JPS62238574A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は感光体、特に電子写真感光体に関する。

従来技術 近年、感光体、特に電子写真用感光体にプラズマ化学蒸
着法（以下、Ｐ−ＣＶＤ法という）により作製されたア
モルファスシリコン（以下、ａ　−Ｓ　ｉと略す）が採
用されるに至っている。

ａ　−Ｓ　ｉ感光体は種々の優れた特性を有する。しＡ
％　１．＊　−ｑ　ｉｎ　　１＋、ＥＪｆｆｉ＊　　ｐ
　　ｈ４　　Ｉ　　　９　　ＢＴｔＦ　　）−−）　　
’＆　　い　）−Ａ感光体として充分な表面電位を得ろ
ためには、本質的に最低２５μｍ程度の膜厚が必要であ
るという問題がある。ａ　−Ｓ　ｉ感光体は、Ｐ−ＣＶ
Ｄ法においては膜の堆積速度か遅いため作製に長時間を
要し、ざらに均質な膜のａ　−Ｓ　ｉを得ることが作製
時間が長くなる程難しくなる。その結果、ａ　−Ｓ　ｉ
感光体は白斑点ノイズ等の画像欠陥が発生する確率が高
く、さらに原料費が高いという欠点等がある。

」二足の欠点を改良するための種々の試みがなされてい
るが、本質的に膜厚をこれより薄くすることは好ましく
ない。

一方、ａ　−Ｓ　ｉ感光体は基板とａ−Ｓｉとの密着性
、さらに耐コロナ性、耐圏境性あるいは耐薬品性が悪い
といった欠点ら存在する。

そのような問題点を解消するためイ丁機プラズマ重合膜
をａ−９ｉ感光体のオーバーコート層あるいはアンダー
コート層として設けろ事が提案されている。１ｉη者の
例は、例えば特開昭６０−６１７６１号公報、特開昭５
９−２１４８５９号公報、特開昭５１−４６１３０号公
報あるいは特開昭５０−２０７２８号公報等が知られて
おり、後者の例は、例えば特開昭６０−６３５４１号公
報、特開昭５９−１３６７４２号公報、特開昭５９−２
８１６１号公報あるいは特開昭５９−３８７５３号公報
等が知られている。

その他プラズマ重合法を使用したものとして、例えば特
開昭５９−１４８３２６号公報、特開昭５６−６０４４
７号公報あるいは特開昭５３−１２０５２７号公報等が
知られている。

有機プラズマ重合膜はエチレンガス、ベンゼン、芳香族
シラン等のあらゆる種類の有機化合物のガスから作製で
きること（例えばニー、ティ、ベル（Ａ、Ｔ、Ｂｅ１ｌ
）、エム、ジエン（Ｍ、　５ｈｅｎ）ら、ジャーナル　
オブ　アプライド　ポリマー　サイエンス（、Ｉｏｕｎ
ａｌｏｒＡｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｏｌｙｍｅｒ　　５ｃｉ
ｅｎｃｅ）、第１７巻、８８５−８９２頁（１９７３年
）等）が知られているが、従来の方法で作製した有機プ
ラズマ重合膜は絶縁性を前提とした用途に限って用いら
れている。従って、それらの膜は通常のボリエヂレン膜
のごと＜１０１６Ωｃｍ程度の電気抵抗を有する絶縁膜
と考えられ、あるいは少なくともその様な膜であるとの
認識のらとに用いられていた。

特開昭Ｇｏ−６１７６１号公報記載の技術は、５００人
〜２μｍのダイヤモンド状炭素絶縁膜を表面保護層とし
て被覆した感光体を開示している。

この炭素薄膜はａ−Ｓｉ感光体の耐コロナ放電および＋
４ＩＪ的強度を改良するためのちのである。重合膜は非
常に薄く、電荷はトンネル効果により膜中を移動し、膜
自体電荷輸送能を必要としない。また、有機プラズマ重
合膜のキャリアー輸送性に関しては一切記載がないし、
ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記した本質的問題を解決する乙の
でない。

特開昭５．９−２１４８５９号公報には、スヂレンやア
セチレン等の有機炭化水素モノマーをプラズマ重合によ
り厚さ５μｍ程度の有機透明膜のオーバーコート層とし
て被膜する技術か開示されているが、その層はａ　−Ｓ
　ｉ感光体の画像流れの防止よｊよび剥離、耐久性、ピ
ンホール、生産効率を改良するものである。有機プラズ
マ重合膜のキャリアー輸送性に関しては一切記載がない
し、ａ−８ｉの持つ前記した木質的問題を解決するもの
でない。

特開昭５１−４６１３０号公報には、Ｎ−ビニルカルバ
ゾールをグロー放電により、表面に厚さ３〜０．００１
μｍの有機プラズマ重合膜として形成した感光体を開示
している。この技術は、正帯電でしか使用できなかった
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール系感光体を両極性帯電て
使用可能にすることを目的とする。この膜は０．００１
〜３μｍと非常に薄く、オーバーコート的に使用されろ
。

重合膜は非常に薄く、電荷輸送能を必要としないしのと
考えられろ。また、重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載かないし、ａ−Ｓｉの持つ前記した本質的問
題を解決するものでない。

特開昭５０−２０７２８号公報には、基板上に増！ε層
、有機光導電性電気絶縁体とを順次積層し、さらにその
上に厚さ０．１−１μｍのグロー放電重合膜を形成する
技術が開示されているが、この膜は湿式現像に耐えるよ
うに表面を保護ずろ目的重合膜は非常に薄く、電荷輸送
層として使われている乙のではない。重合膜のキャリア
ー輸送性に関しては一切記載がないし、ａ−Ｓｔの持つ
前記した本質的問題を解決するものでない。

特開昭６（１−６３５４１号公報は、ａ　−Ｓ　ｉのア
ンダーコート層に２００人〜２μｍのダイヤモンド状有
機プラズマ重合膜を使用した感光体について開示してい
るが、その打機プラズマ重合膜は基板とａ　−Ｓ　ｉの
密着性を改善する目的のものである。

重合膜は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効果により
膜中を移動し、膜自体は電荷輸送能を必要としない。ま
た、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関しては
一切記載かないし、ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記した本質的
問題を解決する乙のでない。

特開昭５９−１３６７４２号公報には、基板上に約５μ
ｍの有機プラズマ重合膜、シリコン膜を順次形成ずろ半
導体装置が開示されている。しかし、その打機プラズマ
重合膜は、基板であるアルミニウムのａ−Ｓｉへの拡散
を防止する目的のものＭａｌ艮　ス、占イ　　　ム１ｒ
Ｘｈ告１ｒヒ　　「古析竺ンー朋１　ブ１１−ト１↑コ
載がない。また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送
性に関しても一切記載がないし、ａ−９ｉの持つ前記し
た本質的問題を解決するものでない。

特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に有機プラ
ズマ重合膜、ａ−Ｓｉを順次形成した感光体が開示され
ている。有機プラズマ重合膜は、その絶縁性を利用した
アンダーコート層でありブロッキング層、接着層あるい
は剥離防止層として機能するものである。重合膜は非常
に薄くてよい（５μｍ１好ましくは１μｍ以下）。薄膜
であれば不充分な電荷輸送能であっても、表面電位（残
留電位）の上昇の問題は生じない。繰り返し使用により
アンダーコート部での電界が上昇し、それによるキャリ
アの通過が大きくなること（トンネル効果）で、残留電
位の上界が低く抑えられるという現象があるからである
。従って本件の重合膜はアンダーコート層として使えて
も、キャリア輸送層としては使えない。

また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載がないし、ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記した本質
的問題を解決する乙のでない。

特開昭５９−３８７５３号公報には酸素、窒素および炭
化水素の混合ガスからプラズマ重合により１０〜１００
人の有機プラズマ重合薄膜を形成し、その上にａ−９ｉ
層を成膜する技術が開示されている。有機プラズマ重合
膜は、他の有機高分子に比べて熱劣化がなく、また、絶
縁性を利用したアンダーコート層でありブロッキング層
あるいは剥離防＋ｈＦＪとして機能するしのである。重
合膜は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効果により膜
中を移動し、膜自体は電荷輸送能を必要としない。

また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載がないし、ａ　−Ｓ　＋の持つ前記した本質
的問題を解決するしのでない。

特開昭５９−１４８３２６号公報は、ガスを予備分解、
予備重合することを特徴とするｐ−ｃｖＤ薄膜製造方法
を開示するが、実施例はＳｉ系の物質を利用したものの
みが例示されているに過ぎない。

特開昭５６−６０４４７号公報は、有機化合物とハロゲ
ン化合物混合物の蒸気をプラズマ重合し、有機光導電性
膜を形成する方法を開示する。この技術は、ハロゲン導
入プラズマ重合膜が近赤外域（０，８〜３．０μｍ）に
高感度を有することを示しているが、その膜は近赤外線
センサーへの応用を目的とするしのであり、本願のよう
に電子写真感光体への使用を目的にするものでなく、ま
た感光体に使用できるか否かについては触れられていな
い。

特開昭５３−１２０５２７号公報は、ポジ型放射線感応
材料層を炭化水素およびハロゲン化水素のプラズマ重合
法で形成する方法が開示されている。本件はポジ型レジ
スト材料を電子線、Ｘ線、λ線あるいはα線により架橋
させ作製する方法であり、電子写真感光体への使用を目
的とするものでない。

発明が解決しようとする問題点 以上のように、従来、感光体に用いられている有機重合
膜はアンダーコート層あるいはオーバーリアの輸送機能
を必要としない膜であって、有機重合膜が絶縁性である
との判断にたって用いられている。従ってその厚さも高
々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか用いられず、キ
ャリアはトンネル効果で膜中を通過するか、トンネル効
果か期待できない場合には、実用上の残留電位としては
問題にならないですむ程度の薄い膜でしか用いられない
。

本発明者らは、有機重合膜のａ−Ｓｉ感光体への応用を
検討しているうちに、本来絶縁性であると考えられてい
た有機重合膜が、ある特定の結合様式で存在する炭素原
子（例えば、炭素−炭素二重結合、第四炭素等）の含有
割合か異なると、電気抵抗ら変化し、ある割合になると
電荷輸送性を示し始める事を見出だした。

本発明はその新たな知見をを利用することにより、従来
のａ−Ｓｉ感光体の持つ問題点、すなわちａ−９ｔの膜
厚、製造時間、製造コスト等における問題点等をすべて
解消し、また従来とは全く使用日的ｔ１、粋セｂｔ、界
ｔ「Ａ布種重合ｎへ−絡ｚ７右祷プラズマ重合膜を使用
した感光体およびその製造方法を提供することを目的と
する。

問題点を解決するための手段 すなわち、本発明は電荷発生層（３）と電荷輸送層（２
）とを有する機能分離型感光体において、電荷輸送層（
２）が水素を含む非晶質炭素膜で、その化学構造におい
て、不飽和結合を有する炭素数Ｎ、と不飽和結合を有し
ない炭素数Ｎ、の比ＮＩ：Ｎ、がｌ：２０ないし１：０
．５であることを特徴とする感光体に関する。

本発明感光体は少なくとし電荷発生層と電荷輸送層から
構成される。

電荷輸送層は、水素を含有する非晶質炭素膜（以下、ａ
−Ｃ膜という）である。水素含有炭素膜中の水素含量は
、２０〜６７　ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは４０〜６７
　ａｔｏｍｉｃ％、特に４５〜６５　ａｔｏＩＩｌｉｃ
％含量されることが望ましい。ａ−Ｃ膜中に含有されろ
水素の爪が２０　ａｔｏｍｉｃ％より少ないと好適な輸
送性が得られ、６７　ａｔｏｍｉｃ％より多いと膜質の
劣化、成膜性の低下をきたす。

本発明感光体の特徴は、電荷輸送層としてａ　−Ｃ膜を
設け、さらにそのａ−Ｃ膜中に含有される炭素で、不飽
和結合を有ずろ炭素数Ｎ１と不飽和結合を有しない炭素
数Ｎ、の比Ｎ　、：　Ｎ　ｔがｔ：２０ないしＩ　：０
．５であることにある。

本発明のａ−Ｃ膜中には、種々の結合様式をした炭素原
子、例えば単結合（フリーラジカル）、二重結合あるい
は三重結合等が存在し、更にそれらは水素原子が結合し
ているものあるいは水素原子が結合していないものとし
て存在する。

本発明のａ−Ｃ膜中における炭素原子が、不飽和結合を
有する炭素あるいは不飽和結合を有しない炭素であるこ
とおよびそれらの数は、赤外吸収スペクトル、プロトン
による核磁気共鳴（’Ｉ−［−ＮＭＲ）あるイハ１３Ｃ
１：よる核磁気共鳴（”Ｃ−ＮＭＲ）等を測定すること
により識別することができる。

本発明において不飽和結合というのは炭素−炭素二重結
合および／または炭素−炭素三重結合をいう。

本発明においては不飽和結合を有する炭素数Ｎ１と不飽
和結合を有しない炭素数Ｎ、の比Ｎ１：Ｎｔｈ’Ｉ・２
０ないし１：０．５であることが重要である。

本発明のａ−Ｃ膜は、ＮＩの値を１としたときＮ。

の値が２０〜０，５、より好ましくは１０−１．０、特
に５〜１．５であるとき電荷輸送層として適してよ５す
、２０より太きいと、このようなａ−Ｃ膜は絶縁体であ
り、その膜を電荷輸送層に用いた感光体は光照射によっ
ても帯電電荷が減衰しないので、繰り返し使用によりす
ぐにヂャージアップが起こり、感光体として使用できな
くなる。０．５より小さいと、膜は二重結合を有する炭
素が過剰になり膜抵抗がかなり低下するため、それより
構成されろ感光体は帯電能が悪くなり、感光体として使
用できなくなる。また電荷発生層で発生した光キャリヤ
ーは膜に移動するが、過剰の二重結合手がキャリヤーの
トラップサイトとなり、繰り返し使用でバルク中に空間
電荷が溜まるため、残留１１イｈの　１−リｔ−土；士
　ｒドそメ１．１−イ土６五浣αＥ’（圧下１．ｃｋＦ
　　−スＮ２が更に小さい場合、もはや軟質の油状膜に
近くなってゆき、感光体構成部材として使用できない。

一般にＮ、の値が０，５以上のときはじめて比抵抗が１
０日ΩＯＲ程度以上となり、キャリアの移動度が１０−
７ｃｍ２／　ｖ　−ｓｅｃ以上で、良好な電荷輸送機能
が得られる。

本発明によるａ−Ｃ膜中には種々の結合様式をした炭素
原子が存在するが、そ°れらの全炭素原子数は、膜の組
成分析と比重から求められる。すなわち、ａ−Ｃ膜のＣ
とＨの組成分析比がＣＸＨｙ（Ｘ＋ｙ＝１）で、膜の比
重がＷ（ｇ／ｃｍ’）であると、膜Ｉ　ｃｍ”中の全炭
素原子数Ｃｃは下式［■］：［式中Ｇｃは全炭素数、Ｗ
は比重、Ｘおよびｙは炭素および水素の組成分析比、Ａ
はアボガドロ数（個／ｍｏｌ）を表す。］に従い得るこ
とができる。

本発明においては、不飽和結合を有する炭素数と不飽和
結合を打しない炭素数との和が全炭素数であるとする。

ａ−Ｃ層の厚さは５〜５０μｍ、特に７〜３０μｍが適
当であり、５μｍより薄いと帯電能が低く充分な複写画
像濃度を得ることができない。５０μｍより厚いと生産
性の点で好ましくない。このａ−Ｃ層は透光性、高暗抵
抗を有するとともに電荷輸送性に富み、膜厚を上記のよ
うに５μｍ以上としても電荷トラップを生じることなく
キャリアを輸送ずろ。

ａ−Ｃ層を形成するための有機化合物としては、必ずし
も気相である必要はなく、加熱或いは減圧等により溶融
、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相で
も固相でも使用可能である。

該炭化水素としては、例えば、メタン列炭化水素、エチ
レン列炭化水素、アセチレン列炭化水素、脂環式炭化水
素、芳呑族炭化水素、等が用いられる。

メタン列炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、
プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサジ、ヘプタン、オ
クタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリ
デカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、
ヘプタデカン、オクタデカン、ノナデカン、エイコサン
、ヘンエイコサン、ドコザン、トリコサン、テトラコサ
ン、ペンタジェン、ヘキザコザン、ヘプタコサン、オク
タコサン、ノナコサン、トリアコサン、ドトリアコザン
、ペンタトリアコンクン、等のノルマルパラフィン並び
に、イソブタン、イソベンクン、ネオペンタン、イソヘ
キサン、ネオヘキサン、２．３−ジメチルブタン、２−
メチルヘキサン、３−エチルベンクン、２．２−ジメチ
ルペンクン、２．４−ジメチルペンクン、３．３−ジメ
チルペンクン、トリブタン、２−メチルへブタン、３−
メヂルヘブタン、２．２−ジメチルヘキサン、２，２．
５−ジメチルヘキサン、２，２．３−トリメチルペンタ
ン、２，２．４−トリメデルペンタン、２，３．３−ト
リメチルペンタン、２，３．４−）ジメチルペンクン、
イソナノン、等のイソパラフィン、等が用いられる。

エチレン列炭化水素としては、例えば、エチレン、プロ
ピレン、イソジュレン、ｌ−ブテン、２−ブテン、ｌ−
ペンテン、２−ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３
−メチル−１−ブテン、２−メチル−２−ブテン、１−
ヘキセン、テトラメチルエチレン、ｌ−ヘプテン、ｌ−
オクテン、ｌ−ノネン、ｌ−デセン、等のオレフィン並
びに、アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェ
ン、ヘキサジエン、シクロペンタジエン、等のジオレフ
ィン並びに、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキ
サトリエン、等のトリオレフイン、等が用いられる。

アセチレン列炭化水素としては、例えば、アセチレン、
メヂルアセヂレン、ｌ−ブチン、２−ブチン、！−ベン
ヂン、１−ヘキシン、！−ヘプチン、ｌ−オクチン、ｌ
−ノニン、ｌ−デシン等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンクン、シクロヘキセン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等インクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロフエンチェン、トリシクレン、ピサボ
レン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネン
セスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレ
ン、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカル
プレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が
用いられる。

芳呑族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キンレフ、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、スヂルベン、イソテン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フェナントレン、等が用いられ
る。

本発明においてａ−Ｃ膜を形成させる場合、上記有機化
合物を２種類以上の混合気体で使用してもよい。ａ−Ｃ
膜は各種共重合体（ブロック共重合体、ブラット共重合
体等）が多く形成され、硬度および付着性が向上する。

また、アルカン系炭化水素（ＣｎＨ２ｎ＋２）を使用す
ると１．ビッカース硬度２０００以上、電気抵抗１０’
Ωｃｍのダイヤモンド状超硬質の、所謂ｉ−Ｃ膜も形成
させろことができる。ただし、この場合のプラズマ条件
は高温、低圧、高パワーが必要で、更に基板に直流バイ
アスを印加する必要もある。

キャリアガスとしてはＨ、やＡｒ　１Ｎｅ　、　Ｉ−ｒ
ｅ等の不活性ガスが適当である。

本発明においては、ａ−Ｃ＠の形成には、直流、高周波
あるいは低周波やマイクロ波プラズマ法等の種々のプラ
ズマ法を使用しすることができる。

あるいは後述されているが、電磁波（Ｘ線、レーザー光
等）や上記プラズマとの併用も可能である。

それらの重合法の選択により、同一のモノマーでも、色
々異なった特性を有するｉ−Ｃ膜を得ることができる。

たとえば、低周波プラズマ法（周波数が数十ｌ−１ｚ〜
数百ＫＨｚ程度）を使用すると高硬度のａ−Ｃ膜を得る
ことができる。本発明においてａ−Ｃ膜を形成させる際
重要なことは、不飽和結合を有する炭素数Ｎ１と不飽和
結合を有しない炭素数Ｎ、の比Ｎ　＋　：　Ｎ　ｔかｌ
：２０ないしｌ：０．５となるように形成することであ
る。また、電荷発生層を高周波プラズマまたはＰ−ＣＶ
Ｄ法により形成する場合には、ａ−Ｃ膜も同様の方法で
成膜したほうか、製造装置コスト、工程の省力化につな
がり好ましい。

本発明感光体の電荷発生層は特に限定的ではなく、アモ
ルファスシリコン（ａ−８ｉ）膜（特性を変えろため種
々の異種元素、例えば！−１，Ｃ，０１８１ＮＳＰ、Ｂ
、ハロゲン、Ｇｅ等を含んていてもよく、また多層構造
であってもよい）、Ｓｅ膜、５ｅ−Ａｓ膜、５ｅ−Ｔｅ
膜、ＣｄＳ膜、銅フタロシアニン、酸化亜鉛等の無機物
質および／またはビスアゾ系顔料、トリアリールメタン
系染料、チアジン系染料、オキザノン系染料、キサンチ
ン系染料、シアニン系色素、スチリル系色素、ピリリウ
ム系染料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、インジゴ
系顔料、ペリレン系顔料、多環キノン系顔料、ビスベン
ズイミダゾール系顔料、インダスロン系顔料、スクアリ
リウム系顔料、フタロシアニン系顔料等の有機物質を含
有する樹脂膜等が例示される。

これ以外にも、光を吸収し極めて高い効率で電荷担体を
発生する材料であれば、いずれの材料であっても使用す
ることができる。

電荷発生層は公知の方法、例えば上記物質の粉体を適当
な樹脂に分散させ成膜する方法を使用して設けてもよく
、本発明において電荷輸送層をプラズマ法で形成する場
合には、電荷発生層も同様の方法で成膜したほうが、製
造装置コスト、工程の省力化につながり好ましい。また
電荷発生層を公知の方法で設ける場合には上記物質の粉
体の表面をあらかじめプラズマ重合により薄膜コーティ
ング処理し成膜した有機物質を使用することも有効であ
る。例えば、樹脂中にこれらを分散する場合には、表面
コートすることで分散性が向上したり、耐溶剤性を加味
させ、変質を防止する等の手段が考えられる。

電荷発生層は、感光体のどの位置に設けてもよく、たと
えば最上層、最下層、中間層いずれに設けてもよい。膜
厚は素材の種類、特にその分光吸収特性、露光光源、目
的等にもよるが、一般に５５０ｎｍの光に対して９０％
以上の吸収が得られるように設定される。ａ　−Ｓ　ｉ
の場合で０．１〜３μｍである。

本発明においては、ａ−Ｃ電荷輸送層の帯電特性を調節
ずろために、炭素または水素以外のへテロ原子を混入さ
せてもよい。例えば、正孔の輸送特性をさらに向上さＵ
゛るために、周期律表第■族原子、あるいはハロゲン原
子を混入してもよい。

電子の輸送特性をさらに向上させるために、周期律表第
■族原子あるいはアルカリ金属原子を混入してもよい。

正負両キャリアの輸送特性を更に向上させろために、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、アルカリ土類金属、カルコゲン原子を混入し
てらよい。

これらの原子は複数用いてもよいし、目的により、電荷
輸送層内で、特定の位置だけに混入してもよいし濃度分
布等を有してもよいが、いずれの場合においても重要な
ことは、該プラズマ重合膜中に、不飽和結合を何する炭
素数Ｎ１と不飽和結合を有しないＮ２の比Ｎ、：Ｎ、が
１２０〜ｌ：０゜５であるように形成することである。

第１図から第１２図は本発明感光体の一態様を示す模式
的断面図である。図中、（１）は基板、（２）は電荷輸
送層としてのａ−１Ｃ膜、（３）は電荷発生層を示して
いる。第１図に示す態様の感光体において、例えば十帯
電し続いて画像露光すると、電荷発生層（３）でチャー
ジキャリアが発生し電子は表面電荷を中和する。一方、
正孔はａ−Ｃ膜（２）の優れた電荷輸送性に保証されて
基板（＋）側へ輸送される。第１図の感光体を一帯電で
用いるときは、上記と反対にａ−Ｃ膜（２）中を電子が
輸送されろ。

第２図の感光体はａ−Ｃ膜（２）を最上層として用いた
例で、十帯電で用いろときは、ａ−Ｃ膜（２）中を電子
が一帯電で用いろときはａ−Ｃ膜中を正孔が輸送されろ
。

第３図に示す感光体は、基板（１）上に電荷輸送層（２
）を有し、電荷発生層（３）が該電荷輸送層（２）にサ
ンドイッチされるように設けられた例である。

第４図〜第６図に示す感光体は、第１図〜第３図におい
て示した感光体においてさらにオーバーコート層（４）
として厚さ０．０１〜５μｍの表面保護層を設けた例で
、感光体が使用されるシステムおよび環境に応じて電荷
発生層（３）あるいは電荷輸送層ａ−Ｃ膜（２）の保護
と初期表面電位の向上を図ったものである。表面保護層
は公知の物質を用いればよく、本発明においては、有機
プラズマ重合によって設けることが製造工程の面等から
望ましい。本発明ａ−Ｃ膜を使用してもよい。この保護
層（４）にも必要に上りへテロ原子を混入してもよい。

第７〜９図に示す感光体は、第１図〜第３図において示
した感光体においてさらにアンダーコート層（５）とし
て厚さ０．０１〜５μｍの接着層、あるいは障壁層を設
けた例で、用いる基板（１）またはその処理方法に応じ
て、接着性または注入防止効果を図ったものである。ア
ンダーコート層は公知の材料を用いればよく、この場合
も有機プラズマ重合法によって設けることが望ましい。

本発明によるａ−Ｃ膜を用いてらよい。更に第７〜９図
の感光体に第４〜６図で示したオーバーコート層（４）
を設けてもよい（第１０図〜第１２図）。

本発明感光体は電荷発生層と電荷輸送層とを有する。従
ってこれを製造するには少なくとら二工程を必要とする
。電荷発生層として、例えばグロー放電分解装置を用い
て形成したａ−９ｉ層を用いるときは、同一の真空装置
を用いてプラズマ重合を行なうことが可能であり、従っ
てａ−Ｃ電荷合法により行なうのが特に好ましい。

本発明による電子写真感光体の電荷輸送層は、気相状態
の分子を威圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気
中に含まれる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散
、電気力、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での
再結合反応により固相として堆積させろ、所謂プラズマ
重合反応から生成される。

第１３図は本発明に係る感光体の製造装置で容量結合型
プラズマＣＶＤ装置を示す。電荷輸送層としてプラズマ
重合ポリエチレン膜を有する感光体を例にとり、その製
造法を第１３図を用いて説明する。

第１３図は本発明に係わる電子写真感光体の製造装置を
示し、図中（７０１’）〜（７０６）は常温において気
相状態にある原料化合物およびキャリアガスを密封した
第１乃至第６タンクで、各々のタンクは第１乃至第６調
節弁（７０７）〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器
（７１３）〜（７１８）に接続されている。

図中（７１９）〜（７２１）は常温において液相または
固相状態にある原料化合物を封入した第１１’＋至第３
容器で、各々の容器は気化のため第１乃至第３温調器（
７２２）〜（７２４）により／！ｇＬ調可能、例えば、
常温〜１５０℃、あるいは−５０６Ｃ〜常温であり、さ
らに各々の容器は第７乃至第９調節弁（７２５）〜（７
２７）と第７乃至第９流量制御器（７２Ｂ）〜（７３０
）に接続されている。

これらのガスは混合器（７３１）で混合された後、主管
（７３２）を介して反応室（７３３）に送り込まれる。

途中の配管は、常温において液相または固相状態にあっ
た原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しないよう
に、適宜配置された配管加熱器（７３４）により、与熱
可能とされている。

反応室内には接地電極（’７３５　）と電力印加電極（
７３６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器
（７３７）により与熱可能とされている。

電力印加電極には、高周波電力用整合器（７３８）を介
して高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（７４
０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィルタ
（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されてお
り、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異なる
電力が印加可能とされている。

反応室内の圧力は圧力制御弁（７４５）により調整可能
であり、反応室内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を
介して、拡散ポンプ（７４７）、油回転ポンプ（７４８
）、あるいは冷却除外装置（７４９）、　−メカニカル
ブースターポンプ（７５０）、油回転ポンプにより行な
イつれる。

排ガスについては、さらに適当な除外装置（７５３）に
より安全無害化した後、大気中に排気されろ。

これら排気系配管については、常温において液相または
固相状態にあった原料化合物が気化したガスか、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器により、
与熱可能とされている。

反応室も同様の理由から反応室加熱器（７５１）により
与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性基板（
７５２）が設置される。

第１３図に於いて導電性基板は接地電極に固定して配さ
れているが、電力印加電極に固定して配されてもよく、
更に双方に配されてもよい。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−′″乃至１０−８程度にまで減圧し、真空度の確認
と装置内部に吸着したガスの脱着を行う。

同時に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配
された導電性基板を所定の温度まで昇温する。

次いで、第１乃至第６タンクおよび第１乃至第３容器か
ら原料カスを第１乃至第９流量制御器を用いて定流ｍ化
しながら反応室に導入し、圧力調節弁により反応室内を
一定の減圧状態に保つ。

ガス流量が安定化した後、接続選択スイッチにより、例
えば高周波電源を選択し、電力印ハ１１電極により高周
波電力を投入する。

両電極間には放電が開始され、時間と共に基板以上の構
成において、例えば第１図に示した感光体を製造する場
合、反応槽（７３３）を一定の真空状態としてから、例
えばガスライン（７３２）を介して第１タンク（７０１
）よりＣ，Ｈ，ガス、第２タンク（７０２）よりキャリ
アガスとしてＨ，ガスを供給する。

一方、高周波電源（７３９）より上部電極板（７３６）
に１０　ｗａｔｔｓ＝　１　ｋｖａｔｔｓの電力を印加
し両電極板間にプラズマ放電を起こし、予め加熱された
ＡＱ基板（７５２）上に厚さ５〜５０μｍのａ−Ｃ電荷
輸送層（２）を形成する。この電荷輸送層は本発明によ
り生成したａ−Ｃ膜中、不飽和結合を有する炭素数Ｎ１
と不飽和結合を宵しない炭素数Ｎ、の比Ｎ１：Ｎ、がｌ
：２０ないしＩ：０．５である。この比は他の製造条件
にも依存するが直流電圧源（７４３）から１０Ｖ〜ＩＫ
Ｖのバイアス電圧を印加することにより制御できる。即
ち、不飽和結合を有ずろ炭素数はバイアス電圧を高くす
ることによって減少し、ａ−Ｃ膜自体の硬度を高くする
ことができる。こうして形成されたａ−Ｃ電荷輸送層は
透光性、暗）ｒｒ−）；’ｉ’１−４ｈ　　４ｙ　　；
ｔ、ｌ＋？／７’＋Ｊ！；椿硅＋、−蓼１　ど優れてい
る。尚、この層に、例えば第４タンク（７０４）より１
３２１−Ｉ　、ガス、または第５タンク（７０５）より
ＰＨ，ガスを導入してＰＳＮ型に制御して電荷輸送性を
一層高めても良い。

次に電荷発生層（３）は、第２及び第３タンク（７０２
）、（７０３）よりｌ−１６、ＳｉＨ４ガスを導入する
ことによりａ　−Ｓ　ｉを母体とする層として形成され
る。

また、電荷輸送層形成のため反応槽（７３３）へ導入す
る化合物が液体状の物質であるときは、先述の方法でガ
スを反応槽（７３３）へ導入し、プラズマ重合させれば
よい。

また沸点の高い有機化合物からａ−Ｃ膜を形成する場合
は、基板上にあらかじめそれらの物質を塗布しておき、
次に真空槽中でキャリアーガス等のプラズマを照射して
、重合を開始さ仕てらよい（所謂プラズマ重合法）。

本発明におけるａ−Ｃ膜形成プラズマ重合法は、さらに
レザービーム、紫外線、Ｘ線あるいは電子線等の電磁波
を単独で、あるいは補助的に照射し、ａ−Ｃ膜を形成す
ること（光アンスト法）や磁界、バイアス直流電界のア
ンストらｒ１効である。光アンスト法は、ａ−Ｃ膜の堆
積速度を向上さＵ０．製造時間をさらに短縮させたい場
合や、ａ−Ｃ膜の高度を上界させたい場合に育効である
。

以下、実施例を挙げ、本発明を説明する。

実施例１ （り電荷輸送層（ａ−０層の形成） 第１３図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応槽（７３３）の内部をｌ　Ｏ−’　Ｔｏｒｒ程度の高
真空にした後、第１および第２バルブ（７０７）および
（７０ｇ）を開放し、第１タンク（７０１）よりＣ２Ｉ
ｆ４ガス、第２タンク（７０２）よりＨ２ガスを出力圧
’ｆ−シＩ　Ｋｇ／ｃｍ”の下でマスフローコントロー
ラ（７１３）および（７１４）内へ流入さ什た。そして
、各マスフローコントローラの目盛を調整して、Ｃ２Ｈ
。

の流ｍを６０ｓｅｃｍ、　ＩＬを８０ｓｅｃｍとなるよ
うに設定して反応槽（７３３）内へ流入した。夫々の流
量が安定した後に、反応槽（７３３）の内圧が０　、５
　Ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性基板（
７５２）としでは、２Ｘ５０Ｘ・５０ｍｍのアルミニウ
ム板を用いて２５０℃に予しめ加熱しておき、各ガス流
量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（７３９
）を投入し上部電極板（７３６）にＩ　５０　ｗａｔｔ
ｓの電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加して約４時
間プラズマ重合を行ない、導電性基板（７５２）上に、
厚さ約５，５μｍのプラズマ重合エチレン膜からなる電
荷輸送層を形成した。

以上のようにして得られたプラズマ重合エチレン膜をフ
ーリエ変換赤外分光（パーキンエルマー社製）、”　Ｃ
Ｎ　Ｍ　Ｒ装置（日本電子社製固体ＮＭｒｔ）および’
ＩＩ−ＮＭＲ装置（日本電子社製固体ＮＭＲ）等で測定
し、分析したところ、プラズマ重合エチレン膜の化学構
造においては、不飽和結合を有する炭素数Ｎ１と不飽和
結合を何しない炭素数Ｎ、の比Ｎ１・Ｎ、は約２０：８
０、即ち、ｌ：４であった。またその膜の電気抵抗を測
定したところ、暗抵抗り月Ｘ　１０１１０ｃｍ以下であ
り、明暗抵抗比が１０２〜１０４以上であった。本発明
ブラダ−ｙ　ｍＡ　ｘ　−ｆ−１ノ′ノ８Ｑ　ｌ−？　
＝＊−ｚ’ｙ’＝　ｔｔｒ　［４に／ｋ　Ｊ−１−ｒ−
４−ｚＡ　（ｒｈ用できることが判った。

（Ｉ）　ｆｆｉ荷発生層（ａ−Ｓｉ層の形成）基板（１
）上にプラズマ重合エチレン膜を（１）の過程により形
成後、高周波電源（７３９）からの電力印加を一次停止
し、反応槽の内部を真空にした。

第３および第２バルブ（７０９）および（？（１ｇ）を
開放し、第３タンク（７０３）よりＳ　＋　Ｈ４ガス、
第２タンク（７０２）からＨ２ガスを出力圧ゲージＩＫ
ｇ／ｃｍ２の下でマスフローコントローラ（７１５）お
よび（７１４）内へ流入させた。各マスフローコントロ
ーラの目盛を、Ｊ２１整して、Ｓ　ｉ　Ｉ−［４のＭＥ
ｍを９０ｓｅｃｍ、　Ｈ２の流ｊ賃を２１０ｓｃｃｍに
設定し、反応槽に流入させた。夫々の流量が安定した後
に、反応槽（７３３）の内圧がｌ　、　ＯＴｏｒｒとな
るよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波源（７
３９）を投入し、？Ｔｉ極板（７３６）に３０Ｗの電力
（周波数１３．５６　Ｍｔｌｚ）を印加してグロー放電
を発生さ仕た。このグロー放電を１０分間行ない厚さ１
μｍのａ−９ｉ：Ｉ−１電荷発生層を形成させた。

（ＩＩＩＸ感光体の性能評価） 工程（１）および（ＩＩ）により、電荷発生層、ａ−８
ｉ層をＡＱ基板上に順次積層した感光体の性能評価を実
施した。評価は第１４図に示した感光体テスターを使用
し、帯電能および感度について行った。

作製した感光体試料（３５）をスキャニングテーブル（
３７）にａ置し、シールドカバー（３６）で固定した。

スキャニングテーブル（３７）を帯電領域（５２）に移
動し、＋７．７ＫＶの直流高電圧（４０）により供給さ
れる高電圧をチャージャー（４２）に印加し、試料（３
５）の表面にコロナ放電を行った。次ぎにスキャニング
テーブル（３７）を放電領域（５１）に移動した。

コロナ帯電された試料の表面電位は透明電極（４８）に
より感知され、表面電位メーター（４９）でその値を読
み取られ、レコーダー（５０）に出力される。本発明感
光体は良好な帯電能を示した。

次に、シャッター（４７）を開き、鏡（４４）で反射し
たハロゲンランプ（４３）光を帯電している試料（３５
）の表面に照射した。照射は透明電極（４８）を通じて
行なわれ、照射による表面電位の変化はレコーダー　（
５０）に出力されるとともに、その時、流れたｉ流は光
電流モニター（３８）に検知される。本発明感光体は、
初期表面電位（Ｖ　ｏ）　−５０Ｑ　ｖｏｌｔのときの
゛（（減露光ｍＥｌ／２か約０　、６　Ｌｕｘ　−ｓｅ
ｅであった。

さらに実験例１と同じ要領で、感光体ドラムを作製し、
ミノルタカメラ（株）製複写機（Ｅ　Ｐ　−６５０Ｚ）
で実写試験を行ったところ、良好な画像が得られた（な
お、この際、電力２５０Ｗ、ｃ。

１−Ｌ　３００ｓｃｃｍ、　Ｈｔ　６５０ｓｅｃｍ、他
は平板の場合と同じであった）。更に電荷発生層は電力
２５０　Ｗ、　Ｓ　ｉＨ，ｌ　８０ｓｃｃｍ、　Ｈｅ　
５００ｓｃｃｍ、他は平板の場合と同じであった。

また、ドラム型感光体テスター（図示せず）で複写プロ
セスのシュミレーションを行ったところ、帯電チャージ
−露光照射−転写・除電チャージ−除電イレーサ光照射
を５０に回の繰り返し後も、安定した静電特性が得られ
た。

比較例１ 実施例１の工程（１）で作製された本発明によるプラズ
マ重合エチレン膜の代わりに、低密度ポリエチレン膜を
ｎ機重合の常法により厚さ６μｍに作製しくこのポリエ
チレン膜中の８１：　Ｎ　ｔは約０゜１：９９．９、即
ち、ｌ　：９９９であった）、その上に実施例１と同様
に工程（ｎ）を施した。また電気抵抗は約１０１６Ωｃ
ｍであり絶縁体であった。

得られた感光体の性能評価（ＩＩＩ）を行なったところ
、感光体は光感度がなく、数回の繰り返しですぐチャー
ジアップし、電子写真には使用できないものであった。

比較例２ 実施例１で使用した装置を用い、プラズマ条件等の種々
の条件を変えて、プラズマ重合エチレン膜を作製してい
った場合、膜中のＮ、：Ｎ、の値が１・０．５以下の乙
のは殆んど作製不能であった。

仮に出来たとしてら、その上に電荷発生層を作製できな
かったり（温度やプラズマにより変質し、Ｎ、が１以上
になってしまう）、やイつらかかったり、べたついた膜
になり、感光体構成材料としては使用できない。

アルミニウム基板上にａ　−Ｓ　ｉ層のみを形成した感
光体を作製した。作製は実施例１と同様の条件下で３゜
２５時間行い、厚さ６．５μ肩のａ−Ｓｔ層を形成した
。

得られた感光体の性能評価を行ったところ、得られた感
光体はＶ。＝−１００Ｖ、　Ｅｌ／２＝２．７ｆ２ｕｘ
　−ｓｅｃであり、子種性では十分な帯電能が得られな
かった。

なお、今後、実施例、比較例ともに平板でのみ作製し、
静電特性、画像特性を調べた。

実施例２ （１）第１３図に示すグロー放電分解装置において、ま
ず、反応室（７３３）の内部をＩ　Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度
の高真空にした後、第１および第２調整弁（７０７）お
よび（７０ｇ）を開放し、第１タンク（７０１）よりＣ
ｄ（ｔガス、第２タンク（７０２）よりＨ２ガスを出力
圧ゲージ１Ｋｇ／ｃｍ”の下でマスフローコントローラ
（７１３）および（７１４）内へ流入させた。そして、
各マスフローコントローラの目盛を調整して、１”　　
Ｌｌ　　ｔＴｘ　ヨｒｎ　ｊヒ、Ｑ　　ｎ　ｐｈｓ　−
１１−１−Ｃｎ　ｎ５５ｍ　ｌ−すＦｌように設定して
反応室（７３３）内へ流入した。夫々の流量が安定した
後に、反応室（７３３）の内圧が０゜６Ｔｏｒｒとなる
ように調整した。一方、導電性基板（７５２）としては
、２ｘ５０ｘ５０ｕ＋のアルミニウム板を用いて２００
°Ｃに予じめ加熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧
が安定した状態で高周波電源（７３９）を投入し電力印
加電極（７３６）に５０Ｗａｔｔｓの電力（周波数１３
．５６ＭＨ２）を印加して約１．５時間プラズマ重合を
行ない、導電性基板（７５２）上に、厚さ約ｌＯμｍの
電荷輸送層を形成した。この膜中のＮ、：Ｎ、は約４１
：５９、即ち、ｌ：１．４３であった。

（ｎ）　　高周波電源（７３９）からの電力印加を一次
停止し、反応室の内部を真空にした。

第４および第２調整弁（７１０）および（７０８）を開
放し、第４タンク（７０４）より５ｉｔＩ＊ガス、第２
タンク（７０２）からＨｚガスを出力圧ゲージＩＫｇ／
ｃｍ”の下でマスフローコントローラ（７１Ｂ）および
（７１４）内へ流入させた。各マスフローコントローラ
の目盛を調整して、５ｉＨａの流量を９０　ｓｅｃｍ、
　Ｈｔの流量を２１０ｓｅｃｍに設定し、反応室に流入
させた。夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）
の内圧がｌ　、　０　’ｒｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量か安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３Ｂ）に３０Ｗの
７ｕ力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放
電を発生させた。このグロー放電を１０分間行ない厚さ
１μｍのａ−Ｓｉ！−１電荷発生層を形成させた。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖ　ｏ）　＝　−４９
０ｖｏｌｔのときの半減露光””１／２は０．５　（ｉ
ｕＸ−ｓｅｃであった。また、この感光体に対して作像
して転写したところ、鮮明な画像が得られた。

実施例３ （１）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部をＩ　Ｏ−６Ｔｏｒｒ
程度の高真空にした後、第１ないし第３調整弁（７０７
）ないしく７０９）を開放し、第１タンク（７０１）よ
ｒｔ）　Ｃｔ　）−１４ガス、第２　）ｙ　ツク（７０
２）よりＣＨ，ガス、第３タンク（７（ｌａ）よりＨ２
ガスを出力圧ゲージＩＫｇ／ｃｍ”の下でマスフローコ
ントローラ（７１３）ないしく７１５）内へ流入させた
。そして、各マスフローコントローラの目盛を調整して
、Ｃｔｔｌｔの流量を５５　ｓｃｃｍ、　ＣＨ４をｌ　
ＯＯｓｃｃｍ、　Ｈｔを＋　２０　ｓｅｃｍとなるよう
に設定して反応室（７３３）内へ流入した。

夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が
０　、８　ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電
性基板（７５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０肩肩のアル
ミニウム板を用いて２５０℃に予じめ加熱しておき、各
ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に、２００
　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加
して約４時間プラズマ重合を行ない、厚さ約６μｍの電
荷輸送層を形成した。

この膜中のＮ、：Ｎ、はｌ　１．３：８８．７、即ち、
１ニア、８であった。その上に実施例２の（［）で示し
た電荷発生層を形成した感光体を得た。この感光体は、
Ｖｏ＝　−５２０ｖｏｌｔ、　Ｅｌ／２＝　ｌ　、２ｕ
ｘ・ｓｅｃであった。また作像、転写したところ鮮明な
画像が得られた。

実施例４ （１）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部をＩ　Ｏ−８Ｔｏｒｒ
程度の高真空にした後、第１ないし第３調整弁（７０７
）ないしく７０９）を開放し、第１タンク（７０１）よ
すｃ２ｔ４．ガス、第２　’）　ン’）　（７０２）よ
りＣＨ，ガス、第３タンク（７（１３）よりＩ−Ｉ　、
ガスを出力圧ゲージＩＫｇ／ｃｍ’の下でマスフローコ
ントローラ（７１３）ないしく７１５）内へ流入させた
。そして、各マスフローコントローラの目盛を調整して
、Ｃ２Ｈ，の流量を６０ｓｃｃｍＳＣＩ［ａを６０ｓｅ
ｃｍ、　Ｈ２をＩ　ＯＯｓｃｃｍとなるように設定して
反応室（７３３）内へ流入した。

夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が
２　、　ＯＬｏｒｒとなるように調整した。一方、導電
性Ｊ、Ｈ板（７５２）としては、２ｘ５０Ｘ５０ｍｍの
アルミニウム板を用いて２００°Ｃに予じめ加熱してお
き、古ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波
電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に、
ｌ　８０　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３．５６Ｍ１（
ｚ）を印加して約３時間プラズマ重合を行ない、厚さ約
５゜５μｍの電荷輸送層を形成した。

この膜中のＮ　＋　：　Ｎ　２は約４５：５５、即ち、
ｌ：１．２２であった。

その上に実施例２の（ＩＩ）で示した電荷発生層を形成
した感光体を得た。この感光体はＶ。＝　−５３０ｖｏ
ｌｔ、Ｅ　ｌ／２−約１．３１ｕｘ−ｓｅｃであった。

また、作像、転写したところ鮮明な画像が得られた。

実施例５ （１）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７−３３）の内部を１０−８Ｔｏｒｒ
程度の高真空にした後、第１および第２調整弁（７０７
）および（７０８）を開放し、第１タンク（７Ｑｌ）よ
りＣＨ４ガス、第２タンク（７０２）より［１ｔガスを
出力圧ゲージＩＫｇ／ｃｍ２の下でマスフローコントロ
ーラ（７１３）および（７１４）内へ流入させた。そし
て、各マスフローコントローラの目盛を調整して、ＣＩ
、の流量を９０ｓｅｃｍＳＨ２を１５０ｓｅｃｍとなる
ように設定して反応室（７３３）内へ流入した。夫々の
流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が０゜１
５Ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性Ｊ、（
仮（７５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０＋ｕのアルミニ
ウム板を用いて３５０℃に予じめ加熱しておき、各ガス
流量か安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（７３
９）を投入し電力印加電極（７３６）に３５０ｗａｔｔ
ｓの電ソバ周波数１３　、５６　Ｍｌ−Ｉｚ）を印加し
て約１２時間プラズマ重合を行ない、導電性基板（７５
２月二に含有される全炭素原子の厚さ約６．５μｍの電
荷輸送層を形成した。この膜中のＮ、：Ｎ。

は５：９５、叩ち、１：１９であった。その上に実施例
２の（［１）で示した電荷発生層を形成した感光体を得
た。この感光体は、Ｖ、＝　−５９５ｖｏｌｔ。

Ｅ１／２＝　２　、９　（！ＬＩＸ　−ｓｅｃであった
。また作像、転写したところ、鮮明な画像が得られた。

実施例６ （１）第１３図に示すグロー放電分解装置において、ま
ず、反応室（７３３）の内部をｌ　Ｏ””　Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第６および第７調整弁（７１２）
および（７２５）を開放し、第６タンク（７０６）よ１
１ｅ、第１容器（７１９）よりスチレンガスをマスフロ
ーコントローラ（７１８）および（７２ｇ）内へ流入さ
せた。

第１容器（７１９）は第１加熱器（７２２）により約２
０°Ｃに加熱した状態で用いた。そして、各マスフロー
コントローラの目盛を調整して、スチレン（ＣＯＴ−１
，）の流量をＧＯｓｃｃｎ＋となるように設定して反応
室（７３３）内へ流入した。夫々の流量が安定した後に
、反応室（７３３）の内圧が０　、４　Ｔｏｒｒとなる
ように調整した。一方、導電性基板（７５２）としては
、２ｘ５０ｘ５Ｑ＋ｕ＋ｎのアルミニウム板を用いて１
５０℃に予じめ加熱しておき、各ガス流量が安定し、内
圧が安定した状態で低周波電源（７４１）を投入し電力
印加電極（７３６）に１５０　ｗａｔｔｓの電力（周波
数３０ＫＴ−１ｚ）を印加して約４０分プラズマ重合を
行ない、導電性基板（７５２）上に、厚さ約９μｍの電
荷輸送層を形成した。

この膜中のＮ　＋　：　Ｎ　２は６２：３８、即ち、１
；０゜６１であった。その上に実施例２の（ＩＩ）て示
した電荷発生層を形成した感光体を得た。この感光体は
、Ｖｏ＝−６７０ｖｏｌｔ、　Ｅｌ／２＝２．８１ｕｘ
−ｓｅｃであった。また作像、転写したところ鮮明な画
像が得られた。

発明の効果 本発明による有機プラズマ重合膜を電荷輸送層に打する
感光体は電荷輸送性、帯電能に優れ、膜厚が薄くても充
分な表面電位を得ることができ、かつ良好な画像を得る
ことができろ。本発明に従えば、電荷発生層にａ　−Ｓ
　ｉを使用する場合、従来のａ−８ｉ感光体では達成す
ることのできなかった薄膜の感光体を得ることができる
。

本発明感光体はその原料が安価であり、必要な各層か同
一の槽内で成膜できるとともに、膜厚が薄くてよいので
、製造コストが安く、かつ製造時間が短くて済む。　本
発明による有機プラズマ重合膜は、薄膜に形成してもピ
ンホールが生じにく、均質に形成することができるので
、薄膜化が容易である。さらに耐コロナ性、耐酸性、耐
湿性、耐熱性、トナーの離型性および剛直性にも優れて
いるので、表面保護層として使用すると感光体の耐久性
が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図から第１２図は本発明感光体の模式的断面図を示
す。 第１３図は感光体製造装置を示す概略図である。 第１４図は感光体テスターを示す概略図である。 図中の記号は以下の通りである。 （１）・・・基板　　　　（２）・・・電荷輸送層（ａ
−Ｃ層）（３）・・・電荷発生層　（４）・・・オーバ
ーコート層（５）・・・アンダーコート層 （７０１）〜（７０６）・・・タンク （７０７）〜（７１２）及び（７２５）〜（７２７）・
・・調節弁（７１３）〜（７１ｇ）及び（７２８）〜（
７３０）・・・マスフローコントローラー （７１９）〜（７２１）・・・容器（７３２）・・・主
管（７３３）・・・反応室　　　（７３５）・・・接地
電極（７３６）・・・電力印加用電極 （７３９）・・・高周波電源　（７４１）・・・低周波
電源（７４３）・・・直流電圧源 （７４７）〜（７５０）・・・真空ポンプ（７５２）・
・・導電性基板 （３５）・・・試料、（３６）・・・シールドカバー（
３７）・・・スキャニングテーブル （３８）・・・光電流モニター（３９）・・・スイッチ
（４０）・・直流高電圧　　（４１）・・・総電流モニ
ター（４２）・チャージャー （４３）・・・ハロゲンランプ（４４）・・鏡（４５）
・・・コールドフィルター （４６）・・・ＮＤフィルター （４７）・・・シャッター　　　（４８）・・透明電極
（４９）・・・表面電位メーター （５０）・・・レコーダー　　（５１）・・・放電領域
（５２）・・・帯電領域 ＷＥｌ　　図　　　　　　　遺 第４図　　　　責 第７：　　　　判 ｓ１０ワ　　　　４ 【２７　　　　第３図 １５図　　　　　　　′ｓ６図 「８ス　　　　第５＝

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）とを有する機
   能分離型感光体において、電荷輸送層（２）が水素を含
   む非晶質炭素膜で、その化学構造において不飽和結合を
   有する炭素数Ｎ＿１と不飽和結合を有しない炭素数Ｎ＿
   ２の比Ｎ＿１：Ｎ＿２が１：２０ないし１：０．５であ
   ることを特徴とする感光体。