JPS62238571A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は感光体、特に電子写真感光体に関する。

従来技術 近年、感光体、特に電子写真用感光体にプラズマ化学蒸
着法（以下、Ｐ−ＣＶＤ法という）により作製されたア
モルファスシリコン（以下、ａ　−Ｓ　ｉと略す）が採
用されるに至っている。

ａ　−Ｓ　ｉ感光体は種々の優れた特性を有する。しか
しａ　−Ｓ　ｉは比誘電率εカ月２程度と大きいため、
感光体として充分な表面電位を得ろためには、本質的に
最低２５μｍ程度の膜厚が必要であるという問題がある
。ａ−Ｓｉ感光体は、Ｐ−ＣＶＤ法においては膜の堆積
速度が遅いため作製に長時間を要し、さらに均質な膜の
ａ−９ｉを得ることが作製時間が長くなる程難しくなる
。その結果、ａ　−Ｓ　ｉ感光体は白斑点ノイズ等の画
像欠陥が発生する確率が高く、さらに原料費が高いとい
う欠点等がある。

上記の欠点を改良するための種々の試みがなされている
が、本質的に膜厚をこれより薄くすることは好ましくな
い。

一方、ａ　−Ｓ　ｉ感光体は基板とａ−９ｉとの密着性
、さらに耐コロナ性、耐環境性あるいは耐薬品性が悪い
といった欠点ら存在する。

そのような問題点を解消するため有機プラズマ重合膜を
ａ−８ｉ感光体のオーバーコート層あるいはアンダーコ
ート層として設ける事か提案されている。前者の例は、
例えば特開昭６０−６１７６１号公報、特開昭５９−２
１４８５９号公報、特開昭５１−４６１３０号公報ある
いは特開昭５０−２０７２８号公報等が知られており、
後者の例は、例えば特開昭６０−６３５４１号公報、特
開昭５９−１３６７４２号公報、特開昭５９−２８１６
１号公報あるいは特開昭５９−３８７５３号公報等が知
られている。

その他プラズマ重合法を使用したものとして、例えば特
開昭５９−１４８３２６号公報、特開昭５６−６０４４
７号公報あるいは特開昭５３−１２０５２７号公報等が
知られている。

有機プラズマ重合膜はエチレンガス、ベンゼン、芳香族
シラン等のあらゆる種類の有機化合物のガスから作製で
きること（例えばニー、ティ、ベル（Ａ、Ｔ、Ｂｅ１ｌ
）、エム、ジエン（Ｍ、　５ｈｅｎ）ら、ジャーナル　
オブ　アプライド　ポリマー　サイエンス（Ｊｏｕｎａ
ｌｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｏｌｙｍｅｒ　　５ｃ
ｉｅｎｃｅ）、第１７巻、８８５−８９２頁（１９７３
年）等）が知られているが、従来の方法で作製した有機
プラズマ重合膜は絶縁性を前提とした用途に限って用い
られている。従って、それらの膜は通常のポリエチレン
膜のごと＜ｔｏｎｅΩｃｍ程度の電気抵抗を有する絶縁
膜と考えられ、あるいは少なくとらその様な膜であると
の認識のもとに用いられていた。

特開昭６０−６１７６１号公報記載の技術は、５００人
〜２μｍのダイヤモンド状炭素絶縁膜を表面保護層とし
て被覆した感光体を開示している。

この炭素薄膜はａ　−Ｓ　ｉ感光体の耐コロナ放電およ
び機械的強度を改良するためのものである。重合膜は非
常に薄く、電荷はトンネル効果により膜中を移動し、膜
自体電荷輸送能を必要としない。また、有機プラズマ重
合膜のキャリアー輸送性に関しては一切記載がないし、
ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記した゛本質的問題を解決するも
のでない。

特開昭５９−２１４８５９号公報には、スチレンやアセ
チレン等の有機炭化水素モノマーをプラズマ重合により
厚さ５μｍ程度の有機透明膜のオーバーコート層として
被膜する技術が開示されているが、その層はａ　−Ｓ　
ｉ感光体の画像流れの防止および剥離、耐久性、ピンホ
ール、生産効率を改良するものである。有機プラズマ重
合膜のキャリアー輸送性に関しては一切記載がないし、
ａ−３ｉの持つ前記した本質的問題を解決するものでな
い。

特開昭５１−４６１３０号公報には、Ｎ−ビニルカルバ
ゾールをグロー放電により、表面に厚さ３〜ｏ、ｏｏｔ
μｍの有機プラズマ重合膜として形成した感光体を開示
している。この技術は、正帯電でしか使用できなかった
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール系感光体を両極性帯電で
使用可能にすることを目的とする。この膜は０．００１
〜３μｍと非常に薄く、オーバーコート的に使用される
。

重合膜は非常に薄く、電荷輸送能を必要としないものと
考えられる。また、重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載がないし、ａ−Ｓｉの持つ館記しｒこ本質的
問題を解決するものでない。

特開昭５０−２０７２８号公報には、基板上に増感層、
有機光導電性電気絶縁体とを順次積層し、さらにその上
に厚さ０，１〜１μｍのグロー放電重合膜を形成する技
術が開示されているが、この膜は湿式現像に耐えるよう
に表面を保護する目的のものであり、オーバーコート的
に使用される。

重合膜は非常に薄（、電荷輸送層として使われているも
のではない。重合膜のキャリアー輸送性に関しては一切
記載がないし、ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記した本質的問題
を解決するものでない。

特開昭６０−６３５４１号公報は、ａ−Ｓｉのアンダー
コート層に２００人〜２μｍのダイヤモンド状有機プラ
ズマ重合膜を使用した感光体について開示しているが、
その有機プラズマ重合膜は基板とａ−Ｓｉの密着性を改
善する目的のものである。

重合膜は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効果により
膜中を移動し、膜自体は電荷輸送能を必要としない。ま
た、有機プラズマ重合膜のキャリア・−輸送性に関して
は一切記載がないし、ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記した本質
的問題を解決するものでない。

特開昭５９−１３６７４２号公報には、基板上に約５μ
ｍの有機プラズマ重合膜、シリコン膜を順次形成する半
導体装置が開示されている。しかし、その有機プラズマ
重合膜は、基板であるアルミニウムのａ−Ｓｉへの拡散
を防止する目的のものであるが、その作製法、膜質等に
関しては一切記載がない。また、有機プラズマ重合膜の
キャリアー輸送性に関しても一切記載がないし、ａ−Ｓ
ｉの持つ前記した本質的問題を解決するものでない。

特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に有機プラ
ズマ重合膜、ａ　−Ｓ　ｉを順次形成した感光体が開示
されている。有機プラズマ重合膜は、その絶縁性を利用
したアンダーコート層でありブロッキング層、接着層あ
るいは剥離防止層として機能するものである。重合膜は
非常に薄くてよい（５μｍ１好ましくは１μｍ以下）。

薄膜であれば不充分な電荷輸送能であっても、表面電位
（残留電位）の上昇の問題は生じない。繰り返し使用に
よりアンダーコート部での電界が上昇し、それによるキ
ャリアの通過が大きくなること（トンネル効果）で、残
留電位の上昇が低く抑えられるという現象があるからで
ある。従って本件の重合膜はアンダーコート層として使
えても、キャリア輸送層としては使えない。

また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載がないし、ａ　−Ｓ　ｉの持つ前記した本質
的問題を解決するものでない。

特開昭５９−３８７５３号公報には酸素、窒素および炭
化水素の混合ガスからプラズマ重合により１０〜１００
人の有機プラズマ重合薄膜を形成し、その上にａ−Ｓｉ
層を成膜する技術が開示されている。有機プラズマ重合
膜は、他の有機高分子に比べて熱劣化がなく、また、絶
縁性を利用したアンダーコート層でありブロッキング層
あるいは剥離防止層として機能するものである。重合膜
は非常に薄くてよく、電荷はトンネル効果により膜中を
移動し、膜自体は電荷輸送能を必要としない。

また、有機プラズマ重合膜のキャリアー輸送性に関して
は一切記載がないし、ａ−５ｉの持つ前記した本質的問
題を解決するものでない。

特開昭５９−１４８３２６号公報は、ガスを予備分解、
予備重合することを特徴とするｐ−ｃｖＤ薄膜製造方法
を開示するが、実施例はＳｉ系の物質を利用したものの
みが例示されているに過ぎない。

特開昭５６−６０４４７号公報は、有機化合物とハロゲ
ン化合物混合物の蒸気をプラズマ重合し、有機光導電性
膜を形成する方法を開示する。この技術は、ハロゲン導
入プラズマ重合膜が近赤外域（０，８〜３．０μｍ）に
高感度を有することを示しているが、その膜は近赤外線
センサーへの応用を目的とするものであり、本願のよう
に電子写真感光体への使用を目的にするものでなく、ま
た感光体に使用できるか否かについては触れられていな
い。

特開昭５３−１２０５２７号公報は、ポジ型放射線感応
材料層を炭化水素およびハロゲン化水素のプラズマ重合
法で形成する方法が開示されている。本件はポジ型レジ
スト材料を電子線、Ｘ線、Ｘ線あるいはα線により架橋
させ作製する方法であり、電子写真感光体への使用を目
的とするものでない。

発明が解決しようとする問題点 以上のように、従来、感光体に用いられている有機重合
膜はアンダーコート層あるいはオーバーコート層として
使用されていたが、それらはキャリアの輸送機能を必要
としない膜であって、有機重合膜が絶縁性であるとの判
断にたって用いられており、従ってその厚さも１〜５μ
次程度の極めて薄い膜としてしか用いられず、キャリア
はトンネル効果で膜中を通過するか、トンネル効果が期
待できない場合には、実用上の残留電位としては問題に
ならないですむ程度の薄い膜でしか用いられない。。

本発明者らは、有機重合膜のａ−９ｉ感光体への応用を
検討しているうちに、本来絶縁性であると考えられてい
た有機重合膜が、ある特定の結合様式で存在する炭素原
子（例えば、炭素−炭素二重結合、第四炭素等）の含有
割合が異なると、電気抵抗ら変化し、ある割合になると
電荷輸送性を示し始める事を見出だした。

本発明はその新たな知見をを利用することにより、従来
のａ−Ｓｉ感光体の持つ問題点、すなわちａ−Ｓｉの膜
厚、製造時間、製造コスト等における問題点等をすべて
解消し、また従来とは全く使用目的ら、特性ら異なる有
機重合膜、特に有機プラズマ重合膜を使用した感光体お
よびその製造方法を提供することを目的とする。

問題点を解決するための手段 すなわち、本発明は電荷発生層（３）と電荷輸送層（２
）とを有する機能分離型感光体において、電荷輸送層（
２）が水素を含む非晶質炭素膜で、その化学構造におい
て単結合よりなる炭素のうち、水素と結合した炭素数Ｎ
、と水素と結合していない炭素数Ｎ、の比Ｎ１・Ｎ、が
１：０．５ないし１：０．１４であることを特徴とする
感光体に関する。本発明感光体は少なくとも電荷発生層
と電荷輸送層から構成される。

電荷輸送層は、水素を含有する非晶質炭素膜（以下、ａ
−Ｃ膜という）である。水素含有炭素膜中の水素含量は
、２０〜６７　ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは４０〜６７
　ａｔｏｍｉｃ％、特に４５〜６５　ａｔｏｍｉｃ％含
量されることが望ましい。ａ−Ｃ膜中に含有されろ水素
の量が２０　ａｔｏｍｉｃ％より少ないと好適な輸送性
が得られず、６７　ａｔｏｍｉｃ％より多いと膜質の劣
化、成膜性の低下をきたす。

本発明感光体の特徴は、電荷輸送層としてａ−Ｃ膜を設
け、さらにそのａ−Ｃ膜中に含有されろ炭素で、単結合
よりなる炭素の内、水素と結合した炭素数Ｎ１と水素と
結合していない炭素数Ｎ、の比Ｎ　＋　：　Ｎ　ｔがｔ
：０．５ないし１：０．１４であることにある。

本発明のａ−Ｃ１ｌｉ中には、種々の結合様式をした炭
素原子、例えば単結合（フリーラジカル）、二重結合あ
るいは三重結合等が存在し、更にそれらは水素原子が結
合しているものあるいは水素原子が結合していないもの
として存在する。

本発明のａ−Ｃ膜中における炭素原子が、単結合よりな
り、かつ水素と結合した炭素あるいは水素と結合してい
ない炭素であることおよびそれらの数は、赤外吸収スペ
クトル、プロトンによる核磁気共鳴（Ｊ（−ＮＭＲ）あ
るいは１３Ｃによる核磁気共鳴（”Ｃ−ＮＭＲ）等を測
定することにより識別することができる。

本発明において単結合よりなる炭素原子は第４炭素、メ
チン基、メチレン基あるいはメチル基をいう。

本発明においては単結合よりなる炭素の内、水素と結合
した炭素数Ｎ１と水素と結合していない炭素数Ｎ、の比
Ｎ、：Ｎ２がｌ：ｏ、５ないし１：０．１４であること
が重要である。

本発明のａ−Ｃ膜は、Ｎｌの値を１としたときＮ２の値
が０．１４〜０．５、より好ましくは０．Ｉ７〜０４、
特に０．２〜０，３であるとき電荷輸送層として適して
いる。０．１４より小さいとメチン基、メチレン基ある
いはメチル基が相対的に多く含まれる電気抵抗の高い膜
となり、好適な輸送性が得られず、そのような膜か電荷
輸送層に用いられた感光体はほとんど光感度がなく、キ
ャリアの注入あるいは輸送能力か非常に悪いものとなる
。

０５より大きいと第４炭素が相対的に多くなり過ぎて、
膜抵抗ら下がり過ぎるため、そのような膜を電荷輸送層
に用いた感光体は充分な帯７ｔｉ電位を得ることができ
ない。また、たとえ帯電量を増６１　　ｆ−ＩＡ　　　
　Ｊ＜　ＩＩ　　’１ｆｌｉ’ｉ’ｆ４ｊｅ＋＋す−Ｍ
　　ｌ　　？２６を牛１６１−＋　ｔ、−Ｍｔ　ｆＷ電
位を与えたとしても、電荷の注入および輸送機能が低下
し、感光体としての感度はかなり悪い。

一般にＮ２の値が０．１４以上のとき、はじめて比抵抗
が１０目Ωｃｙｔ程度以上となり、キャリアの移動度が
１０−　’ｃｍ”／（ｖ−ｓｅｃ）以上で、良好な電荷
輸送機能が得られろ。

本発明によるａ−Ｃ膜中には種々の結合様式をした炭素
原子が存在するが、それらの全炭素原子数は、膜の組成
分析と比重から求められる。すなわち、ａ−Ｃ膜（７）
Ｃと［Ｄ組成分析比がＣｘ１（ｙ（ｘ＋ｙ＝１）で、膜
の比重がＷ（ｇ／ａｍ３）であると、膜ｌ　ｃｍ３中の
全炭素原子数Ｃｃは下式［Ｉ］：［式中Ｃｃは全炭素数
、Ｗは比重、Ｘおよびｙは炭素および水素の組成分析比
、Ａはアボガドロ数（ｇ／ｍｏｌ）を表す。］に従い得
ることができる。

本発明においては単結合よりなる炭素の数が、全炭素数
に対して４０〜９０％である膜が望ましい。

ａ−Ｃ膜の厚さは５〜５０μｍ、特に７〜３０μｍが適
当であり、５Ｌｔｍより薄いと帯電能が低く充分な複写
画像濃度を得ることができない。５０μｍより厚いと生
産性の点で好ましくない。このａ−Ｃ層は透光性、高暗
抵抗を有するとともに電荷輸送性に富み、膜厚を上記の
ように５μｍ以上としても電荷トラップを生じることな
くキャリアを輸送する。

ａ−Ｃ層を形成するための有機化合物としては、必ずし
ら気桁である必要はなく、加熱あるいは減圧等により溶
融、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相
でら固相でも使用可能である。

該炭化水素としては、例えばメタン列炭化水素、エチレ
ン列炭化水素、アセチレン列炭化水素、脂環式炭化水素
、芳香族炭化水素等が用いられる。

メタン列炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、
プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オ
クタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリ
デカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、
ヘプタデカン、オクタデカン、ノナデカン、エイコサン
、ヘンエイコサン、トコサン、トリコサン、テトラコサ
ン、ペンタコサン、ヘキザコザン、ヘプタコサン、オク
タコサン、ノナコサン、トリアコサン、トドリアコサン
、ペンタトリアコンクン、等のノルマルパラフィン並び
に、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘ
キサン、ネオヘキサン、２，３−ジメチルブタン、２−
メチルヘキサン、３−エチルペンタン、２．２−ジメチ
ルペンタン、２．４−ジメチルペンクン、３．３−ジメ
チルペンクン、トリブタン、２−メチルへブタン、３−
メチルへブタン、２．２−ジメチルヘキサン、２，２．
５−ジメチルヘキサン、２，２．３−１−リメチルベン
タ、ン、２，２．４−）ジメチルペンクン、２，３．３
−トリメチルペンタン、２，３．４−１−ジメチルペン
クン、イソナノン、等のイソパラフィン、等が用いられ
る。

エチレン列炭化水素としては、例えば、エチレン、プロ
ピレン、イソブチレン、ｌ−ブテン、２−ブテン、１−
ペンテン、２−ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３
−メチル−１−ブテン、２−メチル−２−ブテン、ｌ−
ヘキセン、テトラメチルエチレン、１−ヘプテン、ｌ−
オクテン、１−ノネン、ｌ−デセン、等のオレフィン並
びに、アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェ
ン、ヘキサジエン、シクロペンタジェン、等のジオレフ
ィン並びに、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキ
サトリエン、等のトリオレフイン、等が用いられる。

アセチレン列炭化水素としては、例えば、アセチレン、
メチルアレンレン、１−ブチン、２−ブチン、■−ペン
チン、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクテン、１
−ノニン、１−デシン等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンクン、シクロヘキセン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロへキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロヘプテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ポルニジン、カンフエン、フェ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボジ
ン、ジンギベジン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキヘニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンポジン、フィロクラテン、ボドカルブ
レン、ミジン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。

芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キンジン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メンデシ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、スヂルベン、イソテン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フェナントレン、等が用いられ
る。

本発明においてａ−Ｃ膜を形成させる場合、上記有機化
合物を２種類以上の混合気体で使用してもよい。ａ−Ｃ
膜は各種共重合体（ブロック共重合体、ブラット共重合
体等）として形成され、硬度および付着性か向上する。

また、アルカン系炭化水素（ＣｎＨ２ｎ＋。）を使用す
ると、ビッカース硬度２０００以上、電気抵抗１０９Ω
ｃｍのダイヤモンド状超硬質の、いわゆるｉ−Ｃ＠も形
成させることができる。ただし、この場合のプラズマ条
件は高温、低圧、高パワーが必要で、更に基板に直流バ
イアスを印加する必要らある。

キャリアガスとしてはＨ，、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ等の不活
性ガスが適当である。

本発明においては、ａ−Ｃ膜の形成には、直流、高周波
あるいは低周波マイクロ波プラズマ法等の種々のプラズ
マ法を使用することができる。あるいは後述されている
が、電磁波（Ｘ線、レーザ光線）や上記プラズマとの併
用も可能である。それらの重合法の選択により、同一の
モノマーでも、色々異なった特性を有するａ−Ｃ膜を得
ることができろ。たとえば、低周波プラズマ法（周波数
が数十Ｈｚ〜数百Ｋ　Ｈｚ程度）を使用すると高硬度の
ａ−Ｃ膜を得ることができる。本発明においてａ−Ｃ膜
を形成させる際重要なことは、単結合よりなる炭素の内
、水素と結合した炭素数Ｎ１と水素と結合していない炭
素数Ｎ２の比Ｎ、：Ｎ２がＩ：０．５ないし１：Ｏ，１
４となるように形成することである。また、電荷発生層
を高周波プラズマまたはその他のＣＶＤ法により形成す
る場合には、ａ−Ｃ膜も同様の方法で成膜したほうが、
製造装置コスト、工程の省力化につながり好ましい。

本発明感光体の電荷発生層は特に限定的ではなく、アモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜（特性を変えるため種
々の異種元素、例えばＨ，Ｃ，Ｏ，Ｓ。

Ｎ、Ｐ、Ｂ、ハロゲン、Ｇｅ等を含んでいてもよく、ま
た多層構造であってもよい）、Ｓｅ膜、５ｅ−Ａｓ膜、
Ｓ　ｅ−Ｔ　ｅ＠、ＣｄＳ膜、銅フタロシアニン、酸化
亜鉛等の無機物質および／またはビスアゾ系顔料、トリ
アリールメタン系染料、チアジン系染料、オキサジン系
染料、キサンチン系染料、シアニン系色素、スチリル系
色素、ビリリウム系染料、アゾ系顔料、キナクリドン系
顔料、インジゴ系顔料、ペリレン系顔料、多環キノン系
顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料、インダスロン系
顔料、スクアリリウム系顔料、フタロシアニン系顔料等
の有機物質を含有する樹脂膜等が例示される。

これ以外に乙、光を吸収し極めて高い効率で電荷担体を
発生する材料であれば、いずれの材料であっても使用す
ることができる。

電荷発生層は公知の方法、例えば上記物質の粉体を適当
な樹脂に分散させ成膜する方法を使用して設けてもよく
、本発明において電荷輸送層をプラズマ法で形成する場
合には、電荷発生層も同様の方法で成膜したほうが、製
造装置コスト、工程の省力化につながり好ましい。また
電荷発生層を公知の方法で設けろ場合には上記物質の粉
体の表面をあらかじめプラズマ重合により薄膜コーティ
ング処理し成膜した有機物質を使用することも有効であ
る。例えば、樹脂中にこれらを分散する場合には、表面
コートすることで分散性が向上したり、耐溶剤性を加味
させ、変質を防止する等の手段が考えられる。

電荷発生層は、感光体のどの位置に設けてもよく、たと
えば最上層、最下層、中間層いずれに設けてもよい。膜
厚は素材の種類、特にその分光吸収特性、露光光源、目
的等にもよるが、一般に５５０ｎｍの光に対して９０％
以上の吸収が得られるように設定される。ａ−９ｉの場
合で０．１〜３μｍである。

本発明においては、ａ−Ｃ電荷輸送層の帯電特性を調節
するために、炭素または水素以外のへテロ原子を混入さ
せてもよい。例えば、正孔の輸送特性をさらに向上させ
るために、周期律表第１「族原子、あるいはハロゲン原
子を混入してもよい。

電子の輸送特性をさらに向上させるために、周期律表第
Ｖ族原子あるいはアルカリ金属原子を混入してもよい。

正負両キャリアの輸送特性を更に向上させるために、５
ｉＳＧｅ、アルカリ土類金属、カルコゲン原子を混入し
てもよい。

これらの原子は複数用いてもよいし、目的により、電荷
輸送層内で、特定の位置だけに混入してもよいし濃度分
布等を有してもよいが、いずれの場合においても重要な
ことは、該プラズマ重合膜中に単結合よりなる炭素のう
ち、水素と結合した炭素数Ｎ１と水素と結合していない
炭素数Ｎ、の比Ｎ　Ｉ：　Ｎ　ｔが１：０．５ないし１
：Ｏ，１４であるように形成することである。

第１図から第１２図は本発明感光体の一態様を示す模式
的断面図である。図中、（１）は基板、（２）は電荷輸
送層としてのａ−Ｃ膜、（３）は電荷発生層を示してい
る。第１図に示す態様の感光体において、例えば十帯電
し続いて画像露光すると、電荷発生層（３）でチャージ
キャリアが発生し電子は表面電荷を中和する。一方、正
孔はａ−Ｃ膜（２）の優れた電荷輸送性に保証されて基
板（１）側へ輸送される。第１図の感光体を一帯電で用
いるときは、上記と反対にａ−ＣＩＩＸ（２）中を電子
が輸送される。

第２図の感光体はａ−Ｃ膜（２）を最上層として用いた
例で、十帯電で用いるときは、ａ−Ｃ膜（２）中を電子
が一帯電で用いるときはａ−Ｃ膜中を正孔が輸送される
。

第３図に示す感光体は、基板（１）上に電荷輸送層（２
）を有し、電荷発生層（３）が該電荷輸送層（２）にサ
ンドイッチされるように設けられた例である。

第４図〜第６図に示す感光体は、第１図〜第３図におい
て示した感光体においてさらにオーバーコート層（４）
として厚さ０．０１〜５μｍの表面保護層を設けた例で
、感光体が使用されるシステムおよび環境に応じて電荷
発生層（３）あるいは電荷輸送層ａ−Ｃ層（２）の保護
と初期表面電位の向上を図ったものである。表面保護層
は公知の物質を用いればよく、本発明においては、有機
プラズマ重合によって設けることが製造工程の面等から
望ましい。本発明ａ−Ｃ膜を使用してもよい。この保護
層（４）にも必要に上りへテロ原子を混入してもよい。

第７図〜第９図に示す感光体は、第１図〜第３図におい
て示した感光体に、さらにアンダーコート層（５）とし
て厚さ０．０１〜５μ次の接着層、あるいは障壁層を設
けた例で、用いる基板（１）またはその処理方法に応じ
て接着性または注入防止効果を図ったものである。アン
ダーコート層は公知の材料をもちいればよく、この場合
も有機プラズマ重合によって設けることが望ましい。本
発明によるａ−Ｃ膜を用いてもよい。更に第７図〜第９
図の感光体に第４図〜第６図で示したオーバーコート層
（４）を設けてもよい（第１０図〜第１２図）。

本発明感光体においては、第２図、第３図、第８図ある
いは第９図のごと＜　ａ　−Ｃ膜が最表面になりうる構
成の場合、そのａ−Ｃ膜にさらに酸素、水素、不活性ガ
スやドライエツチング用ガス（例えば、ハロゲン化炭素
）あるいは窒素等のプラズマを照射して、表面改質を行
うことも可能である。

そうすることにより感光体の耐湿性、耐摩耗性および帯
雷鮨を六ちに白ト六什Ａこ入ｈ（ア去ス一本発明感光体
は電荷発生層と電荷輸送層とを有する。従ってこれを製
造するには少なくとも二工程を必要とする。電荷発生層
として、例えばグロー放電分解装置を用いて形成したａ
−９ｉ層を用いるときは、同一の真空装置を用いてプラ
ズマ重合を行なうことが可能であり、従ってａ−Ｃ電荷
輸送層や表面保護層、バリア一層等はプラズマ重合法に
より行なうのが特に好ましい。

本発明による電子写真感光体の電荷輸送層は、気相状態
の分子を減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気
中に含まれる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散
、電気力、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での
再結合反応により固相として堆積させる、所謂プラズマ
重合反応から生成される。

第１３図は本発明に係る感光体の製造装置で容量結合型
プラズマＣＶＤ装置を示す。電荷輸送層としてプラズマ
重合ポリエヂジン幕を有する感光体を例にとり、その製
造法を第１３図を用いて説明する。

第１３図は本発明に係わる電子写真感光体の製造装置を
示し、図中（７０１）〜（７０Ｇ）は常温において気相
状態にある原料化合物およびキャリアガスを密封した第
１乃至第６タンクで、各々のタンクは第１乃至第６″Ａ
節弁（７０７）〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器
（７１３）〜（７１８）に接続されている。

図中（７１９）〜（７２１）は常温において液相または
固相状態にある原料化合物を封入した第１乃至第３容器
で、各々の容器は気化のため第１乃至第３温調器（７２
２）〜（７２４）により温調可能、例えば、常温〜１５
０°Ｃ１あるいは一り０℃〜常温であり、さらに各々の
容器は第７乃至第９調節弁（７２５）〜（７２７）と第
７乃至第９流量制御器（７２８）〜（７３０）に接続さ
れている。

これらのガスは混合器（”３１）で混合された後、主管
（７３２）を介して反応室（７３３）に送り込まれる。

途中の配管は、常温において液相または固相状態にあっ
た原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しないよう
に、適宜配置された配管加熱器（７３４）により、与熱
可能とされている。

反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（７３
Ｂ）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器（７
３７）により与熱可能とされている。

電力印加電極には、高周波電力用整合器（７３８）を介
して高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（７４
０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィルタ
（７，４２）を介して直流電源（７４３）が接続されて
おり、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異な
る電力が印加可能とされてし、る。

反応室内の圧力は圧力制御弁（７４５）により調整可能
であり、反応室内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を
介して、拡散ポンプ（７４７）、油回転ポンプ（７４８
）、あるいは冷却除外装置（７４９）、メカニカルブー
スターポンプ（７５０）、油回転ポンプにより行なわれ
る。

排ガスについては、さらに適当な除外装置（７５３）に
より安全無害化した後、大気中に排気される。

これら排気系配管については、常温において液相または
固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器により、
与熱可能とされている。

反応室ら同様の理由から反応室加熱器（７５１）により
与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性基板（
７５２）が設置される。

第１３図に於いて導電性基板は接地電極に固定して配さ
れているが、電力印加電極に固定して配されて乙よく、
更に双方に配されてもよい。

感光体製造に１ノ（する反応室は、拡散ポンプにより予
め１０−４乃至１０−８程度にまで減圧し、真空度の確
認と装置内部に吸着したガスの脱着を行う。

同時に７［極加熱器により、電極並びに電極に固定して
配された導電性基板を所定の温度まで昇温する。

次いで、第１乃至第６タンクおよび第１乃至第用いて定
流量化しながら反応室に導入し、圧力調節弁により反応
室内を一定の減圧状態に保つ。

ガス流ｍが安定化した後、接続選択スイッチにより、例
えば高周波電源を選択し、電力印加電極により高周波電
力を投入する。

両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の膜が形成される。

以上の溝成において、例えば第１図に示した感光体を製
造する場合、反応＋！（７３３）を一定の真空状態とし
てから、例えばガスライン（７３２）を介して第１タン
ク（７０１）よりＣ，Ｈ，ガス、第２タンク（７０２）
よりキャリアガスとしてＨ２ガスを供給する。

一方、高周波電源（７３９）より上部電極板（７３６）
に１０ｗａｔｔｓ＝　１　ｋｗａｔｔｓの電力を印加し
両電極板間にプラズマ放電を起こし、予め加熱されたＡ
Ｑ基板（７５２）上に厚さ５〜５０μｍのａ−Ｃ電荷輸
送層（２）を形成する。この電荷輸送層は本発明により
生成したａ−Ｃ膜中の単結合よりなる炭素のうち、水素
と結合した炭素１．と水素と結合していないＭ’　ＵＰ
　Ｈｅ　Ｎｌ　　（Ｉ’ｚ　ししｙ＋　　　、ｘ＋　　
Ｊｌイ　１．Ａｌ：、　　す−１ｙ１１．Ｉ’１ｌ４で
ある。この比は他の製造条件にも依存するが直流電圧？
ｆＡ（７４３）からＩＯＶ〜ＩＫＶのバイアス電圧を印
加することにより制御できる。即ち、単結合よりなる炭
素で水素と結合した炭素数はバイアス電圧を高くするこ
とによって減少し、ａ　−Ｃ膜自体の硬度を高くするこ
とができる。こうして形成されたａ−Ｃ？ｌＸ荷輸送層
は透光性、暗抵抗に優れ、チャージキャリアの輸送性に
著しく優れている。尚、この層に、例えば第４タンク（
７０４）より８２Ｈ，ガス、または第５タンク（７０５
）よりＰＨ，ガスを導入してＰ、Ｎ型に制御して電荷輸
送性を一層高めても良い。

次に電荷発生層（３）は、第２及び第３タンク（７０２
）、（７０３）よりＨｔ、ＳｉＨ，ガスを導入すること
によりａ−９ｉを母体とする層として形成されろ。

また、電荷輸送層形成のため反応槽（７３３）へ導入す
る化合物が液体状の物質であるときは、先述の方法でガ
スを反応槽（７３３）へ導入し、プラズマ重合させれば
良い。また沸点の高い有機化合物からａ−Ｃ膜を形成す
る場合は、基板上にあらかじめそれらの物質を塗布して
おき、次に真空槽中でキャリアーガス等のプラズマを照
射して、重合を開始させてもよい（所謂、プラズマ開始
重合法）。

本発明におけるａ−Ｃ膜形成プラズマ重合法は、さらに
レーザービーム、紫外線、Ｘ線あるいは電子線等の電磁
波を単独で、あるいは補助的に照射し、ａ−Ｃ膜を形成
すること（光アシスト法）や、磁界、バイアス直流電界
のアンストも有効である。

光アシスト法は、ａ−Ｃ膜の堆積速度を向上させ、製造
時間をさらに短縮させたい場合や、ａ−Ｃ層の高度を上
昇させたい場合に有効である。

以下、実施例を挙げ、本発明を説明する。

実施例１ （１）電荷輸送層（ａ−Ｃ層の形成） 第１３図に示すグロー放電分解装置において、まず、反
応槽（７３３）の内部を１０−８Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１および第２バルブ（７０７）および（７
０８）を開放し、第１タンク（７０１）よりＣ７Ｈ４ガ
ス、第２タンク（７０２）よりＨ，ガスを出力圧ゲージ
ＩＫｇ／ｃｍ２の下でマスフローコントローラ（７１３
）および（７１４）内へ流入させた。そして、各マスフ
ローコントローラの目盛を調整して、Ｃ，Ｈ。

の流量を３０　ｓｅｃｍ、　Ｉ−１２を６０ｓｅｃｍと
なるように設定して反応槽（７３３）内へ流入した。夫
々の流量が安定した後に、反応槽（７３３）の内圧が０
　、５　Ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性
基板（７５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０ｍｍのアルミ
ニウム板を用いて２５０℃に予じめ加熱しておき、各ガ
ス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（７
３９）を投入し上部電極板（７３６）にＩ　００　ｗａ
ｔｔｓの電力（周波数１３　、５６　ＭＨｚ）を印加し
て約４時間プラズマ重合を行ない、導電性基板（７５２
）上に、厚さ約６μｍのプラズマ重合エチレン膜からな
る電荷輸送層を形成した。

以上のようにして得られたプラズマ重合エチレン膜をフ
ーリエ変換赤外分光（パーキンエルマー社製）、１３Ｃ
−ＮＭＲ装置（日本電子社製、固体ＮＭＲ）および’Ｉ
−ｌ−１−Ｎ装置（日本電子社製、因イ太＋１Ｊ　λｌ
　ｐ　）争ニゴー眉１１常　１　　　　＾鼾　１　　ナ
ー　、し　−　ノー　　　プラズマ重合エチレン膜の化
学構造においては単結合よりなる炭素のうち、水素と結
合した炭素数Ｎ１と水素と結合していない炭素数Ｎ２の
比Ｎ、：Ｎ、は約７７．５：２２．５、即ち、１　：０
．２９であった。またその膜の電気抵抗を測定したとこ
ろ、暗抵抗が約５　Ｘ　Ｉ　Ｑ　”ＱｃｍＵ下であり、
明暗抵抗比が１０”〜１０４以上であった。本発明プラ
ズマ重合エチレン膜は電子写真感光体として十分使用で
きることが判った。

（ｎ）電荷発生層（ａ−Ｓｉ層の形成）基板（１）上に
プラズマ重合エチレン膜を（Ｄの過程により形成後、高
周波電源（７３９）からの電力印加を一次停止し、反応
槽の内部を真空にした。

第３および第２バルブ（７０９）および（７０ｇ）を開
放し、第３タンク（７０３）より５ＩＨ４ガス、第２タ
ンク（７０２）からＨ２ガスを出力圧ゲージ１Ｋｇ／ｃ
ｍ’の下でマスフローコントローラ（７１５）および（
７１４）内へ流入させた。各マスフローコントローラの
目盛を調整して、５ＩＨ４の流量を９０ｓｅｃｍ、　Ｈ
２の流量を２１０ｓｅｃｍに設定し、反応槽に流入させ
た。

夫々の流量が安定した後に、反応槽（７３３）の内圧力
’１．０Ｔｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波源（７
３９）を投入し、電極板（７３６）に３０Ｗの電力（周
波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放電を発生さ
せた。このグロー放電を１０分間行ない厚さ１μｍのａ
−５ｉ：Ｈｉ電荷発生層形成させた。

（■）（感光体の性能評価） 工程（Ｉ）および（ＩＩ）により、電荷発生層、ａ−３
ｉ層をＡＱ基板上に順次積層した感光体の性能評価を実
施した。評価は第１４図に示した感光体テスターを使用
し、帯電能および感度について行った。

作製した感光体試料（３５）をスキャニングテーブル（
３７）にａＧＩし、シールドカバー（３６）で固定した
。

スキャニングテーブル（３７）を帯電領域（５２）に移
動し、＋７．７ＫＶの直流高電圧（４０）により供給さ
れる高電圧をチャージャー（４２）に印加し、試料（３
５）の表面にコロナ放電を行った。次ぎにスキャニング
テーブル（３７）を放電領域（５１）に移動した。

コロナ帯電された試料の表面電位は透明電極（４８）に
より感知され、表面電位メーター（４９）でその値を読
み取られ、レコーダー（５０）に出力される。本発明感
光体は良好な帯電能を示した。

次に、シャッター（４７）を開き、鏡（４４）で反射し
たハロゲンランプ（４３）光を帯電している試料（３５
）の表面に照射した。照射は透明電極（４８）を通じて
行なわれ、照射による表面電位の変化はレコーダー　（
５０）に出力されるとともに、その時、流れた電流は光
電流モニター（３８）に検知される。本発明感光体は、
初期表面電位（Ｖｏ）＝　−５１０ｖｏｌｔのとき半減
露光量Ｅ　１／２が０．５１ｕｘ−ｓｅｃであった。　
さらに実施例１と同じ要領で、感光体ドラムを作製し、
ミノルタカメラ（株）製複写機（ＥＰ−６５０Ｚ）で実
写試験を行ったところ、良好な画像が得られた（なおこ
の際、電力２５０Ｗ、Ｃ７Ｈ４３００ｓｅｃｍ、　Ｈｔ
　６５０ｓｅｃｍ、他は平板の場合と同じであった）。

さらに、電荷発生層は、電力２５０Ｗ、　ＳｉＨ，１８
０ｓｃｃｍＳＨｅ　５００ｓｃｃｍ。

他は平板の場合と同じであった。

また、ドラム型感光体テスター（図示せず）で複写プロ
セスのシュミレーションを行ったところ、帯電チャージ
−露光照射−転写・除電チャージ−除電イレーサ光照射
を５０に回の繰り返し後も、初期と同様の静電特性が得
られた。

比較例１ 実施例１の工程（１）で作製された本発明によるプラズ
マ重合エヂジン膜の代わりに、低密度ポリエチレン膜を
有機重合の常法により作製し、その上に工程（Ｉｌ、）
を施した。このポリエチレン膜中のＮ、：Ｎ、は約９９
．５・０，５、即ち、１：５Ｘ１０−３であった。得ら
れた積層膜は、その電気抵抗が約１０１８Ωｃｍであり
、絶縁体であった。性能評価（［［）を行ったところ、
感光体は光感度がなく、すぐチャージアップし、電子写
真には使用できないものであった。本発明のプラズマ重
合エヂジン膜の優位性が認められた。

比較例２ 実施例１で使用した装置を用い、プラズマ重合ジン膜を
作成していった場合、膜中のＮ　＋　：　Ｎ　ｔの値が
Ｉ：０．５以上のものは殆んど作製不能であった。仮に
出来たとしても、十分な電荷輸送機能を示さず、残留電
位の高いものとなる。

なお、以下実施例、比較例とらに平板でのみ作製し静電
特性、画像特性を調べた。

実施例２ （Ｉ）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部をｌ　Ｏ−”　Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空にした後、第１および第２調整弁（７０
７）および（７０８）を開放し、第１タンク（７０１）
よりＣ＊　Ｈｔガス、第２タンク（７０２）よりＨ２ガ
スを出力圧ゲージＩ　Ｋｇ／ｃｍ”の下でマスフローコ
ントローラ（７１３）および（７１４）内へ流入させた
。そして、各マスフローコントローラの目盛を調整して
、Ｃ，ｌ−１２の流量を７０ｓｅｃｍ、　Ｈ２を８０ｓ
ｅｃｍとなるように設定して反応室（７３３）内へ流入
した。夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の
内圧がｌ。

０Ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性基ラム
板を用いて２００℃に予じめ加熱しておき、各ガス流量
が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（７３９）
を投入し電力印加電極（７３６）に９０ｗａｔｔｓの電
力（周波数１３．５６ＭＨ２）を印加して約１．５時間
プラズマ重合を行ない、導電性基板（７５２）上に、厚
さ約９μｍの電荷輸送層を形成した。

この膜中のＮ、：Ｎ、は約８２．５：１７．５、即ち、
１：０．２１であった。

（ＩＩ）　　高周波電源（７３９）からの電力印加を一
次停止し、反応室の内部を真空にした。

第４および第２調整弁（７１０）および（７０ｇ）を開
放し、第４タンク（７０４）よりＳｉＨ，ガス、第２タ
ンク（７０２）からＨ，ガスを出力圧ゲージＩＫｇ／ｃ
ｍ”の下でマスフローコントローラ（７１６）および（
７１４）内へ流入させた。各マスフローコントローラの
目盛を調整して、ＳｉＨ，の流量を９０ｓｅｃｍ、　Ｈ
，の流量を２１０ｓｅｃｍに設定し、反応室に流入させ
た。夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内
圧が１．０Ｔｏｒｒとなるよう調整した。

ガス滝壷が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に３０Ｗの
電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放電
を発生させた。このグロー放電を１０分間行ない厚さ１
μｍのａ−８ｉ：Ｈ電荷発生層を形成させた。

得られた感光体は初期表面電位（ＶＯ）＝−４６０ｖｏ
ｌｔのときの半減露光量Ｅ１／２は０　、５１２ｕｘ　
−ｓｅｃであった。また、この感光体に対して作像して
転写したところ、鮮明な画像が得られた。

実施例３ （（）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部をｌ　Ｏ−”　Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空にした後、第１ないし第３調整弁（７０
７）ないしく７０９）を開放し、第１タンク（７０１）
よりＣｔ　Ｈ−ガス、第２タンク（７Ｇ２）よりＣＨ，
ガス、第３タンク（７０３）よりＨ，ガスを出力圧ゲー
ジＩＫｇ／ｃｍ”の下でマスフローコントローラ（７１
３）ないしく７１５）内へ流入させた。そして、各マス
フローコントローラの目盛を調整して、Ｃ、Ｈ−の流量
を６０　ｓｅｃｍ、　ＣＩ（、を１００ｓｃｃｍＳＨ２
を１２０ｓｃｃｍとなるように設定して反応室（７３３
）内へ流入した。

夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が
０　、８　ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電
性基板（７５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０＋ｕのアル
ミニウム仮を用いて２５０℃に予じめ加熱しておき、各
ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に、２００
　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３．５６ＭＨ２）を印加
して約４時間プラズマ重合を行ない、厚さ約６μｍの電
荷輸送層を形成した。

この膜中のＮ、：Ｎ２は７２：２８、即ち、ｌ：０゜３
９であった。その上に実施例２の（ＩＩ）で示した電荷
発生層を形成した感光体を得た。この感光体は、Ｖｏ＝
　−５４０ｖｏｌｔ、　Ｅｌ／２＝　Ｉ　、５１ｕｘ−
ｓｅｃであった。また作像、転写したところ鮮明な画像
が得られた。

比較例３ 実施例１において工程（Ｅ　Ｘａ　−０層の形成）を省
略し、工程（ＩＩ）と同一条件で膜厚６μｍのａ−Ｓｉ
：８層を形成せしめ、ａ−Ｓｉ：Ｉ−１感光体を得た。

得られた感光体は初期表面電位（ＶＯ）＝　−１００Ｖ
で半減露光”’１／２は２，７　１ｕｘ−ｓｅｅであり
、十極性では充分な帯電能を示さず、良好な作像は行え
なかった。

本発明による電荷輸送層が帯電能の向上に著しく寄与し
、かつ好適な輸送性を有する事が理解された。

実施例４ （ｒ）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部を１０−８Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１ないし第３ｆＡ整弁（７０７
）ないしく７０９）を開放し、第１タンク（７０１）よ
りＣ＊　Ｈ、ガス、第２タンク（７０２）よりＣＨ４ガ
ス、第３タンク（７０３）よりＨ，ガスを出力圧ゲージ
１Ｋｇ／ｃｍ’の下でマスフローコントローラ（７１３
）ないしく７１５）内へ流入さ仕た。そして、各マスフ
ローコントローラの目盛を調整して、Ｃ、Ｔ−１、の流
量を５５ｓｅｃ＋ｎ５ＣＨ４を６０　ｓｃｃｍＳＨｔを
Ｉ　ＯＯｓｃｃｍとなるように設定して反応室（７３３
）内へ流入した。

夫々の流量が安定した後に、反応室（７３３）の内圧が
１　、５　ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電
性基板（７５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０ｍｍのアル
ミニウム板を用いて２５０℃に予じめ加熱しておき、各
ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（
７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に、２００
ｗａｔｔｓの電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加し
て約５時間プラズマ重合を行ない、厚さ約５μｍの電荷
輸送層を形成した。

この膜中のＮ　、：　Ｎ　ｔは約８５：１５、即ち、１
：０．１８であった。

その上に実施例２の（ＩＩ）で示した電荷発生層を形成
した感光体を得た。この感光体はＶ。＝　−５３０ｖｏ
ｌｔＳＥ　ｌ／２＝　Ｉ　、　９１ｕｘ−ｓｅｃであっ
た。また、作像、転写したところ鮮明な画像か得られた
。

実施例５ （１）第１３図に示すグロー放電分解装置において、ま
ず、反応室（７３３）の内部を１０″″’　Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１および第２調整弁（７０７）
および（７０８）を開放し、第１タンク（７０１）よＣ
Ｉ、ガス、第２タンク（７０２）よりＨ，ガスを出力圧
ゲージＩＫｇ／ｃｍ２の下でマスフローコントローラ（
７１３）およびＣ７１４）内へ流入させた。そして、各
マスフローコントローラの目盛をＥｌして、ＣＨｌの流
量を８０　ｓｅｃｍ、　Ｈ２を１５０　ｓｅｃｍとなる
ように設定して反応室（７３３）内へ流入した。夫々の
流ｍが安定した後に、反応室（７３３）の内圧が０．Ｉ
４Ｔ　ｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性基板
（７５２）としては、２Ｘ５０Ｘ５０ｍｍのアルミニウ
ム板を用いて３５０°Ｃに予じめ加熱しておき、各ガス
流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（７３
９）を投入し電力印加電ｗ！、（７３６）に３６０ｗａ
ｔｔｓの電力（周波数１３　、５６　ＭＨｚ）を印加し
て約１０時間プラズマ重合を行ない、導電性基板（７５
２）上に、含有される全炭素原子の厚さ約６．５μｍの
電荷輸送層を形成した。

この膜中のＮ、：Ｎ、は６７：３３、即ち、ｌ二０゜４
９であった。その上に実施例２の（ＩＩ）で示した電荷
発生層を形成した感光体を得た。この感光体は、Ｖｏ＝
−６５０ｖｏｌｔ、　Ｅｌ／２＝３．８１ｕｘ−ｓｅｅ
であった。また作像、転写したところ鮮明な画像が得ら
れた。

実施例６ （１）　　第１３図に示すグロー放電分解装置において
、まず、反応室（７３３）の内部をＩ　Ｏ”−’　Ｔｏ
ｒｒ程度の高真空にした後、第６および第７調整弁（７
１２）ないしく７２５）を開放し、第６タンク（７０６
）よりＨ２、第１容２Ｓ（７１９）よりスチμ：／（Ｃ
ａｌ（ａ）ガスを出力圧ゲージＩＫｇ／ｃｍ’の下でマ
スフローコントローラ（７１８）および（７２８）内へ
流入させた。第１容器（７１９）ハ第１加熱器（７２２
］、：、にす約５０°ｃに加熱した状態て用いた。そし
て、各マスフローコントローラの目盛を調整して、スチ
レン（ｃ　ａ　ｒ−ｒ　ｅ）の流Ｍを５０ｓｃｃｍ、　
Ｈ７を３０ｓｃｃｍとなるように設定して反応室（７３
３）内へ流入した。夫々の流ｍが安定した後に、反応室
（７３３）の内圧が０　、３　ｔｏｒｒとなるように調
整した。一方、導電性基板（７５２）としては、２Ｘ５
０ｘ５０ｍｍのアルミニウム板を用いて１５０℃に予じ
め加熱しておき、各ガス流帛占ゼカ中１　ｍｌ睨ンカウ
１ぷ−Ｊ、Ｉｌ　ｆ帛鴫ｌ釦ｍ−噌訓（７４１）を投入
し、電力印加電極（７３６）に、１５０ｗａｔｔｓの電
力（周波数３０ＫＩ−１ｚ）を印加して約３５時間プラ
ズマ重合を行ない、導電性基板（７５２）上に厚さ約８
μｍの電荷輸送層を形成した。

この膜中のＮ　１：　Ｎ　２は８７：１３、即ち、Ｉ；
０゜１５であった。その上に実施例２の（ＴＩ）で示し
た電荷発生層を形成した感光体を得た。この感光体は、
Ｖｏ＝−６５０ｖｏｌｔ、　Ｅｌ／２＝５．９１ｕｘ−
ｓｅｃであった。また作像、転写したところ鮮明な画像
が得られた。

発明の効果 本発明による有機プラズマ重合膜を電荷輸送層に有する
感光体は電荷輸送性、帯電能に優れ、膜厚が薄くても充
分な表面電位を得ることができ、かつ良好な画像を得る
ことができる。本発明に従えば、電荷発生層にａ−Ｓｉ
を使用する場合、従来のａ−！３ｉ感光体では達成する
ことのできなかった薄膜の感光体を得ることができる。

本発明感光体はその原料が安価であり、必要な各層がＭ
−の膚山ア虚■δで当スジ失ｔ、？−晴回ｈ（薄（てよ
いので、製造コストが安く、かつ製造時間が短くて済む
。　本発明による有機プラズマ重合膜は、薄膜に形成し
てもピンホールが生じにく、均質に形成することができ
るので、薄膜化が容易である。さらに耐コロナ性、耐酸
性、耐湿性、耐熱性、トナーの離型性および剛直性にも
優れているので、表面保護層として使用すると感光体の
耐久性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図から第１２図は本発明感光体の模式的断面図を示
す。 第１３図は感光体製造装置を示す概略図である。 第１４図は感光体テスターを示す概略図である。 図中の記号は以下の通りである。 （１）・・・基板　　　　（２）・・・電荷輸送層（ａ
−Ｃ層）（３）・・・電荷発生層　（４）・・・オーバ
ーコート層（５）・・・アンダーコート層 （７０１）〜（７０６）・・・タンク （７０７）〜（７１２）及び（７２５）〜（７２７）・
・・調節弁（７１３）〜（７１ｇ）及び（７２８）〜（
７３０）・・・マスフローコントローラー （７１９）〜（７２１）・・容器（７３２）・・・主管
（７３３）・・・反応室　　　（７３５）・・・接地電
極（７３６）・・・電力印加用電極 （７３９）・・・高周波電源　（７４１）・・・低周波
電源（７４３）・・・直流電圧源 （７４７）〜（７５０）・・・真空ポンプ（７５２）・
・・導電性基板 （３５）・・・試Ｌ　　　　　　、（３６）・・・シー
ルドカバー（３７）・・・スキャニングテーブル （３８）・・・光電流モニター（３９）・・・スイッチ
（４０）・・・直流高電圧　　（４１）・・・総電流モ
ニター（４２）・・・チャージャー （４３）・・・ハロゲンランプ（４４）・・・鏡（４５
）・・・コールドフィルター （４６）・・・ＮＤフィルター （４７）・・・シャッター　　　（４８）・・・透明電
極（４９）・・・表面電位メーター （５０）・・・レコーダー　　（５１）・・・放電領域
（５２）・・・帯電領域 第４図　　　　　　　　“ 第７２　　　　　　１ 曹１０： 奪２図　　　　　　　第３０ １１５図　　　　　　　第６ｆｆ！ ？！８フ　　　　第９＝ ５１１フ　　　　　　富１２＝

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）とを有する機
   能分離型感光体において、電荷輸送層（２）が水素を含
   む非晶質炭素膜で、その化学構造において単結合よりな
   る炭素のうち、水素と結合した炭素数Ｎ＿１と水素と結
   合していない炭素数Ｎ＿２の比Ｎ＿１：Ｎ＿２が：０．
   ５ないし１：０．１４であることを特徴とする感光体。