JPS58217938A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｓにＡｓ　
、　Ｔｏ　ＳＳｂ　’６をドープ１〜だ感光体、ＺｎＯ
やＣｄＳを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知ら
れている。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性
、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ｋ−８ｉ　）　ヲ母材ト
して用いた電子写真感光体が近年になって提案されてい
る。ａ−８Ｓは、８％−８ｉの結合手が切れたいわゆる
ダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因して
エネルギーキャップ内に多くの局在準位が存在する。こ
のために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗
が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて
光導電性が悪くたっている。そこで、上記欠陥を水素原
子（）０で補償して５ｉｉＣＨを結合させることによっ
て、ダングリングボンドを埋めることが行なわれる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−−
８ｉ：）Ｉと称する。）の暗所での抵抗率はｉｏ　Ｂ、
　１０９Ω−ｃｒｒＬであって、アモルファスＳｅと比
較すれば約１万分の１も低い。従って、ａ−８Ｉ：Ｈの
単層からなる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、
初期帯電電位が低いという問題点を有している。

しかし他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵
抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極め
て優れた特性を有している。

そこで、このような＊−８１：ＨＫ電位保持能を付与す
るため、ホウ素をドープすることによシ抵抗率を約１０
Ω−鑞にまで高めることができるが、ホウ素量をそのよ
うに正確に制御することは容易ではない上に、１０１２
Ω−ａ程度の抵抗率でもカールソン方式による感光プロ
セスに使用するには光感度が不十分であり、電荷保持特
性もなお不十分である。また、ホウ素と共に微量の酸素
を導入することにより　１０＋３Ω−ａ程度の畠抵抗化
が可能であるが、これを感光体に用いた場合には光導電
性が低下し、裾切れの悪化や残留電位の発生という問題
が生じるー また、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする／ｉ′＆光体は、長期
に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コ　ウ
ロナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学
的安定性に関して、これ迄十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放館した、ものは湿気の影１１１ｒ
受け、受容電位が著しく低下することが分っている。更
に、ａ−８ｔ：ＨはＡ１やステンレス等の支持体に対し
て膜付き（接着性）が悪く、市、子写真感光体として実
用化する上で問題となる。

この対策として、特開昭５５−８７１５４号における如
きシランカップリング剤、特開昭５６−７４２５７号に
おける如きポリイミド樹脂又はトリアジン樹脂等の有機
篩分子化合物からガる接着層を＊−８１：１１層と支持
体との間に設けることが知られている。

しか１−ながら、これらの場合、接着層の形成とａ　−
Ｓ＋　：　０層の製膜とを別の方法で行なう必要があり
、そのために眉「だな製膜装置を用いなければ々らず、
作業性が不良となる。

しかも、ａ−８ｉ：０層を光導電性の良好なものとする
には、その製膜時の基板（支持体）温度を通常約２０１
１℃又はそれ以上に保持することを要するが、このよう
な温度に対し下地の接着ｊ＠は熱的に酬えるととができ
ない。

９１−って、本発明の目的は、電荷保持特性及び光感度
共に優れ、かつ耐刷性、電荷保持特性の安定性、更には
支持体との接着性等においても実用に供し得るａ−８１
系感光体を提供することにある。

この目的を達成するために、本発明の記録体（例えば感
光体）は、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリ
コン（例えばａ−８ｉ　）からなる光導電層が基体上に
設けられている記録体において、窒素原子を含有するア
モルファス水素化及び／又はフッ素化シリコン（例えば
ａ−８ｉＮ　：　ＩＩ　）　１ｍが前記光導電層の上部
及び／又Ｏ１下部に設けられていることを特徴とするも
のである。

本発明によれば、上記の窒素含有アモルファス水素計及
び／又はフッ素化シリコン層が光導′ｉ４１．層（光キ
ヤリア発生層）Ｋ対して電荷輸送層又は１ｈ、荷ブロッ
キング層として効果的に作用すイ）ことが本発明者によ
ってはじめて見出され、そのために適度な固有抵抗を有
している」二に、良好な光学的エネルキーキャノプも有
していて光感度も良好に保持するものであることが分っ
た。寸だ、最上層として設けた場合Ｆ、Ｌ更に、光導電
層の保ａ、ｔ４Ｌ荷保持、保存中の経時変化の防止、繰
返し使用時の光導Ｍ１一層の劣化防止、湿度による悪影
響阻止、機械的強度の向上、熱的劣化の防止、熱転写（
特に粘着転写）性の向上等を実現ゴることができる。

以下゛、本発明を感光体に適用した例を詳細に説明する
。

第１図に示す感光体は、ＡＩ又はステンレス等、或いは
ガラス又は樹脂シートに導電処理がなされたものかし）
なるシート状又はドラム状の導電性支持基板１を有１．
、この基板上に、電荷輸送層としての窒素含有ｐｉ　　
Ｓｉ　：　Ｈ（以ド、ａ−８ＩＮ：Ｈと称する。）１曽
２と光導電層（感光／＠）としてのａ−８ｉ：ＴＩｊ偵
３と必要あれば一点鎖線の如き表面改質／ｆ、？　４と
が順次積層せしめられている。ｍ−８ｋＮ：Ｈノ較２の
窒素含有量はキャリア輸送能を充分にするために１　”
”：［１ａｔｏｍｉｃ％に選定されており、かつ） 周期表第１１１Ａ族元素のドーピングによっ−Ｃ１０’
℃λ−儂以上の固有抵抗を示す（更には真性化される）
ように高抵抗化されている。そのドーピング−１ｉ１：
ｆｄ、後述するグロー放電法で層２を形成する場合、反
応ガス流１１比（Ｂ２Ｈ６／　Ｓ　ｉＨ４）　”’　１
０〜５００　ｐｐｍに対応するものである。上記窒素含
有量及び流量比（又は固有抵抗）の各範囲を外れると、
高抵抗で輸送機能の良好な層とはなシ難く、電荷保持能
及び光感度共に不十分となる。まだ、ａ−８ＩＮ：ＨＩ
＠２の厚みも軍警であり、２μｍ〜８０μｍＫ選ぶのが
望ま［７い。

この厚みが２μｍ未満では所望の性能が得られず、８０
μｍを越えると製膜に時間を要し７、生産性が悪くなる
。

一力、表面改質層４は種りの利料で形成できるが、５ｉ
Ｏ１Ｓｉｎ、、ＡＩ、Ｏ，、Ｔａ２０１、ＣｅＯ，、Ｚ
ｒＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、５ｎＯ７
、ＭｇＦ、、ＺｎＳ。

アモルファス炭化シリコンからなる群より選ばれた少な
くとも１種からなっていてよい。この表面１鱒４として
、第２図に示す如く窒素原子を１０〜５０ａｔ　ｏ　ｍ
　ｔ　ｅ％金含有る厚さ１００　Ｘ　〜１　／Ａｍのａ
　−５ＩＮＳＨ層を設けた場合、上述した如き機能を顕
著に発輝する。また、この場合には、層２は必ずし、も
れ−８ＩＮ二）Ｉに限らすａ−８ＩＣ：Ｈ等の他の層で
形成し゛〔もよい。

第３しくけ、ｈ−８ｉＮ：Ｈ層２を電荷ブロッキングＩ
＠とし、て用いた例を示し、このためにその窒素原ｆ・
含有１ｉ′１を１０〜５０ａｔｏ＋η４ｃ％とするのが
望ましい。

また、このブロッキング層の厚みは１００　Ａ〜１μｍ
に１定するのがよい。この場合も、表面改質層４Ｎ上、
＋１１と同様であってよいが、第４図の如（ａ−ＲｉＮ
：Ｈで形成するのがよい。イ０、表面改質＃４をｎ　−
ＳＩＮ　：Ｊ（Ｉ＠とするときＫはブロッキングｒ＠２
はａ−８ｉＣ：　ＨＡＩ＋の別の層で構成し１．１もよ
い。

ｓ　４ｉ１Ｎ　〜１１　ＪＩＩ　２．４を光導電層３の
上下に設け／こ第４図の素子においては、ブロッキング
層２ＫＣ」周期表第１Ａ族元素はドープしなくてもよく
、ま／（−その窒素含有量は１０〜５０ａｔｏｍｌｃ％
、厚さは１００人〜ｌ　Ｉｔｍ　ｆあってよい。ａｓｉ
’、Ｈ層３に比べＧエネルギーキャップに有意な差をも
だせてプｒ１ノギング層として機能させるには、ａ−８
ＩＮ：Ｈｌ−ｉ　２のこ一素象有ｍをｌｏａｔｏｍ％Ｃ
％以上にする必要が２トす、−十７’（３０ａｔｏｍｉ
ｃ％以上であると暗抵抗及び光力べＬ性ｖ」２低下する
がブロッキング作用は充分にある。

々お、製造面からみると、第２図及び第４図の如く、ｈ
−８１：　１（１ｔｊ　３の上下にａ−８１Ｎ：８層を
設けたものは、同一の方法で各層を形成できることから
望ましい。

上記の第１図及び第２図においては、基板１と電荷輸送
層２との間には、電荷輸送層よυもエネルギーギャップ
の大きいａ−８ｉＮ：８層若しくは不純物ドーピングで
Ｐ十型化又はＮＩ′型化したａ−８ＩＮ：８層を介在ぜ
し２め、これによシリ−５仮からの電荷の注入を防ぐ構
造にすることができる。

なお、上記の爪尋市、Ｉ？ｊ３は厚さく°市、荷＠送層
をもうけ／こ感光体でＱユ）　２５００λ〜１０／ｊｍ
、更には５ｏｏｏλ〜５μＩｌ＋であってよい（電荷輸
送層のないとき（は０．５〜８０　／１ｍ　）　。また
周期表第１１１Ａ族元；にのドーピングで真性化又は高
紙Ｊ＞ｉ：化（特に第３図及び第４図の場イ￥）してち
・くのが望ましく・。

次に、上記し六ａ　−Ｓ　ｉＮ　：　）１層の…、気的
、光学的特性を第５図〜第７図に−）いて舒、明する。

沖、５図に１・士、ｎ−８ｉＮ　：　Ｈの窒素含有量に
よる固有抵抗の変化が示さノ１ている（ρＤは暗抵抗率
、ρ■、け光照射時の抵抗率）。これによればρＤ／ρ
Ｌを大きくしでキャリアの輸送能（及び光感度）を良＜
−ｒるには、窒素含有量は１〜３０ａｔｏｍｌｅ％とす
るのがよい？、、、！：が分シ、これは上記の電荷輸送
廣として望櫨しい範囲である。但、ブロッキング頗とし
て用いるときには、ｐＤ／ρＬは小さくてもよいから、
窒素含有量の上限を５０ａｔｏｍｉｅ％まで拡けてもよ
い（窒素量としては１０〜５０ａｔｏｍｉｅ％）。

一方、第６図によれは、ａ−８ｉＮ：Ｈ層の固有抵抗Ｖ
土、ドープする不純物の量（流量比）によってコントロ
ールすることができ、特にＢｔ　Ｈ６／　Ｓ　ｔ　Ｈ４
を１０〜１０００　ｐｐｍとすれば固有抵抗を川１０Ω
−ぼ以上とし、１ＶｒＪ抵抗できるととが分る。この高
抵抗化によって′「ｂ、荷保持能を向上させ不ことがで
きる。

まだ、第７図においては、窒素含有量の増加に伴なって
光学的エネルキーキャンプ（ａ−８Ｉ：Ｈの場合には約
１．６５ｅＶ）を太きくし、入射光に対する吸収特性を
コントロールできることが分る。

？イ、って、ａ−８ｉＮ：Ｈ層を表面位η層として用い
る場合、特に可視又は長波長光を照射するときに充分な
光透過性を付与するにＶよ、窒素含有量を１０〜５０ａ
ｔｏｍｉｅ％とし、更にこの範囲内で窒素含有量を多め
にすればよい。これによって、ａ−８ｊＮ：Ｈ層に波長
選択性を付与し、光感度を充分高く保持することができ
、また使用する入射光の種類を広く選択できる。

なお、上記のａ　　ＳｉＮ：Ｈ層は水素を含有すること
が必要であるが、水素を含有しない場合には感光体の電
荷保持特性が実用的なものとはならないからＣ６る。こ
のため、水素含有量は１〜４０　ａｔｏｍｌｅ％（更に
は１０〜３０ａｔｏｍｆｅ％）とするのが望ましい。

光導電層３中の水素含有量は、ダングリングボンドを補
償して光導電性及び電荷保持性を向上させるために必須
不可欠であって、通當は１〜４゜ａｔｏｍｊｅ％であシ
、３．５〜２０ａｔｏｍｌｅ％であるのがより望ましい
。ｔた、ａ−８ｌ：Ｈ層３は、製造時　ウの不純物ドー
ピングによって導電型の制御が可能であり、これによっ
て帯電の極性の正、負を選択できる。ａ−８４：１１層
３の真性化又はＰ型化のだめにｒ、ｔＢＳｌ、Ｇａ、　
　Ｉｎ、　Ｔ７等の周期表第１ＩＩＡ族元素をドープで
きるが、これらのドーピング量はａｓ＋：Ｈの電気的、
光学的特性を良くする上で〜３ １０〜５　ａ、ｔｏｍｉｃ％（更には１０〜１　ａｔｎ
ｍｉｃ％）が望ましい。また、ａ−８ｉ：Ｈ層３のＮ型
化にはＮ、Ｐ、Ａｓ、ＳｂＳ　Ｂｉ等の周期表第ＶＡ族
元素をドープできるが、これらのドーピング量は上記と
回持・の理由かり１０　〜１　ａｔｏｍｉｃ％（更には
１０〜」 Ｊ（ｌ　　１．ｏｍｉｃ％）であるのが望ましい。ま７
′コ、ａ−８Ｉ：Ｈの高抵抗化、増感、伝導性の調整の
ために、必要に応じて酸素、窒素等や、クロム、マンガ
ン雪の遷移金属を導入してもよい。

なお、ダングリングボンドを補償するためＫは、Ａ−８
１に対しては上記したＨの代りに、或いはＨとイＪ１用
１７でフッ素を導入し、ａ　−８ｔ　：　Ｆ、　ａ−８
１：Ｈ：Ｆ。

ａ−ＳｉＣ：Ｆ、５−８ＩＣ：Ｈ：Ｆとすることもでき
る。

このＪ４　ｆｔのフッ素量は０．（１１〜２Ｄ　ａｔｏ
ｍｉｃ％がよく１．０５〜＋（１＊ｔｎｍｉｃ％がより
望まし、い。

次に、Ｉ−、記した感光体の製造／−７法及び装僅を第
８図について説明する。

この装厘１１の真空槽１２内では、上記した基板１が基
板保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所
定温度に加熱し得るようになっている。基板１に対向し
て高周波和硫１７が配され、基板１との間にグロー放電
が生せしめられる。゛なお、図中の加、２１．２２．２
３．２７、公、２９．３４．３６．３８は各バルブ、３
１はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源、３２
はＮＨ３又はＮ２等の窒素の供給源、３３はＡｒ又はＨ
７等のキャリアガス供給源である。寸だ、図示省略した
が、上記供給源と同様に、Ｉ’ｌ、Ｈ，の供給源も付設
されている。このグロー放電装備１′において、まず支
持体である例えばＡ１ｗ１ＩＣ表面を清浄化した後に真
空槽１２内に配置し、真空槽１２内のガス圧が１ｇ　Ｔ
ｏｒｒとなるようにパルプ：（１５’５：　ｊｉ”’Ｉ
　Ｙｌｊして排気し、かつ基板１を所定温度、例えば；
℃〜４００℃に加熱保持する。次いで、高純度の不活性
ガスをキャリアガスとして、ＳＩＨ，又はガス状シリコ
ン化合物、及びＮ馬又はＮ、を適当量希釈した混合ガス
を真空槽１２内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒ
ｒの反応圧下で高周波１柳１６によすｄ１９周波判・、
圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ　）を印加する。これに
よって、上記各反応ガスをグロー放也分解し、水素を含
むａ−８ＩＮ：Ｈを上目己の層２（更には４）として基
板上に、９積させる。この際、シリコン化合物ト窒素化
合物の流量比及び基板温度を適宜調整することによって
、所望の組成比及び光学的エネルキーギャップを有する
ａ−８目−ｘＮｘ：Ｈを析出させることができ、また析
出するａ−８ｉＮ：Ｈの電気的特慴にさにど影響をカえ
るとと々く、１０００久／ｍ　＋　ｎυ−にの速度でａ
−８ＩＮ：Ｈを堆積させることが可能である。なお、ａ
−８ＩＣ：）（を堆積させるときけ、−１−記の窒素化
合物に代えてメタンガスを用いれげよい。更に、ａ−８
１：Ｈ（上記の感光Ｉ＠３）を堆積さ４勺るに１士、窒
素化合物を供給しないでシリコン化合物をグロー放電分
解すればよい。特に、ａ−８ｉ：ｌｌ／ｉｉ３光層に周
期表ＩＩＩ　Ａ族元素のガス状化合物、例えばｎ、Ｈ，
ｌシリコン化合物に適当量添加したものをグロー放電分
解ずれげ、ａ−８ｉ：Ｈの光導電性の向上と共にその高
抵抗化も図れる。

上記した製造方法及び装置から明らかなように１、する
感光体は、使用する反応ガスのイ→ｆ類及び６１ｒ計を
変えるだけで同一装置により順次各層を１膜することに
よって作成できる。従って、特に重荷輸送層、ブロッキ
ング層としてのｎ−８ｉＮ：Ｈ／ｆｔも作業性良く製膜
できる。また、ａ−８ＩＮ：Ｈ層は有接高分子化合物と
比べて膜付きが良く、機械的強度や耐湿性等の表面改質
効果も十分である。

なお、上ｎピの製造方法はグロー放電分解法によるもの
であるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン什さ
れた水素導入下でａ−８ＩＣを蒸発させる方法（％に、
本出願人による特開昭５６−７８４１３号（％顯昭５４
−１５２４５５号）の方法）等によっても上記感光体の
製造がＩＮ　＃ヒである。

使用する反応ガス１；ｉ、５ＩＨ４以外にも８１．Ｈ６
，ＳＩＦ、、８ｉｌＩＦ、、又けその訪ηシ体ガス、Ｃ
Ｈ，以外のｃ、馬、　　　斗Ｃ，Ｈ，等の低級炭化水素
ガスが使用可能である。

第１図は、本発明による感光体を上ＨＬ特開昭５６−７
８４１３号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置
を示すものである。

ヘルジャ−４１は、ノ・タフライバルブ４２を有する排
気管４３を介して真空ポンプ（７図示せず）を接続し、
これにより当該ペルジャー４１内を例んば１（１−’７ 〜１０　　Ｔ　ｏ　ｙ　ｒの畠真空状態とし、当該ペル
ジャー４１内には基板ｌを配降してこれをヒーター４５
に上り堪ＩＪ１：　１５０〜５００℃、好ましくは２５
０〜４５０℃に加熱すると共に、１μ流１１１．源４４
ｉによシ基板１にＯ〜−１０ＫＶ　、好ましくｅよ−１
〜−６ＫＶの直かし負電圧ケ印加（２、その出口が基板
１と対向するようペルジャー４１に出Ｉ］全接続して設
けた水素ガス放′ａ肯４１よりの活性水素及び水素イメ
ンをペルジャー４１内に五人しながら、基４Ｆｊ　１と
対向するよう設けたシリコン？Ａ　発Ｗ　４８及びアル
ミニウム蒸発源４９を加熱すると共に各−Ｌ方のシャッ
ターＳを開き、シリコン及びアルミニウムをその蒸発速
度比が例えば１：０．０１〜０．２となる蒸発速度で同
時に蒸発さセ、かつペルジャー４１内へ、数箱、管ヌ）
により活性化されｒｃＮＩＩ３ガスを導入１１１、これ
によりアルミニウムを所定…含イ１するａ−ｓｔＮ：Ｈ
Ｉｉ２．４　（：’４％　１図〜第４図診照）を彫成−
ノる。ａ−８１：Ｈ／ｅ＃３の形成時には、ＮＨ，ガス
の供給を停止すればよい。

上記の放電管４７、刃の構造を例えば放電管４７につい
て示すと、紀１０図の如く、ガス人口６１を有する筒状
の一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２を一
端に設けた、放電空間６３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材６４と、この放電空間部材６４の他端に設
けた、出口６５を有するリング状の他方Ｑ）市、極部利
６６とより成り、前記一方の電極部材６２と他方の宙、
極部拐６６との間に直流又は交流の電圧が印加されるこ
とにより、ガス人口６１を介して供給された例えば水素
ガスが放電空間６３においてグロー族？１１、を生じ、
これにより電子エネルキー的に賦活された水素原子若し
くは分子より成る活恰水素及びイオン化された水素イオ
ンが出口６５より排出される。この図示の例の放電空間
部材６４は二重管構造て必って冷却水を流過せしめ得る
措成を有し、６７　、６８が冷却水人口及び出口を示す
。６９ｔ１一方の市極部月６２０酎却用フィンである。

上記の水素ガス故知、・音４７におけるＩｕ：　ｈ、間
距離は１（）〜１５ａであり、印加動圧は６００ｖ、故
知空間６３の圧力は１０　　Ｔｏｒｒ惺度とされる。

次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

実ノＷＮを１１　１ トリクロルエチレンで洗浄し、０．１％ＮｉＯＨ水溶液
、０．１％）ｉｍｌｉｏ、水溶液でエツテングしたＡＩ
基板を第８図のグロー放電装置内にセットし、次の条件
で厚さ１０μｍのボロンドープドａ−８ｉＮ：Ｈ層（電
荷輸送層）を形成した。

ＳｉＨ４流歓１２ｅｃ／ｍ１ｎ Ｎ！流量　　　　　８　ｅｅ７’ｍ１ｎＢ、Ｈ１ｌ／　
Ｓ　ＩＮ、　　　　０．０１マロ１％真空槽のガス圧　
　１．２×川　Ｔｏｒｒ高周波市土　　　パワー　５０
Ｗ 周波数１３゜５６　Ｍ）Ｉｙ。

基板温度　　　　２１０℃ 次に放電を停止してＮ、の供給を止め、Ｆ記の条件（他
は」ユ記と１ｒｊ−１様）でグロー放１．を行ない、ボ
ロンドープドロ−８４：　Ｈ鳩を厚さ１μｍに形成した
。

Ｂ　９　Ｈａ　／　Ｓ　ｌ　１１４流椿比　０．０１　
ｖｏｌ　３ら更に再び放電を停止後、ガス流量を下記の
如くに調整してグロー放電を行ない、厚さ１０００λの
ａ−８ｊＮ：Ｈｒ＠（表面改質層二元学的エネルキーギ
ャップ２，５　ｅＶ　）を形成した。

８％Ｈ４流量　　　　４　ｅｅ／ｍ１ｎＮ、流量　　　
　　１６ｅｅ／ｍｉｎ この感光体を使用し、−６ＫＶ、５秒間のコロナ放電に
よって感光体表面を帯電せしめ、５秒間の暗減衰後に０
．１　ｌｕｘのハロゲンランプ′光を照射して表面電位
の光減衰特性を測定し、更に正極性のトナーで現像、転
写、定着処理した。この測定結果を下記表に示した。い
ずれも、カプリがなく、画像濃度の高い鮮明な画像を得
た。

これに対し、Ａ１基板／　Ｒ−８ＩＮ　：　Ｈ（Ｂドー
プ厚さ１５μ）及びＡ１基板／ａ−８１：Ｈ（Ｂドープ
厚さ１５μ）の構造の感光体を上側と同じ作り方で作製
し、同様の評価をしたところ、画像は著しく劣化した。

酪 実施例　２ 上記したＡ１基板上に、上記した特開昭５６−７８４１
３号の蒸着法に基いて、次の条件下でＡｌドープドａ−
８ｉＮ：Ｈ層を厚さ１０μｍに成長させた。

Ｈ７流量１５０　ｅｅ／ｍ１ｎ （但、Ｎ２２　ＣＣ／ｍｔｎ混合） 蒸発源　　　　　多結晶シリコン （電子銃加熱で蒸発） 蒸発源　　　　　アルミニウム （抵抗加熱方式で蒸発） Ａ発鰯　比　　　　　　　　　　　　Ｓ豫／Ａｌ　　＝
　　３　　Ｘ　１０　　、／１蒸Ａ時６間　　　　１０
０分 族１ｏ、管　　　　　　ＤＣ放電管 （放電パワー３５ｏｗ） 基板温度　　　　４００℃ 基板電圧　　　　−５ＫＶ 次に、同装置においで、下記の条件（他は上記と同じ）
でＡＩドープド光導電層をＪＩＩさ１　／１ｍに形成し
た。

Ｈ７流Ｊｆ　　　　　　１００　ｅｃ／ｍｉｎ蒸発バー
比　　　　Ｓｔ／ＡＩ　＝　６　Ｘ　１０　／１更に、
同装置において、Ｈ，１００ｃｃ　／ｍｉｎ　、　Ｎｔ
４０　ｅ　ｃ　７’ｍ　ｉｎとし、Ｓｉのみを蒸発（蒸
着時間は１分Ｉ秒）させ、厚さ１５００λの表面改質層
としてのａ−８ｉＮ：Ｈ層を形成しだ〇 こう・して得られた感光体について、実施例と同様の評
価テストを行ったところ、初期表面電位−７００Ｖ　１
暗減衰率５％、半減露光量０．８　ｌｕｘ　・ｓｅｅと
なった。また、祠られた画像はカプリがなく、画像濃度
も高く、鮮明であった。

以下余白 ◎　画像濃度高く、画質非常に良好 ○　画像濃度高く、画質良好 ×　コピー不可 なお、上記の本実施例による試料は正帯電でも使用可能
である。

上記の結果から、本発明に従ってＩＬ−８１Ｎ：Ｈ層を
具備する感光体はいずれも、静電特性が良好であり、画
質も滴足すべきものであった。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであって、第１図−・第２
［１，第３図、第４図は電子写真感光体の各側の各断面
図、 第５図及び第６図は窒素量及びドアピング量によるａ−
８ｉＮ：Ｈの固有抵抗の変化を示すグラフ、第７同は屋
素量による光学的エネルギーギャップを示すグラフ、　
　　　　　　　　　　　　　　　　　４第８図、第９図
は上記感光体の製造装置の各側の概略断面図、 第１０し１１放市２部の断面図 である、。 なお、図面に示されている符号ＩＣおいて、１・・・・
・・・・・支持体（基鈑） ２・・・・・・・・・電荷輸送層又はブロッキング層３
・・・・・・・・・ａ−８ｉ：ＩＩ＠光層（光導電ｒ＠
）４・・・・・・・・・表面改質層 】１・・・・・・・・・グロー放宵装植１７・・・・・
・・・・高周波電極 ：（Ｉ・・・・・・・・・ガスセシリコン化合物供給源
３・２・・・・・・・・・ガス状炭素化合物供給源３゛
１・・・・・・・・・キャリアガス供給曽４１・・・・
・・・・・参着槽 ４′ｌ′　　、　　５０　・・・・・・１１号（１１）
　管４８・・・・・・・・・シリコン蒸発源４（）・・
・・・・・・アルミニラ１．九年源である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 第１図 ４ 第３図 第４図 ａ−５ｉ＋−ｘＮｘ：Ｈ （１）ｌ）ｍｌ　　　　　　（９９ｍ）第７図 第８図 ３ 図 （自　発）　手−続？：ｎｉ　Ｊ、Ｅ凋：１．事件の表
示 昭和５７年　　特許　間第１０１０８５号２、発明の名
称 記録体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
四２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ６、補ｄ−に、Ｌり増加する発明の数 ７、補ＩＦのりＩ象 明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の第６図及び第
７し１ ８、補正の内容 「抵抗率では」と訂正します。 （２）、同第４頁９〜１０行目の１光感度町・・電荷保
持特性も」を［電荷保持時）ｊ■が」と訂正しまず。 （３）、同第６頁５行目のｒａ−３ｉＪをｒａ　−３ｉ
：ＨＪと訂正しまず。 （４）、同第８頁１３行目の「アモルファス炭化シリコ
ン」を１Ｊモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シ
リコン」とＨＪ正しまず。 （５）、同第１３頁４行目のＩ−１ａｔｎｍｉｃ％」を
１１ａｔｏｉｎｉｃ％」と訂正します。 （６）、同第１３真下から６行目のｒａ−３ｉ：Ｉｔ：
Ｆ、Ｊをｒａ−３ｉ　ｌＩ：Ｆ、　ａ−Ｓ：Ｎ：Ｆ、ａ
−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ、Ｊとδ１正しまず。 （７）　、同第１４ＰｔｌＯ行目ノｒＴ３２＋Ｉ　６−
１　ヲｒ　Ｃ１ｌ　、ＴやＢ　２　Ｈ６Ｊと訂正しまず
。 （８）、同第１６頁１２行目のｒａ−３ｉＣＪをｒ’ｓ
ｉｌと訂正しまず。 （９）、同第１６頁下から３行目の「低級炭化水素彎 ガス」を「低級炭化水素ガスやＣＦ４Ｊと訂正します。 （１０）　、同第１６真下から２行目の「第１図」を「
第９図」と訂正します。 （１１）　、同第１７頁下から４行目のｒｏ、ｏｉ〜０
．２」をｒｌＯ−４Ｊと訂正しまず。 （＋２）　、同第１８頁１行目の「形成する。」を［形
成する。アルミニウムをドーピングしない場合には、ア
ルミニウム芸発源４９を加熱ゼず　その上方のシャッタ
ーＳを閉じて才ｉ＆Ｊばよい。」と訂正しまず。 （１３）　、同第１９頁１２行目のｒ　Ｓ　ｉ　Ｎ　４
　Ｊをｒｓｉ１１４」と訂正します。 （１４）　、Ｉ用筆２０頁２行目のｒ　１０００人」を
ｒ１５００人」と訂正しまず。 （１５）　、同第２３頁の表においてその下から２欄目
の（ＳｉＮ）Ｊ　　　　　　Ｈで具ｉ生イし　　　　」
しまず。 （１６）　、同第２５頁ｌＯ行目の「ガス状炭素化合物
供給源」を１ガス状窒素化合物供給源」と訂正しまず。 （１７）願書に添付した図面のうち、第６図及び第７図
を別紙の通りに夫々訂正しまず。 −以−に一−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　アモルファス水素化及び／′又はフッ素化シリコ
   ：ノフノ・らなる光導電層が基体上に設けらＪｔて（・
   る記録体におい１、窒素原子を含有するアモルファス水
   素化及び／又はフッ素化シリコン層が前記光導電層の上
   部及び、′又ｔま［部に赦けりれて℃・ることを特徴と
   ｊ−る記録体。 ２、窒素原子γ含イ１するｆモルファス水素化及び／又
   ６．１、ソノ素化７リコン層の窒素原子含有量が１〜３
   ０　ａｔｏｍｉｃ　％であシ、かつその膜厚が２μｍ〜
   ８０μｍでり・４）、特許請求の範囲の第１項に記載し
   プこｆｉｌ九求体。 ３、雷累原ｆ−を含有する一アモルファス水素化及び／
   又ｅまノッ素化シリコン１−が周期表第１１１　Ａ族元
   素のドーピングによって１０Ω−α以上の固有抵抗を示
   ノ〜よ・９に面抵抗化さｉｔている、特許請求の範囲の
   第２項に記載した記録体。 ４、窒素原子を含有するアモルファス水素化及び／又は
   フッ素化シリコン層の窒素原子含有量が１０〜５Ｑａｔ
   ｏｍｌｅ％であり、かつその膜厚が１００Ｘ〜１μｍで
   ある、特許請求の範囲の第１項に記載した記録体。 ５、窒素原子を１〜３０ａｔｏｍｉｅ％含有しかつ周期
   表第１１１　Ａ族元素のドーピングによって１０Ω−鋼
   以上の固有抵抗を示す厚さ３μｍ〜８０１１ｍのアモル
   ファス水素化及び／又はフッ素化シリコン層と、厚さ５
   ０００　Ｘ〜５μｍの光導電層と、窒素原子を１０〜５
   ０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｌ　ｃ％金含有る厚さ１００Ｘ〜
   １１１ｍのアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリ
   コン層とが基体上に順次積層せしめられ−Ｃいる、特許
   請求の範囲の第１項に記載した記録体。