JPS63223661A - 感光体 - Google Patents

感光体

Info

Publication number
JPS63223661A
JPS63223661A JP62057078A JP5707887A JPS63223661A JP S63223661 A JPS63223661 A JP S63223661A JP 62057078 A JP62057078 A JP 62057078A JP 5707887 A JP5707887 A JP 5707887A JP S63223661 A JPS63223661 A JP S63223661A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
photoreceptor
layer
plasma
charge transport
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62057078A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuji Iino
修司 飯野
Hideo Yasutomi
英雄 保富
Mochikiyo Osawa
大澤 以清
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Minolta Co Ltd filed Critical Minolta Co Ltd
Priority to JP62057078A priority Critical patent/JPS63223661A/ja
Publication of JPS63223661A publication Critical patent/JPS63223661A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08285Carbon-based

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 佳い4秒里9夏 本発明は感光体、特に電子写真感光体に関する。
藍薇拶訃 近年、感光体、特に電子写真用感光体にプラズマ化学蒸
着法(以下、P−CVD法という)により作製されたア
モルファスシリコン(以下、a −S iと略す)が採
用されるに至っている。
a−9i悪感光は種々の優れた特性を有する。しかしa
 −S iは比誘電率εが12程度と大きいため、感光
体として充分な表面電位を得るためには、本質的に最低
25μm程度の膜厚が必要であるという問題がある。a
 −S i感光体は、P−CVD法においては膜の堆積
速度が遅いため作製に長時間を要し、さらに均質な膜の
a−9iを得ることが作製時間が長くなる程難しくなる
。その結果、a−Si感光体は白斑点ノイズ等の画像欠
陥が発生ずる確率が高く、さらに原料費が高いという欠
点等がある。
上記の欠点を改良するための種々の試みがなされている
が、本質的に膜厚をこれより薄くすることは好ましくな
い。
一方、a−Si感光体は基板とa−Siとの密着性、さ
らに耐コロナ性、耐環境性あるいは耐薬品性が悪いとい
った欠点も、存在する。
そのような問題点を解消するため有機プラズマ重合膜を
a−9i感先体のオーバーコート層あるいはアンダーコ
ート層として設ける事が提案されている。前者の例は、
例えば特開昭60−61761号公報、特開昭59−2
14859号公報、特開昭51−46130号公報ある
いは特開昭50−20728号公報等が知られており、
後者の例は、例えば特開昭60−63541号公報、特
開昭59−136742号公報、特開叩59−2816
1号公報あるいは特開昭59−3L753号公報等が知
られている。
その他プラズマ重合法を使用したものとして、例えば特
開昭59−148326号公報、特開昭56−6044
7号公報あるいは特開昭53−120527号公報等が
知られている。
有機プラズマ重合膜はエチレンガス、ベンゼン、芳香族
シラン等のあらゆる種類の有機化合物のガスから作製で
きること(例えばニー、ティ、ベル(A、T、Be1l
)、エム、ジエン(M、 5hen)ら、ジャーナル 
オブ アプライド ポリマー サイエンス(J oun
al of  Applied  Polymer  
5cience)、第17巻、885−892頁(19
73年)等)が知られているが、従来の方法で作製した
有機プラズマ重合膜は絶縁性を面提とした用途に限って
用いられている。従って、それらの膜は通常のボリエチ
レン膜のごと<10”ΩC11程度の電気抵抗をイ「す
る絶縁膜と考えられ、あるいは少なくとしその様な膜で
あるとの認識のもとに用いられていた。
特開昭GO−61761号公報記載の技術は、500人
〜2μmのダイヤモンド状炭素絶縁膜を表面保護層とし
て被覆した感光体を開示している。
この炭素薄膜はa−Si感光体の耐コロナ放電および機
械的強度を改良するためのものである。重合膜は非常に
薄く、電荷はトンネル効果により膜中を移動し、膜自体
電荷輸送能を必要としない。また、有機プラズマ重合膜
のキャリアー輸送性に関しては一切記載がないし、a−
8iの持つ前記した本質的問題を解決するものでない。
特開昭59−214859号公報には、スチレンやアセ
チレン等の有機炭化水素モノマーをプラズマ司会により
厚さ5μ園程度の有機透明膜のオーバーコート層として
被膜する技術が開示されているが、その層はa −S 
i感光体の画像流れの防止および剥離、耐久性、ピンホ
ール、生産効率を改良するものである。有機プラズマ重
合膜のキャリアー輸送性に関しては一切記載がないし、
a−3iの持つ前記した本質的問題を解決するものでな
い。
特開昭51−46130号公報には、N−ビニルカルバ
ゾールをグロー放電により、表面に厚さ3〜0.001
μ烏の有機プラズマ重合膜として形成した感光体を開示
している。この技術は、正帯電でしか使用できなかった
ポリ−N−ビニルカルバゾール系感光体を両極性帯電で
使用可能にすることを目的とする。この膜は0.001
〜3μ朔と非常に薄く、オーバーコート的に使用される
重合膜は非常に薄く、電荷輸送能を必要としないしのと
考えられる。また、重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載がないし、a−8iの持つ前記した本質的問
題を解決するものでない。
特開昭50−20728号公報には、基板上に増感層、
有機光導電性電気絶縁体とを順次積層し、さらにその上
に厚さ0.1−1μ園のグロー放電重合膜を形成する技
術が開示されているが、この膜は湿式現像に耐えるよう
に表面を保護する目的のものであり、オーバーコート的
に使用される。
重合膜は非常に薄く、電荷輸送層として使われているし
のではない。重合膜のキャリアー輸送性に関しては一切
記載がないし、a−9iの持つ前記した本質的問題を解
決するものでない。
特開昭60−63541号公報は、a −S iのアン
ダーコート層に200人〜2μmのダイヤモンド状f丁
機プラズマ重合膜を使用した感光体について[■n示し
ているが、その有機プラズマ重合膜は基板とa−9iの
密着性を数倍する目的のものである。
重合膜は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効果により
膜中を移動し、膜自体は電荷輸送能を必要としない。ま
た、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関しては
一切記載がないし、a−8iの持つ前記した本質的問題
を解決するものでない。
特開昭59−136742号公報には、基板上に約5μ
mの有機プラズマ重合膜、シリコン膜を順次形成する半
導体装置が開示されている。しかし、その有機プラズマ
重合膜は、基板であるアルミニウムのa −S iへの
拡散を防止する目的のものであるが、その作製法、膜質
等に関しては−切記載がない。また、有機プラズマ重合
膜のキャリアー輸送性に関しても一切記載がないし、a
 −S iの持つ前記した本質的問題を解決するもので
ない。
特開昭59−28161号公報には、基板上に有機プラ
ズマ重合膜、a−Siを順次形成した感光体が開示され
ている。有機プラズマ重合膜は、その絶縁性を利用した
アンダーコート層でありブロッキング層、接着層あるい
は剥離防止層として機能する乙のである。重合膜は非常
に薄くてよい(5μm1好ましくは1μm以下)。薄膜
であれば不充分な電荷輸送能であっても、表面電位(残
留電位)の上昇の問題は生しない。繰り返し使用により
アンダーコート部での電界が上昇し、それによるキャリ
アの通過か大きくなること(トンネル効果)で、残留電
位の上昇が低く抑えられるという現象があるからである
。従って本件の重合膜はアンダーコート層として使えて
も、キャリア輸送層としては使えない。
また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載がないし、a−Siの持つ前記した本質的問
題を解決するものでない。
特開昭59−38753号公報には酸素、窒素および炭
化水素の混合ガスからプラズマ重合により10〜100
人の有機プラズマ重合薄膜を形成し、その上にa −S
 i層を成膜する技術か開示されている。(f機プラズ
マ重合膜は、他の有機高分子に比べて熱劣化がなく、ま
た、絶縁性を利用したアンダーコート層でありブロッキ
ング層あるいは剥離防止層として機能するしのである。
重合膜は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効果により
膜中を移動し、膜自体は電荷輸送能を必要としない。
また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載がないし、a−Siの持つ前記した本質的問
題を解決する乙のでない。
特開昭59−148326号公報は、ガスを予備分解、
予備重合することを特徴とするP−CVl)薄膜製造方
法を開示するが、実施例はSi系の物質を利用したもの
のみが例示されているに過ぎない。
特開昭56−60447号公報は、有機化合物とハロゲ
ン化合物混合物の蒸気をプラズマ重合し、有機光導電性
膜を形成する方法を開示する。この技術は、ハロゲン導
入プラズマ重合膜が近赤外域(0,8〜3.0μm)に
高感度を有することを示しているが、その膜は近赤外線
センサーへの応用を目的とするものであり、本願のよう
に電子写真感光体への使用を目的にするものでなく、ま
た感光体に使用できるか否かについては触れられていな
い。
特開昭53−120527号公報は、ポジ型放射線感応
材料層を炭化水素およびハロゲン化水素のプラズマ重合
法で形成する方法が開示されている。本件はポジ型レジ
スト材料を電子線、X線、λ線あるいはα線により架橋
させ作製する方法であり、電子写真感光体への使用を目
的とするものでない。
発明が解決しようとする問題点 以上のように、従来、感光体に用いられている有機重合
膜はアンダーコート層あるいはオーバーコート層として
使用されていたが、それらはキャリアの輸送機能を必要
としない膜であって、6機重合膜が絶縁性であるとの判
断にたって用いられている。従ってその厚さも高々5μ
肩程度の極めて薄い膜としてしか用いられず、キャリア
はトンネル効果で膜中を通過するか、トンネル効果が期
待できない場合には、実用上の残留電位としては問題に
ならないですむ程度の薄い膜でしか用いられない。
本発明者らは、有機重合膜のa−Si感光体への応用を
検討しているうらに、本来絶縁性であると考えられてい
た有機重合膜が、ある特定の結合様式で存在する炭素原
子(例えば、炭素−炭素二重結合、第四炭素等)の歯打
割合が異なると、電気抵抗も変化し、ある割合になると
Ti荷輸送性を示し始める事を見出だした。
本発明はその新たな知見をを利用することにより、従来
のa −S i感光体の持つ問題点、すなわちa −S
 iの膜厚、製造時間、製造コスト等における問題点等
を°4”べて解消し、また従来とは全く使用[1的ら、
特性も異なる有機重合膜、特に有機ブラズマ重合膜を使
用した感光体およびその製造方法を提供することを目的
とする。
問題点を解決するための手段 すなわち、本発明は電荷発生層(3)と電荷輸送層(2
)とを有する機能分離型感光体において、電荷輸送層(
2)が水素を含む非晶質炭素膜で、その化学構造におい
て、不飽和結合を有する炭素数N、と不飽和結合を有し
ない炭素数N、の比N、:N、が0.3:1ないし2:
1であることを特徴とする感光体に関する。
本発明感光体は少なくとも電荷発生層と電荷輸送層から
構成される。
電荷輸送層は、水素を含有する非晶質炭素膜(以下、a
−C膜という)である。水素含有炭素膜中の水素含量は
、20〜67 atomic%1、好ましくは40〜6
7 atomic%、特に45〜65 atomic%
含量されることが望ましい。a−C膜中に含有される水
素の量が20 atomic%より少ないと好適な輸送
性が得られず、67 aLO1iσ%より多いと膜質の
劣化、成膜性の低下をきたす。
本発明感光体の特徴は、電荷輸送層としてa−C膜を設
け、さらにそのa−C膜中に含有される炭素で、不飽和
結合を有する炭素数N1と不飽和結合を有しない炭素数
N、の比N I: N tが0.3:1ないし2:1で
あることにある。
本発明のa−C膜中には、種々の結合様式をしノこ炭素
原子、例えば単結合(フリーラジカル)、三重結合ある
いは三重結合等が存在し、更にそれらは水素原子が結合
しているものあるいは水素原子が結合していないものと
して存在する。
本発明のa−C膜中におけろ炭素原子が、不飽和結合を
有する炭素あるいは不飽和結合を有しない炭素であるこ
とおよびそれらの数は、赤外吸収スペクトル、プロトン
による核磁気共鳴(Jl−NMR)あるいは13cによ
る核磁気共鳴(”C−NMIυ等を測定することにより
識別することができる。
本発明において不飽和結合というのは炭素−炭素二重結
合および/または炭素−炭素三重結合をいう。
本発明においては不飽和結合を有する炭素数N、と不飽
和結合を有しない炭素数N!の比N、:N、が0.3:
1ないし2:1であることが重要である。
本発明のa−C膜は、N、の値を1としたときN。
の値が0.3〜2、より好ましくは0.5〜1.3、特
に0.7〜lであるとき電荷輸送層として適しており、
0.3より小さいと、この上うなa−C膜は絶縁体であ
り、その膜を電荷輸送層に用いた感光体は光照射によっ
ても帯電電荷が減衰しないので、繰り返し使用によりす
ぐにチャージアップが起こり、感光体として使用できな
くなる。2.0より大きいと、膜は二重結合を有する炭
素が過剰になり膜抵抗がかなり低下するため、それより
構成されろ感光体は帯電能が悪くなり、感光体として使
用できなくなる。また電荷発生層で発生した光キャリヤ
ーは膜に移動するが、過剰の二重結合手がキャリヤーの
トラップサイトとなり、繰り返し使用でバルク中に空間
電荷が溜まるため、残留霊位の1−騨一お上びそれに体
う威庁妊下が起こる。
Nlか更に小さい場合、もはや軟質の油状膜に近くなっ
てゆき、感光体構成部材として使用できない。一般にN
tの値が0.3以上のときはじめて比抵抗が1011Ω
CR程度以上となり、キャリアの移動度が10″″’C
R″/v−8eC以上で、良好な電荷輸送機能が得られ
る。
本兇明によるa−C膜中には種々の結合様式をした炭素
原子が存在するが、それらの全炭素原子数は、膜の組成
分析と比重から求められる。すなわち、a−C膜のCと
11の組成分析比がCx1ly(x十y−1)で、膜の
比重がW(g/cmっであると、膜Ica+3中の全炭
素原子数Ccは下弐目1:[式中Ccは全炭素数、Wは
比重、Xおよびyは炭素および水素の組成分析比、Aは
アボガドロ数(個/mol)を表す。]に従い得ろこと
ができる。
本発明においては、不飽和結合を有する炭素数と不飽和
結合を有しない炭素数との和が全炭素数であるとする。
a−C層の厚さは5〜50μm、特に7〜30μmが適
当であり、5μmより薄いと帯電能が低く充分な複写画
像濃度を得ることができない。50μmより厚いと生産
性の点で好ましくない。このa−C層は透光性、高暗抵
抗を有するとともに電荷輸送性に富み、膜厚を上記のよ
うに5μm以上としても電荷トラップを生じることなく
キャリアを輸送する。
a−C層を形成するための有機化合物としては、必ずし
も気相である必要はなく、加熱或いは減圧等により溶融
、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相で
も固相でら使用可能である。
該炭化水素としては、例えば、メタン列炭化水素、エチ
レン列炭化水素、アセチレン列炭化水素、脂環式炭化水
素、芳香族炭化水素、等が用いられる。
メタン列炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、
プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オ
クタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリ
デカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、
ヘプタデカン、オクタデカン、ノナデカン、エイコサン
、ヘンエイコサン、トコサン、トリコサン、テトラコサ
ン、ペンタコサン、ヘプタコサン、ヘプタコサン、オク
タコサン、ノナコサン、トリアコサン、ドトリアコサン
、ペンタトリアコンクン、等のノルマルパラフィン並び
に、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘ
キサン、ネオヘキサン、2.3−ジメチルブタン、2−
メチルヘキサン、3−エチルペンクン、2.2−ジメチ
ルペンタン、2.4−ジメチルペンタン、3.3−ジメ
チルペンタン、トリブタン、2−メチルへブタン、3−
メチルヘブタン、2.2−ジメチルヘキサン、2.2.
5−ジメチルヘキサン、2,2.3−トリメデルペンタ
ン、2,2.4− トリメデルペンタン、2,3.3−
トリメチルペンタン、2,3.4−)ジメチルペンタン
、イソナノン、等のイソパラフィン、等が用いられる。
エチレン列炭化水素としては、例えば、エチレン、プロ
ピレン、イソブチレン、l−ブテン、2−ブテン、1−
ペンテン、2−ペンテン、2−メチル−1−ブテン、3
−メチル−1−ブテン、2−メチル−2−ブテン、l−
ヘキセン、テトラメチルエチレン、I−ヘプテン、l−
オクテン、■−ノネン、1−デセン、等のオレフィン並
びに、アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェ
ン、ヘキサジエン、シクロペンタジェン、等のジオレフ
ィン並びに、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキ
サトリエン、等のトリオレフイン、等が用いられる。
アセチレン列炭化水素としては、例えば、アセチレン、
メチルアセチレン、l−ノナン、2−ブチン、I−ペン
チン、!−ヘキシン、1−ヘプチン、l−オクチン、l
−ノニン、l−デシン等が用いられる。
脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フェ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボレ
ン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカルプ
レン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。
芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ノユレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スヂレン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、スチルベン、イソデン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フェナントレン、等が用いられ
る。
本発明においてa−C膜を形成させる場合、上記a機化
合物を2種類以上の混合気体で使用してもよい。a−C
膜は各種共重合体(ブロック共重合体、ブラフトノ(重
合体等)が多く形成され、硬度および付着性が向上する
。また、アルカン系炭化水素(CnH2n+ 2)を使
用すると、ビヅカース硬度2000以上、電気抵抗10
’ΩC1のダイヤモンド状超硬質の、所謂i−C膜も形
成させることができる。ただし、この場合のプラズマ条
件は高温、低圧、高パワーが必要で、更に基板に直流バ
イアスを印加する必要もある。
キャリアガスとしてはlI、やAr 、 Ne 、 H
e等の不活性ガスが適当である。
本発明においては、a−C膜の形成には、直流、高周波
あるいは低周波やマイクロ波プラズマ法等の種々のプラ
ズマ法を使用することができる。
あるいは後述されているが、電磁波(X線、レーザー光
等)や上記プラズマとの併用ら可能である。
それらの重合法の選択により、同一のモノマーでも、色
々異なった特性を有するa−C膜を得ることができる。
たとえば、低周波プラズマ法(周波数が数+llz〜数
百KHz程度)を使用すると高硬度のa−CPlAを得
ろことができる。係る低周波プラズマ法には、ブタジェ
ン、プロピレン等の不飽和結合をaする炭化水素が好ま
しい。それらの化合物を使用すると、周波数JOKI(
z〜IMHzの低周波で、かつ、低温(室温〜100℃
)でプラズマ重合膜を形成することができる。本発明に
おいてa−C膜を形成させる際重要なことは、不飽和結
合を有する炭素数N1と不飽和結合を有しない炭素数N
tの比N + : N tが0.3:Iないし2:1と
なるように形成することである。また、電荷発生層を高
周波プラズマまたはP−CVD法により形成する場合に
は、a−C膜も同様の方法で成膜したほうが、製造装置
コスト、工程の省力化につながり好ましい。
本発明感光体の電荷発生層は特に限定的ではなく、アモ
ルファスシリコン(a−8i)膜(特性を変えるため種
々の異種元素、例えばH,C,0、S1N、I)、B、
ハロゲン、Ge等を含んでいてもよく、また多層構造で
あってもよい)、Se膜、5e−As膜、5e−Te膜
、CdS膜、銅フタロシアニン、酸化亜鉛等の無機物質
および/またはビスアゾ系顔料、トリアリールメタン系
染料、チアジン系染料、オキサジン系染料、キサンチン
系染料、シアニン系色素、スチリル系色素、ピリリウム
系染料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、インジゴ系
顔料、ペリレン系顔料、多環キノン系顔料、ビスベンズ
イミダゾール系顔料、インダスロン系顔料、スクアリリ
ウム系顔料、フタロシアニン系顔料等の有機物質を含有
する樹脂膜等が例示される。
これ以外にも、光を吸収し極めて高い効率で電荷担体を
発生する材料であれば、いずれの材料であってら使用す
ることができる。
電荷発生層は公知の方法、例えば上記物質の粉体を適当
な樹脂に分散させ成膜する方法を使用して設けてもよく
、本発明において電荷輸送層をプラズマ法で形成4゛る
場合には、電荷発生層ら同様の方法で成膜したほうが、
製造装置コスト、工程の省力化につながり好ましい。ま
た電荷発生層を公知の方法で設ける場合には上記物質の
粉体の表面をあらかじめプラズマ重合により薄膜コーテ
ィング処理し成膜したa様物質を使用することも有効で
ある。例えば、樹脂中にこれらを分散する場合には、表
面コートすることで分散性が向上したり、耐溶剤性を加
味させ、変質を防止する等の手段が考えられる。
電荷発生層は、感光体のどの位置に設けてもよく、たと
えば最上層、最下層、中間層いずれに設けてもよい。膜
厚は素材のWi類、特にその分光吸収特性、露光光源、
目的等にもよるが、一般に55On+eの光に対して9
0%以上の吸収が得られるように設定される。a −S
 iの場合で0.1〜3μmである。
本発明においては、a−C電荷輸送層の帯電特性を調節
するために、炭素または水素以外のヘテ口原子を混入さ
せてもよい。例えば、正孔の輸送特性をさらに向上させ
るために、周期律表第■族原子、あるいはハロゲン原子
を混入してもよい。
電子の輸送特性をさらに向上させるために、周期律表第
■族原子あるいはアルカリ金属原子を混入してもよい。
正負両キャリアの輸送特性を更に向上させるために、S
t、Ge、アルカリ土類金属、カルコゲン原子を混入し
てもよい。
これらの原子は複数用いてもよいし、目的により、電荷
輸送層内で、特定の位置だけに混入してもよいし濃度分
布等を有してもよいが、いずれの場合においてら重要な
ことは、該プラズマ重合膜中に、不飽和結合を有する炭
素数N、と不飽和結合を有しないNtの比N、:N、が
0.3:l〜2:lであるように形成することである。
第1図から第12図は本発明感光体の一態様を示す模式
的断面図である。図中、(1)は基板、(2)は電荷輸
送層としてのa−C膜、(3)は電荷発生層を示してい
る。第1図に示す態様の感光体において、例えば十帯電
し続いて画像露光すると、電荷発生層(3)でヂャージ
キャリアが発生し電子は表面電荷を中和する。一方、正
孔はa−C膜(2)の優れた電荷輸送性に保証されて基
板(1)側へ輸送される。第1図の感光体を一帯電で用
いるときは、上記と反対にa−C膜(2)中を電子が輸
送される。
第2図の感光体はa−C膜(2)を最上層として用いた
例で、十帯電で用いるときは、a−C膜(2)中を電子
か一帯電で用いるときはa−C膜中を正孔が輸送される
第3図に示す感光体は、基板(1)上に電荷輸送層(2
)を有し、電荷発生層(3)が該電荷輸送層(2)にサ
ンドイッチされるように設けられた例である。
第4図〜第6図に示す感光体は、第1図〜第3図におい
て示した感光体においてさらにオーバーコート層(4)
として厚さ0.01〜5μmの表面保護層を設けた例で
、感光体が使用されるシステムおよび環境に応じて電荷
発生層(3)あるいは電荷輸送層a−C膜(2)の保護
と初期表面電位の向上を図ったものである。表面保護層
は公知の物質を用いればよく、本発明においては、有機
プラズマ重合によって設けることが製造工程の面等から
望ましい。本発明a−C膜を使用してもよい。この保護
層(4)にも必要に上りへテロ原子を混入してもよい。
第7〜9図に示す感光体は、第1図〜第3図において示
した感光体においてさらにアンダーコート層(5)とし
て厚さ0.01〜5μlの接着層、あるいは障壁層を設
けた例で、用いる基板(1)またはその処理方法に応じ
て、接着性または注入防止効果を図ったものである。ア
ンダーコート層は公知の材料を用いればよく、この場合
も有機プラズマ重合法によって設けることが望ましい。
本発明によるa−C膜を用いてもよい。更に第7〜9図
の感光体に第4〜6図で示したオーバーコート層(4)
を設けてもよい(第1θ図〜第12図)。
本発明感光体は電荷発生層と電荷輸送層とを有する。従
ってこれを製造するには少なくとも二工程を必要とする
。電荷発生層として、例えばグロー放電分解装置を用い
て形成したa−9i層を用いるときは、同一の真空装置
を用いてプラズマ重合を行なうことが可能であり、従っ
てa−C電荷輸送層や表面保護層、バリア一層等はプラ
ズマ重合法により行なうのが特に好ましい。
本発明による電子写真感光体の電荷輸送層は、気相状態
の分子を威圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気
中に含まれる活性中性種あるいは娼:1電種を基板上に
拡散、電気力、あるいは磁気力等により誘導し、基板上
での再結合反応により固相として堆積させる、所謂プラ
ズマ重合反応から生成される。
第13図および第14図は、本発明に係る感光体の製造
装置で容量結合型プラズマCVD装置を示す。第13図
は平行平板型プラズマCVD装置、第14図は円筒型プ
ラズマCVD装置を示す。
電荷輸送層としてプラズマ重合ブタジェン(C。
1−1s)aを何4゛る感光体を例にとり、その製造法
を第13図を用いて説明する。
第13図は本発明に係わる電子写真感光体の製造装置を
示し、図中(701)〜(706)は常温において気相
状態にある原料化合物およびキャリアガスを密封した第
1乃至第6タンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節
弁(707)〜(712)と第1乃至第6流量制御器(
713)〜(71B)に接続されている。
図中(719)〜(721)は常温において液相または
固相状態にある原料化合物を封入した第1乃至第3容器
で、各々の容器は気化のため第!乃至第3温調器(72
2)〜(724)により温調可能、例えば、常温〜15
0℃、あるいは−50℃〜常温であり、さらに各々の容
器は第7乃至第9調節弁(725)〜(727)と第7
乃至第9流量制御器(72B)〜(730)に接続され
ている。
これらのガスは混合器(731)で混合された後、主管
(732)を介して反応室(733)に送り込まれる。
途中の配管は、常温において液相または固相状態にあっ
た原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しないよう
に、適宜配置された配管加熱器(734)により、与熱
可能とされている。
反応室内には接鵬電極(735)と電力印加電極(73
(i)が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器(
737)により与熱可能とされている。
電力印加電極には、高周波電力用整合器(738)を介
して高周波電源(739)、低周波電力用整合器(74
0)を介して低周波電源(741)、ローパスフィルタ
(742)を介して直流電源(743)が接続されてお
り、接続選択スイッチ(,744)により周波数の異な
る電力が印加可能とされている。
反応室内の圧力は圧力制御弁(745)により調整可能
であり、反応室内の減圧は、排気系選択弁(746)を
介して、拡散ポンプ(747)、油回転ポンプ(74B
)、あるいは冷却除外装置(749)、メカニカルブー
スターポンプ(750)、油回転ポンプにより行なわれ
る。
排ガスについては、さらに適当な除外装置(753)に
より安全無害化した後、大気中に排気される。
これら排気系配管については、常温において液相または
固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器により、
与熱可能とされている。
反応室も同様の理由から反応室加熱器(751)により
与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性基板(
752)が設置される。
第13図に於いて導電性基板は接地電極に固定して配さ
れているが、電力印加電極に固定して配されてもよく、
更に双方に配されてもよい。
感光体製造に供“ケる反応室は、拡散ポンプにより予め
to−’乃至1O−6程度にまで減圧し、真空度の確認
と装置内部に吸着したガスの脱着を行う。
同時に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配
された導電性基板を所定の温度まで昇温する。
次いで、第1乃至第6タンクおよび第1乃至第3容器か
ら原料ガスを第1乃至第9流量制御器を用いて定流量化
しながら反応室に導入し、圧力調節弁により反応室内を
一定の減圧状態に保つ。
ガス施量が安定化した後、接続選択スイッチにより、例
えば高周波電源を選択し、電力印加電極により高周波電
力を投入する。
両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の膜が形成される。
以上の構成において、例えば第1図に示した感光体を製
造する場合、反応槽(733)を一定の真空状態として
から、例えばガスライン(732)を介して第1タンク
(701)よりC,Il、ガス、第2タンク(702)
よりキャリアガスとしてII、ガスを供給する。
一方、高周波電源(739)より上部電極板(736)
に10 watLs−1kwattsの電力を印加し両
電極板間にプラズマ放電を起こし、予め加熱されたA1
2基板(752)上に厚さ5〜50μmのa−C電荷輸
送層(2)を形成する。この電荷輸送層は本発明により
生成したa−(JJ中、不飽和結合を有する炭素数N、
と不飽和結合を有しない炭素数N、の比Nl:間オが0
゜3:1ないし2:lである。この比は他のN、が0.
3二lないし2:1である。こめ比は他の製造条件にら
依存するが直流電圧源(743)からl0V−IKVの
バイアス電圧を印加することにより制御できる。即ち、
不飽和結合を有する炭素数はバイアス電圧を高くするこ
とによって減少し、a−C膜自体の硬度を高くすること
かできる。こうして形成されたa−CI電荷輸送層透光
性、暗抵抗に優れ、キャリアの輸送性に著しく優れてい
る。尚、この層に、例えば第4タンク(704)より[
3mHmガス、または第5タンク(705)よりPH,
ガスを導入してP、N型に制御して電荷輸送性を一層高
めても良い。
次に電荷発生層(3)は、第2及び第3タンク(702
)、(703)よりH,,5i11.ガスを導入するこ
とによりa −S iを母体とする層として形成される
また、電荷輸送層形成のため反応槽(733)へ導入す
る化合物が液体状の物質であるときは、先述の方法でガ
スを反応槽(733)へ導入し、プラズマ重合させれば
よい。
また沸点の高いa機化合物からa−C膜を形成ずろ場合
は、基板上にあらかじめそれらの物質を塗布しておき、
次に真空槽中でキャリアーガス等のプラズマを照射して
、重合を開始させてもよい(所謂プラズマ重合法)。
本発明におけるa−C膜形成プラズマ重合法は、さらに
レザービーム、紫外線、X線あるいは電子線等の電磁波
を単独で、あるいは補助的に照射し、a−C膜を形成す
ること(光アシスト法)や磁界、バイアス直流電界のア
シストら有効である。光アシスト法は、a−C模の堆積
速度を向上させ、製造時間をさらに短縮させたい場合や
、a−C膜の硬度を上昇させたい場合に有効である。
以下の実施例では、板状感光体を形成する場合には第1
3図を、円筒状感光体を形成する場合には第14図を用
いて説明を行うこととする。しかしながら、常温でガス
状の原料を用いろ場合には第13図、第14図がそのま
ま適用されるが、ガス状以外の場合、即ち、固体、液体
の場合には第15図に示すがごとき、固体または液体を
気化すべき気化手段(32)、(33)、(34)を別
に設ける必要がある。図示しないが、円筒状感光体製造
装置に於いても同様である。煩雑さを避けるため、以下
の実施例では全て第13図、第14図で説明することと
した。
以下、実施例を挙げ、本発明を説明する。
実施例1 (1)電荷輸送層(a−C層の形成) 第13図に示ケグロー放電分解装置において、まず、反
応槽(733)の内部をI O−@Torr程度の高真
空にした後、第1および第2バルブ(707)および(
708)を開放し、第1タンク(701)よりl。
3−ブタジェン(C4[18)ガス、第2タンク(70
2)よりH2ガスを出力圧ゲージ1Kg/cm’の下で
マスフローコントローラ(713)および(714)内
へ流入させた。そして、各マスフローコントローラの目
盛を調整して、C4Heの流量を60sec+*、 I
ltを200 secmとなるように設定して反応槽(
733)内へ流入した。夫々の流量が安定した後に、反
応槽(733)の内圧が0 、2 Torrとなるよう
に調整した。
一方、導電性基板(752)としては、2X50X50
mI11のアルミニウム板を用いて80℃に予じめ加熱
しておき、各ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で
高周波電源(739)を投入し上部電極板(736)に
200 wattsの電力(周波数100Kllz)を
印加して約50分プラズマ重合を行ない、導電性J1(
板(752)上に、厚さ約15μmのプラズマ重合ブタ
ジェン膜からなる電荷輸送層を形成した。
以上のようにして得られたプラズマ重合ブタジェン膜を
フーリエ変換赤外分光(パーキンエルマー社製)、13
C−NMR装置(日本電子社製固体NMIυおよび’ 
H−N M It装置(日本電子社製固体NMR)等で
測定し、分析したところ、プラズマ重合ブタジェン膜の
化学構造においては、不飽和結合を77する炭素数N、
と不飽和結合を有しない炭素数N、の比N 1: N 
tは約2=1であった。またその膜の電気抵抗を測定し
たところ、暗抵抗がIxlO”ΩcI11以下であり、
明暗抵抗比がIO!〜10’以上であった。本発明プラ
ズマ重合ブタジェン膜は電子写真感光体として十分使用
できることが判った。
(II)電荷発生層(a −S i層の形成)基板(1
)上にプラズマ重合ブタジェン膜を(1)の過程により
形成後、高周波電源(739)からの電力印加を一次停
止し、反応槽の内部を真空にした。
第4、第3および第2バルブ(710)、(709)お
よび(708)を開放し、第4タンク(710)よりN
、0ガス、第3タンク(703)よりSiH+ガス、第
2タンク(702)からH、ガスを出力圧ゲージIKg
/ca”の下でマスフローコントローラ(716)、(
715)および(734)内へ流入させた。各マスフロ
ーコントローラの目盛を調整して、N、0の流量を1 
、 Osccm、5illsの流量を90secm、 
Htの流量を210secmに設定し、反応槽に流入さ
せた。夫々の流量が安定した後に、反応槽(733)の
内圧か0.8Torrとなるよう調整した。一方、a−
C膜が形成されている導電性基板(752)は250℃
に加熱しておき、ガス流量が安定し、内圧が安定した状
態で高周波源(739)を投入し、電極板(736)に
35Wの電力(周波数13.56MHz)を印加してグ
ロー放電を発生させた。このグロー放電を5分間行ない
厚さ0.3μmのa−9i:II電荷発生層を形成させ
た。
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ、帯電電位は一600■であり、即し、全感光
体膜厚が15.3μ麓であることから、1μ肩当たりの
帯電能は約40Vと極めて高く、このことから充分な帯
電性能を有することが理解された。
暗中にて、voから5秒間で暗減衰する比率(DI) 
n s (%))は2%であり、充分な電荷保持性能を
aすることが理解された。
感光体を初期帯電させた後、白色光を用いて、表面電位
を半減させるに必要とされた光量は約7゜112ux−
secであり、このことから、充分な光感度性能を有す
ることが理解された。
また、タングステンランプにより実使用に準じた光重で
光イレースした後の、残留電位Vrは、−310Vであ
り、イレース特性も良好であることが理解された。
以上より、本例に示した感光体は、優れた性能を有する
ものである。また、この感光体に対して常用のカールソ
ンプロセスの中で作像して転写したところ、鮮明な画像
が得られた。
得られた感光体の特性を表■こ示す。
なお、繰り返し安定性の評価は、◎は帯電、露光、イレ
ース100回の繰り返しの間に、VO%一定光量の光J
16射後の表面電位Vi1およびVRの変化率が一10
%〜+lO%である状態を、○は同変化率が一20%〜
+20%である状態を、△は同変化率が一40%〜+4
0%である状態示す。
Egはa−C膜のエネルギーギャップ(eV)を示す。
表  1 実施例2〜7 実施例1と同様に2X50X50mmのアルミニウム板
トに電荷輸送層およびTi A発生層を順次形成した第
1図に示した感光体を形成した。電荷発生層は実施例1
と同一の条件で形成した。電荷輸送層の形成条件および
得られた感光体特性を表2中にまとめた。
表2(続き)(実施例2〜7) 表2(続き)(実施例2〜7) 実施例8〜11 導電性基板(3x50X50mmアルミニウム基板)七
に電荷発生層および電荷輸送層を順次積層した第2図に
示した構成の感光体を形成した。
電荷発生層は、チタ÷ルフタロシアニン(Ti01’c
)を真空蒸着の常法により、ボート温度500〜600
℃、真空度5XIO−@〜lXl0−’’I’orr、
および蒸着時間約10分の条件に行った。
得られた′I″10Pc蒸着膜の厚さは1000人であ
りノこ。
電荷輸送層は、実施例1と同様の方法によりプラズマ重
合により形成した。作製条件を表3中に示し7た。また
得られた感光体の特性も表3に示しノー。
表 3 (実施例8〜11) 表3(続き) (実施例8〜II) 実施例12〜15 導電性基板(3X50X50+*aアルミニウム基板)
上に電荷発生層および電荷輸送層を順次積層した感光体
を形成した。
電荷発生層はモノクロロアルミニウムモノクロロフタロ
シアニン(A2CQPc(CQ))を真空蒸着の常法に
より、ボート温度450〜490℃、真空度5xlO−
” 〜Ixlθ−’Torr、および蒸着時間約5分の
条件で行った。得られたAQC(lPc(CI2))蒸
着膜の厚さは約500人であった。
電荷輸送層は実施例1と同様にプラズマ重合により形成
した。形成条件および得られた感光体特性を表4中に示
した。
表 4 (実施例12〜15) 表4(続き)(実施例12〜15) 実施例I6 導電性基板(3x50x50mmアルミニウム基板)上
に電荷発生層および電荷輸送層を順次積層(、た第2図
に示した構成の感光体を作製した。
電荷発生層および電荷輸送層は実施例1と同様にプラズ
マ重合により作製した。
作製条件および得られた感光体の特性を表5に示した。
表 5 (実施例16) 実施例17〜20 本実施例において、導電性基板上に有機系感光層(A−
1))、オーバーコート層を順次積層した感光体を得た
以下、縦50×横50×厚さ3nonの平板状アルミニ
ウム基板上に形成したものを補助記号pをIIIいてf
j機系感光層A p −D pと称し、直径30mmX
長さ330+nl11の円筒状アルミニウム基板上に形
成したらのを補助記号dを用いて有機系感光層Ad〜D
(1と称する。
rf機系感光層への作製 ジスアゾ顔料としてクロロジアンブルー(CD13月凱
ポリエステル樹脂(東洋紡社製V−200)1g、およ
びシクロへキサノン981/の混合液をサンドブライン
グーで13時間分散した。この分散液を縦50X横50
×厚さ3mmの平板状アルミニウム基板」二にバーコー
ターを用いて乾燥後の膜厚が0.3μ肩となるように塗
布し、乾燥して電荷発生層を形成した。
次いで、4−ジエチルアミノベンズアルデヒド−ジフェ
ニルヒドラゾン(DEH)59、およびポリカーボネー
ト(音大化成社製に−1300)5gをTl−IF50
9に溶解させ、この溶液を電荷発生層上に乾燥後膜厚が
15μlとなるように塗布し、乾燥させて電荷輸送層を
形成し、有機系感光層Apを得た。
同様の工程にて、ディッピングを用いて、直径80mt
aX長さ330mmの円筒状アルミニウム基板上に有機
系感光層Adを形成した。
有機系感光層Bの作製 電荷輸送層形成用のポリカーボネートをメチルメタクリ
レート(1)MMA)(三菱レーヨン社製l3R−85
)に代える以外は有機系感光層AI)SAdと同様にし
て何機系感光層BpSBdを作製した。
有機系感光層Cの作製 ポリカーボネートをポリアクリレート(ユニチカ社製U
−4000)に代える以外は有機系感光層Ap、Adと
同様にして有機系感光層CI)1Cdを作製した。
有機系感光層りの作製 ポリカーボネートをポリエステル(東洋紡社製V−20
0)に代える以外はtT機系感光層A I)、 A d
と同様にしてFr機系感光層Dp、Ddを作製した。
上記有機系感光層A p −D p上に、第13図に示
すグ【l−放電分解装置を使用し、a−C膜よりなるオ
ーバーコート層を作製した。作製操作等は実施例1に準
じ、作製条件を表6中に示した。
感光体特性としては、実施例!で測定した特性の他、J
IS−に−5400規格に基づいた鉛筆硬度を測定した
さらに、得られた感光体を、温度10℃、相対湿度30
%の低温低湿雰囲気と、温度50°C1相対湿度90%
の高温高湿雰囲気とが30分ごとに交互に繰り返される
環境下に6時間放置した後、表面保護層の剥離、あるい
は、ひび割れ等を観察した。
また、有機系感光層Ad−Ddで構成される各感光体に
ついて、ミノルタ社製複写機EP650Zに搭載したと
ころ、いわゆるメモリー画像の無い鮮明な画像が得られ
、更に、温度35℃相対湿度80%の環境下で実写して
も、いわゆる画像流れは認められなかった。また、複写
機内での現像剤、転写紙、並びに、清掃部材との接触に
おいても、表面保護層の剥離は認められなかった。また
、通常の室内において、実写を20万枚(A4用紙)行
ったところ、最後まで鮮明な画像が得られた。また、2
0万枚複写後の摩耗度および感光体表面の膜の発生の有
無を観察した。
以上の結果は表6中にまとめた。
表 6 (実施例17〜19) 表6(続き)(実物例17〜19) 実施例21および22 導電性7,1.板上に無機感光層(Sc−AsおよびS
e/ i’ c)、オーバーコート層を順次積層した感
光体を得ノニ。
即も、直径80×長さ329mmのアルミニウム管に、
予め’Jlの真空蒸着装置を用いて常法に従い、50μ
mの膜厚に形成した5e−As感光体層(実施例21)
およびS e/ T e感光体層(実施例22)上に第
14図に示すグロー放電分解装置を使用し、実施例1に
卆じ、表7に示す条件で、a−C膜のオーバーコート層
を形成した。
感光体特性として実施例17〜19と同様に測定し、結
果を表7中に示した。
得られた両感光体をミノルタ社製複写機rEl)650
Zに搭載し実写したところ、いわゆるメモリー画像の無
い鮮明な画像が得られ、更に、温度35℃相対湿度80
%の環境下で実写しても、いわゆる画像流れは認められ
なかった。また、複写機内での現像剤、転写紙、並びに
、清掃部材との接触においてら、表面保護層の剥離は認
められなかった。また、通常の室内において、実写を2
5万枚行ったところ、最後まで鮮明な画像が得られた。
また、5e−As感光体層を用いf二感光体(実施例2
+)については、25万枚実写後、オージェ分析により
表面の組成分析を行なったところ、セレンあるいは砒素
等は検出されなかった。これらのことから、本発明によ
る感光体の表面保護層は、画像品位を損なわずに、耐久
性の向上と、a害性の改善を達成するものであることか
理解された。
Se/Te感光体層を用いた感光体(実施例22)につ
いては、得られた感光体をミノルタ社製複写機EP65
0Zに搭載し、光学系を半導体レーザ、ポリゴンミラー
スキャナ、および駆動系等から成る、常用の半導体レー
ザ露光系に変更して実写したところ、いわゆるメモリー
画像の無い鮮明な画像が得られ、更に、温度35℃相対
湿度80%の環境下で実写しても、いわゆる画像流れは
認められなかった。また、複写機内での現像剤、転写紙
、並びに、清掃部材との接触においても、表面保護層の
剥離は認められなかった。また、通常の室内において、
実写を20万枚行ったところ、最後まで鮮明な画像が得
られた。また、20万枚実写後、オージェ分析により表
面の組成分析を行ったところ、セレンあるいはテルル等
は検出されなかった。
これらのことから、本発明による感光体の表面保護層は
、画像品位を損なわずに、耐久性の向」−と、(ノー胃
性の改丹を達成するらのであることが理解された。
表 7 (実施例21〜22) *’780nmの光を用いて測定。
害庸俗!3〜2−4 導電性基板(2x20x20mmのアルミニウム基板l
:に、電6:j輸送層および7ft 6i?発生層を順
次形成し、第1図に示した構成の感光体を作製した。
電荷輸送層および電荷発生層の形成条件および得られた
感光体特性を表8〜lOに示した。
表 8 (実施例23) 表 9 (実施例24) 表 10  (実施例25) *1 加熱器により約20℃に加熱。
比較例1 実施例23の工程(1)で作製された本発明によるプラ
ズマ・R合アセチレン膜の代わりに、低密度ポリエチレ
ン膜をTr機重合の常法により厚さくi /1灰に作製
しくこのポリエチレン膜中のN+:N2は約0.1:9
9.9、即ち、I :999であった)、その上に実在
例1と同様に工程(IT)を施した。また電気抵抗は約
to18Ω口であり絶縁体であっノコ。
得られた感光体の性能評価(II[)を行なったところ
、感光体は光感度がなく、数回の繰り返してすぐチャー
ジアップし、電子写真には使用できないしのであった。
曳柁倒−2− アルミニウム括板上にa−8i層のみを形成した感光体
を作製した。作製は実施例1と同様の条件下で3.25
時間行い、厚さ6.5μli!のa−9i14を形成し
た。
得られた感光体の性能評価を行ったところ、得られた感
光体i1V、=−100V、El/2=2.7QuX−
5eCであり、十極性では十分な帯電能が得られなかっ
た。
発明の効果 本発明による有機プラズマ重合膜を電荷輸送層に何する
感光体は電荷輸送性、帯電能に浸れ、膜厚が薄くても充
分な表面電位を得ることができ、かつ良好な画像を得る
ことができる。本発明に従えば、電荷発生層にa−8i
を使用する場合、従来のa−9i感光体では達成ケろこ
とのできなかった薄膜の感光体を得ることができる。
本発明感光体はその原料が安価であり、必要な6層が同
一の槽内て成j漠できるととしに、膜厚が薄くてよいの
で、製造コストが安く、かつ製造時間か短くて済む。 
本発明による有機プラズマ重合膜は、薄膜に形成しても
ピンホールが生じにく、均質に形成することができるの
で、薄脱化が容易である。さらに蔚コロナ性、耐酸性、
耐湿性、耐熱性、トナーの離型性および剛直性にも簡れ
ているので、表面保護層として使用すると感光体の耐久
性が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図から第12図は本発明感光体の模式的断面図を示
す。 第13図および第14図は感光体製造装置を示す概略図
である。 図中の記号は以下の通りである。 (1)−JIr;板    (2)=・電荷輸送層(a
−C層)(3)・・・電り:j発生層 (4)・・・オ
ーバーコート層(5)・・・アンダーコート層 (701)〜(706)・・・タンク (707)〜(712)及び(725)〜(727)・
・・調節弁(713)〜(718)及び(72g)〜(
730)・・・マスフローコントローラー (719)〜(721)・・・容器(732)・・・主
管(733)・・・反応室   (735)・・・接地
電極(736)・・・電力印加用電極 (739)・・・高周波電源 (741)・・・低周波
電源(743)・・・直流電圧源 (747)〜(750)・・・真空ポンプ(752)・
・・導電性1.(板 絡】図    第2図 第4図     第5図 第7図    第8図 第3図 第9図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)とを有する機
    能分離型感光体において、電荷輸送層(2)が水素を含
    む非晶質炭素膜で、その化学構造において不飽和結合を
    有する炭素数N_1と不飽和結合を有しない炭素数N_
    2の比N_1:N_2が0.3:1ないし2:1である
    ことを特徴とする感光体。
JP62057078A 1987-03-12 1987-03-12 感光体 Pending JPS63223661A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62057078A JPS63223661A (ja) 1987-03-12 1987-03-12 感光体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62057078A JPS63223661A (ja) 1987-03-12 1987-03-12 感光体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63223661A true JPS63223661A (ja) 1988-09-19

Family

ID=13045436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62057078A Pending JPS63223661A (ja) 1987-03-12 1987-03-12 感光体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63223661A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4913994A (en) Photosensitive member composed of charge transporting layer and charge generating layer
JPS6373259A (ja) 感光体
JPS63223661A (ja) 感光体
US4851313A (en) Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer and process for preparing same
JPS62238569A (ja) 感光体
JPS62238574A (ja) 感光体
US4913993A (en) Photosensitive member composed of charge transporting layer and charge generating layer
JPS62238570A (ja) 感光体
JPS62238572A (ja) 感光体
US4876168A (en) Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer comprising amorphous carbon containing chalogen or transition metal
JPS62238571A (ja) 感光体
JPS63218963A (ja) 感光体
JPS6373260A (ja) 感光体
JPS63220168A (ja) 感光体とその製造方法
JPS6381485A (ja) 感光体
JPS63169655A (ja) 感光体
JPS6381478A (ja) 感光体
JPS63169652A (ja) 感光体
JPS63169651A (ja) 感光体
JPS6373261A (ja) 感光体
JPS63218961A (ja) 感光体
JPS6326658A (ja) 感光体
JPS63170654A (ja) 感光体
JPS62220960A (ja) 感光体
JPS63218962A (ja) 感光体