JPS62238573A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

泪栗上例皿４＋１　’妃吐 本発明は感光体、特に電子写真感光体に関ずろ。 ３剃投冴雁 近年、感光体、特に電子写真用感光体にプラズマ化学蒸
着法（以下、ｒ’　−ＣＶ　Ｉ）法という）により作製
されたアモルファスノリコン（以下、ａ−５ｉと略す）
か採月１されるに至っている。 ａ−Ｓｉ感光体は種々の優れた特性を（ｆする。しかし
ａ−３ｉは比誘電率εが１２程度と大きいため、感光体
として充分な表面７Ｉｉ位を得るためには、本質的に最
低２５μｍ程度の膜厚が必要であるという問題がある。 ａ−９ｉ感光体は、Ｐ−ＣＶＤ法においては唖の堆積速
度が遅いため作製に長時間を要し、さらに均質な膜のａ
−Ｓｉを得ることが作製時間が長くなる程難しくなる。 その結果、ａ−５ｉ感光体は白斑点ノイズ等の画像欠陥
が発生Ｃる確率がｌｙ’ｒ＋　＜、さらに原料費が高い
という欠点等がある。 」−記の欠点を改良４′るための岨々の試みがなされて
いるが、本質的に膜１７をこれより薄くすることは好ま
しくない。 一方、ａ−９ｉ感光体は基板とａ−３ｉとの密着性、さ
らに耐コ〔Ｉす性、耐１１境性あるいは耐薬品性が忠い
といった欠点乙１７　＋’＋＝　４°る。 そのような問題点を解消Ｊ−るため（ｒ機プラズマ「Ｒ
金膜をａ−８ｉ感光体のオーバーコート層あるいはアン
ダーコート層として設ける事が提案されている。、　１
ｉｉｉ＃の例は、例えば特開昭ＧＯ−ＧＩ７ＧＩｔシー
公報、特開昭５９−２１４８５９号公報、特開明５ｌ−
４Ｇ１３０号公報あるいは特開昭５０−２０７２８号公
報等が知られており、後打の例は、例えば特開昭６０−
６３５４１号公報、特開Ｉイ（５９−１３Ｇ７４２号公
報、特開昭５９−２８１６１号公報あるいは特開昭５９
−３８７５３号公報等が知られている。 その他プラズマ重合法を使用したものとして、例えば特
開昭５９−１４８３２Ｇ号公報、特開昭５６−６０４４
７号公報あるいは特開昭５３−１２０５２７号公報等が
知られている。 打機プラズマ重合膜はエヂジンガス、ベンゼン、芳呑族
シラン等のあらゆる種類の有機化合物のガスから作製で
きること（例えばニー、ティ、ベル（Ａ、Ｔ、Ｂｅ１ｌ
）、エム、ジエン（Ｍ、　５ｈｅｎ）ら、ジャーナル　
オブ　アプライド　ポリマー　サイエンス（Ｊｏｕｎａ
ｌｏｆ　　Ａｐｌ）ｌｉｃｄ　　ｒ’ｏｌｙｍｅｒ　　
５ｃｉｅｎｃｅ）、第１７巻、８８５−８９２頁（１９
７３年）等）が知られているが、従来の方法で作製した
有機プラズマ重合膜は絶縁性を前提とした用途に限って
用いられている。従って、それらの膜は通常のポリエチ
レン膜のごと＜ｔｏ”Ωｃｍ程度の電気抵抗をイ１°ｌ
°る絶縁１１々と考えられ、あるいは少なくとらその様
な膜であるとの認識の乙とに用いられていた。 特開昭（ｉｏ−ＧＩ７６１号公報記載の技術は、５００
〜２μｍのダイヤモンド状炭素絶縁１ｈを表面保護層と
して波頂した感光体を開示している。 この炭素薄膜はａ−９ｉ感光体の耐コロナ放？ｌｔおよ
び機械的強度を改良ずろためのらのである。重合膜は非
常に薄く、電荷はトンネル効果により膜中を移動し、膜
自体電荷輸送能を必要としない。また、ｒｆ機プラズマ
重重金膜キャリアー輸送性に関しては一切記載がないし
、ａ−５ｉの持つ前記した、本質的問題を解決する乙の
でない。 特開昭５９−２１４８５９号公報には、スチレンやアセ
チレン等の有機炭化水素モノマーをプラズマ重合により
厚さ５μｍ程度の有機透明膜のオーバーコート層として
被膜ずろ技術か開示されているが、その層はａ−９ｉ感
光体の画像流れの防止よｊよび剥離、耐久性、ピンホー
ル、生産効率を改良４°ろものである。有機プラズマ重
合膜のキャリアー輸送性に関しては一切記載がないし、
ａ−３ｉの持つ前記した本質的問題を解決する乙のでな
い。 特開昭５１−４６１３０号公報には、Ｎ−ビニルカルバ
ゾールをグ

【１−放τＵにより、表面に厚さ３〜０．０
０１１１ｍの（ｆ機プラズマ重合膜として形成した感光
体を開示している。この技術は、正帯電でしか使用でき
なかったポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール系感光体を両極
性帯電で使用可能にすることを１−１的と４°る。この
膜は０．００＋〜３μｍと非常に薄く、オーバーコート
的に使用される。 重合膜は非、７〜に薄く、電（：ｉ輸送能を必要としな
いものと考えられる。また、重合膜のキャリアー輸送性
に関しては一切記載がないし、ａ−９ｉの持つ前記した
本質的問題を解決するものでない。 特開昭５０−２０７２８号公報には、基板−Ｌに増感層
、ｆｒ機先光導電電気絶縁体とを順次積層し、さらにそ
の−にに１１さ０．１−１μｍのグ【１−放電重合膜を
形成する技術が開示されているが、この膜は湿式現像に
耐えろように表面を保護４°ろ］」的の６のであり、オ
ーバーコート的に使用される。 ＩＲ合模は非常に薄く、電荷輸送層として使われている
しのではない。重合膜のキャリアー輸送性に関しては一
切記載がないし、ａ−９ｉの持つ前記しノ二本質的問題
を解決ずろらのでない。 特開昭Ｇｏ−０３５４Ｌ号公報は、ａ　−Ｓ　ｉのアン
ダーコート層に２００〜２μｍのダイヤモンド状ｆｒ機
プラズマ重金膜を使用した感光体について開示している
が、その’ＩＴ機プラズマ重合膜は基板とａ　−Ｓ　ｉ
の密？■性を改ｇＪ−る目的の乙のである。 ＩＲ重合膜非常に薄くてよ＜、？［！ｒはトンネル効果
により膜中を移動し、膜自体は電６：１輸送能を必要と
しない。また、ｆｒ機プラズマ重合膜のキャリアー輸送
性に関しては一切記載がないし、ａ−９ｉの［１１つ１
１り記した本質的問題を解決する乙のでない。 特開昭５９−１３６７４２号公報には、基板上に約５μ
ｍの（ｆ機プラズマ重合膜、シリコン膜を順次形成４゛
る半導体装置が開示されている。しかし、そのｒｆ機プ
ラズマ重合膜は、！ｔＩ）板てあろアルミニウノ、のａ
−８ｉへの拡散を防止４“る［］１的の乙のであるか、
その作製法、１ｎ質等に関しては−切記載がない。また
、ｎ機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関してら一
切記載がないし、ａ−Ｓｉの　。 持っ前記した本質的問題を解決するものでない。 ０開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に有機プラ
ズマ重合膜、ａ−９ｉを順次形成した感光体が開示され
ている。有機プラズマ重合膜は、その絶縁性をＩＩＩ用
したアンダーコート層でありブロッキング層、接８雇あ
るいは剥離防止層として機能するらのである。重合膜は
非常に薄くてよい（５μｍ１好ましくは１μｍ以下）。 薄膜であれば不充分な電荷輸送能であってら、表面電位
（残留電位）の」１昇の問題は生じない。繰り返し使用
によりアンダーコート部での電界が上界し、それによる
キャリアの通過が大きくなること（トンネル効果）で、
残留電位の上ゲ１′が低く抑えられるという現象がある
からである。従って本件の重合膜はアンダーコート層と
して使えて乙、キャリア輸送層としては使えない。 主た、ｎ機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関して
は−１，ＩＪ記載がないし、ａ−Ｓｉの持つ前記した本
質的問題を解決４°ろらのでない。 特開昭５９−３８７５３’ｒ’ｉ公報には酸素、窒素お
４］−び炭化水素の混合ガスからプラズマ重合により１
（）〜１００　のｒｆ機プラズマ重合薄膜を形成し、そ
の１：にａ−９ｉ層を成膜する技術が開示されている。 ａ機プラズマ１１１合１０は、他のａ機高分子に比べて
熱劣化がなく、また、絶縁Ｖｌ：を１す用したアンダー
コート層でありブロッキング層あるいは剥離防１１―層
として機能するしのである。重合膜は非＋、ｉ：曹こ薄
くてよく、電６：ｊはトンネル効果により膜中を移動し
、膜自体は電荷輸送能を必要としない。 また、（ｆ機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関し
ては一切記載がないし、ａ−９ｉの持つ前記した木質的
問題を解決するものでない。 特開昭５’ｌ−１４８３２Ｇ号公報は、ガスを予備分解
、予備重合することを特徴とするｌ）　−ＣＶｌ）薄膜
製造方法を開示するが、実施例はＳｉ系の物質をＩＩＩ
用したらののみが例示されているに過ぎない。 特開昭５（ｉ−（ｉ０４４７号公報は、有機化合物とハ
ロゲン化合物混合物の蒸気をプラズマ重合し、ｒＴ機光
導電性膜を形成する方法を開示する。この技術は、ハ【
ｌゲン導入プラズマ重合膜が近赤外域（０，８〜３０μ
ｌ１１）に高感度をａすることを示しているが、その膜
は近赤外線センサーへの応用を目的と４′ろらのであり
、本願のように電子写真感光体への使用を１的にするら
のでなく、また感光体に使用できるか否かについては触
れられていない。 特開昭５３−１２０５２７号公報は、ボッ型放射線感応
材料層を炭化水素およびハ【ｌゲン化水素のプラズマ重
合法で形成する方法が開示されている。本件はボンηル
ノス！・材料を電子線、Ｘ線、λ線あるいはα線により
架橋させ作製する方法であり、電子写真感光体への使用
を目的とするしのでない。 発明が解決し、Ｊ−うとする問題意 思」−のように、従来、感光体に用いられているイｆ機
重合膜はアンダーコート層あるいはオーバーコート層と
して使用１されていたが、それらはキャリアの輸送機能
を必要としない模であって、有機・Ｒ金膜が絶縁性であ
るとの判断にたって用ｔ；られでいる。従ってその厚さ
ら高々５７ｚｚ程度の極めてＡＶい膜としてしかＩＩＩ
いられず、キャリアはＩ・ンネル効果で膜中を通過Ｊ−
ろか、トンネル効果が１す１待できない場合には、実用
」二の残留７１１位としては問題にならないですむ程度
の薄い膜でしか用いられない。 本発明りらは、（ｆ機ｌ■合膜のａ−３ｉ感光体への応
用を検討しているうらに、本来絶縁性であると考゛えら
れてい）コ（＋°機機工金膜、ある特定の結合様式で（
ｆ在する炭素原子（例えば、炭素−炭素二重（ｌｉ合、
第四炭素等）の含ａ割合が７４なると、電気抵抗し変化
し、ある割合になると電荷輸送性を示し始めろ１１を見
出だした。 本発明はその新たな知見ををＩＩＩ　ＩＩＩ　４−るこ
とにより、ｆＬ来のａ−３ｉ感光体の持つ問題点、４′
なわｌＣａ−８ｉの膜厚、製造時間、製造コスト等にお
けろ問題点）を４°べて解消し、また従来とは全く便用
１−１的ら、特性乙シ“ｄなる（１°機重合唖、特に（
ｊ″機ブラズマ重合膜を使用した感光体よ３よびその製
造方法。 を提供４−ろことを目的と４−る。 問題点を解決４゛るための１段 オな４つち、本発明は電荷発生層（３）と１１荷輸送層
（２）とをイ丁４°る機能分離型感光体において、電荷
輸送層（２）が水素を含む非晶質炭素膜で、その化学構
造において、水素と結合した炭素数Ｎ１と水素と結合し
ていない炭素数Ｎ、の比Ｎ、・Ｎ、が１・０１ないし１
１でΔうろことを特徴とする感光体に関４゛る。 本発明感光体は少なくとム電荷発生層と電荷輸送層から
構成される。 ？′Ｉｉ荷輸送層は、水素を含ａずろ非晶質炭素膜（以
下、ａ−Ｃ膜という）である。水素含（ｆ炭素膜（ａ　
−Ｃ膜）中の水素含ｍは、２０−６７　ａｔｏｍｉｃ％
、好ましくは４０〜Ｇ　？　ａｔｏｍｉｃ％、特に４５
〜６５ａｔｏｍｉｃ％／１ｍされろことが望ましい。ａ
−Ｃ膜中に含量１されろ水素の量が２０　ａｔｏｍｉｃ
％より少ないと好適な輸送性が得られ、Ｇ　７　ａｔｏ
ｍｉｃ％より多いと膜質の劣化、成膜性の低１；をきた
４〜。 本発明感光体の特徴は、電荷輸送層としてａ　−０１０
を設（１、さらにそのａ−Ｃ１口中に含有されろ炭素て
、水素と結合した炭素数Ｎ＋と水素と結合していない炭
素数Ｎ、の比Ｎｌ：Ｎ２ｈ＜ｌ・０．１ないしＩ　１て
あろごとにある。 本発明のａ−Ｃ膜中には、種々の結合（，１式をした炭
素原ｒ、例えば単結合（フリーラノカル）、二重結合あ
るいは三重結合等が存在し、更にそれらは水素原子が結
合しているしのあるいは水素原子が結合していないしの
として（Ｙ在ずろ。 本発明のａ−Ｃ膜中における炭素１京子が、水素と結合
していない炭素であり、かつ不飽和結合をイｆずろ炭素
あるいは不飽和結合をイイしない炭素であることおよび
それらの数は、赤外吸収スベク］・ル、プロトンによる
核磁気」（鳴（’Ｉｌ−ＮＭｒｔ）あるいはＩ３Ｃによ
る核磁気共鳴（”Ｃ−ＮＭＩｔ）等を測定°４°ること
により識別ケろことかできろ。 本発明においては水素と結合した炭素数Ｎ、と水素と結
合していない炭素数Ｎ、の比Ｎ＋：Ｎｔが１：Ｏ，Ｉな
いしｌ　ｌであることが重要である。 本発明のａ−Ｃ膜は、Ｎ、の値を１としたときＮ！の値
が０１〜１、より好ましくは０２〜０．８、特に０．２
３〜０．６７であるとき電防輸送層として通しており、
０．１より小さいと、そのような膜を電荷輸送層に用い
た感光体は帯電能は上がる乙のの、すぐにチャーンアッ
プが起こり光感度の低下をきたすため、感光体として使
用できなくなる。Ｉより大きいと、感光体の帯電能が低
下し、感光体として使用できなくなる。 本発明によるａ−ｃｌ１３中には種々の結合様式をした
炭素原子が（？在４“ろが、それらの全炭素原子数は、
膜の組成分析と比重から求められる。ずなわら、ａ−Ｃ
膜のＣとＩＩのＩ１１成分析比がＣＸＩＩｙ（Ｘ→−ｙ
＝りで、膜の比重がＷ（ｇ／ｃｍ’）であると、膜ｌ　
ｃｍ’中の全炭素原子数ＣｃはＦ式［１］・し式中Ｃｃ
は全炭素数、Ｗは比重、ＸおよびＹは炭素および水素の
組成分析比、Δはアポプ月・【１敗（個／ｍｏｌ）を表
４−０１に（Ｌ　Ｌ　＋　（！１ろことかできる。 本発明においては水素と結合した炭素数と水素と結合し
ていな炭素数との和が全炭素数であると４゛ろ。 ａ−０層の厚さは５〜５０μｍ５特に７〜３０１１Ｉ１
１か適当であり、５μｍより薄いと帯電能が低く充分な
ＦＭ　′Ｌ７画像濃度を得ることができない。５０ＩＩ
Ｉ１１より厚いと生産性の点で好ましくない。こ＆）ａ
−０層は透光性、高暗抵抗を（ｆするととらに電（：：
ｉ輸送性に富み、膜１？金上記のように５μｍ以」−と
してし電、ＨＨ月・ラップを生じることなくギヤリアを
輸送４°る。 ａ　　０層を形成４゛ろための何機化合物としては、必
すし乙気相である必要はなく、加熱或いは減圧等に、に
り溶融、蒸発、昇や等を経て気化し得る乙のであれば、
液相でら固相でし使用可能である。 該炭化水素としては、例えば、メタンタリ炭化水素、」
６チジン列炭化水素、アセチレン列炭化水素、脂Ｊζ７
式炭化水素、芳香族炭化水素、等が用いられる。 メタン列炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、
ブ【１パン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタノ、
オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、ト
リデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘプタデカン
、ヘプタデカン、オクタデカン、ノナデカン、エイコサ
ン、ヘンエイコザン、ドコザン、トリコザン、テトラメ
チル、ペンタデカン、ヘキザコザン、ヘブタコザン、オ
クタデカン、ノサコザン、トリアコン、トドリアコサン
、ペンタトリアコンタン、等のノルマルパラフィン並び
に、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソへ
；１ザン、ネオヘギザン、２．３−ジメチルブタン、２
−メチルヘキザン、３−エチルベンクン、２．２−ジメ
チルペンタン、２．４−ジメチルペンクン、３．３−ツ
メチルペンタン、トリブタン、２−メチルへブタン、３
−メチルヘブタン、２．２−ジメチルペンクン、２．２
．５−ジメチルペンクン、２，２．３−トリメデルペン
タン、２，２．４−トリメデルペンタン、２，３．３−
トリメチルペンタン、２，３．４−）ジメチルベンクン
１．イソナノン、等のイソパラフィン、等が用いられる
。 エヂジンタリ炭化水素としては、例えば、エチレン、ブ
Ｃ＋ピレン、イソブヂジン、１−ブテン、２−ブテン、
１−ペンテン、２−・ペンテン、２−メチル−１−ブテ
ン、３−メチル−１−ブテン、２−メチル−２−ブテン
、１−ヘキセン、テトラメチルエチレン、ｌ−ヘプテン
、１−オクテン、ｌ−ノネン、１−デセン、等のオレフ
ィン・＋１２びに、アレン、メチルアレン、ブタツユ―
ン、ペンタノエン、ヘキザジエ、ン、シクロペンタノエ
ン、等のジオレフィン４（２びに、オノメン、ア【１オ
ンメン、ミ　・ルセン、ヘキサトリエン、等のトリオレ
フイン、等が用いられる。 アセチレン列炭化水素としては、例えば、アセチレン、
メチルアセヂジン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペン
チン、１−ヘキノン、１−ヘプテン、１−オクチン、１
−ノニン、ｌ−テンノ等が用いられる。 指環式炭化水素としては、例えば、ツクロブＣＪパン、
ツク（！ブタン、ノクロペンタン、ツク〔ｌヘキサン、
ツクロヘブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シク
ロデカン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロ
トリデカン、シクロテトラデカン、シクロウンデカン、
ノクロヘキザデカン、等のシクロパラフィン並びに、シ
クロプロペン、ツクロブテン、シクロペンテン、ノクロ
ヘキセン、ノクロヘブテン、シクロオクテン、シクロノ
ネン、ツク〔！デセン、等のツク〔１オレフイン・Ｉｌ
２びに、リモネン、テルビルン、フエランドレン、ンル
ベストジン、ツエン、カレン、ピネン、ボルニジン、カ
ンフエン、フエンチェン、ツクＣｌフェンチェノ、トリ
ツクジン、ピザボジン、ジンギヘジン、クルクメン、フ
ムレン、カジネンセスキベニヘン、セリネン、カリオフ
ィレン、サンタレン、セドレン、カンホジン、フィロク
ラテン、ボドカルブレン、ミジン、等のテルペン並びに
、ステ（フィト等が用いられる。 芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、ｌ・ルエ
ン、ギンジン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メノチ
ジン、プレニテン、イソノコレン、ノコジン、ペンタメ
チルベンゼン、ヘキザメチルベンゼン、エチルベンクン
、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ヒフェニル、
テルフェニル、ノフＪニルメタン、トリフェニルメタノ
、ジベンジル、スチルベン、イソテン、ナフタリン、テ
トラリン、アンＩ・ラセン、フェナントレン、等が用い
られろ。 本０発明においてａ−Ｃ膜を形成させろ場合、」−記白
一機化合物を２１類以上の混合気体で使用１して乙よい
。ａ−ＣＩＩＱはｉ’ｙＰＩＪｌ：重合体（ブロックノ
（重合体、ブラットＪ（重合体等）が多く形成され、硬
度も、Ｊ−び付着性が向」二４゛る。また、アルカン系
炭化水素（Ｃｎ”２ｎ＋２）を使用すると、ビッカース
硬度２０００以」−１電気抵抗１０１１Ωｃｍのグイヤ
モンＩ・状超（Ｗ質の、所謂ｉ−Ｃ膜ら形成さＵ・るこ
とかてきる。ただし、この場合のプラズマ条件は高ｔ！
＋Ａ、低圧、高パワーが必要で、更にＪ、ｒ；板に直流
バイアスを印加４”る必要らある。 ギ、トリアガスとしてはＩｌ、やＡｒ　、　Ｎｃ　、　
ｌｌｅ愚の不活性ガスが適当である。 本発明においては、ａ−Ｃ膜の形成には、直流、高周波
あるいは低周波やマイクロ波プラズマ法等の種々のプラ
ズマ法を使用しすることがてきろ。 あるいは後述されているが、電磁波（Ｘ線、レーザー光
等）や」、記プラズマとの併用ら可能である。 それらの重合法の選択により、同一のモノマーで乙、色
々異なった特性をＴＴするｉ−Ｃ膜を得ろことかできろ
。たとえば、低周波プラズマ法（周波数が散ト１１１〜
敗百Ｋ　Ｉｌｚ程度）を使用すると高硬度のａ−Ｃ膜を
得ることができる。本発明においてａ−Ｃ膜を形成さＵ
る際重要なことは、水素と結合した炭素数Ｎ、と水素と
結合していない炭素数Ｎ、の比Ｎ　ｌ：　Ｎ　ｔが０．
１：ＩないしＩ：Ｉとなるように形成・１“ることであ
る。また、電荷発生層を高周波プラズマまたはＰ　−Ｃ
Ｖ　Ｉ）法により形成づ。 る場合には、ａ−０膜も同様の方法て成膜したほうが、
製造装置コスト、工程の省力化につながりにトよしい。 本発明感光体の電荷発生層は特に限定的ではなく、アモ
ルファスシリコン（ａ−９ｉ）Ｅ！（特性ヲ変えろため
種々のＩ’Ｊ種元素、例えば１■、Ｃ，０１Ｓ１Ｎ１！
）、１３、ハＵ７ゲン、Ｇｅ等を含んでいてらよく、上
だ多層＋７４造であってらよい）、Ｓａ膜、５ｅ−Ａｓ
唖、５ａ−１’　ａｌＱ　、　Ｃ：　ｄ　Ｓ模、銅フタ
［Ｉシアニン、酸化亜鉛等の無機物質および／またはビ
スアゾ系顔料、トリアリールメタン系染料、チアジン県
東ｔ１、オギザノン系染料、キザンテン県東れト、シア
ニン系色素、スチリル系色素、ピリリウム系染料、アゾ
系顔料、ギナクリドン系顔料、インノボ系顔料、ペリレ
ン系顔料、多環キノン系顔料、ビスベンズイミダゾール
系顔料、インダスロン系顔料、スクアリリウト系顔料、
フタロシアニン系顔料等のイｒ機物質を含有ケろ樹脂模
等が例示されろ。 これ以外にら、光を吸収し極めて高い効率で？［ｔＡ担
体を発生４゛る材料であれば、いずれの材料であ−）て
ら使用ずろことがてきる。 電荷発生層は公知の方法、例えば上記物質の粉体を適当
な樹脂に分散さ仕成模する方法を使用して設けて乙よく
、本発明において電荷輸送層をプラズマ法で形成４゛る
場合には、電−：ｆ発生層ら同様の方法で成膜したほう
が、製造装置コスト、工程の省力化につながり好ましい
。また電荷発生層を公知の方法で設ける場合には」二足
物質の粉体の表面をあらかじめプラズマ重合により薄膜
コーティング処理し成膜した（１機物質を使用４−ろこ
とら（ｆ効である。例えば、樹脂中にこれらを分散する
場合には、７１（面コート４゛ろことで分散性が向」ニ
したり、耐溶剤性を加味さ仕、変質を防ＩＬ′４°ろ等
の手段がぢ°えられる。 電り：：ｊ発生層は、感光体のどの位置に設けてもよく
、たとえば最上層、最下層、中間１台いずれに設けて乙
よい、　ＩＩ’７は素材の種類、特にその分光吸収特性
、露光光＾；Ｌ、１］１的等に６よるが、一般に５５０
ｎｍの光に対して９０％以」二の吸収が得られるように
設定されろ。ａ−９ｉの場合で０１〜３Ｂｍである。 本発明においては、ａ−Ｃ電？ｆ輸送層の帯電特性を、
；ＩＡＩ節、１−ろたｙ）に、炭素または水素以外のヘ
テ（ｌ原１１を混入ざＵて乙にい。例えば、＋Ｉ’、ｆ
Ｌの輸送性１’ｌをさらに向上ざ仕る）こｙ）に、周期
律表第１１１族原ｒ−１あるいはハロゲン原子を混入し
てもよい。 電子の輸送特性をさらに向上さＵｏるために、周期律表
第Ｖ族１３；（子あるいはアルカリ金属原子を混入して
乙よい。 正負両キャリアの輸送特性を更に向上さＵｏるたｙ）に
、Ｓｉ、Ｇａ、アルカリ土類金属、カルコゲン１＋ｉｉ
　ｒ−を混入してらよい。 これらの原子は；（数州いてらよいし、目的ににす、１
ｕ荷輸送層内で、特定の（η置だけに混入して乙にいし
濃度分布等を自°してらにいが、いずれの場合において
乙正要なことは、該プラズマ！ｎ合＋１ｘ中に、水素と
結合した炭素数Ｎ、と水素と結合していない炭素数Ｎ、
の比Ｎ＋：Ｎｔがｌ：０．１〜１：１であるように形成
ずろことである。 第１図から第１２図は本発明感光体の一態様を示４”模
式的断面図である。図中、（＋）は基板、（２）は電（
：ｊ輸送層としてのａ−Ｃ膜、（３）は電（：：７発生
層を示している。第１図に示す＠様の感光体において、
例えば（帯電し続いて画像露光４°ると、市（：：１発
生層（３）でチャージギヤリアか発生し電子は表面電荷
を中和ずろ。一方、正孔はａ−Ｃ膜（２）の優れた電荷
輸送性に保証されて基板（１）側へ輸送される。第１図
の感光体を一帯電で用いるときは、上記と反対にａ−Ｃ
膜（２）中を電子が輸送されろ。 第２図の感光体はａ−ｃｌ１２（２）を最」二層として
用いた例で、→帯電で用いるときは、ａ−Ｃ膜（２）中
を電子が一帯ｒｌｉで用いろときはａ−Ｃ膜中を正孔が
輸送される。 第３図に示す感光体は、基板（り上に電荷輸送層（２）
を（ｆし、電荷発生層（３）が該ｍ／ｉｊ輸送層（２）
にザンドイッヂされるように設けられた例である。 第４図〜第６図に示４′感光体は、第１図〜第３図にお
いて示した感光体においてさらにオーバーコート層（４
）として厚さ０．０１〜５７ｔｍの表面保護層を設けた
例で、感光体が使用されるシステムおよび環境に応じて
電荷発生層（３）あるいはＴｉｄ！ｉ輸送層ａ−送別漠
（２）の保護と初期表面電位の向上を図った乙のである
。表面保護層は公知の物質を用いればに＜、本発明にお
いては、（ｒ機プラズマ重合によって設（ｊろことか製
造工程の面等から望ましい。本発明ａ−ＣＤを使用して
乙よい。この保護層（４）にら必要に上りへテロ原子を
混入して乙よい。 第７〜９図に示４−感光体は、第１図〜第３図において
示した感光体においてさらにアンダーコート層（５）と
して１！１さ０．０１〜５μ肩の接着層、あるいは障壁
層を設けた例で、用いる堰板（＋）またはその処理方法
に応じて、接着性または注入防止効果を図ったしのであ
る。アンダーコート層は公知の材料を用いればよく、こ
の場合もａ機プラズマ重合法によって設けろことが望ま
しい。本発明によろａ−（Ｊｌｌを用いてらよい。更に
第７〜９図の感光体に第１１〜６図で示したオーバーコ
ート層（４）を設けてらよい（第１０図〜第１２図）。 本発明感光体においては、第２図、第３図、第８図ある
いは第９図のごと＜ａ−Ｃ膜が最表面になりうる構成の
場合、そのａ−Ｃ膜にさらに酸素、水素、不活性ガスや
ドライエッヂング用ガス（例えば、ハロゲン化炭素）、
あるいは窒素等のプラズマを照射して、表面改質を行う
ことら可能である。そうすることにより感光体の耐湿性
、耐摩耗性および帯電能をさらに向上させることができ
る。 本発明感光体は電荷発生層と電荷輸送層とをａ４”る。 従ってこれを製造するには少なくとら二工程を必要とず
ろ。電荷発生層として、例えばグロー放電分解装；８を
用いて形成したａ−３ｉ層を用いろときは、同一の真空
装置を用いてプラズマ重合を行なうことか可能であり、
従ってａ−Ｃ電荷輸送層や表面保護層、バリア一層等は
プラズマ重合法により行なうのが特に好ましい。 本発明による電子写真感光体の電荷輸送層は、気相状態
の分子を減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気
中に含まれろ活性中性種あるいは荷電極を」□（仮−１
−に拡散、電気力、あるいは磁気力等により誘導し、」
ｌ（板上での再結合反応により同相として坩債させる、
所謂プラズマ重合反応から生成される。 第１３図は本発明に係る感光体の製造装置で容（Ｉ七結
合型プラズマＣＶ　Ｉ）装置を示す。電向輸送胎として
プラズマ重合ポリエヂレン唖をＮ゛４”ろ感光体を例に
とり、その製造法を第１３図を用いて説明４゛る。 第１３図は本発明に係わる電子写真感光体の製造装置を
示し、図中（７０１）〜（７０Ｇ）は常／！ｋにおいて
気相状態にあるＩＩ；］料化合物およびキャリアガスを
密封した第１乃至第６タンクで、各々のタンクは第１乃
至第６調節弁（７０７）〜（７１２）と第１乃至第６流
巧【制御ａ：４（７１３）〜（７１８）に接続されてい
る。 図中（７１９）〜（７２１）は常温において液（・［１
または固相状態にある原料化合物を封入した第１乃至第
３容器で、谷々の容器は気化のため第１乃至第３温ユＪ
器（７２２）〜（７２４）によりｌ！Ｉ！Ｌニー１可能
、例えば、常７ｕｒ〜１５０℃、あるいは−５０℃〜常
温であり、さらに各々の容器は第７乃至第９ニーＩ節ブ
Ｆ（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流！１１制御
器（７２８）〜（７３０）に接続されている。 これらのガスは混合器（７３１）で混合された後、主管
（７３２）を介して反応室（７３３）に送り込まれる。 途中の配管は、常温において液相まノこは固相状態にあ
−）た原ｔ１化合物か気化したガスが、途中で凝結しな
いように、適宜配置された配管加熱器（７３１）により
、！　ｊ　Ｑ　ＩＩＩ能とされている。 反応室内には接１１ｉ！電極（７３５）と電力印加電極
（７３Ｇ　）／Ｊ’　ｌ−ｆ　向Ｌ−Ｃ設：ηサレ、各
／／　（１’）　？（ｉ　％ｂ　ハ？ｌｉ極加熱器（７
３７）により与熱可能とされている。 Ｉ′ｕ力印加？［極には、高周波電力用１整合器（７３
８）を介して高周波’ｎ１ｌＡ：ｉｃ７３９　）、低周
波電力用整合器（７４０）を介して低周波？［と：ｔ（
７４１）、Ｃ！−パスフィルタ（７４２）を介して直流
７１ｉ源（７４３）か接続されており、接続選択スイツ
チ（７４４）にＪ−り周波数の５１１Ｘなる電力が印加
可能とされている。 反応室内の圧力は圧力制御弁（７４５）によりｙＪ１１
１整可能であり、反応室内の減圧は、排気系選択弁（７
４Ｇ）を介して、拡散ポンプ（７４７）、４１１回転ポ
ンプ（７４８）、あるいは冷却除外装；１γへ（７４９
）、メカニカルブースターポンプ（７５０）、ｉ＋Ｉ＋
回転ポンプにより？ｉなわれろ。 １ノＦガスについては、さらに適当な除外装置（７５′
３）に上り安全無害化した後、大気中に排気される。 これらυト気系配管については、常温において液相上た
は固相状態にあった原ネ“ト化合物が気化したガスか、
途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器に
」；す、与熱可能とされている。 反応室ら同様の理由から反応室加熱器（７５１）により
り熱＋＋Ｊ能とされ、内部に配された電極上に導電性括
仮（７５２）が設置１ツされる。 第１３図に於いて導？ｕ性基板は接地電極に固定して配
されているが、電力印加７１ｉ極に固定して配されてし
よく、更に双方に配されて乙よい。 感光体製造に供する反応室は、拡１牧ポンプによりｆめ
１０　　’乃至！０８程度にまで減圧し、真空度の確認
と装置内１１りに吸召したガスの脱着を行う。 同時に電極Ｊ＋＋＋熱器により、電極並びに電極に固定
して配された導電性基板を所定の温度まで昇温する。 次いで、第１乃至第６タンクおよび第１乃至第１３容器
から；工；）料ガスを第１乃至第９流Ｍ制御器を用いて
定流量化しながら反応室に導入し、ＩＥ力調節弁により
反応室内を一定の威圧状態に保つ。 ガス流Ｌ１１か安定化した後、接続選択スイッチにより
、例えば高周波７ｕ源を選択し、？［１力印加電極にに
り高周波電力を投入ずろ。 両組（・槍間にけ放電が開始され、時間と共に」８（板
１−に１．１月１１の１１・文か１［構成されろ。 以−１−の構成において、例えば第１図に示した感光体
を製造°・Ｊ゛る場合、反応槽（７３３）を一定の真空
状態としてから、例えばガスライン（７：１２）を介し
て第１タンク（７０１）よりＣ，Ｉｔ、ガス、第２タン
ク（７０２）よりギ鬼・リアガスとしてＩＬガスを０（
給゛４゛ろ。 一方１．〜４周ｏ！／電源（７３９）より上部電極板（
７：１ｌｉ）にｌ　Ｏｗａｌｌｓ〜ｌ　ｋｗａＬＬｓの
７は力を印加し両電極板間にプラズマ枚７Ｉ［を起こし
、Ｐめ加熱されたＡａ」、ζ板（７５２）ｌ−に１７さ
５−５０μｍのａ−Ｃ電６：ｆ輸送層（２）を形成４°
ろ。この７１ｊ　Ａ輸送層は本発明により生成したａ−
Ｃ膜中、水素と結合した炭素数Ｎ、と水素と結合してい
ない炭素数Ｎ２の比Ｎ、：Ｎ、が１０、ｌないしｌ・１
である。この比は他の要造条（牛（二乙依（ｔ４”るが
直流？ｔｉ１を二源（７４３）からＩＯＶ〜ＩＫＶのバ
イアス電圧を印加４゛ろことにより制御できろ。叩ら、
水素と結合した炭素数はバイアス４圧を高＜４゛ること
によって減少し、ａ−Ｃ膜自体の硬度を高く４−ろこと
ができろ。こうして形成されたａ−Ｃ電荷輸送層は透光
性、暗抵抗に優れ、チャージキャリアの輸送性に芹しく
浸れている。尚、この層に、例えば第４タンク（７０４
）より１＋　、　Ｉｔ　ｕガス、または第５タンク（７
０５）よりＩ）１１．ガスを導入してり、Ｎ型に制御し
て電荷輸送性を一層高めてら良い。 次に電６：ｊ発生層（３）は、第２及び第３タンク（’
１０２）、（ｊ０３）よりＩｔ、、５ｉ１１４ガスを導
入することによりａ−８ｉをＩｋ体と４°ろ層としてバ
５１反されろ。 また、電荷輸送層形成のため反応槽（７３３）へ導入す
る化合物が液体状の物質であるときは、先述の方法でガ
スを反応槽（７３３）へ導入し、プラズマ重合さＵ・れ
ばよい。 また沸点の高い（ｒ機化合物からａ−Ｃ膜を形成ずろ場
合は、Ｊ１ξ板上にあらかじめそれらの物質を塗／ｌｉ
してよｊき、次に真空槽中でキャリアーガス等のプラズ
マを照射して、重合を開始さ仕てらｊ−い（所謂プラズ
マ重合法）。 本発明におけるａ−Ｃ膜形成プラズマ市合法は、さらに
レザーヒーム、紫外線、Ｘ線あるいは電子線等の電磁波
を弔独で、あるいは補助的に照射し、ａ−Ｃ膜を形成す
ること（光アシスト法）や磁界、バイアス直流電界のア
シストら有効である。光アンスト法は、ａ−Ｃ膜の堆積
速度を向−にさＵ、製造時間をさらに短縮さＵｏたい場
合や、ａ−Ｃ膜の高度を」−界さＵたい場合に有効であ
る。 以下、実施例を挙げ、本発明を説明ずろ。 去旗桝↓ （１）電６：ｊ輛送層（ａ−０層の形成ｌ第１３図に示
ずグ〔Ｊ−放電分解装置において、よ４°、反応槽（７
３３）の内部をｌ　０　６′ｌ’ｏｒｒ程度の高真空に
した後、第１および第２バルブ（７０７）お、Ｊ−び（
７０ｇ）を開放し、第１タンク（７０１）ＪミリＣｔ１
１４ガス、第２タンク（７０２）より１１．ガスを出力
圧ゲージＩＫｇ／ｃｍ’の下でマスフローコントローラ
（７１３）および（７１４）内へ流入さＵた。そして、
各マスフローコントローラの１］盛を、ＩＡＩ整して、
Ｃ，１１゜の流１１ｔを４０ｓｃｃｍ、　ｌｉｔを７０
ｓｅｃｍとなるように設定して反応槽（７３３）内へ流
入した。夫々の流ｍが安定した後に、反応槽（７３３）
の内圧が０．５Ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、
導電性基板（７５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０ｍｍの
アルミニウム板をＩＩ＋いて２４０℃に予じめ加熱して
おき、８ガス流！ｉが安定し、内圧が安定した状態で高
周波７ｄに（（７３９）を投入し上部？Ｔｉ極板（７３
６）に８０　ｗａｌｌｓの電力（周θ々敢１３．５６Ｍ
ＩＩｚ）を印加して約４時間プラズマ市合を行ない、導
電性Ｊ、ζ仮（７５２）ｌに、ｊ７さ６０μｍのプラズ
マ重合エチレン膜からなる電６：ｆ輸送層を形成した。 以上のようにして得られたプラズマ重合エチレン膜をフ
ーリエ変換赤外分光（パーキンエルマートに製）、”Ｃ
−ＮＭＩえ装置（日本電子社製固体ＮＭｌυｊ−；、及
び’ｌｌ−ＮＭｌｉ装置（［１本？ｕ子社製固体ＮＭｒ
ｔ）等で測定し、分析したところ、プラズマ重合エチレ
ン膜の化学構造においては、水素と結合した炭素数Ｎ、
と水素と結合していない炭素数Ｎ２の比Ｎ、＋Ｎ、は約
８０・２０、即し、Ｉ：０．２５であった。またその１
聞の電気Ｊｌｋ抗を測定したところ、暗抵抗が３ＸｌＯ
”Ωｃｆｆｌ以下であり、明暗抵抗比が１０２〜１０４
以」二であった。本発明プラズマ重合エチレン膜は゛吊
子写真感光体として十分使用できることか判った。 （Ｉ＋）？［ｉ荷発生層（ａ−３ｉ層の形成）基板（１
）上にプラズマ重合エチレン膜を（１）の過程により形
成後、高周波電源（７３９）からの電力印加を一次停止
し、反応槽の内部を真空にした。 第３および第２バルブ（７０９）および（７０ｇ）を開
放し、第３タンク（７０３）より５ｉｌ１４ガス、第２
タンク（７０２）からｌｌｔガスを出力圧ケーン１１ぐ
ｇ／ｃｍ２の干てマスフ［Ｊ−コントローラ（７１５）
お、ｊ；び（７１４）内へ流入さＵた。各マスフロ−コ
ントローラの目盛を、す、ζ１整して、５ｉ１１．の流
ｍを９０ｓｅｃｍ、１１．の流ｊ１１を２１ｈｃｃｍに
設定し、反応槽に流入させた。 夫々の流ｉ１が安定した後に、反応槽（７３３）の内１
「がＩ　、　０　’Ｉ’ｏｒｒとなるよう調整した。 ガス流ｊＩｔが安定し、内圧が安定した状態で高周波Ｉ
ｌ＋：１（７３９）を投入し、電極板（７３６）に３０
Ｗの電力（周波数ＭＬ５ＧＭＩＩｚ）を印加してグロー
放電を発生さＵｏた。このグし！−放；ｔｉを１０分間
行ない厚さ１μｍのａ−Ｓ　ｉ　：　１ＩＷＩｉ向発生
層を形成さ口°た。 （±ＶΣ（感う買０憾り」１」止、炭ｔ’　４１１ｉ　
）工程（１）わ、ｊ；び（１１）ににす、電？、：Ｉ発
生層、ａ−８ｉ層をＡｌ２Ｍ板」二に順次積層した感光
体の性能評価を実施した。評価は第１４図に示した感光
体テスターを使用し、帯電能よｊよび感度について行っ
ノこ。 作製した感光体試料（３５）をスキャニングテーブル（
３７）に載置し、シールドブＪバー（３６）で固定した
。 スキャニングテーブル（３７）を帯電領域（５２）に浮
動し、＋−７、７Ｋ　Ｖ　ノ直ｌＡＥ高電圧（ＩｌＯ）
により供給されろ高電圧をチャージャー（４２）に印加
し、試料（３５）の表面にコ（Ｊす放電を行った。次ぎ
にスキャニングテーブル（３７）を放電領域（５１）に
移動した。 コ［１す帯７ｕされた試料の表面電位は透明電極（４８
）に、にり感知され、表面電位メーター（４９）でその
値を読み取られ、レコーダー（５０）に出力される。本
発明感光体は良好な帯電能を示した。 次に、ツヤツタ−（４７）を開き、！（４４）で反射し
たハＣｌゲノデンプ（４３）光を帯電している試料（３
５）の表面に照射した。照射は透明電極（４８）を通じ
て行なわれ、照射による表面電位の変化はレコーダー　
（５０）に出力されるとともに、その時、流れた電流（
よ光電流モニター（３８）に検知される。本発明感光体
は、初期表面電位（Ｖ、）＝　−４９０ｖｏｌＬのとき
の半１ｌＲ７に先ｆｆｔ　Ｅ　１／２が約０．８１ｕｘ
−ｓｃｃであった。 さらに実験例１と同じ要領で、感光体ドラムを作製し、
ミノルタカメラ（株）製複写機（Ｅｒ’−６５０７、）
で実７Ｉ試験を行ったところ、良好な画像か得られた（
なお、この際、電力２５０Ｗ、Ｃｔ１１４３００ｓｃｃ
ｍｓ　ＩＬ　Ｇ　５０ｓｃｃｍｓ池は平板の場合と同し
てあ−）た）。更に電荷発生層は電力２５０Ｗ％Ｓ　１
ｌｌａ　　ｌ　８０ｓｃｃｍ、　Ｉｌｔ　５００ｓｅｃ
ｍ、池は・１４仮の場合と回しであった。 まノこ、ドラム型感光体テスター（図示Ｕ−ず）て複写
ブ（ｌセスのンコミレーシタンを行ったところ、帯電チ
ャージ−露光照射−転写・除電チャーノー除電イレーザ
光照射を５０に回の繰り返し後ら、安定した静電特性が
得られた。 Ｊ、ｔｐ□イＭｌ　　１２−一 実施例１で使用した装置を用い、プラズマ条件等の種々
の条件を変えて、プラズマ重合エヂレン膜を作製してい
った場合、膜中のＮ、：Ｎ、の（１１（がｌ＝１以上の
乙のは殆んど作製不能であった。仮に出来たとしても十
分なｍ荷輸送機能を示さず、残留電位の高いしのとなる
。 比較例２ 実施例Ｉの工程（＋）で作製された本発明によるプラズ
マ重合エチレン脱の代わりに、低密度ポリエチレン膜を
有機重合の常法により厚さ６μｍに作製し、その上に：
［程（ＩＩ）を施した。 ポリエチレン膜は、Ｎ、：Ｎ、が約９９．５：０．５、
即ち、ｌ：５Ｘ１０　３であった。また電気抵抗は約Ｉ
ＱＩＯΩＣａｔであり絶縁体であった。 （１，ｌられた感光体の性能評価（ｉｌｌ）を行なった
ところ、感光体は光感度がなく、敗Ｕの操り返しでずぐ
ヂト−ジアソブし、電子写真には使用できないムのであ
った。 比較例３ アルミニウムＪ、Ｉ、仮」二にａ−８ｉ層のみを形成し
た感光体を作製した。作製は実施例！と同様の条件下で
３．２５時間行い、１７さＧ　　５Ｂｘのａ　−Ｓ　ｉ
層を形成した。 得られたＪ５光体の性能評価を行ったところ、得られた
感光体はＶ、−一＋　００Ｖ、　Ｅｌ／２＝２．７Ｑｕ
ｘ−ｓｅｃであり、十極性では十分な帯電能が得られな
かった。 なよｊ１今後、実施例、比較例と乙に・Ｌ仮でのみ作製
し、静電特性、画像特性をの調べた。 及奮鯉ん （１）第１３図に示ずグ「ｌ−放電分解装置において、
まず、反応室（７３３）の内部をＩ　Ｏ”ｌ”ｏｒｒ昆
１１の高真空にした後、第１および第２調整弁（７０？
）および（７０ｇ）を開放し、第１タンク（７０１）よ
り０２１（、ガス、第２タンク（７θ２）よりＩＩ、ガ
スを出力圧ゲージ１Ｋｇ／ｃｍ”の下でマスフ【１−コ
ントし！−ラ（７１３）お、Ｌび（７１４）内へ流入さ
せた。そして、各マスフ【１−コント〔２−ラの１１盛
を調整して、Ｃ，１１，の流ｔｉｔを７０ｓｃｃｍＳｕ
、を８０　ｓｅｃｍとなるように設定して反応室（７３
３）内へ流入した。夫々の流１４が安定した後に、反応
室（７３３）の内圧が１゜０Ｔｏｒｒとなるように調整
した。一方、導電性堰板（７５２）としては、２Ｘ５Ｑ
ｘ５０＋ｕのアルミニウノ、仮を用いて２００℃にｔじ
め１１１１熱しておき、各ガス流ｍが安定し、内圧が安
定した状態で高周波電源（７３９）を投入し電力印加電
極（７３６）に８５１ＬＩＬｔｓの電力（周波数１３．
５　（ｉＭＩＩｚ）を印加して約１　（１時間プラズマ
条件合を行ない、導電性括仮（７５２）ｌに、厚さ約９
μｍの電荷輸送層をバ３成した。 この膜中のＮ＋：Ｎｔｉよ約（ｉ層：３７、即ら、１．
０゜５９であっノニ。 （［１）　　高周波１１源（７３９）からの電力印加を
一時停正し、反応室の内部を真空にした。 第４および第２９１−１整弁（７１０）および（７（１
８）を開放し、第４タンク（７０４）より５ＩＩＩ４ガ
ス、第２タンク（７０２）から１１．ガスを出力圧ゲー
ジ’Ｋｇ／ｃｍ’の下でマスフローコント【１−ラ（７
１［））および（７＋４）内へ流入させた。各マスフ（
ノーコントローラの目盛を調整して、ｓｉｌ＋４の流量
を９０ｓｃｃｍ、ＩＩ、の原虫を２１　Ｏ５ＣＣｍに設
定し、反応室に流入さＵた。夫々の流バｌが安定した後
に、反応室（７３３）の内圧が１．０Ｔｏｒｒとなるよ
うシ１１整した。 ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印ｂｒ＋電極（Ｔａｌｅ）に３
０Ｗの電ソバ周波敢１３　、５６　Ｍｌｌｚ）を印加し
てグロー放電を発生さけた。このグロー放電を１０分間
行ないＩＩＪさ１μｍのａ　−Ｓ　ｉ　：　１１７ｕ＃
１発生層を形成させた。 得られた感光体は初期表面電位（Ｖｏ）＝　−４８０ｖ
ｏｌｔのときの半減露光””Ｉ／２は０　、５　（ｕｘ
−ｓａｃであった。また、この感光体に対して作像して
転写したところ、鮮明な画像か得られた。 二均１１１邑ＩＭ＋　３−□ （１）第１３図に示４′グ（１−放電分解装；Ｈにおい
て、まず、反応室（７３３）の内部を１０６Ｔｏｒｒ程
度の＋？ｊ＋真空にした後、第１ないし第３調整弁（７
０７）ないしく７０９）を開放し、第１タンク（７０１
）よりＣ，１１，ガス、第２タンク（７０２）よりＣ１
１，ガス、第３タンク（７０３）より１１．ガスを出力
圧ゲージ１Ｋｇ／ｃｍ２の下でマスフ［ｌ−コントロー
ラ（７１３）ないしく７１５）内へ流入さＵｏた。そし
て、各マス７０−フントローラの目盛を調整して、Ｃ，
１１，の流！■を５０ｓｅｃｍ％Ｃ１１ａをｌ　００ｓ
ｃｃｍＳＩｌｔをｌ　２０ｓｅｃｍとなるように設定し
て反応室（７３３）内へ流入した。 夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が
Ｉ　、　ＯＬｏｒｒとなるようにＪ、’ｌ整した。一方
、導電性、括阪（７５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０１
１１ＪＩのアルミニウム板を用いて２５０℃に予じめ加
熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧が安定した状態
で高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３
６）に、２００　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３．５６
ＭＩＩｚ）を印加して約５時間プラズマ重合を行ない、
厚さ約５゜９μｍの電荷輸送層を形成した。 この膜中のＮ、：Ｎｔは８２：１８、即ち、１：０゜２
２であった。その上に実施例２の（ＩＴ）で示した？［
ｔｄｉ７発生層を形成した感光体を得た。この感光体は
、Ｖ、＝−５２０ｖｏｌｔ、　Ｅｌ／２＝　１．５１ｕ
ｘ−ｓａｃであった。また作像、転写したところ鮮明な
画像が得られた。 実施例４ （１）　　第１；う図に示すグロー放電分解装置におい
て、まず、反応室（７３３）の内部をＩ　Ｏ’　ｉ’ｏ
ｒｒ程度の高真空にした後、第１ないし第３　＃ＡＩ整
弁（７０７）ないしく７０９）を開放し、第１タンク（
７０１）よりＣ，Ｉｌ、ガス、第２タンク（７０２）よ
りＣ１１，ガス、第３タンク（７０３）よりＩｌ、ガス
を出力圧ゲージ１Ｋｇ／Ｃｍ’の下でマスフ［ｌ−コン
トローラ（７１３）ないしく７１５）内へ流入さＵｏた
。そして、各マスフロ−コント【Ｉ−ラの１１盛を１．
九１整して、Ｃｔｌ１４の流量を５５ｓｅｃｍ、　Ｃ１
１４をＧ　０ｓｃｃｎ＋、　Ｉｌｔをｌ　ＯＯｓｃｃｍ
となるように設定して反応室（７３３）内へ流入した。 夫々の流７社が安定した後に、反応室（７３３）の内圧
が２　、Ｏｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電
性Ｊ、ζ仮（７５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５．Ｏｍｍ
のアルミニウム板を用いて２５０℃に予じめ加熱してｔ
５き、３ガス流ｌｉｔが安定し、内圧が安定した状態で
高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６
）に、２　Ｇ　Ｏｗａｌｌｓの７ｕ力（周波数１３．５
６ＭＩＩｚ）を印加して約４．５時間プラズマ重合を行
ない、厚さ約５μｍの７ｒ１荷輸送層を形成した。 この膜中のＮ　＋　：　Ｎ　ｔは約５８：４２、即し、
１゜０７２であった。 そのＬに実施例２の（１１）で示したＴｒｉ　（：ｊ発
生層を形成した感光体を得た。この感光体はＶ、、＝−
５４０Ｖ（ＩＩＬ、　＋（１／２−約１．８１ｕｘ−ｓ
ｃｃであった。また、作像、転写したところ鮮明な画像
が得られた。 モ駐 （１）第１３図に示４−グロー放電分解装置において、
まず、反応室（７３３）の内部をＩ　Ｏ”Ｌ’ｏｒｒ桿
度の１ｆ’１１真空にした後、第１ｊｊよび第２　、ａ
’、Ｉ整弁（７０７）および（７０８）を開放し、第１
タンク（７０１）よリＣＩＯ，ガス、第２タンク（７Ｑ
２）より１１２ガスを出力用ゲージＩＫｇ／ｃｍ’の下
でマスフローコント１ノ−ラ（７１３）−ｔ’；、にヒ
（７１４）内へ流入さＵ゛た。そして、各マスフローコ
ント【Ｊ−ラの［１盛をコ１す整して、ｅｌｌ、の流量
をりＯｓｃｃｍ、　ＩＩ　ｔをｌ　ＩＩ　Ｏｓｃｃｍと
なるように設定して反応室（７３３）内へ流入した。夫
々のｔＡＬｍが安定した後に、反応室（Ｌｉ２）の内圧
が０゜２Ｔｏｒｒとなるようにｇ、＋＋整した。一方、
導電性基板（７５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０１１Ｍ
のアルミニウム板を用いて３５０℃に予じめ加熱してお
き、各ガス流Ｍが安定し、内圧が安定した状態で高周波
ＩＩｉ源（７３９）を投入し電力印加電極（７３６）に
３００ｗａｌｋｓの電力（周波数１３．５６ＭＩＩｚ）
を印加して約１０時間プラズマ重合を行ない、導電性Ｊ
ｌ（板（７５２）上に含打される全炭素原子の１７さ約
６．５μｍのｒｔｉ荷輸送層を形成した。この膜中のＮ
１・Ｎ、は８７５・１２５、叩ら、Ｉ：Ｏ，１４であっ
た。 その−１ユに実施例２の（１１）で示した？Ｉｉ荷発生
層を形成Ｌ／こ感光体を得た。この感光体は、Ｖ、＝−
５９５ｖｏｌｔ、Ｅｌ／２＝２．ｌ！ｕｘ・ｓｃｃてあ
った。また作像、転写したところ、鮮明な画像が得られ
た。 大１１魚−ｉＭＩ且 （１）第１：３図に示４−グロー放電分解装置において
、ま・１゛、反応室（７３３）の内部をＩ　Ｏ”Ｉ’ｏ
ｒｒ１１ｉｊ度の高真空にした後、第６および第７５．
−１整ブＦ（７１２）わ５】；び（７２５）を開放し、
第６タンク（７（１６）よ１１１、第１容器（７１９）
よりスチレンガスを出力ゲージＩＫｇ／ｃｍ２の下でマ
スフローコン１−ｃｌ−ラ（７Ｈｌ）ににＵ（１２８）
内”Ｍｉ人すｔＬ　タ。第１　ｆＦａ：４（７１９）Ｌ
ｋ第１加熱ａ：４（７２２）に」；り約２０℃に加熱し
た状態で用いた。そして、谷マスフローコントローラの
１］盛を調整して、スチレン（Ｃ，ＩＬ）のｔＡｉｆｆ
ｉを６０ｓｅｃ＋＋、１１２を３０　ｓｅｃｍとなるよ
うに設定して反応室（７３３）内へ流入した。夫々の流
量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が０　、４
　Ｔｏｒｒとなるようじｘ１１１整した。 一方、導電性基板（７５２）としては、２ｘ５０ｘ５０
ｍｍのアルミニウム板を用いて１５０℃に予じめ加熱し
ておき、各ガス流量が安定し、内圧か安定した状態で低
周波電源（７４１）を投入し７ｕ力印加電極（７３６）
にｊ　２０　ｗａＬＬｓの電力（周波数３０ＫＩＩｚ）
を印加して約４０分プラズマ重合を行ない、導電性ＪＡ
仮（７５２月二ζ１厚さ約９μｍの７１荷輸送石を形成
した。 この膜中のＮ　、：　Ｎ　ｔは５４：４６、即ち、ｌ：
０゜８５であった。その上に実施例２の（Ｕ）で示した
電イ：：７発生層を形成した感光体を得た。この感光体
は、Ｖ　＋＋”　　Ｇ　７０　ｖｏｌｔ、Ｅ　ｌ／２＝
　４１ｕｘ−ｓａｃてあった。また作像、転写したとこ
ろ鮮明な画像か得られノニ。 発明の効果 本発明による（「機プラズマ重合膜を電６：ｉ輸送層に
（Ｔ４′ろ感光体は電荷輸送性、帯電能に優れ、膜Ｌ７
かＡ’ｉ　＜て乙充分な表面電位を得ることかでき、か
つ良好な画像を得ることができろ。本発明に従えば、電
荷発生層にａ−３ｉを使用４”る場合、従来のａ−６ｉ
感光体では達成することのできなか−、た薄膜の感光体
を得ろことができる。 本発明感光体はその原料が安価であり、必要な各層か同
一の槽内て成膜できるとともに、膜厚が薄くてよいのて
、製造コストが安く、かつ製造時間が短くて済む。　本
発明によるａ機プラズマ重合膜は、薄膜に形成してらピ
ンホールが生じにく、均質に形成４′ろことができるの
で、薄膜化が容易である。ざらに耐コ［ｌす性、耐酸性
、耐湿性、耐熱性、トナーの離を性および剛直性にし浸
れているので、表面保護層として使用すると感光体の耐
久性か向上４〜る。

【図面の簡単な説明】

第１図から第１２図は本発明感光体の模式的断面図を示
す。 第１３図は感光体製造装置を示す概略図である。 第１４図は感光体テスターを示す慨略図である。 図中の記号は以下の通りである。 （１）・・基板　　　　（２）・・・電荷輸送層（ａ−
０層）（３）・電荷発生層　（４）・・・オーバーコー
ト層（５）・・・アンダーコート層 （７０１）〜（７０６）・・タンク （７０７）　〜（７１２）ｌ’（７２５）〜（７２７）
−＝ＷＡＩ節弁（７１３）〜（７１８）及び（７２８）
〜（７３０）・・・マスフ〔２−コント［！−ラー （７１９）〜（７２１）・・容器（７３２）・・・主管
（７３３）・・反応室　　　（７３５）・・・接地電極
（７３６）・電力印加用電極 （７３９）・高周波電源　（７４１，）　　低周波電源
（７４３）・・直流電圧Δ５；【 （７４７）〜（７５０）・真空ポンプ （７５２）・・導電性基板 （３５）・・試料、　　　　　（３６）・ンールドカバ
ー（３７）・・スキャニングテーブル （３８）・・・光電流モニター（３９）・・・スイッチ
（４０）・・・直流高電圧　　（４１）・・・総電流モ
ニター（４２）・・・ヂャーノヤー （４３）・・・ハロゲンランプ（４４）・・・鏡（４５
）・・・コールドフィルター （４６）・Ｎｒ）フィルター （４７）・ツヤツタ−（４８）・・・透明電極（４９）
・表面電位メーター （５０）・・・レコーダー　　（５１）・・・放電領域
（５２）・帯電領域

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）とを有する機
   能分離型感光体において、電荷輸送層（２）が水素を含
   む非晶質炭素膜で、その化学構造において、水素と結合
   した炭素数Ｎ＿１と水素と結合していない炭素数Ｎ＿２
   の比Ｎ＿１：Ｎ＿２が１：０．１ないし１：１であるこ
   とを特徴とする感光体。