JPS6314157A - 感光体 - Google Patents

感光体

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JPS6314157A
JPS6314157A JP15921486A JP15921486A JPS6314157A JP S6314157 A JPS6314157 A JP S6314157A JP 15921486 A JP15921486 A JP 15921486A JP 15921486 A JP15921486 A JP 15921486A JP S6314157 A JPS6314157 A JP S6314157A
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JP
Japan
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photoreceptor
film
atoms
flow rate
gas
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Application number
JP15921486A
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English (en)
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Shuji Iino
修司 飯野
Hideo Yasutomi
英雄 保富
Isao Doi
勲 土井
Mitsutoshi Nakamura
中村　光俊
Mochikiyo Osawa
大澤　以清
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Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産呈上Ω」男分野 本発明は、非晶質炭素膜を電荷輸送層とした感光体に関
する。
従来の技術 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。
従来用いられて来た電子写真感光体材？４の主なものと
しては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫
化カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無
機物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン
、ジスアゾ顔キ４、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、ト
リフェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、
ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物
、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物等の有
機物質が挙げられる。また、その構成形態としては、こ
れらの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散
きせて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と
電荷輸送層とを設けるｖＩＮ型構成等が挙げられる。
しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。
このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
として発火性の強いシランガスを必要とするため、製造
上の危険性が高い。また、シランガスを多量に必要とす
る反面、高価なガスであることから、出来上がった電子
写真感光体も、従来の感光体に比べ大幅に高価なものと
なる。また、成膜速度が遅く、成膜時に爆発性を有する
多量のシラン未分解生成物を粉塵状に発生する等、生産
上の不都合も多い。この粉塵が製造時に感光層中に混入
した場合には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。また
、アモルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため
帯電性能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電する
ためには、帯電器に高出力が要求される。
また一方、近年では、プラズマ重合膜を感光体に用いる
ことが提案されている。
プラズマ有機重合膜自体は古（より知られており、例え
ばジエン（Ｍ、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ、Ｂｅ１ｌ
）らにより、１９７３年のジャーナル・オブ・アプライ
ド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｒａｌ　ｏｆ　Ａ
ｐｐｌｉｅｄＰｏｌｙｓｅｒ　５ｃｉｅｎｃｅ）第１７
巻の８８５〜８９２頁において、あらゆる有機化合物の
ガスから作製きれうろことが、また、同著者により、１
９７９年のアメリカンケミカルソサエティー　（Ａ＋ｏ
ｅｒ　１ｃａｎ　Ｃｈｅｗ　１ｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ
）発行によるプラズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓ
Ｉｌａ　ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその
成膜性が論じられている。
しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如＜１０１６Ωａｍ程
度の比抵抗を有する絶！２ｆｆＪと考えられ、或は、少
なくともそのような膜であるとのａＥＲのもとに用いら
れていた。実際に電子写真感光体への用途にしても同様
の認識から、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは
絶縁層に限られており、所謂アンダーコート層もしくは
オーバーコート層としてしか用いられていなかった。
例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示きれている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される１０１３〜１０１５Ωｃｍの高抵抗のプラズマ
重合コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたア
モルファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散
するのを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の
炭素膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されてい
る。特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板と
その上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改
善するために、接着層として２００Ａ〜２μｍのダイヤ
モンド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留
電荷の面から膜厚は２ｕｍ以下が好ましいと・されてい
る。
これもの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−Ｓｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。
又、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポリ
ビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層と
してグロー放電重合によるポリマー膜を０．１〜１μｍ
設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１４８
５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面に
保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素モ
ノマーをプラズマ重合きせて５μｍ程度の膜を形成させ
る技術が開示きれている。特開昭６０−６１７６１号公
報には、表面保護層として、５００λ〜２μｍのダイヤ
モンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性の
面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。特開
昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５μｍ程
度の無定形炭素又は硬質炭素膜を表面保護層として用い
る技術が開示され、膜厚が５μｍを越えると感光体活性
に悪影響が及ぶとされている。
これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−３ｔの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。
また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示きれているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、ａ−８ｉの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。
：ｒＩが一゛こしようとするｎＦＪＮ点以上の様に、従
来、電子写真感光体に用いられているプラズマ有８１重
合膜は所謂アンダーコート層もしくはオーバーコート層
として使用されていたが、それらはキャリアの輸送機能
を必要としない膜であって、有機重合膜が絶縁性で有る
との判断にたって用いられている。従ってその膜厚も寓
々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしが用いられず、キ
ャリアはトンネル効果で膜中を通過するか、トンネル効
果が期待できない場合には、実用上の残留電位としては
問題にならずに済む程度の薄い膜でしか用いられていな
い。
機能分離型電子写真感光体においては、電荷輸送層はキ
ャリア輸送性に優れている必要があり、キャリア易動度
として少なくとも１０−’［ｃｍ２／Ｖ／ｓｅｃ］以上
の値が必要である。また、電子写真システムの中で好適
に使用するために帯電性能に優れている必要があり、少
なくとも１０［Ｖ／ｕｍＥ以上の耐圧が要求され、ざら
に帯電器の負荷を抑えるために比訪電率にして６以下の
値を有　　　　　−す、ることか好ましい。
Ｉｌ壱を　゛するための 本発明は、従来の感光体が有する欠点を解消し、電荷輸
送層として有機気体の低圧力下でのプラズマ重合反応に
より生成された化学的修飾物質としてハロゲン原子を含
むプラズマ有機重合膜を有することを特徴とする感光体
に関する。ここで本発明による非晶質炭素膜（以下、ａ
　−Ｃ膜と称する）中の炭素原子、水素原子及びハロゲ
ン原子の量は、元素分析の常法、例えば有機元素分析、
オージェ分析等を用いる事によって知る事が可能である
。電荷輸送層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近
の波長の光に対しては、明確なる光導電性は有しないが
好適な電荷輸送性を安定に提供し、さらに、帯電能、耐
久性、耐候性、耐環境汚染性等の電子写真感光体性能に
優れ、しかも透光性にも優れるため、特に機能分離型感
光体としての積層構造を形成する場合に於ても極めて高
い自由度が得られるものである。
本発明者らは、プラズマ有機重合膜の感光体への応用を
検討しているうちに、本来絶縁性であると考えられてい
た有機重合膜が、化学的修飾物質としてハロゲン原子を
添加することにより比抵抗が低下し、容易に好適な電荷
輸送性を示し始める事を見出した。その理論的解釈には
本発明者においても不明確点が多く詳細に亙り言及はで
きないが、電荷発生層中に捕捉されている比較的不安定
なエネルギー状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残
存フリーラジカル等が、ハロゲン原子の混入による分極
もしくは立体的構造等の変化により、電荷輸送性に効果
的に寄与するためと推定される。
ざらに、ハロゲン原子無添加の状態では該重合膜は、成
膜後の時間経過とともに輸送性の低下を発生しやすい、
即ち感度低下を生じ易いが、化学的修飾物質としてハロ
ゲン原子を添加することにより、該電荷輸送層の電荷輸
送性が経時劣化を受けることな（安定に確保されること
を見出した。
ざらに、ハロゲン原子の添加は、感光体の低電界領域で
の明減衰特性に於ても好適な電位減衰を保証し、所謂Ｌ
ＤＣの裾野を低くし、残留電位の発生を著しく防止する
効果を有する事を見出した。
さらに、ハロゲン原子の添加は、ある程度の膜厚が要求
される電荷輸送層の作製に於て必須とされる成膜速度を
、大幅に改善することを見出した。
本発明においては、ａ−Ｃ膜を形成するための有機気体
として炭化水素が用いられる。該炭化水素における相状
態は常温常圧において必ずしも気相である必要はなく、
加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化し
うるものであれば、液相でも固相でも使用可能である。
該炭化水素としては、例えば、飽和炭化水素、不飽和炭
化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等が用いられ
る。
使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オク
タデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン、
トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、
ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサ
ン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリア
コンタン等のノルマルパラフィン、並びに、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、２．３−ジメチルブタン、２−メチルヘキサン
、３−エチルペンタン、２．２−ジメチルペンタン、２
．４−ジメチルペンタン、３．３−ジメチルベンクン、
トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルへブタン
、２．２−ジメチルヘキサン、２．２．５−ジメチルヘ
キサン、２，２．３−トリメチルペンタン、２．２．４
−トリメチルペンタン、２゜３．３−トリメチルペンタ
ン、２．３．４−トリメチルペンタン、イソナノン等の
イソパラフィン等が用いられる。
不飽和炭化水素としては、例えば、エチレン、プロピレ
ン、イソブチレン、１−ブテン、２−ブテン、１−ペン
テン、２−ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３−メ
チル−１−ブテン、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキ
セン、テトラメチルエチレン、１−ヘプテン、１−オク
テン、１−ノネン、１−デセン等のオレフィン、並びに
、アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、
ヘキサジエン、シクロペンタジェン等のジオレフィン、
並びに、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサト
リエン等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、メチ
ルアセチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペンチン
、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１−ノ
ニン、１−デシン等が用いられる。
脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン等のシクロパラフィン並びに、シクロプ
ロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセ
ン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン、
シクロデセン等のシクロオレフィン並びに、リモネン、
テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツエン
、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエンチ
ェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボレン、
ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセスキ
ベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン、セ
ドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカルプレン
、ミレン等のテルペン、並びに、ステロイド等が用いら
れる。
芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、メチルベン、インデン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フェナントレン等が用いられる
。
本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、炭素原子と水素原子の総旦に対して０゜１乃至６７原
子％、好適には３０乃至６ｏ原子％である。水素原子の
量が０．１原子％より低い場合には、輸送性能が低下し
好適な光感度が得られない。水素原子の量が６７原子％
より高い場合には、帯電能の低下と成膜性の劣化を招く
。
本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化させる
事が可能であり、水素量を低くするには、例えば、基板
温度を高くする、圧力を低（する、原料炭化水素ガスの
希釈率を低くする、印加電力を高くする、交番電界の周
波数を低くする、交番電界に重畳せしめた直流電界強度
を高くする、等の手段により制御する事が可能である。
本発明における電荷輸送層としてのａ−Ｃ膜の膜厚は、
通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至５０
μｍ１特に？乃至２０ｕｍが適当であり、５μｍより薄
いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る事
が出来ない。また、５０μｍより厚いと、生産性の面で
好ましくない。このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を
有するとともに電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に５
μｍ以上としてもキャリアはトラップされることなく輸
送され明減衰に寄与する事が可能である。
本発明においては炭化水素の他に、ａ−Ｃ”Ａ中にハロ
ゲン原子を添加するためにハロゲン化合物が使用される
。ここでハロゲン原子とは、弗素原子、塩素原子、臭素
原子、及び沃素原子をいう。
該ハロゲン化合物における相状態は常温常圧において必
ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶
融、蒸発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相
でも同相でも使用可能である。ハロゲン化合物としては
、例えば、弗素、塩素、臭素、沃素、弗化水素、弗化塩
素、弗化臭素、弗化沃素、塩化水素、塩化臭素、塩化沃
素、臭化水素、臭化沃素、沃化水素等の無機化合物、ハ
ロゲン化アルキル、ハロゲン化アリール、ハロゲン化ス
チレン、ハロゲン化ポリメチレン、へ〇ホルム等の有機
化合物が用いられる。ハロゲン化アルキルとしては、例
えば、フッ化メチル、塩化メチル、臭化メチル、ヨウ化
メチル、フッ化エチル、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ
化エチル、フッ化プロピル、塩化プロピル、臭化プロピ
ル、ヨウ化プロピル、フッ化ブチル、塩化ブチル、臭化
ブチル、ヨウ化ブチル、フッ化アミル、塩化アミル、臭
化アミル、ヨウ化アミル、フッ化ヘキシル、塩化ヘキシ
ル、臭化ヘキシル、ヨウ化ヘキシル、フッ化へブチル、
塩化へブチル、臭化ヘブチル、ヨウ化へブチル、フッ化
オクチル、塩化オクチル、臭化オクチル、ヨウ化オクヂ
ル、フッ化ノニル、塩化ノニル、臭化ノニル、ヨウ化ノ
ニル、フッ化デシル、塩化デシル、臭化デシル、ヨウ化
デシル等が用いられる。ハロゲン化アリールとしては、
例えば、フルオルベンゼン、クロルベンゼン、ブロムベ
ンゼン、ヨードベンゼン、クロルトルエン、ブロムトル
エン、クロルナフタリン、ブロムナフタリン等が用いら
れる。ハロゲン化スチレンとしては、例えば、クロルス
チレン、ブロムスチレン、ヨードスチレン、フルオルス
チレン等が用いられる。ハロゲン化ポリメチレンとして
は、例えば、塩化メチレン、臭化メチレン、ヨウ化メチ
レン、塩化エチレン、臭化エチレン、ヨウ化エチレン、
塩化トリメチレン、臭化トリメチレン、ヨウ化トリメチ
レン、ジ塩化ブタン、ジ臭化ブタン、ショウ化ブタン、
ジ塩化ペンタン、ジ臭化ペンタン、ショウ化ペンタン、
ジ塩化ヘキサン、ジ臭化ヘキサン、ショウ化ヘキサン、
ジ塩化へブタン、ジ臭化へブタン、ショウ化へブタン、
ジ塩化オクタン、ジ臭化オクタン、ショウ化オクタン、
ジ塩化ノナン、ジ臭化ノナン、ジ塩化デカン、ジヨウ化
デカン、等が用いられる。へロホルムとしては、例えば
、フルオロホルム、クロロホルム、ブロモホルム、ヨー
ドホルム等が用いられる。
本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、更には、これらの組み
合わせにより形成きれてもよい。その際重要な事は、該
ａ−Ｃ膜中に含有される、水素原子並びにハロゲン原子
の量が、前述の範囲となる様に形成する事である。
本発明に於いて化学的修飾物質として含有きれるハロゲ
ン原子の量は、全構成原子に対して０゜１乃至２５原子
％、好適には０．３乃至１５原子％、最適には０．５乃
至１ｏ原子％である。ハロゲン原子の量が０．１原子％
より低い場合には、必ずしも好適な電荷輸送性が保証さ
れず、感度低下もしくは残留電位の発生等を生じ易くな
り、また、経時的感度安定性も保証きれなくなる。ハロ
ゲン原子の量が２５原子％より高い場合には、適量の添
加では好適な電荷輸送性と残留電位発生防止を保証して
いたハロゲン原子が、逆に、帯電能の低下、更には経時
後の暗抵抗を低くする作用を示し、数カ月単位の保管中
に電荷保持能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が保
証きれなくなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を招
く。
本発明に於いて化学的修飾物質として含有されるハロゲ
ン原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への
前述のハロゲン化合物の導入量を増減することにより制
罪することが可能である。
ハロゲン化合物の導入量を増大させれば、本発明による
ａ−−Ｃ膜中へのハロゲン原子の添加Ｎを高くすること
が可能であり、逆にハロゲン化合物の導入量を減少させ
れば、本発明によるａ　−Ｃ膜中へのハロゲン原子の添
加量を低くすることが可能である。
本発明による感光体に用いる電荷発生層は特に限定的で
はなく、例えば、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテ
ルル、硫化カドミウム、酸化亜鉛、特性を変えるため場
合により異種元素（例えば、水素、硼素、炭素、窒素、
酸素、弗素、燐、硫黄、塩素、臭素、ゲルマニウム等）
を含有せしめたアモルファスシリコン、等の無機物質、
ポリビニルカルバゾール、シアニン系化合物、金属フタ
ロシアニン系化合物、アゾ系化合物、ペリレン系化合物
、トリアリールメタン系化合物、トリフェニルメタン系
化合物、トリフェニルアミン系化合物、ヒドラゾン系化
合物、スチリル系化合物、ビラプリン系化合物、オキサ
ゾール系化合物、オキサジン系化合物、オキサジアゾー
ル系化合物、チアジン系化合物、キサンチン系化合物、
ビリリウム系化合物、キナクリドン系化合物、インジゴ
系化合物、多環キノン系化合物、ジスベンズイミダゾー
ル系化合物、インダスロン系化合物、スクアリリウム系
化合物等の有機物質を用いる事が可能である。これ以外
にも、照射光により効率よく光励起キャリアを発生し、
そのキャリアを電荷輸送層中に効率よく注入しうる材料
であれば、いずれの材料であっても使用することができ
る。
また、該電荷発生層は製造方法に於ても制限を受けるこ
とはなく、例えば、本発明における電荷輸送、ＦＪ　（
ａ−ＣＩｌｉ）と同様の製造方法によってもよいし、液
相中での電着法、スプレー或はディッピング等による塗
布法、等によって形成してもよい。中でも、本発明にお
ける電荷輸送層と同様の製造方法にり成膜した場合には
、製造装置コスト、工程の省力化にもつながり好ましい
。
本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る感光体であり、該電荷発生層と該電荷輸送層の積層
構成は、必要に応じて適宜選択することが可能である。
第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を順次積層してなる
構成を示したものである。第２図は、別の一形態として
、導電性基板（１）上に電荷発生Ｎ（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。第
３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に、電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。
感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体
表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発生
した正孔が電荷輸送層（２）中を導電性基板（１）に向
は走行すると共に、同時に電荷発生層（３）で発生した
電子が上側の電荷輸送層（２）中を感光体表面に向は走
行し、好適な明減衰に保証きれた静電潜像の形成が行な
われる。反対に感光体表面を負帯電した後、画像露光し
て使用する場合に於ては、電子と正孔の挙動を入れ代え
て、キャリアーの走行性を解すればよい。第２図及び第
３図では、画像露光用の照射光が電荷輸送層（２）中を
通過することになるが、本発明による電荷輸送層は透光
性に優れることから、好適な潜像形成を行なうことが可
能である。
第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面保護層（
４）を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第１図の形態に表面保護、層を設けた形態に相当するが
、第１図の形態では、最表面が本発明においては特に限
定を受けない電荷発生層で有ることから、多くの場合実
用上の耐久性を確保するために表面保護層を設けること
が好ましい。第２図及び第３図の構成の場合、最表面が
耐久性に優れた本発明による電荷輸送層であるため、表
面保護層を設けなくてもよいが、例えば現像剤の付着に
よる感光体表面の汚れを防止するような、複写機内の各
種エレメントに対する整合性を調整する目的から、表面
保護層を設けることもざらなる一形態と成りうる。
第５図は、さらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面が本発明においては特
に限定を受けない電荷発生層で有ることから、多くの場
合接着性及び注入阻止効果を確保するために中間層を設
けることが好ましい。第１図及び第３図の構成の場合、
導電性基板との接合面が、接着性及び注入阻止効果に優
れた、本発明による電荷輸送層であるため、中間層を設
けなくてもよいが、例えば導電性基板の前処理方法のよ
うな、感光層形成以前の製造工程との整合性を：ＪＪ整
する目的から、中間層を設けることもざらなる一形態と
成りうる。
第６図は、さらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。中間層と表面保護層の設置理由は
前述と同様であり、従って第２図及び第３図の構成にお
いて中間層と表面保護層を設けることもざらなる一形態
と成りうる。
本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜還択することが可能であ
る。本発明によるａ　−ＣＩｉｆｆを用いてもよい。但
し、用いる材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材
料である場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５
μｍ以下に留める必要がある。
本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積きせる、所謂プラズマ重合反応
から生成きれる。
第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６タ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（
７１８）に接続されている。図中（７１９）〜（７２１
）は常温において１・α）■または固相状態にある原ｔ
ｅｌ化合物を封λしｆ二第１乃至第３容話で、各々の容
器は気化のため第１乃至第３加熱器（７２２）〜（７２
４）により与熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃
至第９調節弁（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流
！ｆｆ１Ｊ御器（７２８）〜（７３０）に接続されてい
る。これらのガスは混合器（７３１）で混合された後、
主管（７３２）を介して反応室（７３３）に送り込まれ
る。途中の配管は、常温において液相または固相状態に
あった原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しない
ように、適宜配置された配管加熱器（７３４）により、
与熱可能とされている。反応室内には接地電極（７３５
）と電力印加量）１（７３６）が対向して設置され、各
々の電極は電極加熱器（７３７）により与熱可能とされ
ている。電力印加電極（７３６）には、高周波電力用整
合器（７３８）を介して高周波電源（７３９）、低周波
電力用整合器（？４０）を介して低周波電源（７４１）
、ローパスフィルタ（７４２）を介して直流電源（７４
３）が接続されており、接続選択スイッチ（？４４）に
より周波数の異なる電力が印加可能とされている。反応
室（７３３）内の圧力は圧力制図弁（７４５）により調
整可能であり、反応室（７３３）内の減圧：よ、排気系
Ａ択弁（７４６）を介して、拡散ポンプ（７４７）−、
油回転ポンプ（７４８）、或は、冷却除外装置（７４９
）　、メカニカルブースターポンプ（７５０）、油回転
ポンプ（７４８）により行なわれる。排ガスについては
、更に適当な除外装置（７５３）により安全無害化した
後、大気中に排気される。これら排気系配管についても
、常温において液泪または固相状態にあった原料化合物
が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜量Ｕ
された配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされて
いる。反応室（７３３）も同様の理由から反応室加熱器
（７５１）により与熱可能とされ、内部に配きれた電極
上に導電性基板（７５２）が設置きれる。第７図におい
て導電性基板（７５２）は接地電極（７３５）に固定し
て配されていやが、電力印加量ｔ】（７３６）に固定し
て配さ゛れてもよく、更に双方に配されてもよい。
第８１１は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形
態を示し、反応室（’７３３　’）内部の形！き以外は
、第７図に示した本発明に係わる感光体の製造装置と同
様である。第８図において、反応室（７３３）内部には
、第７図における接地電極（７３５）を兼ねた円筒形の
導電性基板（７５２）が投宿され、内側には電極加熱器
（７３７）が配さねている。導電性基板（７５２）周囲
には同じく円筒形状をした電力印加電極（７３６）が配
きれ、外側には電極加熱器（７３７）が配されている。
導電性基板（７５２）は、外部より駆動モータ１’７５
４）を用いて自転可能となっている。
感光体製凸に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０゛４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確；、こと装置内部に汲置したガスの脱着を行なう、
　’Ｂ］時に電極加熱式により、電ｉ）並びに電極にｒ
１定して配された導電性基板を所定のζ出産まで昇温す
る。導電性基板には、前述の如き感光体構成の中から所
望の構成を得るために、ら要であれば、予めアンダーコ
ート層或は電荷発生層を設けて置いてもよい。アンダー
コート層或は電荷発生層の設置には、本装置を用いても
よいし別装置を用いてもよい。次いで、第１乃至第６タ
ンク及び第１乃至第３容器から適宜炭化水素並びに窒素
化合物よりなる原料ガスを第１乃至第９流量制罪器を用
いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節弁に
より反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が安定
化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波電源
を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。両電
極間には放電が開始され、時間と共に基板上に同相の膜
が形成される。反応時間により膜厚を制御し、所定の膜
厚に達したところで放電を停止し、本発明にょるａ−Ｃ
ｙＪをＮ荷翰送層として得る。こグ）ａ　（”’謀：よ
、本発明により生成し、た炭素、ｔス子ど水嚢＋Ｑ子か
らなる非晶質固体中巳こ、化学的修飾物質どして少なく
と・もハロゲン原子を金慴威原モーに対し゛ご０．１乃
至２５原子％含有する事を特徴とする膜である。次いで
、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内を充分に排気す
る。ここで所望の感光体構成が得られる場合には反応室
内の真空を破り、反応室より本発明による感光体を取り
出す。更に所望の感光体構成に於て、電荷発生層或はオ
ーバーコート層が必要とされる場合には、そのまま本装
置を用いるか、或は同様に一旦真空を破り取り出して別
装置に移してこれらの層を設け、本発明による感光体を
′ｔ５る。
以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。
叉施泗１ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１ＵＸＪに述べた
如き、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に
設けた感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程（ＣＴＬ）： 第７図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空に
した後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，７０８
、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より水
素ガス、第２タンク（７０２）よりエチレンガス、及び
第３タンク（７０３）より四弗化炭素ガスを各々出力圧
１゜○Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、第２、及び第３流量制
御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させた。
そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量
を４０　ｓ　ｃ　ａｍ、エチレンガスの流量を３０ｓｅ
ｃｍ、及び四弗化炭素ガスの流量を１２０　ｓ　ｅ　ｃ
ｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）を介し
て、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した
。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧
力が１．０Ｔ。
ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、導電性基板（７５２）としては、樅５０×横５０×
厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２５０℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいｔ：
高周波Ｍ源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６
）に２００ＷａｔＬの電力を周波数１３　、５６　Ｍ　
Ｈｚの下で印加して約５時間プラズマ重合反応を行ない
、導電性基板（７５２）上に厚ざ２０Ｌ１ｍのａ−Ｃ膜
を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加
を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に
排気した。
以上のようにして得られたａ−Ｃ膜にっキＣＨＮ定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４７原子％、ざらにオージ
ェ分析から、含有きれるハロゲン原子、即ち、弗素原子
の量は全構成原子に対し３．１卵子％であった。
電荷発生層形成工程（ＣＧＬ）（ａ−３ｉ）：次いで、
第１調節弁（７０７）　、及び第６調節弁（７１２）を
解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、及び第６
タンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃ
ｍ２の下で第１、及び第６流量制御器（７１３、及び７
１８）内へ流入させた。各流量制御器の目盛を調整して
水素ガスの流量を３００ｓｅｃｍｓ及びシランガスをの
流量を１．ＯＯｓｃｃｍに設定し、反応室（７３３）内
に流入きせた。各々の流量が安定した後に、反応室（７
３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節
弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されて
いる導電性基板（７５２）は、２５０℃に加熱しておき
、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源（７
３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極
（７３６）に２００Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放
電を発生きせた。この放電を２０分間行ない、厚き０．
４μｍのａ−５ｉ：Ｈ電荷発生層を形成した。
特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ最高帯電電位（以下ＶｍａＸと称する）は−７
００Ｖで有り、即ち、全感光体膜厚が２０．４μｍであ
ることから１μｍ当りの帯電能（以下Ｃ，Ａ、と称する
）は３４．３Ｖと極めて高（、このことから充分な帯電
性能を有する事が理解された。また、暗中にてＶｍａｘ
からＶｍａｘの９０％の電位にまで暗減衰するのに要し
た時間（以下Ｔｄと称する）は約１５秒であり、このこ
とから充分な電荷保持性能を有する事が理解された。ま
た、ＶｍａｘからＶｍａｘの２０％の電位にまで明減衰
させたとこる必要とされた光ｆｔ（以下Ｅと称する）は
２．５ルツクス・秒であり、このことから充分な光感度
性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。
実施ガ旦二旦 ＣＴＬ工程に於て、流入する四弗化炭素の流量を各々９
０（実施例２）　、６０　（実施例３）、３０（実施例
４）　、２０　（実施例５）　、１２　（実施例６）ｓ
ｃｃｍとする以外は、実施例１と同様にして本発明によ
る感光体の作製を実施した。ここで得られたａ−Ｃ膜に
っｔｃＨＮ定量分析を行なったところ、含有きれる水素
原子の量は炭素原子と水素原子の総量に対して各々４９
．５０．５３．５３．５４原子％、ざらにオージェ分析
から、含有きれるハロゲン原子、即ち、弗素原子の量は
全構成原子に対して各々２．５．２．０１１．２．０．
８．０．５原子％であった。また、ａ−Ｃ膜の膜厚は、
各々１６．１３．９．５．８．５．７．５μｍであった
。
特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ、Ｖｍａｘは各ノ？−７００、−７００、−６
５０，−６００、−６ｏｏで有り、即ち、全感光体膜厚
が各々１６．４．１３．４．９．９．８．９．７．９μ
ｍであることからＣ０Ａ、は各々４２．７．５２．２．
６５．７．６７．４、？５．９Ｖと極めて高く、このこ
とから充分な帯電性能を有する事が理解された。また、
ＴｄＬｔ各々約１５．１５．２０．２５．３０秒であり
、このことから充分な電荷保持性能を有する事が理解さ
れた。また、Ｅは各々２．６．２゜８．３．１．３．５
．４．２ルツクス・秒であり、このことから充分な光感
度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。
実施例ヱ ＣＴＬ工程に於て、流入する四弗化炭素の流量を７ｓｅ
ｃｍとする以外は、実施例１と同様にして本発明による
感光体の作製を実施した。ここで得られたａ　−Ｃ膜に
つ＠ＣＨＮ定量分析を行なったところ、含有される水素
原子の量は炭素原子と水素原子の総量に対して５４原子
％、ざらにオージェ分析から、含有きれるハロゲン原子
、即ち、弗素原子の量は全構成原子に対して０．３原子
％であった。また、ａ−Ｃ膜の膜厚は、７μｍであった
。
特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ、Ｖｍａｘは−６００で有り、即ち、全感光体
膜厚が７．４μｍであることからＣ，Ａ、は８１．ＩＶ
と極めて高く、このことから充分な帯電性能を有する事
が理解された。また、Ｔｄは約３０秒であり、このこと
から充分な電荷保持性能を有する事が理解された。また
、Ｅは７．２ルツクス・秒であり、このことから実施例
１〜６に比べて若干感度が低いものの充分な光感度性能
を有する事が理解きれた。
また、実施例１〜６に示した本発明による感光体では、
作製後３カ月経過後に再び測定したＥ（以下Ｅ°と称す
る）では、はぼＥと同等の数値が得られたのに対し、本
実施例に於ける感光体ではＥｏが９．２ルツクス・秒ま
で若干低減しており、実用上は問題ない範囲ではあるが
、経時的な感度低下の傾向が見られた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。
去旅例旦 ＣＴＬ工程に於て、流入する四弗化炭素の流量をｌｓｅ
ｃｍとする以外は、実施例１と同様にして本発明による
感光体の作製を実施した。ここで得られたａ−Ｃ膜につ
きＣＨＮ定量分析を行なったところ、含有される水素原
子の量は炭素原子と水素原子の総量に対して５５原子％
、ざらにオージェ分析から、含有きれるハロゲン原子、
即ち、弗素原子のｆｉｔは全構成原子に対して０．１原
子％であった。また、ａ−Ｃ膜の膜厚は、５μｍであっ
た。
特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ、Ｖｍａｘは−５５０で有り、即ち、全感光体
膜厚が５．４μｍであることからＣ，Ａ、は１０２Ｖと
極めて高く、このことから充分な帯電性能を有する事が
理解された。また、Ｔｄは約３５秒であり、このことか
ら充分な電荷保持性能を有する事が理解きれた。また、
Ｅは１０．５ルツクス・秒であり、このことから実施例
１〜７に比べて感度が低いものの電子写真感光体に必要
とされる光感度性能を有する事が理解された。Ｅｏに於
ては、２１．２ルツクス・秒まで低減しており、経時的
な感度低下の傾向が見られた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
としての性能を具備するものである。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、露光量を窩（シて作像して転写したところ、画像
が得られた。
比較ガ１ ＣＴＬ工程に於て、四弗化炭素の流入を行なわない事以
外は、実施例１と同様にして膜の積層を行なった。ここ
で得られたａ−Ｃ膜につきＣＨＮ定量分析を行なったと
ころ、含有きれる水素原子の量は炭素原子と水素原子の
総量に対して５５原子％、またオージェ分析からは、含
有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子は検出されなか
った。
また、ａ−Ｃ膜の膜厚は、２．５μｍであり、成膜速度
は極めて遅かった。
特性： 得られた積層膜を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ、Ｖｍａｘは−２５０で有り、即ち、全膜厚が
２．９μｍであることからＣ９・Ａ、は８６Ｖと極めて
高く、このことから帯電性能については充分な性能を有
する事が理解ざλ、　　′また、Ｔｄは約３５秒であり
、電荷保持性能についても充分な性能を有する事が理解
された。しかし、Ｅは３０ルツクス・秒と極めて悪かっ
た事から、実用性能に乏しい事が理解された。ざらに、
Ｅ“は８０ルツクス・秒の光量に対しても半減電位まで
減衰できなかった事から測定値を得る事ができず、感光
体には適きない事が理解きれた。
以上より、本例に示した積層膜は、感光体としての性能
を有しないものと判断された。また、この感光体に対し
て常用のカールソンプロセスの中で、露光量を高くして
作像して転写したところ、所謂カブリの多い画像しか得
られず、また、３力月経過後に於ては画（ｉｌｌを得る
ことはでさながった。
実施倒ユ 本発明に係わる製造装置を用いて、図１に述べた如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
感光体を作製した。
ＣＴＬ工程： 第８図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置Ｎ　（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真
空にした後、第１調節弁（７０７）を解放し、第１タン
ク（７０１）より水素ガスを出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２
の下で第１、第２流量制御器（７１３）内へ、同時に、
第７、及び第８調節弁（７２５、及び７２６）を解放し
、第１、及び第２容！（７１９、及び７２０）よりスチ
レンガス、及びクロロホルムガスを第１温調器（７２２
）温度９０℃、及び第２温調器（７２３）温度３５℃の
下で、第７、及び第８流量制御器（７２８、及び７２９
）内へ流入させた。そして流量制御器の目盛を調整して
、水素ガスの流量を２００ＳＣＣｒ１１．スチレンガス
の流量を１００ｓｅｃｍｌ及びクロロホルムガスの流量
を１５０ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合器（
７３１）を介して、主管（７３２）より反応室（７３３
）内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室（
７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調
節弁（７４５）を調整した。一方、導電性基板（７５２
）としては、直径８０×長さ３３０ｍｍのアルミニウム
基板を用いて、予め１５０℃に加熱しておき、ガス流量
及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７
４４）により接続しておいた低周波電源（７４１）を投
入し、電力印加電極（７３６）に１５０Ｗａｔｔの電力
を周波数２０ＫＨｚの下で印加して約１時間プラズマ重
合反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚き２０μ
ｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後
は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３
）内を充分に排気した。
以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につきＣＨＮ定旦定
板分析なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して３９原子％、ざらにオージ
ェ分析から、含有されるハロゲン原子、即ち、塩素原子
の量は全構成原子に対し５．３原子％であった。
ＣＧＬ（ａ−Ｓｉ）工程： 次いで、第１調節弁（７０７）　、及び第６調節弁（７
１２）を解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、
及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧Ｉ
Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第６流量制（汁器（７１
３、及び７１８）内へ流入させた。各流量制御器の目盛
を調整して水素ガスの流量を４００ｓｅｃｍ、及びシラ
ンガスをの流量を１００　ｓ　ｅ　ｃｍに設定し、反応
室（７３３）内に流入させた。各々の流量が安定した後
に、反応室（７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒｒとなる
ように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ
膜が形成されている導電性基板（７５２）は、１５０℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
高周波電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下
で電力印加電極（７３６）に２００Ｗａｔｔの電力を印
加し、グロー放電を発生させた。この放電を１０分間行
ない、厚き０．４μｍのａ−３ｉｌ十電荷発生層を形成
した。
特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところＶｍａｘは一８００Ｖで有り、即ち、全感光体
膜厚が２０．４μｍであることからＣ，Ａ、は３９．２
Ｖと極めて高く、このことから充分な帯電性能を有する
事が理解された。また、Ｔｄは約２０秒であり、このこ
とから充分な電荷保持性能を有する事が理解された。ま
た、Ｅは１．９ルツクス・秒であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解きれた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスによる被写機の中で、作像して
転写したところ、鮮明な画像が得られた。
実施例１０〜１４ ＣＴＬ工程に於て、流入するクロロホルムガスの流量を
各々１２０（実施例１ｏ）、８０（実施例１１）、５０
（実施例１２）　、２０　（実施例１３）、１０（実施
例１４）ｓｃｃｍとする以外は、実施例９と同様にして
本発明による感光体の作製を実施した。ここで得られた
ａ−Ｃ膜につきＣＨＮ定量分析を行なったところ、含有
される水素原子の量は炭素原子と水素原子の総量に対し
て各々４２．４４．４８．５０．５３原子％、ざらにオ
ージェ分析から、含有きれるハロゲン原子、即ち、塩素
原子の量は全構成原子に対して各々５．０．４．２．３
．２．１．５．０．７原子％であった。また、ａ−Ｃ膜
の膜厚は、各々１８．１７．１４．５．１３．１０μｍ
であった。
特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ、Ｖｍａｘは各々−８００、−７５０、−７５
０，−６５０，−６００で有り、即ち、全感光体膜厚が
各々】８．４．１７．４．１４．９．１３．４．１０．
４ｔｔｍであることからＣ，Ａ、は各々４３．５．４３
．１．５０゜３．４８．５．５７．７Ｖと極めて高く、
このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた。
また、Ｔｄは各々約２０．２５．２５．２５．３０秒で
あり、このことから充分な電荷保持性能を有する事が理
Ｍされた。また、Ｅは各々２．３．２．４．２．８．３
．３．３．８ルツクス・秒であり、このことから充分な
光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスによる複写機の中で、作像して
転写したところ、鮮明な画像が得られた。
Ｘ旅健１互 ＣＴＬ工程に於て、流入するクロロホルムガスの流量を
７ｓｅｃｍとする以外は、実施例９と同様にして本発明
による感光体の作製を実施した。
ここで得られたａ−Ｃ膜につきＣＨＮ定量分析を行なっ
たところ、含有される水素原子の量は炭素原子と水素原
子の総量に対して５３原子％、ざらにオージェ分析から
、含有されるハロゲン原子、即ち、塩素原子の量は全構
成原子に対して０．４原子％であった。また、ａ−Ｃ膜
の膜厚は、８μｍであった。
特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ、Ｖｍａｘは−６００で有り、即ち、全感光体
膜厚が８．４μｍであることからＣ，Ａ、は７１．４Ｖ
と痛めて高く、このことから充分な帯電性能を有する事
が理解された。また、Ｔｄは約３０秒であり、このこと
から充分な電荷保持性能を有する事が理解された。また
、Ｅは７．５ルツクス・秒であり、このことから実施例
９〜１４に比べて若干感度が低いものの充分な光感度性
能を有する事が理解された。
また、実施例９〜１４に示した本発明による感光体では
、ＥｏがＥとほぼ同等の数値が得られたのに対し、本実
施例に於ける感光体ではＥｏが１０．８ルツクス・秒ま
で若干低減しており、実用上は問題ない範囲ではあるが
、経時的な感度低下の傾向が見られた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスによる複写機の中で、作像して
転写したところ、鮮明な画像が得られた。
実施例１旦 ＣＴＬ工程に於て、流入するクロロホルムガスの流量を
ｌｓｅｃｍとする以外は、実施例９と同様にして本発明
による感光体の作製を実施した。
ここで得られたａ−Ｃ膜につきＣＨＮ定量分析を行なっ
たところ、含有きれる水素原子の量は炭素原子と水素原
子の総量に対して５４原子％、ざらにオージェ分析から
、含有されるハロゲン原子、即ち、塩素原子の量は全構
成原子に対して０．２原子％であった。また、ａ−Ｃ膜
の膜厚は、７μｍであった。
特性：　。
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ、Ｖｍａｘは−６００で有り、即ち、全感光体
膜厚が７．４μｍであることからＣ，Ａ、は８１．ＩＶ
と極めて高く、このことから充分な帯電性能を有する事
が理解された。また、Ｔｄは約３０秒であり、このこと
から充分な電荷保持性能を有する事が理解きれた。また
、Ｅは１２．５ルツクス・秒であり、このことから実施
例９〜１５に比べて感度が低いものの感光体に必要とさ
れる光感度性能を有する事が理解きれた。Ｅｏに於ては
、２７．５ルツクス・秒まで低減しており、経時的な感
度低下の傾向が見られた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
としての性能を具備するものである。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスに
よる複写機の中で、露光量を高くして作像して転写した
ところ、画像が得られた。
比較例２ ＣＴＬ工程に於て、クロロホルムガスの流入を行なわな
い事以外は、実施例９と同様にしてＨりの積層を行なっ
た。ここで得られたａ−Ｃ膜につきＣＨＮ定量分析を行
なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子と水
素原子の総量に対して５４原子％、またオージェ分析か
らは、含有されるハロゲン原子、即ち、塩素原子は検出
されなかった。また、ａ−ＣＭの膜厚は、５μｍであり
、成膜速度は極めて遅かった。
特性： 得られた積層膜を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ、ｖｍａＸは−４５０で有り、即ち、全膜厚が
５．４μｍであることからＣ９Ａ、は８３．３Ｖと極め
て高く、このことから帯電性能については充分な性能を
有する事が理解きれ、また、Ｔｄは約３５秒であり、電
荷保持性能についても充分な性能を有する事が理解きれ
た。
しかし、Ｅは４０ルツクス・秒と極めて悪く、また、こ
れは実用面での残留電位がほぼ一１０ｏｖに達する事を
意味することから、実用性能に乏しい事が理解された。
ざらに、Ｅｏは８０ルツクス・秒の光量に対しても半減
電位まで減衰できなかった事から測定値を得る事ができ
ず、感光体には適さない事が理解された。
以上より、本例に示した積層膜は、感光体としての性能
を有しないものと判断された。また、この感光体に対し
て常用のカールソンプロセスの中で、露光量を高くして
作像して転写したところ、所謂カブリの多い画像しか得
られず、また、３力月経過後に於ては画像を得ることは
できなかった。
実施ガ上ヱ 本発明に係わる製造装置を用いて、図１に述べた如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
感光体を作製した。
ＣＴＬ工程： 第７図に示すグロー放電分解装着に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空に
した後、第４調節弁（７１０）を、解放し、第４タンク
（７０４）よりアルゴンガスを各々出力圧１．０Ｋｇ／
ａｍ２の下で第４流量制罪！（７１６）内へ、同時に、
第９調節弁（７２７）を解放し、第３容！（７２１）よ
り２．２゜２−トリフルオロエチルメタクリレートＣＨ
２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００ＣＲ２ＣＦ３を第３温調器（７
２４）温度４０℃ノ下テ、第９流量制ａｌｌ！（７３０
）内へ流入させた。そして各流量制師器の目盛を調整し
て、アルゴンガスの流量を４０ｓｅｃｍ１及び２，２．
２−トリフルオロエチルメタクリレートガスの流量を３
０ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３１
）を介して、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ
流入した。
各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が０．３Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、！５
０Ｘ横５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め２００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電
極（７３６）に２００Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５
６ＭＨｚの下で印加して約５時間プラズマ重合反応を行
ない、導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ
膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印
加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分
に排気した。
以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につきＣＨＮ定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して３７原子％、ざらにオージ
ェ分析から、含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子
の量は全構成原子に対し１０原子％であった。
ＣＧＬ　（ａ−３ｉ）工程： 次いで、第１調節弁（７０７）、及び第６調節弁（７１
２）を解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、及
び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫ
ｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第６流量制御器（７１３、
及び７１８）内へ流入させた。各流量制御器の目盛を調
整して水素ガスの流量を３００　ｓ　ｃ　０ｍ％及びシ
ランガスをの流量を１０１００５ｅに設定し、反応室（
７３３）内に流入させた。各々の流量が安定した後に、
反応室（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるよう
に圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が
形成されている導電性基板（７５２）は、２００℃に加
熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周
波電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電
力印加電極（７３６）に２００Ｗａｔｔの電力を印加し
、グロー放電を発生きせた。この放電を２０分間行ない
、厚き０．４μｍのａ−Ｓｉ：Ｈ電荷発生層を形成した
。
特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところＶｍａｘは一６００Ｖで有り、即ち、全感光体
膜厚が１５．４μｍであることからＣ，Ａ、は３９Ｖと
極めて高く、このことから充分な帯電性能を有する事が
理解された。また、Ｔｄは約１５秒であり、このことか
ら充分な電荷保持性能を有する事が理解きれた。また、
Ｅは１、フルックス・秒であり、このことから充分な光
感度性能を有する事が理解きれた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。
Ｘ旅鑓１旦 ＣＴＬ工程に於て、２，２．２−トリフルオロエチルメ
タクリレートＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃｏ。
ＣＨ２ＣＦ３の代りに２．２．３．３−テトラフルオロ
プロピルメタクリレートＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯＣ
Ｈ２（ＣＦ２）２Ｈを流入し、第３温ＦＡ器（７２４）
の温度を５０℃にする以外は、実施例１７と同様にして
本発明による感光体の作製を実施した。
ここで得られたａ−Ｃ膜にっきＣＨＮ定量分析を行なっ
たところ、含有きれる水素原子の量は炭素原子と水素原
子の総量に対して３４原子％、ざらにオージェ分析から
、含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の量は全構
成原子に対し１５原子％であった。ま−た、！Ｉり厚は
２２μｍであっ特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところＶｍａＸは一５５０ｖで有り、即ち、全感光体
膜厚が２２．４μｍであることからＣ，Ａ、は２４．６
Ｖと高く、このことから充分な帯電性能を有する事が理
解された。また、Ｔｄは約１５秒であり、この事から充
分な電荷保持性能を有する事が理解された。また、Ｅは
４．２ルツクス・秒であり、この事から充分な光感度性
能を有する事が理解された。また、３カ月経過後再びＴ
ｄ（以下Ｔｄ’と称する）を測定したところ、実施例１
７の感光体ではほぼ同等の数値が得られたのに対し、本
感光体では約１０秒であり、実用上は問題は無いものの
若干経時後の電荷保持能低下の傾向が見られた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。
Ｘ施泗１２ ＣＴＬ工程に於て、２，２．２−トリフルオロエチルメ
タクリレートＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００ＣＨ２ＣＦ３
の代りにＩＨ，ＬＨ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルメ
タクリレートｃＨ２＝ｃ　（ＣＨ３）ＣＯＯＣＲ２（Ｃ
Ｆ２）４Ｈを流入し、第３温調器（７２４）の温度を６
０℃にする以外は、実施例１７と同様にして本発明によ
る感光体の作製を実施した。
ここで得られたａ　−Ｃ膜にっきＣＨＮ定量分析を行な
ったところ、含有される水素原子の量は炭素原子と水素
原子の総量に対して３ｏ原子％、ざらにオージェ分析か
ら、含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の量は全
構成原子に対し２５原子％であった。また、膜厚は２５
μｍであった。
特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところＶｍａｘは一５００Ｖで有り、即ち、全感光体
膜厚が２５．４μｍであることからＣ，Ａ、は２０．４
Ｖであり、実施例１７．１８に比べて若干帯電性能に劣
るものの、実用上使用可能な帯電性能を有する事が理解
きれた。また、Ｔｄは約１０秒であり、実施例１７に較
べ若干低いながら、実用上充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、Ｅは３．９ルツクス・秒であり
、この事から充分な光感度性能を有する事が理解きれた
。また、Ｔｃｊ’を測定したところ、豹３秒であり、か
なりの電荷保持能低下の傾向が見られた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
としての性能を具備するものである。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、帯電から現像までの工程を迅速化して作像して転
写したところ、画像が得られた。
比較置板 ＣＴＬ工程に於て、２，２．２−トリフルオロエチルメ
タクリレ−）ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃｏ。
ＣＨ２ＣＦ３の代りにＩＨ，ＩＨ，２Ｈ，２Ｈ−へブタ
フルオロデシルメタクリレートＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ
ＯＯＣＨ２（ＣＦ２）ｅＨを流入し、第３温調器（７２
４）の温度を７０℃にする以外は、実施例１７と同様に
して積層膜の作製を行なった。
ここで得られたａ−Ｃ膜は、一部に剥離を生じており成
膜性が悪かった。成膜している部分だけにつきＣＨＮ定
量分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭
素原子と水素原子の総量に対して２８原子％、ざらにオ
ージェ分析から、含有されるハロゲン原子、即ち、弗票
原子の量は全構成原子に対し２８原子％であフた。また
、膜厚は２７μｍであった。
特性： 得られた積層膜の成膜部分を常用のカールソンプロセス
の中で用いたところＶｍａｘは一３５０Ｖで有り、即ち
、全感光体膜厚が２７．４μｍであることからＣ，Ａ、
は１２．８Ｖと低く、また、Ｔｄも約３秒と低かワた。
また、−３５０Ｖから一１００Ｖまで明減衰するのに必
要とされた光量は４．８ルツクス・秒であり、この事か
ら光感度性能は満足する事が理解された。また、３力月
後のＴｄ’を測定したところ、１秒に満たず、著しく電
荷保持能が低下することが理解された。
以上より、本例の積層膜は、感光体としての性能を有ざ
ず、しかも成膜性が悪いことが理解きれる。
叉旅例旦Ω 本発明に係わる製造装置を用いて、図１に述べた如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
感光体を作製した。
ＣＴＬ工程： 第７図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部を１０＝Ｔｏｒｒ程度の高真空にし
た後、第１、及び第３調節弁（７０７、及び７０９）を
解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、及び第３
タンク（７０３）より四弗化炭素ガスを各々出力圧１．
０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第３流量制御器（７１
３、及び７１５）内へ、同時に、第７調節弁（７２５）
を解放し、第１容器（７１９）よりシクロヘキサンガス
を第１温調ｕ（７２２）ｉ度４５℃の下で、第７流量制
御器（７２８）内へ流入きせた。そして各流量制御器の
目盛を調整して、水素ガスの流量を４０ｓｅｃｍｓ四弗
化炭素ガスの流量を１０１０５ｅ、及びシクロへキサガ
スの流量を２０　ｓ　ｅ　ｃｍとなるように設定して、
途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）より反
応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した後
に、反応室（７３３）内の圧力が０．６Ｔ。
ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、導電性基板（７５２）としては、樅５０×横５０×
厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２００℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた高
周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）
に１００Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下
で印加して約１時間プラズマ重合反応を行ない、導電性
基板（７５２）上に厚き約１５μｍのａ−〇膜を電荷輸
送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し
、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した
。
以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につきＣＨＮ定量分
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４２原子％、ざらにオージ
ェ分析から、含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子
の量は全構成原子に対し３．２原子％であった。
ＣＧＬ　（ａ−Ｓｉ）工程： 次いで、第１調節弁（７０７）　、第５調節弁（７１１
）、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（
７０１）から水素ガス、第５タンク（７０５）から水素
ガスで５０ｐｐｍに希釈きれたジボランガス、及び第６
タンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃ
ｍ２の下で第１、第５、及び第６流量制御晋（７１３，
７１７、及び７１８）内へ流入させた。各流量制御器の
目盛を調整して水素ガスの流量を３００ｓｅｃｍ１水素
ガスで５０ｐｐｍに希釈されたジボランガスの流量を１
０１０５ｅ、及びシランガスをの流量を１０１００５ｅ
に設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流
量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．５
Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）　　を調整
した。
一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）
は、２００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５
６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に２００Ｗａｔ
ｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電
を２０分間行ない、厚き０．５μｍのａ−Ｓｉ：Ｈ電荷
発生層を形成した。
特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ最高帯電電位は＋６００Ｖで有り、即ち、全感
光体膜厚が１５．４μｍであることから１μｍ当りの帯
電能は３９Ｖと極めて高く、このことから充分な帯電性
能を有する事が理解された。また、Ｔｄは２０秒であり
、このことから充分な電荷保持性能を有する事が理解き
れた。また、Ｅは４．１ルツクス・秒であり、このこと
から充分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである。また、この感光
体に対して常用のカールソンプロセスの中で、作像して
転写したところ、鮮明な画像が得られた。
宜旅泗旦よ 本発明に係わる製造装置を用いて、図１に述べた如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
感光体を作製した。
ＣＴＬ工程： 第７図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空に
した後、第１、及び第２調節弁（７０７、及び７０８）
を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、及び第
２タンク（７０２）よりブタジェンガスを各々出力圧１
．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第２流量制御器（７
１３、及び７１４）内へ、同時に、第７、及び第８調節
弁（７２５、及び７２６）を解放し、第１容器（７１９
）よりミルセンガスを第１温調器（７２２）温度５５℃
の下で、第７流量制御ａ器（７２８）内へ、第２容器（
７２０）よりフルオルベンゼンガスを第２温調器（７２
３）温度５０℃の下で、第８流量制御器（７２９）内へ
流入きせた。
そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量
を４０ｓＣｃｍ、ブタジェンガスの流量を３０ｓＣＣｒ
ｎ　％ミルセンガスの流量を４０ｓＣｃｍ１及びシクロ
へキサガスの流量を３０ｓＣｃｍとなるように設定して
、途中混合器（７３１）を介して、主！（７３２）より
反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した
後に、反応室（７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒｒとな
るように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電
性基板（７５２）としては、樅５０×横５０×厚３ｍｍ
のアルミニウム基板を用いて、予め２００℃に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選
択スイッチ（７４４）により接続しておいた低周波電源
（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）に１００
Ｗａｔｔの電力を周波数５０ＫＨｚの下で印加して約４
５分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板（７５２
）上に厚き約１５μｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸送層として
形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を
閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。
以上のようにして得られたａ−Ｃ膜にっｔｃＨＮ定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して３７原子％、ざらにオージ
ェ分析から、含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子
の量は全構成原子に対し８．７原子％であった。
ＣＧＬ　（ａ−Ｓｉ）工程： ａ−Ｃ膜が形成された基板を一旦装置より取り出し、次
いで別の真空蒸着装置を用いて、常法の抵抗加熱法によ
り、０．５μｍの厚ざのセレン砒素合金を設け、本発明
による感光体を得た。
特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ最高帯電電位は＋６５０Ｖで有り、即ち、全感
光体膜厚が１５．４μｍであることから１μｍ当りの帯
電能は４２．２Ｖと極めて高く、このことから充分な帯
電性能を有する事が理解きれた。また、Ｔｄは２５秒で
あり、このことから充分な電荷保持性能を有する事が理
解された。また、Ｅは２．３ルツクス・秒であり、この
ことから充分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。
寒■驕ヱ 実施例２においてＣＴＬ工程とＣＧＬ工程を入れ換える
事以外は、実施例１と同様にして本発明による感光体の
作製を実施した。
特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ最高帯電電位は＋７５０Ｖで有り、即ち、全感
光体膜厚が１６．４ｕｍであることから１μｍ当りの帯
電能は４５．７Ｖと極めて高く、このことから充分な帯
電性能を有する事が理解きれた。また、Ｔｄは２０秒で
あり、このことから充分な電荷保持性能を有する事が理
解された。また、Ｅは４．２ルツクス・秒であり、この
ことから充分な光感度性能を有する事が理解きれた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。
大旅困旦旦 本発明に係わる製造装置を用いて、図１に述べた如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
感光体を作製した。
ＣＴＬ工程： 第７図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部を１０”６Ｔｏｒｒ程度の高真空に
した後、第１、及び第２調節弁（７０７、及び７ｏ８）
を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、及び第
２タンク（７０２）よりエチレンガスを各々出力圧１．
０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第２流量制御器（７１
３、及び７１４）内へ、同時に、第７調節弁（７２５）
を解放し、第１容器（７１９）よりＩＨ９ＩＨ，５Ｈ−
オクタフルオロペンチルメタクリレートｃＨ２＝ｃ　　
（ＣＨ３）ＣＯＯＣＨ２（ＣＦ２）　４Ｈｉスを第１温
調器（７２２）温度５５℃の下で、第７Ｗ量制御器（７
２８）内へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を調
整して、水素ガスの流量を４０　ｓ　ｅ　ｃｍ、エチレ
ンガスの流量を７０ｓｃＣｍｚ及びＩＨ，ＩＨ，５Ｈ−
オクタフルオロペンチルメタクリレートガスの流量を１
０１０５ｅとなるように設定して、途中混合器（７３１
）を介して、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ
流入した。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３
）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（
７４５）をＦＡ整した。一方、導電性基板（７５２）と
しては、！５０Ｘ積５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板
を用いて、予め２゜０℃に加熱しておき、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４
）により接続しておいた低周波電源（７４１）を投入し
、電力印加電極（７３６）に１００Ｗａｔｔの電力を周
波数５０ＫＨｚの下で印加して約１時間プラズマ重合反
応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚ざ約２０μｍ
のａ　−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後
は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３
）内を充分に排気した。
以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につｔｃＨＮ定景分
定置分析ったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４８原子％、ざらにオージ
ェ分析から、含有される・ハロゲン原子、即ち、弗素原
子の量は全構成原子に対し６．６原子％であった。
ＣＧＬ　（ａ−Ｓｉ）工程： 次いで、実旅例１と同様にして、厚３０．４μｍのａ−
３ｔ：Ｈ電荷発生層を形成した。
特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ最高帯電電位は＋７５０Ｖで有り、即ち、全感
光体膜厚が２０．４μｍであることから１μｍ当りの帯
電能は３６．８Ｖと極めて高く、このことから充分な帯
電性能を有する事が理解された。また、Ｔｄは約２０秒
であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事が
理解きれた。また、Ｅは２．０ルツクス・秒であり、こ
のことから充分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。
ス旅透旦４ 本発明に係わる製造装置を用いて、図１に述べた如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
感光体を作製した。
ＣＴＬ工程： 第７図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空に
した後、第７、及び第８調節弁（７２５、及び７２６）
を解放し、第１容器（７１９）よりＩＨ，ＬＨ，５Ｈ−
オクタフルオロペンチルメタクリレ−）ＣＨ２＝Ｃ（Ｃ
Ｈ３）Ｃｏ。
ＣＨ２（ＣＦ２）４Ｈガスを第１温調器（７２２）温度
５５℃の下で第７流量制御器（７２８）内へ、第２容器
（７２０）よりスチレンガスを第２温調Ｍ　（７２３）
温度６０℃の下で第８流量制御器（７２９）内へ流入さ
せた。そして各流量制御器の目盛を調整して、ＬＨ，Ｌ
Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロベンチルメタクリレートガス
の流量を２０Ｓ　ＣＣｍｚ及びスチレンガスの流量を７
０ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３１
）を介して、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ
流入した。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３
）内の圧力が０．９Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（
７４５）を調整した。一方、導電性基板（７５２）とし
ては、縦５０Ｘ横５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を
用いて、予め１００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧
力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）
により接続しておいた低周波電源（７４１）を投入し、
電力印加電極（７３６）に１５０Ｗａｔｔの電力を周波
′１１１３０　Ｋ　Ｈｚの下で印加して約３０分間プラ
ズマ重合反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚さ
約２５μｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。
成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室（７３３）内を充分に排気した。
以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につｔｃＨＮ定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の８量に対して４４原子％、ざらにオージ
ェ分析から、含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子
の量は全構成原子に対し５．７原子％であった。
ＣＧＬ（ａ−Ｓｉ）工程： 次いで、実施例１と同様にして、厚さ０．４μｍのａ−
３ｉ：Ｈ電荷発生層を形成した。
特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ最高帯電電位は＋７００Ｖで有り、即ち、全感
光体膜厚が２５．４μｍであることからｌＬｌｍ当りの
帯電能は２７．６Ｖと極めて高く、このことから充分な
帯電性能を有する事が理解された。また、Ｔｄは約２５
秒であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解きれた。また、Ｅは２．８ルツクス・秒であり、
このことから充分な光感度性能を有する事が理解された
。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、イ′、−像して転写し
たところ、鮮明な画像が得られた。
Ｘ施刀旦塁 本発明に係わる製造装置を用いて、図１に述べた如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
感光体を作製した。
ＣＴＬ工程： 第７図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空に
した後、第７、及び第８調節弁（７２５、及び７２６）
を解放し、第１容器（７１９）よりＬＨ，ＩＨ，５Ｈ−
オクタフルオロペンチルメタクリレートＣＨ２＝Ｃ（Ｃ
Ｈ３）Ｃｏ。
ＣＨ２（ＣＦ２）　４Ｈガス！第１ｉ！ＪｉｉＷ　（７
２２）温度５５℃の下で第７流量制御器（７２８）内へ
、第２容器（７２０）よりミルセンガスを第２温調器（
７２３）温度５５℃の下で第８流量制御器（７２９）内
へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を調整して、
ＩＨ，ＬＨ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレ
ートガスの流量を１・Ｏ３ＣＣｍ　ｓ及びミルセンガス
の流量を３０ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合
器（７３１）を介して、主管（７３２）より反応室（７
３３）内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応
室（７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒｒとなるように圧
力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電性基板（７
５２）としては、樅５０Ｘ横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニ
ウム基板を用いて、予め１５０℃に加熱しておき、ガス
流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ
（７４４）により接続しておいた低周波電源（７４１）
を投入し、電力印加型ｔｉ（７３６）に１５０Ｗａｔｔ
の電力を周波数３０ＫＨｚの下で印加して約３０分間プ
ラズマ重合反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚
き約１８μｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸送層ト・シて形成し
た。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、
反応室（７３３）内を充分に排気した。
以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につキＣＨＮ定景分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の８量に対して３８原子％、さらにオージ
ェ分析から、含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子
の量は全構成原子に対し６．２原子％であった。
ＣＧＬ　（ａ−Ｓｔ）工程： 次いで、実施例１と同様にして、厚き０．４μｍのａ−
Ｓｉ：Ｈ電荷発生層を形成した。
特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ最高帯電電位は＋７５０Ｖで有り、即ち、全感
光体膜厚が１８．４μｍであることから１μｍ当りの帯
電能は４０．８Ｖと極めて高く、このことから充分な帯
電性能を有する事が理解された。また、Ｔｄは約２０秒
であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事が
理解された。また、Ｅは１．フルックス・秒であり、こ
のことから充分な光感度性能を有する事が理解きれた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第６図は本発明に係わる感光体の構成例を示
す図、第７図及び第８図は本発明に係わる感光体の製造
装置を示す図である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図　　第２図 第３図　　第４図 第５図　　ＷＪ６図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電荷発生層と電荷輸送層とを少なくとも有する感光体に
    おいて、該電荷輸送層は、炭化水素を気相状態でプラズ
    マ重合して形成され、炭素と水素を構成原子としてなる
    非晶質固体であり、かつ、化学的修飾物質として少なく
    ともハロゲン原子を全構成原子に対して０．１乃至２５
    原子％含有することを特徴とする感光体。
JP15921486A 1986-07-07 1986-07-07 感光体 Pending JPS6314157A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15921486A JPS6314157A (ja) 1986-07-07 1986-07-07 感光体
US07/069,420 US4863821A (en) 1986-07-07 1987-07-02 Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer having amorphous carbon
EP87109787A EP0253279A3 (en) 1986-07-07 1987-07-07 Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer

Applications Claiming Priority (1)

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JP15921486A JPS6314157A (ja) 1986-07-07 1986-07-07 感光体

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ID=15688821

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0335189U (ja) * 1989-08-14 1991-04-05

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0335189U (ja) * 1989-08-14 1991-04-05

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