JPS62238573A - 感光体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
泪栗上例皿4+1 ’妃吐
本発明は感光体、特に電子写真感光体に関ずろ。
3剃投冴雁
近年、感光体、特に電子写真用感光体にプラズマ化学蒸
着法(以下、r’ −CV I)法という)により作製
されたアモルファスノリコン(以下、a−5iと略す)
か採月1されるに至っている。 a−Si感光体は種々の優れた特性を(fする。しかし
a−3iは比誘電率εが12程度と大きいため、感光体
として充分な表面7Ii位を得るためには、本質的に最
低25μm程度の膜厚が必要であるという問題がある。 a−9i感光体は、P−CVD法においては唖の堆積速
度が遅いため作製に長時間を要し、さらに均質な膜のa
−Siを得ることが作製時間が長くなる程難しくなる。 その結果、a−5i感光体は白斑点ノイズ等の画像欠陥
が発生Cる確率がly’r+ <、さらに原料費が高い
という欠点等がある。 」−記の欠点を改良4′るための岨々の試みがなされて
いるが、本質的に膜17をこれより薄くすることは好ま
しくない。 一方、a−9i感光体は基板とa−3iとの密着性、さ
らに耐コ〔Iす性、耐11境性あるいは耐薬品性が忠い
といった欠点乙17 +’+= 4°る。 そのような問題点を解消J−るため(r機プラズマ「R
金膜をa−8i感光体のオーバーコート層あるいはアン
ダーコート層として設ける事が提案されている。、 1
iii#の例は、例えば特開昭GO−GI7GItシー
公報、特開昭59−214859号公報、特開明5l−
4G130号公報あるいは特開昭50−20728号公
報等が知られており、後打の例は、例えば特開昭60−
63541号公報、特開Iイ(59−13G742号公
報、特開昭59−28161号公報あるいは特開昭59
−38753号公報等が知られている。 その他プラズマ重合法を使用したものとして、例えば特
開昭59−14832G号公報、特開昭56−6044
7号公報あるいは特開昭53−120527号公報等が
知られている。 打機プラズマ重合膜はエヂジンガス、ベンゼン、芳呑族
シラン等のあらゆる種類の有機化合物のガスから作製で
きること(例えばニー、ティ、ベル(A、T、Be1l
)、エム、ジエン(M、 5hen)ら、ジャーナル
オブ アプライド ポリマー サイエンス(Jouna
lof Apl)licd r’olymer
5cience)、第17巻、885−892頁(19
73年)等)が知られているが、従来の方法で作製した
有機プラズマ重合膜は絶縁性を前提とした用途に限って
用いられている。従って、それらの膜は通常のポリエチ
レン膜のごと<to”Ωcm程度の電気抵抗をイ1°l
°る絶縁11々と考えられ、あるいは少なくとらその様
な膜であるとの認識の乙とに用いられていた。 特開昭(io−GI761号公報記載の技術は、500
〜2μmのダイヤモンド状炭素絶縁1hを表面保護層と
して波頂した感光体を開示している。 この炭素薄膜はa−9i感光体の耐コロナ放?ltおよ
び機械的強度を改良ずろためのらのである。重合膜は非
常に薄く、電荷はトンネル効果により膜中を移動し、膜
自体電荷輸送能を必要としない。また、rf機プラズマ
重重金膜キャリアー輸送性に関しては一切記載がないし
、a−5iの持つ前記した、本質的問題を解決する乙の
でない。 特開昭59−214859号公報には、スチレンやアセ
チレン等の有機炭化水素モノマーをプラズマ重合により
厚さ5μm程度の有機透明膜のオーバーコート層として
被膜ずろ技術か開示されているが、その層はa−9i感
光体の画像流れの防止よjよび剥離、耐久性、ピンホー
ル、生産効率を改良4°ろものである。有機プラズマ重
合膜のキャリアー輸送性に関しては一切記載がないし、
a−3iの持つ前記した本質的問題を解決する乙のでな
い。 特開昭51−46130号公報には、N−ビニルカルバ
ゾールをグ
着法(以下、r’ −CV I)法という)により作製
されたアモルファスノリコン(以下、a−5iと略す)
か採月1されるに至っている。 a−Si感光体は種々の優れた特性を(fする。しかし
a−3iは比誘電率εが12程度と大きいため、感光体
として充分な表面7Ii位を得るためには、本質的に最
低25μm程度の膜厚が必要であるという問題がある。 a−9i感光体は、P−CVD法においては唖の堆積速
度が遅いため作製に長時間を要し、さらに均質な膜のa
−Siを得ることが作製時間が長くなる程難しくなる。 その結果、a−5i感光体は白斑点ノイズ等の画像欠陥
が発生Cる確率がly’r+ <、さらに原料費が高い
という欠点等がある。 」−記の欠点を改良4′るための岨々の試みがなされて
いるが、本質的に膜17をこれより薄くすることは好ま
しくない。 一方、a−9i感光体は基板とa−3iとの密着性、さ
らに耐コ〔Iす性、耐11境性あるいは耐薬品性が忠い
といった欠点乙17 +’+= 4°る。 そのような問題点を解消J−るため(r機プラズマ「R
金膜をa−8i感光体のオーバーコート層あるいはアン
ダーコート層として設ける事が提案されている。、 1
iii#の例は、例えば特開昭GO−GI7GItシー
公報、特開昭59−214859号公報、特開明5l−
4G130号公報あるいは特開昭50−20728号公
報等が知られており、後打の例は、例えば特開昭60−
63541号公報、特開Iイ(59−13G742号公
報、特開昭59−28161号公報あるいは特開昭59
−38753号公報等が知られている。 その他プラズマ重合法を使用したものとして、例えば特
開昭59−14832G号公報、特開昭56−6044
7号公報あるいは特開昭53−120527号公報等が
知られている。 打機プラズマ重合膜はエヂジンガス、ベンゼン、芳呑族
シラン等のあらゆる種類の有機化合物のガスから作製で
きること(例えばニー、ティ、ベル(A、T、Be1l
)、エム、ジエン(M、 5hen)ら、ジャーナル
オブ アプライド ポリマー サイエンス(Jouna
lof Apl)licd r’olymer
5cience)、第17巻、885−892頁(19
73年)等)が知られているが、従来の方法で作製した
有機プラズマ重合膜は絶縁性を前提とした用途に限って
用いられている。従って、それらの膜は通常のポリエチ
レン膜のごと<to”Ωcm程度の電気抵抗をイ1°l
°る絶縁11々と考えられ、あるいは少なくとらその様
な膜であるとの認識の乙とに用いられていた。 特開昭(io−GI761号公報記載の技術は、500
〜2μmのダイヤモンド状炭素絶縁1hを表面保護層と
して波頂した感光体を開示している。 この炭素薄膜はa−9i感光体の耐コロナ放?ltおよ
び機械的強度を改良ずろためのらのである。重合膜は非
常に薄く、電荷はトンネル効果により膜中を移動し、膜
自体電荷輸送能を必要としない。また、rf機プラズマ
重重金膜キャリアー輸送性に関しては一切記載がないし
、a−5iの持つ前記した、本質的問題を解決する乙の
でない。 特開昭59−214859号公報には、スチレンやアセ
チレン等の有機炭化水素モノマーをプラズマ重合により
厚さ5μm程度の有機透明膜のオーバーコート層として
被膜ずろ技術か開示されているが、その層はa−9i感
光体の画像流れの防止よjよび剥離、耐久性、ピンホー
ル、生産効率を改良4°ろものである。有機プラズマ重
合膜のキャリアー輸送性に関しては一切記載がないし、
a−3iの持つ前記した本質的問題を解決する乙のでな
い。 特開昭51−46130号公報には、N−ビニルカルバ
ゾールをグ
【1−放τUにより、表面に厚さ3〜0.0
0111mの(f機プラズマ重合膜として形成した感光
体を開示している。この技術は、正帯電でしか使用でき
なかったポリ−N−ビニルカルバゾール系感光体を両極
性帯電で使用可能にすることを1−1的と4°る。この
膜は0.00+〜3μmと非常に薄く、オーバーコート
的に使用される。 重合膜は非、7〜に薄く、電(:i輸送能を必要としな
いものと考えられる。また、重合膜のキャリアー輸送性
に関しては一切記載がないし、a−9iの持つ前記した
本質的問題を解決するものでない。 特開昭50−20728号公報には、基板−Lに増感層
、fr機先光導電電気絶縁体とを順次積層し、さらにそ
の−にに11さ0.1−1μmのグ【1−放電重合膜を
形成する技術が開示されているが、この膜は湿式現像に
耐えろように表面を保護4°ろ]」的の6のであり、オ
ーバーコート的に使用される。 IR合模は非常に薄く、電荷輸送層として使われている
しのではない。重合膜のキャリアー輸送性に関しては一
切記載がないし、a−9iの持つ前記しノ二本質的問題
を解決ずろらのでない。 特開昭Go−0354L号公報は、a −S iのアン
ダーコート層に200〜2μmのダイヤモンド状fr機
プラズマ重金膜を使用した感光体について開示している
が、その’IT機プラズマ重合膜は基板とa −S i
の密?■性を改gJ−る目的の乙のである。 IR重合膜非常に薄くてよ<、?[!rはトンネル効果
により膜中を移動し、膜自体は電6:1輸送能を必要と
しない。また、fr機プラズマ重合膜のキャリアー輸送
性に関しては一切記載がないし、a−9iの[11つ1
1り記した本質的問題を解決する乙のでない。 特開昭59−136742号公報には、基板上に約5μ
mの(f機プラズマ重合膜、シリコン膜を順次形成4゛
る半導体装置が開示されている。しかし、そのrf機プ
ラズマ重合膜は、!tI)板てあろアルミニウノ、のa
−8iへの拡散を防止4“る[]1的の乙のであるか、
その作製法、1n質等に関しては−切記載がない。また
、n機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関してら一
切記載がないし、a−Siの 。 持っ前記した本質的問題を解決するものでない。 0開昭59−28161号公報には、基板上に有機プラ
ズマ重合膜、a−9iを順次形成した感光体が開示され
ている。有機プラズマ重合膜は、その絶縁性をIII用
したアンダーコート層でありブロッキング層、接8雇あ
るいは剥離防止層として機能するらのである。重合膜は
非常に薄くてよい(5μm1好ましくは1μm以下)。 薄膜であれば不充分な電荷輸送能であってら、表面電位
(残留電位)の」1昇の問題は生じない。繰り返し使用
によりアンダーコート部での電界が上界し、それによる
キャリアの通過が大きくなること(トンネル効果)で、
残留電位の上ゲ1′が低く抑えられるという現象がある
からである。従って本件の重合膜はアンダーコート層と
して使えて乙、キャリア輸送層としては使えない。 主た、n機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関して
は−1,IJ記載がないし、a−Siの持つ前記した本
質的問題を解決4°ろらのでない。 特開昭59−38753’r’i公報には酸素、窒素お
4]−び炭化水素の混合ガスからプラズマ重合により1
()〜100 のrf機プラズマ重合薄膜を形成し、そ
の1:にa−9i層を成膜する技術が開示されている。 a機プラズマ111合10は、他のa機高分子に比べて
熱劣化がなく、また、絶縁Vl:を1す用したアンダー
コート層でありブロッキング層あるいは剥離防11―層
として機能するしのである。重合膜は非+、i:曹こ薄
くてよく、電6:jはトンネル効果により膜中を移動し
、膜自体は電荷輸送能を必要としない。 また、(f機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関し
ては一切記載がないし、a−9iの持つ前記した木質的
問題を解決するものでない。 特開昭5’l−14832G号公報は、ガスを予備分解
、予備重合することを特徴とするl) −CVl)薄膜
製造方法を開示するが、実施例はSi系の物質をIII
用したらののみが例示されているに過ぎない。 特開昭5(i−(i0447号公報は、有機化合物とハ
ロゲン化合物混合物の蒸気をプラズマ重合し、rT機光
導電性膜を形成する方法を開示する。この技術は、ハ【
lゲン導入プラズマ重合膜が近赤外域(0,8〜30μ
l11)に高感度をaすることを示しているが、その膜
は近赤外線センサーへの応用を目的と4′ろらのであり
、本願のように電子写真感光体への使用を1的にするら
のでなく、また感光体に使用できるか否かについては触
れられていない。 特開昭53−120527号公報は、ボッ型放射線感応
材料層を炭化水素およびハ【lゲン化水素のプラズマ重
合法で形成する方法が開示されている。本件はボンηル
ノス!・材料を電子線、X線、λ線あるいはα線により
架橋させ作製する方法であり、電子写真感光体への使用
を目的とするしのでない。 発明が解決し、J−うとする問題意 思」−のように、従来、感光体に用いられているイf機
重合膜はアンダーコート層あるいはオーバーコート層と
して使用1されていたが、それらはキャリアの輸送機能
を必要としない模であって、有機・R金膜が絶縁性であ
るとの判断にたって用t;られでいる。従ってその厚さ
ら高々57zz程度の極めてAVい膜としてしかIII
いられず、キャリアはI・ンネル効果で膜中を通過J−
ろか、トンネル効果が1す1待できない場合には、実用
」二の残留711位としては問題にならないですむ程度
の薄い膜でしか用いられない。 本発明りらは、(f機l■合膜のa−3i感光体への応
用を検討しているうらに、本来絶縁性であると考゛えら
れてい)コ(+°機機工金膜、ある特定の結合様式で(
f在する炭素原子(例えば、炭素−炭素二重(li合、
第四炭素等)の含a割合が74なると、電気抵抗し変化
し、ある割合になると電荷輸送性を示し始めろ11を見
出だした。 本発明はその新たな知見ををIII III 4−るこ
とにより、fL来のa−3i感光体の持つ問題点、4′
なわlCa−8iの膜厚、製造時間、製造コスト等にお
けろ問題点)を4°べて解消し、また従来とは全く便用
1−1的ら、特性乙シ“dなる(1°機重合唖、特に(
j″機ブラズマ重合膜を使用した感光体よ3よびその製
造方法。 を提供4−ろことを目的と4−る。 問題点を解決4゛るための1段 オな4つち、本発明は電荷発生層(3)と11荷輸送層
(2)とをイ丁4°る機能分離型感光体において、電荷
輸送層(2)が水素を含む非晶質炭素膜で、その化学構
造において、水素と結合した炭素数N1と水素と結合し
ていない炭素数N、の比N、・N、が1・01ないし1
1でΔうろことを特徴とする感光体に関4゛る。 本発明感光体は少なくとム電荷発生層と電荷輸送層から
構成される。 ?′Ii荷輸送層は、水素を含aずろ非晶質炭素膜(以
下、a−C膜という)である。水素含(f炭素膜(a
−C膜)中の水素含mは、20−67 atomic%
、好ましくは40〜G ? atomic%、特に45
〜65atomic%/1mされろことが望ましい。a
−C膜中に含量1されろ水素の量が20 atomic
%より少ないと好適な輸送性が得られ、G 7 ato
mic%より多いと膜質の劣化、成膜性の低1;をきた
4〜。 本発明感光体の特徴は、電荷輸送層としてa −010
を設(1、さらにそのa−C1口中に含有されろ炭素て
、水素と結合した炭素数N+と水素と結合していない炭
素数N、の比Nl:N2h<l・0.1ないしI 1て
あろごとにある。 本発明のa−C膜中には、種々の結合(,1式をした炭
素原r、例えば単結合(フリーラノカル)、二重結合あ
るいは三重結合等が存在し、更にそれらは水素原子が結
合しているしのあるいは水素原子が結合していないしの
として(Y在ずろ。 本発明のa−C膜中における炭素1京子が、水素と結合
していない炭素であり、かつ不飽和結合をイfずろ炭素
あるいは不飽和結合をイイしない炭素であることおよび
それらの数は、赤外吸収スベク]・ル、プロトンによる
核磁気」(鳴(’Il−NMrt)あるいはI3Cによ
る核磁気共鳴(”C−NMIt)等を測定°4°ること
により識別ケろことかできろ。 本発明においては水素と結合した炭素数N、と水素と結
合していない炭素数N、の比N+:Ntが1:O,Iな
いしl lであることが重要である。 本発明のa−C膜は、N、の値を1としたときN!の値
が01〜1、より好ましくは02〜0.8、特に0.2
3〜0.67であるとき電防輸送層として通しており、
0.1より小さいと、そのような膜を電荷輸送層に用い
た感光体は帯電能は上がる乙のの、すぐにチャーンアッ
プが起こり光感度の低下をきたすため、感光体として使
用できなくなる。Iより大きいと、感光体の帯電能が低
下し、感光体として使用できなくなる。 本発明によるa−cl13中には種々の結合様式をした
炭素原子が(?在4“ろが、それらの全炭素原子数は、
膜の組成分析と比重から求められる。ずなわら、a−C
膜のCとIIのI11成分析比がCXIIy(X→−y
=りで、膜の比重がW(g/cm’)であると、膜l
cm’中の全炭素原子数CcはF式[1]・し式中Cc
は全炭素数、Wは比重、XおよびYは炭素および水素の
組成分析比、Δはアポプ月・【1敗(個/mol)を表
4−01に(L L + (!1ろことかできる。 本発明においては水素と結合した炭素数と水素と結合し
ていな炭素数との和が全炭素数であると4゛ろ。 a−0層の厚さは5〜50μm5特に7〜3011I1
1か適当であり、5μmより薄いと帯電能が低く充分な
FM ′L7画像濃度を得ることができない。50II
I11より厚いと生産性の点で好ましくない。こ&)a
−0層は透光性、高暗抵抗を(fするととらに電(::
i輸送性に富み、膜1?金上記のように5μm以」−と
してし電、HH月・ラップを生じることなくギヤリアを
輸送4°る。 a 0層を形成4゛ろための何機化合物としては、必
すし乙気相である必要はなく、加熱或いは減圧等に、に
り溶融、蒸発、昇や等を経て気化し得る乙のであれば、
液相でら固相でし使用可能である。 該炭化水素としては、例えば、メタンタリ炭化水素、」
6チジン列炭化水素、アセチレン列炭化水素、脂Jζ7
式炭化水素、芳香族炭化水素、等が用いられる。 メタン列炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、
ブ【1パン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタノ、
オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、ト
リデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘプタデカン
、ヘプタデカン、オクタデカン、ノナデカン、エイコサ
ン、ヘンエイコザン、ドコザン、トリコザン、テトラメ
チル、ペンタデカン、ヘキザコザン、ヘブタコザン、オ
クタデカン、ノサコザン、トリアコン、トドリアコサン
、ペンタトリアコンタン、等のノルマルパラフィン並び
に、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソへ
;1ザン、ネオヘギザン、2.3−ジメチルブタン、2
−メチルヘキザン、3−エチルベンクン、2.2−ジメ
チルペンタン、2.4−ジメチルペンクン、3.3−ツ
メチルペンタン、トリブタン、2−メチルへブタン、3
−メチルヘブタン、2.2−ジメチルペンクン、2.2
.5−ジメチルペンクン、2,2.3−トリメデルペン
タン、2,2.4−トリメデルペンタン、2,3.3−
トリメチルペンタン、2,3.4−)ジメチルベンクン
1.イソナノン、等のイソパラフィン、等が用いられる
。 エヂジンタリ炭化水素としては、例えば、エチレン、ブ
C+ピレン、イソブヂジン、1−ブテン、2−ブテン、
1−ペンテン、2−・ペンテン、2−メチル−1−ブテ
ン、3−メチル−1−ブテン、2−メチル−2−ブテン
、1−ヘキセン、テトラメチルエチレン、l−ヘプテン
、1−オクテン、l−ノネン、1−デセン、等のオレフ
ィン・+12びに、アレン、メチルアレン、ブタツユ―
ン、ペンタノエン、ヘキザジエ、ン、シクロペンタノエ
ン、等のジオレフィン4(2びに、オノメン、ア【1オ
ンメン、ミ ・ルセン、ヘキサトリエン、等のトリオレ
フイン、等が用いられる。 アセチレン列炭化水素としては、例えば、アセチレン、
メチルアセヂジン、1−ブチン、2−ブチン、1−ペン
チン、1−ヘキノン、1−ヘプテン、1−オクチン、1
−ノニン、l−テンノ等が用いられる。 指環式炭化水素としては、例えば、ツクロブCJパン、
ツク(!ブタン、ノクロペンタン、ツク〔lヘキサン、
ツクロヘブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シク
ロデカン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロ
トリデカン、シクロテトラデカン、シクロウンデカン、
ノクロヘキザデカン、等のシクロパラフィン並びに、シ
クロプロペン、ツクロブテン、シクロペンテン、ノクロ
ヘキセン、ノクロヘブテン、シクロオクテン、シクロノ
ネン、ツク〔!デセン、等のツク〔1オレフイン・Il
2びに、リモネン、テルビルン、フエランドレン、ンル
ベストジン、ツエン、カレン、ピネン、ボルニジン、カ
ンフエン、フエンチェン、ツクClフェンチェノ、トリ
ツクジン、ピザボジン、ジンギヘジン、クルクメン、フ
ムレン、カジネンセスキベニヘン、セリネン、カリオフ
ィレン、サンタレン、セドレン、カンホジン、フィロク
ラテン、ボドカルブレン、ミジン、等のテルペン並びに
、ステ(フィト等が用いられる。 芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、l・ルエ
ン、ギンジン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メノチ
ジン、プレニテン、イソノコレン、ノコジン、ペンタメ
チルベンゼン、ヘキザメチルベンゼン、エチルベンクン
、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ヒフェニル、
テルフェニル、ノフJニルメタン、トリフェニルメタノ
、ジベンジル、スチルベン、イソテン、ナフタリン、テ
トラリン、アンI・ラセン、フェナントレン、等が用い
られろ。 本0発明においてa−C膜を形成させろ場合、」−記白
一機化合物を21類以上の混合気体で使用1して乙よい
。a−CIIQはi’yPIJl:重合体(ブロックノ
(重合体、ブラットJ(重合体等)が多く形成され、硬
度も、J−び付着性が向」二4゛る。また、アルカン系
炭化水素(Cn”2n+2)を使用すると、ビッカース
硬度2000以」−1電気抵抗1011Ωcmのグイヤ
モンI・状超(W質の、所謂i−C膜ら形成さU・るこ
とかてきる。ただし、この場合のプラズマ条件は高t!
+A、低圧、高パワーが必要で、更にJ、r;板に直流
バイアスを印加4”る必要らある。 ギ、トリアガスとしてはIl、やAr 、 Nc 、
lle愚の不活性ガスが適当である。 本発明においては、a−C膜の形成には、直流、高周波
あるいは低周波やマイクロ波プラズマ法等の種々のプラ
ズマ法を使用しすることがてきろ。 あるいは後述されているが、電磁波(X線、レーザー光
等)や」、記プラズマとの併用ら可能である。 それらの重合法の選択により、同一のモノマーで乙、色
々異なった特性をTTするi−C膜を得ろことかできろ
。たとえば、低周波プラズマ法(周波数が散ト111〜
敗百K Ilz程度)を使用すると高硬度のa−C膜を
得ることができる。本発明においてa−C膜を形成さU
る際重要なことは、水素と結合した炭素数N、と水素と
結合していない炭素数N、の比N l: N tが0.
1:IないしI:Iとなるように形成・1“ることであ
る。また、電荷発生層を高周波プラズマまたはP −C
V I)法により形成づ。 る場合には、a−0膜も同様の方法て成膜したほうが、
製造装置コスト、工程の省力化につながりにトよしい。 本発明感光体の電荷発生層は特に限定的ではなく、アモ
ルファスシリコン(a−9i)E!(特性ヲ変えろため
種々のI’J種元素、例えば1■、C,01S1N1!
)、13、ハU7ゲン、Ge等を含んでいてらよく、上
だ多層+74造であってらよい)、Sa膜、5e−As
唖、5a−1’ alQ 、 C: d S模、銅フタ
[Iシアニン、酸化亜鉛等の無機物質および/またはビ
スアゾ系顔料、トリアリールメタン系染料、チアジン県
東t1、オギザノン系染料、キザンテン県東れト、シア
ニン系色素、スチリル系色素、ピリリウム系染料、アゾ
系顔料、ギナクリドン系顔料、インノボ系顔料、ペリレ
ン系顔料、多環キノン系顔料、ビスベンズイミダゾール
系顔料、インダスロン系顔料、スクアリリウト系顔料、
フタロシアニン系顔料等のイr機物質を含有ケろ樹脂模
等が例示されろ。 これ以外にら、光を吸収し極めて高い効率で?[tA担
体を発生4゛る材料であれば、いずれの材料であ−)て
ら使用ずろことがてきる。 電荷発生層は公知の方法、例えば上記物質の粉体を適当
な樹脂に分散さ仕成模する方法を使用して設けて乙よく
、本発明において電荷輸送層をプラズマ法で形成4゛る
場合には、電−:f発生層ら同様の方法で成膜したほう
が、製造装置コスト、工程の省力化につながり好ましい
。また電荷発生層を公知の方法で設ける場合には」二足
物質の粉体の表面をあらかじめプラズマ重合により薄膜
コーティング処理し成膜した(1機物質を使用4−ろこ
とら(f効である。例えば、樹脂中にこれらを分散する
場合には、71(面コート4゛ろことで分散性が向」ニ
したり、耐溶剤性を加味さ仕、変質を防IL′4°ろ等
の手段がぢ°えられる。 電り::j発生層は、感光体のどの位置に設けてもよく
、たとえば最上層、最下層、中間1台いずれに設けて乙
よい、 II’7は素材の種類、特にその分光吸収特性
、露光光^;L、1]1的等に6よるが、一般に550
nmの光に対して90%以」二の吸収が得られるように
設定されろ。a−9iの場合で01〜3Bmである。 本発明においては、a−C電?f輸送層の帯電特性を、
;IAI節、1−ろたy)に、炭素または水素以外のヘ
テ(l原11を混入ざUて乙にい。例えば、+I’、f
Lの輸送性1’lをさらに向上ざ仕る)こy)に、周期
律表第111族原r−1あるいはハロゲン原子を混入し
てもよい。 電子の輸送特性をさらに向上さUoるために、周期律表
第V族13;(子あるいはアルカリ金属原子を混入して
乙よい。 正負両キャリアの輸送特性を更に向上さUoるたy)に
、Si、Ga、アルカリ土類金属、カルコゲン1+ii
r−を混入してらよい。 これらの原子は;(数州いてらよいし、目的ににす、1
u荷輸送層内で、特定の(η置だけに混入して乙にいし
濃度分布等を自°してらにいが、いずれの場合において
乙正要なことは、該プラズマ!n合+1x中に、水素と
結合した炭素数N、と水素と結合していない炭素数N、
の比N+:Ntがl:0.1〜1:1であるように形成
ずろことである。 第1図から第12図は本発明感光体の一態様を示4”模
式的断面図である。図中、(+)は基板、(2)は電(
:j輸送層としてのa−C膜、(3)は電(::7発生
層を示している。第1図に示す@様の感光体において、
例えば(帯電し続いて画像露光4°ると、市(::1発
生層(3)でチャージギヤリアか発生し電子は表面電荷
を中和ずろ。一方、正孔はa−C膜(2)の優れた電荷
輸送性に保証されて基板(1)側へ輸送される。第1図
の感光体を一帯電で用いるときは、上記と反対にa−C
膜(2)中を電子が輸送されろ。 第2図の感光体はa−cl12(2)を最」二層として
用いた例で、→帯電で用いるときは、a−C膜(2)中
を電子が一帯rliで用いろときはa−C膜中を正孔が
輸送される。 第3図に示す感光体は、基板(り上に電荷輸送層(2)
を(fし、電荷発生層(3)が該m/ij輸送層(2)
にザンドイッヂされるように設けられた例である。 第4図〜第6図に示4′感光体は、第1図〜第3図にお
いて示した感光体においてさらにオーバーコート層(4
)として厚さ0.01〜57tmの表面保護層を設けた
例で、感光体が使用されるシステムおよび環境に応じて
電荷発生層(3)あるいはTid!i輸送層a−送別漠
(2)の保護と初期表面電位の向上を図った乙のである
。表面保護層は公知の物質を用いればに<、本発明にお
いては、(r機プラズマ重合によって設(jろことか製
造工程の面等から望ましい。本発明a−CDを使用して
乙よい。この保護層(4)にら必要に上りへテロ原子を
混入して乙よい。 第7〜9図に示4−感光体は、第1図〜第3図において
示した感光体においてさらにアンダーコート層(5)と
して1!1さ0.01〜5μ肩の接着層、あるいは障壁
層を設けた例で、用いる堰板(+)またはその処理方法
に応じて、接着性または注入防止効果を図ったしのであ
る。アンダーコート層は公知の材料を用いればよく、こ
の場合もa機プラズマ重合法によって設けろことが望ま
しい。本発明によろa−(Jllを用いてらよい。更に
第7〜9図の感光体に第11〜6図で示したオーバーコ
ート層(4)を設けてらよい(第10図〜第12図)。 本発明感光体においては、第2図、第3図、第8図ある
いは第9図のごと<a−C膜が最表面になりうる構成の
場合、そのa−C膜にさらに酸素、水素、不活性ガスや
ドライエッヂング用ガス(例えば、ハロゲン化炭素)、
あるいは窒素等のプラズマを照射して、表面改質を行う
ことら可能である。そうすることにより感光体の耐湿性
、耐摩耗性および帯電能をさらに向上させることができ
る。 本発明感光体は電荷発生層と電荷輸送層とをa4”る。 従ってこれを製造するには少なくとら二工程を必要とず
ろ。電荷発生層として、例えばグロー放電分解装;8を
用いて形成したa−3i層を用いろときは、同一の真空
装置を用いてプラズマ重合を行なうことか可能であり、
従ってa−C電荷輸送層や表面保護層、バリア一層等は
プラズマ重合法により行なうのが特に好ましい。 本発明による電子写真感光体の電荷輸送層は、気相状態
の分子を減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気
中に含まれろ活性中性種あるいは荷電極を」□(仮−1
−に拡散、電気力、あるいは磁気力等により誘導し、」
l(板上での再結合反応により同相として坩債させる、
所謂プラズマ重合反応から生成される。 第13図は本発明に係る感光体の製造装置で容(I七結
合型プラズマCV I)装置を示す。電向輸送胎として
プラズマ重合ポリエヂレン唖をN゛4”ろ感光体を例に
とり、その製造法を第13図を用いて説明4゛る。 第13図は本発明に係わる電子写真感光体の製造装置を
示し、図中(701)〜(70G)は常/!kにおいて
気相状態にあるII;]料化合物およびキャリアガスを
密封した第1乃至第6タンクで、各々のタンクは第1乃
至第6調節弁(707)〜(712)と第1乃至第6流
巧【制御a:4(713)〜(718)に接続されてい
る。 図中(719)〜(721)は常温において液(・[1
または固相状態にある原料化合物を封入した第1乃至第
3容器で、谷々の容器は気化のため第1乃至第3温ユJ
器(722)〜(724)によりl!I!Lニー1可能
、例えば、常7ur〜150℃、あるいは−50℃〜常
温であり、さらに各々の容器は第7乃至第9ニーI節ブ
F(725)〜(727)と第7乃至第9流!11制御
器(728)〜(730)に接続されている。 これらのガスは混合器(731)で混合された後、主管
(732)を介して反応室(733)に送り込まれる。 途中の配管は、常温において液相まノこは固相状態にあ
−)た原t1化合物か気化したガスが、途中で凝結しな
いように、適宜配置された配管加熱器(731)により
、! j Q III能とされている。 反応室内には接11i!電極(735)と電力印加電極
(73G )/J’ l−f 向L−C設:ηサレ、各
// (1’) ?(i %b ハ?li極加熱器(7
37)により与熱可能とされている。 I′u力印加?[極には、高周波電力用1整合器(73
8)を介して高周波’n1lA:ic739 )、低周
波電力用整合器(740)を介して低周波?[と:t(
741)、C!−パスフィルタ(742)を介して直流
71i源(743)か接続されており、接続選択スイツ
チ(744)にJ−り周波数の511Xなる電力が印加
可能とされている。 反応室内の圧力は圧力制御弁(745)によりyJ11
1整可能であり、反応室内の減圧は、排気系選択弁(7
4G)を介して、拡散ポンプ(747)、411回転ポ
ンプ(748)、あるいは冷却除外装;1γへ(749
)、メカニカルブースターポンプ(750)、i+I+
回転ポンプにより?iなわれろ。 1ノFガスについては、さらに適当な除外装置(75′
3)に上り安全無害化した後、大気中に排気される。 これらυト気系配管については、常温において液相上た
は固相状態にあった原ネ“ト化合物が気化したガスか、
途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器に
」;す、与熱可能とされている。 反応室ら同様の理由から反応室加熱器(751)により
り熱++J能とされ、内部に配された電極上に導電性括
仮(752)が設置1ツされる。 第13図に於いて導?u性基板は接地電極に固定して配
されているが、電力印加71i極に固定して配されてし
よく、更に双方に配されて乙よい。 感光体製造に供する反応室は、拡1牧ポンプによりfめ
10 ’乃至!08程度にまで減圧し、真空度の確認
と装置内11りに吸召したガスの脱着を行う。 同時に電極J+++熱器により、電極並びに電極に固定
して配された導電性基板を所定の温度まで昇温する。 次いで、第1乃至第6タンクおよび第1乃至第13容器
から;工;)料ガスを第1乃至第9流M制御器を用いて
定流量化しながら反応室に導入し、IE力調節弁により
反応室内を一定の威圧状態に保つ。 ガス流L11か安定化した後、接続選択スイッチにより
、例えば高周波7u源を選択し、?[1力印加電極にに
り高周波電力を投入ずろ。 両組(・槍間にけ放電が開始され、時間と共に」8(板
1−に1.1月11の11・文か1[構成されろ。 以−1−の構成において、例えば第1図に示した感光体
を製造°・J゛る場合、反応槽(733)を一定の真空
状態としてから、例えばガスライン(7:12)を介し
て第1タンク(701)よりC,It、ガス、第2タン
ク(702)よりギ鬼・リアガスとしてILガスを0(
給゛4゛ろ。 一方1.〜4周o!/電源(739)より上部電極板(
7:1li)にl Owalls〜l kwaLLsの
7は力を印加し両電極板間にプラズマ枚7I[を起こし
、Pめ加熱されたAa」、ζ板(752)l−に17さ
5−50μmのa−C電6:f輸送層(2)を形成4°
ろ。この71j A輸送層は本発明により生成したa−
C膜中、水素と結合した炭素数N、と水素と結合してい
ない炭素数N2の比N、:N、が10、lないしl・1
である。この比は他の要造条(牛(二乙依(t4”るが
直流?ti1を二源(743)からIOV〜IKVのバ
イアス電圧を印加4゛ろことにより制御できろ。叩ら、
水素と結合した炭素数はバイアス4圧を高<4゛ること
によって減少し、a−C膜自体の硬度を高く4−ろこと
ができろ。こうして形成されたa−C電荷輸送層は透光
性、暗抵抗に優れ、チャージキャリアの輸送性に芹しく
浸れている。尚、この層に、例えば第4タンク(704
)より1+ 、 It uガス、または第5タンク(7
05)よりI)11.ガスを導入してり、N型に制御し
て電荷輸送性を一層高めてら良い。 次に電6:j発生層(3)は、第2及び第3タンク(’
102)、(j03)よりIt、、5i114ガスを導
入することによりa−8iをIk体と4°ろ層としてバ
51反されろ。 また、電荷輸送層形成のため反応槽(733)へ導入す
る化合物が液体状の物質であるときは、先述の方法でガ
スを反応槽(733)へ導入し、プラズマ重合さU・れ
ばよい。 また沸点の高い(r機化合物からa−C膜を形成ずろ場
合は、J1ξ板上にあらかじめそれらの物質を塗/li
してよjき、次に真空槽中でキャリアーガス等のプラズ
マを照射して、重合を開始さ仕てらj−い(所謂プラズ
マ重合法)。 本発明におけるa−C膜形成プラズマ市合法は、さらに
レザーヒーム、紫外線、X線あるいは電子線等の電磁波
を弔独で、あるいは補助的に照射し、a−C膜を形成す
ること(光アシスト法)や磁界、バイアス直流電界のア
シストら有効である。光アンスト法は、a−C膜の堆積
速度を向−にさU、製造時間をさらに短縮さUoたい場
合や、a−C膜の高度を」−界さUたい場合に有効であ
る。 以下、実施例を挙げ、本発明を説明ずろ。 去旗桝↓ (1)電6:j輛送層(a−0層の形成l第13図に示
ずグ〔J−放電分解装置において、よ4°、反応槽(7
33)の内部をl 0 6′l’orr程度の高真空に
した後、第1および第2バルブ(707)お、J−び(
70g)を開放し、第1タンク(701)JミリCt1
14ガス、第2タンク(702)より11.ガスを出力
圧ゲージIKg/cm’の下でマスフローコントローラ
(713)および(714)内へ流入さUた。そして、
各マスフローコントローラの1]盛を、IAI整して、
C,11゜の流11tを40sccm、 litを70
secmとなるように設定して反応槽(733)内へ流
入した。夫々の流mが安定した後に、反応槽(733)
の内圧が0.5Torrとなるように調整した。一方、
導電性基板(752)としては、2X50X50mmの
アルミニウム板をII+いて240℃に予じめ加熱して
おき、8ガス流!iが安定し、内圧が安定した状態で高
周波7dに((739)を投入し上部?Ti極板(73
6)に80 wallsの電力(周θ々敢13.56M
IIz)を印加して約4時間プラズマ市合を行ない、導
電性J、ζ仮(752)lに、j7さ60μmのプラズ
マ重合エチレン膜からなる電6:f輸送層を形成した。 以上のようにして得られたプラズマ重合エチレン膜をフ
ーリエ変換赤外分光(パーキンエルマートに製)、”C
−NMIえ装置(日本電子社製固体NMlυj−;、及
び’ll−NMli装置([1本?u子社製固体NMr
t)等で測定し、分析したところ、プラズマ重合エチレ
ン膜の化学構造においては、水素と結合した炭素数N、
と水素と結合していない炭素数N2の比N、+N、は約
80・20、即し、I:0.25であった。またその1
聞の電気Jlk抗を測定したところ、暗抵抗が3XlO
”Ωcffl以下であり、明暗抵抗比が102〜104
以」二であった。本発明プラズマ重合エチレン膜は゛吊
子写真感光体として十分使用できることか判った。 (I+)?[i荷発生層(a−3i層の形成)基板(1
)上にプラズマ重合エチレン膜を(1)の過程により形
成後、高周波電源(739)からの電力印加を一次停止
し、反応槽の内部を真空にした。 第3および第2バルブ(709)および(70g)を開
放し、第3タンク(703)より5il14ガス、第2
タンク(702)からlltガスを出力圧ケーン11ぐ
g/cm2の干てマスフ[J−コントローラ(715)
お、j;び(714)内へ流入さUた。各マスフロ−コ
ントローラの目盛を、す、ζ1整して、5i11.の流
mを90secm、11.の流j11を21hccmに
設定し、反応槽に流入させた。 夫々の流i1が安定した後に、反応槽(733)の内1
「がI 、 0 ’I’orrとなるよう調整した。 ガス流jItが安定し、内圧が安定した状態で高周波I
l+:1(739)を投入し、電極板(736)に30
Wの電力(周波数ML5GMIIz)を印加してグロー
放電を発生さUoた。このグし!−放;tiを10分間
行ない厚さ1μmのa−S i : 1IWIi向発生
層を形成さ口°た。 (±VΣ(感う買0憾り」1」止、炭t’ 411i
)工程(1)わ、j;び(11)ににす、電?、:I発
生層、a−8i層をAl2M板」二に順次積層した感光
体の性能評価を実施した。評価は第14図に示した感光
体テスターを使用し、帯電能よjよび感度について行っ
ノこ。 作製した感光体試料(35)をスキャニングテーブル(
37)に載置し、シールドブJバー(36)で固定した
。 スキャニングテーブル(37)を帯電領域(52)に浮
動し、+−7、7K V ノ直lAE高電圧(IlO)
により供給されろ高電圧をチャージャー(42)に印加
し、試料(35)の表面にコ(Jす放電を行った。次ぎ
にスキャニングテーブル(37)を放電領域(51)に
移動した。 コ[1す帯7uされた試料の表面電位は透明電極(48
)に、にり感知され、表面電位メーター(49)でその
値を読み取られ、レコーダー(50)に出力される。本
発明感光体は良好な帯電能を示した。 次に、ツヤツタ−(47)を開き、!(44)で反射し
たハClゲノデンプ(43)光を帯電している試料(3
5)の表面に照射した。照射は透明電極(48)を通じ
て行なわれ、照射による表面電位の変化はレコーダー
(50)に出力されるとともに、その時、流れた電流(
よ光電流モニター(38)に検知される。本発明感光体
は、初期表面電位(V、)= −490volLのとき
の半1lR7に先fft E 1/2が約0.81ux
−sccであった。 さらに実験例1と同じ要領で、感光体ドラムを作製し、
ミノルタカメラ(株)製複写機(Er’−6507、)
で実7I試験を行ったところ、良好な画像か得られた(
なお、この際、電力250W、Ct114300scc
ms IL G 50sccms池は平板の場合と同し
てあ−)た)。更に電荷発生層は電力250W%S 1
lla l 80sccm、 Ilt 500sec
m、池は・14仮の場合と回しであった。 まノこ、ドラム型感光体テスター(図示U−ず)て複写
ブ(lセスのンコミレーシタンを行ったところ、帯電チ
ャージ−露光照射−転写・除電チャーノー除電イレーザ
光照射を50に回の繰り返し後ら、安定した静電特性が
得られた。 J、tp□イMl 12−一 実施例1で使用した装置を用い、プラズマ条件等の種々
の条件を変えて、プラズマ重合エヂレン膜を作製してい
った場合、膜中のN、:N、の(11(がl=1以上の
乙のは殆んど作製不能であった。仮に出来たとしても十
分なm荷輸送機能を示さず、残留電位の高いしのとなる
。 比較例2 実施例Iの工程(+)で作製された本発明によるプラズ
マ重合エチレン脱の代わりに、低密度ポリエチレン膜を
有機重合の常法により厚さ6μmに作製し、その上に:
[程(II)を施した。 ポリエチレン膜は、N、:N、が約99.5:0.5、
即ち、l:5X10 3であった。また電気抵抗は約I
QIOΩCatであり絶縁体であった。 (1,lられた感光体の性能評価(ill)を行なった
ところ、感光体は光感度がなく、敗Uの操り返しでずぐ
ヂト−ジアソブし、電子写真には使用できないムのであ
った。 比較例3 アルミニウムJ、I、仮」二にa−8i層のみを形成し
た感光体を作製した。作製は実施例!と同様の条件下で
3.25時間行い、17さG 5Bxのa −S i
層を形成した。 得られたJ5光体の性能評価を行ったところ、得られた
感光体はV、−一+ 00V、 El/2=2.7Qu
x−secであり、十極性では十分な帯電能が得られな
かった。 なよj1今後、実施例、比較例と乙に・L仮でのみ作製
し、静電特性、画像特性をの調べた。 及奮鯉ん (1)第13図に示ずグ「l−放電分解装置において、
まず、反応室(733)の内部をI O”l”orr昆
11の高真空にした後、第1および第2調整弁(70?
)および(70g)を開放し、第1タンク(701)よ
り021(、ガス、第2タンク(7θ2)よりII、ガ
スを出力圧ゲージ1Kg/cm”の下でマスフ【1−コ
ントし!−ラ(713)お、Lび(714)内へ流入さ
せた。そして、各マスフ【1−コント〔2−ラの11盛
を調整して、C,11,の流titを70sccmSu
、を80 secmとなるように設定して反応室(73
3)内へ流入した。夫々の流14が安定した後に、反応
室(733)の内圧が1゜0Torrとなるように調整
した。一方、導電性堰板(752)としては、2X5Q
x50+uのアルミニウノ、仮を用いて200℃にtじ
め1111熱しておき、各ガス流mが安定し、内圧が安
定した状態で高周波電源(739)を投入し電力印加電
極(736)に851LILtsの電力(周波数13.
5 (iMIIz)を印加して約1 (1時間プラズマ
条件合を行ない、導電性括仮(752)lに、厚さ約9
μmの電荷輸送層をバ3成した。 この膜中のN+:Ntiよ約(i層:37、即ら、1.
0゜59であっノニ。 ([1) 高周波11源(739)からの電力印加を
一時停正し、反応室の内部を真空にした。 第4および第291−1整弁(710)および(7(1
8)を開放し、第4タンク(704)より5III4ガ
ス、第2タンク(702)から11.ガスを出力圧ゲー
ジ’Kg/cm’の下でマスフローコント【1−ラ(7
1[))および(7+4)内へ流入させた。各マスフ(
ノーコントローラの目盛を調整して、sil+4の流量
を90sccm、II、の原虫を21 O5CCmに設
定し、反応室に流入さUた。夫々の流バlが安定した後
に、反応室(733)の内圧が1.0Torrとなるよ
うシ11整した。 ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源(
739)を投入し、電力印br+電極(Tale)に3
0Wの電ソバ周波敢13 、56 Mllz)を印加し
てグロー放電を発生さけた。このグロー放電を10分間
行ないIIJさ1μmのa −S i : 117u#
1発生層を形成させた。 得られた感光体は初期表面電位(Vo)= −480v
oltのときの半減露光””I/2は0 、5 (ux
−sacであった。また、この感光体に対して作像して
転写したところ、鮮明な画像か得られた。 二均111邑IM+ 3−□ (1)第13図に示4′グ(1−放電分解装;Hにおい
て、まず、反応室(733)の内部を106Torr程
度の+?j+真空にした後、第1ないし第3調整弁(7
07)ないしく709)を開放し、第1タンク(701
)よりC,11,ガス、第2タンク(702)よりC1
1,ガス、第3タンク(703)より11.ガスを出力
圧ゲージ1Kg/cm2の下でマスフ[l−コントロー
ラ(713)ないしく715)内へ流入さUoた。そし
て、各マス70−フントローラの目盛を調整して、C,
11,の流!■を50secm%C11aをl 00s
ccmSIltをl 20secmとなるように設定し
て反応室(733)内へ流入した。 夫々の流量が安定した後に、反応室(733)の内圧が
I 、 OLorrとなるようにJ、’l整した。一方
、導電性、括阪(752)としては、2X50X501
11JIのアルミニウム板を用いて250℃に予じめ加
熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧が安定した状態
で高周波電源(739)を投入し、電力印加電極(73
6)に、200 wattsの電力(周波数13.56
MIIz)を印加して約5時間プラズマ重合を行ない、
厚さ約5゜9μmの電荷輸送層を形成した。 この膜中のN、:Ntは82:18、即ち、1:0゜2
2であった。その上に実施例2の(IT)で示した?[
tdi7発生層を形成した感光体を得た。この感光体は
、V、=−520volt、 El/2= 1.51u
x−sacであった。また作像、転写したところ鮮明な
画像が得られた。 実施例4 (1) 第1;う図に示すグロー放電分解装置におい
て、まず、反応室(733)の内部をI O’ i’o
rr程度の高真空にした後、第1ないし第3 #AI整
弁(707)ないしく709)を開放し、第1タンク(
701)よりC,Il、ガス、第2タンク(702)よ
りC11,ガス、第3タンク(703)よりIl、ガス
を出力圧ゲージ1Kg/Cm’の下でマスフ[l−コン
トローラ(713)ないしく715)内へ流入さUoた
。そして、各マスフロ−コント【I−ラの11盛を1.
九1整して、Ctl14の流量を55secm、 C1
14をG 0sccn+、 Iltをl OOsccm
となるように設定して反応室(733)内へ流入した。 夫々の流7社が安定した後に、反応室(733)の内圧
が2 、Otorrとなるように調整した。一方、導電
性J、ζ仮(752)としては、2X50X5.Omm
のアルミニウム板を用いて250℃に予じめ加熱してt
5き、3ガス流litが安定し、内圧が安定した状態で
高周波電源(739)を投入し、電力印加電極(736
)に、2 G Owallsの7u力(周波数13.5
6MIIz)を印加して約4.5時間プラズマ重合を行
ない、厚さ約5μmの7r1荷輸送層を形成した。 この膜中のN + : N tは約58:42、即し、
1゜072であった。 そのLに実施例2の(11)で示したTri (:j発
生層を形成した感光体を得た。この感光体はV、、=−
540V(IIL、 +(1/2−約1.81ux−s
ccであった。また、作像、転写したところ鮮明な画像
が得られた。 モ駐 (1)第13図に示4−グロー放電分解装置において、
まず、反応室(733)の内部をI O”L’orr桿
度の1f’11真空にした後、第1jjよび第2 、a
’、I整弁(707)および(708)を開放し、第1
タンク(701)よリCIO,ガス、第2タンク(7Q
2)より112ガスを出力用ゲージIKg/cm’の下
でマスフローコント1ノ−ラ(713)−t’;、にヒ
(714)内へ流入さU゛た。そして、各マスフローコ
ント【J−ラの[1盛をコ1す整して、ell、の流量
をりOsccm、 II tをl II Osccmと
なるように設定して反応室(733)内へ流入した。夫
々のtALmが安定した後に、反応室(Li2)の内圧
が0゜2Torrとなるようにg、++整した。一方、
導電性基板(752)としては、2X50X5011M
のアルミニウム板を用いて350℃に予じめ加熱してお
き、各ガス流Mが安定し、内圧が安定した状態で高周波
IIi源(739)を投入し電力印加電極(736)に
300walksの電力(周波数13.56MIIz)
を印加して約10時間プラズマ重合を行ない、導電性J
l(板(752)上に含打される全炭素原子の17さ約
6.5μmのrti荷輸送層を形成した。この膜中のN
1・N、は875・125、叩ら、I:O,14であっ
た。 その−1ユに実施例2の(11)で示した?Ii荷発生
層を形成L/こ感光体を得た。この感光体は、V、=−
595volt、El/2=2.l!ux・sccてあ
った。また作像、転写したところ、鮮明な画像が得られ
た。 大11魚−iMI且 (1)第1:3図に示4−グロー放電分解装置において
、ま・1゛、反応室(733)の内部をI O”I’o
rr11ij度の高真空にした後、第6および第75.
−1整ブF(712)わ5】;び(725)を開放し、
第6タンク(7(16)よ111、第1容器(719)
よりスチレンガスを出力ゲージIKg/cm2の下でマ
スフローコン1−cl−ラ(7Hl)ににU(128)
内”Mi人すtL タ。第1 fFa:4(719)L
k第1加熱a:4(722)に」;り約20℃に加熱し
た状態で用いた。そして、谷マスフローコントローラの
1]盛を調整して、スチレン(C,IL)のtAiff
iを60sec++、112を30 secmとなるよ
うに設定して反応室(733)内へ流入した。夫々の流
量が安定した後に、反応室(733)の内圧が0 、4
Torrとなるようじx111整した。 一方、導電性基板(752)としては、2x50x50
mmのアルミニウム板を用いて150℃に予じめ加熱し
ておき、各ガス流量が安定し、内圧か安定した状態で低
周波電源(741)を投入し7u力印加電極(736)
にj 20 waLLsの電力(周波数30KIIz)
を印加して約40分プラズマ重合を行ない、導電性JA
仮(752月二ζ1厚さ約9μmの71荷輸送石を形成
した。 この膜中のN 、: N tは54:46、即ち、l:
0゜85であった。その上に実施例2の(U)で示した
電イ::7発生層を形成した感光体を得た。この感光体
は、V ++” G 70 volt、E l/2=
41ux−sacてあった。また作像、転写したとこ
ろ鮮明な画像か得られノニ。 発明の効果 本発明による(「機プラズマ重合膜を電6:i輸送層に
(T4′ろ感光体は電荷輸送性、帯電能に優れ、膜L7
かA’i <て乙充分な表面電位を得ることかでき、か
つ良好な画像を得ることができろ。本発明に従えば、電
荷発生層にa−3iを使用4”る場合、従来のa−6i
感光体では達成することのできなか−、た薄膜の感光体
を得ろことができる。 本発明感光体はその原料が安価であり、必要な各層か同
一の槽内て成膜できるとともに、膜厚が薄くてよいのて
、製造コストが安く、かつ製造時間が短くて済む。 本
発明によるa機プラズマ重合膜は、薄膜に形成してらピ
ンホールが生じにく、均質に形成4′ろことができるの
で、薄膜化が容易である。ざらに耐コ[lす性、耐酸性
、耐湿性、耐熱性、トナーの離を性および剛直性にし浸
れているので、表面保護層として使用すると感光体の耐
久性か向上4〜る。
0111mの(f機プラズマ重合膜として形成した感光
体を開示している。この技術は、正帯電でしか使用でき
なかったポリ−N−ビニルカルバゾール系感光体を両極
性帯電で使用可能にすることを1−1的と4°る。この
膜は0.00+〜3μmと非常に薄く、オーバーコート
的に使用される。 重合膜は非、7〜に薄く、電(:i輸送能を必要としな
いものと考えられる。また、重合膜のキャリアー輸送性
に関しては一切記載がないし、a−9iの持つ前記した
本質的問題を解決するものでない。 特開昭50−20728号公報には、基板−Lに増感層
、fr機先光導電電気絶縁体とを順次積層し、さらにそ
の−にに11さ0.1−1μmのグ【1−放電重合膜を
形成する技術が開示されているが、この膜は湿式現像に
耐えろように表面を保護4°ろ]」的の6のであり、オ
ーバーコート的に使用される。 IR合模は非常に薄く、電荷輸送層として使われている
しのではない。重合膜のキャリアー輸送性に関しては一
切記載がないし、a−9iの持つ前記しノ二本質的問題
を解決ずろらのでない。 特開昭Go−0354L号公報は、a −S iのアン
ダーコート層に200〜2μmのダイヤモンド状fr機
プラズマ重金膜を使用した感光体について開示している
が、その’IT機プラズマ重合膜は基板とa −S i
の密?■性を改gJ−る目的の乙のである。 IR重合膜非常に薄くてよ<、?[!rはトンネル効果
により膜中を移動し、膜自体は電6:1輸送能を必要と
しない。また、fr機プラズマ重合膜のキャリアー輸送
性に関しては一切記載がないし、a−9iの[11つ1
1り記した本質的問題を解決する乙のでない。 特開昭59−136742号公報には、基板上に約5μ
mの(f機プラズマ重合膜、シリコン膜を順次形成4゛
る半導体装置が開示されている。しかし、そのrf機プ
ラズマ重合膜は、!tI)板てあろアルミニウノ、のa
−8iへの拡散を防止4“る[]1的の乙のであるか、
その作製法、1n質等に関しては−切記載がない。また
、n機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関してら一
切記載がないし、a−Siの 。 持っ前記した本質的問題を解決するものでない。 0開昭59−28161号公報には、基板上に有機プラ
ズマ重合膜、a−9iを順次形成した感光体が開示され
ている。有機プラズマ重合膜は、その絶縁性をIII用
したアンダーコート層でありブロッキング層、接8雇あ
るいは剥離防止層として機能するらのである。重合膜は
非常に薄くてよい(5μm1好ましくは1μm以下)。 薄膜であれば不充分な電荷輸送能であってら、表面電位
(残留電位)の」1昇の問題は生じない。繰り返し使用
によりアンダーコート部での電界が上界し、それによる
キャリアの通過が大きくなること(トンネル効果)で、
残留電位の上ゲ1′が低く抑えられるという現象がある
からである。従って本件の重合膜はアンダーコート層と
して使えて乙、キャリア輸送層としては使えない。 主た、n機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関して
は−1,IJ記載がないし、a−Siの持つ前記した本
質的問題を解決4°ろらのでない。 特開昭59−38753’r’i公報には酸素、窒素お
4]−び炭化水素の混合ガスからプラズマ重合により1
()〜100 のrf機プラズマ重合薄膜を形成し、そ
の1:にa−9i層を成膜する技術が開示されている。 a機プラズマ111合10は、他のa機高分子に比べて
熱劣化がなく、また、絶縁Vl:を1す用したアンダー
コート層でありブロッキング層あるいは剥離防11―層
として機能するしのである。重合膜は非+、i:曹こ薄
くてよく、電6:jはトンネル効果により膜中を移動し
、膜自体は電荷輸送能を必要としない。 また、(f機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関し
ては一切記載がないし、a−9iの持つ前記した木質的
問題を解決するものでない。 特開昭5’l−14832G号公報は、ガスを予備分解
、予備重合することを特徴とするl) −CVl)薄膜
製造方法を開示するが、実施例はSi系の物質をIII
用したらののみが例示されているに過ぎない。 特開昭5(i−(i0447号公報は、有機化合物とハ
ロゲン化合物混合物の蒸気をプラズマ重合し、rT機光
導電性膜を形成する方法を開示する。この技術は、ハ【
lゲン導入プラズマ重合膜が近赤外域(0,8〜30μ
l11)に高感度をaすることを示しているが、その膜
は近赤外線センサーへの応用を目的と4′ろらのであり
、本願のように電子写真感光体への使用を1的にするら
のでなく、また感光体に使用できるか否かについては触
れられていない。 特開昭53−120527号公報は、ボッ型放射線感応
材料層を炭化水素およびハ【lゲン化水素のプラズマ重
合法で形成する方法が開示されている。本件はボンηル
ノス!・材料を電子線、X線、λ線あるいはα線により
架橋させ作製する方法であり、電子写真感光体への使用
を目的とするしのでない。 発明が解決し、J−うとする問題意 思」−のように、従来、感光体に用いられているイf機
重合膜はアンダーコート層あるいはオーバーコート層と
して使用1されていたが、それらはキャリアの輸送機能
を必要としない模であって、有機・R金膜が絶縁性であ
るとの判断にたって用t;られでいる。従ってその厚さ
ら高々57zz程度の極めてAVい膜としてしかIII
いられず、キャリアはI・ンネル効果で膜中を通過J−
ろか、トンネル効果が1す1待できない場合には、実用
」二の残留711位としては問題にならないですむ程度
の薄い膜でしか用いられない。 本発明りらは、(f機l■合膜のa−3i感光体への応
用を検討しているうらに、本来絶縁性であると考゛えら
れてい)コ(+°機機工金膜、ある特定の結合様式で(
f在する炭素原子(例えば、炭素−炭素二重(li合、
第四炭素等)の含a割合が74なると、電気抵抗し変化
し、ある割合になると電荷輸送性を示し始めろ11を見
出だした。 本発明はその新たな知見ををIII III 4−るこ
とにより、fL来のa−3i感光体の持つ問題点、4′
なわlCa−8iの膜厚、製造時間、製造コスト等にお
けろ問題点)を4°べて解消し、また従来とは全く便用
1−1的ら、特性乙シ“dなる(1°機重合唖、特に(
j″機ブラズマ重合膜を使用した感光体よ3よびその製
造方法。 を提供4−ろことを目的と4−る。 問題点を解決4゛るための1段 オな4つち、本発明は電荷発生層(3)と11荷輸送層
(2)とをイ丁4°る機能分離型感光体において、電荷
輸送層(2)が水素を含む非晶質炭素膜で、その化学構
造において、水素と結合した炭素数N1と水素と結合し
ていない炭素数N、の比N、・N、が1・01ないし1
1でΔうろことを特徴とする感光体に関4゛る。 本発明感光体は少なくとム電荷発生層と電荷輸送層から
構成される。 ?′Ii荷輸送層は、水素を含aずろ非晶質炭素膜(以
下、a−C膜という)である。水素含(f炭素膜(a
−C膜)中の水素含mは、20−67 atomic%
、好ましくは40〜G ? atomic%、特に45
〜65atomic%/1mされろことが望ましい。a
−C膜中に含量1されろ水素の量が20 atomic
%より少ないと好適な輸送性が得られ、G 7 ato
mic%より多いと膜質の劣化、成膜性の低1;をきた
4〜。 本発明感光体の特徴は、電荷輸送層としてa −010
を設(1、さらにそのa−C1口中に含有されろ炭素て
、水素と結合した炭素数N+と水素と結合していない炭
素数N、の比Nl:N2h<l・0.1ないしI 1て
あろごとにある。 本発明のa−C膜中には、種々の結合(,1式をした炭
素原r、例えば単結合(フリーラノカル)、二重結合あ
るいは三重結合等が存在し、更にそれらは水素原子が結
合しているしのあるいは水素原子が結合していないしの
として(Y在ずろ。 本発明のa−C膜中における炭素1京子が、水素と結合
していない炭素であり、かつ不飽和結合をイfずろ炭素
あるいは不飽和結合をイイしない炭素であることおよび
それらの数は、赤外吸収スベク]・ル、プロトンによる
核磁気」(鳴(’Il−NMrt)あるいはI3Cによ
る核磁気共鳴(”C−NMIt)等を測定°4°ること
により識別ケろことかできろ。 本発明においては水素と結合した炭素数N、と水素と結
合していない炭素数N、の比N+:Ntが1:O,Iな
いしl lであることが重要である。 本発明のa−C膜は、N、の値を1としたときN!の値
が01〜1、より好ましくは02〜0.8、特に0.2
3〜0.67であるとき電防輸送層として通しており、
0.1より小さいと、そのような膜を電荷輸送層に用い
た感光体は帯電能は上がる乙のの、すぐにチャーンアッ
プが起こり光感度の低下をきたすため、感光体として使
用できなくなる。Iより大きいと、感光体の帯電能が低
下し、感光体として使用できなくなる。 本発明によるa−cl13中には種々の結合様式をした
炭素原子が(?在4“ろが、それらの全炭素原子数は、
膜の組成分析と比重から求められる。ずなわら、a−C
膜のCとIIのI11成分析比がCXIIy(X→−y
=りで、膜の比重がW(g/cm’)であると、膜l
cm’中の全炭素原子数CcはF式[1]・し式中Cc
は全炭素数、Wは比重、XおよびYは炭素および水素の
組成分析比、Δはアポプ月・【1敗(個/mol)を表
4−01に(L L + (!1ろことかできる。 本発明においては水素と結合した炭素数と水素と結合し
ていな炭素数との和が全炭素数であると4゛ろ。 a−0層の厚さは5〜50μm5特に7〜3011I1
1か適当であり、5μmより薄いと帯電能が低く充分な
FM ′L7画像濃度を得ることができない。50II
I11より厚いと生産性の点で好ましくない。こ&)a
−0層は透光性、高暗抵抗を(fするととらに電(::
i輸送性に富み、膜1?金上記のように5μm以」−と
してし電、HH月・ラップを生じることなくギヤリアを
輸送4°る。 a 0層を形成4゛ろための何機化合物としては、必
すし乙気相である必要はなく、加熱或いは減圧等に、に
り溶融、蒸発、昇や等を経て気化し得る乙のであれば、
液相でら固相でし使用可能である。 該炭化水素としては、例えば、メタンタリ炭化水素、」
6チジン列炭化水素、アセチレン列炭化水素、脂Jζ7
式炭化水素、芳香族炭化水素、等が用いられる。 メタン列炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、
ブ【1パン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタノ、
オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、ト
リデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘプタデカン
、ヘプタデカン、オクタデカン、ノナデカン、エイコサ
ン、ヘンエイコザン、ドコザン、トリコザン、テトラメ
チル、ペンタデカン、ヘキザコザン、ヘブタコザン、オ
クタデカン、ノサコザン、トリアコン、トドリアコサン
、ペンタトリアコンタン、等のノルマルパラフィン並び
に、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソへ
;1ザン、ネオヘギザン、2.3−ジメチルブタン、2
−メチルヘキザン、3−エチルベンクン、2.2−ジメ
チルペンタン、2.4−ジメチルペンクン、3.3−ツ
メチルペンタン、トリブタン、2−メチルへブタン、3
−メチルヘブタン、2.2−ジメチルペンクン、2.2
.5−ジメチルペンクン、2,2.3−トリメデルペン
タン、2,2.4−トリメデルペンタン、2,3.3−
トリメチルペンタン、2,3.4−)ジメチルベンクン
1.イソナノン、等のイソパラフィン、等が用いられる
。 エヂジンタリ炭化水素としては、例えば、エチレン、ブ
C+ピレン、イソブヂジン、1−ブテン、2−ブテン、
1−ペンテン、2−・ペンテン、2−メチル−1−ブテ
ン、3−メチル−1−ブテン、2−メチル−2−ブテン
、1−ヘキセン、テトラメチルエチレン、l−ヘプテン
、1−オクテン、l−ノネン、1−デセン、等のオレフ
ィン・+12びに、アレン、メチルアレン、ブタツユ―
ン、ペンタノエン、ヘキザジエ、ン、シクロペンタノエ
ン、等のジオレフィン4(2びに、オノメン、ア【1オ
ンメン、ミ ・ルセン、ヘキサトリエン、等のトリオレ
フイン、等が用いられる。 アセチレン列炭化水素としては、例えば、アセチレン、
メチルアセヂジン、1−ブチン、2−ブチン、1−ペン
チン、1−ヘキノン、1−ヘプテン、1−オクチン、1
−ノニン、l−テンノ等が用いられる。 指環式炭化水素としては、例えば、ツクロブCJパン、
ツク(!ブタン、ノクロペンタン、ツク〔lヘキサン、
ツクロヘブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シク
ロデカン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロ
トリデカン、シクロテトラデカン、シクロウンデカン、
ノクロヘキザデカン、等のシクロパラフィン並びに、シ
クロプロペン、ツクロブテン、シクロペンテン、ノクロ
ヘキセン、ノクロヘブテン、シクロオクテン、シクロノ
ネン、ツク〔!デセン、等のツク〔1オレフイン・Il
2びに、リモネン、テルビルン、フエランドレン、ンル
ベストジン、ツエン、カレン、ピネン、ボルニジン、カ
ンフエン、フエンチェン、ツクClフェンチェノ、トリ
ツクジン、ピザボジン、ジンギヘジン、クルクメン、フ
ムレン、カジネンセスキベニヘン、セリネン、カリオフ
ィレン、サンタレン、セドレン、カンホジン、フィロク
ラテン、ボドカルブレン、ミジン、等のテルペン並びに
、ステ(フィト等が用いられる。 芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、l・ルエ
ン、ギンジン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メノチ
ジン、プレニテン、イソノコレン、ノコジン、ペンタメ
チルベンゼン、ヘキザメチルベンゼン、エチルベンクン
、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ヒフェニル、
テルフェニル、ノフJニルメタン、トリフェニルメタノ
、ジベンジル、スチルベン、イソテン、ナフタリン、テ
トラリン、アンI・ラセン、フェナントレン、等が用い
られろ。 本0発明においてa−C膜を形成させろ場合、」−記白
一機化合物を21類以上の混合気体で使用1して乙よい
。a−CIIQはi’yPIJl:重合体(ブロックノ
(重合体、ブラットJ(重合体等)が多く形成され、硬
度も、J−び付着性が向」二4゛る。また、アルカン系
炭化水素(Cn”2n+2)を使用すると、ビッカース
硬度2000以」−1電気抵抗1011Ωcmのグイヤ
モンI・状超(W質の、所謂i−C膜ら形成さU・るこ
とかてきる。ただし、この場合のプラズマ条件は高t!
+A、低圧、高パワーが必要で、更にJ、r;板に直流
バイアスを印加4”る必要らある。 ギ、トリアガスとしてはIl、やAr 、 Nc 、
lle愚の不活性ガスが適当である。 本発明においては、a−C膜の形成には、直流、高周波
あるいは低周波やマイクロ波プラズマ法等の種々のプラ
ズマ法を使用しすることがてきろ。 あるいは後述されているが、電磁波(X線、レーザー光
等)や」、記プラズマとの併用ら可能である。 それらの重合法の選択により、同一のモノマーで乙、色
々異なった特性をTTするi−C膜を得ろことかできろ
。たとえば、低周波プラズマ法(周波数が散ト111〜
敗百K Ilz程度)を使用すると高硬度のa−C膜を
得ることができる。本発明においてa−C膜を形成さU
る際重要なことは、水素と結合した炭素数N、と水素と
結合していない炭素数N、の比N l: N tが0.
1:IないしI:Iとなるように形成・1“ることであ
る。また、電荷発生層を高周波プラズマまたはP −C
V I)法により形成づ。 る場合には、a−0膜も同様の方法て成膜したほうが、
製造装置コスト、工程の省力化につながりにトよしい。 本発明感光体の電荷発生層は特に限定的ではなく、アモ
ルファスシリコン(a−9i)E!(特性ヲ変えろため
種々のI’J種元素、例えば1■、C,01S1N1!
)、13、ハU7ゲン、Ge等を含んでいてらよく、上
だ多層+74造であってらよい)、Sa膜、5e−As
唖、5a−1’ alQ 、 C: d S模、銅フタ
[Iシアニン、酸化亜鉛等の無機物質および/またはビ
スアゾ系顔料、トリアリールメタン系染料、チアジン県
東t1、オギザノン系染料、キザンテン県東れト、シア
ニン系色素、スチリル系色素、ピリリウム系染料、アゾ
系顔料、ギナクリドン系顔料、インノボ系顔料、ペリレ
ン系顔料、多環キノン系顔料、ビスベンズイミダゾール
系顔料、インダスロン系顔料、スクアリリウト系顔料、
フタロシアニン系顔料等のイr機物質を含有ケろ樹脂模
等が例示されろ。 これ以外にら、光を吸収し極めて高い効率で?[tA担
体を発生4゛る材料であれば、いずれの材料であ−)て
ら使用ずろことがてきる。 電荷発生層は公知の方法、例えば上記物質の粉体を適当
な樹脂に分散さ仕成模する方法を使用して設けて乙よく
、本発明において電荷輸送層をプラズマ法で形成4゛る
場合には、電−:f発生層ら同様の方法で成膜したほう
が、製造装置コスト、工程の省力化につながり好ましい
。また電荷発生層を公知の方法で設ける場合には」二足
物質の粉体の表面をあらかじめプラズマ重合により薄膜
コーティング処理し成膜した(1機物質を使用4−ろこ
とら(f効である。例えば、樹脂中にこれらを分散する
場合には、71(面コート4゛ろことで分散性が向」ニ
したり、耐溶剤性を加味さ仕、変質を防IL′4°ろ等
の手段がぢ°えられる。 電り::j発生層は、感光体のどの位置に設けてもよく
、たとえば最上層、最下層、中間1台いずれに設けて乙
よい、 II’7は素材の種類、特にその分光吸収特性
、露光光^;L、1]1的等に6よるが、一般に550
nmの光に対して90%以」二の吸収が得られるように
設定されろ。a−9iの場合で01〜3Bmである。 本発明においては、a−C電?f輸送層の帯電特性を、
;IAI節、1−ろたy)に、炭素または水素以外のヘ
テ(l原11を混入ざUて乙にい。例えば、+I’、f
Lの輸送性1’lをさらに向上ざ仕る)こy)に、周期
律表第111族原r−1あるいはハロゲン原子を混入し
てもよい。 電子の輸送特性をさらに向上さUoるために、周期律表
第V族13;(子あるいはアルカリ金属原子を混入して
乙よい。 正負両キャリアの輸送特性を更に向上さUoるたy)に
、Si、Ga、アルカリ土類金属、カルコゲン1+ii
r−を混入してらよい。 これらの原子は;(数州いてらよいし、目的ににす、1
u荷輸送層内で、特定の(η置だけに混入して乙にいし
濃度分布等を自°してらにいが、いずれの場合において
乙正要なことは、該プラズマ!n合+1x中に、水素と
結合した炭素数N、と水素と結合していない炭素数N、
の比N+:Ntがl:0.1〜1:1であるように形成
ずろことである。 第1図から第12図は本発明感光体の一態様を示4”模
式的断面図である。図中、(+)は基板、(2)は電(
:j輸送層としてのa−C膜、(3)は電(::7発生
層を示している。第1図に示す@様の感光体において、
例えば(帯電し続いて画像露光4°ると、市(::1発
生層(3)でチャージギヤリアか発生し電子は表面電荷
を中和ずろ。一方、正孔はa−C膜(2)の優れた電荷
輸送性に保証されて基板(1)側へ輸送される。第1図
の感光体を一帯電で用いるときは、上記と反対にa−C
膜(2)中を電子が輸送されろ。 第2図の感光体はa−cl12(2)を最」二層として
用いた例で、→帯電で用いるときは、a−C膜(2)中
を電子が一帯rliで用いろときはa−C膜中を正孔が
輸送される。 第3図に示す感光体は、基板(り上に電荷輸送層(2)
を(fし、電荷発生層(3)が該m/ij輸送層(2)
にザンドイッヂされるように設けられた例である。 第4図〜第6図に示4′感光体は、第1図〜第3図にお
いて示した感光体においてさらにオーバーコート層(4
)として厚さ0.01〜57tmの表面保護層を設けた
例で、感光体が使用されるシステムおよび環境に応じて
電荷発生層(3)あるいはTid!i輸送層a−送別漠
(2)の保護と初期表面電位の向上を図った乙のである
。表面保護層は公知の物質を用いればに<、本発明にお
いては、(r機プラズマ重合によって設(jろことか製
造工程の面等から望ましい。本発明a−CDを使用して
乙よい。この保護層(4)にら必要に上りへテロ原子を
混入して乙よい。 第7〜9図に示4−感光体は、第1図〜第3図において
示した感光体においてさらにアンダーコート層(5)と
して1!1さ0.01〜5μ肩の接着層、あるいは障壁
層を設けた例で、用いる堰板(+)またはその処理方法
に応じて、接着性または注入防止効果を図ったしのであ
る。アンダーコート層は公知の材料を用いればよく、こ
の場合もa機プラズマ重合法によって設けろことが望ま
しい。本発明によろa−(Jllを用いてらよい。更に
第7〜9図の感光体に第11〜6図で示したオーバーコ
ート層(4)を設けてらよい(第10図〜第12図)。 本発明感光体においては、第2図、第3図、第8図ある
いは第9図のごと<a−C膜が最表面になりうる構成の
場合、そのa−C膜にさらに酸素、水素、不活性ガスや
ドライエッヂング用ガス(例えば、ハロゲン化炭素)、
あるいは窒素等のプラズマを照射して、表面改質を行う
ことら可能である。そうすることにより感光体の耐湿性
、耐摩耗性および帯電能をさらに向上させることができ
る。 本発明感光体は電荷発生層と電荷輸送層とをa4”る。 従ってこれを製造するには少なくとら二工程を必要とず
ろ。電荷発生層として、例えばグロー放電分解装;8を
用いて形成したa−3i層を用いろときは、同一の真空
装置を用いてプラズマ重合を行なうことか可能であり、
従ってa−C電荷輸送層や表面保護層、バリア一層等は
プラズマ重合法により行なうのが特に好ましい。 本発明による電子写真感光体の電荷輸送層は、気相状態
の分子を減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気
中に含まれろ活性中性種あるいは荷電極を」□(仮−1
−に拡散、電気力、あるいは磁気力等により誘導し、」
l(板上での再結合反応により同相として坩債させる、
所謂プラズマ重合反応から生成される。 第13図は本発明に係る感光体の製造装置で容(I七結
合型プラズマCV I)装置を示す。電向輸送胎として
プラズマ重合ポリエヂレン唖をN゛4”ろ感光体を例に
とり、その製造法を第13図を用いて説明4゛る。 第13図は本発明に係わる電子写真感光体の製造装置を
示し、図中(701)〜(70G)は常/!kにおいて
気相状態にあるII;]料化合物およびキャリアガスを
密封した第1乃至第6タンクで、各々のタンクは第1乃
至第6調節弁(707)〜(712)と第1乃至第6流
巧【制御a:4(713)〜(718)に接続されてい
る。 図中(719)〜(721)は常温において液(・[1
または固相状態にある原料化合物を封入した第1乃至第
3容器で、谷々の容器は気化のため第1乃至第3温ユJ
器(722)〜(724)によりl!I!Lニー1可能
、例えば、常7ur〜150℃、あるいは−50℃〜常
温であり、さらに各々の容器は第7乃至第9ニーI節ブ
F(725)〜(727)と第7乃至第9流!11制御
器(728)〜(730)に接続されている。 これらのガスは混合器(731)で混合された後、主管
(732)を介して反応室(733)に送り込まれる。 途中の配管は、常温において液相まノこは固相状態にあ
−)た原t1化合物か気化したガスが、途中で凝結しな
いように、適宜配置された配管加熱器(731)により
、! j Q III能とされている。 反応室内には接11i!電極(735)と電力印加電極
(73G )/J’ l−f 向L−C設:ηサレ、各
// (1’) ?(i %b ハ?li極加熱器(7
37)により与熱可能とされている。 I′u力印加?[極には、高周波電力用1整合器(73
8)を介して高周波’n1lA:ic739 )、低周
波電力用整合器(740)を介して低周波?[と:t(
741)、C!−パスフィルタ(742)を介して直流
71i源(743)か接続されており、接続選択スイツ
チ(744)にJ−り周波数の511Xなる電力が印加
可能とされている。 反応室内の圧力は圧力制御弁(745)によりyJ11
1整可能であり、反応室内の減圧は、排気系選択弁(7
4G)を介して、拡散ポンプ(747)、411回転ポ
ンプ(748)、あるいは冷却除外装;1γへ(749
)、メカニカルブースターポンプ(750)、i+I+
回転ポンプにより?iなわれろ。 1ノFガスについては、さらに適当な除外装置(75′
3)に上り安全無害化した後、大気中に排気される。 これらυト気系配管については、常温において液相上た
は固相状態にあった原ネ“ト化合物が気化したガスか、
途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器に
」;す、与熱可能とされている。 反応室ら同様の理由から反応室加熱器(751)により
り熱++J能とされ、内部に配された電極上に導電性括
仮(752)が設置1ツされる。 第13図に於いて導?u性基板は接地電極に固定して配
されているが、電力印加71i極に固定して配されてし
よく、更に双方に配されて乙よい。 感光体製造に供する反応室は、拡1牧ポンプによりfめ
10 ’乃至!08程度にまで減圧し、真空度の確認
と装置内11りに吸召したガスの脱着を行う。 同時に電極J+++熱器により、電極並びに電極に固定
して配された導電性基板を所定の温度まで昇温する。 次いで、第1乃至第6タンクおよび第1乃至第13容器
から;工;)料ガスを第1乃至第9流M制御器を用いて
定流量化しながら反応室に導入し、IE力調節弁により
反応室内を一定の威圧状態に保つ。 ガス流L11か安定化した後、接続選択スイッチにより
、例えば高周波7u源を選択し、?[1力印加電極にに
り高周波電力を投入ずろ。 両組(・槍間にけ放電が開始され、時間と共に」8(板
1−に1.1月11の11・文か1[構成されろ。 以−1−の構成において、例えば第1図に示した感光体
を製造°・J゛る場合、反応槽(733)を一定の真空
状態としてから、例えばガスライン(7:12)を介し
て第1タンク(701)よりC,It、ガス、第2タン
ク(702)よりギ鬼・リアガスとしてILガスを0(
給゛4゛ろ。 一方1.〜4周o!/電源(739)より上部電極板(
7:1li)にl Owalls〜l kwaLLsの
7は力を印加し両電極板間にプラズマ枚7I[を起こし
、Pめ加熱されたAa」、ζ板(752)l−に17さ
5−50μmのa−C電6:f輸送層(2)を形成4°
ろ。この71j A輸送層は本発明により生成したa−
C膜中、水素と結合した炭素数N、と水素と結合してい
ない炭素数N2の比N、:N、が10、lないしl・1
である。この比は他の要造条(牛(二乙依(t4”るが
直流?ti1を二源(743)からIOV〜IKVのバ
イアス電圧を印加4゛ろことにより制御できろ。叩ら、
水素と結合した炭素数はバイアス4圧を高<4゛ること
によって減少し、a−C膜自体の硬度を高く4−ろこと
ができろ。こうして形成されたa−C電荷輸送層は透光
性、暗抵抗に優れ、チャージキャリアの輸送性に芹しく
浸れている。尚、この層に、例えば第4タンク(704
)より1+ 、 It uガス、または第5タンク(7
05)よりI)11.ガスを導入してり、N型に制御し
て電荷輸送性を一層高めてら良い。 次に電6:j発生層(3)は、第2及び第3タンク(’
102)、(j03)よりIt、、5i114ガスを導
入することによりa−8iをIk体と4°ろ層としてバ
51反されろ。 また、電荷輸送層形成のため反応槽(733)へ導入す
る化合物が液体状の物質であるときは、先述の方法でガ
スを反応槽(733)へ導入し、プラズマ重合さU・れ
ばよい。 また沸点の高い(r機化合物からa−C膜を形成ずろ場
合は、J1ξ板上にあらかじめそれらの物質を塗/li
してよjき、次に真空槽中でキャリアーガス等のプラズ
マを照射して、重合を開始さ仕てらj−い(所謂プラズ
マ重合法)。 本発明におけるa−C膜形成プラズマ市合法は、さらに
レザーヒーム、紫外線、X線あるいは電子線等の電磁波
を弔独で、あるいは補助的に照射し、a−C膜を形成す
ること(光アシスト法)や磁界、バイアス直流電界のア
シストら有効である。光アンスト法は、a−C膜の堆積
速度を向−にさU、製造時間をさらに短縮さUoたい場
合や、a−C膜の高度を」−界さUたい場合に有効であ
る。 以下、実施例を挙げ、本発明を説明ずろ。 去旗桝↓ (1)電6:j輛送層(a−0層の形成l第13図に示
ずグ〔J−放電分解装置において、よ4°、反応槽(7
33)の内部をl 0 6′l’orr程度の高真空に
した後、第1および第2バルブ(707)お、J−び(
70g)を開放し、第1タンク(701)JミリCt1
14ガス、第2タンク(702)より11.ガスを出力
圧ゲージIKg/cm’の下でマスフローコントローラ
(713)および(714)内へ流入さUた。そして、
各マスフローコントローラの1]盛を、IAI整して、
C,11゜の流11tを40sccm、 litを70
secmとなるように設定して反応槽(733)内へ流
入した。夫々の流mが安定した後に、反応槽(733)
の内圧が0.5Torrとなるように調整した。一方、
導電性基板(752)としては、2X50X50mmの
アルミニウム板をII+いて240℃に予じめ加熱して
おき、8ガス流!iが安定し、内圧が安定した状態で高
周波7dに((739)を投入し上部?Ti極板(73
6)に80 wallsの電力(周θ々敢13.56M
IIz)を印加して約4時間プラズマ市合を行ない、導
電性J、ζ仮(752)lに、j7さ60μmのプラズ
マ重合エチレン膜からなる電6:f輸送層を形成した。 以上のようにして得られたプラズマ重合エチレン膜をフ
ーリエ変換赤外分光(パーキンエルマートに製)、”C
−NMIえ装置(日本電子社製固体NMlυj−;、及
び’ll−NMli装置([1本?u子社製固体NMr
t)等で測定し、分析したところ、プラズマ重合エチレ
ン膜の化学構造においては、水素と結合した炭素数N、
と水素と結合していない炭素数N2の比N、+N、は約
80・20、即し、I:0.25であった。またその1
聞の電気Jlk抗を測定したところ、暗抵抗が3XlO
”Ωcffl以下であり、明暗抵抗比が102〜104
以」二であった。本発明プラズマ重合エチレン膜は゛吊
子写真感光体として十分使用できることか判った。 (I+)?[i荷発生層(a−3i層の形成)基板(1
)上にプラズマ重合エチレン膜を(1)の過程により形
成後、高周波電源(739)からの電力印加を一次停止
し、反応槽の内部を真空にした。 第3および第2バルブ(709)および(70g)を開
放し、第3タンク(703)より5il14ガス、第2
タンク(702)からlltガスを出力圧ケーン11ぐ
g/cm2の干てマスフ[J−コントローラ(715)
お、j;び(714)内へ流入さUた。各マスフロ−コ
ントローラの目盛を、す、ζ1整して、5i11.の流
mを90secm、11.の流j11を21hccmに
設定し、反応槽に流入させた。 夫々の流i1が安定した後に、反応槽(733)の内1
「がI 、 0 ’I’orrとなるよう調整した。 ガス流jItが安定し、内圧が安定した状態で高周波I
l+:1(739)を投入し、電極板(736)に30
Wの電力(周波数ML5GMIIz)を印加してグロー
放電を発生さUoた。このグし!−放;tiを10分間
行ない厚さ1μmのa−S i : 1IWIi向発生
層を形成さ口°た。 (±VΣ(感う買0憾り」1」止、炭t’ 411i
)工程(1)わ、j;び(11)ににす、電?、:I発
生層、a−8i層をAl2M板」二に順次積層した感光
体の性能評価を実施した。評価は第14図に示した感光
体テスターを使用し、帯電能よjよび感度について行っ
ノこ。 作製した感光体試料(35)をスキャニングテーブル(
37)に載置し、シールドブJバー(36)で固定した
。 スキャニングテーブル(37)を帯電領域(52)に浮
動し、+−7、7K V ノ直lAE高電圧(IlO)
により供給されろ高電圧をチャージャー(42)に印加
し、試料(35)の表面にコ(Jす放電を行った。次ぎ
にスキャニングテーブル(37)を放電領域(51)に
移動した。 コ[1す帯7uされた試料の表面電位は透明電極(48
)に、にり感知され、表面電位メーター(49)でその
値を読み取られ、レコーダー(50)に出力される。本
発明感光体は良好な帯電能を示した。 次に、ツヤツタ−(47)を開き、!(44)で反射し
たハClゲノデンプ(43)光を帯電している試料(3
5)の表面に照射した。照射は透明電極(48)を通じ
て行なわれ、照射による表面電位の変化はレコーダー
(50)に出力されるとともに、その時、流れた電流(
よ光電流モニター(38)に検知される。本発明感光体
は、初期表面電位(V、)= −490volLのとき
の半1lR7に先fft E 1/2が約0.81ux
−sccであった。 さらに実験例1と同じ要領で、感光体ドラムを作製し、
ミノルタカメラ(株)製複写機(Er’−6507、)
で実7I試験を行ったところ、良好な画像か得られた(
なお、この際、電力250W、Ct114300scc
ms IL G 50sccms池は平板の場合と同し
てあ−)た)。更に電荷発生層は電力250W%S 1
lla l 80sccm、 Ilt 500sec
m、池は・14仮の場合と回しであった。 まノこ、ドラム型感光体テスター(図示U−ず)て複写
ブ(lセスのンコミレーシタンを行ったところ、帯電チ
ャージ−露光照射−転写・除電チャーノー除電イレーザ
光照射を50に回の繰り返し後ら、安定した静電特性が
得られた。 J、tp□イMl 12−一 実施例1で使用した装置を用い、プラズマ条件等の種々
の条件を変えて、プラズマ重合エヂレン膜を作製してい
った場合、膜中のN、:N、の(11(がl=1以上の
乙のは殆んど作製不能であった。仮に出来たとしても十
分なm荷輸送機能を示さず、残留電位の高いしのとなる
。 比較例2 実施例Iの工程(+)で作製された本発明によるプラズ
マ重合エチレン脱の代わりに、低密度ポリエチレン膜を
有機重合の常法により厚さ6μmに作製し、その上に:
[程(II)を施した。 ポリエチレン膜は、N、:N、が約99.5:0.5、
即ち、l:5X10 3であった。また電気抵抗は約I
QIOΩCatであり絶縁体であった。 (1,lられた感光体の性能評価(ill)を行なった
ところ、感光体は光感度がなく、敗Uの操り返しでずぐ
ヂト−ジアソブし、電子写真には使用できないムのであ
った。 比較例3 アルミニウムJ、I、仮」二にa−8i層のみを形成し
た感光体を作製した。作製は実施例!と同様の条件下で
3.25時間行い、17さG 5Bxのa −S i
層を形成した。 得られたJ5光体の性能評価を行ったところ、得られた
感光体はV、−一+ 00V、 El/2=2.7Qu
x−secであり、十極性では十分な帯電能が得られな
かった。 なよj1今後、実施例、比較例と乙に・L仮でのみ作製
し、静電特性、画像特性をの調べた。 及奮鯉ん (1)第13図に示ずグ「l−放電分解装置において、
まず、反応室(733)の内部をI O”l”orr昆
11の高真空にした後、第1および第2調整弁(70?
)および(70g)を開放し、第1タンク(701)よ
り021(、ガス、第2タンク(7θ2)よりII、ガ
スを出力圧ゲージ1Kg/cm”の下でマスフ【1−コ
ントし!−ラ(713)お、Lび(714)内へ流入さ
せた。そして、各マスフ【1−コント〔2−ラの11盛
を調整して、C,11,の流titを70sccmSu
、を80 secmとなるように設定して反応室(73
3)内へ流入した。夫々の流14が安定した後に、反応
室(733)の内圧が1゜0Torrとなるように調整
した。一方、導電性堰板(752)としては、2X5Q
x50+uのアルミニウノ、仮を用いて200℃にtじ
め1111熱しておき、各ガス流mが安定し、内圧が安
定した状態で高周波電源(739)を投入し電力印加電
極(736)に851LILtsの電力(周波数13.
5 (iMIIz)を印加して約1 (1時間プラズマ
条件合を行ない、導電性括仮(752)lに、厚さ約9
μmの電荷輸送層をバ3成した。 この膜中のN+:Ntiよ約(i層:37、即ら、1.
0゜59であっノニ。 ([1) 高周波11源(739)からの電力印加を
一時停正し、反応室の内部を真空にした。 第4および第291−1整弁(710)および(7(1
8)を開放し、第4タンク(704)より5III4ガ
ス、第2タンク(702)から11.ガスを出力圧ゲー
ジ’Kg/cm’の下でマスフローコント【1−ラ(7
1[))および(7+4)内へ流入させた。各マスフ(
ノーコントローラの目盛を調整して、sil+4の流量
を90sccm、II、の原虫を21 O5CCmに設
定し、反応室に流入さUた。夫々の流バlが安定した後
に、反応室(733)の内圧が1.0Torrとなるよ
うシ11整した。 ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源(
739)を投入し、電力印br+電極(Tale)に3
0Wの電ソバ周波敢13 、56 Mllz)を印加し
てグロー放電を発生さけた。このグロー放電を10分間
行ないIIJさ1μmのa −S i : 117u#
1発生層を形成させた。 得られた感光体は初期表面電位(Vo)= −480v
oltのときの半減露光””I/2は0 、5 (ux
−sacであった。また、この感光体に対して作像して
転写したところ、鮮明な画像か得られた。 二均111邑IM+ 3−□ (1)第13図に示4′グ(1−放電分解装;Hにおい
て、まず、反応室(733)の内部を106Torr程
度の+?j+真空にした後、第1ないし第3調整弁(7
07)ないしく709)を開放し、第1タンク(701
)よりC,11,ガス、第2タンク(702)よりC1
1,ガス、第3タンク(703)より11.ガスを出力
圧ゲージ1Kg/cm2の下でマスフ[l−コントロー
ラ(713)ないしく715)内へ流入さUoた。そし
て、各マス70−フントローラの目盛を調整して、C,
11,の流!■を50secm%C11aをl 00s
ccmSIltをl 20secmとなるように設定し
て反応室(733)内へ流入した。 夫々の流量が安定した後に、反応室(733)の内圧が
I 、 OLorrとなるようにJ、’l整した。一方
、導電性、括阪(752)としては、2X50X501
11JIのアルミニウム板を用いて250℃に予じめ加
熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧が安定した状態
で高周波電源(739)を投入し、電力印加電極(73
6)に、200 wattsの電力(周波数13.56
MIIz)を印加して約5時間プラズマ重合を行ない、
厚さ約5゜9μmの電荷輸送層を形成した。 この膜中のN、:Ntは82:18、即ち、1:0゜2
2であった。その上に実施例2の(IT)で示した?[
tdi7発生層を形成した感光体を得た。この感光体は
、V、=−520volt、 El/2= 1.51u
x−sacであった。また作像、転写したところ鮮明な
画像が得られた。 実施例4 (1) 第1;う図に示すグロー放電分解装置におい
て、まず、反応室(733)の内部をI O’ i’o
rr程度の高真空にした後、第1ないし第3 #AI整
弁(707)ないしく709)を開放し、第1タンク(
701)よりC,Il、ガス、第2タンク(702)よ
りC11,ガス、第3タンク(703)よりIl、ガス
を出力圧ゲージ1Kg/Cm’の下でマスフ[l−コン
トローラ(713)ないしく715)内へ流入さUoた
。そして、各マスフロ−コント【I−ラの11盛を1.
九1整して、Ctl14の流量を55secm、 C1
14をG 0sccn+、 Iltをl OOsccm
となるように設定して反応室(733)内へ流入した。 夫々の流7社が安定した後に、反応室(733)の内圧
が2 、Otorrとなるように調整した。一方、導電
性J、ζ仮(752)としては、2X50X5.Omm
のアルミニウム板を用いて250℃に予じめ加熱してt
5き、3ガス流litが安定し、内圧が安定した状態で
高周波電源(739)を投入し、電力印加電極(736
)に、2 G Owallsの7u力(周波数13.5
6MIIz)を印加して約4.5時間プラズマ重合を行
ない、厚さ約5μmの7r1荷輸送層を形成した。 この膜中のN + : N tは約58:42、即し、
1゜072であった。 そのLに実施例2の(11)で示したTri (:j発
生層を形成した感光体を得た。この感光体はV、、=−
540V(IIL、 +(1/2−約1.81ux−s
ccであった。また、作像、転写したところ鮮明な画像
が得られた。 モ駐 (1)第13図に示4−グロー放電分解装置において、
まず、反応室(733)の内部をI O”L’orr桿
度の1f’11真空にした後、第1jjよび第2 、a
’、I整弁(707)および(708)を開放し、第1
タンク(701)よリCIO,ガス、第2タンク(7Q
2)より112ガスを出力用ゲージIKg/cm’の下
でマスフローコント1ノ−ラ(713)−t’;、にヒ
(714)内へ流入さU゛た。そして、各マスフローコ
ント【J−ラの[1盛をコ1す整して、ell、の流量
をりOsccm、 II tをl II Osccmと
なるように設定して反応室(733)内へ流入した。夫
々のtALmが安定した後に、反応室(Li2)の内圧
が0゜2Torrとなるようにg、++整した。一方、
導電性基板(752)としては、2X50X5011M
のアルミニウム板を用いて350℃に予じめ加熱してお
き、各ガス流Mが安定し、内圧が安定した状態で高周波
IIi源(739)を投入し電力印加電極(736)に
300walksの電力(周波数13.56MIIz)
を印加して約10時間プラズマ重合を行ない、導電性J
l(板(752)上に含打される全炭素原子の17さ約
6.5μmのrti荷輸送層を形成した。この膜中のN
1・N、は875・125、叩ら、I:O,14であっ
た。 その−1ユに実施例2の(11)で示した?Ii荷発生
層を形成L/こ感光体を得た。この感光体は、V、=−
595volt、El/2=2.l!ux・sccてあ
った。また作像、転写したところ、鮮明な画像が得られ
た。 大11魚−iMI且 (1)第1:3図に示4−グロー放電分解装置において
、ま・1゛、反応室(733)の内部をI O”I’o
rr11ij度の高真空にした後、第6および第75.
−1整ブF(712)わ5】;び(725)を開放し、
第6タンク(7(16)よ111、第1容器(719)
よりスチレンガスを出力ゲージIKg/cm2の下でマ
スフローコン1−cl−ラ(7Hl)ににU(128)
内”Mi人すtL タ。第1 fFa:4(719)L
k第1加熱a:4(722)に」;り約20℃に加熱し
た状態で用いた。そして、谷マスフローコントローラの
1]盛を調整して、スチレン(C,IL)のtAiff
iを60sec++、112を30 secmとなるよ
うに設定して反応室(733)内へ流入した。夫々の流
量が安定した後に、反応室(733)の内圧が0 、4
Torrとなるようじx111整した。 一方、導電性基板(752)としては、2x50x50
mmのアルミニウム板を用いて150℃に予じめ加熱し
ておき、各ガス流量が安定し、内圧か安定した状態で低
周波電源(741)を投入し7u力印加電極(736)
にj 20 waLLsの電力(周波数30KIIz)
を印加して約40分プラズマ重合を行ない、導電性JA
仮(752月二ζ1厚さ約9μmの71荷輸送石を形成
した。 この膜中のN 、: N tは54:46、即ち、l:
0゜85であった。その上に実施例2の(U)で示した
電イ::7発生層を形成した感光体を得た。この感光体
は、V ++” G 70 volt、E l/2=
41ux−sacてあった。また作像、転写したとこ
ろ鮮明な画像か得られノニ。 発明の効果 本発明による(「機プラズマ重合膜を電6:i輸送層に
(T4′ろ感光体は電荷輸送性、帯電能に優れ、膜L7
かA’i <て乙充分な表面電位を得ることかでき、か
つ良好な画像を得ることができろ。本発明に従えば、電
荷発生層にa−3iを使用4”る場合、従来のa−6i
感光体では達成することのできなか−、た薄膜の感光体
を得ろことができる。 本発明感光体はその原料が安価であり、必要な各層か同
一の槽内て成膜できるとともに、膜厚が薄くてよいのて
、製造コストが安く、かつ製造時間が短くて済む。 本
発明によるa機プラズマ重合膜は、薄膜に形成してらピ
ンホールが生じにく、均質に形成4′ろことができるの
で、薄膜化が容易である。ざらに耐コ[lす性、耐酸性
、耐湿性、耐熱性、トナーの離を性および剛直性にし浸
れているので、表面保護層として使用すると感光体の耐
久性か向上4〜る。
第1図から第12図は本発明感光体の模式的断面図を示
す。 第13図は感光体製造装置を示す概略図である。 第14図は感光体テスターを示す慨略図である。 図中の記号は以下の通りである。 (1)・・基板 (2)・・・電荷輸送層(a−
0層)(3)・電荷発生層 (4)・・・オーバーコー
ト層(5)・・・アンダーコート層 (701)〜(706)・・タンク (707) 〜(712)l’(725)〜(727)
−=WAI節弁(713)〜(718)及び(728)
〜(730)・・・マスフ〔2−コント[!−ラー (719)〜(721)・・容器(732)・・・主管
(733)・・反応室 (735)・・・接地電極
(736)・電力印加用電極 (739)・高周波電源 (741,) 低周波電源
(743)・・直流電圧Δ5;【 (747)〜(750)・真空ポンプ (752)・・導電性基板 (35)・・試料、 (36)・ンールドカバ
ー(37)・・スキャニングテーブル (38)・・・光電流モニター(39)・・・スイッチ
(40)・・・直流高電圧 (41)・・・総電流モ
ニター(42)・・・ヂャーノヤー (43)・・・ハロゲンランプ(44)・・・鏡(45
)・・・コールドフィルター (46)・Nr)フィルター (47)・ツヤツタ−(48)・・・透明電極(49)
・表面電位メーター (50)・・・レコーダー (51)・・・放電領域
(52)・帯電領域
す。 第13図は感光体製造装置を示す概略図である。 第14図は感光体テスターを示す慨略図である。 図中の記号は以下の通りである。 (1)・・基板 (2)・・・電荷輸送層(a−
0層)(3)・電荷発生層 (4)・・・オーバーコー
ト層(5)・・・アンダーコート層 (701)〜(706)・・タンク (707) 〜(712)l’(725)〜(727)
−=WAI節弁(713)〜(718)及び(728)
〜(730)・・・マスフ〔2−コント[!−ラー (719)〜(721)・・容器(732)・・・主管
(733)・・反応室 (735)・・・接地電極
(736)・電力印加用電極 (739)・高周波電源 (741,) 低周波電源
(743)・・直流電圧Δ5;【 (747)〜(750)・真空ポンプ (752)・・導電性基板 (35)・・試料、 (36)・ンールドカバ
ー(37)・・スキャニングテーブル (38)・・・光電流モニター(39)・・・スイッチ
(40)・・・直流高電圧 (41)・・・総電流モ
ニター(42)・・・ヂャーノヤー (43)・・・ハロゲンランプ(44)・・・鏡(45
)・・・コールドフィルター (46)・Nr)フィルター (47)・ツヤツタ−(48)・・・透明電極(49)
・表面電位メーター (50)・・・レコーダー (51)・・・放電領域
(52)・帯電領域
Claims (1)
- 1、電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)とを有する機
能分離型感光体において、電荷輸送層(2)が水素を含
む非晶質炭素膜で、その化学構造において、水素と結合
した炭素数N_1と水素と結合していない炭素数N_2
の比N_1:N_2が1:0.1ないし1:1であるこ
とを特徴とする感光体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8313286A JPS62238573A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 感光体 |
EP87105273A EP0241032A3 (en) | 1986-04-09 | 1987-04-09 | Photosensitive member composed of charge transporting layer and charge generating layer |
US07/382,015 US4939054A (en) | 1986-04-09 | 1989-07-18 | Photosensitive member composed of amorphous carbon charge transporting layer and charge generating layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8313286A JPS62238573A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62238573A true JPS62238573A (ja) | 1987-10-19 |
Family
ID=13793670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8313286A Pending JPS62238573A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62238573A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01163751A (ja) * | 1986-09-26 | 1989-06-28 | Canon Inc | 電子写真用感光体 |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP8313286A patent/JPS62238573A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01163751A (ja) * | 1986-09-26 | 1989-06-28 | Canon Inc | 電子写真用感光体 |
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