JPS62238570A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は感光体、特に電子写真感光体に関する。

従来技術 近年、感光体、特に電子写真用感光体にプラズマ化学蒸
着法（以下、Ｐ−ＣＶＤ法という）により作製されたア
モルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｔと略す）が採用さ
れるに至っている。

ａ−Ｓｉ感光体は種々の優れた特性を有する。しかしａ
−Ｓｉは比誘電率εが１２程度と大きいため、感光体と
して充分な表面電位を得るためには、本質的に最低２５
μｍ程度の膜厚が必要であるという問題がある。ａ　−
Ｓ　ｉ感光体は、Ｐ−ＣＶＤ法においては膜の堆積速度
が遅いため作製に長時間を要し、さらに均質な膜のａ　
−Ｓ　ｉを得ることが作製時間が長くなる程難しくなる
。その結果、ａ　−Ｓ　ｉ感光体は白斑点ノイズ等の画
像欠陥が発生する確率が高く、さらに原料費が高いとい
う欠点等がある。

上記の欠点を改良するための種々の試みがなされている
が、本質的に膜厚をこれより薄くすることは好ましくな
い。

一方、ａ−９ｉ悪感光は基板とａ−３ｉとの密着性、さ
らに耐コロナ性、耐環境性あるいは耐薬品性が悪いとい
った欠点も存在する。

そのような問題点を解消するためａ機プラズマ重合膜を
ａ−９ｉ悪感光のオーバーコート層あるいはアンダーコ
ート層として設ける事が提案されている。前者の例は、
例えば特開昭６０−６１７６１号公報、特開昭５９−２
１４８５９号公報、特開昭５１−４６１３０号公報ある
いは特開昭５０−２０７２８号公報等が知られており、
後者の例は、例えば特開昭６０−６３５４１号公報、特
開昭５９−１３６７４２号公報、特開昭５９−２８１６
１号公報あるいは特開昭５９−３８７５３号公報等が知
られている。

その他プラズマ重合法を使用したものとして、例えば特
開昭５９−１４８３２６号公報、特開昭５６−６０４４
７号公報あるいは特開昭５３−１２０５２７号公報等が
知られている。

有機プラズマ重合膜はエチレンガス、ベンゼン、芳香族
シラン等のあらゆる種類の有機化合物のガスから作製で
きること（例えばニー、ティ、ベル（Ａ、Ｔ、Ｂｅ１ｌ
）、エム、ジエン（Ｍ、　５ｈｅｎ）ら、ジャーナル　
オブ　アプライド　ポリマー　サイエンス（Ｊｏｕｎａ
ｌｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｏｌｙｍｅｒ　　５ｃ
ｉｅｎｃｅ）、第１７巻、８８５−８９２頁（１９７３
年）等）が知られているが、従来の方法で作製した有機
プラズマ重合膜は絶縁性を萌提とした用途に限って用い
られている。従って、それらの膜は通常のポリエチレン
膜のごと＜１０′８Ωｃｍ程度の電気抵抗を有する絶縁
膜と考えられ、あるいは少なくともその様な膜であると
の認識のらとに用いられていた。

特開昭６０−６４７６１号公報記載の技術は、５００人
〜２μｍのダイヤモンド状炭素絶縁膜を表面保護層とし
て被覆した感光体を開示している。

この炭素薄膜はａ−９ｉ悪感光の耐コロナ放電および機
械的強度を改良するためのちのである。重合膜は非常に
薄く、電荷はトンネル効果により膜中を移動し、膜自体
電荷輸送能を必要としない。また、有機プラズマ重合膜
のキャリアー輸送性に関しては一切記載がないし、ａ　
−Ｓ　ｉの持つ前記した本質的問題を解決するものでな
い。

゛　特開昭５９−２１４８５９号公報には、スチレンや
アセチレン等の有機炭化水素モノマーをプラズマ重合に
より厚さ５μｍ程度の有機透明膜のオーバーコート層と
して被膜する技術が開示されているが、その層はａ　−
Ｓ　ｉ感光体の画像流れの防止および剥離・、耐久性、
ピンホール、生産効率を改良するしのである。有機プラ
ズマ重合膜のキャリアー輸送性に関しては一切記載がな
いし、ａ−３ｔの持つ前記した本質的問題を解決するも
のでない。

特開昭５１−４６１３０号公報には、Ｎ−ビニルカルバ
ゾールをグロー放電により、表面に厚さ３〜０００１μ
ｍの有機プラズマ重合膜として形成した感光体を開示し
ている。この技術は、正帯電でしか使用できなかったポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール系感光体を両極性帯電で使
用可能にすることを目的とする。この膜は０．００１〜
３μｍと非常に薄く、オーバーコート的に使用される。

重合膜は非常に薄く、電荷輸送能を必要としないものと
考えられる。また、重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載かないし、ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記した本質
的問題を解決するものでない。

特開昭５０−２０７２８号公報には、基板上に増感層、
有機先導電性電気絶縁体とを順次積層し、さらにその上
に厚さ０．１−１μｍのグロー放電重合膜を形成する技
術が開示されているが、このＩＩ市は月オ預イ優ｚ１−
面十六Ａ士ら？、−害面本！？！伍すＡ目的のものであ
り、オーバーコート的に使用される。

重合膜は非常に薄く、電荷輸送層として使われているも
のではない。重合膜のキャリアー輸送性に関しては一切
記載がないし、ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記した本質的問題
を解決するものでない。

特開昭６０−６３５４１号公報は、ａ−５ｉのアンダー
コート層に２００人〜２μｍのダイヤモンド状有機プラ
ズマ重合膜を使用した感光体について開示しているが、
その有機プラズマ重合膜は基板とａ−Ｓｉの密着性を改
善する目的のものである。

重合膜は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効果により
膜中を移動し、膜自体は電荷輸送能を必要としない。ま
た、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関しては
一切記載がないし、ａ−Ｓｉの持つ前記した本質的問題
を解決する乙のでない。

特開昭５９−１３６７４２号公報には、基板上に約５μ
ｍの有機プラズマ重合膜、シリコン膜を順次形成する半
導体装置が開示されている。しかし、その有機プラズマ
重合膜は、基板であるアルミニウムのａ−Ｓｉへの拡散
を防止する目的のものであるが、その作製法、膜質等に
関しては一切記載がない。また、有機プラズマ重合膜の
キャリアー輸送性に関しても一切記載がないし、ａ−Ｓ
ｉの持つ前記した本質的問題を解決するものでない。

特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に有機プラ
ズマ重合膜、ａ　−Ｓ　ｉを順次形成した感光体が開示
されている。有機プラズマ重合膜は、その絶縁性を利用
したアンダーコート層でありブロッキング層、接着層あ
るいは剥離防止層として機能するものである。重合膜は
非常に薄くてよい（５μｍ１好ましくは１μｍ以下）。

薄膜であれば不充分な電荷輸送能であっても、表面電位
（残留電位）の上昇の問題は生じない。繰り返し使用に
よりアンダーコート部での電界が上昇し、それによるキ
ャリアの通過が大きくなること（トンネル効果）で、残
留電位の上昇が低く抑えられるという現象があるからで
ある。従って本件の重合膜はアンダーコート層として使
えても、キャリアー送性としては使えない。

また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載がないし、ａ−Ｓｉの持つ前記した本質的問
題を解決するものでない。

特開昭５９−３８７５３号公報には酸素、窒素および炭
化水素の混合ガスからプラズマ重合により１０−１００
人の有機プラズマ重合薄膜を形成し、その上にａ　−Ｓ
　ｉ層を成膜する技術が開示されている。有機プラズマ
重合膜は、他の有機高分子に比べて熱劣化がなく、また
、絶縁性を利用したアンダーコート層でありブロッキン
グ層あるいは剥離防止層として機能するものである。重
合膜は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効果により膜
中を移動し、膜自体は電荷輸送能を必要としない。

また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載がないし、ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記した本質
的問題を解決するものでない。

特開昭５−９−１４８３２６号公報は、ガスを予備分解
、予備重合することを特徴とするｐ−ｃｖＤ薄膜製造方
法を開示するが、実施例はＳｉ系の物質を利用したもの
のみが例示されているに過ぎない。

特開昭５６−６０４４７号公報は、有機化合物とハロゲ
ン化合物混合物の蒸気をプラズマ重合し、有機光導電性
膜を形成する方法を開示する。この技術は、ハロゲン導
入プラズマ重合膜が近赤外域（０，８〜３．０μｍ）に
高感度を有することを示しているが、その膜は近赤外線
センサーへの応用を目的とするらのであり、本願のよう
に電子写真感光体への使用を目的にするものでなく、ま
た感光体に使用できるか否かについては触れられていな
い。

特開昭５３−１２０５２７号公報は、ポジ型放射線感応
材料層を炭化水素およびハロゲン化水素のプラズマ重合
法で形成する方法が開示されている。本件はポジ型レジ
スト材料を電子線、Ｘ線、λ線あるいはα線により架橋
させ作製する方法であり、電子写真感光体への使用を目
的とずろものでない。

発明が解決しようとする問題点 以上のように、従来、感光体に用いられているｔテ謡舌
春「凸ｌ十ア・ノ）Ｉ−−１−に囲ふスｌ）１千す一ノ
く−コート層として使用されていたが、それらはキャリ
アの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜が
絶縁性であるとの判断にたって用いられている。従って
その厚さも高々５μ屑程度の極めて薄い膜としてしか用
いられていず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過す
るか、トンネル効果が期待できない場合には、実用上の
残留電位としては問題にならないですむ程度の薄い膜で
しか用いられない。

本発明者らは、有機重合膜のａ−Ｓｉ感光体への応用を
検討しているうちに、本来絶縁性であると考えられてい
た有機重合膜が、ある特定の結合様式で存在する炭素原
子（例えば、炭素−炭素二重結合、第四炭素等）の含有
割合が異なると、電気抵抗も変化し、ある割合になると
電荷輸送性を示し始める事を見出だした。

本発明はその新たな知見をを利用することにより、従来
のａ−９ｉ感光体の持つ問題点、すなわちａ　−Ｓ　ｉ
の膜厚、製造時間、製造コスト等における問題点等をす
べて解消し、また従来とは全く使用目的も、特性も異な
る有機重合膜、特に有機プラズマ重合膜を使用した感光
体およびその製造方法を提供することを目的とする。

問題点を解決するための手段 すなわち、本発明は電荷発生層（３）と電荷輸送層（２
）とを有する機能分離型感光体において、電荷輸送層（
２）が水素を含む非晶質炭素膜で、その化学構造におい
て水素と結合した炭素のうち、不飽和結合を有する炭素
数Ｎ、と不飽和結合を有しない炭素数Ｎ、の比Ｎ、：Ｎ
、が１：１ないし１：１６であることを特徴とする感光
体に関する。

本発明感光体は少なくとも電荷発生層と電荷輸送層から
構成される。

電荷発生層は、水素を含有する非晶質炭素膜（以下、ａ
−Ｃ膜という）である。水素含有炭素膜（ａ　−Ｃ膜）
中の水素含量は、２０〜６７　ａｔｏｍｉｃ％、好まし
くは４０〜６７　ａｔｏｍｉｃ％、特に４５〜６５ａｔ
ｏｍｉｃ％含量されることが望ましい。ａ−Ｃ膜中に含
有される水素の量が２０　ａｔｏｍｉｃ％より少ないと
好適な輸送性が得られず、６７　ａｔｏｍｉｃ％より多
いと膜質の劣化、成膜性の低下をきたす。

本発明感光体の特徴は、電荷輸送層としてａ−Ｃ膜を設
け、さらにそのａ−Ｃ膜中に含有されろ炭素で、水素と
結合した炭素の内、不飽和結合を有する炭素数Ｎ１と不
飽和結合を有しない炭素数Ｎ２の比Ｎ　Ｉ：　Ｎ　ｔが
ｌ＝１ないし１：１６であることにある。

本発明のａ−Ｃ膜中には、種々の結合様式をした炭素原
子、例えば単結合（フリーラジカル）、二重結合あるい
は三重結合等が存在し、更にそれらは水素原子が結合し
ているものあるいは水素原子が結合していないものとし
て存在する。

本発明のａ−Ｃ膜中における炭素原子が、水素と結合し
た炭素であり、かつ不飽和結合を有する炭素あるいは不
飽和結合を有しない炭素であることおよびそれらの数は
、赤外吸収スペクトル、プロトンによる核磁気共鳴（’
Ｈ−ＮＭＲ）あるいは”ｃによる核磁気共鳴（”Ｃ−Ｎ
ＭＲ）等を測定することにより識別することができる。

本発明において不飽和結合というのは炭素−炭素二重結
合および／または炭素−炭素三重結合ををいう。

本発明においては水素と結合した炭素の内、不飽和結合
を有する炭素数Ｎ１と不飽和結合を有しない炭素数Ｎ、
の比Ｎ　＋　：　Ｎ　２がｌ：Ｉないし夏：１６である
ことが重要である。

本発明のａ−Ｃ膜は、Ｎ、の値を１としたときＮ。

の値が１−１６、より好ましくは１．２〜１４、特に１
．５〜７であるとき電荷輸送層として適しており、１６
より大きいと好適な輸送性が得られず、そのような膜が
電荷輸送層に用いられた感光体は光感度がなく、キャリ
アの注入あるいは輸送能力が非常に悪いものとなる。１
より小さいと、膜中の不飽和結合手（例えば、炭素の二
重結合手）が過剰となり、さらにそれがキャリアーの輸
送性を妨げるトラソプザイトとなり、そのような膜を電
荷輸送層に用いた感光体は充分な帯電電位を得ることが
できないばかりか、帯電、露光の繰り返して残留電位が
上昇する等、静電特性の弊害が生比抵抗がＩＱＩＩΩＣ
２１Ｉ程度以上となり、キャリアの移動度が１０−　’
ｃ１／　（ｖ−ｓｅｃ）以上となり、良好な電荷輸送機
能が得られる。

本発明によるａ−Ｃ膜中には種々の結合様式をした炭素
原子が存在するが、それらの全炭素原子数は、膜の組成
分析と比重から求められる。すなわち、ａ−Ｃ膜のＣと
Ｈの組成分析比がＣＸＨｙ（ｘ＋ｙ＝１）で、膜の比重
がＷ（ｇ／ｃｍっであると、膜１　ｃｍ’中の全炭素原
子数Ｃｃは下式［■］：［式中Ｃｃは全炭素数、Ｗは比
重、Ｘおよびｙは炭素および水素の組成分析比、Ａはア
ボガドロ数（個／ｍｏｌ）を表す。］に従い得ることが
できる。本発明においては水素と結合した炭素の数が、
全炭素数に対して６０〜９５％である膜が望ましい。

ａ−Ｃ膜の厚さは５〜５０７ｚｍ１特に７〜３０μｍが
適当であり、５μｍより薄いと帯電能が低く充分な複写
画像濃度を得ることができない。５０μｍより厚いと生
産性の点で好ましくない。このａ−Ｃ層は透光性、高暗
抵抗を有するとともに電荷輸送性に富み、膜厚を上記の
ように５μｍ以上としても電荷トラップを生じることな
くキャリアを輸送する。

ａ−Ｃ層を形成するための有機化合物としては、ガス状
のものでも液体状のものでもよく、必ずしも気相である
必要はなく、加熱或いは減圧等により溶融、蒸発、昇華
等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使
用可能である。　該炭化水素としては・、例えば、メタ
ン列炭化水素、エチレン列炭化水素、アセチレン列炭化
水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、等が用いられ
る。

メタン列炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、
プロパン、ブタン、ペンタノ、ヘキサン、ヘプタン、オ
クタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリ
デカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、
ヘプタデカン、オクタデカン、ノナデカン、エイコサン
、ヘンエイコサン、トコサン、トリコサン、テトラコサ
ン、ペンタコサン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オク
タコサン、ノナコサン、トリアコサン、トドリアコサン
、ペンタトリアコンクン、等のノルマルパラフィン並び
に、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘ
キサン、ネオヘキサン、２．３−ジメチルブタン、２−
メチルヘキサン、３−エチルベンゼン、２．２−ジメチ
ルベンクン、２．４−ジメチルベンクン、３．３−ジメ
チルペンタン、トリブタン、２−メチルへブタン、３−
メチルへブタン、２．２−ジメチルヘキサン、２，２．
５−ジメチルヘキサン、２，２．３−トリメチルペンタ
ン、２，２．４４リメチルペンタン、２，３．３−トリ
メチルペンタン、２，３．４−トリメチルペンタン、イ
ソナノン、等のイソパラフィン、等が用−いられる。

エチレン列炭化水素としては、例えば、エチレン、プロ
ピレン、イソブチレン、ｌ−ブテン、２−ブテン、■−
ペンテン、２−ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３
−メチル−１−ブテン、２−メチル−２−ブテン、■−
ヘキセン、テトラメチルエチレン、ｌ−ヘプテン、ｌ−
オクテン、ｌ−ノネン、！−デセン、等のオレフィン並
びに、アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェ
ン、ヘキサジエン、シクロペンタジェン、等のジオレフ
ィン並びに、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキ
サトリエン、等のトリオレフイン、等が用いられる。

アセチレン列炭化水素としては、例えば、アセチレン、
メチルアセチレン、ｌ−ブチン、２−ブチン、■−ペン
チン、１〜ヘキシン、■−ヘプチン、１−オクテン、ｌ
−ノニン、１−デシン等が用いられろ。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロベンクン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニジン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ピサボジ
ン、ジンギベジン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンポジン、フィａクラテン、ポドカルプ
レン、ミジン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。

芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、スチルベン、イソサン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フェナントレン、等が用いられ
る。

本発明においてａ−Ｃ膜を形成させる場合、上記有機化
合物を２種類以上の混合気体で使用してもよい。ａ−Ｃ
膜は各種共重合体（ブロック共重り体、ブラット共重合
体等）が多く形成され、硬度および付着性が向上する。

また、アルカン系炭化水素（Ｃｎ”　２ｎ＋　２）を使
用すると、ビッカース硬度２０００以上、電気抵抗１０
’Ωｃｍのダイヤモンド状超硬質の、所謂ｉ−Ｃ膜も形
成させることができる。ただし、この場合のプラズマ条
件は高温、低圧、高パワーが必要で、更に基板に直流バ
イアスを印加する必要もある。

キャリアガスとしてはＡｒ、Ｈ，、Ｎｅ、Ｈｅ等の不活
性ガスが適当である。

本発明においては、ａ−Ｃ膜の形成には、直流、高周波
あるいは低周波やマイクロ波プラズマ法等の種々のプラ
ズマ法を使用することができる。あるいは、後述されて
いるが、電磁波（Ｘ線、レーザ光等）や上記プラズマと
の併用も可能である。

それらの重合法の選択により、同一のモノマーでも、色
々異なった特性を有するａ−Ｃ膜を得ることができる。

たとえば、低周波プラズマ法（周波数が数十Ｈｚ〜数百
ＫＨｚ）を使用すると高硬度のａ−Ｃ膜を得ることがで
きる。本発明においてａ−Ｃ膜を形成させる際重要なこ
とは、水素と結合した炭素の内、不飽和結合を有する炭
素数Ｎ１と不飽和結合を有しない炭素数Ｎ２の比Ｎ　１
：　Ｎ　２が１：Ｉないし１：１６となるように形成す
ることである。また、電荷発生層を高周波プラズマまた
はＰ−ＣＶＤ法により形成する場合には、ａ−Ｃ膜も同
様の方法で成膜したほうが、製造装置コスト、工程の省
力化につながり好ましい。

本発明感光体の電荷発生層は特に限定的ではなく、アモ
ルファスシリコン（ａ−９ｉ）膜（特性を変えるため種
々の異種元素、例えばＨＳＣ，０１Ｓ１Ｎ、Ｐ、Ｂ、ハ
ロゲン、Ｇｅ等を含んでいてもよく、また多層構造であ
ってもよい）、Ｓｅ膜、５ｅ−Ａｓ膜、Ｓ　ｅ−Ｔ　ｅ
膜、ＣｄＳ膜、銅フタロシアニン、酸化亜鉛等の無機物
質および／またはビスアゾ系顔料、トリアリールメタン
系染料、チアジン系染料、オキサジン系染料、キサンチ
ン系染料、シアニン系色素、スチリル系色素、ピリリウ
ム系染料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、インジゴ
系顔料、ペリレン系顔料、多環キノン系顔料、ビスベン
ズイミダゾール系顔料、インダスロン系顔料、スクアリ
リウム系顔料、フタロシアニン系顔料等の有機物質を含
有する樹脂膜等が例示される。

これ以外にも、光を吸収し極めて高い効率で電荷担体を
発生する材料であれば、いずれの材料であっても使用す
ることができる。

電荷発生層は公知の方法、例えば上記物質の粉体を適当
な樹脂に分散させ成膜する方法を使用して設けてもよく
、本発明において電荷輸送層をプラズマ法で形成する場
合には、電荷発生層ら同様の方法で成膜したほうが、製
造装置コスト、工程の省力化につながり好ましい。また
電荷発生層を公知の方法で設ける場合には上記物質の粉
体の表面をあらかじめプラズマ重合により薄膜コーティ
ング処理し成膜した有機物質を使用することも有効であ
る（例えば、樹脂中にこれらを分散する場合には、表面
コートすることで分散性が向上したり、耐溶剤性を加味
させ、変質を防止する等の手段が考えられる）。

電荷発生層は、感光体のどの位置に設けてもよく、たと
えば最上層、最下層、中間層いずれに設けてもよい。膜
厚は素材の種類、特にその分光吸収特性、露光光源、目
的等にもよるが、一般に５５０ｒ＋ｍの光に対して９０
％以上の吸収が得られるように設定される。ａ−９ｉの
場合で０．１〜３μｍである。

本発明においては、ａ−Ｃ電荷輸送層の帯電特性を調節
するために、炭素または水素以外のへテロ原子を混入さ
せてもよい。例えば、正孔の輸送特性をさらに向上させ
るために、周期律表第１ＩＩ族原子、あるいはハロゲン
原子を混入してもよい。

電子の輸送特性をさらに向上させるために、周期律表第
Ｖ族原子あるいはアルカリ金属原子を混入してもよい。

正負両キャリアの輸送特性を更に向上させろために、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、アルカリ土類金属、カルコケン原子を混入し
てもよい。

これらの原子は複数用いてもよいし、目的により、電荷
輸送層内で、特定の位置だけに混入してもよいし濃度分
布等を有してもよいが、いずれの場合においても重要な
ことは、該プラズマ重合膜中に、水素と結合した炭素の
うち、不飽和結合を有する炭素数Ｎ、と不飽和結合を有
しない炭素数Ｎ２の比Ｎ、：Ｎｔが１：１−１：Ｉ　６
であるように形成することである。

第１図から第１２図は本発明感光体の一態様を示す模式
的断面図である。図中、（１）は基板、（２）は電荷輸
送層としてのａ−Ｃ膜、（３）は電荷発生層を示してい
る。第１図に示す態様の感光体において、例えば十帯電
し続いて画像露光すると、電荷発生層（３）でチャージ
キャリアが発生し電子は表面電荷を中和する。一方、正
孔はａ−Ｃ膜（２）の優れた電荷輸送性に保証されて基
板（１）側へ輸送される。第１図の感光体を一帯電で用
いるときは、上記と反対にａ−Ｃ膜（２）中を電子が輸
送される。

第２図の感光体はａ−Ｃ膜（２）を最上層とじて用いた
例で、十帯電で用いるときは、ａ−Ｃ膜（２）中を電子
が一帯電で用いるときは、ａ−Ｃ膜中を正孔が輸送され
る。

第３図に示す感光体は、基板（１）上に電荷輸送層（２
）を有し、電荷発生層（３）が、該電荷輸送層（２）に
サンドイッチされるように設けられた例である。

第４図〜第６図に示す感光体は、第１図〜第３図におい
て示した感光体においてさらにオーバーコート層（４）
として厚さ０．０１〜５μｍの表面保護層を設けた例で
、感光体が使用されるシステムおよび環境に応じて、電
荷発生層（３）あるいは電荷輸送層ａ−Ｃ膜（２）の保
護と初期表面電位の同一上を図ったものである。表面保
護層は公知の物質を用いればよく、本発明においては、
有機プラズマ重合によって設けることが製造工程の面等
から望ましい。本発明ａ−Ｃ＠を使用してもよい。この
保護層（４）にも必要に上りへテロ原子を混入してもよ
い。

第７図〜第９図に示す感光体は、第１図〜第３図におい
て示した感光体において、さらにアンダーコート層（５
）として厚さ０．０１〜５μｍの接着層、あるいは障壁
層を設けた例で、用いる基板（１）またはその処理方法
に応じて接着性または注入防止効果を図ったしのである
。更に第７図〜第９図の感光体に第４図〜第６図で示し
たオーバーコート層（４）を設けてもよい（第１Ｏ図〜
第１２図）。

本発明感光体においては、第２図、第３図、第８図ある
いは第９図のごと＜ａ−Ｃ膜が最表面になりうる構成の
場合、そのｉ−Ｃ膜にさらに酸素、水素、不活性ガスや
ドライエツチング用ガス（例えば、ハロゲン化炭素）あ
るいは窒素等のプラズマを照射して、表面改質を行うこ
とも可能である。

そうすることにより感光体の耐湿性、耐摩耗性および帯
電能をさらに向−ヒさせることができる。

本発明感光体は電荷発生層と電荷輸送層とを有する。従
ってこれを製造するには少なくとも二工程を必要とする
。電荷発生層として、例えばグロー放電分解装置を用い
て形成したａ−９ｉＪｉＪを用いるときは、同一の真空
装置を用いてプラズマ重合を行なうことが可能であり、
従ってａ−Ｃ電荷輸送層や表面保護層、バリア一層等は
プラズマ重合法により行なうのが特に好ましい。

本発明による電子写真感光体の電荷輸送層は、気相状態
の分子を減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気
中に含まれる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散
、電気力、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での
再結合反応により固相として堆積させる、所謂プラズマ
重合反応から生成される。

第１３図は本発明に係る感光体の製造装置で容量結合型
プラズマＣＶＤ装置を示す。電荷輸送層としてプラズマ
重合ポリエチレン群を宵する感光体を例にとり、その製
造法を第１３図を用いて説明する。

第１３図は本発明に係わる電子写真感光体の製造装置を
示し、図中（７０１）〜（７０６）は常温において気相
状態にある原料化合物およびキャリアガスを密封した第
１乃至第６タンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節
弁（７０７）〜（７１２）と第１乃至第６流ｍ制御器（
７１３）　〜（７１８）ｌ：接続されている。

図中（７１９）〜（７２１）は常温において液相または
固相状態にある原料化合物を封入した第１乃至第３容器
で、各々の容器は気化のため第Ｉ乃至第３温調器（７２
２）〜（７２４）により温調可能、例えば、常温〜１５
０℃、あるいは−５０℃〜常温であり、さらに各々の容
器は第７乃至第９調節弁（７２５）〜（７２７）と第７
乃至第９流量制御器（７２８）〜（７３０）に接続され
ている。

これらのガスは混合器（７３１）で混合された後、主管
（７３２）を介して反応室（７３３）に送り込まれる。

途中の配管は、常温において液相または固相状態にあっ
た原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しないよう
に、適宜配置された配管加熱器（７３４）により、与熱
可能とされている。

反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（７３
６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器（７
３７）により与熱可能とされている。

電力印加電極には、高周波電力用整合器（７３８）を介
して高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（７４
０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィルタ
（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されてお
り、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異なる
電力が印加可能とされている。

反応室内の圧力は圧力制御弁（７４５）により調整可能
であり、反応室内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を
介して、拡散ポンプ（７４７）、油回転ポンプ（７４８
）、あるいは冷却除外装置（７４９）、メカニカルブー
スターポンプ（７５０）、油回転ポンプにより行なわれ
る。

排ガスについては、さらに適当な除外装置（７５３）に
より安全無害化した後、大気中に排気される。

これら排気系配管については、常温において液相または
固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器により、
与熱可能とされている。

反応室ら同様の理由から反応室加熱器（７５１）により
与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性基板（
７５２）が設置される。

第１３図に於いて導電性基板は接地電極に固定して配さ
れているが、電力印加電極に固定して配されてもよく、
更に双方に配されてもよい。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−’乃至ＩＱ−１′程度にまで減圧し、真空度の確認
と装置内部に吸着したガスの脱着を行う。

同時に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配
された導電性基板を所定の温度まで昇温する。

次いで、第１乃至第６タンクおよび第１乃至第３容器か
ら原料ガスを第１乃至第９流量制御器を用いて定流量化
しながら反応室に導入し、圧力調節弁により反応室内を
一定の減圧状態に保つ。

ガス流量が安定化した後、接続選択スイッチにより、例
えば高周波電源を選択し、電力印加電極により高周波電
力を投入する。

両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の膜が形成される。

以上の構成において、例えば第１図に示した感光体を製
造する場合、反応槽（７３３）を一定の真空状態として
から、例えばガスライン（７３２）を介して第１タンク
（７０１）よりＣ，Ｈ，ガス、第２タンク（７０２）よ
りキャリアガスとしてＨ２ガスを供給する。

一方、高周波電源（７３９）より上部蓋極板（７３６）
に１０ｖａｔｔｓ〜ｌ　ｋｗａｔｔｓの電力を印加し両
電極板間にプラズマ放電を起こし、予め加熱されたＡρ
基板（７５２）上に厚さ５〜５０μｍのａ−Ｃ電荷輸送
層（２）を形成する。この電荷輸送層は本発明により生
成したａ−Ｃ膜中の水素と結合した炭素のうち、不飽和
結合を有する炭素数Ｎ１と不飽和結合を有しない炭素数
Ｎ、の比Ｎ　＋　：　Ｎ　ｔがＩ：ｌないしｌ：１６で
ある。この比は池の製造条件にも依存するが直流電圧源
（７４３）からｌＯＶ〜ＩＫＶのバイアス電圧を印加す
ることにより制御できる。即ち、水素と結合した炭素で
不飽和結合を有する炭素数はバイアス電圧を高くするこ
とによって減少し、ａ−Ｃ膜自体の硬度を高くすること
ができる。こうして形成されたａ−Ｃ電荷輸送層は透光
性、暗抵抗に優れ、ヂャージキャリアの輸送性に著しく
優れている。尚、この層に、例えば第４タンク（７０４
）よりＢＡＨ，ガス、または第５タンク（７０５）より
ＰＨ３ガスを導入してＰ、Ｎ型に制御して電荷輸送性を
一層高めても良い。

次に電荷発生層（３）は、第２及び第３タンク（７０２
）、（７０３）よりＨｚ、ＳｉＨ，ガスを導入すること
によりａ−９ｔを母体とする層として形成される。

また、電荷輸送層形成のため反応槽（７３３）へ導入す
る化合物が液体状の物質であるときは、先述、　　の方
法でガスを反応槽（７３３）へ導入し、プラズマ重合さ
せれば良い。また沸点の高い有機化合物からａ−Ｃ膜を
形成する場合は、基板上にあらかじめそれらの物質を塗
布しておき、次に真空槽中でキャリアーガス等のプラズ
マを照射して、重合を開始させてもよい（所謂、プラズ
マ開始重合法）。

本発明におけるａ−Ｃ膜形成プラズマ重合法は、さらに
レーザービーム、紫外線、Ｘ線あるいは電子線等の電磁
波を単独で、あるいは補助的に照射し、ａ−Ｃ膜を形成
すること（光アシスト法）や、磁界、バイアス直流電界
のアシストも有効である。

光アシスト法は、ａ−Ｃ膜の堆積速度を向上させ、製造
時間をさらに短縮させたい場合や、ａ−Ｃ膜の高度を上
昇させたい場合に有効である。

以下、実施例を挙げ、本発明を説明する。

実施例１ （Ｉ）電荷輸送層（ａ−０層の形成） 第１３図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応槽（７３３）の内部を１０−　”　Ｔｏｒｒ程度の高
真空にした後、第１および第２バルブ（７０７）および
（７０８）を開放し、第１タンク（７０１）よりＣ７Ｈ
４ガス、第２タンク（７０２）よりＨ，ガスを出力圧ゲ
ージＩＫｇ／ｃｍ’の下でマスフローコントローラ（７
１３）および（７１４）内へ流入させた。そして、各マ
スフローコントローラの目盛を調整して、Ｃ，Ｈ。

の流量を３０ｓｅｃｍ、　Ｈｚを５０　ｓｅｃｍとなる
ように設定して反応槽（７３３）内へ流入した。夫々の
流量が安定した後に、反応槽（７３３）の内圧が０　、
５　Ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性基板
（７５２）としては、２ｘ５０ｘ５０ｍｍのアルミニウ
ム板を用いて２５０°Ｃに予じめ加熱しておき、各ガス
流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（７３
９）を投入し上部電極板（７３６）にｌ　ＯＯｗａｔｔ
ｓの電力（周波数１３．５６ＭＨ２）を印加して約３．
５時間プラズマ重合を行ない、導電性基板（７５２）上
に、厚さ約６μｍのプラズマ重合エチレン膜からなる電
荷輸送層を形成した。

以上のようにして得られたプラズマ重合エチレン膜をフ
ーリエ変換赤外分光（パーキンエルマー社製）、′３Ｃ
−ＮＭＲ装置（日本電子社製固体ＮＭＲ）および’Ｈ−
ＮＭＲ装置（日本電子社製固体ＮＭＲ）等で測定し、分
析したところ、プラズマ重合エチレン膜の化学構造にお
いては水素と結合していない炭素のうち、不飽和結合を
有する炭素数Ｎ、と不飽和結合を有しない炭素数Ｎ２の
比Ｎ、：Ｎ、は約ｌ：５であった。またその膜の電気抵
抗を測定したところ、暗抵抗が約２．５Ｘ１０”０ｃｍ
以下であり、明暗抵抗比が１０２〜１０’以上であった
。本発明プラズマ重合エチレン膜は電子写真感光体とし
て十分使用できることが判った。

（ＩＩ）電荷発生層（ａ　−Ｓ　ｉ層の形成）基板（１
）上にプラズマ重合エチレン膜を（Ｉ）の過程により形
成後、高周波電源（７３９）からの電力印加を一次停止
し、反応槽の内部を真空にした。

第３および第２バルブ（７０９）および（７０８）を開
放し、第３タンク（７０３）よりＳｉＨ４ガス、第２タ
ンク（７０２）からＨ，ガスを出力圧ゲージ１Ｋｇ／ｃ
ｍ’の下でマスフローコントローラ（７１５）および（
７１４）内へ流入させた。各マスフローコントローラの
目盛を調整して、ＳｉＨ，の流量を９０　ｓｅｃｍ、　
ｌ−１ｔの流量を２１０ｓｅｃｍに設定し、反応槽に流
入させた。

夫々の流量が安定した後に、反応槽（７３３）の内圧が
１．０Ｔｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧か安定した状態で高周波源（７
３９）を投入し、電極板（７３６）に３０Ｗの電力（周
波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放電を発生さ
せた。このグロー放電を１０分間行ない厚さ１μｍのａ
−Ｓｉ：Ｈ電荷発生層を形成させた。

（■）（感光体の性能評価） 工程（１）および（ＩＩ）により、電荷発生層、ａ　−
３ｉ層をＡａ基板上に順次積層した感光体の性能評価を
実施した。評価は第１４図に示した感光体テスターを使
用し、帯電能および感度について行った。

作製した感光体試料（３５）をスキャニングテーブル（
３７）に載置し、シールドカバー（３６）で固定した。

スキャニングテーブル（３７）を帯電領域（５２）に移
動し、＋７．７ＫＶの直流高電圧（４０）により供給さ
れる高電圧をチャージャー（４２）に印加し、試料（３
５）の表面にコロナ放電を行った。次ぎにスキャニング
テーブル（３７）を放電領域（５１）に移動した。

コロナ帯電された試料の表面電位は透明電極（４８）に
より感知され、表面電位メーター（４９）でその値を読
み取られ、レコーダー（５０）に出力される。本発明感
光体は良好な帯電能を示した。

次に、シャッター（４７）を開き、鏡（４４）で反射し
たハロゲンランプ（４３）光を帯電している試料（３５
）の表面に照射した。照射は透明電極（４８）を通じて
行なわれ、照射による表面電位の変化はレコーダー　（
５０）に出力されるとともに、その時、流れた電流は光
電流モニター（３８）に検知される。本発明感光体は、
初期表面電位（Ｖ　ｏ）＝　　５１０　ｖｏｌｔのとき
の半減露光量Ｅ１／２が約０　、７　（ｌｕｘ−５ｅｃ
）であった。

さらに実験例１と同じ要領で、感光体ドラムを作製し、
ミノルタカメラ（株）製複写機（ＥＰ−６５０２）で実
写試験を行ったところ、良好な画像が得られた（なおこ
の際、電力２５０Ｗ、Ｃ１Ｈ。

３　Ｑ　ＱｓｃｃｍＳＨ，６００ｅｃｃｍ、他は平板の
場合と同じであつた）。さらに、電荷発生層は、電力２
５０Ｗ、　ＳｉＨ，ｌ　８０ｅｃｃｍ、　Ｈｔ　５００
ｅｃｃｍ。

他は平板の場合と同じであった。

また、ドラム型感光体テスター（図示せず）で複写プロ
セスのシュミレーションを行ったところ、帯電チャージ
−露光照射−転写・除電チャージ→除電イレーザ光照射
を５０に回の繰り返し後も、安定した静電特性が得られ
た。

比較例！ 実施例１の工程（１）で作製された本発明によるプラズ
マ重合エチレン膜の代わりに、低密度ポリエチレン膜を
有機重合の常法により作製しくこのポリエチレン膜中の
Ｎ　Ｉ：　Ｎ　ｘは約０．１：８０、即ち、ｌ：８００
であった）、その上に工程（ＩＩ）を施・した。得られ
た積層膜は、その電気抵抗が約１０Ｉ６Ωｃ、ｔであり
、絶縁体であった。性能評価（Ｉ［Ｉ）を行ったところ
、感光体は光感度がなく、すぐチャージアップし、電子
写真には使用できないものであった。本発明のプラズマ
重合エチレン膜の優位性が認められた。

比較例２ 実施例１で使用した装置を用い、プラズマ重合条件等の
種々の条件を変えて、プラズマ重合エチレン膜を作成し
たいった場合、膜中のＮ、：Ｎ、の値カ月・Ｉ以下の乙
のは殆んど作製不能であった。

仮に出来たとしても、その上に電荷発生層を作製できな
かったり（温度やプラズマにより変質し、Ｎ２が１以上
になってしまう）、軟らかかったり、ベタついた膜にな
り、感光体構成材料としては使用できない。

なお、以下実施例、比較例ともに平板でのみ作製し静電
特性、画像特性を調べた。

実施例２ （Ｉ）第１３図に示すグロー放電分解装置において、ま
ず、反応室（７３３）の内部をＩ　Ｎ　’　Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１および第２調整弁（７Ｑ７）
および（７０８）を開放し、第１タンク（７０１）より
Ｃｔ　Ｈｔガス、第２タンク（７０２）よりＨ，ガスを
出力圧ゲージＩＫｇ／ｃｍ’の下でマスフローコントロ
ーラ（７１３）および（７１４）内へ流入さけた。そし
て、各マスフローコントローラの目盛を調整して、Ｃ，
Ｈ，の流量をＣｙＯｓｃｃｍ、　Ｈｚを８０　ｓｃｃｍ
となるように設定して反応室（７３３）内へ流入した。

夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が
０゜８Ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性堰
板（７５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０．＋ｕ＋のアル
ミニウム板を用いて２００℃に予じめ加熱しておき、各
ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し電力印加電極（７３６）に８５ｗａｔ
ｔｓの電力（周波数１３．５６ＭＨ２）を印加して約１
．２時間プラズマ重合を行ない、導電性基板（７５２）
上に、厚さ約１０μｍの電荷輸送層を形成した。この膜
中のＮ、：Ｎ２は約２０　：３６、即ち、ｌ：１５８で
あった。

（ＩＩ）　　高周波電源（７３９）からの電力印加を一
次停止し、反応室の内部を真空にした。

第イ′および第２調整弁（７１０）および（７０８）を
開放し、第４タンク（７０４）より５ＩＨ４ガス、第２
タンク（７０２）からＨ、ガスを出力圧ゲージＩＫｇ／
ｃｍ”の下でマスフローコントローラ（７１Ｂ）および
（７１４）内へ流入させた。各マスフローコントローラ
の目盛を調整して、Ｓ　ｒ　Ｈａの流量を９０ｓｅｃｍ
、　Ｈ２の流量を２１０ｓｅｃｍに設定し、反応室に流
入させた。夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３
）の内圧が１．ＱＴｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に３０Ｗの
電力（周波数１３．５６ＭＨ２）を印加してグロー放電
を発生させた。このグロー放電を１０分間行ない厚さ１
μｍのａ−９ｉ：ＩＩ電荷発生層を形成させた。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖ　Ｏ）　＝　−４６
０ｖｏｌｔのときの半減露光”’１／２は０　、５　Ｑ
ｕｙ：　−ｓｅｃであった。また、この感光体に対して
作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた。

実施例３ （１）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部をｌｏ’Ｔｏｒｒ程度
の高真空にした後、第１ないし第３調整弁（７０７）な
いしく７０９）を開放し、第１タンク（７０１）よりＣ
、Ｈ，ガス、第２タンク（７０２）よりＣＨ，ガス、第
３タンク（７０３）よりＨ，ガスを出力圧ゲージ１Ｋｇ
／ａｍ”の下でマスフローコントローラ（７１３）ない
しく７１５）内へ流入させた。そして、各マスフローコ
ントローラの目盛を調整して、Ｃ，Ｈ，の流量を５０ｓ
ｅｃｍ、　ＣＨ４をＩ　００ｓｃｃｍＳＨ２をＩ　ＯＯ
ｓｃｃｍとなるように設定して反応室（７３３）内へ流
入した。

夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が
１　、　Ｏｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電
性基板（７５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０ｚＮのアル
ミニウム板を用いて２５０°Ｃに予じめ加熱しておき、
各ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で・高周波電
源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に、２
００　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３　、５６　ＭＩ４
ｚ）を印加して約５時間プラズマ重合を行ない、厚さ約
７μｍの電荷輸送層を形成した。

この膜中のＮ、：Ｎ２は７：７８、即ち、１：１１゜ｌ
であった。その上に実施例２の（ＩＩ）で示した電荷発
生層を形成した感光体を得た。この感光体は、Ｖｏ＝　
−５１０ｖｏｌｔ、　Ｅｌ／２＝　１．３１ｕｘ−ｓｅ
ｃであった。また作像、転写したところ鮮明な画像が得
られた。

比較例３ 実施例Ｉにおいて工程（ＩＸａ−Ｃ層の形成）を省略し
、工程（ＪＴ）と同一条件て膜厚６μｍのａ　Ｓｒ　：
　Ｉ−１居を形成せしめ、ａ−Ｓｉ：Ｉ−１感光体を得
た。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖｏ）＝−１ｏ。

Ｖで半減露光’Ｔｋ　Ｅ　＋　ｔｎは２．７１ｕｘ−ｓ
ｃｃであり、十極性では充分な帯電能を示さず、良好な
作像は行えなかった。

本発明による電荷輸送層が帯電能の向上に著しく寄与し
、かつ好適な輸送性を有する事が理解された。

実施例４ （１）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部をＩ　Ｏ−’　Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空にした後、第１ないし第３調整弁（７０
７）ないしく７０９）を開放し、第１タンク（７０１）
よりＣ２Ｈ、ガス、第２タンク（７０２）よりＣＩ−１
、ガス、第３タンク（７０３）よりＨｌガスを出力圧ゲ
ージ１Ｋｇ／ｃｍ２の下でマスフローコントローラ（７
１３）ないしく７１５）内へ流入させた。そして、各マ
スフローコントローラの目盛を調整して、０２　Ｈ４の
流量を６５　ｓｅｃｍ、　　ＣＩ−１４を５０ｓｅｃｍ
、　　Ｈｚをｌ　ＯＯｓｃｃ＋ｎとなるように設定して
反応室（７３３）内へ流入した。

夫々の流■が安定した後に、反応室（７３３）の内圧か
Ｉ　、　５　ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導
電性基板（７５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０ｍｍのア
ルミニラム板を用いて２５０℃に予じめ加熱しておき、
各ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源
（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に、２０
０　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３　、５６　Ｍｌ−（
Ｚ）を印加して約６４時間プラズマ重合を行ない、厚さ
約５μｍの電荷輸送層を形成した。

この膜中のＮ　ｌ：　Ｎ　ｔは約３８：４７．５、即ち
、１：１．２５であった。

その上に実施例２の（ｎ）で示した電荷発生層を形成し
た感光体を得た。この感光体はＶ。＝　−５ＯＯｖｏｌ
ｔ１Ｅｌ／２−約１　、１１ｕｘ−ｓｅｅであった。ま
た、作像、転写したところ鮮明な画像が得られた。

実施例５ （１）第１３図に示すグロー放電分解装置において、ま
ず、反応室（７３３）の内部をＩ　Ｏ−’　Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第６および第７調整弁（７１２）
および（７２５）を開放し、第６タンク（７Ｑ６）より
Ｈｅガス、第１容器（７１９）よりスチレン（ＣｓＨｓ
）ガスをマスフローコントローラ（７１８）および（７
２８）内へ流入させた。第１容２３（７１９）は第１加
熱器（７２２）により約２０℃に加熱した状態で用いた
。そして、各マスフローコントローラの目盛を調整して
、スチレン（Ｃ！ＩＨＩＩ）の流量を４０ｓｅｃｍ＋と
なろように設定して反応室（７３３）内へ流入した。夫
々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が０
　、３　Ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性
基板（７５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０ｍｍのアルミ
ニウム板を用いて３Ｑ（１℃に予じめ加熱しておき、各
ガス深情が安定し、内圧が安定した状態で低周波電源（
７４１）を投入し電力印加電極（７３６）にｌ　５０　
ｗａｔｔｓの電力（周波数３０ＫＨｚ）を印加して約４
０分プラズマ重合を行ない、導電性基板（７５２）上に
、厚さ約９μｍの電荷輸送層を形成した。

この膜中のＮ　ｌ：　Ｎ　ｔは６：９４、即ち、１：１
５゜７であった。その上に実施例２の（ｎ）で示した電
荷発生層を形成した感光体を得た。この感光体は、Ｖ、
＝−５６０ｖｏｌｔ、　Ｅｌ／２＝２．７１ｕｘ−ｓｅ
ｅであった。また作像、転写したところ鮮明な画像が得
られた。

実施例６ （Ｉ）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部をｌ　Ｏ−１ｌＴｏｒ
ｒ程度の高真空にした後、第１および第２調整弁（７０
７）および（７０８）を開放し、第１タンク（７０１）
よりＣ，Ｈ，ガス、第２タンク（７０２）よりＨｓガス
を出力圧ゲージＩＫｇ／ｃｍ’の下でマスフローコント
ローラ（７１３）および（７１４）内へ流入させた。そ
して、各マスフローコントローラの目盛を調整して、Ｃ
Ｈ４の流量を９０　ｓｅｃｍ、【（、を１５　Ｑ　ｓｅ
ｃｍとなるように設定して反応室（７３３）内へ流入し
た。夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内
圧が０．１３　ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、
導電性基板（Ｊ５２）としては、２Ｘ５０ｘ５０ｍｍの
アルミニウム板を用いて３５０℃に予じめ加熱しておき
、各ガス流量が安定し、内圧か安定した状態で高周波電
源（７３９）を投入し、電力印加？ｌＸ極（７３６）に
、３６０　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３．５６ＭＨ２
）を印加して約１２時間プラズマ重合を行ない、導電性
基板（７５２）上に厚さ約６，５μｍの電荷輸送層を形
成しこの膜中のＮ　Ｉ：　Ｎ　ｔは３３：３９．６、即
ち、ｌ：１．２であった。その上に実施例２の（ＩＩ）
で示した電荷発生層を形成した感光体を得た。この感光
体は、Ｖｏ＝−５８０ｖｏ１ｔＳＥｌ／２＝２．８１ｕ
ｘ−ｓｅｃであった。また作像、転写したところ鮮明な
画像が得られた。

発明の効果 本発明による有機プラズマ重合膜を電荷輸送層に有する
感光体は電荷輸送性、帯電能に優れ、膜厚が薄くても充
分な表面電位を得ることができ、かつ良好な画像を得ろ
ことができろ。本発明に従えば、電荷発生層にａ−Ｓｉ
を使用する場合、従来のａ−Ｓｉ感光体では達成するこ
とのできなかった薄膜の感光体を得ることができる。

本発明感光体はその原料か安価であり、必要な各層が同
一の槽内で成膜できるとともに、膜厚が薄くてよいので
、製造コストが安く、かつ製造時間が短くて済む。　本
発明による有機プラズマ重合膜は、薄膜に形成してもピ
ンホールが生じにく、ｈ＠ｌ−低連ナス、てルがで去る
ので、薄膜化が容易である。さらに耐コロナ性、耐酸性
、耐湿性、耐熱性、トナーの離型性および剛直性にも優
れているので、表面保護層として使用すると感光体の耐
久性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図から第１２図は本発明感光体の模式的断面図を示
す。 第１３図は感光体製造装置を示す概略図である。 第１４図は感光体テスターを示す概略図である。 図中の記号は以下の通りである。 （１）・・・基板　　　　（２）・・・電荷輸送層（ａ
−Ｃ層）（３）・・・電荷発生層　（４）・・・オーバ
ーコート層（５）・・・アンダーコート層 （７０１）〜（７０６）・・・タンク （７０７）〜（７１２）及び（７２５）〜（７２７）・
・・調節弁（７１３）〜（７１ｇ）及び（７２８）〜（
７３０）・・・マスフローコントローラー （７１９）〜（７２１）・・・容器（７３２）・・・主
管（７３３）・・・反応室　　　（７３５）・・・接地
電極（７３６）・・・電力印加用電極 （７３９）・・・高周波電源　（７４１）・低周波電源
（７４３）・・直流電圧源 （７４７）〜（７５０）・・・真空ポンプ（７５２）・
・・導電性基板 （３５）・・・試料、　　　　　（３６）・・・シール
ドカバー（３７）・・・スキャニングテーブル （３８）・・・光電流モニター（３９）・・・スイッチ
（４０）・・・直流高電圧　　（４１）・・・総電流モ
ニター（４２）・・・チャージャー （４３）・・・ハロゲンランプ（４４）・・・鏡（４５
）・・・コールドフィルター （４６）・・・ＮＤフィルター （４７）・・・シャッター　　　（４８）・・・透明電
極（４９）・・・表面電位メーター （５０）・・・レコーダー　　　（５１）・・・放電領
域（５２）・・・帯電領域 １１１３　　　　　　　　第２７ 第４３　　　　第５＝ 第７＝　　　　　　　＄８］ 哨１０：　　　　　　　　窩１１！ 第３図 業６図 ＊５＝ ３１２コ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）とを有する機
   能分離型感光体において、電荷輸送層（２）が水素を含
   む非晶質炭素膜で、その化学構造において水素と結合し
   た炭素のうち、不飽和結合を有する炭素数Ｎ＿１と不飽
   和結合を有しない炭素数Ｎ＿２の比Ｎ＿１：Ｎ＿２が１
   ：１ないし１：１６であることを特徴とする感光体。