JPS62238569A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は感光体、特に電子写真感光体に関する。

従来技術　゛ 近年、感光体、特に電子写真用感光体にプラズマ化学蒸
着法（以下、Ｐ−ＣＶＤ法という）により作製されたア
モルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す）が採用さ
れるに至っている。

ａ　−Ｓ　ｉ感光体は種々の優れた特性を有する。しか
しａ−Ｓｉは比誘電率εが１２程度と大きいため、感光
体として充分な表面電位を得るためには、本質的に最低
２５μｍ程度の膜厚が必要であるという問題がある。ａ
−Ｓｉ感光体は、Ｐ−ＣＶＤ法においては膜の堆積速度
が遅いため作製に長時間を要し、さらに均質な膜のａ−
Ｓｉを得ることが作製時間が長くなる程難しくなる。そ
の結果、ａ　−Ｓ　ｉ感光体は白斑点ノイズ等の画像欠
陥が発生する確率が高く、さらに原料費が高いという欠
点等がある。

上記の欠点を改良するための種々の試みがなされている
が、本質的に膜厚をこれより薄くすることは好ましくな
い。

一方、ａ　−Ｓ　ｉ感光体は基板とａ−９ｉとの密着性
、さらに耐コロナ性、耐環境性あるいは耐薬品性が悪い
といった欠点も存在する。

そのような問題点を解消するため有機プラズマ重合膜を
ａ−９ｉ感光体のオーバーコート層あるいはアンダーコ
ート層として設ける事が提案されている。前者の例は、
例えば特開昭６０−６１７６１号公報、特開昭５９−２
１４８５９号公報、特開昭５１−４６１３０号公報ある
いは特開昭５０−２０７２８号公報等が知られており、
後者の例は、例えば特開昭６０−６３５４１号公報、特
開昭５９−１３６７４２号公報、特開昭５９−２８１６
１号公報あるいは特開昭５９−３８７５３号公報等が知
られている。

その他プラズマ重合法を使用したものとして、例えば特
開昭５９−１４８３２６号公報、特開昭５６−６０４．
４７号公報あるいは特開昭５３−１２０５２７号公報等
が知られている。

有機プラズマ重合膜はエチレンガス、ベンゼン、芳香族
シラン等のあらゆる種類の有機化合物のガスから作製で
きること（例えばニー、ティ、ベル（Ａ、Ｔ、Ｂｅ１ｌ
）、エム、ツエン（Ｍ、　５ｈｅｎ）ら、ジャーナル　
オブ　アプライド　ポリマー　サイエンス（Ｊｏｕｎａ
ｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｏｌｙｍｅｒ　　
５ｃｉｅｎｃｅ）、第１７巻、８８５−８９２頁（１９
７３年）等）が知られているが、従来の方法で作製した
有機プラズマ重合膜は絶縁性を前提とした用途に限って
用いられている。従って、それらの膜は通常のポリエチ
レン膜のごと＜１０１８９Ｃπ程度の電気抵抗を有する
絶縁膜と考えられ、あるいは少なくともその様な膜であ
るとの認識のもとに用いられていた。

特開昭６０−６１７６１号公報記載の技術は、５００人
〜２μｍのダイヤモンド状炭素絶縁膜を表面保護層とし
て被覆した感光体を開示している。

この炭素簿膜はａ−Ｓｉ感光体の耐コロナ放電および機
械的強度を改良するためのものである。重合膜は非常に
薄く、電荷はトンネル効果により膜中を移動し、膜自体
電荷輸送能を必要としない。また、有機プラズマ重合膜
のキャリアー輸送性に関しては一切記載がないし、ａ−
Ｓｉの持つ前記した本質的問題を解決するものでない。

特開昭５９−２１４８５９号公報には、スチレンやアセ
チレン等の有機炭化水素モノマーをプラズマ重合により
厚さ５μｍ程度の有機透明膜のオーバーコート層として
被膜する技術が開示されているが、その層はａ−Ｓｉ感
光体の画像流れの防止および剥離、耐久性、ピンホール
、生産効率を改良するものである。有機プラズマ重合膜
のキャリアー輸送性に関しては一切記載がないし、ａ−
３ｔの持つ前記した本質的問題を解決するものでない。

特開昭５１−４６１３０号公報には、Ｎ−ビニルカルバ
ゾールをグロー放電により、表面に厚さ３〜Ｑ、００１
μｍの有機プラズマ重合膜として形成した感光体を開示
している。この技術は、正帯電でしか使用できなかった
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール系感光体を両極性帯電で
使用可能にすることを目的とする。この膜は０．００１
〜３μｍと非常に薄く、オーバーコート的に使用される
。

重合膜は非常に薄く、電荷輸送能を必要としないものと
考えられる。また、重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載がないし、ａ−Ｓｉの持つ前記した木質的問
題を解決するものでない。

特開昭５０−２０７２８号公報には、基板上に増感層、
有機光導電性電気絶縁体とを順次積層し、さらにその上
に厚さ０．１−１μｍのグロー放電重合膜を形成する技
術が開示されているが、この膜は湿式現像に耐えるよう
に表面を保護する目的のものであり、オーバーコート的
に使用される。

重合膜は非常に薄く、電荷輸送層として使われているも
のではない。重合膜のキャリアー輸送性に関しては一切
記載がないし、ａ−Ｓｉの持つ前記した本質的問題を解
決するものでない。

特開昭６０−６３５４１号公報は、ａ　−Ｓ　ｉのアン
ダーコート層に２００人〜２μｍのダイヤモンド状有機
プラズマ重合膜を使用した感光体について開示している
が、その有機プラズマ重合膜は基板とａ−Ｓｉの密着性
を改善する目的のものである。

重合膜は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効果により
膜中を移動し、膜自体は電荷輸送能を必要、とじない。

また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載がないし、ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記した本質
的問題を解決するものでない。

特開昭５９−１３６７４２号公報には、基板上に約５μ
ｍの有機プラズマ重合膜、シリコン膜を順次形成する半
導体装置が開示されている。しかし、その有機プラズマ
重合膜は、基板であるアルミニラムのａ−Ｓｉへの拡散
を防止する目的のものであるが、その作製法、膜質等に
関しては一切記載がない。また、有機プラズマ重合膜の
キャリアー輸送性に関しても一切記載がないし、ａ　−
Ｓ　ｉの持つ前記した本質的問題を解決するものでない
。

特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に有機プラ
ズマ重合膜、ａ−９ｉを順次形成した感光体が開示され
ている。有機プラズマ重合膜は、その絶縁性を利用した
アンダーコート層でありブロッキング層、接着層あるい
は剥離防止層として機能するものである。重合膜は非常
に薄くてよい（５μｍ１好ましくは１μｍ以下）。薄膜
であれば不充分な電荷輸送能であってら、表面電位（残
留電位）の上昇の問題は生じない。繰り返し使用により
アンダーコート部での電界が上昇し、それによるキャリ
アの通過が大きくなること（トンネル効果）で、残留電
位の上昇が低く抑えられるという現象があるからである
。従って本件の重合膜はアンダーコート層として使えて
も、キャリア輸送層としては使えない。

また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載がないし、ａ−９ｉの持つ前記した本質的問
題を解決するものでない。

特開昭５９−３８７５３号公報には酸素、窒素および炭
化水素の混合ガスからプラズマ重合により１０−１００
人の有機プラズマ重合薄膜を形成し、その上にａ−Ｓｉ
層を成膜する技術が開示されている。有機プラズマ重合
膜は、他の有機高分子に比べて熱劣化がなく、また、絶
縁性を利用したアンダーコート層でありブロッキング層
あるいは剥離防止層として機能するものである。重合膜
は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効果により膜中を
移動し、膜自体は電荷輸送能を必要としない。

また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載がないし、ａ−９ｉの持つ前記した木質的問
題を解決するしのでない。

特開昭５９−１４８３２６号公報は、ガスを予備分解、
予備重合することを特徴とするｐ−ｃｖＤＲ膜製造方法
を開示するが、実施例はＳｉ系の物質を利用したものの
みが例示されているに過ぎな特開昭５６−６０４４７号
公報は、有機化合物とハロゲン化合物混合物の蒸気をプ
ラズマ重合し、有機光導電性膜を形成する方法を開示す
る。この技術は、ハロゲン導入プラズマ重合膜が近赤外
域（０，８〜３．０μｍ）に高感度を有することを示し
ているが、その膜は近赤外線センサーへの応用を目的と
するものであり、本願のように電子写真感光体への使用
を目的にするものでなく、また感光体に使用できるか否
かについては触れられていない。

特開昭５３−１２０５２７号公報は、ポジ型放射線感応
材料層を炭化水素およびハロゲン化水素のプラズマ重合
法で形成する方法か開示されている。本件はポジ型レジ
スト材料を電子線、Ｘ線、λ線あるいはα線により架橋
させ作製する方法であり、電子写真感光体への使用を目
的とするものでない。

発明が解決しようとする問題点 以上のように、従来、ｒｆＡ先体に用いられている有機
重合膜はアンダーコート層あるいはオーバーコート層と
して使用されていたが、それらはキャリアの輸送機能を
必要としない膜であって、有機重合膜が絶縁性であると
の判断にたって用いられている。従ってその厚さも高々
５μ次程度の極めて薄い膜としてしか用いられず、キャ
リアはトンネル効果で膜中を通過するか、トンネル効果
が期待できない場合には、実用上の残留電位としては問
題にならないですむ程度の薄い膜でしか用いられない。

本発明者らは、有機重合膜のａ−Ｓｉ感光体への応用を
検討しているうちに、本来絶縁性であると考えられてい
た有機重合膜が、ある特定の結合様式で存在する炭素原
子（例えば、炭素−炭素二重結合、第四炭素等）の含有
割合が異なると、電気抵抗も変化し、ある割合になると
電荷輸送性を示し始める事を見出だした。

本発明はその新たな知見をを利用することにより、従来
のａ−９ｉ感光体の持つ問題点、すなわちａ−５ｉの膜
厚、製造時間、製造コスト等における問題点等をすべて
解消し、また従来とは全く使用目的も、特性ら異なる有
機重合膜、特に有機プラズマ重合膜を使用した感光体お
よびその製造方法を堤供することを目的とする。

問題点を解決するだめの手段 すなわち、本発明は電荷発生層（３）と電荷輸送層（２
）とを有する機能分離型感光体において、電荷輸送層（
２）が水素を含む非晶質炭素膜で、その化学構造におい
て水素と結合していない炭素のうち、不飽和結合を有す
る炭素数Ｎ１と不飽和結合を有しない炭素′ｌＩＮ　２
の比Ｎ、：Ｎ、がｌ：２０ないしｌ：０．５であること
を特徴とする感光体に関する。　本発明感光体は少なく
とも電荷発生層と電荷輸送層から構成される。

電荷輸送層は、水素を含有する非晶質炭素膜（以下、ａ
−Ｃ膜という）である。水素含有炭素膜中の水素含量は
、２０〜６７、好ましくは４０〜６７、特に４５〜６５
含量されることが望ましい。ａ　−Ｃ膜中に含有される
水素の量が２０より少ないと好適な輸送性が得られず、
６７より多いと膜質の劣化、成膜製の低下をきたす。

本発明感光体の特徴は、電荷輸送層としてａ−Ｃ膜を設
け、さらにそのａ−Ｃ膜中に含有される炭素で、水素と
結合していない炭素の内、不飽和結合を有する炭素数Ｎ
、と不飽和結合を有しない炭素数Ｎ２の比Ｎ、：Ｎ、が
１：２０ないしＩ　：０．５であることにある。

本発明のａ−Ｃ膜中には、種々の結合様式をした炭素原
子、例えば単結合（フリーラジカル）、二重結合あるい
は三重結合等が存在し、更にそれらは水素原子が結合し
ているものあるいは水素原子が結合していないものとし
て存在する。

本発明のａ−Ｃ膜中における炭素原子が、水素と結合し
ていない炭素であり、かつ不飽和結合を有する炭素ある
いは不飽和結合を有しない炭素であることおよびそれら
の数は、赤外吸収スペクトル、プロトンによる核磁気共
鳴（’Ｈ−ＮＭＲ）あるいは！３Ｃによる核磁気共鳴（
１３Ｃ−ＮＭＲ）等を測定することにより識別すること
ができる。

本発明において不飽和結合というのは炭素−炭素二重結
合および／または炭素−炭素三重結合ををいう。

本発明においては水素と結合していない炭素の内、不飽
和結合を有する炭素数Ｎ１と不飽和結合を有しない炭素
数Ｎ２の比Ｎ、：Ｎ、が１：２０ないし１：０．５であ
ることが重要である。

本発明のａ−Ｃ膜は、Ｎ、の値を１としたときＮ。

の値が０５〜２０、より好ましくは１〜１０、特に１．
５〜５であるとき電荷輸送層として適しており、２０よ
り大きいと好適な輸送性が得られず、そのような膜が電
荷輸送層に用いられた感光体は光感度がなく、キャリア
の注入あるいは輸送能力が非常に悪いものとなる。０．
５より小さいと、膜中の炭素の不飽和結合手（例えば、
二重結合手）が過剰となり、さらにそれがキャリアーの
輸送性を妨げろトラップサイトとなり、そのような膜を
電荷輸送層に用いた感光体は充分な帯電電位を得ろこと
ができないばかりか、帯電、露光の繰り返しで残留電位
が上昇する等、静電特性の弊”１ｎｈＯ−ヒｌ”＠１（
）ｌｊＮｌ−ＩＴ１１古ＮｎＣ；ｆｆ１Ｌ−ｎ）ｌ−Ａ
はじめて比抵抗り月０目Ωｃｍ程度以上となり、キャリ
アの移動度が１０−　’ｃｍ”／　（ｖ−ｓｅｃ）以上
となり、良好な電荷輸送機能が得られる。

本発明によるａ−Ｃ膜中には種々の結合様式をした炭素
原子が存在するが、それらの全炭素原子数は、膜の組成
分析と比重から求められる。すなわち、ａ−ＣＩｌｉＯ
ＣとＩ］の組成分析比がＣＸＨＹ（Ｘ＋ｙ＝Ｂで、膜の
比重がＷ（ｇ／ｃｍっであると、膜ｌ　ｃｍ’中の全炭
素原子数Ｃｃは下式〔［］：［式中Ｃｃは全炭素数、Ｗ
は比重、Ｘおよびｙは炭素および水素の組成分析比、Ａ
はアボガドロ数（個／ｎｏｔ）を表す。コに従い得るこ
とができる。本発明においては水素と結合していない炭
素の数が、全炭素数に対して５〜６５％である膜が望ま
しい。

ａ−Ｃ層の厚さは５〜５０Ｈ＋、特に７〜３０μｍが適
当であり、５μｍより薄いと帯電能が低く充分な複写画
像濃度を得ることができない。５０μｍより厚いと生産
性の点で好ましくない。このａ−Ｃ層は透光性、高暗抵
抗を有するとともに電荷輸送性に富み、膜厚を上記のよ
うに５μｍ以上としてし電荷）・ラップを生じることな
くキャリアを輸送する。

ａ−Ｃ層を形成するための有機化合物としては、必ずし
も気相である必要はなく、加熱或いは減圧等により溶融
、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相で
ら固相でも使用可能である。

該炭化水素としては、例えば、メタン列炭化水素、エチ
レン列炭化水素、アセチレン列炭化水素、脂環式炭化水
素、芳香族炭化水素、等が用いられる。

メタン列炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、
プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オ
クタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリ
デカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、
ヘプタデカン、オクタデカン、ノナデカン、エイコサン
、ヘンエイコサン、トコサン、トリコサン、テトラコサ
ン、ペンタコサン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オク
タコサン、ノナコサン、トリアコサン、トドリアコサン
、ペンタトリアクンクン、等のノルマルパラフィン並び
に、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘ
キサン、ネオヘキサン、２．３−ツメチルブタン、２−
メチルヘキサン、３−エチルペンタン、２，２−ジメチ
ルペンタン、２．４−ジメチルペンクン、３．３−ジメ
チルペンクン、トリブタン、２−メチルへブタン、３−
メチルへブタン、２．２−ジメチルヘキサン、２．２．
５−ジメチルヘキサン、２，２．３−１リメチルペンク
ン、２，２．４−トリメチルペンタン、２．３．３−ト
リメチルペンタン、２，３．４−トリメチルペンタン、
イソナノン、等のイソパラフィン、等が用、いられる。

エチレン列炭化水素としては、例えば、エチレン、プロ
ピレン、イソブチレン、１−ブテン、２−ブテン、■−
ペンテン、２−ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３
−メチル−１−ブテン、２−メチル−２−ブテン、■−
ヘキセン、テトラメチルエチレン、ｌ−ヘプテン、１−
オクテン、ｌ−ノネン、■−デセン、等のオレフィン並
びに、アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタノエ
ン、ヘキサジエン、シクロペンタジェン、等のジオレフ
ィン並びに、オシメン、アロオンメン、ミルセン、ヘキ
サトリエン、等のトリオレフイン、等が用い〜られる。

アセチレン列炭化水素としては、例えば、アセチレン、
メチルアセチレン、■−ブヂン、２−ブチン、■−ペン
チン、ｌ−ヘキシン、■−ヘプチン、１−オクチン、ｌ
−ノニン、ｌ−デシン等が用いられる。

指環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、ツ
クロブタン、シクロペンクン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、ノクロトリデ
力、ンシクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン−シクロノナン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニジン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボジ
ン、ジンギベジン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホジン、フィロクラテン、ボドヵルプ
レン、ミジン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。

芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロビルヘンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、スチルベン、イソテン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フェナントレン、等が用いられ
る。

本発明においてａ−Ｃ膜を形成させる場合、上記有機化
合物を２種類以上の混合気体で使用してもよい。ａ−Ｃ
膜は各種共重合体（ブロック共重合体、ブラット共重合
体等）が多く形成され、硬度および付着性が向上する。

また、アルカン系炭化水素（ＣｎＨ２ｎ＋　２）を使用
すると、ビッカース硬度２０００以上、電気抵抗！０９
Ωｃｍのダイヤモンド状超硬質の、所謂ｉ−Ｃ膜も形成
させることができる。ただし、この場合のプラズマ条件
は高温、低圧、高パワーが必要で、更に基板に直流バイ
アスを印加する必要らある。

キャリアガスとしてはＨ２やＡｒ　、　Ｎｅ　、　Ｈｅ
等の不活性カスが適当である。

本発明においては、ａＣ膜の形成には、直流、高周波あ
るいは低周波やマイクロ波プラズマ法等の種々のプラズ
マを去を使用しすることができる。

あるいは後述されているが、電磁波（Ｘ線、レーザー光
等）や上記プラズマとの併用も可能である。

それらの重合法の選択により、同一のモノマーでも、色
々異なった特性を有するｉ−Ｃ膜を得ることができる。

たとえば、低周波プラズマ法（周波数が数十ト１　ｚ〜
数百Ｋ　Ｉ（ｚ程度）を使用すると高硬度のａ−Ｃ膜を
得ることができろ。本発明においてａ−Ｃ膜を形成させ
ろ際重要なことは、水素と結合していない炭素の内、不
飽和結合を有する炭素数Ｎ１と不飽和結合を有しない炭
素数Ｎ、の比Ｎ　＋　：　Ｎ　ｔがｌ：２０ないしｌ：
０．５となるように形成することである。また、電荷発
生層を高周波プラズマまたはＰ−ＣＶＤ法により形成す
る場合には、ａ−Ｃ膜も同様の方法で成膜したほうが、
製造装置コスト、工程の省力化につながり好ましい。

本発明感光体の電荷発生層は特に限定的ではなく、アモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜（特性を変えろため種
々の異種元素、例えば［−［、Ｃ，Ｏ，Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｂ
、ハロゲン、Ｇｅ等を含んでいてもよく、また多層構造
であってもよい）、Ｓｅ膜、５ｅ−Ａｓ膜、Ｓ　ｅ−Ｔ
　ｅ膜、ＣｄＳ膜、銅フタロシアニン、酸化亜鉛等の無
機物質および／またはビスアゾ系顔料、トリアリールメ
タン系染料、チアジン系染料、オキサジン系染料、キサ
ンチン系染料、ンア二ン系色素、スチリル系色素、ピリ
リウム系染料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、イン
ジゴ系顔料、ペリレン系顔料、多環キノン系顔料、ビス
ベンズイミダゾール系顔料、インダスロン系顔料、スク
アリリウム系顔料、フタロシアニン系顔料等の有機物質
を含有する樹脂膜等が例示される。

これ以外にも、光を吸収し極めて高い効率で電荷担体を
発生する材料であれば、いずれの材料であっても使用す
ることができる。

電荷発生層は公知の方法、例えば上記物質の粉体を適当
な樹脂に分散させ成膜する方法を使用して設けてもよく
、本発明において電荷輸送層をプラズマ法で形成する場
合には、電荷発生層も同様の方法で成膜したほうが、製
造装置コスト、工程の省力化につながり好ましい。また
電荷発生層を公知の方法で設ける場合には上記物質の粉
体の表面をあらかじめプラズマ重合により薄膜コーティ
ング処理し成膜した有機物質を使用することも有効であ
る。例えば、樹脂中にこれらを分散する場イト１．−１
＋＊１７Ｆｉ−＋Ｌ＋１−Ｌ−プＡｈｈｂＪｆｈＡ４は
１ＬＩ札り、耐溶剤性を加味させ、変質を防止する等の
手段が考えられる。

電荷発生層は、感光体のどの位置に設けてもよく、たと
えば最上層、最下層、中間層いずれに設けてもよい。膜
厚は素材の種類、特にその分光吸収特性、露光光源、目
的等にもよるか、一般に５５０ｎｍの光に対して９０％
以上の吸収が得られるように設定される。ａ−Ｓｉの場
合で０．１〜３μｍである。

本発明においては、ａ−Ｃ電荷輸送層の帯電特性を調節
するために、炭素または水素以外のへテロ原子を混入さ
せてもよい。例えば、正孔の輸送特性をさらに向上させ
るために、周期律表第■族原子、あるいはハロゲン原子
を混入してもよい。

電子の輸送特性をさらに向上させるために、周期律表第
Ｖ族原子あるいはアルカリ金属原子を混入してもよい。

正負両キャリアの輸送特性を更に向上させるために、Ｓ
ｉ、　Ｇｅ、アルカリ土類金属、カルコゲン原子を混入
してもよい。

これらの原子は複数用いてもよいし、目的により、電荷
輸送層内で、特定の位置だけに混入してもよいし濃度分
布等を有してもよいが、いずれの場合においてら重要な
ことは、該プラズマ重合膜中に不飽和結合を有する炭素
数と不飽和結合を有しない炭素数の比が１＝２０〜に０
．５であるように形成することである。

第１図から第１２図は本発明感光体の一態様を示す模式
的断面図である。図中、（１）は基板、（２）は電荷輸
送層としてのａ−Ｃ膜、（３）は電荷発生層を示してい
る。第１図に示す態様の感光体において、例えば十帯電
し続いて画像露光すると、電荷発生層（３）でチャージ
キャリアが発生し電子は表面電荷を中和する。一方、正
孔はａ−Ｃ膜（２）の優れた電荷輸送性に保証されて基
板（１）側へ輸送される。第１図の感光体を一帯電で用
いるときは、上記と反対にａ−Ｃ膜（２）中を電子が輸
送される。

第２図の感光体はａ−Ｃ膜（２）を最上層として用いた
例で、十帯電で用いるときは、ａ−Ｃ膜（２）中を電子
が一帯電で用いるときはａ−Ｃ膜中を正孔が輸送されろ
。

第３図に示す感光体は、基板（１）上に電荷輸送層（２
）を有し、電荷発生層（３）が該電荷輸送層（２）にサ
ンドイッチされるように設けられた例である。

第４図〜第６図に示す感光体は、第１図〜第３図におい
て示した感光体においてさらにオーバーコート層（４）
として厚さ０，０１〜５μｍの表面保護層を設けた例で
、感光体が使用されるシステムおよび環境に応じて電荷
発生層（３）あるいは電荷輸送層ａ−Ｃ膜（２）の保護
と初期表面電位の向上を図ったものである。表面保護層
は公知の物質を用いればよく、本発明においては、有機
プラズマ重合によって設けることが製造工程の面等から
望ましい。本発明ａ−Ｃ膜を使用してもよい。この保護
層（４）にも必要によりペテロ原子を混入してもよい。

第７〜９図に示す感光体は、第１図〜第３図において示
した感光体においてさらにアンダーコート層（５）とし
て厚さ０．ＯＩ〜５μｌの接着層、あるいは障壁層を設
けた例で、用いる基板（１）またはその処理方法に応じ
て、接着性または注入防止効果を図ったものである。ア
ンダーコート層は公知の材料を用いればよく、この場合
も有機プラズマ重合法によって設けることが望ましい。

本発明によるａ−Ｃ膜を用いてらよい。更に第７〜９図
の感光体に第４〜６図で示したオーバーコート層（４）
を設けてもよい（第１０図〜第１２図）。

ＳｂＨ３等が例示される。

本発明感光体においては、第２図、第３図、第８図ある
いは第９図のごと＜　ａ　−Ｃ膜が最表面になりうろ構
成の場合、そのａ−Ｃ膜にさらに酸素、水素、不活性ガ
スやドライエツチング用ガス（例えば、ハロゲン化炭素
）、あるいは窒素等のプラズマを照射して、表面改質を
行うことも可能である。そうすることにより感光体の耐
湿性、耐摩耗性および帯電能をさらに向上させろことが
できる。

本発明感光体は電荷発生層と電荷輸送層とを有する。従
ってこれを製造するには少なくとも二工程を必要とする
。電荷発生層として、例えばグロー放電分解装置を用い
て形成したａ−Ｓｉ層を用いるときは、同一の真空装置
を用いてプラズマ重合を行なうことが可能であり、従っ
てａ−ＣＭ、荷輸送層や表面保護層、バリア一層等はプ
ラズマ重合法により行なうのが特に好ましい。

本発明による電子写真感光体の電荷輸送層は、気相状態
の分子を減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気
中に含まれる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散
、電気力、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での
再結合反応により固相として堆債させろ、所謂プラズマ
重合反応から生成される。

第１３図は本発明に係る感光体の製造装置で容量結合型
プラズマＣＶＤ装置を示す。電荷輸送層としてプラズマ
重合ポリエヂジン膜を何する感光体を例にとり、その製
造法を第１３図を用いて説明する。

第１３図は本発明に係わる電子写真感光体の製造装置を
示し、図中（７０１）〜（７０６）は常温において気相
状態にある原料化合物およびキャリアガスを密封した第
１乃至第６タンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節
弁（７０７）〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（
７１３）〜（７１８）に接続されている。

図中（７１９）〜（７２１）は常温において液相または
固相状態にある原料化合物を封入した第１乃至第３容器
で、各々の容器は気化のため第１乃至第３温調器（７２
２）〜（７２４）により温調可能、例えば、常温〜１５
０℃、あるいは−５０℃〜常温であり、さらに各々の容
器は第７乃至第９調節弁（７２５）〜（７２７）と第７
乃至第９流量制御器（７２８）〜（７３０）に接続され
ている。

これらのガスは混合器（７３１）で混合された後、主管
（７３２）を介して反応室（７３３）に送り込まれる。

途中の配管は、常温において液相または固相状態にあっ
た原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しないよう
に、適宜配置された配管加熱器（７３４）により、与熱
可能とされている。

反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（７３
６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱Ｗ（７
３７）により与熱可能とされている。

電力印加電極には、高周波電力用整合器（７３８）を介
して高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（７４
０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィルタ
（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されてお
り、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異なる
電力が印加可能とされている。

反応室内の圧力は圧力制御弁（７４５）により調整可能
であり、反応室内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を
介して、拡散ポンプ（７４７）、油回転ポンプ（７４８
）、あるいは冷却除外装置（７４９）、メカニカルブー
スターポンプ（７５’Ｏ）、油回転ポンプにより行なわ
れる。

排ガスについては、さらに適当な除外装置（７５３）に
より安全無害化した後、大気中に排気される。

これら排気系配管については、常温において液相または
固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器により、
与熱可能とされている。

反応室も同様の理由から反応室加熱器（７５１）により
与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性基板（
７５２）が設置される。

第１３図に於いて導電性基板は接地電極に固定して配さ
れているが、電力印加電極に固定して配されてもよく、
更に双方に配されてもよい。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−′乃至１０−６程度にまで減圧し、真空度の確認と
装置内部に吸着したガスの脱着を行う。

同時に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配
された導電性基板を所定の温度まで昇温する。

次いで、第１乃至第６タンクおよび第１乃至第３容器か
ら原料ガスを第１乃至第９流爪制御器を用いて定流ｍ化
しながら反応室に導入し、圧力調筋光にトｒ　Ｆつ宏由
九−中小ｄ丁−に能ｒ−ＩＱ−。

ガス流量が安定化した後、接続選択スイッチにより、例
えば高周波電源を選択し、電力印加電極により高周波電
力を投入する。

両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の膜が形成される。

以上の構成において、例えば第１図に示した感光体を製
造する場合、反応槽（７３３）を一定の真空状態として
から、例えばガスライン（７３２）を介して第１タンク
（７０１）よりＣ，Ｈ，ガス、第２タンク（７０２）よ
りキャリアガスとしてＨ２ガスを供給する。

一方、高周波電源（７３９）より上部電極板（７３６）
に１０ｗａｔｔｓ−１ｋｗａｔｔｓの電力を印加し両電
極板間にブラ・ズマ放電を起こし、予め加熱されたＡＱ
基板（７５２）上に厚さ５〜５０μｍのａ−Ｃ電荷輸送
層（２）を形成する。この電荷輸送層は本発明により生
成したａ−Ｃ膜中の水素と結合していない炭素のうち、
不飽和結合を有する炭素数Ｎ１と不飽和結合を有しない
炭素数Ｎ２の比Ｎ、：Ｎ２がＩ：２０ないし１：０．５
である。この比は他の製造条件にも依存するが直流電圧
源（７４３）からＩＯＶ〜ＩＫＶのバイアス電圧を印加
することにより制御できる。即ち、水素と結合していな
い炭素で不飽和結合を有する炭素数はバイアス電圧を高
くすることによって減少し、ａ−Ｃ膜自体の硬度を高く
することができる。こうして形成されたａ−Ｃ電荷輸送
層は透光性、暗抵抗に優れ、チャージキャリアの輸送性
に著しく優れている。尚、この層に、例えば第４タンク
（７０４）より８２１（、ガス、または第５タンク（７
０５）よりＰＨ３ガスを導入してＰ、Ｎ型に制御して電
荷輸送性を一層高めても良い。

次に電荷発生層（３）は、第２及び第３タンク（７０２
）、（７０３）よりＨ３、ＳｉＨ，ガスを導入すること
によりａ−３ｉを母体とする層として形成される。

また、電荷輸送層形成のため反応槽（７３３）へ導入す
る化合物か液体状の物質であるときは、先述の方法でガ
スを反応槽（７３３）へ導入し、プラズマ重合させれば
よい。

また沸点の高い有機化合物からａ−Ｃ膜を形成する場合
は、基板上にあらかじめそれらの物質を塗布しておき、
次に真空槽中でキャリアーガス等のプラズマを照射して
、重合を開始させてもよい（所謂プラズマ重合法）。

本発明におけるａ−Ｃ膜形成プラズマ重合法は、さらに
レザービーム、紫外線、Ｘ線あるいは電子線等の電磁波
を単独で、あるいは補助的に照射し、ａ−Ｃ膜を形成す
ること（光アシスト法）や磁界、バイアス直流電界のア
シストも有効である。光アシスト法は、ａ−Ｃ膜の堆積
速度を向上させ、製造時間をさらに短縮させたい場合や
、ａ−Ｃ膜の高度を上昇させたい場合に有効である。

以下、実施例を挙げ、本発明を説明する。

実施例１ （Ｉ）電荷輸送層（ａ−Ｃ層の形成） 第１３図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応槽（７３ａ）の内部をＩ　Ｏ−８Ｔｏｒｒ程度の高真
空にした後、第１および第２バルブ（７０７）およヒ（
７０ｇ）を開放し、第１タンク（７０１）よりｃ２Ｈ４
ガス、第２タンク（７０２）よりＨ，ガスを出力圧ゲー
ジＩ　Ｋｇ／Ｃｌ１１２の下でマスフローコントローラ
（７１３）および（７１４）内へ流入させた。そして、
各マスフローコントローラの目盛を調整して、Ｃ２Ｈ４
の流量を３０ｓｃｃｍ、　Ｈｚを６５ｓｃｃｍとなるよ
うに設定して反応槽（７３３）内へ流入した。夫々の流
ｍが安定した後に、反応槽（７３３）の内圧が０．５Ｔ
ｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性基板（７５
２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０ｍｍのアルミニウム板を
用いて２５０℃に予じめ加熱しておき、各ガス流量が安
定し、内圧が安定した状態で高周波電源（７３９）を投
入し上部電極板（７３６）にＩ　００　ｗａｔｔｓの電
力（周波数１３　、５６　ＭＩ（ｚ）を印加して約４時
間プラズマ重合を行ない、導電性基板（７５２）上に、
厚さ約６μｍのプラズマ重合エチレン膜からなる電荷輸
送層を形成した。

以上のようにして得られたプラズマ重合エチレン膜をフ
ーリエ変換赤外分光（パーキンエルマー社製）、１３Ｃ
−ＮＭＲ装置（日本電子社製固体ＮＭＲ）および’　Ｈ
−Ｎ　Ｍ　Ｒ装置（日本電子社製固体ＮＭＲ）等で測定
し１４分析したところ、プラズマ重合エチレン膜の化学
構造においては水素と結合していない炭素のうち、不飽
和結合を有する炭素ｒｌＩＮ　＋と不飽和結合を有しな
い炭素数Ｎ、の比Ｎ１；Ｎ２は１：４．５６であった。

またその膜の電気抵抗を測定したところ、暗抵抗が約１
．５Ｘ１０”０ｃｍ以下であり、明暗抵抗比が１０’〜
１０’以上であった。本発明プラズマ重合エチレン膜は
電子写真感光体として十分使用できることが判った。

（ＩＩ）電荷発生層（ａ　−Ｓ　ｉ層の形成）基板（１
）上にプラズマ重合エチレン膜を（Ｉ）の過程により形
成後、高周波電源（７３９）からの電力印加を一次停止
し、反応槽の内部を真空にした。

第３および第２バルブ（７０９）および（７０８）を開
放し、第３タンク（７０３）よりＳｉＨ，ガス、第２タ
ンク（７０２）からＨ，ガスを出力圧ゲージＩＫｇ／ｃ
ｍ２の下でマスフローコントローラ（７１５）および（
７１４）内へ流入させた。各マスフローコントローラの
目盛を調整して、Ｓ＋Ｈａの流量を９０　ｓｃｃｍ、　
Ｈ２の流量を２ＬＯｓｃｃ＋＋＋に設定し、反応槽に流
入させた。

夫々の流量が安定した後に、反応槽（７３３）の内圧か
１　、　ＯＴｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波源（７
３９）を投入し、電極板（７３６）に３０Ｗの電力（周
波数１３．５６ＭＨ２）を印加してグロー放電を発生さ
せた。このグロー放電を１０分間行ない厚さ１μｍのａ
−９ｉ：Ｈ電荷発生層を形成させた。

（■）（感光体の性能評価） 工程（Ｉ）および（ＩＩ）により、電荷発生層、ａ　−
Ｓｉ層をＡｅ基板上に順次積層した感光体の性能評価を
実施した。評価は第１４図に示した感光体テスターを使
用し、帯電能および感４度について行った。　作製した
感光体試料（３５）をスキャニングテーブル（３７）に
載置し、シールドカバー（３６）で固定した。スキャニ
ングテーブル（３７）を帯電領域（５２）に移動し、＋
７．７ＫＶの直流高電圧（４０）により供給される高電
圧をチャージャー（４２）に印加し、試料（３５）の表
面にコロナ放電を行った。次ぎにスキャニングテーブル
（３７）を放電領域（５１）に移動した。コロナ帯電さ
れた試料の表面電位は透明電極（４８）により感知され
、表面電位メーター（４９）でその値を読み取られ、レ
コーダー（５０）に出力される。

本発明感光体は良好な帯電能を示した。

次に、シャッター（４７）を開き、鏡（４４）で反射し
たハロゲンランプ（４３）光を帯電している試料（３５
）の表面に照射した。照射は透明電極（４８）を通じて
行なわれ、照射による表面電位の変化はレコーダー　（
５０）に出力されるとともに、その時、流れた電流は光
電流モニター（３８）に検知される。本発明感光体は、
初期表面電位（Ｖｏ）＝　−４９０ｖｏｌｔのときの半
減露光量Ｅ　１／２が約０．８１ｕＸ−５ｅｃであった
。

さらに実験例１と同じ要領で、感光体ドラムを作製し、
ミノルタカメラ（昧）製複写機（Ｅ　Ｐ　−６５０Ｚ）
で実写試験を行ったところ、良好な画像が得られた（な
おこの際、電力２５０Ｗ、Ｃ２Ｈ。

、　　３００ｓｃｃｍ、　Ｈ，６５０ｓｅｃｍ、他は平
板の場合と同じであった）。さらに、電荷発生層は、電
力２５０Ｗ、　Ｓｉｎ、　１８０ｓｅｃｍ、　Ｈｔ５　
Ｑ　Ｏｓｃｃｍ。

他は平板の場合と同じであった。

また、ドラム型感光体テスター（図示せず）で複写プロ
セスのシュミレーシジンを行ったところ、帯電チャージ
−露光照射−転写・除電チャージ−除電イレーサ光照射
を５０に回の繰り返し後も、安定した静電特性が得られ
た。

比較例１ 実施例１の工程（１）で作製された本発明によるプラズ
マ重合エチレン膜の代わりに、低密度ポリエチレン膜を
有機重合の常法により作製し、その上に工程（Ｉｔ）を
施した。なお、上記ポリエチレン膜は上述の水素と結合
していない炭素の数が全炭素数に対して５〜６５％とい
う節回からはずれており、約Ｉ％であった。従って、Ｎ
　Ｉ：　Ｎ　２は不明であるか、初期の前提事項を満足
していないもにであった。得られた積層膜は、その電気
抵抗が約１０１６Ωｃｍであり、絶縁体であった。性能
評価（ＩＩＩ）を行ったところ、感光体は光感度がなく
、すぐチャージアップし、電子写真には使用できないも
のであった。本発明のプラズマ重合エチレン膜の優位性
が認められた。

比較例２ 実施例１で使用した装置を用い、プラズマ重合条件等の
種々の条件を変えて、プラズマ重合エチレン膜を作成し
たいった場合、膜中のＮ　ｌ：Ｎ！の値が！、０５以下
のものは殆んど作成不能で、十分な電荷輸送機能を示さ
ない。

なお、以下、実施例・比較例ともに平板でのみ作製し静
電特性・画像特性を調べた。

実施例２ （１）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（Ｌａ３）の内部を１０−　ＱＴｏｒｒ
程度の高真空にした後、第１および第２調整弁（７０７
）および（７０ｇ）を開放し、第１タンク（７０１）よ
りＣｄ（＊ガス、第２タンク（７０２）よりＨ２ガスを
出力圧ゲージＩＫｇ／ｃｍ’の下でマスフローコントロ
ーラ（７Ｈ）および（７１４）内へ流入させた。そして
、各マスフローコントローラの目盛を調整して、Ｃ２Ｈ
ｔＯ流潰を６０ｓｅｃｍ、　Ｈｔを８　’Ｏｓｃｃｍと
なるように設定して反応室（７３３）内へ流入した。夫
々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が０
゜ｓ’ｒｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性基
板（７５２）としては、２ｘ５０Ｘ５０ｍｍのアルミニ
ウム板を用いて２００℃に予じめ加熱しておき、各ガス
流ｍが安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（７３
９）を投入し電力印加電極（７３６）に８５ｗａｔｔＳ
の電力（周波数１３．５６ＭＨ２）を印加して約１゜２
時間プラズマ重合を行ない、導電性基板（７５２）上に
、厚さ約１０μｍの電荷輸送層を形成した。この膜中の
Ｎ　１：　Ｎ　ｘは約４０：６０、即ち、１：１．５で
あった。

（ｎ）　　高周波電源（７３９）からの電力印加を一次
停止し、反応室の内部を真空にした。

第４および第２調整弁（７１Ｇ）および（７０８）を開
放し、第４タンク（７０４）よりＳｉＨ，ガス、第２タ
ンク（７０２）からＨ，ガスを出力圧ゲージＩＫｇ／ｃ
ｍ”の下でマスフローコントローラ（７１６）および（
７１４）内へ流入させた。各マスフローコントローラの
目盛を調整して、ＳｉＨ，の流量を９０ｓｃｃｍ、　Ｈ
ｚの流量を２１０ｓｅｃｍに設定し、反応室に流入させ
た。夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内
圧カ月、０Ｔｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に３０Ｗの
電力（周波数１３．５６ＭＨ２）を印加してグロー放電
を発生させた。このグロー放電を１０分間行ない厚さ１
μｍのａ−Ｓｉ：Ｈ電荷発生層を形成させた。

得られた感光体は初期表面電位（ＶＯ）＝−４６０ｖｏ
ｌｔのときの半減露光””１／２は０　、５７！ＬＩＸ
　−ｓｅｃであった。また、この感光体に対して作像し
て転写したところ、鮮明な画像が得られた。

実施例３ （Ｉ）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部を１０−　”　Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空にした後、第１ないし第３調整弁（７０
７）ないしく７０９）を開放し、第１タンク（７０１）
よりＣｔ　Ｈ４ガス、第２タンク（７０２）よりｃＨ４
ガス、第３タンク（７０３）よりＨ，ガスを出力圧ゲー
ジＩＫｇ／ｃｍ”の下でマスフローコントローラ（７１
３）ないしく７１５）内へ流入させた。そして、各マス
フローコントローラの目盛を調整して、Ｃｔ　Ｈ４の流
量を４５ＳＣＣＩＩＩ％　ＣＨ４をｌ　００ＳＣＣＩＩ
Ｉ、　Ｈ２を１２０　ｓｅｃｍとなるように設定して反
応室（７３３）内へ流入した。

夫々の流量が安定した後に、反応室（７３Ｋ）の内圧が
１　、　Ｏｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電
性基板（７５２）としては、２ｘ５０ｘ５０關のアルミ
ニウム板を用いて２５０℃に予じめ加熱しておき、各ガ
ス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（７
３９）を投入し、電力印加型［！（７３６）に、２５　
Ｑ　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印
加して約６時間プラズマ重合を行ない、厚さ約５゜６μ
ｍの電荷輸送層を形成した。

この膜中のＮ、：Ｎ、は１０：９０、即ち、！：９であ
った。その上に実施例２の（ＩＩ）で示した電荷発生層
を形成した感光体を得た。この感光体は、Ｖｏ＝　−５
２０ｖｏｌｔ、　Ｅｌ／２＝　［，４１ｕｘ−ｓｅｃで
あった。また作像、転写したところ鮮明な画像が得られ
た。

比較例３ 実施例１において工程（Ｉ　）（ａ　−０層の形成）を
省略し、工程（ＩＩ）と同一条件で膜厚６μｍのａ−Ｓ
ｔ：０層を形成せしめ、ａ−９ｔ：Ｈ感光体をａ！　ｔ
＝　− 得られた感光体は初期表面電位（Ｖｏ）＝−１００Ｖで
半減露光量Ｅｌ／２は２．７　１ｕｘ−ｓｅｃであり、
十極性では充分な帯電能を示さず、良好な作像は行えな
かった。

本発明による電荷輸送層が帯電能の向上に著しく寄与し
、かつ好適な輸送性を有する事が理解された。

実施例４ （１）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部をＩ　Ｏ”−’　Ｔｏ
ｒｒ程度の高真空にした後、第１ないし第３調整弁（７
０７）ないしく７０９）を開放し、第１タンク（７０１
）よりＣ２Ｈ，ガス、第２タンク（７０２）よりＣＨ，
ガス、第３タンク（７０３）よりＨ，ガスを出力圧ゲー
ジＩＫｇ／Ｃｍ″の下でマスフローコントローラ（７Ｈ
）ないしく７１５）内へ流入させた。そして、各マスフ
ローコントローラの目盛を調整して、Ｃｔ　Ｈ−の流量
を５５　ｓｃｃｍ、　ＣＨ４を６０ｓｃｃｍ、　Ｈ２を
１００５ｃｃｎ＋となるように設定して反応室（７３３
）内へ流入した。

夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が
１　、５　ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電
性基＠（７５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０ｍｍのアル
ミニウム板を用いて２５０°Ｃに予じめ加熱しておき、
各ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源
（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に、２０
０　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３．５６ＭＨ２）を印
加して約５時間プラズマ重合を行ない、厚さ約５μｍの
電荷輸送層を形成した。

この膜中のＮ　ｌ：　Ｎ　２は約４４：５６、即ち、１
゜■、２７であった。

その上に実施例２の（ＩＩ）で示した電荷発生層を形成
した感光体を得た。この感光体はＶ、＝−５００ｖｏｌ
ｔ％Ｅｌ／２＝約１．２１ｕｘ−ｓｅｃであった。また
、作像、転写したところ鮮明な画像が得られた。

実施例５ （１）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部をＩ　Ｏ−ＢＴｏｒｒ
程度の高真空にした後、第１および第２調整弁（７０７
）ないしく７０８）を開放し、第１タンク（７０１）よ
りＣＩ−（４ガス、第２タンク（７０２）よりＨ，ガス
を出力圧ゲージＩＫｇ／ｃｍ２の下でマスフローコント
ローラ（７［３）および（７１４）内へ流入させた。そ
して、各マスフローコントローラの目盛を調整して、Ｃ
Ｈ，の流量を９０ｓｅｃｍ、　Ｈ２を１５０ｓｅｃｍと
なるように設定して反応室（７３３）内へ流入した。夫
々の流ｍが安定した後に、反応室（７３３）の内圧が０
．＋３　ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性
基板（７，５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０ｘｍのアル
ミニウム板を用いて３５０℃に予じめ加熱しておき、各
ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に、３６０
　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加
して約１２時間プラズマ重合を行ない、導電性基板（７
５２）上に厚さ約６．５μｍの電荷輸送層を形成した。

この膜中のＮ　ｒ　：　Ｎ　ｔは５：９５、即ち、ｌ：
１９であった。その上に実施例２の（ＩＩ）で示した電
荷発生層を形成した感光体を得た。この感光体は、Ｖｏ
＝−５６０ｖｏｌｔＳＥｌ／２＝　２．８１ｕｘ−ｓｅ
ａであった。また作像、転写したところ鮮明な画像が得
られた。

実施例６ （Ｉ）第１３図に示すグロー放電分解装置において、ま
ず、反応室（７３３）の内部を１０−　ａＴｏｔｒ程度
の高真空にした後、第６および第７調整弁（７１２）お
よび（７２５）を開放し、第６タンク（７０６）よＨｅ
ガス、第１容器（７１９）よりスチレンガスをマスフロ
ーコントローラ（７１８）および（７２８）内へ流入さ
せた。第１容器（７１９）は第１加熱器（７２２）によ
り約２０°Ｃに加熱した状態で用いた。そして、各マス
フローコントローラの目盛を調整して、スチレン（ＣＩ
ｌＨ８）の流量を５０　ｓｅｃｍ、　Ｈｅを３０ｓｅｃ
ｍとなるように設定して反応室（７３３）内へ流入した
。夫々の流電が安定した後に、反応室（７３３）の内圧
が０　、５　Ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導
電性基板（７５２）としては、３ｘ５０Ｘ５０ｍｍのア
ルミニウム板を用いて１５０℃に予じめ加熱しておき、
各ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で低周波電源
（７４１）を投入し電力印加電極（７３６）に１５０ｗ
ａｔｔｓの電力（周波数３０ＫＩ−Ｉｚ）を印加して約
４０分プラズマ重合を行ない、導電性基板（７５２）上
に、厚さ約８μｍの電荷輸送層を形成した。

この膜中のＮ　＋　：　Ｎ　２は６３：３７、即ち、ｌ
：０゜５９であった。その上に実施例２の（ｎ）で示し
た電荷発生層を形成した感光体を得た。この感光体は、
Ｖａ＝　−６５０ｖｏｌｔ、　Ｅｌ／２＝　２．９１ｕ
ｘ−ｓｅａであった。また作像、転写したところ鮮明な
画像が得られた。

発明の効果 本発明による有機プラズマ重合膜を電荷輸送層に有する
感光体は電荷輸送性、帯電能に優れ、膜厚が薄くても充
分な表面電位を得ることができ、かつ良好な画像を得る
ことができろ。本発明に従えば、電荷発生層にａ　−Ｓ
　ｉを使用する場合、従来のａ−Ｓｉ感光体では達成す
ることのできなかった薄膜の感光体を得ることができる
。

本発明感光体はその原料が安価であり、必要な各層が同
一の槽内で成膜できるとともに、膜厚が薄くてよいので
、製造コストか安く、かつ製造時間が短くて済む。　本
発明による存機プラズマ重金膜は、薄膜に形成してもピ
ンホールが生じにく、均質に形成することができるので
、薄膜化が容易である。さらに耐コロナ性、耐酸性、耐
湿性、耐熱性、トナーの離型性および剛直性にも優れて
いるので、表面保護層として使用すると感光体の耐久性
が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図から第１２図は本発明感光体の模式的断面図を示
す。 第１３図は感光体製造装置を示す概略図である。 第１４図は感光体テスターを示す概略図である。 図中の記号は以下の通りである。 （１）・・・基板　　　　（２）・・・電荷輸送層（ａ
−０層）（３）・・・電荷発生層　（４）・・・オーバ
ーコート層（５）・・・アンダーコート層 （７０１）〜（７０６）・・・タンク （７０７）〜（７１２）及び（７２５）〜（７２７）・
・・調節弁（７１３）〜（７１８）及び（７２８）〜（
７３０）・・・マスフローコントローラー （７１９）〜（７２１）・・・容器（７３２）・・・主
管（７３３）・・・反応室　　　（７３５）・・・接地
電極（７３６）・・・電力印加用電極 （７３９）・・・高周波電源　（７４１）・・・低周波
電源（７４３）・・・直流電圧源 （７４７）〜（７５０）・・・真空ポンプ（７５２）・
・・導電性基板 （３５）・・・試料、　　　　　（３６）・・・シール
ドカバー（３７）・・・スキャニングテーブル （３８）・・・光電流モニター（３９）・・・スイッチ
（４０）・・・直流高電圧　　（４１）・・・総電流モ
ニター（４２）・・・チャージャー （４３）・・・ハロゲンランプ（４４）・・・鏡（４５
）・・・コールドフィルター （４６）・・ＮＤフィルター （４７）・・・シャッター　　（４８）・・・透明電極
（４９）・・・表面電位メーター （５０）・・・レコーダー　　（５１）・・・放電領域
（５２）・・・帯電領域 １１１２　　　　　　　　第２図 １１１１　　　　　第５７ 第７：　　　　　　　箒８７ 何１０ワ　　　　　　　　窩１１フ 第３図 ＷＥ６図 第Ｓ＝ 第１２−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）とを有する機
   能分離型感光体において、電荷輸送層（２）が水素を含
   む非晶質炭素膜で、その化学構造において水素と結合し
   ていない炭素のうち、不飽和結合を有する炭素数Ｎ＿１
   と不飽和結合を有しない炭素数Ｎ＿２の比Ｎ＿１：Ｎ＿
   ２が１：２０ないし１：０．５であることを特徴とする
   感光体。