JPS63218961A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 崖朶上９利尻分野 本発明は、感光体、特に機能分離型感光体に関する。

従来Ω技術 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、感光体にも様々な材料が開発され実用化さ
れて来た。

従来用いられて来た感光体材料の主な物としては、非晶
質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化カドミウム
、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機物質、ポリ
ビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、ジスアゾ顔
料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフェニルメタ
ン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒドラゾン化合
物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール
化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機物質が挙げ
られる。

また、その構成形態としては、これらの物質を単体で用
いる単層型構成、結着材中に分散させて用いるバインダ
ー型構成、機能別に電荷発生層と電荷輸送層とを設ける
積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た感光体材料にはそれ
ぞれ欠点があった。

その一つとして人体への有害性が挙げられるが、前述し
たアモルファスシリコンを除く無機物質においては、い
ずれも好ましくない性質を有する物であった。

また、感光体が実際に複写機内で用いられるためには、
帯電、露光、現像、転写、除電、清掃等の苛酷な環境条
件にざらされた場合においても、常に安定な性能を維持
している必要があるが、前述した有機物質においては、
いずれも耐久性に乏しく、性能面での不安定要素が多か
った。

このような欠点を解消すべく近年、感光体、特に電子写
真用感光体にプラズマ化学蒸着法（以下、Ｐ−ＣＶＤ法
という）により作製されたアモルファスシリコン（以下
、ａ−３ｉと略す）が採用されるに至っている。

ａ−３ｔ感光体は種々の優れた特性を有する。

しかし、ａ−Ｓｉは比誘電率εが１２程度と大きいため
、感光体として充分な表面電位を得るためには、本質的
に最低２０μｍ程度の膜厚が必要であるという問題点が
ある。ａ−８ｉ悪感光は、Ｐ−ＣＶＤ法においては膜の
堆積速度が遅いため作製に長時間を要し、ざらに均質な
膜のａ−３ｉを得ることが作製時間が長くなる程難しく
なる。

その結果、ａ−３ｉ悪感光は白斑点ノイズ等の画像欠陥
が発生する確率が高く、ざらに原料費が高いという欠点
がある。

上記の欠点を改良するための種々の試みがなされている
が、本質的に膜厚をこれより薄くすることば好ましくな
い。

一方、ａ−３ｔ感光体は基板とａ−３ｉとの密着性、ざ
らに耐コロナ性、耐環境性あるいは耐薬品性が悪いとい
った欠点も存在する。

そのような問題点を解消するため有機プラズマ重合膜を
感光体のオーバーコート層あるいはアンダーコート層と
して設けることが提案されている。前者の例としては、
例えば、特開昭６０−６１７６１号公報、特開昭５９−
２１４８５９号公報、特開昭５１−４６１３０号公報あ
るいは特開昭５０−２０７２８号公報等が知られており
、後者の例としては、例えば、特開昭６０−６３５４１
号公報、特開昭５９−１３６７４２号公報、特開昭５９
−３８７５３号公報あるいは特開昭５９−２８１６１号
公報等が知られている。

有機プラズマ重合膜は、エチレン、ベンゼン、芳香族シ
ラン等のあらゆる種類の有機化合物のガスから作製でき
ること（例えばエム・ジエン（Ｍ、５ｈｅｎ）、ニー・
ティー・ベル（Ａ、Ｔ、Ｂｅ１ｌ）ら、ジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊ。

ｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｏｌｙｍｅｒ　
５ｉｅｎｃｅ）、第１７巻、８８５−８９２頁（１９７
３年）等）が知られているが、従来の方法で作製した有
機プラズマ重合膜は絶縁性を前提とした用途に限って用
いられている。従って、それらの膜は通常のポリエチレ
ン膜の如＜１０１６Ωａｍ程度の電気抵抗を有する絶縁
膜と考えられ、あるいは、少なくともそのような膜であ
るとの認識のもとに用いられていた。

特開昭６０−６１７６１号公報記載の技術は、５００人
〜２μｍのダイヤモンド状炭素絶縁膜を表面保護層とし
て被覆した感光体を開示している。この炭素膜はａ−３
ｉ悪感光の耐コロナ放電および機械的強度を改良するた
めのものである。

重合膜は非常に薄く、電荷はトンネル効果により膜中を
移動し、膜自体電荷輸送能を必要としない。また、有機
プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関しては一切記載
がないし、ａ−３ｔの持つ前記した本質的問題を解決す
るものではない。

特開昭５９’−２１４８５９号公報には、スチレンやア
セチレン等の有機炭化水素モノマーのプラズマ重合によ
り５μｍ程度の有機透明膜をオーバーコート層として被
覆する技術が開示されているが、その層はａ−３ｉ悪感
光の剥離、耐久性、ピンホール、生産効率を改良するも
のである。有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関
しては一切記載がないし、ａ−３ｉの持つ前記した本質
的問題を解決するものではない。

特開昭５１−４６１３０号公報には、Ｎ−ビニルカルバ
ゾールのグロー放電により、表面に厚ざ０．００１μｍ
〜３μｍの有機プラズマ重合膜を形成した感光体を開示
している。この技術は、正帯電時でしか使用できなかっ
たポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール系感光体を両極性帯電
で使用可能にすることを目的とする。この膜は０．００
１μｍ〜３μｍと非常に薄＜、オーバーコート的に使用
きれる。重合膜は非常に薄く、電荷輸送能を必要としな
いものと考えられる。また、重合膜のキャリアー輸送性
に関しては一切記載がないし、ａ−３ｉの持つ前記した
本質的問題を解決するものではない。

特開昭５０−２０７２８号公報には、基板上に増感層、
有機光導電性電気絶縁体とを順次積層し、ざらにその上
に厚＆０．１μｍ〜１μｍのグロー放電重合膜を形成す
る技術が開示されているが、この膜は湿式現像に耐える
ように表面を保護する目的のものであり、オーバーコー
ト的に使用される。重合膜は非常に薄く、電荷輸送能を
必要としない。また、重合膜のキャリアー輸送性に関し
ては一切記載がないし、ａ−３ｉの持つ前記した本質的
問題を解決するものではない。

特開昭６０−６３５４１号公報は、ａ−３ｉのアンダー
コート層に２００人〜２μｍのダイヤモンド状有機プラ
ズマ重合膜を使用した感光体について開示しているが、
その有機プラズマ重合膜は基板とａ−３ｉとの密着性を
改善する目的のものである。重合膜は非常に薄くてよく
、電荷はトンネル効果により膜中を移動し、膜自体は電
荷輸送能を必要としない。また、有機プラズマ重合膜の
キャリアー輸送性に関しては一切記載がないし、ａ−３
ｉの持つ前記した本質的問題を解決するものではない。

特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に網目構造
を有する有機プラズマ重合膜、ａ−３ｉを順次積層した
感光体が開示されている。有機プラズマ重合膜は、その
絶縁性を利用したアンダーコート層でありブロッキング
層、接着層あるいは剥離防止層として機能するものであ
る。重合膜は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効果に
より膜中を移動し、膜自体は電荷輸送能を必要としない
。また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関し
ては一切記載がないし、ａ−３ｉの持つ前記した本質的
問題を解決するものではない。

特開昭５９−３８７５３号公報には、酸素、窒素および
炭化水素の混合ガスからプラズマ重合により１０人〜１
００人の有機プラズマ重合膜を形成し、その上にａ−３
ｉ層を成膜する技術が開示されている。有機プラズマ重
合膜は、その絶縁性を利用したアンダーコート層であり
ブロッキング層あるいは剥離防止層として機能するもの
である。重合膜は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効
果により膜中を移動し、膜自体は電荷輸送能を必要とし
ない。また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に
関しては一切記載がないし、ａ−３ｉの持つ前記した本
質的問題を解決するものではない。

特開昭５９−１３６７４２号公報には、基板上に約５μ
ｍの有機プラズマ重合膜、ａ−３ｉ膜を順次形成する半
導体装置が開示されている。しかし、その有機プラズマ
重合膜は、基板であるアルミニウムのａ−３ｉへの拡散
を防止する目的のものであるが、その作製法、膜質に関
しては一切記載がない。また、有機プラズマ重合膜のキ
ャリアー輸送性に関しては一切記載がないし、ａ−３ｉ
の持つ前記した本質的問題を解決するものではない。

発明が解決しようとする問題点 以上のように、従来、感光体に用いられている有機重合
膜はいわゆるアンダーコート層もしくはオーバーコート
層として使用されていたが、それらはキャリアの輸送機
能を必要としない膜であって、有機重合膜が絶縁性で有
るとの判断、もしくはそのような認識の下に用いられて
いる。従ってその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜
としてしか用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中
を通過するか、トンネル効果が期待できない場合には、
実用上の残留電位としては問題にならずに済む程度の薄
い膜でしか用いられていない。

本発明者らは、有機重合膜の感光体への応用を検討して
いるうちに、本来絶縁性であると考えられていた有機重
合膜が、炭素の二重結合を増加させることにより、電気
抵抗が低下し、電荷輸送性を示し始めることを見出した
。

本発明はこの新たな知見を利用することにより、従来の
ａ−Ｓｉ感光体の持つ問題点、すなわちａ−３ｉの膜厚
、製造時間、製造コスト等における問題点等をすべて解
決し、また従来とは全く使用目的も、特性も異なる有機
重合膜、特に有機プラズマ重合膜を使用した感光体およ
びその製造すなわち、本発明は、電荷発生層（３）と電
荷輸送層（２）とを有する機能分離型感光体において、
電荷輸送層（２）として有機化合物のプラズマ重合膜を
設け、該重合膜の赤外吸収スペクトルの炭素の二重結合
＜＞Ｃ＝Ｃ＜）による１６００Ｃｍ−１付近のピーク吸
収係数α１とメチレン（−ＣＨ２−）基による２９２５
ｃｍ−１付近のピーク吸収係数α２との比α１／α２が
０．０３ないしＯ０９゜であることを特徴とする感光体
に関する。

本発明感光体は少なくとも電荷発生層と電荷輸送層から
構成される。

本発明感光体の特徴は、電荷輸送層として有機化合物の
重合膜を設け、ざらにその重合膜中に形成きれた炭素の
二重結合とメチレン基が、赤外吸収スペクトルの炭素の
二重結合による１６００ｃｍ−１付近のピーク吸収係数
α１とメチレン基による２９２５ｃｍ’″ｉ付近のピー
ク吸収係数α２との比α１／α２が０．０３ないし０．
９０であることにある（以下、本発明の重合膜をａ　−
Ｃ膜と称する）。

本発明における赤外吸収スペクトルの吸収係数は透過率
と膜厚から下式［■］　： ａ（ν）＝−ｄ−１・ｌｏｇｓ（Ｔ／Ｔｏ）　　［Ｉ］
［式中、　α（ν）は波数νにおける吸収係数、ｄは膜
厚、Ｔ／Ｔｏは透過率を表す。］ で表される。

本発明のａ−Ｃ膜は赤外吸収スペクトルにおけるピーク
吸収係数比α１／α２が０．０３ないし０．９０．より
好ましくは０．０７ないし０゜７、特に０．１０ないし
０．５０であるとき適しており、０．０３より小ざいと
、好適な輸送性が得られず感光体としては使用できず、
０．９０より大きいと帯電能の劣化、膜質の劣化あるい
は成膜性の低下を招く。

一般に、α１／α２の値が０．０３以上のとき始めて比
抵抗が低減し、キャリアの易動度が１０−７［ｃ　ｍ２
／Ｖ／　ｓ　ｅ　ｃコ以上となる。

本発明のａ−Ｃ膜中には、炭素原子に由来する種々の基
、例えば、メチル基あるいはメチン基または種々の結合
様式をした炭素原子、例えば、単結合、三重結合等、更
に、異種元素が添加された場合にはそれらに由来する種
々の結合様式、例えば、弗素原子が添加された場合には
、＞　ＣＦ　２基、　ＣＦ３基、窒素原子が添加きれた
様な場合には、窒素と炭素の三重結合基等が存在するが
、式［Ｉ］に従いα１／α２の値が前述の範囲となるこ
とが本発明においては重要である。

ａ−Ｃ層の厚とは５ないし５０μｍ１特に７ないし２０
μｍが適当であり、５μｍより薄いと表面電位が低く充
分な複写画像濃度を得ることができない。５０μｍより
厚いと生産性の点で好ましくない。このａ−Ｃ膜は、可
視光もしくは半導体レーザー発光波長付近の光に対して
は明確なる電荷発生能は有しないが、比較的高暗抵抗を
有するとともに電荷輸送性に富み、膜厚を上記のように
５μｍ以上としても電荷トラップを生じることなくキャ
リアを輸送する。ざらに、帯電能、耐久性、耐候性、耐
環境汚染性等の感光体性能に優れ、しかも透光性にも優
れるため、機能分離型感光体としての積層構造を形成す
る場合においても極めて高い自由度が得られるものであ
る。

ａ−Ｃ層を形成するための有機化合物としては炭化水素
が用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱あるいは減圧等により溶融
、蒸発、昇華等を経て気化し得る物であれば、液相でも
固相でも使用可能である。

該炭化水素としては、例えば、飽和炭化水素、不飽和炭
化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等が用いられ
る。

飽和炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、プロ
パン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、へブタン、オクタ
ン、ノナン、デカン、ウンデカン、トチ゛カン、トリデ
カン、テトラコサン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘ
プタデカン、オクタデカン、ノナデカン、エイコサン、
ヘンエイコサン、トコサン、トリコサン、テトラコサン
、ペンタコサン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタ
コサン、ノナコサン、トリアコンタン、トドリアコンタ
ン、ペンタトリアコンタン、等のノルマルパラフィン並
びに、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソ
ヘキサン、ネオヘキサン、２．３−ジメチルブタン、２
−メチルヘキサン、３−エチルペンタン、２，２−ジメ
チルペンタン、２．４−ジメチルペンタン、３．３−ジ
メチルペンタン、トリブタン、２−メチルへブタン、３
−メチルへブタン、２，２−ジメチルヘキサン、２．２
．５−ジメチルヘキサン、２，２゜３−トリメチルペン
タン、２．２．４−）ジメチルペンタン、２．３．３−
トリメチルペンタン、２．３．４−トリメチルペンタン
、イソナノン、等のイソパラフィン、等が用いられる。

不飽和炭化水素としては、例えば、エチレン、プロピレ
ン、イソブチレン、１−ブテン、２−ブテン、１−ペン
テン、２−ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３−メ
チル−１−ブテン、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキ
セン、テトラメチルエチレン、１−ヘプテン、１−オク
テン、１−ノネン、１−デセン、等のオレフィン、並び
に、アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン
、ヘキサジエン、シクロペンタジェン、等のジオレフィ
ン、並びに、オシメン、アロシメン、ミルセン、ヘキサ
トリエン、等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、
メチルアセチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペン
チン、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１
−ノニン、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロテトラデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ポルニレン、カンフエン、フェ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボレ
ン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ポドカルブ
レン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。

芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フエ、ナントレン、等が用いら
れる。

キャリアガスとしては、Ｈ２、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ等が適
当である。

本発明においては、ａ−Ｃ膜は、直流、低周波、高周波
、マイクロ波プラズマ法等のプラズマ状態を経て形成す
るのが最も好ましいが、その他イオン化蒸着、イオンビ
ーム蒸着、クラスターイオンビーム蒸着等のイオン状態
を経て形成してもよいし、真空蒸着法、スパッタリング
法等の中性粒子から形成してもよいし、あるいはこれら
の組合せにより形成してもよい。その際重要なことは、
式［Ｉ］に従いα１／α２の値が前述の範囲となるよう
に形成することである。また、電荷発生層は、ａ−Ｃ膜
と同様の方法で成膜した方が、製造コスト、工程の省力
化につながり好ましい。

本発明におけるα１／α２の値は、例えば、Ｐ−ＣＶＤ
法においては圧力を高くする、電力を低くする、基板温
度を高くする等の手段により小ざくすることができる。

また、二重結合がより多く含まれる原料モノマーを用い
ることによりα！／α２の値を大きくすることができる
。また、二重結合を含む原料モノマーと二重結合を含ま
ない原料モノマーとの混合ガスを原料として用い、混合
ガス中の前者の混合比率を高くすることによりα１／α
２゛の値を大きくすることができる。勿論、これらの制
御の方向を逆にすれば、逆の効果が得られる。

これらの制御手法は、電荷輸送層にざらなる特性、例え
ば、硬度、透光性等を付与する目的から、あるいは製造
上の安定性を確保する目的から、複数の手法を適宜採用
すればよい。

本発明感光体の電荷発生層は特に限定的ではなく、非晶
質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化カドミウム
、酸化亜鉛、特性を調整するため、場合により異種元素
（例えば、水素、硼素、炭素、窒素、酸素、弗素、燐、
硫黄、塩素、臭素、ゲルマニウム、等）を含有せしめた
アモルファスシリコン、等の無機物質、ポリビニルカル
バゾール、シアニン系化合物、金属フタロシアニン系化
合物、アゾ系化合物、ペリレン系化合物、トリアリール
メタン系化合物、トリフェニルメタン系化合物、トリフ
ェニルアミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチリル
系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾール系化合物
、オキサジン系化合物、オキサジアゾール系化合物、チ
アジン系化合物、キサンチン系化合物、ピリリウム系化
合物、キナクリドン系化合物、インジゴ系化合物、多環
キノン系化合物、ジスベンズイミダゾール系化合物、イ
ンダスロン系化合物、スクアリリウム系化合物、等の有
機物質等が例示される。

これ以外にも、光を吸収し極めて高い効率で電荷担体を
発生しうる材料であれば、いずれの材料であっても使用
することができる。

本発明においてはａ　−Ｃ電荷輸送層の帯電特性を調節
するために、炭素または水素以外のへテロ原子を混入さ
せてもよい。例えば、正孔の輸送性をざらに向上させる
ために、周期律表第１＋［族原子あるいはハロゲン原子
を周期律表第１ＩＩ族原子においては０．１ないし５．
０原子％程度、ハロゲン原子においては０．１ないし２
５原子％程度混入してもよい。電子の輸送性をざらに向
上きせるために、周期律表第■族原子あるいはアルカリ
金属原子を周期律表第■族原子においては０．１ないし
５．０原子％程度、アルカリ金属原子においては０．１
ないし２５原子％程度混入してもよい。

正負両キャリアの輸送特性をざらに向上させるために、
シリコン原子、ゲルマニウム原子、アルカリ土類金属原
子あるいはカルコゲン原子を０．１ないし１０原子％程
度混入してもよい。これらの原子は複数用いてもよいし
、目的により電荷輸送層内で特定の位置だけに混入して
もよいし、濃度分布を有してもよいが、いずれの場合に
おいても重要なことは、該重合膜におけるα１／α２の
値が前述の範囲になるように膜形成することである。

これらのへテロ原子の添加は、ａ−Ｃ電荷輸送層にざら
なる特性、例えば、透光性、感光体表面の滑性、基板と
の密着性等を付与する目的から、あるいは製造上の安定
性を確保する目的から、複数の原子を適宜添加してもよ
い。例えば、透光性を高くする場合においては周期律表
第＋１［族原子あるいは周期律表第■族原子の添加が有
効である。

また、例えば、ａ−Ｃ膜が本発明感光体の最表面に位置
するような構成においては、ハロゲン原子、待には弗素
原子の感光体表面近傍への添加が、感光体表面の滑性を
高くし複写機内での実用性能を向上させるために有効で
ある。また、例えば、ａ−Ｃ膜が本発明感光体の基板と
の界面に位置するような構成においては、酸素原子、窒
素原子、カルコゲン原子、周期律表第■族原子等の基板
近傍への添加が、基板との密着性を高くし剥離防止のた
めに有効である。また、珪素原子等では多量の添加によ
り障壁層としても有効となる場合もある。このようなペ
テロ原子の添加においては、目的が達せられる範囲であ
ればその添加量は特に制限を受けない。また、これらの
原子は複数用いてもよいし、目的により電荷輸送層内で
特定の位置だけに混入してもよいし、濃度分布を有して
もよいが、いずれの場合においても重要なことは、該重
合膜におけるα１／α２の値が前述の範囲になるように
膜形成することである。

また、ａ−Ｃ層中に膜形成時の不可避不純物が混入する
ような場合、例えば、真空槽内に吸着した大気の脱ガス
あるいは真空槽内へのわずかなリークによる、窒素ガス
、酸素ガスあるいは水蒸気が混入するような場合、ある
いは、真空装置部材として常用きれるステンレス部材か
らの鉄、ニッケルあるいはクロム原子の逆スパツタによ
る混入が発生するような場合、等においても、ａ　−Ｃ
膜におけるαｌ／α２の値が前述の範囲になるように膜
形成することが本発明においては重要である。

第１図から第１２図は本発明感光体の一態様を示す模式
的断面図である。図中（１）は基板、（２）は電荷輸送
層としてのａ−Ｃ膜、（３）は電荷発生層、（４）はオ
ーバーコート層、（５）はアンダーコート層を示してい
る。

コロナ帯電器等により感光体表面を正帯電し続いて画像
露光すると、第１図に示す態様の感光体においては、電
荷発生層（３）で発生した正孔がａ　−Ｃ膜の優れた電
荷輸送性に保証されて電荷輸送層（２）中を導電性基板
（１）に向は走行し、第２図に示す態様の感光体におい
ては、電荷発生層（３）で発生した電子が電荷輸送層（
２）中を感光体表面に向は走行し、第３図に示す態様の
感光体においては、電荷発生層（３）で発生した正孔が
下層の電荷輸送Ｎ（２）中を導電性基板（１）に向は走
行すると共に、電荷発生層（３）で発生した電子が上層
の電荷輸送Ｎ（２）中を感光体表面に向は走行し、感光
体表面の電荷あるいは基板の電荷を中和し、静電潜像の
形成が行なわれる。感光体表面を負帯電し続いて画像露
光して使用する場合においては、電子と正孔の挙動を入
れ代えて、キャリアーの走行性を解すればよい。

第２図に示す態様の感光体および第３図に示す態様の感
光体では、画像露光用の照射光が電荷輸送層（２）中を
通過することになるが、ａ−Ｃ膜の優れた透光性により
好適な潜像形成を行うことが可能である。

第４図ないし第６図に示す態様の感光体は、第１図ない
し第３図に示した感光体においてざらにオーバーコート
層（４）として厚さ０．０１ないし５μｍの表面保護層
を設けた例で、感光体が使用されるシステムおよび環境
に応じて電荷発生層（３）あるいは電荷輸送層ａ−Ｃ膜
（２）の保護と初期表面電位の向上を図ったものである
。

オーバーコート層は公知の物質を用いればよく、本発明
においては、有機プラズマ重合膜によって設けることが
製造工程の面等から望ましい。

本発明ａ−Ｃ膜を使用してもよく、この時のａ　−Ｃ膜
にも必要によりペテロ原子を混入してもよい。

第７図ないし第９図に示す態様の感光体は、第１図ない
し第３図に示した感光体においてさらにアンダーコート
層（５）として厚ざ０．０工ないし５μｍの接着層ある
いは障壁層を設けた例で、用いる導電性基板（１）マた
はその処理方法に応じて接着性または注入防止効果を図
ワたものである。

アンダーコート層は公知の物質を用いればよく、本発明
においては、有機プラズマ重合膜によって設けることが
製造工程の面等から望ましい。

本発明ａ−Ｃ膜を使用してもよく、この時のａ−Ｃ膜に
も必要によりペテロ原子を混入してもよい。ざらに第７
図ないし第９図の感光体には第４図ないし第６図で示し
たオーバーコート層（４）を設けてもよい（第１０図な
いし第１２図）。

本発明感光体は電荷発生層と電荷輸送層とを有する。従
ってこれを製造するには少なくとも二工程を必要とする
。電荷発生層として、例えばグロー放電分解装置を用い
て形成したａ−３工層を用いるときは、同一の真空装置
を用いてプラズマ重合を行なうことが可能であり、従っ
てａ　−Ｃ電荷輸送層や表面保護層、バリア一層等はプ
ラズマ重合法により行なうのが特に好ましい。また、電
荷発生層として、例えば真空蒸着の常法を用いて形成し
たセレン系（セレン砒素、セレンテルル等）層やフタロ
シアニン系（アルミクロロフタロシアニンクロライド、
チタニルフタロシアニン、銅フタロシアニン等）層を用
いるときは、二つの真空装置を例えばゲートバルブで連
結して蒸着とプラズマ重合を行なうことが可能であり、
あるいは、同一の真空槽内に蒸着用とプラズマ重合用の
治具を配置することにより蒸着とプラズマ重合を行なう
ことが可能であり、従ってａ−Ｃ電荷輸送層や表面保護
層、バリア一層等はプラズマ重合法により行なうのが好
ましい。

本発明による感光体の電荷輸送層は、例えば、気相状態
の分子を減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気
中に含まれる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散
、電気力、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での
再結合反応により固相として堆積させる、いわゆるプラ
ズマ重合反応から生成されることが好ましい。

第１３図および第１４図は本発明に係わる感光体の製造
装置で容量結合型Ｐ−ＣＶＤ装置を示す。第１３図は平
行平板型Ｐ−ＣＶＤ装置、第１４図は円筒型Ｐ−ＣＶＤ
装置を示す。

まず、第１３図を用いて説明する。

第１３図中（７０，１’）ないしく７０６）は常温にお
いて気相状態にある原料化合物およびキャリアガスを密
封した第１ないし第６タンクで、各々のタンクは第１な
いし第６調節弁（７０７）ないしく７１２）と第１ない
し第６流量制御器（７１３）ないしく７１８）に接続き
れている。図中（７１９）ないしく７２１）は常温にお
いて液相または固相状態にある原料化合物を封入した第
１ないし第３容器で、各々の容器は気化のため、第１な
いし第３加熱器（７２２）ないしく７２４）により与熱
可能であり、ざらに各々の容器は第７ないし第９調節弁
（７２５）ないしく７２７）と第７ないし第９流量制御
器（７２８）ないしく７３０）に接続されている。これ
らのガスは混合器（７３１）で混合された後、主管（７
３２）を介して反応室（７３３）に送り込まれる。途中
の配管は、常温において液相または固相状態にあった原
料化合物が気化したガスが、途中で凝結しないように、
適宜配置された配管加熱器（７３４）により、与熱可能
とされている。反応室内には接地電極（７３５）と電力
印加電極（７３６）が対向して設置され、各々の電極は
電極加熱器（７３７）により与熱可能とされている。

電力印加電極（７３６）には、高周波電力用整合器（７
３８）を介して高周波電源（７３９）、低周波電力用整
合器（７４０）を介して低周波電源（７４１）、ローパ
スフィルタ（７４２）を介して直流電源（７４３）が接
続されており、接続選択スイッチ（７４４）により周波
数の異なる電力が印加可能とされている。

反応室（７３３）内の圧力は圧力制御弁（７４５）によ
り調整可能であり、反応室（７３３）内の減圧は、排気
系選択弁（７４６）を介して、拡散ポンプ（７４７）　
、油回転ポンプ（７４８）、あるいは、冷却除外装置（
７４９Ｌメカニカルブースターポンプ（７５０）、油回
転ポンプ（７４８）により行なわれる。

排ガスについては、ざらに適当な除外装置（７５３）に
より安全無害化した後、大気中に排気される。

これら排気系配管についても、常温において液相または
固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器（７３４
）により、与熱可能とされている。

反応室（７３３）も同様の理由から反応室加熱器（７５
１）により与熱可能とされ、内部に配された電極上に導
電性基板（７５２）が設置される。

第１３図において導電性基板（７５２）は接地電極（７
３５）に固定して配されているが、電力印加電極（７３
６）に固定して配されても良く、ざらに双方に配されて
も良い。

第１４図に示した装置も基本的には第１３図に示した装
置と同様であり、反応室（７３３）内の形態が基板（７
５２）が円筒形であることに応じて変更されているもの
である。基板は（７５２）は接地電極（７３５）を兼ね
、電力印加電極（７３６）および電極加熱器（７３７）
共に円筒形をなしている。また、導電性基板（７５２）
は、外部より駆動モータ（７５４）を用いて自転可能と
なっている。

以上の構成において、感光体製造に供する反応室は、拡
散ポンプにより予め１０−４ないし１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程
度にまで減圧し、真空度の確認と装置内部に吸着したガ
スの脱離を行なう。

同時に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配
された導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基
板には、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得
るために、必要であれば、予めアンダーコート層あるい
は電荷発生１層を設けておいても良い。アンダーコート
層あるいは電荷発生層の設置には、本装置を用いても良
いし別装置を用いても良い。

次いで、第１ないし第６タンクおよび第１ないし第３容
器から炭化水素を主とする原料ガスを第１ないし第９流
量制御器を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、
圧力調節弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。

ガス流量が安定化した後、接続選択スイッチにより、例
えば低周波電源を選択し、電力印加電極に低周波電力を
投入する。

両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の膜が形成される。

この電荷輸送層は本発明により生成したα１／α２の比
が前述の範囲にあることを特徴とするａ　−Ｃ膜である
。反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚に達したと
ころで放電を停止する。

次いで、第１ないし第９調節弁を閉じ、反応室内を充分
に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる場合に
は反応室内の真空を破り、反応室より本発明による感光
体を取り出す。ざらに所望の感光体構成において、電荷
発生層あるいはオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、あるいは別装置に移し
てこれらの層を設け、本発明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら本発明を説明する。

去施ガ１ 本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第１図に示
した、導電性基板（１）、電荷輸送層（２）、電荷発生
層（３）をこの順に設けた感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第１３図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応装置（７３３）の内部を１０＝Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１および第２ｖＭ節弁（７０７および７０
８）を解放し、第１タンク（７０１）よりキャリアガス
として水素ガスおよび第２タンク（７０２）より原料炭
化水素ガスとしてブタジェンガスを各々出力圧ＩＫｇ／
ｃｍ２の下で第１および第２流量制御器（７１３および
７１４）内へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を
調整して、水素ガスの流量を３００ｓｅｃｍおよびブタ
ジェンガスの流量を６０ＳＣＣｍ、となるように設定し
て、途中混合器（７３１）を介して主管（７３２）より
反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した
後に、反応室（７３３）内の圧力が２．０Ｔｏｒｒとな
るように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電
性基板（７５２）としては、樅５０Ｘ横５０Ｘ厚３ｍｍ
のアルミニウム基板を用いて、あらかじめ１５０℃に加
熱しておき、ガス流量および圧力が安定した状態で、あ
らかじめ接続選択スイッチ（７４４）により接続してお
いた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７
３６）に８０Ｗａｔｔの電力を周波数２００ＫＨｚの下
で印加して約２０分間プラズマ重合反応を行ない、導電
性基板（７５２）上に厚と１０μｍのａ　−Ｃ膜を電荷
輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止
し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気し
た。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜をフーリエ変換赤外
吸収分光装置（パーキン・エルマー社製）で測定した。

測定は、ａ−Ｃ膜を載置したアルミ基板について、反射
法により、分解能２ｃｍ−１で行なった。

第１５図はそのスペクトルチャートを示したものである
。得られたスペクトル・チャート上には、１６００ｃｍ
−１付近および２９２５ｃｍ−’付近に＞Ｃ＝Ｃ＜結合
に基づく吸収ピークおよび−ＣＨ２−基に基づく吸収ピ
ークがそれぞれ認められ、両者のピーク先端における透
過率を読み取り、式［Ｉ］を用いてα１／α２を求めた
ところ０．２１であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）　、第４調節弁（７１０
）および第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（
７０１）から水素ガス、第４タンク（７０４）から亜酸
化窒素ガスおよび第６タンク（７０６）からシランガス
を出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第４および第６流
量制御器（７１３，７１６および７１８）内へ流入させ
た。各流量制ｔＭ器の目盛を調整して水素ガスの流量を
２１０ｓｅｃｍｓ亜酸化窒素ガスの流量を１．Ｏ８ｃａ
ｍおよびシランガスの流量を９０　ｓ　ｃ　ａｍに設定
し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流量が安
定した後に、反応室Ｃ７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒ
ｒとなる様に圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、
ａ−ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は、１
５０℃に加熱しておき、ガス流量および圧力が安定した
状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの下で電力印加型ｔＭ（７３６）に１５０Ｗａｔｔ
の電力を印加しグロー放電を発生させた。この放電を２
０分間行ない、厚ざ０．５μｍのａ−３ｉ：Ｈ電荷発生
層を形成した。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位−６００ｖに
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より１５％低い電位にまで
減衰する程度であり、このことから充分な電荷保持性能
を有することが確認された。また、−６００Ｖに初期帯
電した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期帯電
電位の５０％の表面電位にまで明減衰させたとこる必要
とされた光量は２．０ルツクス・秒であり、このことか
ら充分な光感度性能を有することが確認された。また、
白色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留電位と
して測定したところ一２０Ｖであり、極めて良好である
ことが確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体として優れた性能を有するものである。また、
この感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で作
像して転写したところ画像が得られた。

去施カ旦 電荷輸送層形成工程において、圧力設定を５Ｔｏｒｒと
すること以外は実施例１と同様にして感光体を作製した
。

得られたａ−Ｃ膜の膜厚は１５μｍであり、フーリエ変
換赤外吸収分光装置（パーキン・エルマー社製）での測
定結果から式［Ｉ］を用いてα１／α２を求めたところ
０．１０であった。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位−６００■に
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より１３％低い電位にまで
減衰する程度であり、このことから充分な電荷保持性能
を有することが確認された。また、−５ｏｏｖに初期帯
電した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期帯電
電位の５０％の表面電位にまで明減衰させたところ必要
とされた光量は２．３ルツクス・秒であり、このことか
ら充分な光感度性能を有することが確認された。また、
白色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留電位と
して測定したところ一２０Ｖであり、極めて良好である
ことが確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体として優れた性能を有するものである。また、
この感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で作
像して転写したところ画像が得られた。

実施例３ 電荷輸送層形成工程において、圧力設定を２ＴＯｒｒ％
低周波電力を６０Ｗとすること以外は実施例１と同様に
して感光体を作製した。

得られたａ−Ｃ膜の膜厚は８μｍであり、フーリエ変換
赤外吸収分光装置（パーキン・エルマー社製）での測定
結果から式［１］を用いてα１／α２を求めたところ○
６０７であった。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位−６００Ｖに
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
きせたところ、初期帯電電位より１３％低い電位にまで
減衰する程度であり、このことから充分な電荷保持性能
を有することが確認された。また、−６００Ｖに初期帯
電した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期帯電
電位の５０％の表面電位にまで明減衰きせたとこる必要
とされた光量は４．フルックス・秒であり、このことか
ら若干高露光を必要とするものの好適な光感度性能を有
することが確認された。また、白色光８０ルツクス・秒
照射時の表面電位を残留電位として測定したところ一２
５Ｖと良好であることが確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体として優れた性能を有するものである。また、
この感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で露
光量を若干高くして作像して転写したところ画像が得ら
れた。

去施廻４ 電荷輸送層形成工程において、圧力設定を４Ｔｏｒｒと
すること以外は実施例３と同様にして感光体を作製した
。

得られたａ−Ｃ膜の膜厚は１２μｍであり、フーリエ変
換赤外吸収分光装置（パーキン・エルマー社製）での測
定結果から式［Ｉ］を用いてα１／α２を求めたところ
０．０３であった。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位−６００Ｖに
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より１０％低い電位にまで
減衰する程度であ　　゛す、このことから充分な電荷保
持性能を有することが確認された。また、−６００Ｖに
初期帯電した後、比視感度に近似した白色光を用いて初
期帯電電位の５０％の表面電位にまで明減衰させたとこ
る必要とされた光量は１０．２ルツクス・秒であり、こ
のことから高露光を必要とするものの光感度性能を有す
ることが確認された。また、白色光８０ルツクス・秒照
射時の表面電位を残留電位として測定したところ一５０
Ｖと若干高いが実用上問題ないことが確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体としての性能を有するものである。また、この
感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で露光量
および現像バイアスを若干高くして作像して転写したと
ころ画像が得られた。

実施例５ 電荷輸送層形成工程において、低周波電力を１２０Ｗ１
電力周波数を１００ＫＨｚとすること以外は実施例１と
同様にして感光体を作製した。

得られたａ−Ｃ膜の膜厚は１５μｍであり、フーリエ変
換赤外吸収分光装置（パーキン・エルマー社製）での測
定結果から式［Ｉ］を用いてα１／α２を求めたところ
０．５０であった。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯１１ｉ器の出力を調整して初期帯電電位−６００
■に帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗
減衰させたところ、初期帯電電位より１８％低い電位に
まで減衰する程度であり、このことから充分な電荷保持
性能を有することが確認された。また、−６００Ｖに初
期帯電した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期
帯電電位の５０％の表面電位にまで明減衰させたとこる
必要とされた光量は１．８ルツクス・秒であり、このこ
とから充分な光感度性能を有することが確認された。ま
た、白色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留電
位として測定したところ一１５Ｖであり、極めて良好で
あることが確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体として優れた性能を有するものである。また、
この感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で作
像して転写したところ画像が得られた。

衷旋皿旦 電荷輸送層形成工程において、真空層内圧力をＩＴｏｒ
ｒｓ基板温度を１００℃、反応時間を１５分間とするこ
と以外は実施例５と同様にして感光体を作製した。

得られたａ−Ｃ膜の膜厚は１５μｍであり、フーリエ変
換赤外吸収分光装置（パーキン・エルマー社製）での測
定結果から式［Ｉ］を用いてα１／α２を求めたところ
０．７０であった。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位−６００Ｖに
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より２２％低い電位にまで
減衰し、このことから実用上問題のない電荷保持性能を
有することが確認された。また、−６００Ｖに初期帯電
した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期帯電電
位の５０％の表面電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は１．フルックス・秒であり、このことから
充分な光感度性能を有することが確認された。また、白
色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留電位とし
て測定したところ一１５Ｖであり、極めて良好であるこ
とが確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体として良好な性能を有するものである。また、
この感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で作
像して転写したところ画像が得られた。

ヌ旅倒ヱ 本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第１図に示
した、導電性基板（１）、電荷輸送層（２）、電荷発生
層（３）をこの順に設けた感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第１３図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真
空にした後、第７調節弁（７２５）を解放し、第１容器
（７１９）より第１温調器（７２２）温度９５℃の設定
のもとに、スチレンガスを第７流量制御器（７２８）内
へ流入きせた。そして流量制御器の目盛を調整して、ス
チレンガスの流量を１８ｓｅｃｍとなるように設定して
主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。ガ
ス流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０
．２５Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調
整した。一方、導電性基板（７５２）としては、＊５ｏ
ｘ構５ｏｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、あら
かじめ１６０℃に加熱しておき、ガス流量および圧力が
安定した状態で、あらかじめ接続選択スイッチ（７４４
）により接続しておいた低周波電源（７４１）を投入し
、電力印加電極（７３６）に１５０Ｗａ１１の電力を周
波数３０ＫＨｚの下で印加して約１５分間プラズマ重合
反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚ざ１２μｍ
のａ　−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後
は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３
）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜をフーリエ変換赤外
吸収分光装置（パーキン・エルマー社製）で測定した。

測定は、ａ−Ｃ膜を載置したアルミ基板について、反射
法により、分解能２ｃｍ−１で行なった。得られたスペ
クトル・チャート上には、１６００ｃｍ−１付近および
２９２５　ｃ　ｍ−’付近に＞Ｃ＝Ｃ＜結合に基づく吸
収ピークおよび＝ＣＨ２−基に基づく吸収ピークがそれ
ぞれ認められ、両者のピーク先端における透過率を読み
取り、式［Ｉ］を用いてα１／α２を求めたところ０．
９０であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、基板温度を１６０℃とすること以外は実施例１
と同様にして電荷発生層を形成した。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を最大にして初期帯電電位−４００Ｖ
に帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減
衰させたところ、初期帯電電位より３０％低い電位にま
で減衰し、これらのことから性能的には劣るものの実用
可能な帯電能と電荷保持性能を有することが確認された
。また、−４００Ｖに初期帯電した後、比視感度に近似
した白色光を用いて初期帯電電位の５ｏ％の表面電位に
まで明減衰させたとこる必要ときれた光量は１．５ルツ
クス・秒であり、このことから充分な光感度性能を有す
ることが確認された。また、白色光８０ルツクス・秒照
射時の表面電位を残留電位として測定したところ一１０
■であり、極めて良好であることが確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体としての性能を有するものである。また、この
感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で作像し
て転写したとごろ、画像濃度が低いものの、画像を得る
ことができた。

男旋泗旦 本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第１図に示
した、導電性基板（１）、電荷輸送層（２）、電荷発生
層（３）をこの順に設けた感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第１４図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応装置（７３３）の内部を１０−６Ｔ　ｏ　ｒｒ程度の
高真空にした後、第１および第２調節弁（７ｏ７および
７０８）を解放し、第１タンク（７０１）よりキャリア
ガスとして水素ガスおよび第２タンク（７０２）より原
料炭化水素ガスとしてブタジェンガスを各々出力圧ＩＫ
ｇ／ｃｍ２の下で第１および第２流量制御器（７１３お
よび７１４）内へ流入させた。そして各流量制御器の目
盛を調整して、水素ガスの流量を３００ｓｅｃｍおよび
ブタジェンガスの流量を６０ｓｅｃｍ、となるように設
定して、途中混合器（７３１）を介して主管（７３２）
より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定
した後に、反応室（７３３）内の圧力が２．０Ｔｏｒｒ
となるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、
導電性基板（７５２）としては、直径８０Ｘ長ざ３３０
ｍｍの円筒状アルミニウム基板を用いて、あらかじめ８
０℃に加熱しておき、ガス流量および圧力が安定した状
態で、あらかじめ接続選択スイッチ（７４４）により接
続しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加
電極（７３６）に１６０Ｗａｔｔの電力を周波数７０Ｋ
Ｈｚの下で印加して約２３分間プラズマ重合反応を行な
い、導電性基板（７５２）上に厚き１０μｍのａ　−Ｃ
膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印
加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分
に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜のα１／α２を求め
たところ０．３５であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）、第４調節弁（７１０）
および第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７
０１）から水素ガス、第４タンク（７０４）から亜酸化
窒素ガスおよび第６タンク（７０６）からシランガスを
出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第４および第６流量
制御器（７１３，７１６および７１８）内へ流入させた
。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を３０
０ｓｅｃｍ、亜酸化窒素ガスの流量を１．ＯｓＣＣｍお
よびシランガスの流量を１０１００５ｅに設定し、反応
室（７３３）内に流入させな。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が１．０Ｔｏｒｒとなる様に圧力調節弁（７４５）を調
整した。一方、ａ　−Ｃ膜が形成きれている導電性基板
（７５２）は、１５０℃に加熱しておき、ガス流量およ
び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周
波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に
２００Ｗａｔｔの電力を印加しグロー放電を発生させた
。

この放電を１５分間行ない、厚ざ０．４μｍのａ−３ｉ
：Ｈ電荷発生層を形成した。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位−６００Ｖに
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より１７％低い電位にまで
減衰する程度であり、このことから充分な電荷保持性能
を有することが確認された。また、−６００Ｖに初期帯
電した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期帯電
電位の５０％の表面電位にまで明減衰させたとこる必要
とされた光量は２．０ルツクス・秒であり、このことか
ら充分な光感度性能を有することが確認された。また、
白色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留電位と
して測定したところ一２０Ｖであり、極めて良好である
ことが確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体として優れた性能を有するものである。また、
この感光体に対して実用の複写機の中で作像して転写し
たところ画像が得られた。

寡施廼旦 本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第１図に示
した、導電性基板（１）、電荷輸送層（２）、電荷発生
層（３）をこの順に設けた感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第１４図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真
空にした後、第１調節弁（７０７）を解放し、第１タン
ク（７０１）より原料炭化水素ガスとしてアセチレンガ
スを出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１流量制御器（７１
３）内へ流入させた。そして流量制御器の目盛を調整し
てアセチレンガスの流量を１０１００５ｅとなるように
設定して、主ｖ（７３２）より反応室（７３３）内へ流
入した。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）
内の圧力が１．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７
４５）を調整した。一方、導電性基板（７５２）として
は、直径８０×長き３３０ｍｍの円筒状アルミニウム基
板を用いて、あらかじめ２５０℃に加熱しておき、ガス
流量および圧力が安定した状態で、あらかじめ接続選択
スイッチ（７４４）により接続しておいた高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に２００Ｗ
ａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下で印加して
約２５分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板（７
５２）上に厚ざ１０ｕｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層として
形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を
閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜のα１／α２を求め
たところ０．１７であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、基板温度を２５０℃とすること以外は実施例８
と同様にして電荷発生層を形成した。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位−６００Ｖに
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より２０％低い電位にまで
′ｆ１表する程度であり、このことから充分な電荷保持
性能を有することが確認された。また、−６０ｏＶに初
期帯電した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期
帯電電位の５０％の表面電位にまで明減衰させたとこる
必要とされた光量は１．フルックス・秒であり、このこ
とから充分な光感度性能を有することが確認された。ま
た、白色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留電
位として測定したところ一２０Ｖであり、極めて良好で
あることが確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体として優れた性能を有するものである。また、
この感光体に対して実用の複写機の中で作像して転写し
たところ画像が得られた。

３旋」１旦 本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第１図に示
した、導電性基板（１）、電荷輸送層（２）、電荷発生
層（３）をこの頭に設けた感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第１３図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真
空にした後、第１および第２調節弁（７０７および７０
８）を解放し、第１タンク（７０１）よりキャリアガス
として水素ガスおよび第２タンク（７０２）より原料炭
化水素ガスとしてエチレンガスを各々出力圧ＩＫｇ／ｃ
ｍ２の下で第１および第２流量制御器（７１３および７
１４）内へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を調
整して、水素ガスの流量を４０ｓｃａｍおよびエチレン
ガスの流量を３０ｓｅｃｍ、となるように設定して、途
中混合器（７３１）を介して主管（７３２）より反応室
（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した後に、
反応室（７３３）内の圧力が０．６Ｔｏｒｒとなるよう
に圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電性基板
（７５２）としては、！５０Ｘ横５０Ｘ厚３ｍｍのアル
ミニウム基板を用いて、あらかじめ２５０℃に加熱して
おき、ガス流量および圧力が安定した状態で、あらかじ
め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低
周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）
に１００Ｗａ１１の電力を周波数３０ＫＨｚの下で印加
して約３０分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板
（７５２）上に厚ざ１０μｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜のα１／α２を求め
たところ０．４８であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、基板温度を２５０℃とすること以外は実施例１
と同様にして電荷発生層を形成した。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位−６００Ｖに
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より１８％低い電位にまで
減衰する程度であり、このことから充分な電荷保持性能
を有することが確認された。また、−６００Ｖに初期帯
電した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期帯電
電位の５０％の表面電位にまで明減衰させたとこる必要
とされた光量は２．１ルツクス・秒であり、このことか
ら充分な光感度性能を有することが確認された。また、
白色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留電位と
して測定したところ一２５Ｖと良好であることが確認さ
れた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体として優れた性能を有するものである。また、
この感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で作
像して転写したところ画像が得られた。

ヌ旅利１１ 本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第１図に示
した、導電性基板（１）、電荷輸送層（２）、電荷発生
層（３）をこの順に設けた感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第１３図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応装置（７３３）の内部を１０−６Ｔ　ｏ　ｒｒ程度の
高真空にした後、第１、第２および第３調節弁（７０７
，７０８および７０９）を解放し、第１タンク（７０１
）よりキャリアガスとして水素ガス、第２タンク（７０
２）より原料炭化水素ガスとしてメタンガスおよび第３
タンク（７０３）より原料炭化水素ガスとしてブタジェ
ンガスを各々出力圧ＩＫｇ／ａｍ２の下で第１、第２お
よび第３流量制御器（７１３，７１４および７１５）内
へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を調整して、
水素ガスの流量を３００ｓｅｃｍ。

メタンガスの流量を６０　ｓ　ｅ　ｃｍおよびブタジェ
ンガスの流量を６０ｓｅｃｍ、となるように設定して、
途中混合器（７３１）を介して主管（７３２）より反応
室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した後に
、反応室（７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒｒとなるよ
うに圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電性基
板（７５２）としては、［５０ｘ横５０Ｘ厚３ｍｍのア
ルミニウム基板を用いて、あらかじめ１００℃に加熱し
ておき、ガス流量および圧力が安定した状態で、あらか
じめ接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた
低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６
）に８０Ｗａｔｔの電力を周波数２００ＫＨｚの下で印
加して約２０分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板（７５２）上に厚き１１μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜のαｌ／α２を求め
たところ０．１７であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、実施例１と同様にして電荷発生層を形成した。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位−６００■に
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より１３％低い電位にまで
減衰する程度であり、このことから充分な電荷保持性能
を有することが確認された。また、−６００Ｖに初期帯
電した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期帯電
電位の５０％の表面電位にまで明減衰させたところ必要
とされた光量は２．２ルツクス・秒であり、このことか
ら充分な光感度性能を有することが確認された。また、
白色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留電位と
して測定したところ一２０Ｖであり、極めて良好である
ことが確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体として優れた性能を有するものである。また、
この感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で作
像して転写したところ画像が得られた。

去旗望１旦 本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第１図に示
した、導電性基板（１）、電荷輸送層（２）、電荷発生
層（３）をこの順に設けた感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第１３図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応装置（７３３）の内部を１０＝Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、第２および第３調節弁（７ｏ７．７０
８および７０９）！解放し、第１タンク（７０１）より
キャリアガスとして水素ガス、第２タンク（７０２）よ
り原料炭化水素ガスとしてブタジェンガスおよび第３タ
ンク（７０３）より添加ガスとして水素で１０％に希釈
したホスフィンガスを各々出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で
第１、第２および第３流量制ａｌＩＩ器（７１３，７１
４および７１５）内へ流入きせた。そして各流量制御器
の目盛を調整して、水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、
ブタジェンガスの流量を６０ｓｅｃｍおよび水素で１０
％に希釈したホスフィンガスの流量を１００１００５ｅ
となるように設定して、途中混合器（７３１）を介して
主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が２．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、！５
０Ｘ横５０×厚３ｍｍ（Ｄアルミニウム基板を用いて、
あらかじめ１５０℃に加熱しておき、ガス流量および圧
力が安定した状態で、あらかじめ接続選択スイッチ（７
４４）により接続しておいた低周波電源（７４１）を投
入し、電力印加電極（７３６）に８０Ｗａｔｔの電力を
周波数２００ＫＨｚの下で印加して約１８分間プラズマ
重合反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚ざ１０
ｕｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了
後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３
３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜のα１／α２を求め
たところ０．２３であった。また、オージェ分析および
有機元素分析の結果から含有される燐原子の量は全構成
原子に対して２．５原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、実施例１と同様にして電荷発生層を形成した。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位−６００Ｖに
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より１７％低い電位にまで
減衰する程度であり、このことから充分な電荷保持性能
を有することが確認された。また、−６００Ｖに初期帯
電した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期帯電
電位の５０％の表面電位にまで明減衰させたとこる必要
とされた光量は１．３ルツクス・秒であり、このことか
ら充分な光感度性能を有することが確認された。また、
白色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留電位と
して測定したところ一１０Ｖであり、極めて良好である
ことが確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体として優れた性能を有するものである。また、
この感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で作
像して転写したところ画像が得られた。

実施例１３ 本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第１図に示
した、導電性基板（１）、電荷輸送層（２）、電荷発生
層（３）をこの順に設けた感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第１３図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真
空にした後、第１および第２調節弁（７ｏ７および７０
８）を解放し、第１タンク（７０１）より原料炭化水素
ガスとしてエチレンガスおよび第２タンク（７０２）よ
り添加ガスとして水素で１０％に希釈したジボランガス
を各々出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１および第２流量
制蓼器（７１３および７１４）内へ流入させた。そして
各流量制御器の目盛を調整して、エチレンガスの流量を
３０ｓｅｃｍおよび水素で１０％に希釈したジボランガ
スの流量を５０ｓｅｃｍｓとなるように設定して、途中
混合器（７３１）を介して主！　（７３２）より反応室
（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した後に、
反応室（７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒｒとなるよう
に圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電性基板
（７５２）としては、！５０Ｘｍ５０Ｘ厚３ｍｍのアル
ミニウム基板を用いて、あらかじめ２５０℃に加熱して
おき、ガス流量および圧力が安定した状態で、あらかじ
め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低
周波電源（７４１）を投入し、電力印加１１極（７３６
）　に１ＯＯＷａ１１の電力を周波数３０ＫＨｚの下で
印加して約３０分間プラズマ重合反応を行ない、導電性
基板（７５２）上に厚き１１μｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸
送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し
、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した
。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜のα１／α２を求め
たところ０．５であった。また、オージェ分析および有
機元素分析の結果から含有きれる硼素原子の量は全構成
原子に対して１．５原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第３ないし第６調節弁（７０９ないし７１２）
を解放し、第３タンク（７０３）から水素ガス、第４タ
ンク（７０４）から亜酸化窒素ガス、第５タンク（７０
５）から水素で１０ｐｐｍに希釈されたジボランガスお
よび第６タンク（７０６）からシランガスを各々出力圧
ＩＫｇ／ａｍ２の下で第３ないし第６流量制御器（７１
５ないし７１８）内へ流入させた。各流量制御器の目盛
を調整して水素ガスの流量を２１０ｓｅｃｍ、亜酸化窒
素ガスの流量を１．０ｓｅｃｍ、水素で１０ｐｐｍに希
釈きれたジボランガスの流量を９ｓｃＣｍおよびシラン
ガスの流量を９０ｓｅｃｍに設定し、反応室（７３３）
内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応室（
７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒｒとなる様に圧力調節
弁（７４５）を調整した。一方、ａ　−Ｃ膜が形成され
ている導電性基板（７５２）は、２５０℃に加熱してお
き、ガス流量および圧力が安定した状態で、高周波電源
（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加
電極（７３６）に１５０Ｗａｔｔの電力を印加しグロー
放電を発生させた。この放電を２０分間行ない、厚ざ０
．５μｍのａ−３ｉ：Ｈ電荷発生層を形成した。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位＋６００Ｖに
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より２０％低い電位にまで
減衰する程度であり、このことから充分な電荷保持性能
を有することが確認された。また、＋６００■に初期帯
電した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期帯電
電位の５０％の表面電位にまで明減衰させたとこる必要
とされた光量は２．０ルツクス・秒であり、このことか
ら充分な光感度性能を有することが確認された。また、
白色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留電位と
して測定したところ＋１５Ｖであり、極めて良好である
ことが確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体として優れた性能を有するものである。また、
この感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で正
帯電にて作像して転写したところ画像が得られた。

男旋剖１４ 本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第１図に示
した、導電性基板（１）、電荷輸送層（２）、電荷発生
層（３）をこの順に設けた感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第１３図に示す本発明に係わる感光体の製造装置を用い
て、導電性基板上に実施例１２と同様にして厚き７μｍ
の燐原子が添加されたａ　−Ｃ膜、実施例１と同様にし
て厚ざ５μｍのａ　−Ｃ膜および実施例１３と同様にし
て厚ざ３μｍの硼素原子が添加されたａ−Ｃ膜を頭次積
層し、ペテロ原子を局在して含有するａ　−Ｃ電荷輸送
層を形成した。

電荷発生層形成工程： 次いで、実施例１と同様にして電荷発生層を形成した。

特性評価績・果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位−６００Ｖに
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より３％低い電位にまで減
衰する程度であり、このことから充分な電荷保持性能を
有することが確認された。また、−６００Ｖに初期帯電
した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期帯電電
位の５０％の表面電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は１．３ルツクス・秒であり、このことから
充分な光感度性能を有することが確認された。また、白
色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留電位とし
て測定したところ一５■であり、極めて良好であること
が確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体として優れた性能を有するものである。また、
この感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で作
像して転写したところ画像が得られた。

去旅カ１互 本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、電荷輸送層
形成工程と電荷発生層形成工程の順序を入れ換えること
以外は実施例１３と同様にして第２図に示した、導電性
基板（１）、電荷発生層（３）、電荷輸送層（２）をこ
の順に設けた感光体を作製した。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位−６００Ｖに
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より１６％低い電位にまで
減衰する程度であり、このことから充分な電荷保持性能
を有することが確認された。また、−５ｏｏｖに初期帯
電した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期帯電
電位の５０％の表面電位にまで明減衰させたところ必要
ときれた光量は１．８ルツクス・秒であり、このことか
ら充分な光感度性能を有することが確認された。また、
白色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留電位と
して測定したところ一２０Ｖであり、極めて良好である
ことが確認きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体として優れた性能を有するものである。また、
この感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で作
像して転写したところ画像が得られた。

去旅透１旦 本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第４図に示
した、導電性基板（１）、電荷輸送層（２）、電荷発生
層（３）、オーバーコート層（４）をこの順に設けた感
光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： ａ−Ｃ膜の厚ざを１０ａｍとすること以外は、実施例８
と同様にしてａ　−Ｃ電荷輸送層を形成した。

電荷発生層形成工程： 次いで、基板をゲートバルブを介して別の真空系に移し
、真空蒸着の常法を用いて厚ざ１μｍの三七レン化二砒
素合金電荷発生層を形成した。

オーバーコート層形成工程： 次いで、基板を再び本発明に係わる感光体の製造装置に
移し、ａ−Ｃ膜の厚ざを０．３μｍとすること以外は、
実施例８と同様にしてａ−Ｃオーバーコート層を形成し
た。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位＋６００Ｖに
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より１２％低い電位にまで
減衰する程度であり、このことから充分な電荷保持性能
を有することが確認された。また、＋６００Ｖに初期帯
電した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期帯電
電位の５ｏ％の表面電位にまで明減衰させたところ必要
とされた光量は１．１ルツクス・秒であり、このことか
ら充分な光感度性能を有することが確認された。また、
白色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留電位と
して測定したところ＋１５■であり、極めて良好である
ことが確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体として優れた性能を有するものである。また、
この感光体に対して常用の複写機の中で正帯電にて作像
して転写したところ画像が得られた。

実施例１７ 本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第８図に示
した、導電性基板（１）、アンダーコート層（５）、電
荷発生層（３）、電荷輸送層（２）をこの順に設けた感
光体を作製した。

アンダーコート層形成工程： 第１４図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応装置（７３３）の内部を１０−６Ｔ　ｏ　ｒｒ程度の
高真空にした後、第１、第２および第３調節弁（７０７
，７０８および７０９）を解放し、第１タンク（７０１
）よりキャリアガスとして水素ガス、第２タンク（７０
２）より原料炭化水素ガスとしてブタジェンガスおよび
第３タンク（７０３）より添加ガスとして水素で１０％
に希釈したホスフィンガスを各々出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２
の下で第１、第２および第３流量制御器（７１３，７１
４および７１５）内へ流入させた。そして各流量制御器
の目盛を調整して、水素ガスの流量を３００ｓｅｃｍ、
ブタジェンガスの流量を６０ｓｅｃｍおよび水素で１０
％に希釈したホスフィンガスの流量を１０１００５ｅ、
となるように設定して、途中混合器（７３１）を介して
主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が２．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、直径
８０Ｘ長ざ３３０ｍｍの円筒形アルミニウム基板を用い
て、あらかじめ８０℃に加熱しておき、ガス流量および
圧力が安定した状態で、あらかじめ接続選択スイッチ（
７４４）により接続しておいた低周波電源（７４１）を
投入し、電力印加電極（７３６）に８０Ｗａｔｔの電力
を周波数２００ＫＨｚの下で印加して約２０秒間プラズ
マ重合反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚ざ０
．３６ｔｔｍのａ−Ｃ膜をアンダーコート層として形成
した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ
、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜のα１／α２を求め
たところ０．２１であった。また、オージェ分析および
有機元素分析の結果から含有される燐原子の量は全構成
原子に対して２．０原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、基板をゲートバルブを介して別の真空系に移し
、真空蒸着の常法を用いて厚き１５００人のアルミニウ
ムクロロフタロシアニンクロライドの蒸着膜を電荷発生
層として設けた。ここで、アルミニウムクロロフタロシ
アニンクロライドを載置したボートの加熱温度は５２０
℃とし、真空度はｌＸｌ０−５Ｔｏｒｒとした。

電荷輸送層形成工程： 次いで、基板を再び本発明に係わる感光体の製造装置に
移し、反応装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第２および第４調節弁（７０８お
よび７１０）を解放し、第２タンク（７０２）より原料
炭化水素ガスとしてブタジェンガスおよび第４タンク（
７０４）より添加ガスとして水素で１０％に希釈したジ
ボランガスを各々出力圧ＩＫｇ／Ｃｍ２の下で第２およ
び第４流量制御器（７１４および７１６）内へ流入きせ
た。そして各流量制御器の目盛を調整して、ブタジェン
ガスの流量を６０　ｓ　ｅ　ｃｍおよび水素で１０％に
希釈したジボランガスの流量を５０ｓ　ｅ　ｃｍｌとな
るように設定して、途中混合器（７３１）を介して主管
（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の
流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が２．
０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整し
た。一方、アンダーコート層と電荷発生層が形成された
導電性基板（７５２）は、あらかじめ８０℃に加熱して
おき、ガス流量および圧力が安定した状態で、あらかじ
め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低
周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）
に８０Ｗａｔｔの電力を周波数２００ＫＨｚの下で印加
して約１５分間プラズマ重合反応を行ない、厚ざ１０μ
ｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後
は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３
）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜のα１／α２を求め
たところ０．１８であった。また、オージェ分析および
有機元素分析の結果から含有される硼素原子の量は全構
成原子に対して０．８原子％であった。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位−６００Ｖに
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より５％低い電位にまで減
衰する程度であり、このことから充分な電荷保持性能を
有することが確認された。また、−６００Ｖに初期帯電
した後、７８０ｎｍ付近に発光波長を有する半導体レー
ザー光を用いて初期帯電電位の５０％の表面電位にまで
明減衰させたとこる必要ときれた光量は４．２工ルグ／
Ｃｍ２であり、このことから充分な長波長光感度性能を
有することが確認された。

また、白色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留
電位として測定したところ一１５Ｖであり、白色光にお
いても電位減衰が極めて良好であることが確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、レーザ
ービームプリンタ用感光体として優れた性能を有するも
のである。また、この感光体に対して常用のレーザービ
ームプリンタの中で作像して転写したところ画像が得ら
れた。

実施例↓β 電荷発生層形成工程において、蒸着材料をチタニルフタ
ロシアニン、ボート温度を５００℃とすること以外は実
施例１７と同様にして感光体を作製した。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位−６００Ｖに
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より５％低い電位にまで減
衰する程度であり、このことから充分な電荷保持性能を
有することが確認された。また、−６００Ｖに初期帯電
した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期帯電電
位の５０％の表面電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は１．４ルツクス・秒であり、このことから
充分な光感度性能を有することが確認された。また、白
色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留電位とし
て測定したところ一１５Ｖであり、極めて良好であるこ
とが確認された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、電子写
真感光体として優れた性能を有するものである。また、
この感光体に対して常用の複写機の中で作像して転写し
たところ画像が得られた。

此舵億ユ 本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第１図に示
した、導電性基板（１）、電荷輸送層（２）、電荷発生
層（３）をこの順に設けた積層膜を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第１３図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応装置（７３３）の内部を１Ｏ−ＢＴｏｒｒ程度の高真
空にした後、第１調節弁（７０７）を解放し、第１タン
ク（７０１）より原料炭化水素ガスとしてブタンガスを
出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で、第１流量制御器（７１３
）内へ流入させた。そして流量制御藩の目盛を調整して
ブタンガスの流量を６０ｓｅｃｍとなるように設定して
主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各
々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が
５．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調
整した。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５０
Ｘ横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、あら
かじめ５０℃に加熱しておき、ガス流量および圧力が安
定した状態で、あらかじめ接続選択スイッチ（７４４）
により接続しておいた低周波電源（７４１）を投入し、
電力印加電極（７３６）に５０Ｗａｔｔの電力を周波数
７０ＫＨｚの下で印加して約４０分間プラズマ重合反応
を行ない、導電性基板（７５２）上に厚き８μｍのａ−
Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力
印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充
分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜のα１／α２を求め
たところ０．０２であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、実施例１と同様にして電荷発生層を形成した。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を調整して初期帯電電位−６００■に
帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減衰
させたところ、初期帯電電位より２％低い電位にまで減
衰する程度であり、このことから充分な電荷保持性能を
有することが確認された。しかし、−６００Ｖに初期帯
電した後、比視感度に近似した白色光を用いて初期帯電
電位の５０％の表面電位にまで明減衰させたとこる必要
とされた光量は３８ルツクス・秒であり、このことから
実用的な光感度性能は有きないことが確認された。また
、白色光８０ルツクス・秒照射時の表面電位を残留電位
として測定したところ一２００■であり、実用的ではな
いことが確認された。

以上より、°比較例１に示した積層膜はα１／α２が低
過ぎることによって、実用的な感光体としては作用しな
いことが確認された。このことから、本発明におけるα
１／α２の範囲は重要であることが確認された。

比較例２ 本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第１図に示
した、導電性基板（１）、電荷輸送層（２）、電荷発生
層（３）をこの順に設けた積層膜を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第１３図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応装置（７３３）の内部を１０−６Ｔ　ｏ　ｒｒ程度の
高真空にした後、第７調節弁（７２５）を解放し、第１
容器（７１９）より原料炭化水素ガスとしてペンタジェ
ンガスを第１温調器（７２２）温度３０℃の下で、第７
流量制御器（７２８）内へ流入させた。そして流量制御
器の目盛を調整してペンタジェンガスの流量を３０　ｓ
　ｃ　ａｍとなるように設定して主管（７３２）より反
応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した後
に、反応室（７３３）内の圧力が０．５Ｔｏｒｒとなる
ように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電性
基板（７５２）としては、縦５０Ｘ横５０Ｘ厚３ｍｍの
アルミニウム基板を用いて、あらかじめ２００℃に加熱
しておき、ガス流量および圧力が安定した状態で、あら
かじめ接続選択スイッチ（７４４）により接続しておい
た高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３
６）に２００Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＫＨ
ｚの下で印加して約３５分間プラズマ重合反応を行ない
、導電性基板（７５２）上に厚さ８μｍのａ−Ｃ膜を電
荷輸送層として形成した。

成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜のα１／α２を求め
たところ０．９５であった。また、反応室（７３３）内
は油状生成物により汚染され、膜作製上不都合があるこ
とが確認された。

電荷発生層形成工程： 次いで、実施例１と同様にして電荷発生層を形成した。

特性評価結果： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で、ま
ず、帯電器の出力を最大にして初期帯電電位−２００Ｖ
に帯電した。次いで、暗中にて初期帯電から５秒間暗減
衰させたところ、初期帯電電位より４０％低い電位にま
で減衰し、このことから実用的な帯電能と電荷保持性能
を有さないことが確認きれた。

以上より、比較例２に示した積層膜はα１／α２が高過
ぎることによって、実用的な感光体としては作用しない
ことが確認された。このことから、本発明におけるα１
／α２の範囲は重要であることが確認された。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第１２図は本発明感光体の模式的断面図を
示す。 第１３図および第１４図は感光体製造用装置の一例を示
す図である。 第１５図はａ−Ｃ膜の赤外吸収スペクトルを示す図であ
る。 図中の記号は以下の通りである。 （１）・・・基板 （２）・・・電荷輸送層 （３）・・・電荷発生層 （４）・・・オーバーコート層 （５）・・・アンダーコート層 （７０１）〜（７０６）・・・タンク （７０７）〜（７１２）・・・調節弁 （７２５）〜（７２７）・・・調節弁 （７１３）〜（７１８）・・・流量制御器（７２８）〜
（７３０）・・・流量制御器（７１９）〜（７２１）・
・・容器 （７２２）〜（７２４）・・・加熱器 （７３１）・・・混合器 （７３２）・・・主管 （７３３）・・・反応室 （７３４）・・・配管加熱器 （７３５）・・・接地電極 （７３６）・・・電力印加電極 （７３７）・・・電極加熱器 （７３８）・・・高周波電力用整合器 （７３９）・・・高周波電源 （７４０）・・・低周波電力用整合器 （７４１）・・・低周波電源 （７４２）・・・ローパスフィルタ （７４３）・・・直流電源 （７４４）・・・接続選択スイッチ （７４５）・・・圧力調節弁 （７４６）・・・排気系選択弁 （７４７）・・・拡散ポンプ （７４８）・・・油回転ポンプ （７４９）・・・冷却除外装置 （７５０）・・・メカニカルブースターポンプ（７５１
）・・・反応室加熱器 （７５２）・・・導電性基板 （７５３）・・・除外装置 （７５４）・・・駆動モータ 特許出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図　第２図 第３図　　第４図 第５図　　１− 第７図　　第３図 第９図　第７６口 第１ｆ図　　　７Ａ／２図 ＷＩＩ５図 波　　数　（ｏｍ−’ン

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）とを有する機
   能分離型感光体において、電荷輸送層（２）として有機
   化合物のプラズマ重合膜を設け、該重合膜の赤外吸収ス
   ペクトルの炭素の二重結合（＞Ｃ＝Ｃ＜）による１６０
   ０ｃｍ＾−＾１付近のピーク吸収係数α＿１と、メチレ
   ン（−ＣＨ＿２−）基による２９２５ｃｍ＾−＾１付近
   のピーク吸収係数α＿２との比α＿１／α＿２が、０．
   ０３ないし０．９０であることを特徴とする感光体。