らないが、現象としては構造式Ｘ３ＣニーＣＸ３（但し
、Ｘはハロゲン原子）で示される化合物を主原料とする
と、得られる炭素膜中に含まれる炭素−炭素の結合の種
類が限定される傾向が見られる。

構造式ｘ３ｃｍｃｘ３（但し、Ｘはハロゲン原子）で示
される化合物を主原料とし、同一成膜装置で種々の励起
法を検討した結果、反応の詳細は不明であるが化合物Ｆ
３Ｃ−ＣＦ３のＣ−Ｃ間詰合解離に必要なエネルギー約
４６０ｋＪ／ｍｏｌに相当するエネルギーを照射したと
きには、得られた炭素膜中に存在するＣ−Ｃの二重結合
の存在量が低減する傾向が見られた。また、化合物Ｆ３
Ｃ−ＣＦ３を用いてプラズマ励起したときにも、得られ
た炭素膜中に存在するＣ−Ｃの二重結合の存在量が低減
する傾向が見られた。

このことは、化合物Ｆ２Ｃ−にＦ２のＣ−Ｃ間詰合解離
エネルギーが約２７２ｋＪ／ｍｏｌである事から炭素Ｊ
ＩＱの生成過程で生じたかもしれないＣ−Ｃ結合が再び
解離してしまう為と推定される。

尚、ここで述べたＣ−Ｃの二重結合の存在量は／ｌ′４ ＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光法）を用い・ｃ８（
３０００〜３１００ｃｍ−’　）と　”；ｔ／Ｘ（２８
００〜３０００ｃ＋ａ−’　）の各吸収ピークの強度で
判断することができる。

第１図及び第２図に本発明の電子写真感光体の最も代表
的な構成例を示す。これら図において、符号１３及び２
３で示すものが本発明でいう炭素質膜で構成された電荷
輸送層である。　１２及び２２は電荷発生層、１４及び
２４は支持体、１１は表面層、２１は電荷注入阻止層で
ある。

電荷輸送層１３及び２３は、水素原子を多量に含むこと
は好ましくなく、水素原子の含有量としては４０原子％
以下、望ましくは３０原子％以下であることが好ましい
、多すぎる水素原子量は光感度低下、残留電位上昇ある
いは表面の傷のつき易さの原因になるからである。しか
し水素原子の膜中への構造的含有は、帯電性の向上や残
留電位の低減に効果があるので、好ましくはその下限を
０．Ｏ１１原子とするのが望ましい。

また、上記水素のみならず、電荷輸送層を構成する炭素
質膜には、フッ素や塩素などのハロゲン原子（×）や窒
素原子も含有してよく、これら原子の場合も上記水素と
同様の効果がある。更に、酸素原子の含有も帯電性の向
上に効果的である。また、電荷輸送層１３及び２３はそ
の電気伝導度が大きすぎると、帯電性の低下や画像のぼ
けを生ずる場合があるので、ｌＯ七〇−”　ｃｍ″３以
下であることが好ましい、さらに電荷輸送層１３及び２
３の光学的バンドギャップＥｇ　　は１．５ｅＶ以上、
望ましくは２．ＯｅＶ以上であることが好ましい、特に
第２図の構成の場合には光学的バンドギャップは２．５
ｅＶ以上ある事が望ましい。

電荷輸送層１３及び２３を構成する炭素質膜は非晶質で
あっても良いし、結晶相を含むものであっても良い。殊
にラマンスペクトルの１３３３ｃｍ−’を含む領域のス
トークス線で特徴づけられる構造を少なくとも部分的に
含む事が望ましい、電荷輸送層を構成する炭素質膜が完
全なダイヤモンド構造を多量に含むダイヤモンド多結晶
に近い膜であれば、電子写真感光体の帯電性及び感度、
表面硬度、耐久性等を向上させる傾向があるが、残留電
位はやや高めになる場合が多い。また、炭素質膜は成膜
条件によっては着色することがあるが、得られる膜が非
晶質もしくは結晶性のいかんにかかわらず、例えば成膜
時の水素又はハロゲンの流量比を高める事により着色を
減じる事が出来る。

電荷輸送層１３及び２３を構成する炭素を主体とする膜
は半導体的不純物として、周期律表第■族又は第Ｖ族に
属する原子によるドーピングを行ない、その特性を改善
する事が出来る。このような第ｍ族又は第Ｖ族の原子の
ドーピングは、本発明の電子写真感光体を正帯電又は負
帯電で使用する際の帯電性を高め、感度を向上させ、残
留電位を下げる効果がある。これは、これら原子のドー
ピングにより電荷輸送層１３及び２３の電荷キャリアの
濃度が変化するか、又は電荷キャリアーの輸送性が変化
するためと考えられる。この変化は比較的おだやかであ
るので、その制御は容易である。これら原子の添加量は
好ましくは５　ｐｐｍ以上５原子％以下の範囲、より有
効な範囲としては５０ｐｐｍ以上１原子％以下であるの
が望ましい。これらのより詳しい条件は実施例中で述べ
る。第ｍ族の属する原子としてはＢ、＾１．　Ｇａ、　
Ｉｎ、　ＴＩ等が挙げられる。第Ｖ族の原子としてはＮ
、　　Ｐ、　Ａｓ、　Ｓｂ、　Ｂｉ等が挙げられる。製
造安定性、コスト、効果の大きさなどからはＮ、　　Ｐ
、　　Ｂ、　ＡＩなどが特に望ましい。

電荷輸送層１３及び２３の膜厚は使用条件等により適宜
選択することがきでるが、好ましくは１μ以上１００μ
以下の間にあることが望ましい、これは、１ｕ以下では
通常の現像方法では満足出来る目視画像濃度が得られな
い場合があり、他方１００μ以上で辻残留電位が大きす
ぎたり、成膜に要する時間がかかり過ぎる場合があった
り、支持体との密着性等に問題を生じる場合があるため
である。前記層厚のより好ましい範囲は、５μ以上５０
μ以下である。この範囲では使用条件がゆるやかになっ
て使い易いばかりか、従来の感光体に比して膜厚が薄く
ても画像濃度が高くなる傾向があるので、製造コスト低
減にと７て有利である。

本発明による電子写真感光体における電荷発生層１２及
び２２は、光導電性を有するものであれば従来公知のい
かなる構成のものでもよい。例えばプラズマＣＶＤによ
り成膜した＾−Ｓ　ｉ　：　Ｉｆを主体とする０、５〜
２０Ｑ程度の膜厚のものや、これに更にＧｅやＣ等を含
有させたものを挙げることができる。本発明ではこのよ
うな電荷発生層からの電荷輸送層への電荷注入を良好に
行なう事が出来る。

本発明による電子写真感光体では、電荷輸送層として下
記実施例にて作成された電荷輸送能力に優れ、且つ電気
抵抗（電気伝導度の逆数）の高い炭素を主体とする膜を
用いているため、電荷発生層１２．２２を従来の電子写
真感光体におけるよりも低抵抗のものとすることができ
る。具体的には例えば、電気伝導度の値として１０−１
６ΩＣ１ｌ！程度以下であってもよい。従って、光導電
性が大きくても低抵抗であるために利用困難であった材
料でも使用する事が可能になり、極めて高い感度が得ら
れるものである。

本発明による電子写真感光体の支持体１４及び２４は支
持体としての機械的強度が満されれば絶縁体であっても
導電体であっても良いが、くり返し使用する場合には少
なくとも支持体１４及び２４の感光層と接する側が導電
性処理されていることが望ましい。導電性支持体として
は＾ｌ、　Ｆｅ、　Ｎｉ、ステンレス、Ｓｎ、　Ｚｎ、
　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｔｉ、　Ｔａ、　Ｗ、へＵ、へｇ、
　ｐｔ等の金属やＳｉ、　Ｇｅ、グラファイトなどが使
用可能である。感光層の接着性等の改良その他の目的で
導電性支持体の表面に支持体金属とは別の導電性の物質
をコーティングしても良い。絶縁性支持体としてはポリ
エステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリスチ
レン、ポリアミド、ＰＥ等の有機ポリマーの他、ガラス
、セラミックスなどの無機材料も使用出来る。支持体の
大きさ及び形状は本発明の電子写真感光体の使用用途に
より自由に選択する事が出来、手の平に乗る様な小さな
カー　　　　　□ド状のものや円筒型あるいはベルト状
のものなどどれも使用可能である。

第１図の電子写真感光体の場合には、通常、表面層１１
を設ける事が望ましい。特に電荷発生層１１を＾−３ｉ
：Ｈとした場合には、高湿環境下での画像劣化防止の向
上やコロナ放電生成物の影響による画質低下防止の向上
をはかるために表面層１１を設けることが望ましい。表
面層ＩＩは可視光領域においである程度透明で電気伝導
度が低ければ色々な材料が使用可能である。例えばプラ
ズマＣＶＤなどで形成すｈ　タへ−５ｉ（：　（Ｈ、Ｘ
）、Ａ−５ｉＮ（Ｉｔ、Ｘ）などの膜でも良い。また電
荷輸送層１３や２３に使用出来る炭素を主体とする層で
あっても良いが、その場合は光学的バンドギャップが、
望ましくは２．ＯｅＶ又はそれ以上であることが好まし
い。電気伝導度や水素の含有量は表面層に要求される特
性を満足するのであれば特に限定されない。また、表面
層Ｉ＋にはＣやＳｉの他にフッ素や塩素等のハロゲン原
子や水素を含んでいても良い。このハロゲン原子は表面
層の自由表面近くにのみ含有されるか、又はその表面か
ら内部方向に向かって濃度勾配を持っていても良い。

第２図の電子写真感光体の場合には電荷注入阻止層２１
を、電荷発生層２２と支持体２４との間に設ける事が望
ましい。これにより帯電能の一層の向上や画質欠陥の発
生をより一層防止が出来る。電荷注入阻止層２１として
はプラズマＣｖＤなどで成膜された不純物でドーピング
されたａ−５ｉなどが使用可型にドーピングしておくこ
とが好ましい。ｐ型にする場合にはＢ、　Ａｌのような
第ｍ族原子が、ｎ型にする場合にはＮ、　Ｐ、　Ａｓの
ような第■族原子がドーピング材として適当である。

本発明による電子写真感光体の電荷輸送層１３及び２３
は、後述するような気相成膜法を用い、具体的には実施
例に示した条件で炭素化合物を含む気体を放電エネルギ
ーや熱エネルギーあるいは光エネルギーを利用しての励
起、イオン化あるいは分解する等により得る。この成膜
の際、基板を加速電子でたたいたり、途中で生じるイオ
ンを電場で加速したり、プラズマ生成領域に磁場を印加
したりすることにより本発明の炭素質膜を得ることがで
きる。もちろん、炭素化合物の気体を全く用いず、炭素
又は炭素化合物を主体とする固体をターゲットとするス
パッタリングを利用する事もある特定の成膜条件下では
可能である。

成膜のメカニズムの詳細は定かではないが、炭素イオン
又は炭素化合物のイオンあるいは炭素化合物のラジカル
生成と、水素を用いる場合には水素の供給量が本発明の
適用される良質の炭素質膜を得る上で重要である。水素
を用いる場合には成膜前の励起過程で少なくとも部分的
にラジカル化又はイオン化させておくとよい。さらに、
基体にバイアス電圧をかけて成膜面をイオン衝撃するか
、又は基体方向へ電子を加速して成膜面付近で炭素化合
物を電子で励起するのも有効である。この場合の電子の
供給は、プラズマによる他、加熱したフィラメントを利
用しても良い、また、基体に直接外部電源によりバイア
ス電圧を印加しない場合であっても、例えばＲＦプラズ
マＣｖＤを実施する場合におけるように基体を接地させ
ず、この基体側に高周波印加する事によって生じる自己
バイアスを利用することが望ましい。基体温度も重要な
パラメータであって、４５０℃以上に設定する事が好ま
しい。

第３図に本発明の電子写真感光体の製造に好適な成膜装
置の一例を示す。この第３図において、符号２６．２７
．２８．２９．３０．３１．３２．３３．３４．６２゜
６３、６６、６７で示すものは、成膜に使用するガスの
コントロールに用いるバルブである。３９．４０゜４１
、４２．６０は原料ガス、エツチングガス、キャリアー
ガスあるいはドーピング用ガス等の所望のガスを保持す
るガスボンベ、６１は液体材料を気化させる装置で必要
に応じ水素ガスやアルゴンガスを一緒に流す事が出来る
様になっている。３５．３Ｂ。

３７、３Ｂ、　６４．６５はマスフローコントローラー
である。５２は真空槽で主バルブ２５を介して真空排気
ポンプへ通じている。真空ｍ５２は全体を水冷出来る様
にしである。４５及び４６は電極で、直流又は交流の電
圧を印加できるようになっている。電極４６の表面には
必要に応じてスパッタリング用ターゲットを置くことが
できる。５４．６８はガード電極で、真空槽５２と同様
にアースされており、不要な場合は取り外せるようにな
っている。５３は基体で、この表面に感光層を成膜する
。４４は基体加熱ヒーターで、高さを調節することが出
来、タングステン、タンタル等のワイヤー、うず巻線又
はメツシュ等の種々の形状のものを必要に応じて使用し
、加熱の際には通常は５０Ｈｚの交流電力を印加する。

４３は真空槽５２のまわりに巻いたコイルで、必要に応
じて直流を流して磁場を発生させる。４７は１３．５６
ＭＨｚの高周波電源で負荷インピーダンスに応じてマツ
チングを取れる様にしである。４Ｂは直流電源、５０お
よび５１はキャパシター、４９はインダクタンスコイル
である。６９．７０は電極４５および４６の高周波印加
側を上下に入れ換えるための切り換え回路である。

第４図は本発明の電子写真感光体の製造に好適な成膜装
置の他の一例である。この第４図において、符号７９．
８０．８１．８２．８３．８４．８５．８６．８７゜８
８、８９．９０，９１．９２で示すものは、成膜に使用
するガスのコントロールに用いるバルブである。バルブ
８６と８５を使いわける事によりガス導入場所を選択出
来るようになっている。７２．７３．７４．７５゜７６
は原料ガス、エッチグガス、キャリアーガス、あるいは
ドーピング用ガス等の所望のガスを保持するガスボンベ
、７８は液体材料を気化させる装置で必要に応じ水素ガ
スやアルゴンガスを一緒に流す事が出来る様になってい
る。９３．９４．９５．９６゜９７、９８はマスフロー
コントローラーである。７１は真空槽で主バルブ＋０４
を介して真空排気ポンプへ通じている。　１０７はマイ
クロ波電源、１０９はマイクロ波の導波管である。１０
Ｂはインピーダンスのマツチングを取るためのチューナ
ーである。■０はマイクロ波投入口の窓ガラスで１石英
板もしくはその他のマイクロ波を吸収しにくい材料で出
来ている。９９は仕切り板で、その設置位置を変化させ
る事が出来るようになっており、この仕切板９９の位置
を調整することにより真空Ｎ！Ｉ７１内へ入射したマイ
クロ波を反射して、その位置により共振を起こさせ、効
率よくマイクロ波が原料ガス等へ吸収される様にする事
が出来るようになっている。

１０６は電磁コイルで直流印加により静磁場を発生させ
る事が出来る。　１００は基体ホルダーで基体１０３を
支えている。基体１０３は基体ヒーター＋０１及び＋０
２により基体を加熱する事が出来るようになっている。

基体ホルダー１００はアースから絶縁されており、直流
電源１０５で電圧印加する事が出来る。１０８はガード
電極である。

本発明において炭素膜作成に用いる構造式ｘ３ｃｍｃｘ
３（但し、Ｘはハロゲン原子）なる炭素化合物としては
３Ｃ，Ｈ６，１１４ＣＩ＆、　Ｃ２Ｉ　６、Ｃ２Ｂｒ６
．１１４ＧＩＦ５３Ｃ２ＢｒＦ５、　Ｃ２１Ｆｓ％Ｃ，
Ｃｌ２Ｆ、、Ｃ２Ｂｒ２Ｆ２等を挙げることができる。

これらのうち、使用温度で液体であるものは水素、アル
ゴン、窒素、その他のキャリアーガスを用いたバブリン
グ等により反応室内に運ぶか、または加熱により気化し
て利用する方法がとれる。

上記のような構造式ＸａＣ−ＣＸ３　　（但し、Ｘはハ
ロゲン原子）で表わされる炭素化合物の分子とともに水
素、アンモニア、窒素等を反応室内に導入してもよい。

また、周期律表第■族又は第Ｖ族の原子をドーピングす
る場合には、　　ＢＨ３、８２Ｈ６、ＰＨ３、ＡｓＨ３
、Ｎ）１３の様な水素化物などやＡｌ（ＣＨ３）３．　
Ｇａ（ＣＨ３）３などの気体を同時に送り込んで成膜を
行なうと良い。

〔実施例〕

以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。

実施例１ 第３図の装置を用い、第１図に例示の電子写真感光体を
以下のようにして作成した。

まず、電気伝導度が約１Ｏ−２０−１０１１の円板型の
ｎｆｉシリコンウェハーを基体５３として用い、フッ酸
の希釈水溶液で基体表面の酸化膜を除去した後、この基
体を上部電極４５に固定した０次に真空槽５２を密閉し
、真空排気系により約２Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒまで減圧
した０次に基体の円形形状に合せてうず巻き状にまいた
タングステンワイアー４４に５０Ｈｚの交流電力を印加
して、このワイヤー４４を約２５００℃　　　　′まで
加熱して得られる輻射熱により、上記シリコン基板を加
熱した。シリコン基体の裏側が４５０℃になるまで待っ
た後に、ワイヤー４４を約２０００℃まで下げて基体温
度を約４５０℃に安定させた。

次に電磁コイル４３に直流電力を流して真空槽５２の上
部容器表面での磁場が８０００ａｕｓｓになる様に電流
の大きさを制御した。さらに切り換え回路６９、Ｔｏを
Ａの位置にセットし、直流型１ｉ［４８を基体側が一３
００ｖになる様に合せた。そしてマスフローコントロー
ラー３７　、３８を最もしぼった状態でＣＨ４のボンベ
４１のバルブ２８及び３３．　Ｈ２の４２のバルブ２８
及び３４を開いた。そして、各々のガスの流量が１００
　ＳＣＣＭ及び５５ＣＣＨとなる様にマスフローコント
ローラ３７及び３８をセットした。このときの圧力は０
．００２　Ｔｏｒｒであった。

次に電源４７をＯＮにして放電を始め、投入パワーを３
５０Ｗに合せた。全体が安定状態に達してから４８時間
後に放電電源４７と４８をＯＦＦにし、バルブ２８．２
９を閉じて放電を停止した。こうして炭素を主体とする
約８１Ｌの電荷輸送層を得た。

次に、基体加熱フィラメント４４の電流を弱くしてその
まま放置し、基体温度が測定値で２５０℃まで下がるの
を待ってから極性切換スイッチ８９と７０をＢの状態に
した９次に５ｉ）１．のボンベ６ｏのバルブ６２と６６
及びＨ２のボンベ４２のバルブ２８及び３４を開き、　
ＳｉＨ４がｌ０ＳＣＧ）Ｉ　、　Ｈ２がθＯＳＣＣＭと
なる様にマスフローコントローラーＢ４と３８を調節し
た。そして高周波電源４７をＯＮにし、約１川の厚さの
Ａ−５ｉ：Ｈからなる前記の電荷発生層を電荷輸送層上
に積層した。

これに続いて３Ｃ２Ｈ２のボンベ４０のバルブ２７及び
３２を開き、マスフローメータ３６を使ってアセチレン
をＳｉＨ４とＨ２に加えて行き、Ａ−Ｓｉ；Ｈからなる
電荷発生層上に約１００ＯＡのＡ−５ｉＣ：Ｈからなる
表面層を積層した。

すべての成膜が終った後、バルブ２７．２Ｂ、２９゜３
２　、３３　、３４　、３０を閉じ、加熱フィラメント
４４の電流を切って基体が充分に冷却した後、真空を破
って前述の各層を形成した基板を真空槽５２から取り出
した。こうして第１図の構造の電子写真感光体が得られ
た。

こうして得られた電子写真感光体を実験用の電子写真複
写装置にセットして、電子写真特性を測定したところ、
良好な帯電性と光感度を示した。

続いて負帯電し像露光して、トナー現像したところ高品
質な画像が得られた。

実施例２ 電荷輸送層の作成条件を以下のように変更する以外は、
実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。

基体バイアスは一１００Ｖで、基体温度を４５０℃とし
た。原料ガスとしてＣ２Ｃｌ３ＦとＩ２を用い、ＣＨＣ
ｌＦ２を　ＩＯＪＣＣＭ　、　Ｉ２を１１００５ＣＣで
真空槽５２の中へ送り込んだ、フィラメント温度は２４
００℃とし。

ＲＦパワーは３００Ｗとした。コイル４３に電流を流し
、磁場８００Ｇａｍｍｓで成膜を行なった。成膜時の圧
力は１０Ｔｏｒｒとした。

このようにして得られた電子写真感光体を実施例１の場
合と同様に電子写真特性を測定したところ、高い帯電能
と感度を示し、負帯電してトナー像露光し、現像したと
ころ良好な画像が得られた。

電荷輸送層だけを上記の全く同一の条件でＳｉ基体上に
形成したものを分析したところ、膜中には酸素が含まれ
ており、また赤外吸収スペクトルにより水素の含有も確
認された。

実施例３ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜はＣ２Ｆ＆と水素とアンモニアの混合
ガスを用い、流量はＣ２Ｆ＆をｌ０９ＣＣＩＩＩ　、水
素を８７３ＣＣＮ　、アンモニアを３９ＣＣ）Ｉとした
。圧力は０．００２？ｏｒｒ　、　’ＲＦパワー３５０
Ｗ　、基板バイアス−２３０Ｖ、基板温度５５０℃で磁
場は８０００ａｕｓｓとした。なお、窒素が膜中に含ま
れていることが確認された。

他方、得られた電子写真感光体を実施例１と同様に実験
用複写装置にセットして電子写真特性を測定したところ
、良好な帯電性と感度を糸した。　　　　“又、別に正
帯電で像露光してトナー現像したところ明瞭な画像が得
られた。

実施例４ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。

。電荷輸送層の成膜にはＣ２Ｆ、と水素とフッ化水る希
釈ガスを３９ＣＣＭ、　ＲＦパワー４５０Ｗ、基体バイ
アスＯＶ、基体温度２５０℃、圧力Ｏｍ　０Ｈｏｒｒと
しの場合と同様に良好な帯電性を示し、正帯電で良好な
画質のトナー画像が得られた。

実施例５ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。

を９５３ＣＣＭとした。そして、これに水素で１■ｏ１
％まで希釈したジボランを０．５！９０ＣＮの割合で流
し込んだ、圧力は０．０８Ｔｏｒｒ、基板温度３５０℃
、ＲＦパワー２５０Ｗ、基板バイアス−ｔｏｏｖで成膜
を行なった。

できあがった電子写真感光体は実施例１と同様に良好な
帯電性を示し、正帯電で良好な画質のトナー画像が得ら
れた。

実施例６ 円筒状の基体上に成膜できるように改造した第３図の装
置を用い、第２図に例示の電子写真感光体を以下のよう
にして作成した。

ＡＩ製円筒基体を用い、まず真空槽５２を約２×１０’
Ｔａｒｒまで真空排気した０次にＡｊ基体を２３０℃に
加熱し、　ＳＩＨ，流量ｔｏｓｃｃ＋ｔ　、　）Ｉ２流
量１１０ｓｌ１０５ｅｃ、流量０．５９ＣＣＭとして０
．１Ｔａｒｒにて、ＲＦパワー　１５０ＷでＢを高密度
に含むＰｙｊＩのＡ　−Ｓｉ　：Ｈからなる電荷注入阻
止層を１００ＯＡの厚さに形成した。

次にＳｉＨ，とＢ１１．の流量をＯにして、Ｉ２のみを
流して　ｌｈｒ放電を続けた。その後、再びＳｉＨ４を
１０！３０ＣＮ流し、Ｉ２流量９０３ＣＣ）Ｉで放電さ
せ、約１勝のＡ−９ｉ：Ｈからなる電荷発生層を上記電
荷注入阻止層上に形成した。

この後、ＳｉＨ４とＨ２の流れを止め、４Ｘ　１０’　
Ｔｏｒｒまで減圧した後、電荷輸送層の成膜を次の条件
で行なった。すなわち、　Ｃ２Ｃｌ３Ｆを含有するＨ２
ガスを気化装置ｔ８１を用いて発生させ、真空槽５２へ
送り込んだ、Ｈ２中のＣ２Ｃｌ３Ｆは約３　ｍｏ１％で
あり、混合気の流量は２００ＳＣＣＭ、　７−／素は５
０ＳＣＧ）１．圧力はＩＴ。

ｒｒとした。また、ＲＦパワーを４５０Ｗ、基体バイア
スを一７０Ｖ、磁場の強さは５００Ｇａｕｓａとした。

こうして得られた電子写真感光体を実験用に改造したＭ
Ｐ７５５０１　　（キャノン株式会社）にセットし連続
繰り返えし画像形成を行なったところ、いずれの転写画
像も良好な画質であった。

実施例７ 第４図の装置を用い、以下の様にして第１図の構造の電
子写真感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜条件として、マイクロ波パワー６００
Ｗ、原料ガスとして０２Ｆ、と水素との混合ガスを用い
た。マイクロ波周波数は２．４５　ＧＨｚとした。　　
Ｃ２Ｆ６の流量は５９Ｃ（：Ｍ、水素の流量は５０ＳＣ
ＣＭで圧力はＯ，０Ｏ０７Ｔｏｒｒとした。磁場は８７
５Ｇａｕｓｓとし、電子サイクロトロン共鳴が起きる様
にした、この条件で隔壁８８の位置を調節し、真空槽７
１がマイクロ波の空洞共振器として動作する様にしたと
ころ、隔壁８８の開口部からプラズマ吹き出しが見られ
た。基体温度は３５０℃、基体バイアスは−１５０Ｖと
した。この条件で成膜した電荷輸送層の膜圧は９．３−
であったｈ素も水素もほとんど膜中に含まていなかった
。

この様にして作成した電荷輸送層の上に引！！続いてＡ
−９：：Ｈの電荷発生層を作成した。まず基体加熱ヒー
タ　１０２の電流を切って基体温度が１００℃まで下が
るのを待ち、それから電流を再び流して２００℃で一定
に保った０次にＳｉＨ４を　ＩＯＳＣＣＭ、Ｈ２を５Ｑ
ＳＣＣＭ流して、圧力を２°、８Ｘ　１Ｏ−３Ｔａｒｔ
にし、磁場を８７５Ｇａｕｓｓとしてマイクロ波を投入
した。マイクロ波パワーは３００Ｗとした。こうして　
　　　□電荷輸送層上に約１−のＡ−Ｓｉ：Ｈからなる
電荷発生層、を成膜し、さらに連続してＣＨ４流量７５
ＣＣＭ。

５ｉ）ｔ４流量３’；ＣＣＨ，Ｈ２流量５０ＳＣＣＭで
表面層を形成し、第１図の構造の電子写真感光体を得た
。

この感光体を実験用電子写真装置にセットし。

電子写真特性を測定したところ高い帯電性と良好な感度
を示し、負帯電で像露光して現像したところ良好な画像
が得られた。

実施例８ 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜はＣ２Ｆもと水素のガスを用いて行な
い、流量はＣ２Ｆ６を５　ＳＣＣＭ、水素１００５ＣＣ
に、水素で１０層ａｌＸに稀釈したフォスフイン０．５
ＳＣＣＭとし、圧力は０．３Ｔｏｒｒとした。基板温度
３５０’Ｃ，ＲＦパワーｅｏｏｗ　、磁場４００Ｇａｕ
ｓｓ　、基板バイアスは−２００Ｖで成膜を行なった。

こうして得られた電子写真感光体について実施＼Ｎ実施
例９ 第５図の装置を用い、以下のような成膜条件及び操作を
用いる以外は実施例６と同様の方法によって第２図の構
造の電子写真感光体を作成した。

ＡＩ製円筒基板を用い、まず真空層５２を約６×１０”
’　Ｔｏｒｒまで真空排気した０次にＡＩ基体を２３０
℃に加熱しＳ　ｉ　Ｈ４流量３０ＳＣＣＭ　、　Ｈ２流
量１８０ＳＣＣ１’ｌ、Ｂ２Ｈ６流量　１．５ＳＣＣ）
１として、　０．ＩＴｏｒｒにてＲＦパワー５００Ｗで
Ｂが高濃度にドープされたＰ型のＡ−Ｓｉ：Ｈからなる
電荷注入阻止層を１００ＯＡの厚さに形成した０次にＳ
ｉＨ４とＢ２Ｈ６の流量をＯにし、Ｈ２のみを流してｌ
ｈｒ放電をつづけた。その後、再びＳｉＨ４を３０ＳＣ
ＣＭ流し、Ｈ２流量１８０！３０ＣＭで放電させ、約１
川のＡ−Ｓｉ：Ｈからなる電荷発生層を上記電荷注入阻
止層上に形成した。

この後、ＳｉＨ，とＨ２の流れを止め、　４Ｘ　１０−
’　Ｔｏｒｒまで減圧した後、電荷輸送層の成膜を次の
条件で行なった。すなわち３Ｃ２Ｃｌ３Ｆを含有するＨ
２ガスを気化装置８１を用いて発生させ、真空層５２へ
送り込んだ、Ｈ２中のＣ２Ｃｌ３Ｆは約３＋ｗｏＨであ
り混合気の流量は３００９ＣＣＭ、圧力は０．７Ｔｏｒ
ｒとした。また、ＩＩＦパワーを８５０Ｗ、基体バイア
スを一１１０Ｖ、磁場の強さは８００Ｇａｕｓａ　トＬ
／　？、＊こうして得られた電子写真感光体は正帯電で
良好な帯電性を示した。この感光体を市販の複写機（キ
ャノン製ＭＰ？５５Ｑ）を改造した実験装置にとりつけ
た後１画像形成を行なったところ初期の良好な画質が得
られ、　！２０万枚のコピーテスト後も良好な画質が維
持された。

実施例１０ 第３図の装置を用い、極性切換スイッチ８９と７０をＢ
の状態にし、電荷輸送層の成膜条件を以下のように変え
た以外は実施例１と同様の手順により、第１ＦＩ！Ｊの
構造の電子写真感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜は、　　Ｃ，Ｆ６を原料とし、流量は
１１００５ＣＣ、圧力ＩＴｏｒｒ、　ＲＦパワー１５０
Ｗ　、基体温度２３０℃とし、成膜中は基体加熱フィラ
メント４４を８００℃程度に下げて行なった。電磁コイ
ルには電流は流さず、基体付近に磁場はかけなかった。

この条件で得られた電荷輸送層の膜厚は１８３１１１で
あった。

こうして得られた第１図の構造の電子写真感光体は帯電
性が高く、実用的に使用し得ることが確認された 実施例１１ 第３図の装置を用い、電荷輸送層の成膜条件を以下のよ
うにする以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を
作成した。

電荷輸送層の成膜はＣ２Ｆ＆と水素のガスを使用し、流
量は０２Ｆ、を５０ＳＣＣ１ｌＩ、水素を５０９ＣＣＭ
、圧力０．０３Ｔｏｒｒ　、　ＲＦパワー４５０Ｗ、基
体バイアスＯＶ、基体温度は成膜開始時に４５０”Ｏｌ
その後成膜中には基体加熱ヒーター４４の電流を切って
行なった。直流バイアス用型１Ｉ４８の電圧はＯｖに設
定し、極性切換スイッチ８８と７０は電荷輸送層成膜時
にはＡの状態にした。磁場は用いなかった。この条件で
得られた電荷輸送層の膜厚は８ｕであったこうして得ら
れた電子写真感光体は実用適に使用し得ることが確認さ
れた。

実施例１２ 第３図の装置を用い、極性切換スイッチＢ９と７０をＢ
の状態にし、電荷輸送層の成膜条件を以下のように変え
た以外は実施例１と同様の手順により、第１図の構造の
電子写真感光体を作成した。

電荷輸送層の成膜は、　　０２Ｆ、と水素ガスを原料と
し、流量はＣ２Ｆ、　ｌ０９ＣＣに、水素ｅｏｓｃｃｘ
、圧力５↑ｏｒｒ、ＲＦパワー２５０Ｗ　、基板温度２
００℃とし、成膜中は基板加熱フィラメント４４を８０
０℃程度に下げて行なった。電磁コイルには電流は流さ
ず、基板付近に磁場はかけなかった。この条件で得られ
た電荷輸送層の層厚は１８−であった。

こうして得られた第１図の構造の電子写真感光体は実用
的に使用しうろことが確認させた。

実施例１３ 第３図の装置を用い、電荷輸送層の成膜条件を以下のよ
うにする以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を
作成した。

電荷輸送層の成膜はＣ２Ｆ６と水素ガスを使用し、流量
はＣＪ　ｂ　５　ＳＣＣＭ、水素１２０ＳＣＣＭ、圧力
０．０３Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー４５０Ｗ、基板バイアス
ＯＶ、基板温度は成膜開始時に４５０℃、その後成膜中
には基板加熱ヒーター４４の電流を切って行なった。直
流バイアス用電源４８の電圧はＯＶに設定し、極性切換
スイッチ８９と７０は電荷輸送層成膜時にはＡの状態に
した。磁場は用いなかった。この条件で成膜した電荷輸
送層の膜厚は８鱗であった。

こうして得られた電子写真感光体は実用的に使用し得る
ことが確認された。

〔発明の効果〕

以上に説明したように、本発明によってもたれされる効
果としては下記に列挙するようなものを挙げることがで
きる。

１）高い帯電能を持ち、少ない帯電電流と少ない露光エ
ネルギー量で画像形成可能な電子写真感光体を提供する
事が可能となった。

２）高速画像形成が可能な電子写真感光体を提供するこ
とが可能となった。

３）濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度
の高い、高品質な画像を得る車が容易に出来る電子写真
感光体を提供する事が可能となった。

４）温度、湿度等の使用環境の変動に対して安定な画像
を維持する事が可能な電子写真感光体を提供する事が可
能となった。

５）繰り返し使用の際のコロナ放電生成物や紙粉などの
付着の影響が少なく、また表面に傷がつかず長期間継続
的に安定な画像を維持しながら使用可能な電子写真感光
体を提供する事が可能となった。

８）感光層の化学変化や劣化あるいは結晶化等の変質が
おこらず、長期間の悪環境下での保管に耐えて保管前と
変わらない良好な画質を再現する事が可能な電子写真感
光体を提供する事が可能となった。

７）製造工程の途中やオフィス等での取扱いの際に人体
に触れても全く害がなく、また現像剤中に感光層の一部
が削れて混入し、それがコピー上のトナー画像に含まれ
て人体に接触したりしても全く安全で、必要ならば使用
終了後に一部ゴミと一緒に廃棄する事も安全上全く問題
なく、一般家庭で使用する際にも特別の注意なしに安全
に使用可能で、火災などの非常時に他のものと一緒に燃
えてしまっても有毒な気体を放出しない、従ってあらゆ
る点で全く安全な電子写真感光体を提供する事が可能と
なった。

８）製造時に有害な原料を使用せず、又は従来に較べて
必要な有害原料の使用量が極端に少なくても製造可能で
、このため製造設備に取り付ける必要のある有害物除害
装置やその他の製造上の安全対策に要するコストを著し
く削減出来る電子写真感光体を提供する本が可能となっ
た。

８）製造用の原料として入手し易く、安価な原料を使用
する事の出来る低コストな電子写真感光体を提供する事
が可能となった。

１０）不均一材料の混合や分散あるいは粒度分布制御な
どといった複雑な工程を取る事なく、また塗布液の調液
や塗布中の粘度制御あるいは多層構造の際に起きる層間
汚染や溶剤排気の処理などを必要としない簡略化された
工程で製造でき、またメンテナンスの容易な製造装置を
用いて製造出来る電子写真感光体を提供する事が可能と
なった。

１１）製造時の微粉未形成や製造容器内に付着した膜の
はがれによる微粒子の発生がなく、長時間安定して欠陥
のない均一な感光層を得る事の出来る電子写真感光体を
提供する事が可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明による電子写真感光体の実施
形態の例を示す模式的構成断面図、第３図、第４図及び
第５図は本発明の電子写真感光体の製造に用いることの
できる装置の一例を示す模式的概略図である。 １４　、２４は支持体、１３　、２３は電荷輸送層、１
２．２２は電荷発生層、　１１は表面層、２１は電荷注
入阻止層、５２．７１は成膜を行なう真空槽、４７は高
周波電源、　１０７はマイクロ波電源、４５　、４８は
電極、　１００は基板ホルダー、４３及び１０Ｂは電磁
コイルである。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に電荷発生層と電荷輸送層とを積層した
   感光層を有する電子写真感光体の製造方法であって、前
   記電荷輸送層を構造式Ｘ＿３Ｃ−ＣＸ＿３（但し、Ｘは
   ハロゲン原子）で示される化合物を主原料とした炭素を
   主体とする膜として形成する工程を有する事を特徴とす
   る電子写真感光体の製造方法。
2. （２）前記炭素を主体とする膜が、水素、窒素及び酸素
   から成る群から選ばれる少なくとも１つ以上の原子を含
   む事を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写
   真感光体の製造方法。
3. （３）前記炭素を主体とする膜が周期律表第III族に属
   する原子を５原子％以下の濃度で含有する特許請求の範
   囲第１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
4. （４）前記炭素を主体とする膜が周期律表第Ｖ族に属す
   る原子を５原子％以下の濃度で含有する特許請求の範囲
   第１項に記載の電子写真感光体の製造方法。