JPS58217938A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS58217938A JPS58217938A JP57101085A JP10108582A JPS58217938A JP S58217938 A JPS58217938 A JP S58217938A JP 57101085 A JP57101085 A JP 57101085A JP 10108582 A JP10108582 A JP 10108582A JP S58217938 A JPS58217938 A JP S58217938A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
-
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- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。
ある。
従来、電子写真感光体として、Se、又はSsにAs
、 To SSb ’6をドープ1〜だ感光体、ZnO
やCdSを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知ら
れている。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性
、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。
、 To SSb ’6をドープ1〜だ感光体、ZnO
やCdSを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知ら
れている。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性
、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。
一方、アモルファスシリコン(k−8i ) ヲ母材ト
して用いた電子写真感光体が近年になって提案されてい
る。a−8Sは、8%−8iの結合手が切れたいわゆる
ダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因して
エネルギーキャップ内に多くの局在準位が存在する。こ
のために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗
が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて
光導電性が悪くたっている。そこで、上記欠陥を水素原
子()0で補償して5iiCHを結合させることによっ
て、ダングリングボンドを埋めることが行なわれる。
して用いた電子写真感光体が近年になって提案されてい
る。a−8Sは、8%−8iの結合手が切れたいわゆる
ダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因して
エネルギーキャップ内に多くの局在準位が存在する。こ
のために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗
が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて
光導電性が悪くたっている。そこで、上記欠陥を水素原
子()0で補償して5iiCHを結合させることによっ
て、ダングリングボンドを埋めることが行なわれる。
このようなアモルファス水素化シリコン(以下、a−−
8i:)Iと称する。)の暗所での抵抗率はio B、
109Ω−crrLであって、アモルファスSeと比
較すれば約1万分の1も低い。従って、a−8I:Hの
単層からなる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、
初期帯電電位が低いという問題点を有している。
8i:)Iと称する。)の暗所での抵抗率はio B、
109Ω−crrLであって、アモルファスSeと比
較すれば約1万分の1も低い。従って、a−8I:Hの
単層からなる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、
初期帯電電位が低いという問題点を有している。
しかし他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵
抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極め
て優れた特性を有している。
抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極め
て優れた特性を有している。
そこで、このような*−81:HK電位保持能を付与す
るため、ホウ素をドープすることによシ抵抗率を約10
Ω−鑞にまで高めることができるが、ホウ素量をそのよ
うに正確に制御することは容易ではない上に、1012
Ω−a程度の抵抗率でもカールソン方式による感光プロ
セスに使用するには光感度が不十分であり、電荷保持特
性もなお不十分である。また、ホウ素と共に微量の酸素
を導入することにより 10+3Ω−a程度の畠抵抗化
が可能であるが、これを感光体に用いた場合には光導電
性が低下し、裾切れの悪化や残留電位の発生という問題
が生じるー また、a−8i:Hを表面とする/i′&光体は、長期
に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コ ウ
ロナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学
的安定性に関して、これ迄十分な検討がなされていない
。例えば1力月以上放館した、ものは湿気の影111r
受け、受容電位が著しく低下することが分っている。更
に、a−8t:HはA1やステンレス等の支持体に対し
て膜付き(接着性)が悪く、市、子写真感光体として実
用化する上で問題となる。
るため、ホウ素をドープすることによシ抵抗率を約10
Ω−鑞にまで高めることができるが、ホウ素量をそのよ
うに正確に制御することは容易ではない上に、1012
Ω−a程度の抵抗率でもカールソン方式による感光プロ
セスに使用するには光感度が不十分であり、電荷保持特
性もなお不十分である。また、ホウ素と共に微量の酸素
を導入することにより 10+3Ω−a程度の畠抵抗化
が可能であるが、これを感光体に用いた場合には光導電
性が低下し、裾切れの悪化や残留電位の発生という問題
が生じるー また、a−8i:Hを表面とする/i′&光体は、長期
に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コ ウ
ロナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学
的安定性に関して、これ迄十分な検討がなされていない
。例えば1力月以上放館した、ものは湿気の影111r
受け、受容電位が著しく低下することが分っている。更
に、a−8t:HはA1やステンレス等の支持体に対し
て膜付き(接着性)が悪く、市、子写真感光体として実
用化する上で問題となる。
この対策として、特開昭55−87154号における如
きシランカップリング剤、特開昭56−74257号に
おける如きポリイミド樹脂又はトリアジン樹脂等の有機
篩分子化合物からガる接着層を*−81:11層と支持
体との間に設けることが知られている。
きシランカップリング剤、特開昭56−74257号に
おける如きポリイミド樹脂又はトリアジン樹脂等の有機
篩分子化合物からガる接着層を*−81:11層と支持
体との間に設けることが知られている。
しか1−ながら、これらの場合、接着層の形成とa −
S+ : 0層の製膜とを別の方法で行なう必要があり
、そのために眉「だな製膜装置を用いなければ々らず、
作業性が不良となる。
S+ : 0層の製膜とを別の方法で行なう必要があり
、そのために眉「だな製膜装置を用いなければ々らず、
作業性が不良となる。
しかも、a−8i:0層を光導電性の良好なものとする
には、その製膜時の基板(支持体)温度を通常約201
1℃又はそれ以上に保持することを要するが、このよう
な温度に対し下地の接着j@は熱的に酬えるととができ
ない。
には、その製膜時の基板(支持体)温度を通常約201
1℃又はそれ以上に保持することを要するが、このよう
な温度に対し下地の接着j@は熱的に酬えるととができ
ない。
91−って、本発明の目的は、電荷保持特性及び光感度
共に優れ、かつ耐刷性、電荷保持特性の安定性、更には
支持体との接着性等においても実用に供し得るa−81
系感光体を提供することにある。
共に優れ、かつ耐刷性、電荷保持特性の安定性、更には
支持体との接着性等においても実用に供し得るa−81
系感光体を提供することにある。
この目的を達成するために、本発明の記録体(例えば感
光体)は、アモルファス水素化及び/又はフッ素化シリ
コン(例えばa−8i )からなる光導電層が基体上に
設けられている記録体において、窒素原子を含有するア
モルファス水素化及び/又はフッ素化シリコン(例えば
a−8iN : II ) 1mが前記光導電層の上部
及び/又O1下部に設けられていることを特徴とするも
のである。
光体)は、アモルファス水素化及び/又はフッ素化シリ
コン(例えばa−8i )からなる光導電層が基体上に
設けられている記録体において、窒素原子を含有するア
モルファス水素化及び/又はフッ素化シリコン(例えば
a−8iN : II ) 1mが前記光導電層の上部
及び/又O1下部に設けられていることを特徴とするも
のである。
本発明によれば、上記の窒素含有アモルファス水素計及
び/又はフッ素化シリコン層が光導′i41.層(光キ
ヤリア発生層)K対して電荷輸送層又は1h、荷ブロッ
キング層として効果的に作用すイ)ことが本発明者によ
ってはじめて見出され、そのために適度な固有抵抗を有
している」二に、良好な光学的エネルキーキャノプも有
していて光感度も良好に保持するものであることが分っ
た。寸だ、最上層として設けた場合F、L更に、光導電
層の保a、t4L荷保持、保存中の経時変化の防止、繰
返し使用時の光導M1一層の劣化防止、湿度による悪影
響阻止、機械的強度の向上、熱的劣化の防止、熱転写(
特に粘着転写)性の向上等を実現ゴることができる。
び/又はフッ素化シリコン層が光導′i41.層(光キ
ヤリア発生層)K対して電荷輸送層又は1h、荷ブロッ
キング層として効果的に作用すイ)ことが本発明者によ
ってはじめて見出され、そのために適度な固有抵抗を有
している」二に、良好な光学的エネルキーキャノプも有
していて光感度も良好に保持するものであることが分っ
た。寸だ、最上層として設けた場合F、L更に、光導電
層の保a、t4L荷保持、保存中の経時変化の防止、繰
返し使用時の光導M1一層の劣化防止、湿度による悪影
響阻止、機械的強度の向上、熱的劣化の防止、熱転写(
特に粘着転写)性の向上等を実現ゴることができる。
以下゛、本発明を感光体に適用した例を詳細に説明する
。
。
第1図に示す感光体は、AI又はステンレス等、或いは
ガラス又は樹脂シートに導電処理がなされたものかし)
なるシート状又はドラム状の導電性支持基板1を有1.
、この基板上に、電荷輸送層としての窒素含有pi
Si : H(以ド、a−8IN:Hと称する。)1曽
2と光導電層(感光/@)としてのa−8i:TIj偵
3と必要あれば一点鎖線の如き表面改質/f、? 4と
が順次積層せしめられている。m−8kN:Hノ較2の
窒素含有量はキャリア輸送能を充分にするために1 ”
”:[1atomic%に選定されており、かつ) 周期表第111A族元素のドーピングによっ−C10’
℃λ−儂以上の固有抵抗を示す(更には真性化される)
ように高抵抗化されている。そのドーピング−1i1:
fd、後述するグロー放電法で層2を形成する場合、反
応ガス流11比(B2H6/ S iH4) ”’ 1
0〜500 ppmに対応するものである。上記窒素含
有量及び流量比(又は固有抵抗)の各範囲を外れると、
高抵抗で輸送機能の良好な層とはなシ難く、電荷保持能
及び光感度共に不十分となる。まだ、a−8IN:HI
@2の厚みも軍警であり、2μm〜80μmK選ぶのが
望ま[7い。
ガラス又は樹脂シートに導電処理がなされたものかし)
なるシート状又はドラム状の導電性支持基板1を有1.
、この基板上に、電荷輸送層としての窒素含有pi
Si : H(以ド、a−8IN:Hと称する。)1曽
2と光導電層(感光/@)としてのa−8i:TIj偵
3と必要あれば一点鎖線の如き表面改質/f、? 4と
が順次積層せしめられている。m−8kN:Hノ較2の
窒素含有量はキャリア輸送能を充分にするために1 ”
”:[1atomic%に選定されており、かつ) 周期表第111A族元素のドーピングによっ−C10’
℃λ−儂以上の固有抵抗を示す(更には真性化される)
ように高抵抗化されている。そのドーピング−1i1:
fd、後述するグロー放電法で層2を形成する場合、反
応ガス流11比(B2H6/ S iH4) ”’ 1
0〜500 ppmに対応するものである。上記窒素含
有量及び流量比(又は固有抵抗)の各範囲を外れると、
高抵抗で輸送機能の良好な層とはなシ難く、電荷保持能
及び光感度共に不十分となる。まだ、a−8IN:HI
@2の厚みも軍警であり、2μm〜80μmK選ぶのが
望ま[7い。
この厚みが2μm未満では所望の性能が得られず、80
μmを越えると製膜に時間を要し7、生産性が悪くなる
。
μmを越えると製膜に時間を要し7、生産性が悪くなる
。
一力、表面改質層4は種りの利料で形成できるが、5i
O1Sin、、AI、O,、Ta201、CeO,、Z
rO2、TiO2、MgO、ZnO、PbO、5nO7
、MgF、、ZnS。
O1Sin、、AI、O,、Ta201、CeO,、Z
rO2、TiO2、MgO、ZnO、PbO、5nO7
、MgF、、ZnS。
アモルファス炭化シリコンからなる群より選ばれた少な
くとも1種からなっていてよい。この表面1鱒4として
、第2図に示す如く窒素原子を10〜50at o m
t e%金含有る厚さ100 X 〜1 /Amのa
−5INSH層を設けた場合、上述した如き機能を顕
著に発輝する。また、この場合には、層2は必ずし、も
れ−8IN二)Iに限らすa−8IC:H等の他の層で
形成し゛〔もよい。
くとも1種からなっていてよい。この表面1鱒4として
、第2図に示す如く窒素原子を10〜50at o m
t e%金含有る厚さ100 X 〜1 /Amのa
−5INSH層を設けた場合、上述した如き機能を顕
著に発輝する。また、この場合には、層2は必ずし、も
れ−8IN二)Iに限らすa−8IC:H等の他の層で
形成し゛〔もよい。
第3しくけ、h−8iN:H層2を電荷ブロッキングI
@とし、て用いた例を示し、このためにその窒素原f・
含有1i′1を10〜50ato+η4c%とするのが
望ましい。
@とし、て用いた例を示し、このためにその窒素原f・
含有1i′1を10〜50ato+η4c%とするのが
望ましい。
また、このブロッキング層の厚みは100 A〜1μm
に1定するのがよい。この場合も、表面改質層4N上、
+11と同様であってよいが、第4図の如(a−RiN
:Hで形成するのがよい。イ0、表面改質#4をn −
SIN :J(I@とするときKはブロッキングr@2
はa−8iC: HAI+の別の層で構成し1.1もよ
い。
に1定するのがよい。この場合も、表面改質層4N上、
+11と同様であってよいが、第4図の如(a−RiN
:Hで形成するのがよい。イ0、表面改質#4をn −
SIN :J(I@とするときKはブロッキングr@2
はa−8iC: HAI+の別の層で構成し1.1もよ
い。
s 4i1N 〜11 JII 2.4を光導電層3の
上下に設け/こ第4図の素子においては、ブロッキング
層2KC」周期表第1A族元素はドープしなくてもよく
、ま/(−その窒素含有量は10〜50atomlc%
、厚さは100人〜l Itm fあってよい。asi
’、H層3に比べGエネルギーキャップに有意な差をも
だせてプr1ノギング層として機能させるには、a−8
IN:Hl−i 2のこ一素象有mをloatom%C
%以上にする必要が2トす、−十7’(30atomi
c%以上であると暗抵抗及び光力べL性v」2低下する
がブロッキング作用は充分にある。
上下に設け/こ第4図の素子においては、ブロッキング
層2KC」周期表第1A族元素はドープしなくてもよく
、ま/(−その窒素含有量は10〜50atomlc%
、厚さは100人〜l Itm fあってよい。asi
’、H層3に比べGエネルギーキャップに有意な差をも
だせてプr1ノギング層として機能させるには、a−8
IN:Hl−i 2のこ一素象有mをloatom%C
%以上にする必要が2トす、−十7’(30atomi
c%以上であると暗抵抗及び光力べL性v」2低下する
がブロッキング作用は充分にある。
々お、製造面からみると、第2図及び第4図の如く、h
−81: 1(1tj 3の上下にa−81N:8層を
設けたものは、同一の方法で各層を形成できることから
望ましい。
−81: 1(1tj 3の上下にa−81N:8層を
設けたものは、同一の方法で各層を形成できることから
望ましい。
上記の第1図及び第2図においては、基板1と電荷輸送
層2との間には、電荷輸送層よυもエネルギーギャップ
の大きいa−8iN:8層若しくは不純物ドーピングで
P十型化又はNI′型化したa−8IN:8層を介在ぜ
し2め、これによシリ−5仮からの電荷の注入を防ぐ構
造にすることができる。
層2との間には、電荷輸送層よυもエネルギーギャップ
の大きいa−8iN:8層若しくは不純物ドーピングで
P十型化又はNI′型化したa−8IN:8層を介在ぜ
し2め、これによシリ−5仮からの電荷の注入を防ぐ構
造にすることができる。
なお、上記の爪尋市、I?j3は厚さく°市、荷@送層
をもうけ/こ感光体でQユ) 2500λ〜10/jm
、更には5oooλ〜5μIl+であってよい(電荷輸
送層のないとき(は0.5〜80 /1m ) 。また
周期表第111A族元;にのドーピングで真性化又は高
紙J>i:化(特に第3図及び第4図の場イ¥)してち
・くのが望ましく・。
をもうけ/こ感光体でQユ) 2500λ〜10/jm
、更には5oooλ〜5μIl+であってよい(電荷輸
送層のないとき(は0.5〜80 /1m ) 。また
周期表第111A族元;にのドーピングで真性化又は高
紙J>i:化(特に第3図及び第4図の場イ¥)してち
・くのが望ましく・。
次に、上記し六a −S iN : )1層の…、気的
、光学的特性を第5図〜第7図に−)いて舒、明する。
、光学的特性を第5図〜第7図に−)いて舒、明する。
沖、5図に1・士、n−8iN : Hの窒素含有量に
よる固有抵抗の変化が示さノ1ている(ρDは暗抵抗率
、ρ■、け光照射時の抵抗率)。これによればρD/ρ
Lを大きくしでキャリアの輸送能(及び光感度)を良<
−rるには、窒素含有量は1〜30atomle%とす
るのがよい?、、、!:が分シ、これは上記の電荷輸送
廣として望櫨しい範囲である。但、ブロッキング頗とし
て用いるときには、pD/ρLは小さくてもよいから、
窒素含有量の上限を50atomie%まで拡けてもよ
い(窒素量としては10〜50atomie%)。
よる固有抵抗の変化が示さノ1ている(ρDは暗抵抗率
、ρ■、け光照射時の抵抗率)。これによればρD/ρ
Lを大きくしでキャリアの輸送能(及び光感度)を良<
−rるには、窒素含有量は1〜30atomle%とす
るのがよい?、、、!:が分シ、これは上記の電荷輸送
廣として望櫨しい範囲である。但、ブロッキング頗とし
て用いるときには、pD/ρLは小さくてもよいから、
窒素含有量の上限を50atomie%まで拡けてもよ
い(窒素量としては10〜50atomie%)。
一方、第6図によれは、a−8iN:H層の固有抵抗V
土、ドープする不純物の量(流量比)によってコントロ
ールすることができ、特にBt H6/ S t H4
を10〜1000 ppmとすれば固有抵抗を川10Ω
−ぼ以上とし、1VrJ抵抗できるととが分る。この高
抵抗化によって′「b、荷保持能を向上させ不ことがで
きる。
土、ドープする不純物の量(流量比)によってコントロ
ールすることができ、特にBt H6/ S t H4
を10〜1000 ppmとすれば固有抵抗を川10Ω
−ぼ以上とし、1VrJ抵抗できるととが分る。この高
抵抗化によって′「b、荷保持能を向上させ不ことがで
きる。
まだ、第7図においては、窒素含有量の増加に伴なって
光学的エネルキーキャンプ(a−8I:Hの場合には約
1.65eV)を太きくし、入射光に対する吸収特性を
コントロールできることが分る。
光学的エネルキーキャンプ(a−8I:Hの場合には約
1.65eV)を太きくし、入射光に対する吸収特性を
コントロールできることが分る。
?イ、って、a−8iN:H層を表面位η層として用い
る場合、特に可視又は長波長光を照射するときに充分な
光透過性を付与するにVよ、窒素含有量を10〜50a
tomie%とし、更にこの範囲内で窒素含有量を多め
にすればよい。これによって、a−8jN:H層に波長
選択性を付与し、光感度を充分高く保持することができ
、また使用する入射光の種類を広く選択できる。
る場合、特に可視又は長波長光を照射するときに充分な
光透過性を付与するにVよ、窒素含有量を10〜50a
tomie%とし、更にこの範囲内で窒素含有量を多め
にすればよい。これによって、a−8jN:H層に波長
選択性を付与し、光感度を充分高く保持することができ
、また使用する入射光の種類を広く選択できる。
なお、上記のa SiN:H層は水素を含有すること
が必要であるが、水素を含有しない場合には感光体の電
荷保持特性が実用的なものとはならないからC6る。こ
のため、水素含有量は1〜40 atomle%(更に
は10〜30atomfe%)とするのが望ましい。
が必要であるが、水素を含有しない場合には感光体の電
荷保持特性が実用的なものとはならないからC6る。こ
のため、水素含有量は1〜40 atomle%(更に
は10〜30atomfe%)とするのが望ましい。
光導電層3中の水素含有量は、ダングリングボンドを補
償して光導電性及び電荷保持性を向上させるために必須
不可欠であって、通當は1〜4゜atomje%であシ
、3.5〜20atomle%であるのがより望ましい
。tた、a−8l:H層3は、製造時 ウの不純物ドー
ピングによって導電型の制御が可能であり、これによっ
て帯電の極性の正、負を選択できる。a−84:11層
3の真性化又はP型化のだめにr、tBSl、Ga、
In、 T7等の周期表第1IIA族元素をドープで
きるが、これらのドーピング量はas+:Hの電気的、
光学的特性を良くする上で〜3 10〜5 a、tomic%(更には10〜1 atn
mic%)が望ましい。また、a−8i:H層3のN型
化にはN、P、As、SbS Bi等の周期表第VA族
元素をドープできるが、これらのドーピング量は上記と
回持・の理由かり10 〜1 atomic%(更には
10〜」 J(l 1.omic%)であるのが望ましい。ま7
′コ、a−8I:Hの高抵抗化、増感、伝導性の調整の
ために、必要に応じて酸素、窒素等や、クロム、マンガ
ン雪の遷移金属を導入してもよい。
償して光導電性及び電荷保持性を向上させるために必須
不可欠であって、通當は1〜4゜atomje%であシ
、3.5〜20atomle%であるのがより望ましい
。tた、a−8l:H層3は、製造時 ウの不純物ドー
ピングによって導電型の制御が可能であり、これによっ
て帯電の極性の正、負を選択できる。a−84:11層
3の真性化又はP型化のだめにr、tBSl、Ga、
In、 T7等の周期表第1IIA族元素をドープで
きるが、これらのドーピング量はas+:Hの電気的、
光学的特性を良くする上で〜3 10〜5 a、tomic%(更には10〜1 atn
mic%)が望ましい。また、a−8i:H層3のN型
化にはN、P、As、SbS Bi等の周期表第VA族
元素をドープできるが、これらのドーピング量は上記と
回持・の理由かり10 〜1 atomic%(更には
10〜」 J(l 1.omic%)であるのが望ましい。ま7
′コ、a−8I:Hの高抵抗化、増感、伝導性の調整の
ために、必要に応じて酸素、窒素等や、クロム、マンガ
ン雪の遷移金属を導入してもよい。
なお、ダングリングボンドを補償するためKは、A−8
1に対しては上記したHの代りに、或いはHとイJ1用
17でフッ素を導入し、a −8t : F、 a−8
1:H:F。
1に対しては上記したHの代りに、或いはHとイJ1用
17でフッ素を導入し、a −8t : F、 a−8
1:H:F。
a−SiC:F、5−8IC:H:Fとすることもでき
る。
る。
このJ4 ftのフッ素量は0.(11〜2D ato
mic%がよく1.05〜+(1*tnmic%がより
望まし、い。
mic%がよく1.05〜+(1*tnmic%がより
望まし、い。
次に、I−、記した感光体の製造/−7法及び装僅を第
8図について説明する。
8図について説明する。
この装厘11の真空槽12内では、上記した基板1が基
板保持部14上に固定され、ヒーター15で基板1を所
定温度に加熱し得るようになっている。基板1に対向し
て高周波和硫17が配され、基板1との間にグロー放電
が生せしめられる。゛なお、図中の加、21.22.2
3.27、公、29.34.36.38は各バルブ、3
1はSiH4又はガス状シリコン化合物の供給源、32
はNH3又はN2等の窒素の供給源、33はAr又はH
7等のキャリアガス供給源である。寸だ、図示省略した
が、上記供給源と同様に、I’l、H,の供給源も付設
されている。このグロー放電装備1′において、まず支
持体である例えばA1w1IC表面を清浄化した後に真
空槽12内に配置し、真空槽12内のガス圧が1g T
orrとなるようにパルプ:(15’5: ji”’I
Yljして排気し、かつ基板1を所定温度、例えば;
℃〜400℃に加熱保持する。次いで、高純度の不活性
ガスをキャリアガスとして、SIH,又はガス状シリコ
ン化合物、及びN馬又はN、を適当量希釈した混合ガス
を真空槽12内に導入し、例えば0.01〜10Tor
rの反応圧下で高周波1柳16によすd19周波判・、
圧(例えば13.56 MHz )を印加する。これに
よって、上記各反応ガスをグロー放也分解し、水素を含
むa−8IN:Hを上目己の層2(更には4)として基
板上に、9積させる。この際、シリコン化合物ト窒素化
合物の流量比及び基板温度を適宜調整することによって
、所望の組成比及び光学的エネルキーギャップを有する
a−8目−xNx:Hを析出させることができ、また析
出するa−8iN:Hの電気的特慴にさにど影響をカえ
るとと々く、1000久/m + nυ−にの速度でa
−8IN:Hを堆積させることが可能である。なお、a
−8IC:)(を堆積させるときけ、−1−記の窒素化
合物に代えてメタンガスを用いれげよい。更に、a−8
1:H(上記の感光I@3)を堆積さ4勺るに1士、窒
素化合物を供給しないでシリコン化合物をグロー放電分
解すればよい。特に、a−8i:ll/ii3光層に周
期表III A族元素のガス状化合物、例えばn、H,
lシリコン化合物に適当量添加したものをグロー放電分
解ずれげ、a−8i:Hの光導電性の向上と共にその高
抵抗化も図れる。
板保持部14上に固定され、ヒーター15で基板1を所
定温度に加熱し得るようになっている。基板1に対向し
て高周波和硫17が配され、基板1との間にグロー放電
が生せしめられる。゛なお、図中の加、21.22.2
3.27、公、29.34.36.38は各バルブ、3
1はSiH4又はガス状シリコン化合物の供給源、32
はNH3又はN2等の窒素の供給源、33はAr又はH
7等のキャリアガス供給源である。寸だ、図示省略した
が、上記供給源と同様に、I’l、H,の供給源も付設
されている。このグロー放電装備1′において、まず支
持体である例えばA1w1IC表面を清浄化した後に真
空槽12内に配置し、真空槽12内のガス圧が1g T
orrとなるようにパルプ:(15’5: ji”’I
Yljして排気し、かつ基板1を所定温度、例えば;
℃〜400℃に加熱保持する。次いで、高純度の不活性
ガスをキャリアガスとして、SIH,又はガス状シリコ
ン化合物、及びN馬又はN、を適当量希釈した混合ガス
を真空槽12内に導入し、例えば0.01〜10Tor
rの反応圧下で高周波1柳16によすd19周波判・、
圧(例えば13.56 MHz )を印加する。これに
よって、上記各反応ガスをグロー放也分解し、水素を含
むa−8IN:Hを上目己の層2(更には4)として基
板上に、9積させる。この際、シリコン化合物ト窒素化
合物の流量比及び基板温度を適宜調整することによって
、所望の組成比及び光学的エネルキーギャップを有する
a−8目−xNx:Hを析出させることができ、また析
出するa−8iN:Hの電気的特慴にさにど影響をカえ
るとと々く、1000久/m + nυ−にの速度でa
−8IN:Hを堆積させることが可能である。なお、a
−8IC:)(を堆積させるときけ、−1−記の窒素化
合物に代えてメタンガスを用いれげよい。更に、a−8
1:H(上記の感光I@3)を堆積さ4勺るに1士、窒
素化合物を供給しないでシリコン化合物をグロー放電分
解すればよい。特に、a−8i:ll/ii3光層に周
期表III A族元素のガス状化合物、例えばn、H,
lシリコン化合物に適当量添加したものをグロー放電分
解ずれげ、a−8i:Hの光導電性の向上と共にその高
抵抗化も図れる。
上記した製造方法及び装置から明らかなように1、する
感光体は、使用する反応ガスのイ→f類及び61r計を
変えるだけで同一装置により順次各層を1膜することに
よって作成できる。従って、特に重荷輸送層、ブロッキ
ング層としてのn−8iN:H/ftも作業性良く製膜
できる。また、a−8IN:H層は有接高分子化合物と
比べて膜付きが良く、機械的強度や耐湿性等の表面改質
効果も十分である。
感光体は、使用する反応ガスのイ→f類及び61r計を
変えるだけで同一装置により順次各層を1膜することに
よって作成できる。従って、特に重荷輸送層、ブロッキ
ング層としてのn−8iN:H/ftも作業性良く製膜
できる。また、a−8IN:H層は有接高分子化合物と
比べて膜付きが良く、機械的強度や耐湿性等の表面改質
効果も十分である。
なお、上nピの製造方法はグロー放電分解法によるもの
であるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン什さ
れた水素導入下でa−8ICを蒸発させる方法(%に、
本出願人による特開昭56−78413号(%顯昭54
−152455号)の方法)等によっても上記感光体の
製造がIN #ヒである。
であるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン什さ
れた水素導入下でa−8ICを蒸発させる方法(%に、
本出願人による特開昭56−78413号(%顯昭54
−152455号)の方法)等によっても上記感光体の
製造がIN #ヒである。
使用する反応ガス1;i、5IH4以外にも81.H6
,SIF、、8ilIF、、又けその訪ηシ体ガス、C
H,以外のc、馬、 斗C,H,等の低級炭化水素
ガスが使用可能である。
,SIF、、8ilIF、、又けその訪ηシ体ガス、C
H,以外のc、馬、 斗C,H,等の低級炭化水素
ガスが使用可能である。
第1図は、本発明による感光体を上HL特開昭56−7
8413号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置
を示すものである。
8413号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置
を示すものである。
ヘルジャ−41は、ノ・タフライバルブ42を有する排
気管43を介して真空ポンプ(7図示せず)を接続し、
これにより当該ペルジャー41内を例んば1(1−’7 〜10 T o y rの畠真空状態とし、当該ペル
ジャー41内には基板lを配降してこれをヒーター45
に上り堪IJ1: 150〜500℃、好ましくは25
0〜450℃に加熱すると共に、1μ流111.源44
iによシ基板1にO〜−10KV 、好ましくeよ−1
〜−6KVの直かし負電圧ケ印加(2、その出口が基板
1と対向するようペルジャー41に出I]全接続して設
けた水素ガス放′a肯41よりの活性水素及び水素イメ
ンをペルジャー41内に五人しながら、基4Fj 1と
対向するよう設けたシリコン?A 発W 48及びアル
ミニウム蒸発源49を加熱すると共に各−L方のシャッ
ターSを開き、シリコン及びアルミニウムをその蒸発速
度比が例えば1:0.01〜0.2となる蒸発速度で同
時に蒸発さセ、かつペルジャー41内へ、数箱、管ヌ)
により活性化されrcNII3ガスを導入111、これ
によりアルミニウムを所定…含イ1するa−stN:H
Ii2.4 (:’4% 1図〜第4図診照)を彫成−
ノる。a−81:H/e#3の形成時には、NH,ガス
の供給を停止すればよい。
気管43を介して真空ポンプ(7図示せず)を接続し、
これにより当該ペルジャー41内を例んば1(1−’7 〜10 T o y rの畠真空状態とし、当該ペル
ジャー41内には基板lを配降してこれをヒーター45
に上り堪IJ1: 150〜500℃、好ましくは25
0〜450℃に加熱すると共に、1μ流111.源44
iによシ基板1にO〜−10KV 、好ましくeよ−1
〜−6KVの直かし負電圧ケ印加(2、その出口が基板
1と対向するようペルジャー41に出I]全接続して設
けた水素ガス放′a肯41よりの活性水素及び水素イメ
ンをペルジャー41内に五人しながら、基4Fj 1と
対向するよう設けたシリコン?A 発W 48及びアル
ミニウム蒸発源49を加熱すると共に各−L方のシャッ
ターSを開き、シリコン及びアルミニウムをその蒸発速
度比が例えば1:0.01〜0.2となる蒸発速度で同
時に蒸発さセ、かつペルジャー41内へ、数箱、管ヌ)
により活性化されrcNII3ガスを導入111、これ
によりアルミニウムを所定…含イ1するa−stN:H
Ii2.4 (:’4% 1図〜第4図診照)を彫成−
ノる。a−81:H/e#3の形成時には、NH,ガス
の供給を停止すればよい。
上記の放電管47、刃の構造を例えば放電管47につい
て示すと、紀10図の如く、ガス人口61を有する筒状
の一方の電極部材62と、この一方の電極部材62を一
端に設けた、放電空間63を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材64と、この放電空間部材64の他端に設
けた、出口65を有するリング状の他方Q)市、極部利
66とより成り、前記一方の電極部材62と他方の宙、
極部拐66との間に直流又は交流の電圧が印加されるこ
とにより、ガス人口61を介して供給された例えば水素
ガスが放電空間63においてグロー族?11、を生じ、
これにより電子エネルキー的に賦活された水素原子若し
くは分子より成る活恰水素及びイオン化された水素イオ
ンが出口65より排出される。この図示の例の放電空間
部材64は二重管構造て必って冷却水を流過せしめ得る
措成を有し、67 、68が冷却水人口及び出口を示す
。69t1一方の市極部月620酎却用フィンである。
て示すと、紀10図の如く、ガス人口61を有する筒状
の一方の電極部材62と、この一方の電極部材62を一
端に設けた、放電空間63を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材64と、この放電空間部材64の他端に設
けた、出口65を有するリング状の他方Q)市、極部利
66とより成り、前記一方の電極部材62と他方の宙、
極部拐66との間に直流又は交流の電圧が印加されるこ
とにより、ガス人口61を介して供給された例えば水素
ガスが放電空間63においてグロー族?11、を生じ、
これにより電子エネルキー的に賦活された水素原子若し
くは分子より成る活恰水素及びイオン化された水素イオ
ンが出口65より排出される。この図示の例の放電空間
部材64は二重管構造て必って冷却水を流過せしめ得る
措成を有し、67 、68が冷却水人口及び出口を示す
。69t1一方の市極部月620酎却用フィンである。
上記の水素ガス故知、・音47におけるIu: h、間
距離は1()〜15aであり、印加動圧は600v、故
知空間63の圧力は10 Torr惺度とされる。
距離は1()〜15aであり、印加動圧は600v、故
知空間63の圧力は10 Torr惺度とされる。
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
実ノWNを11 1
トリクロルエチレンで洗浄し、0.1%NiOH水溶液
、0.1%)imlio、水溶液でエツテングしたAI
基板を第8図のグロー放電装置内にセットし、次の条件
で厚さ10μmのボロンドープドa−8iN:H層(電
荷輸送層)を形成した。
、0.1%)imlio、水溶液でエツテングしたAI
基板を第8図のグロー放電装置内にセットし、次の条件
で厚さ10μmのボロンドープドa−8iN:H層(電
荷輸送層)を形成した。
SiH4流歓12ec/m1n
N!流量 8 ee7’m1nB、H1l/
S IN、 0.01マロ1%真空槽のガス圧
1.2×川 Torr高周波市土 パワー 50
W 周波数13゜56 M)Iy。
S IN、 0.01マロ1%真空槽のガス圧
1.2×川 Torr高周波市土 パワー 50
W 周波数13゜56 M)Iy。
基板温度 210℃
次に放電を停止してN、の供給を止め、F記の条件(他
は」ユ記と1rj−1様)でグロー放1.を行ない、ボ
ロンドープドロ−84: H鳩を厚さ1μmに形成した
。
は」ユ記と1rj−1様)でグロー放1.を行ない、ボ
ロンドープドロ−84: H鳩を厚さ1μmに形成した
。
B 9 Ha / S l 114流椿比 0.01
vol 3ら更に再び放電を停止後、ガス流量を下記の
如くに調整してグロー放電を行ない、厚さ1000λの
a−8jN:Hr@(表面改質層二元学的エネルキーギ
ャップ2,5 eV )を形成した。
vol 3ら更に再び放電を停止後、ガス流量を下記の
如くに調整してグロー放電を行ない、厚さ1000λの
a−8jN:Hr@(表面改質層二元学的エネルキーギ
ャップ2,5 eV )を形成した。
8%H4流量 4 ee/m1nN、流量
16ee/min この感光体を使用し、−6KV、5秒間のコロナ放電に
よって感光体表面を帯電せしめ、5秒間の暗減衰後に0
.1 luxのハロゲンランプ′光を照射して表面電位
の光減衰特性を測定し、更に正極性のトナーで現像、転
写、定着処理した。この測定結果を下記表に示した。い
ずれも、カプリがなく、画像濃度の高い鮮明な画像を得
た。
16ee/min この感光体を使用し、−6KV、5秒間のコロナ放電に
よって感光体表面を帯電せしめ、5秒間の暗減衰後に0
.1 luxのハロゲンランプ′光を照射して表面電位
の光減衰特性を測定し、更に正極性のトナーで現像、転
写、定着処理した。この測定結果を下記表に示した。い
ずれも、カプリがなく、画像濃度の高い鮮明な画像を得
た。
これに対し、A1基板/ R−8IN : H(Bドー
プ厚さ15μ)及びA1基板/a−81:H(Bドープ
厚さ15μ)の構造の感光体を上側と同じ作り方で作製
し、同様の評価をしたところ、画像は著しく劣化した。
プ厚さ15μ)及びA1基板/a−81:H(Bドープ
厚さ15μ)の構造の感光体を上側と同じ作り方で作製
し、同様の評価をしたところ、画像は著しく劣化した。
酪
実施例 2
上記したA1基板上に、上記した特開昭56−7841
3号の蒸着法に基いて、次の条件下でAlドープドa−
8iN:H層を厚さ10μmに成長させた。
3号の蒸着法に基いて、次の条件下でAlドープドa−
8iN:H層を厚さ10μmに成長させた。
H7流量150 ee/m1n
(但、N22 CC/mtn混合)
蒸発源 多結晶シリコン
(電子銃加熱で蒸発)
蒸発源 アルミニウム
(抵抗加熱方式で蒸発)
A発鰯 比 S豫/Al =
3 X 10 、/1蒸A時6間 10
0分 族1o、管 DC放電管 (放電パワー35ow) 基板温度 400℃ 基板電圧 −5KV 次に、同装置においで、下記の条件(他は上記と同じ)
でAIドープド光導電層をJIIさ1 /1mに形成し
た。
3 X 10 、/1蒸A時6間 10
0分 族1o、管 DC放電管 (放電パワー35ow) 基板温度 400℃ 基板電圧 −5KV 次に、同装置においで、下記の条件(他は上記と同じ)
でAIドープド光導電層をJIIさ1 /1mに形成し
た。
H7流Jf 100 ec/min蒸発バー
比 St/AI = 6 X 10 /1更に、
同装置において、H,100cc /min 、 Nt
40 e c 7’m inとし、Siのみを蒸発(蒸
着時間は1分I秒)させ、厚さ1500λの表面改質層
としてのa−8iN:H層を形成しだ〇 こう・して得られた感光体について、実施例と同様の評
価テストを行ったところ、初期表面電位−700V 1
暗減衰率5%、半減露光量0.8 lux ・seeと
なった。また、祠られた画像はカプリがなく、画像濃度
も高く、鮮明であった。
比 St/AI = 6 X 10 /1更に、
同装置において、H,100cc /min 、 Nt
40 e c 7’m inとし、Siのみを蒸発(蒸
着時間は1分I秒)させ、厚さ1500λの表面改質層
としてのa−8iN:H層を形成しだ〇 こう・して得られた感光体について、実施例と同様の評
価テストを行ったところ、初期表面電位−700V 1
暗減衰率5%、半減露光量0.8 lux ・seeと
なった。また、祠られた画像はカプリがなく、画像濃度
も高く、鮮明であった。
以下余白
◎ 画像濃度高く、画質非常に良好
○ 画像濃度高く、画質良好
× コピー不可
なお、上記の本実施例による試料は正帯電でも使用可能
である。
である。
上記の結果から、本発明に従ってIL−81N:H層を
具備する感光体はいずれも、静電特性が良好であり、画
質も滴足すべきものであった。
具備する感光体はいずれも、静電特性が良好であり、画
質も滴足すべきものであった。
図面は本発明を例示するものであって、第1図−・第2
[1,第3図、第4図は電子写真感光体の各側の各断面
図、 第5図及び第6図は窒素量及びドアピング量によるa−
8iN:Hの固有抵抗の変化を示すグラフ、第7同は屋
素量による光学的エネルギーギャップを示すグラフ、
4第8図、第9図
は上記感光体の製造装置の各側の概略断面図、 第10し11放市2部の断面図 である、。 なお、図面に示されている符号ICおいて、1・・・・
・・・・・支持体(基鈑) 2・・・・・・・・・電荷輸送層又はブロッキング層3
・・・・・・・・・a−8i:II@光層(光導電r@
)4・・・・・・・・・表面改質層 】1・・・・・・・・・グロー放宵装植17・・・・・
・・・・高周波電極 :(I・・・・・・・・・ガスセシリコン化合物供給源
3・2・・・・・・・・・ガス状炭素化合物供給源3゛
1・・・・・・・・・キャリアガス供給曽41・・・・
・・・・・参着槽 4′l′ 、 50 ・・・・・・11号(11)
管48・・・・・・・・・シリコン蒸発源4()・・
・・・・・・アルミニラ1.九年源である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1図 4 第3図 第4図 a−5i+−xNx:H (1)l)ml (99m)第7図 第8図 3 図 (自 発) 手−続?:ni J、E凋:1.事件の表
示 昭和57年 特許 間第101085号2、発明の名
称 記録体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号名 称
四27)小西六写真工業株式会社4、代理人 6、補d−に、Lり増加する発明の数 7、補IFのりI象 明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の第6図及び第
7し1 8、補正の内容 「抵抗率では」と訂正します。 (2)、同第4頁9〜10行目の1光感度町・・電荷保
持特性も」を[電荷保持時)j■が」と訂正しまず。 (3)、同第6頁5行目のra−3iJをra −3i
:HJと訂正しまず。 (4)、同第8頁13行目の「アモルファス炭化シリコ
ン」を1Jモルファス水素化及び/又はフッ素化炭化シ
リコン」とHJ正しまず。 (5)、同第13頁4行目のI−1atnmic%」を
11atoinic%」と訂正します。 (6)、同第13真下から6行目のra−3i:It:
F、Jをra−3i lI:F、 a−S:N:F、a
−3iN:H:F、Jとδ1正しまず。 (7) 、同第14PtlO行目ノrT32+I 6−
1 ヲr C1l 、TやB 2 H6Jと訂正しまず
。 (8)、同第16頁12行目のra−3iCJをr’s
ilと訂正しまず。 (9)、同第16頁下から3行目の「低級炭化水素彎 ガス」を「低級炭化水素ガスやCF4Jと訂正します。 (10) 、同第16真下から2行目の「第1図」を「
第9図」と訂正します。 (11) 、同第17頁下から4行目のro、oi〜0
.2」をrlO−4Jと訂正しまず。 (+2) 、同第18頁1行目の「形成する。」を[形
成する。アルミニウムをドーピングしない場合には、ア
ルミニウム芸発源49を加熱ゼず その上方のシャッタ
ーSを閉じて才i&Jばよい。」と訂正しまず。 (13) 、同第19頁12行目のr S i N 4
Jをrsi114」と訂正します。 (14) 、I用筆20頁2行目のr 1000人」を
r1500人」と訂正しまず。 (15) 、同第23頁の表においてその下から2欄目
の(SiN)J Hで具i生イし 」
しまず。 (16) 、同第25頁lO行目の「ガス状炭素化合物
供給源」を1ガス状窒素化合物供給源」と訂正しまず。 (17)願書に添付した図面のうち、第6図及び第7図
を別紙の通りに夫々訂正しまず。 −以−に一−
[1,第3図、第4図は電子写真感光体の各側の各断面
図、 第5図及び第6図は窒素量及びドアピング量によるa−
8iN:Hの固有抵抗の変化を示すグラフ、第7同は屋
素量による光学的エネルギーギャップを示すグラフ、
4第8図、第9図
は上記感光体の製造装置の各側の概略断面図、 第10し11放市2部の断面図 である、。 なお、図面に示されている符号ICおいて、1・・・・
・・・・・支持体(基鈑) 2・・・・・・・・・電荷輸送層又はブロッキング層3
・・・・・・・・・a−8i:II@光層(光導電r@
)4・・・・・・・・・表面改質層 】1・・・・・・・・・グロー放宵装植17・・・・・
・・・・高周波電極 :(I・・・・・・・・・ガスセシリコン化合物供給源
3・2・・・・・・・・・ガス状炭素化合物供給源3゛
1・・・・・・・・・キャリアガス供給曽41・・・・
・・・・・参着槽 4′l′ 、 50 ・・・・・・11号(11)
管48・・・・・・・・・シリコン蒸発源4()・・
・・・・・・アルミニラ1.九年源である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1図 4 第3図 第4図 a−5i+−xNx:H (1)l)ml (99m)第7図 第8図 3 図 (自 発) 手−続?:ni J、E凋:1.事件の表
示 昭和57年 特許 間第101085号2、発明の名
称 記録体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号名 称
四27)小西六写真工業株式会社4、代理人 6、補d−に、Lり増加する発明の数 7、補IFのりI象 明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の第6図及び第
7し1 8、補正の内容 「抵抗率では」と訂正します。 (2)、同第4頁9〜10行目の1光感度町・・電荷保
持特性も」を[電荷保持時)j■が」と訂正しまず。 (3)、同第6頁5行目のra−3iJをra −3i
:HJと訂正しまず。 (4)、同第8頁13行目の「アモルファス炭化シリコ
ン」を1Jモルファス水素化及び/又はフッ素化炭化シ
リコン」とHJ正しまず。 (5)、同第13頁4行目のI−1atnmic%」を
11atoinic%」と訂正します。 (6)、同第13真下から6行目のra−3i:It:
F、Jをra−3i lI:F、 a−S:N:F、a
−3iN:H:F、Jとδ1正しまず。 (7) 、同第14PtlO行目ノrT32+I 6−
1 ヲr C1l 、TやB 2 H6Jと訂正しまず
。 (8)、同第16頁12行目のra−3iCJをr’s
ilと訂正しまず。 (9)、同第16頁下から3行目の「低級炭化水素彎 ガス」を「低級炭化水素ガスやCF4Jと訂正します。 (10) 、同第16真下から2行目の「第1図」を「
第9図」と訂正します。 (11) 、同第17頁下から4行目のro、oi〜0
.2」をrlO−4Jと訂正しまず。 (+2) 、同第18頁1行目の「形成する。」を[形
成する。アルミニウムをドーピングしない場合には、ア
ルミニウム芸発源49を加熱ゼず その上方のシャッタ
ーSを閉じて才i&Jばよい。」と訂正しまず。 (13) 、同第19頁12行目のr S i N 4
Jをrsi114」と訂正します。 (14) 、I用筆20頁2行目のr 1000人」を
r1500人」と訂正しまず。 (15) 、同第23頁の表においてその下から2欄目
の(SiN)J Hで具i生イし 」
しまず。 (16) 、同第25頁lO行目の「ガス状炭素化合物
供給源」を1ガス状窒素化合物供給源」と訂正しまず。 (17)願書に添付した図面のうち、第6図及び第7図
を別紙の通りに夫々訂正しまず。 −以−に一−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 アモルファス水素化及び/′又はフッ素化シリコ
:ノフノ・らなる光導電層が基体上に設けらJtて(・
る記録体におい1、窒素原子を含有するアモルファス水
素化及び/又はフッ素化シリコン層が前記光導電層の上
部及び、′又tま[部に赦けりれて℃・ることを特徴と
j−る記録体。 2、窒素原子γ含イ1するfモルファス水素化及び/又
6.1、ソノ素化7リコン層の窒素原子含有量が1〜3
0 atomic %であシ、かつその膜厚が2μm〜
80μmでり・4)、特許請求の範囲の第1項に記載し
プこfil九求体。 3、雷累原f−を含有する一アモルファス水素化及び/
又eまノッ素化シリコン1−が周期表第111 A族元
素のドーピングによって10Ω−α以上の固有抵抗を示
ノ〜よ・9に面抵抗化さitている、特許請求の範囲の
第2項に記載した記録体。 4、窒素原子を含有するアモルファス水素化及び/又は
フッ素化シリコン層の窒素原子含有量が10〜5Qat
omle%であり、かつその膜厚が100X〜1μmで
ある、特許請求の範囲の第1項に記載した記録体。 5、窒素原子を1〜30atomie%含有しかつ周期
表第111 A族元素のドーピングによって10Ω−鋼
以上の固有抵抗を示す厚さ3μm〜8011mのアモル
ファス水素化及び/又はフッ素化シリコン層と、厚さ5
000 X〜5μmの光導電層と、窒素原子を10〜5
0 a t o m l c%金含有る厚さ100X〜
111mのアモルファス水素化及び/又はフッ素化シリ
コン層とが基体上に順次積層せしめられ−Cいる、特許
請求の範囲の第1項に記載した記録体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57101085A JPS58217938A (ja) | 1982-06-12 | 1982-06-12 | 電子写真感光体 |
US06/500,625 US4518670A (en) | 1982-06-12 | 1983-06-03 | Recording material for electrophotography comprising amorphous silicon containing nitrogen |
DE19833321135 DE3321135A1 (de) | 1982-06-12 | 1983-06-10 | Elektrostatographisches aufzeichnungsmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57101085A JPS58217938A (ja) | 1982-06-12 | 1982-06-12 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58217938A true JPS58217938A (ja) | 1983-12-19 |
JPH0233146B2 JPH0233146B2 (ja) | 1990-07-25 |
Family
ID=14291255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57101085A Granted JPS58217938A (ja) | 1982-06-12 | 1982-06-12 | 電子写真感光体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4518670A (ja) |
JP (1) | JPS58217938A (ja) |
DE (1) | DE3321135A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61130953A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-18 | Toshiba Corp | 光導電部材 |
JPS6281642A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-15 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | オ−バ−コ−テイング型無定形ケイ素像形成部材 |
JPS63178248A (ja) * | 1986-11-03 | 1988-07-22 | ゼロックス コーポレーション | バリヤー層を有する無定形ケイ素像形成部材 |
JPS63221350A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-09-14 | ゼロックス コーポレーション | 湿気非感受性感光性像形成部材 |
JPH0296178A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-04-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPH02124578A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-05-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0075481B1 (en) * | 1981-09-22 | 1986-08-27 | Hitachi, Ltd. | Electrophotographic plate |
JPH0680463B2 (ja) * | 1983-12-28 | 1994-10-12 | 株式会社リコー | 電子写真感光体 |
US4666803A (en) * | 1984-11-26 | 1987-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photoconductive member for exhibiting photoconductivity upon illumination by electromagnetic light in the visible to ultraviolet range |
EP0194329B1 (en) * | 1985-03-13 | 1989-07-12 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Multilayer photoconductive material |
US4743522A (en) * | 1985-09-13 | 1988-05-10 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
US5166018A (en) * | 1985-09-13 | 1992-11-24 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
US4749636A (en) * | 1985-09-13 | 1988-06-07 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
US4741982A (en) * | 1985-09-13 | 1988-05-03 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having undercoat layer of amorphous carbon |
US4738912A (en) * | 1985-09-13 | 1988-04-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an amorphous carbon transport layer |
FR2590077A1 (fr) * | 1985-11-11 | 1987-05-15 | Sharp Kk | Procede de fabrication d'un element photoconducteur |
EP0238095A1 (en) * | 1986-03-20 | 1987-09-23 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member composed of charge transporting layer and charge generating layer |
JPS62220961A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-29 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
JPS62220959A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-29 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
EP0241032A3 (en) * | 1986-04-09 | 1989-11-23 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member composed of charge transporting layer and charge generating layer |
JPS62289848A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-16 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
US4737429A (en) * | 1986-06-26 | 1988-04-12 | Xerox Corporation | Layered amorphous silicon imaging members |
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