JPS62220959A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 番！上Δ机朋分匪 本発明は感光体、特に電子写真感光体に関する。

従来技術 カールソン法の発明（１９３８年、ＵＳＰ２２２１７６
）以来、電子写真の応用分野は著しい発展を続け、電子
写真用感光体にも様々な材料が開発され実用化されてき
た。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。

また、その構成形態としては、これらの物質を単体で用
いる単層型構成、結着材中に分散させて用いるバング−
型構成、機能別に電荷発生層と電荷輸送層とを設ける積
層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられてきた電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。

その一つとして人体への有害性が挙げられるｈさ、前述
したアモルファスシリコンを除く無機物質においては、
いずれも好ましくない性質を持つものであった。

また、電子写真感光体が実際に複写機内で用いられるた
めには、帯電、露光、現像、転写、除電、清掃等の苛酷
な環境条件にさらされた場合においても、常に安定な性
能を維持している必要があるが、前述した有機物質にお
いては、いずれも耐久性に乏しく、性能面での不安定要
素が多かった。

このような問題点を解決すべく近年、感光体、特に電子
写真用感光体にプラズマ化学蒸着法（以下、プラズマＣ
ＶＤ法という）により作製されたアモルファスシリコン
（以下、ａ−Ｓｉと略す）が採用されるに至っている。

ａ−Ｓｉ感光体は種々の優れた特性を有する。しかしａ
　−Ｓ　ｉは比誘電率εが１２程度と大きいため、感光
体として充分な表面電位を得るためには、本質的に最低
２５μｍ程度の膜厚が必要であるという問題がある。ａ
−９ｉ悪感光は、プラズマＣＶＤ法においては膜の堆積
速度が遅いため作製に長時間を要し、さらに均質な膜の
ａ　−Ｓ　ｉを得ることが作製時間が長くなる程難しく
なる。その結果、ａ−Ｓｉ感光体は白斑点ノイズ等の画
像欠陥が発生する確率が高く、さらに原料費が高いとい
う欠点等がある。

上記の欠点を改良するための種々の試みがなされている
が、本質的に膜厚をこれより薄くすることは好ましくな
い。

一方、ａ　−Ｓ　ｉ感光体は基板とａ−９ｉとの密着性
、さらに耐コロナ性、耐環境性あるいは耐薬品性が悪い
といった欠点も存在する。

そのような問題点を解消するため有機プラズマ重合膜を
ａ−９ｔ感光体のオーバーコート層あるいはアンダーコ
ート層として設ける事が提案されている。前者の例は、
例えば特開昭６０−６１７６１号公報、特開昭５９−２
１４８５９号公報、特開昭５１−４６１３０号公報ある
いは特開昭５０−２０７２８号公報等が知られており、
後者の例としては、例えば特開昭６０−６３５４１号公
報、特開昭５９−１３６７４２号公報、特開昭５９−３
８７５３号公報、特開昭５９−２８１６１号公報あるい
は特開昭５６−６０４４７号公報等が知られている。

有機プラズマ重合膜はエチレンガス、ベンゼン、芳香族
シラン等のあらゆる種類の有機化合物のガスから作製で
きること（例えばニー、ティ２ベル（Ａ　、Ｔ　、Ｂｅ
１ｌ）、エム、シヱン（Ｍ　、　Ｓ　ｈｅｎ）ら、ジャ
ーナル　オブ　アプライド　ポリマー　サイエンス（Ｊ
ｏｕｎａｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｏｌｙｍ
ｅｒ　５ｃｉｅｎｃｅ）、第１７巻、８８５−８９２頁
（１９７３年）等）が知られているが、従来の方法で作
製した有機プラズマ重合膜は絶縁性を前提とした用途に
限って用いられている。従って、それらの膜は通常のポ
リエチレン膜のごと＜　Ｉ　Ｏ”Ｑｃｘ程度の電気抵抗
を有する絶縁膜と考えられ、あるいは少なくともその様
な膜であるとの認識のもとに用いられていた。

特開昭６０−６１７６１号公報記載の技術は、５００人
〜２μｍのダイヤモンド状炭素絶縁膜を表面保護層とし
て被覆した感光体を開示している。

この炭素薄膜はａ−Ｓｉ感光体の耐コロナ放電および機
械的強度を改良するためのものである。重合膜は非常に
薄く、電荷はトンネル効果により膜中を移動し、膜自体
電荷輸送能を必要としない。また、有機プラズマ重合膜
のキャリアー輸送性に関しては一切記載がないし、ａ　
−Ｓ　ｉの持つ前記した本質的問題を解決するものでな
い。

特開昭５９−２１４８５９号公報には、エチレンやアセ
チレン等の有機炭化水素モノマーをプラズマ重合により
厚さ５μｍ程度の有機透明膜をオーバーコート層として
被膜する技術が開示されているが、その層はａ−Ｓｉ感
光体の剥離、耐久性、ピンホール、生産効率を改良する
ものである。有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に
関しては一切記載がないし、ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記し
た本質的問題を解決するものでない。

特開昭５１−４６１３０号公報には、Ｎ−ビニルカルバ
ゾールをグロー放電により、表面に厚さ３μｍ−０，０
０１μｍの有機プラズマ重合膜を形成した感光体を開示
している。この技術は、正帯電でしか使用できなかった
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール系感光体を両極性帯電で
使用可能にすることを目的とする。この膜はｏ、ｏｏｔ
〜３μｍと非常に薄く、オーバーコート的に使用される
。

重合膜は非常に薄く、電荷輸送能を必要としないものと
考えられる。また、重合膜のキャリアー輸過性に関して
は一切記載がないし、ａ−３ｉの持つ前記した本質的問
題を解決するものでない。

特開昭５０−２０７２８号公報には、基板上に増感層、
有機光導電性電気絶縁体とを順次積層し、さらにその上
に厚さ０．１〜１μｍのグロー放電重合膜を形成する技
術が開示されているが、この膜は湿式現像に耐えるよう
に表面を保護する目的のものであり、オーバーコート的
に使用される。

重合膜は非常に薄く、電荷輸送能を必要としない。

また、重合膜のキャリアー輸送性に関しては一切記載が
ないし、ａ−Ｓｔの持つ前記した本質的問題を解決する
ものでない。

特開昭６０−６３５４１号公報は、ａ　−Ｓ　ｔのアン
ダーコート層に２００人〜２μｍのダイヤモンド状有機
プラズマ重合膜を使用した感光体について開示している
が、その有機プラズマ重合膜は基板とａ　−Ｓ　＋の密
着性を改善する目的のものである。

重合膜は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効果により
膜中を移動し、膜自体は電荷輸送能を必要としない。ま
た、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関しては
一切記載がないし、ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記した本質的
問題を解決するものでない。

特開昭５９−２８１６１号公報には、幕板上に有機プラ
ズマ重合膜、ａ　−Ｓ　ｉを順次形成した感光体が開示
されている。有機プラズマ重合膜は、その絶縁性を利用
したアンダーコート層でありブロッキング層、接着層あ
るいは剥離防止層として機能するものである。重合膜は
非常に薄くてよく、電荷はトンネル効果により膜中を移
動し、膜自体は電荷輸送能を必要としない。また、有機
プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関しては一切記載
がないし、ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記した本質的問題を解
決するものでない。

特開昭５９−３８７５３号公報には酸素、窒素および炭
化水素の混合ガスからプラズマ重合により１０〜１００
人の有機プラズマ重合薄膜を形成し、その上にａ　−Ｓ
　ｉ層を成膜する技術が開示されている。有機プラズマ
重合膜は、その絶縁性を利用したアンダーコート層であ
りブロッキング層あるいは剥離防止層として機能するも
のである。重合膜は非常に薄くてよく、電荷はトンネル
効果により膜中を移動し、膜自体は電荷輸送能を必要と
しない。また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性
に関しては一切記載がないし、ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記
した本質的問題を解決するものでない。

特開昭５９−１３６７４２号公報には、基板上に約５μ
ｍの有機プラズマ重合膜、シリコン膜を順次形成する半
導体装置が開示されている。しかし、その有機プラズマ
重合膜は、基板であるアルミニウムのａ−８ｔへの拡散
を防止する目的のものであるが、その作製法、膜質等に
関しては一切記載がない。また、有機プラズマ重合膜の
キャリアー輸送性に関しても一切記載がないし、ａ−９
ｉの持つ前記した本質的問題を解決するものでない。

特開昭５６−６０４４７号公報には、プラズマ重合によ
る有機光導電性膜の形成方法が開示されているが、電子
写真での応用の可能性については全く言及されておらず
、さらに電荷発生層もしくは光導電層としての開示であ
り、本発明とは異なる。また、ａ　−Ｓ　ｔの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。

発明が解決しようとする問題点 以上のように、従来、感光体に用いられている有機重合
膜はアンダーコート層あるいはオーバーコート層として
使用されていたが、それらはキャリアの輸送機能を必要
としない膜であって、有機重合膜が絶縁性であるとの判
断にたって用いられている。従ってその厚さも高々５μ
ｍ程度の極めて薄い膜としてしか用いられず、キャリア
はトンネル効果で膜中を通過するか、トンネル効果が期
待できない場合には、実用上の残留電位としては問題に
らないですむ程度の薄い膜でしか用いられていない。

本発明者らは、有機重合膜の感光体への応用を検討して
いるうちに、本来絶縁性であると考えられていた有機重
合膜がメチル基含量を増加させることにより、電気抵抗
が低下し、電荷輸送性を示し始める事を見い出した。

本発明はその新たな知見を利用することにより、従来の
ａ　−Ｓ　ｉ感光体の持つ問題点、すなわちａ　−Ｓｉ
の膜厚、製造時間、製造コスト等における問題点等をす
べて解消し、また従来とは全く使用目的ら、特性も異な
る有機重合膜、特に有機プラズマ重合膜を使用した感光
体およびその製造方法を搗供することを目的とする。

問題点を解決するための手段 すなわち、本発明は電荷発生層（３）と電荷輸送層（２
）とを有する機能分離型感光体において、電荷輸送層（
２）として炭化水素のプラズマ重合膜を設け、該重合膜
中に含有される全炭素原子の２０ないし６０％の炭素原
子がメチル基であることを特徴とする電子写真感光体に
関する。

本発明感光体は少なくとも電荷発生層と電荷輸送層から
構成される。

本発明感光体の特徴は、電荷輸送層として炭化水素の重
合膜を設け、さらにその重合膜中に含有される全炭素原
子の２０ないし６０％の炭素原子がメチル基であること
にある（以下、本発明の重合膜をａ−Ｃ層という）。本
発明によるａ−Ｃ膜中の全炭素原子数は、膜の組成分析
と比重から求める。すなわち有機プラズマ重合膜のＣと
Ｉ−１の組成分υ〒比がＣｘｌ−１ｙ（ｘ−１−ｙ＝　
１　）で、膜の比重がＷ（ｇ／ａｍ’）であると、膜１
　ｃｍ３中の全炭素原子数Ｃｃは下式［Ｉ］： ［式中Ｃｃは全炭素数、Ｗは比重、Ｘおよびｙは炭素お
よび水素の組成分析比、Ａはアボガドロ数（個／ｎｏｔ
）を表す。］で表される。

一方、本発明によるａ−Ｃ層中のメチル基の数（Ｃｍ）
は重合膜の赤外吸収スペクトルの２９６０ｃｍ−’また
は１３８０ｃｍ−’での透過率と膜厚から下式［■］：
［式中Ｃｍはメチル基の数、Ａはアボガドロ数（個／ｍ
ｏｌ）、ε３は定数で赤外吸収スペクトルが２９６０ｃ
ｍ−’のときは７０Ｑ／ｍｏｌ／ｃＩ１１．　１３８０
ｃｒｘ−’のときは１５＋２／ｍａｔ／ｃｍＳｄは膜厚
（ｃｍ）、ＴＯ／Ｔは透過率の逆数を表す。］で表わさ
れる。

本発明は上式［Ｉ］および［１１１に従い、有機重合膜
の全炭素原子数の２０ないし６０％の炭素原子、より好
ましくは２８〜５２％、特に３２〜４８％が適しており
、２０％より少ないと好適な輸送性が得られず、６０％
より多いと膜質の劣化、成膜性の低下をきたす。一般に
メチル基に由来する炭素原子が２０％以上のとき、はじ
めて比抵抗り月ＱｌｌΩｃｍ程度以下となり、キャリア
の易動度が１Ｏ−７Ｃ１１″／（Ｖ　−５ｅｃ）以上と
なる。

本発明のａ−Ｃ膜中には、炭素原子に由来する種々の基
、例えばメチル基、メチレン基あるいはメチン基または
種々の結合様式をした炭素原子、例えば単結合、二重結
合あるいは三重結合等が存在するが、式［Ｉ］及び［Ｉ
［］に従い、該ａ−Ｃ膜中の全炭素原子のうち２０〜６
０％炭素原子がメチル基を成していることが、本発明に
おいては重要である。

ａ−Ｃ層の厚さは５〜５０μｍ、特に７〜２０μｍが適
当であり、５μｍより薄いと表面電位が低く充分な複写
画像濃度を得ることができない。５０μｍより厚いと生
産性の点で好ましくない。このａ−Ｃ層は透光性に優れ
比較的高暗抵抗を有するとともに電荷輸送性に富み、膜
厚を上記のように５μｍ以上としても電荷トラップを生
じることなくキャリアを輸送する。

ａ−ＣＦＪを形成するための有機ガスとしては、炭化水
素が用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしら
気相である必要はなく、加熱或いは減圧等により溶融、
蒸発、昇華等を経て気化しうるちのであれば、液相でも
固相でも使用可能である。

該炭化水素としては、例えば、メタン列炭化水素、エチ
レン列炭化水素、アセチレン列炭化水素、脂環式炭化水
素、芳香族炭化水素等が用いられる。

メタン列炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、
プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサノ、ヘプタン、オ
クタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリ
デカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、
ヘプタデカン、オクタデカン、ノナデカン、エイコサン
、ヘンエイコサン、トコサン、トリコサン、テトラコサ
ン、ペンタコサン、ヘプタコサン、ヘプタコサン、オク
タコサン、ノナコサン、トリアコンタン、トドリアコン
タン、ペンタトリアコンクン、等のノルマルパラフィン
並びに、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イ
ソヘキサン、ネオヘキサン、２゜３−ジメチルブタン、
２−メチルヘキサン、３−エチルペンクン、２．２−ジ
メチルペンクン、２゜４−ジメチルペンクン、３．３−
ジメチルペンクン、トリブタン、２−メチルへブタン、
３−メチルへブタン、２．２−ジメチルヘキサン、２，
２゜５−ジメチルヘキサン、２，２．３−）ジメチルペ
ンクン、２，２．４−）ジメチルペンクン、２，３゜３
−トリメチルペンタン、２，３．４−）ジメチルペンク
ン、イソナノン、等のイソパラフィン、等が用いられる
。

エチレン列炭化水素としては、例えば、エチレン、プロ
ピレン、イソブチレン、１−ブテン、２−ブテン、ｌ−
ペンテン、２−ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３
−メチル−１−ブテン、２−メチル−２−ブテン、ｌ−
ヘキセン、テトラメチルエヂジン、■−ヘプテン、■−
オクテン、■−ノネン、ｌ−デセン、等のオレフィン並
びに、アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェ
ン、ヘキサジエン、シクロペンタジェン、等のジオレフ
ィン並びに、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキ
サトリエン、等のトリオレフイン、等が用いられる。

アセチレン列炭化水素としては、例えば、アセチレン、
メチルアセチレン、ｌ−ブチン、２−ブチン、ｌ−ペン
チン、ｌ−ヘキシン、！−ヘプチン、ｌ−オクチン、ｌ
−ノニン、ｌ−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンクン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、ソルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニジン、カンフエン、フェ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ピサボジ
ン、ジンギベジン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホジン、フィロクラテン、ボドカルブ
レン、ミジン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。

芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フェナントレン、等が用いられ
る。

キャリアガスとしてはＨ２、Ａｒ　、　Ｎｅ　、　Ｈｅ
等が適当である。

本発明においては、ａ−Ｃ有機重合膜は、直流、高周波
、マイクロ波プラズマ法等のプラズマ状態を経て形成す
るのが最も好ましいが、その他イオン化蒸着、イオンビ
ーム蒸着等のイオン状態を経て形成してもよいし、真空
蒸着法、スパッタリング法等の中性の粒子から形成して
もよいし、あるいはこれらの組み合わせにより形成して
もよい。

その際重要なことは、有機重合膜中の全炭素原子の２０
ないし６０％の炭素原子がメチル基であるように形成す
ることである。また、電荷発生層は、ａ−Ｃ膜と同様の
方法で成膜したほうが、製造装置コスト、工程の省力化
につながり好ましい。

本発明感光体の電荷発生層は特に限定的ではなく、アモ
ルファスシリコン（ａ−８ｉ）膜（特性を変えるため種
々の異種元素、例えばＩ−１，ＣＸＯ，Ｓ。

Ｎ５ＰＳＢ、ハロゲン、Ｇｅ等を含んでいてしよく、ま
た多層構造であってもよい）、Ｓｅ膜、Ｓｃ−Ａｓ膜、
５ｅ−Ｔｅ膜、ＣｄＳ膜、銅フタロシアニン、酸化亜鉛
等の無機物質および／またはビスアゾ系顔料、トリアリ
ールメタン系染料、チアジン系染料、オキサジン系染料
、キサンチン系染料、シアニン系色素、スチリル系色素
、ピリリウム系染料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料
、インジゴ系顔料、ペリレン系顔料、多環キノン系顔料
、ビスベンズイミダゾール系顔料、インダスロン系顔料
、スクアリリウム系顔料、フタロシアニン系顔料等の有
機物質を含有する樹脂膜等が例示される。

これ以外にも、光を吸収し極めて高い効率で電荷担体を
発生する材料であれば、いずれの材料であっても使用す
ることができる。

電荷発生層は、感光体のどの位置に設けてもよく、たと
えば最上層、最下層、中間層いずれに設けてもよい。膜
厚は素材の種類、特にその分光吸収特性、露光光源、目
的等にもよるが、一般に５５０ｎｍの光に対して９０％
以上の吸収が得られるように設定される。ａ−Ｓｉの場
合で０．１〜３μｍである。

本発明においては、ａ−Ｃ電荷輸送層の帯電特性を調節
するために、炭素または水素以外のへテロ原子を混入さ
せてもよい。例えば、正孔の輸送特性をさらに向上させ
るために、周期律表第１ＩＩ族原子あるいはハロゲン原
子を混入してもよい。電子の輸送特性をさらに向上させ
るために周期律表第■族原子あるいはアルカリ金属原子
を混入してもよい。正負両キャリアの輸送特性をさらに
向上させろために、Ｓｔ、Ｇｅ、アルカリ土類金属、カ
ルコゲン原子を混入してもよい。これらの原子は複数用
いてもよいし、目的により電荷輸送層内で特定の位置だ
けに混入してもよいし、濃度分布等を有してもよいが、
いずれの場合においても重要・なことは、該重合膜中に
含有される全炭素原子のうち２０〜６０％の炭素原子が
メチル基を成すように形成することである。

第１図から第１２図は本発明感光体の一態様を示す模式
的断面図である。図中、（１）は基板、（２）は電荷輸
送層としてのａ−Ｃ膜、（３）は電荷発生層を示してい
る。第１図に示す態様の感光体において、例えば十帯電
し続いて画像露光すると、電荷発生層（３）でチャージ
キャリアが発生し電子は表面電荷を中和する。一方、正
孔はａ−Ｃ膜（２）の優れた電荷輸送性に保証されて基
板（１）側へ輸送される。第１図の感光体を一帯電で用
いるときは、上記と反対にａ−Ｃ膜（２）中を電子が輸
送される。

第２図の感光体はａ−Ｃ膜（２）を最上層として用いた
例で、十帯電で用いろときは、ａ−Ｃ膜（２）中を電子
が、−帯電で用いるときはａ−Ｃ膜（２）中を正孔が輸
送される。

第３図に示す感光体は、ａ−Ｃ膜（２）を電荷発生層（
３）の上下に用いた例で、十帯電で使用する時は、上層
のａ−Ｃ膜（２）中を電子が、下層のａ−Ｃ膜（２）中
を正孔が輸送され、−帯電で用いるときは、上層のａ−
Ｃ膜（２）中を正孔が、下層のａ−Ｃ膜（２）中を電子
が輸送される。

第４〜６図に示す感光体は、第１図から第３図において
示した感光体においてさらにオーバーコート層（４）と
して厚さ０．０１〜５μｍの表面保護層を設けた例で、
感光体が使用されるシステムおよび環境に応じて電荷発
生層（３）あるいは電荷輸送層ａ−Ｃ膜（２）の保護と
初期表面電位の向上を図ったものである。表面保護層は
公知の物質を用いればよく、本発明においては、有機プ
ラズマ重合によって設けることが製造工程の面等から望
ましい。本発明ａ−Ｃ膜を使用してもよい。この保護層
（４）にも必要に上りへテロ原子を混入してもよい。

第７〜９図に示す感光体は、第１図から第３図において
示した感光体においてさらにアンダーコート層（５）と
して厚さ０．０１〜５μｌの接着層あるいは障壁層を設
けた例で、用いる基板（１）またはその処理方法に応じ
て接着性または注入防止効果を図ったものである。

アンダーコート層は公知の材料を用いればよく、この場
合も有機プラズマ重合法によって設ける事が望ましい。

本発明によるａ−Ｃ膜を用いてもよい。更に第７〜９図
の感光体には第４〜６図で示したオーバーコート層（４
）を設けてもよい（第１０図〜第１２図）。

本発明感光体は電荷発生層と電荷輸送層とを有する。従
ってこれを製造するには少なくとも二工程を必要とする
。電荷発生層として、例えばグロー放電分解装置を用い
て形成したａ−Ｓｔ層を用いるときは、同一の真空装置
を用いてプラズマ重合を行なうことが可能であり、従っ
てａ−Ｃ電荷輸送層や表面保護層、バリア一層等はプラ
ズマ重合法により行なうのが特に好ましい。

本発明による電子写真感光体の電荷輸送層は、例えば、
気相状態の分子を減圧下で放電分解し、発生したプラズ
マ雰囲気中に含まれる活性中性種あるいは荷電極を基板
上に拡散、電気力、あるいは磁気力等により誘導し、基
板上での再結合反応により固相として堆積させる、所謂
プラズマ重合反応から生成されることが好ましい。

第１３図および第１４図は本発明に係る感光体の製造装
置で容量結合型プラズマＣＶＤ装置を示す。第１３図は
平行平板型プラズマＣＶＤ装置、第１４図は円筒型プラ
ズマＣＶＤ装置を示す。

まず、第１３図を用いて説明する。

第１３図中、（７０１）〜（７０６）は常温において気
相状態にある原料化合物及びキャリアガスを密封した第
１乃至第６タンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節
弁（７（１７）〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器
（７１３）〜（７１ｇ）に接続されている。

図中、（７１９）〜（７２１）は常温において液相また
は固相状態にある原料化合物を封入した第１乃至第３容
器で、各々の容器は気化のため第１乃至第３加熱器（７
２２）〜（７２４）により与熱可能であり、さらに各々
の容器は第７乃至第９調節弁（７２５）〜（７２７）と
第７乃至第９流量制御器（７２８）〜（７３０）に接続
されている。

これらのガスは混合５（７３１）で混合された後、主管
（７３２）を介して反応室（７３３）に送り込まれる。

途中の配管は、常温において液相または固相状態にあっ
た原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しないよう
に、適宜配置された配管加熱器（７３４）により、与熱
可能とされている。

反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（７３
６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器（７
３７）により与熱可能とされている。

電力印加電極には、高周波電力用整合器（７３ｇ）を介
して高周波電源（７３９）、低周波電力用整合機（７４
０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィルタ
（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されてお
り、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異なる
電力が印加可能とされている。

反応室内の圧力は圧力制御弁（７４５）により調整可能
であり、反応室内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を
介して、拡散ポンプ（７４７）、油回転ポンプ（７４８
）、或いは冷却除外装置（７４９）、メカニカルブース
ターポンプ（７５０）、油回転ポンプにより行われる。

排ガスについては、さらに適当な除外装置（７５３）に
より安全無害化した後、大気中に排気される。

これら排気系配管についても、常温において液相または
固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器により、
与熱可能とされている。

反応室も同様の理由から反応室加熱器（７５１）により
与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性基板（
７５２）が設置される。

第１３図において導電性基板（７５２）は接地電極（７
３５）に固定して配されているが、電力印加電極（７３
６）に固定して配されてもよく、更に双方に配されてい
てもよい。

第１４図に示した装置も基本的には第１３図に示した装
置と同様であり、反応室（７３３）内の形態が基板（７
５２）が円筒形であることに応じて、変更されているも
のである。基板は接地電極（７３５）を兼ね、電力印加
電極（７３６）及び電極加熱器（７３７）共に円筒形態
をなしている。

以上の構成において、反応室は、拡散ポンプ（７４７）
１こより予め１０−’乃至１０一＠程度にまで減圧し、
真空度の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行う。

同時に電極加熱器（７３７）により、電極（７３６）並
びに電極に固定して配された導電性基板（７５２）を所
定の温度まで昇温する。

次いで、第１乃至第６タンク（７０１）〜（７０６）及
び第１乃至第３容器（７１９）〜（７２１）から原料ガ
スを第１　乃至第９流ｍ制御器（７１３）　〜（７１８
）、（７２８）　〜（７３０）を用いて定流量化しなが
ら反応室（７３’ａ）に導入し、圧力調節弁により反応
室（７３３）内を一定の減圧状態に保つ。

ガス流量が安定化した後、接続選択スイッチ（７４４）
により、たとえば高周波電源（７３９）を選択し、電力
印加電極（７３６）に高周波電力を投入する。

両電極間には放電が開始され、時間と共に基板（７５２
）上に固相のａ−Ｃ膜が形成される。

この電荷輸送層は本発明により生成した膜中の全炭素原
子の２０乃至６０％の炭素原子がメチル基であることを
特徴とする。このメチル基の数は製造条件、例えば、電
力、電源周波数、電極間隔、圧力、基板温度、原料ガス
、ガス濃度、ガス流量等により制御することができる。

例えば、電力を上げることでメチル基の数を減らし前述
のパーセンテージを小さくすることができる。同様の制
御は、電極間隔を狭くする、基板温度を高くする、圧力
を高くする、原料ガスの分子量を低くする、ガス流量を
多くすること等で可能である。また、直流電源（７４３
）から５０Ｖ〜ＩＫＶのバイアス電圧を重畳印加しても
同様の制御が可能である。勿論、制御の方向を逆にすれ
ば、逆の効果が得られる。これらの制御手法は、該電荷
輸送層に、さらなる特性、例えば、硬度、透光性等を付
与する目的から、あるいは製造上の安定性を確保する目
的から、複数の手法を適宜採用すればよい。

以下、実施例を挙げて本発明を説明する。

実施例１ （Ｉ）（ａ−０層の形成） 第１３図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応室（７３３）の内部をｌ　Ｏ−ｆ′Ｔｏｒｒ程度の高
真空にした後、第１および第２調整弁（７０７）および
（７０８）を開放し、第１タンク（７０１）よりＣ７Ｈ
，ガス、第２タンク（７０２）よりＨ，ガスを出力圧ゲ
ージＩＫｇ／ｃｍ”の下でマスフローコントローラ（７
１３）および（７１４）内へ流入させた。そして、各マ
スフローコントローラの目盛を調整して、Ｃ１０゜の流
量を３０　ｓｅｃｍ、　Ｉ（ｔを４０ｓｅｃｍとなるよ
うに設定して反応室（７３３）内へ流入した。夫々の流
量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が０　、５
　Ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性基板（
７５２）としては、３Ｘ５０Ｘ５０ｍｎ＋のアルミニウ
ム板を用いて２５０℃に予じめ加熱しておき、各ガス流
量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（７３９
）を投入し電力印加電極（７３６）にＬ　００　ｗａｔ
ｔｓの電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加して約４
時間プラズマ重合を行ない、導電性基板（７５２）上に
、厚さ約７μｍの電荷輸送層を形成した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜をフーリエ変換赤外
吸収分光装置（パーキン・ニルマー製）で測定したスペ
クトルチャートを第１５図に示す。測定は、ａ−Ｃ＠を
ＫＢｒ上に載置し、解像度２ｃｍ−’で測定した。第１
５図中、ａは２９６００ＪＩ−’の、ｂは１３８０ｃｉ
−’の透過率ピークである。

またａ−Ｃ膜の組成分析値はＣ６，６４Ｈ０，４８であ
った。式［１］および式［１１］よりａ−Ｃ膜に含有さ
れる全炭素原子のうち３６．４％がメチル基を成す炭素
原子であった。

（ＩＩ）　　（７［！荷発生層の形成）高周波電源（７
３９）からの電力印加を一次停止し、反応室の内部を真
空にした。

第４および第２調整弁（７１０）および（７０ｇ）を開
放し、第４タンク（７０４）よりＳ　ｔ　Ｉ−１４ガス
、第２タンク（７０２）からＨ，ガスを出力圧ゲージ１
Ｋｇ／ｃｍ”の下でマスフローコントローラ（７１６）
および（７１４）内へ流入させた。各マスフローコント
ローラの目盛を調整して、ＳｉＨ，の流量を９０ｓｅｃ
ｎ＋ＳＨｔの流量を２１０ｓｅｃｍに設定し、反応室に
流入させた。

夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧か
１．０Ｔｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に１５０Ｗ
の電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放
電を発生させた。このグロー放電を４０分間行ない厚さ
１３ｍのａ−８ｉ　：　Ｈ’ｉ’［！荷発生層を形成さ
せた。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖｏ）＝−３００Ｖｏ
ｌｔのときの半減露光ｍ　Ｅｔ／２は０．２５ｆ２ｕｘ
−ｓｅｃであった。また、この感光体に対して作像して
転写したところ、鮮明な画像が得られた。

実施例２ （夏）第１４図に示すグロー放電分解装置において、ま
ず、反応室（７３３）の内部をｌ　Ｏ−’　Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１および第２調整弁（７０７）
および（７０ｇ）を開放し、第１タンク（７０１）より
Ｃ！　Ｈ＊ガス、第２タンク（７０２）よりＨ，ガスを
出力圧ゲージＩ　Ｋｇ／　ｃｍ”の下でマスフローコン
トローラ（７１３）および（７１４）内へ流入させた。

そして、各マスフローコントローラの目盛Ｇ［［Ｌ、テ
、Ｃ＊　Ｈ−の流ｍを９０　ｓｅｃ＋ｎ、　Ｈ２を１２
０ｓｅｃｍとなるように設定して反応室（７３３）内へ
流入した。夫々の流量が安定した後に、反応室（７３：
（）の内圧が１．０Ｔｏｒｒとなるように調整した。一
方、導電性円筒基板（７５２）としては、直径６Ｇｉ＋
＋ｉｘ長さ２８０ｕのアルミニウム管を用いて２００℃
に予じめ加熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧が安
定した状態で高周波電源（７３９）を投入し電力印加？
ｌｉ極（７３６）に１００　ｗａｔｔｓの電力（周波数
１３．５６Ｍｌ−１ｚ）を印加して約７時間プラズマ重
合を行ない、導電性円筒基板（７５２）上に、含有され
る全炭素原子のうち３２．０％の炭素原子がメチル基を
成す、厚さ約ＩＯμｍの電荷輸送層を形成した。

（ＩＩ）　　高周波電源（７３９）からの電力印加を一
次停止し、反応室の内部を真空にした。

第４および第２調整弁（７１０）および（７０８）を開
放し、第４タンク（７０４）よりＳｉＨ４ガス、第２タ
ンク（７０２）からＨ，ガスを出力圧ゲージＩＫｇ／ｃ
ｍ”の下でマスフローコントローラ（７１６）および（
７１４）内へ流入させた。各マスフローコントローラの
目盛を調整して、ＳｉＨ，の流量を９０　ｓｃｃｍ、　
Ｈｔの流ｍを４００ｓｃｃｍに設定し、反応室に流入さ
せた。夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の
内圧が１．０Ｔｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に１５０Ｗ
の電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放
電を発生させた。このグロー放電を４０分間行ない厚さ
１μｍのａ−Ｓｉ：Ｉ−Ｉ電荷発生層を形成させた。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖ　ｏ）　＝　−６０
０ｖｏｌｔのときの半減露光量Ｅ１／２は０．３１１Ｊ
ｕｘ−ｓｅｃであった。また、この感光体に対して作像
して転写したところ、鮮明な画像が得られた。

実施例３ （１）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部を１０”−ｆ′Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空にした後、第１および第２調整弁（７０
７）および（７０ｇ）を開放し、第１タンク（７０１）
よりＣＨ，ガス、第２タンク（７０２）よりＨ，ガスを
出力圧ゲージＩＫｇ／ｃｍ’の下でマスフローコントロ
ーラ（７１３）および（７１４）内へ流入させた。そし
て、各マスフローコントローラの目盛全調整して、Ｃｌ
Ｉ４の流量を４０　ｓｃｃｍ、　Ｈ２を５０　ｓｃｃｍ
となるように設定して反応室（７３３）内へ流入した。

夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が
０．８’ｌ”ｏｒｒとなるように調整した。一方、導電
性基板（７５２）としては、３Ｘ５０Ｘ５０ｍｍのアル
ミニウム板を用いて３００℃に予じめ加熱しておき、各
ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し電力印加電極（７３６）に３００Ｗａ
ｔｔＳの電力（周波数１３．５６ＭＨ２）を印加して約
１２時間プラズマ重合を行ない、導電性基板（７５２）
上に含有される全炭素原子のうち、４６，１％の炭素原
子がメチル基を成す、厚さ約９μｍの電荷輸送層を形成
した。

（ＩＩ）　　高周波電源（７３９）からの電力印加を停
止し、反応室の内部を充分排気した後、リークし試料を
取り出した。次いで、別の真空蒸着装置でＡｓ、Ｓｅｓ
を抵抗加熱法にて約３μｍの膜厚となるように、工程（
Ｉ）で設けた電荷輸送層に積層した。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖ　ｏ）　＝　＋　６
５０ｖｏｌｔのときの半減露光”””１／２は０．２３
ｉ２ｕｘ・ｓｅｃであった。また、この感光体に対して
作像１゜て転写したところ、鮮明な画像が得られた。

実施例４ （１）　　第１４図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部をＩ　Ｏ−’　Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空にした後、第１ないし第３調整弁（７０
７）ないしく７０９）を開放し、第１タンク（７０１）
よりＣｔ　Ｈ−ガス、第２タンク（７０２）よりＣＨ，
ガス、第３タンク（７０３）よりＨ，ガスを出力圧ゲー
ジＩＫｇ／ｃｍ’の下でマスフローコントローラ（？Ｈ
）ないしく７１５）内へ流入させた。そして、各マスフ
ローコントローラの目盛を調整して、Ｃ，Ｈ４の流量を
５５ＳＣＣＩＩｌ、　　ＣＨ４を６０ｓｅｃｍ、　　Ｉ
−Ｌを１００　ｓｃｃｍとなるように設定して反応室（
７３３）内へ流入した。

夫々の流ｍが安定した後に、反応室（７３３）の内圧が
２　、０　ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電
性円筒型基板（７５２）としては、直径８０＋ｎｍ、長
さ３２０ｍｍのアルミニウム管を用いて２５０℃に予じ
め加熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧が安定した
状態で高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（
７３６）に、２００　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３．
５６ＭＨｚ）を印加して約３時間プラズマ重合を行ない
、導電性円筒型基板（７５２）上に、含有される全炭素
原子のうち４０．８％の炭素原子がメチル基を成す、厚
さ約５μｍの電荷輸送層を形成した。

（ＩＩ）　　高周波電源（７３９）からの電力印加を一
次停止し、反応室の内部を真空にした。

第４および第３調整弁（７１０）および（７０９）を開
放し、第４タンク（７（１４）よりＳｉＨ，ガス、第３
タンク（７０３）からＨ，ガスを出力圧ゲージＩＫｇ／
ａｍ’の下でマスフローコントローラ（７１０）および
（７０９）内へ流入させた。各マスフローコントローラ
の目盛を調整して、ＳｉＨ４の流量を９０ＳＣＣＩＩＩ
、　Ｈ２の流量を４００ｓｅｃｍに設定し、反応室に流
入させた。

また同様にして第５タンク（７０５）よりＨｌで５０ｐ
ｐＩＩｌ濃度に希釈されたＢ　ｔ　Ｈ６ガスを１０１０
５ｅ流入させた。夫々の流量が安定した後に、反応室（
７３３）の内圧が１．０Ｔｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、円筒型電力印加電極（７３６）に１
５０Ｗの電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してグ
ロー放電を発生させた。このグロー放電を４０分間行な
い厚さ１μｍのａＳｉ：Ｉ−ｉ？［荷発生層を形成させ
た。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖｏ）＝＋４５Ｑｖｏ
ｌｔのときの半減露光量Ｅ１／２は０．２５Ｃｕｘ・ｓ
ｅｃであった。また、この感光体に対して作像して転写
したところ、鮮明な画像が得られた。

実施例５ （Ｉ）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７：（３）の内部を１０−　＠Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空にした後、第６及び第７調整弁（７１２
）及び（７２５）を開放し、第６タンク（７０６）より
Ｈｅガス、第１容２３（７１９）よりスチレンガスをマ
スフローコントローラ（７１ｇ）ないしく７２８）内へ
流入させた。

第１容器（７１９）は第１加熱器（７２２）により約５
０℃に加熱した状態で用いた。そして、各マスフローコ
ントローラの目盛を調整して、スチレンの流量を１８　
ｓｅｃｍ、　Ｉ（ｅを３０　ｓｅｃｍとなるように設定
して反応！（７３３）内へ流入した。夫々の流１が安定
した後に、反応室（７３３）の内圧が０　、５　ＬＯｒ
ｒとなるようにＭ？！した。一方、導電性基板（７５２
）とじては、３Ｘ５０Ｘ５０ａｕのアルミニウム板を用
いて５０℃に予じめ加熱しておき、各ガス流量が安定し
、内圧が安定した状態で低周波電源（７４１）を投入し
電力印加電極（７３６）にｌ　５０　ｗａｔｔｓの電力
（周波数３０ＫＨｚ）を印加して約４０分間プラズマ重
合を行ない、導電性基板（７５２）上に、含有される全
炭素原子のうち３６．０％の炭素原子がメチル基を成す
厚さ約５μｍの電荷輸送層を形成した。

（ＩＩ）　　低周波電源（７４１）からの電力印加を一
次停止し、反応室の内部を真空にした。

第４および第３調整弁（７１０）および（７０９）を開
放し、第４タンク（７０４）よりＳｉＨ，ガス、第３タ
ンク（７０３）からＨｚガスを出力圧ゲージＩＫｇ／ｃ
ｍ”の下でマスフローコントローラ（７１６）および（
７１５）内へ流入させた。各マスフローコントローラの
目盛を調整して、ＳｔＨ，の流ｍを９０ｓｃｃｍ、　Ｈ
ｅの流ｍを２００　ｓｅｃｍに設定し、反応室に流入さ
せた。夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の
内圧が１．０Ｔｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧か安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に１５０Ｗ
の電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放
電を発生させた。このグロー放電を４０分間行ない厚さ
１μｍのａ−５ｉ：Ｈ電荷発生層を形成させた。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖｏ）＝−５００ｖｏ
ｌｔのときの半減露光”ｌ／２は０．３９１２ｕｘ−ｓ
ｅｃであった。また、この感光体に対して作像して転写
したところ、鮮明な画像が得られた。

実施例６ （Ｉ）　　第１４図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部をｌ　Ｏ−＠Ｔｏｒｒ
程度の高真空にした後、第１ないし第３調整弁（７０７
）ないしく７０９）を開放し、第１タンク（７０１）よ
りＣｔＨ４ガス、第２タンク（７０２）よりブタジェン
ガス、第３タンク（７０３）よりＨ，ガスを出力圧ゲー
ジ１Ｋｇ／ｃｍ”の下でマスフローコントローラ（’Ｈ
３）ないしく７１５）内へ流入させた。そして、各マス
フローコントローラの目盛を調整して、Ｃ＊　Ｈ４の流
量を５５　ｓｅｃｍ、ブタジェンを５５　ｓｅｃｍ、　
Ｈｔを１００　ｓｅｃｍとなるように設定して反応室（
７３３）内へ流入した。夫々の流量が安定した後に、反
応室（７３３）の内圧が１　、５　ｔｏｒｒとなるよう
に調整した。

一方、導電性円筒型基板（７５２）としては、直径８０
　ｍ＋＋ｎ、長さ３２０開のアルミニウム管を用いて５
０℃に予じめ加熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧
が安定した状態で高周波電源（７３９）を投入し電力印
加電極（７３６）に２００　ｗａｔｔｓの電力（周波数
１３．５６ＭＨｚ）を印加して約１２時間プラズマ重合
を行ない、導電性円筒型基板（７５２）上に、含有され
る全炭素原子のうち４８．０％の炭素原子がメチル基を
成す厚さ約５μｍの電荷輸送層を形成した。

°　（■）高周波電源（７３９）からの電力印加を一次
停止し、反応室の内部を真空にした。

第４および第３調整弁（７１０）および（７０９）を開
放し、第４タンク（７０４）よりＳ　ｔ　Ｈ４ガス、第
３タンク（７０３）からＨ，ガスを出力圧ゲージ１Ｋｇ
／ｃｍ’の下でマスフローコントローラ（７１６）およ
び（７１５）内へ流入させた。各マスフローコントロー
ラの目盛を調整シテ、ＳｉＨ，（７）流量を９０ｓｃｃ
ｍ、Ｈ，の流量を３００　ｓｅｃｍに設定し、反応室に
流入させた。夫々の流量が安定した後に、反応室（７３
３）の内圧が１．０Ｔｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、円筒型電極板（７５２）に１５ｏｗ
の電力（周波数１３．５６ＭＨ２）を印加してグロー放
電を発生させた。このグロー放電を４０分間行ない厚さ
１μｍのａ−３ｔ：Ｈ電荷発生層を形成させた。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖ　ｏ）　＝−６００
ｖｏｌｔのときの半減露光量Ｅ１／２は０．３０１２ｕ
ｘ−ｓｅｃであった。また、この感光体に対して作像し
て転写したところ、鮮明な画像が得られた。

実施例７ （１）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部を１０””　”　Ｔｏ
ｒｒ程度の高真空にした後、第１ないし第２調整弁（７
ｆ）？）ないしく７０８）を開放し、第１タンク（７０
１）よりＣ、Ｈ，ガス、第２タンク（７０２）よりＨ！
ガスを出力圧ゲージＩＫｇ／ａｍ”の下でマスフローコ
ントローラ（７１３）ないしく７１４）内へ流入させた
。そして、各マスフローコントローラの目盛を調整して
、Ｃ＊Ｈ，の流量を１８０ｓｅｃｍ、　Ｈｚを２４０　
ｓｃｃｍとなるように設定して反応室（７３３）内へ流
入した。

夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が
０　、５　ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電
性基板（７５２）としては、３Ｘ５０Ｘ５０ｘｍのアル
ミニウム板を用いて２５０℃に予じめ加熱しておき、各
ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し電力印加電極（７３６）に５００ｗａ
ｔｔ１１の電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加して
約６時間プラズマ重合を行ない、導電性基板（７５２）
上に、含有される全炭素原子のうち２８．０％の炭素原
子がメチル基を成す厚さ約１８μｍの電荷輸送層を形成
した。

（ｎ）　　高周波電源（７３９）からの電力印加を停止
し、反応室の内部を充分排気した後、リークし試料を取
り出した。次いで別の真空蒸着装置でＡｓｔＳｅｓを抵
抗加熱法にて約３μ肩の膜厚となるように、工程（ｒ）
で設けた電荷輸送層に積層した。

得られた感光体は初期表面電位（ＶＯ）＝＋６００ｖｏ
ｌｔのときの半減露光”’１／２は１．５Ｑｕｘ−ｓｅ
ｃであった。実施例１乃至６に比較して感度的にはやや
低いものの、実用上問題のない感度が得られた。また、
この感光体に対して作像して転写したところ、鮮明な画
像が得られた。

実施例８ （１）　　第１４図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部を１０−Ｔ　ｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１ないし第３調整弁（７Ｇ？）
ないしく７０９）を開放し、第１タンク（７０１）より
Ｃｔ　Ｈｍガス、第２タンク（７０２）よりＣ＊　Ｈｍ
ガス、第３タンク（７０３）よりＨ，ガスを出力圧ゲー
ジＩＫｇ／ｃｍ″の下でマスフローコントローラ（７１
３）ないしく７１５）内へ流入させた。そして、各マス
フローコントローラの目盛を調整して、Ｃ−Ｈａの流量
を３０ｓｃｃＩＩｌ、　ＣｓＨｅを３０　ｓｃｃｍ、Ｈ
ｔを１００ｓｃｃｍとなるように設定して反応室（７３
３）内へ流入した。

夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が
０　、８　ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電
性円筒型基板（７５２）としては、直径８０ｍｍ、長さ
３２０ｍｍのアルミニウム管を用いて６０℃に予じめ加
熱しておき、各ガス流ｍが安定し、内圧が安定した状態
で高周波電源（７３９）を投入し電力印加電極（７３６
）に２００　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３．５６ＭＨ
ｚ）を印加して約１５時間プラズマ重合を行ない、導電
性円筒型基板（７５２）上に、含有される全炭素原子の
うち５２．０％の炭素原子がメチル基を成す厚さ約２０
μｍの電荷輸送層を形成した。

（Ｉ［）　　高周波電源（７３９）からの電力印加を一
次停止し、反応室の内部を真空にした。

第４および第３調整弁（７１０）および（７０９）を開
放し、第４タンク（７０４）よりＳｉＨ，ガス、第３タ
ンク（７０３）からＨ，ガスを出力圧ゲージ１Ｋｇ／ｃ
ｍ”の下でマスフローコントローラ（７１６）および（
７１５）内へ流入させた。各マスフローコントローラの
目盛を調整して、ＳｉＨ，の流量をｔ　Ｑ　Ｏｓｃｃｍ
、　Ｈｔの流量を４００　ｓｅｃｍに設定し、反応室に
流入させた。夫々の流量が安定した後に、反応室（７３
３）の内圧が０．８Ｔｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に１５０Ｗ
の電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放
電を発生させた。このグロー放電を３５分間行ない厚さ
１μｍのａ−Ｓｉ：Ｈ電荷発生層を形成させた。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖ　ｏ）　＝　−４０
０ｖｏｌｔのときの半減露光”１／２は０．５２ｆ２ｕ
Ｘ−５ｅｅであった。実施例１〜６と比べて膜厚の割り
には帯電能が低いものの、実用上は全く問題のない特性
が得られた。また、この感光体に対して作像して転写し
たところ、鮮明な画像が得られた。

実施例９ （１）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部をＩ　Ｏ−’　Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空にした後、第１及び第７調整弁（７０７
）及び（７２５）を開放し、第１タンク（７０１）より
Ｈ，ガス、第１容器（７１９））よりＣ，Ｈ，、ガスを
マスフローコントローラ（７１３）ないしく７２８）内
へ流入させた。第１容器（７１９）は第１加熱器（７２
２）により約７０℃に加熱した状態で用いた。そして、
各マスフローコントローラの目盛をＲｍして、Ｉ−１，
の流ｍを３００　ｓｃｃｍ、　ＣｓＨ１４を３０　ｓｅ
ｃｍとなるように設定して反応室（７３２）内へ流入し
た。夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内
圧が０．３ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電
性基板（７５２）としては、３ｘ５０Ｘ５０ｘｍのアル
ミニウム板を用いて３０℃に予じめ加熱しておき、各ガ
ス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（７
３９）を投入し電力印加電極（７３６）に５０　ｗａｔ
ｔｓの電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加して約６
時間プラズマ重合を行ない、導電性基板（７５２）上に
、含有される全炭素原子のうち６０．０％の炭素原子が
メチル基を成す厚さ約１８μｍの電荷輸送層を形成した
。

（■）高周波電源（７３９）からの電力印加を一次停止
し、反応室の内部を真空にした。

第４および第３調整弁（７１Ｏ）および（７０９）を開
放し、第４タンク（７０４）よりＳ　ｉ　Ｉ−１４ガス
、第３タンク（７０３）からＨ，ガスを出力圧ゲージＩ
Ｋｇ／ｃｍ２の下でマスフローコントローラ（７１６）
および（７１５）内へ流入させた。各マスフローコント
ローラの目盛を調整して、ＳｉＨ，の流ｍを９０　ｓｅ
ｃｍ、　Ｈｚの流量を１８０ｓｅｃｍに設定し、反応室
に流入させた。また同様にして第５タンク（７０５）よ
りＨａで５０ｐｐｍ濃度に希釈されたＢ、Ｈ，ガスを１
０ｓｅｃ＋ｎ流入させた。夫々の流量が安定した後に、
反応室（７３３）の内圧り月、０Ｔｏｒｒとなるよう調
整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に＋７０Ｗ
の電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放
電を発生させた。このグロー放電を３０分間行な、い厚
さ１μｍのａ−９ｔ：Ｈ電荷発生層を形成させた。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖ　Ｏ）　＝　＋　３
５０ｖｏｌｔのときの半減露光ｍＥｌ／２は０．４９１
２ｕｘ・ｓｅｃであった。実施例１〜８と比べて単位膜
厚当たりの帯電能は低いものの、電子写真用感光体とし
て寄与し得る性能が得られた。また、この感光体に対し
て作像して転写したところ、画像が得られた。

実施例１０ （１）　　第１４図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部をｌＯ″″”　Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空にした後、第１ないし第３調整弁（７０
７）ないしく７０９）を開放し、第１タンク（７０１）
よりＣｔ　Ｈ４ガス、第２タンク（７０２）よりＣＩ−
Ｉ　、ガス、第３タンク（７０３）よりＨ，ガスを出力
圧ゲージＩＫｇ／ｃｍ”の下でマスフローコントローラ
（７１３）ないしく７１５）内へ流入させた。そして、
各マスフローコントローラの目盛を調整して、Ｃｔ　Ｈ
４の流量を２００ｓｃｃｎ、　ＣＨ４を１８０　ｓｅｃ
ｍ、　Ｈｔを１０１００５ｅとなるように設定して反応
室（７３３）内へ流入した。

夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が
２　、　Ｏｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電
性円筒型基板（７５２）としては、直径８０ｍｍ、長さ
３２０ｍｍのアルミニウム管を用いて３００℃に予じめ
加熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧が安定した状
態で高周波電源（７３９）を投入し電力印加電極（７３
６）に２００　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３゜５６Ｍ
Ｈ２）を印加して約２時間プラズマ重合を行ない、導電
性円筒型基板（７５２）上に、含有される全炭素原子の
うち２０．０％の炭素原子がメチル基を成す厚さ約１０
μｍの電荷輸送層を形成した。

（ｎ）　　高周波電源（７３９）からの電力印加を一次
停止し、反応室の内部を真空にした。

第４および第３調整弁（７１Ｇ）および（７０９）を開
放し、第４タンク（７０４）よりＳｉＨ，ガス、第３タ
ンク（７０３）からＨ，ガスを出力圧ゲージＩＫｇ／ｃ
ｍ２の下でマスフローコントローラ（７１６）および（
７１５）内へ流入させた。各マスフローコントローラの
目盛を調整して、Ｓ　ｉ　Ｉ（、の流量を１２０５ｃｃ
ｎ＋、　Ｈｔの流量を４００　ｓｅｃｍに設定し、反応
室に流入させた。また同様にして第５タンク（７０５）
より［１ｔで５０ｐｐｍ濃度に希釈されたＢ　ｔ　Ｈａ
ガスを１２ｓｅｃｍ流入させた。夫々の流量が安定した
後に、反応室（７３３）の内圧が１．０Ｔｏｒｒとなる
よう調整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、円筒型電極板（７５２）に２０ＯＷ
の電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放
電を発生させた。このグロー放電を３０分間行ない厚さ
１μｍのａ−Ｓｔ：Ｈ電荷発生層を形成させた。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖｏ）＝＋４５０ｖｏ
ｌｔのときの半減露光””１／２は１０．３１２ｕｘ−
ｓｅｃであった。実施例１〜８と比べて感度は低いもの
の、電子写真感光体として寄与し得る性能が得られた。

また、この感光体に対して作像して転写したところ、画
像が得られた。

比較例１ 実施例１において工程（ＩＸａ−Ｃ層の形成）を省略し
、工程（ＩＩ）と同一条件で膜厚６μｍのａ−８ｉ：Ｈ
層を形成せしめ、ａ−Ｓｉ：Ｈ感光体を得た。

得られた感光体は初期表面？ｌＸ１ｌ（Ｖｏ）＝−１０
０■で半減露光量ＥＬ／２は０，７　１ｕｘ−ｓｅｃで
あり、十極性では充分な帯電能を示さず、良好な作像は
行えなかった。

本発明による電荷輸送層が帯電能の向上に著しく寄与し
、かつ好適な輸送性を有する事が理解された。

比較例２ 実施例１の工程（１）で作製された本発明による電荷輸
送層の代わりに、メチル基の割合が８％なるポリエチレ
ン膜を有機重合の常法により作製し、その上に工程（ｎ
）を施した。得られた積層膜は、本発明とメチル基の割
合が異なるだけである。帯電能は実施例１と同等である
ものの、感度はａ−９ｔ層に起因するわずかの電位減衰
を有する程度で、半減値には至らないものであった。本
発明の電荷輸送層の優位性が認められた。

比較例３ （Ｉ）　　第１４図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部をｌ　Ｏ−”　Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空にした後、第１ないし２Ｎ整弁（７０７
）ないしく７０ｇ）を開放し、第１タンク（７０１）よ
りＣ９Ｈ４ガス、第２タンク（７０２）よりＨ，ガスを
出力圧ゲージＩＫｇ／ａｍ”の下でマスフローコントロ
ーラ（７１３）ないしく７１４）内へ流入させた。そし
て、各マスフローコントローラの目盛を調整して、Ｃ，
Ｈ。

の流ｍを２５０　ｓｅｃｍ、　ｔ（ｔを３５０　ｓｅｃ
ｍとなるように設定して反応室（７３３）内へ流入した
。夫々の流出が安定した後に、反応室（７３３）の内圧
が０．５ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性
円筒型基板（７５２）としては、直径８０ｍ＋＋＋、長
さ３２０ｍｍのアルミニウム管を用いて２５０℃に予じ
め加熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧が安定した
状態で高周波電源（７３９）を投入し電力印加電極（７
３６）に５００　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３．５６
ＭＨｚ）を印加して約２時間プラズマ重合を行ない、導
電性円筒型基板（７５２）上に、含有される全炭素原子
のうち１７．５％の炭素原子がメチル基を成す厚さ約７
μｍの電荷輸送層を形成した。

（ＩＩ）　　高周波電源（７３９）からの電力印加を一
次停止し、反応室の内部を真空にした。

第４および第３調整弁（７１０）および（７０９）を開
放し、第４タンク（７０４）よりＳ　ｉ　Ｈ４ガス、第
３タンク（７０３）からＨ，ガスを出力圧ゲージ１Ｋｇ
／ｃｍ”の下でマスフローコントローラ（７１６）およ
び（７１５）内へ流入させた。各マスフローコントロー
ラの目盛を調整シテ、ＳｉＨ，の流ｍを９０ｓｃｃｍ、
　Ｈｔノ流量を４００ｓｅｃｍに設定し、反応室に流入
させた。

夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が
１．０Ｔｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に１５０Ｗ
の電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放
電を発生させた。このグロー放電を４０分間行ない厚さ
１μｍのａ−９ｔ：Ｈ電荷発生層を形成させた。

得られた感光体は初期表面電位を（Ｖｏ）＝−３５０ｖ
ｏｌｔとして画像露光を行っても半減電位まで達せず、
電子写真用感光体としては使用できないことが理解され
た。

比較例４ （Ｉ）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部を１０″″＠Ｔｏｒｒ
程度の高真空にした後、第１及び第７調整弁（７０７）
及び（７２５）を開放し、第１タンク（７０１）よりＨ
，ガス、第１容器（７１９）よりスチレンガスをマスフ
ローコントローラ（７１３）及び（７２ｇ）内へ流入さ
せた。

第１容器（７１９）は第１加熱器（７２２）により約５
０℃に加熱した状態で用いた。そして、各マスフローコ
ントローラの目盛を調整して、Ｈ３の流量を６０　ｓｅ
ｃｍ、スチレンを６０ｓｅｃｍとなるように設定して反
応室（７３３）内へ流入した。夫々の流量が安定した後
に、反応室（７３３）の内圧が０．８Ｔｏｒｒとなるよ
うに調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、
３Ｘ５０ｘ５０ｘｍのアルミニウム板を用いて５０℃に
予じめ加熱しておき、各ガス流ｍが安定し、内圧が安定
した状態で低周波電源（７４１）を投入し電力印加電極
（７３６）に１５０　ｗａｔｔｓの電力（周波数１００
ＫＨｚ）を印加して約５０分プラズマ重合を行ない、導
電性基板（７５２）上に、含有される全炭素原子のうち
６３．０％の炭素原子がメチルを成す厚さ約ｌＯμｍの
電荷輸送層を形成した。かなり荒れた膜質が観察された
。

（Ｉｔ）　　低周波電源（７４１）からの電力印加を−
次停止し、反応室の内部を真空にした。

第４および第３調整弁（７１０）および（７０９）を開
放し、第４タンク（７０４）よりＳｉＨ，ガス、第３タ
ンク（７０３）からＨ，ガスを出力圧ゲージ１Ｋｇ／Ｃ
ｍ”の下でマスフローコントローラ（７１６）および（
７１５）内へ流入させた。各マスフローコントローラの
目盛を調整して、５ＩＩ４４の流量を９０ｓｅｃｍ、　
Ｈｔの流量を２００　ｓｅｃｍに設定し、反応室に流入
させた。また同様にして第５タンク（７０５）よりＨｌ
で５０　ｐｐｍａ度に希釈されたＢ　ｔ　Ｈｓガスをｌ
　Ｏｓｃｃｍ流入させた。夫々の流量が安定した後に、
反応室（７３３）の内圧が１．０Ｔｏｒｒとなるよう調
整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に１５０Ｗ
の電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放
電を発生させた。このグロー放電を４０分間行ない厚さ
１μｍのａ−Ｓｉ：Ｈ電荷発生層を形成させた。

得られた感光体は初期表面電位が（Ｖｏ）＝＋２０ｖｏ
ｌｔにしか過ぎず、部分的に剥離を生じており、感光体
としての性能は有していないことが理解される。

発明の効果 本発明による有機プラズマ重合膜を電荷輸送層に有する
感光体は電荷輸送性、帯電能に優れ、膜厚が薄くても充
分な表面電位を得ることができ、かつ良好な画像を得る
ことができる。本発明に従えば、電荷発生層にａ　−Ｓ
　ｉを使用する場合、従来のａ−８ｉ感光体では達成す
ることのできなかった薄膜の感光体を得ることができる
。

本発明感光体はその原料が安価であり、必要な各局が同
一の槽内で成膜できるとともに、膜厚が薄くてよいので
、製造コストが安く、かつ製造時間が短くて済む。　本
発明による有機プラズマ重合膜は、薄膜に形成してもピ
ンホールが生じに（く、均質に形成することができるの
で、薄膜化が容易である。さらに耐コロナ性、耐酸性、
耐湿性、耐熱性および剛直性にも優れているので、表面
保護層として使用すると感光体の耐久性か向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図から第１２図は本発明感光体の模式的断面図を示
す。 第１３図および第１４図は感光体製造用装置の一例を示
す図である。 第１５図はａ−Ｃ膜の赤外吸収スペクトルを示す図であ
る。 図中の記号は以下の通りである。 （１）・・・基板　　　　（２）・・・電荷輸送層（ａ
−Ｃ層）（３）・・・電荷発生層　（４）・・・オーバ
ーコート層（５）・・・アンダーコート層 （７０１）〜（７０Ｂ）・・・タンク （７０７）〜（７１２）及び（７２５）〜（７２７）・
・・調節弁（７１３）〜（７１ｇ）及び（７２８）〜（
７３Ｇ）・・・流ｆｉ　制御器（マスフローコントロー
ラー）（７１９）〜（７２１）・・・容器（７２２）〜
（７２４）・・・加熱器（７３１）・・・混合器　　　
（７３２）・・・主管（７３３）・・・反応室　　　（
７３４）・・・配管加熱器（７３５）・・・接地電極　
　（７３６）・・・電力印加電極（７３７）・・・電力
加熱器　（７３８）・・・高周波電力整合器（７３９）
・・高周波電源 （７４０）・・・低周波電力用整合器 （７４１）・・・低周波電源　（７４２）・・・ローパ
スフィルタ（７４３）・・・直流電源　　（７４４）・
・・接続選択スイッチ（７４５）・・・圧力制御弁　（
７４６）・・・排気系選択弁（７４７）・・・拡散ポン
プ　（７４ｇ）・・・油回転ポンプ（７４９）・・・冷
却除外装置 （７５０）・・・メカニカルブースタポンプ（７５１）
・・・反応加熱器　（７５２）・・・導電性基板（７５
３）・・・除外装置 図面の °第１図 第４図 第７１２１ 第１０図 ｒＴ１訂（内容に変更なし） 第２図　　　　第３１！１ 第５図　　　　第６図 第８図　　　　第９門 ９５１１図　　　　１Ｋ１２図 手続補正書

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）とを有する機
   能分離型感光体において、電荷輸送層（２）として炭化
   水素のプラズマ重合膜を設け、該重合膜中に含有される
   全炭素原子の２０ないし６０％の炭素原子がメチル（−
   ＣＨ＿３）基であることを特徴とする感光体。