JPS6263937A

JPS6263937A - 感光体

Info

Publication number: JPS6263937A
Application number: JP20415585A
Authority: JP
Inventors: Shuji Iino; 修司飯野; Hideo Yasutomi; 英雄保富
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1985-09-13
Filing date: 1985-09-13
Publication date: 1987-03-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明はダイアモンド状炭素薄膜を電荷輸送層とする感
光体に関する。

従来技術従来、感光体、特に電子写真感光体にアモルファスシリ
コン（ａ−８ｔ）が広く採用されるに到っている。ａ−
９ｉ悪感光は、種々の優れた特性がある一方で、誘電率
ε−１２であるため、十分な帯電能を得るには最低２５
μｍ程度の膜厚を要し、従って成膜に長時間を要し、白
斑点ノイズの発生する確率が高く、加えて原料費が高い
と云う欠点がある。

上記の欠点を改良するための種々の試みがなされている
が、本質的に膜厚をこれより薄くすることは好ましくな
い。

一方、近年半導体分野において、ダイアモンド状炭素の
薄膜が提案されているが、その電荷輸送性能については
全く知られていない。

さらに、このような炭素薄膜をａ　−Ｓ　ｉ感光体の下
引き層や最表面保護層として設ける提案がなされている
。例えば特開昭５９−１３６７４．２号公報にはＡ４基
板上のａ−５ｉ層に光照射時におけるＡＱ拡散を防止す
るために１〜５μｍの炭素膜を形成させるための感光体
が提案されて記載されている。

特開昭６（１−６３５４１号公報にはａ−８ｉ層と基板
間に、２００人〜２μｍのダイアモンド状炭素膜を使用
したａ−３ｔ悪感光を開示している。

このダイアモンド状炭素膜の作用は、ａ−８ｉ系感光体
固有の問題点であるａ　−Ｓ　４層とＡ、Ｊ基板との密
着性不良を解消するためものである。

特開昭６０−６１７６１号公報には最表面保護層どして
５００人へ一２７ｚｍのダイアモンド状炭素薄膜を使用
１〜た感光体を開示１−ている。５Ｉｃハ炭素薄膜はａ
−８！感光体の酬コ［）→放電お、１′び機械的強度を
改良オろ１ｒめ（＋）ものである、。

特開昭５９　２１４８５９号公報にはａ−８ｉ感光体の
表面にスチレンやアセチト・ン等のｒｊ′機炭化炭化水
素モノマーラズマ重合さ且てすさＦ＋ｌｉｍ程度のオー
バーコ−１・を形成さ且７）技術か開示されている。こ
のオ　バーコ−１・の［１的はａ−８ｉの表面劣化にも
とづく画像流２１を防＋ｌ　ｔろ）、−めである。

η？曳ｊ−カーく方偵θζ−リ−↓−う　とする其１］
題小このように、従来ではタイアモンＩ・状炭素模を最
表面保護層乃至は下引き層ど１−て用いているが、それ
自体安価で製造面も容易であるので電荷輸送性を有４−
ることか望まれている。即し、従来ではダイアモンド状
炭素膜を薄膜と１．て用いているノニめ電荷輸送性しり
いて何ら改善、保証することはなか−）た。本発明は耐
湿性、耐コ〔ｌす性、耐摩耗性、注入防１１．効果およ
び電荷発生層にプラズマ・ダメージを’ｊ工ｒａ　Ｌ　
”電荷輸送層を＊ｉ’　”−／）Ｅｆｔ　３ｉ１体を得
ることをＬＩ的と４′ろ。

ｌｊＷ巡、へ全一解決−４−ろ八Ｉ’）（Ｉ）１段本発
明は、ダイアモンド状炭素膜かこイ〕を電荷発生層と組
み合わ１１ろとさ電−：１輸送機能を白−・１゛ろと一
’ｆＣ’ｉ）新ノニな知見にも）とつくものであろ４、
即ち、本発明は電荷発生層と電？６ｉ輸送層とをイ］’
　−４−７，機能分離型感光体にＪｊいて、電荷輸送層
とｌ−てダイアモンド状炭素膜を何才ろことを特けしシ
ー４ろｌｉ　ｉ’　′り真感光体に開渠ろ１、本発明感光体ｆＪ少なくと１．電４；工発Ｌ１層と電６
：ｆ輸送層から構成さイ１、電４：Ｉ輸送層と（２“こ
少なくとも一層のダイアモンド状炭素の層をＭ−４−る
。

電荷発生層としては特に限定的ではなくアモルファスシ
リ：１ン（ａ−Ｓｉ）（特性を変えど、ため種々の異種
元素、例えばＣ１０、Ｓ、、Ｎ、ＰＸＢ。

ハロｔｙン、Ｇｃ等を含量でい−こもよく、また多層構
造であ−）でもよい）、Ｓｅ、Ｓ（しＴｅ、Ｃｄ　Ｓ　
。

銅フタロシアニン、酸化４■１鉛等の無機物質およびビ
スアゾ系類ｔ１、ｌ・リアリールメタン糸染ネ１、チア
ジン系染料、オキサジン系染料、キザンテン系東朴Ｉ５
　ンアニン系色素、スチリル系色素、ビリリウム系染料
、アゾ系顔ネ゛ｌ、キナクリドン系顔料、インンゴ系顔
ＩＩ、ペリレン系顔ｔ」、多環キノン系顔料、ビスベン
ズイミダゾール系顔料、インダスロン系顔料、スクアリ
リウム糸類ｔ」、フタ〔Ｊン“どニン系顔料等の有機物
質か例示される。

これ以外も、光を吸収１．極めて高い効率で電４：ｓ担
体を発生オろ材料であれば、し）−４瀘１の材１」であ
−、ても使用することができる。

電荷発生層は後述するごとく、感光体のどの位置に設（
１てもよく、例えば最」一層、最十層、中間層いずイ１
に設けても、Ｊ−い。層摩は、素＋４の種類、特にその
分光吸収特性、露光光源、目的等にもよるが、一般に５
５５ｎｍの光に対１，９０％以−にの吸収となるように
設定されろ。ａ−Ｓ　ｉ　：　Ｉ−１の場合で０．１〜
ＩＩｚｍ程度である。

電荷輸送層としては少なくとも一層のダイアモンド状炭
素層を用いる。本発明にとって好ましいダイアモンド状
炭素層中の水素含量は、０〜４〇ａｔｏｍｉｃ％（以下
、ａｌ、ｍ　　％と記す）、好、ＬＬ、　＜は０〜３５
ａｔｍ　　％、特に好まし、くは０〜３０ａｔｍ％であ
る３、水素に代えて、　・部へ［Ｊゲン、例えば、塩素
、臭素等で置き換えても」、い１、この様な膜は撥水性
、耐摩耗性が改良されろ。ダイアモンド状炭素とａ−６
ｉとからなる感光体は帯電感度が高くピンホールを生じ
難いと云う長所がある４、通常の電子写真用にはダイア
モンド状炭素電荷輸送層の厚さは５〜５０１ｚｍ、特に
７〜２０μｍか適当であり、７μｍより薄いと帯電能が
低く充分ム゛複写画像濃度を得ろことができない。２０
ｔ１ｍより１Ｌｙいと、生産性の点で好ましくない。こ
θ）ダイアモンド状炭素層は透光性、高暗抵抗、高硬度
を有オろとともに電荷輸送性に富み、膜１！７を１．記
の３１、らに５ＩＩｍ以Ｉ・としても、電荷トラツーｆ
を牛じ／）ことなくキャリアを輸送４゛る１、本発明ダイアモンド状炭素層（３Ｉイオン化蒸着、イオ
ンビーム蒸着等のイオン状態を経て形成４゛ろ方法、直
流、高周波、マイクロ波プラズマ法等のプラズマ状態を
経て形成４゛ろ５ＩＩ”法、ＣＶ　Ｄ法、真空蒸着法、
スパッタリング法等の中性の粒子から形成する方法、又
はこれらの組合わせにより形成しても良い。しかし例え
ば、電荷発生層を高周波プラズマまたはＣＶＤ法により
形成する場合には、炭素膜も同様の方法で成膜した方が
、製造装置コスト・工程の省力化につながり好ましい。

ダイアモンド状炭素層を形成するための炭素源としては
、Ｃ２Ｈ５、Ｃ９Ｉ］６、Ｃ７Ｉ］４、Ｃ３Ｈ６、ＣＨ
ｔ　、Ｃｄ（ｔｏ　、Ｃ４ｌ４ｅ　、Ｃ４Ｈ８、Ｃ３Ｈ
ｅ、Ｃ３１−１ｅ　、　ＣＩ−１３ＣＯＨ等が例示され
る。

キャリアガスとしてはＡｒ　、　Ｎｅ　、　Ｔ−１ｅ等
が適当である。

本発明においては、上記のごときダイアモンド状炭素の
電荷輸送層の帯電特性を調節するために、１１１Ａ族ま
たはＶＡ族元素を混入させてもよい。

感光体を十帯電で用いるとき（Ｊ１相対的に基板側をＰ
型にし、表面側をＮ型にし、−帯電で用いるときは基板
側をＮ型にし、表面側をＰ型にすることにより、逆バイ
アス効果をもたせるのが好ましい。これにより、帯電能
の向上、暗減衰の低減および感度の向上等の効果が達成
される。

この様な極性調整は単一層内でのＩＩＩＡ族またはＶＡ
族元素の含量を徐々に基板側または表面側に増加させる
ことによって行なってもよく、あるいは、均一な濃度の
ＩＩＩＡ族またはＶＡ族元素を含有する単一のダイアモ
ンド状炭素の電荷輸送層を基板側または表面側に設けて
もよい。また、必要ならば複数の濃度の異なるダイアモ
ンド状炭素膜を接合領域に空乏層が形成されるように設
けてもよい。

第１図から第４図は本発明感光体の一態様を示す模式的
断面図である。図中、（１）は基板、（２）はダイアモ
ンド状炭素膜、（３）は電荷発生層を示している。第１
図に示す態様の感光体において、例えば、十帯電し、続
いて画像露光すると電荷発生層（３）でヂャージキャリ
アが発生し、電子は表面電荷を中和する一方、正孔はダ
イアモンド状炭素電荷輸送層（２）の優れた電荷輸送性
に保証されて基板（１）側へ輸送される。電荷発生層と
して特に極性調整を行なっていないａ−８ｉを用い、こ
れを十帯電で使用するときは、相対的にダイアモンド状
炭素電荷輸送層はＰ型に調整するのが好ましい。即ち、
ａ−８ｉはそれ自体弱いＮ型乃至は真性であるから表面
からの正電荷の注入を防止し、またＰ型に調整したダイ
アモンド状炭素層（２）は正孔の移動を容易とする。Ｐ
型調整のために使用するＩＴＡ族元素としてはＢＳＡｏ
、、Ｇａ、Ｉｎ等が例示されるが、Ｂが特に好ましい。

ａ−８ｉ重電荷生層にＶＡ族元素、例えばりんを混入さ
せて、表面層を相対的に更に強いＮ型としてもよい。こ
の場合もダイアモンド状炭素膜の極性をＰ型に調整して
もよい。第１図の感光体を一帯電で用いるときは、」二
層と反対にダイアモンド状炭素膜（２）にりんを含有し
てＮ型に調整すればよく、電荷発生層（３）としてａ−
８ｔを用いるときはＢを含有してもよい。

第２図の感光体は炭素膜（２）を最」二層として用いた
例で、十帯電で用いるときは、ダイアモンド状炭素膜（
２）の極性は第ＶＡ族元素等を用い、電荷発生層（３）
に対し、相対的にＮ型として、正孔の移動を容易とする
。−帯電で用いるときはＢ等を含有してその逆に調整す
ればよい。

第３図に示す感光体は、電荷輸送層（２）に用いる炭素
膜をバリア一層（４）としても用いた例で、基板（１）
からの電荷の注入を有効に阻止するとともに電荷発生層
（３）で発生した電荷を基板側に輸送する整流機能を有
する。この意味において、バリア一層（４）には」−帯
電時は第１ＩＩＡ族元素、−帯電時には第ＶＡ族元素を
含有するのが望ましい。

また、バリア一層の膜厚は０．０１〜５μｍであるのが
好ましい。

第４図は炭素膜を厚さ０．０１〜５μｍの表面保護層（
５）としても用いた例で、電荷発生層（３）の保護と初
期表面電位の向上を図ったものである。

この保護層（５）にも必要により第１１’ｌＡ、第ＶＡ
族元素をドープしてもよい。更に第４図の感光体は第３
図で示した炭素バリア一層を基板と電荷輸送層（２）間
に設（Ｊてもよい。

第１ＩＩＡ族元素をダイアモンド状炭素膜に混入させる
には、これらの元素を含む適当なガス状化合物を炭化水
素ガスと共に、イオン化状態またはプラズマ状態にして
成膜すればよい。また、形成されたダイアモンド状炭素
膜をＩＩＩＡ族元素を含む化合物ガスに曝してドープし
てもよい。

本発明に使用し得るＢを含む化合物としては、Ｂ　（Ｏ
ＣｓＨ５）３、Ｂ、！Ｈａ、Ｂ　Ｃ１１３、ＢＢｒ３、
Ｂ　Ｆ　ａ等が例示される。

Ａ児を含む化合物としてはＡ克（Ｏｆ−ＣＪ（７）３、
（ＣＨ３）３Ａ４、（０２Ｈ６）３Ａ　！、、（＋−Ｃ
４Ｈｅ）ｓＡ、Ｚ。

Ａ克ｃ、Ｌ等が例示される。

Ｇａを含む化合物としてはＧ　ａ（Ｏｆ　−Ｃｓ　Ｈ７
）３、（ＣＨ３）５Ｇａ、（ＣａＨ２）３Ｇａ、ｃａｃ
、Ｏ３、ＧａＢｒ３等がある。

Ｉｎを含む化合物としてはＩ　ｎ（Ｏｆ−０３Ｈ７）３
、（Ｃ＊Ｈ６）３　Ｉ　ｎ等がある。

ＩＩＩＡ族元素の導入量は炭素原子に対し、２００００
ｐｐｍ以下、より好ましくは３〜１１０００ｐｐである
。

極性調整に用いられるＶＡ族元素としては、Ｎ、ｐ、Ａ
ｓ、ｓｂがあるが、Ｐが特に好ましい。このＶＡ族元素
もＩＩＡ族元素と同様にしてダイアモンド状炭素膜に導
入することができる。

本発明に用い得るＶＡ族元素を含む化合物としては、以
下のものがある。

Ｎを含む化合物としては、Ｎ２、Ｎｅｏ、Ｎｏ。

ＮＯ２等；Ｐを含む化合物としてＰＯ（ＯＣＲ，）３、
（Ｃ７Ｈ５）９Ｐ、ＰＨ３、ＰＯＣｊ！、３等；ＡＳを
含む化合物としてＡ、　ｓ　Ｈ３、ＡｓＣ！ａ、ＡｓＢ
ｒ＊等；Ｓｂを含む化合物としてＳ　ｂ（ＯＣ２Ｈｓ）
３、ｓｂｃ児。、ＳｂＨ３等が例示される。

ＶＡ族元素の導入量は炭素原子に対し、２００００ｐｐ
ｍ以下、より好ましくは１〜Ｉ０００ｐｐｍ程度である
。

本発明感光体の電荷発生層には、更に別の元素を導入し
てその特性を調整してもよい。　第１図および第２図の
感光体にそれぞれ別の材料で表面被覆層および中間層を
設けても良い。

電荷輸送層はその作製条件（結合状態）、不純物により
着色（例えば、黄色、青色、茶色）することがあるが、
第２図の構成では、それを利用して電荷発生層への有害
光カットの効果を持たせることができる。

電荷輸送層にＳｉ、Ｇｅを添加してバンドギャップの調
整を行ない電荷発生層との界面障壁を小さくすることも
可能である。第１図で、多量（〉ｌＯａｔｏｍｉｃ％）
のＧｅ添加した部分を基体側に偏在させることにより、
余剰光の反射防止を行ない、干渉縞・ボケの発生を防ぐ
ことも可能である。

本発明の感光体のダイアモンド状炭素層にはさらに酸素
、硫黄および／または各種金属類を混入させてもよく、
あるいは水素の一部をハロゲンで置換してもよい。

酸素源としては、０９．０３、Ｎ、Ｏ，Ｎｏ等が例示さ
れるが、これを混入することによって帯電能が向上する
。

硫黄源としてはＣ９２、（Ｃ２Ｈ５）２Ｓ１Ｈ，Ｓ。

Ｓ　Ｐ　ａ、ＳＯ２等が例示される。硫黄の混入はアモ
ルファス炭素において特に光の吸収、干渉防止に有効で
ある。

また水素の一部をハロゲンに代えることにより、撥水性
、摩耗性、透光性が向上し、特にフッ素では−ＣＦ、−
ＣＦ２、−ＣＦ３等が形成されて、反射防止効果が現わ
れ、ｎが小さくなる（１．３９）。

さらにアモルファス炭素をアルゴンで後処理した後、大
気と接触させると、カルボニル基が導入され表面が活性
化され、また−〇　Ｆ　２−はＣＦとなる。

炭素およびハロゲン源としては、Ｃ２Ｈ６Ｃｊ２．、Ｃ
，Ｈ３（４、ＣＨ３Ｃ１１、ＣＨ３Ｂｒ　５Ｃｏ（４２
、ＣＣｌ　ｔ　Ｆ　ｐ、ＣＨＣ兇Ｆ２、ＣＦ’いＨ（４
，０児７、Ｆ３等、Ｇｅ源としてはＧｅｌ−１，、Ｓｉ
源としてはＳ　ｆＨ４、Ｔｅ源としてはＨ，Ｔｅ、　　
Ｓｅ源としてはＨ２Ｓｅ、　Ａ　ｓ源としてはＡ　ｓ　
Ｈａ、Ｓｂ源としてはＳｂＨ３、Ｂ源としてはＢＣ兇。

、Ｂ　２　Ｈａ、Ｐ源としては、ＰＨ３等、Ｃ１０およ
びＮ源としてはＣｏ、ＣｚＨｓＮＨｐ、ＣＨ９ＣＨ０１
ＨＣＮ、Ｃｏ７、（ＣＨ３）３Ｎ、ＣＨ３０ＣＨ３、Ｃ
Ｈ３Ｎ　Ｈ２、Ｎ２０、Ｎ　Ｈ３、Ｎ０１Ｎｏ３．０２
、Ｎ２等が例示される。

本発明において、ダイアモンド状炭素の層を表面層側に
形成させると、耐湿性、耐コロナ性、耐摩耗性を向上さ
せることができ、基板側に設けると、注入防止層となり
、電荷発生層にプラズマ・ダメージを与えない。

本発明感光体は電荷発生層と電荷輸送層とを有する。従
ってこれを製造するには少なくとも二工程を必要とする
。電荷発生層としては、例えばグロー放電分解装置を用
いて形成したａ−８ｉ層を用いるときは、同一の真空装
置を用いてプラズマ重合を行なうことが可能であり、従
ってダイアモンド状炭素電荷輸送層や表面保護層、バリ
ア一層等はプラズマ重合法により行なうのが特に好まし
い。

第５図は本発明に係る感光体の製造装置を示し、図中、
（■６）〜（２０）は夫々　Ｃ，Ｈ，、Ｈ７、Ｂ２Ｈ，
、ＳｉＨいＮ、０ガスが密封された第１乃至第５タンク
で、夫々のタンクは第１〜第５調整弁（１１）〜（１５
）とマスフローコントローラー（２１）〜（２５）に接
続されている。これらガスは主管（３０）を介して反応
室（１０）に送り込まれる。

反応室（１０）にはコンデンサを介して高周波電源（２
７）に接続される電極板（２８）と電気的に接地される
とともにＡ１２の如き導電性基板（２６）が載置される
電極板（２９）が対向配置して設けられている。また上
記電極板（２８）はトランス（３１）を介して直流電圧
源（３２）に接続されており、高周波電源（２７）から
の電力印加に加え直流バイアス電圧が上乗せ印加される
ようになっている。また電極板（２９）上に載置される
導電性基板（２６）は図示しない加熱手段によって、例
えば１００°Ｃ〜３５０℃に加熱されるようになってい
る。

以上の構成において、例えば第１図に示した感光体を製
造する場合、反応室（１０）を一定の真空状態としてか
ら主管（３０）を介して第１タンク（１６）よりＣ２Ｈ
４ガス、第２タンク（１７）よりキャリアガスとしてＨ
２ガスを供給する。一方、高周波電源（２７）より電極
板（２８）に３０　ｗａｔｔｓ−１ｋｗ、の電力を印加
するとともに直流電圧源（３２）から５０〜２ＫＶの直
流バイアス電圧を電極板（２８）に印加し、両電極板間
にプラズマ放電を起こし、予め加熱された基板（２６）
上に厚さ５〜５０μｍの炭素電荷輸送層（２）を形成す
る。この電荷輸送層は水素は、０〜４．０ａｔｍ、％含
有するが、この水素含有量は他の製造条件にも依存する
が直流電圧源（３２）から５０Ｖ〜２ＫＶのバイアス電
圧を印加することにより制御できる。即ち、水素含有量
はバイアス電圧を大きくすることによって減少し、炭素
膜自体の硬度を高くすることができる。こうして形成さ
れた炭素電荷輸送層は透光性、暗抵抗に優れ、チャージ
キャリアの輸送性に著しく優れている。尚、この層に例
えば第３タンク（１８）よりＢ、Ｈ，ガス、または第５
タンク（２０）よりＮ２０ガスを導入してＰ１Ｎ型に制
御して電荷輸送性を一層高めてもよい。

また炭素層（２）の水素含有量を微量乃至は零とすると
きは、別途スパッタリング法等で行うのが望ましい。

次に電荷発生層（３）は、第２及び第４タンク（１７）
、（１９）よりＨ７、ＳｉＨ，ガスを導入することによ
りａ−９ｉを母体とする層として形成される。

以下、実施例を挙げて本発明を説明する。

実施例１（１）　　第５図に示すグロー放電分解装置において、
まず、反応室（１０）の内部をＩ　Ｏ−’Ｔｏｒｒ程度
の高真空にした後、第１および第２調整弁（１１）およ
び（１２）を開放し、第１タンク（１６）よりＣＨ４ガ
ス、第２タンク（ＩＩ）よりＨ２ガスを出力圧ゲージＩ
Ｋｇ／ｃｍ２の下でマスフローコントローラ（２１）お
よび（２２）内へ流入させた。そして、各マスフローコ
ントローラの目盛を調整して、ＣＨ４の流量を３０ｓｅ
ｃｍ　、　Ｈ２を３０ｓｅｃｍとなるように設定して反
応室（１０）内へ流入した。夫々の流量が安定した後に
、反応室（１０）の内圧が２ｘｌＯ−３Ｔｏｒｒとなる
ように調整した。一方、導電性基板（２６）としては３
Ｘ５０Ｘ５０ｍｍのアルミニウム板を用いて２５０℃に
予じめ加熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧が安定
した状態で高周波電源（２７）を投入し、電極板（２８
］、＝５　ｗａｔｔｓの電力（Ｄ、Ｃ。

Ｂｉａｓ＝　６００　Ｖ）を印加して約８時間プラズマ
重合を行ない、導電性基板（２６）上に１４を約１０ａ
ｔｍ。

％を含む厚さ約５μｍのダイアモンド状炭素電荷輸送層
を形成した。

（ＩＩ）　　高周波源（２７）からの電力印加を一時停
止し、反応室の内部を真空にした。

第４および第２調整弁（１４）および（１２）を開放し
、第４タンク（１９）より　Ｓ　ｉ　Ｉ−ｒ　４ガス、
第２タンク（１７）からＨ，ガスを出力圧ゲージＩＫｇ
／ｃｍ２の下でマスフローコントローラ（２４）オヨヒ
（２２）内へ流入させた。各マスフローコントローラの
目盛を調整して、　ＳｉＨ，の流量を９０ｓｅｃｍ　、
　Ｈ２の流量を２１０　ｓｅｃｍに設定し、反応室に流
入させた。

夫々の流量が安定した後に、反応室（１０）の内圧か１
．０Ｔｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波源（２
７）を投入し、電極板（２８）に２０Ｗの電力（周波数
１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放電を発生させた
。このグロー放電を４０分間行ない厚さ１μｍのａ−８
ｔ：Ｈ電荷発生層を形成させた。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖｏ）　＝＋２５０ｖ
ｏｌｔのときの半減露光””ｌ／２は０．２８ｆ２ｕｘ
−ｓｅｃであった。また、この感光体に対して、作像し
て転写したところ、鮮明な画像が得られた。

現快ｐ１」一実施例１において工程（１）を省略し、上程（１１）と
同一・条件で膜厚５７Ｊｍのａ−８ｉ：ｔ１層を形成せ
しめ、ａ−８ｉ：ＴＩ感光体を得た。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖｏ）−−１００■で
半減露光ｅｆｔ　Ｅ　ｔ　／２は　０．７　１ｕｘ−ｓ
ｅｃであり、＋極性では充分な帯電能を示さなかった。

介貝ρカー呆本発明に係る感光体は、ダイアモンド質で電荷輸送性、
電荷保持能に優れ良好な画像を得ろことができる。

また層厚を薄くし得るので製造］二程管理が昔しく容易
となり、ノイズ原因となる白斑点のない感光体を高収率
で得ることができる。

さらに表面側にダイアモンド状炭素を有するものは、耐
湿性、耐コロナ性、耐摩耗性に優れ、基板側にダイアモ
ンド状炭素を有ずろらのは注入防止効果および電荷発生
層にダイアモンド状炭素膜形成時のプラズマのダメージ
を与えない。

【図面の簡単な説明】

第１図から第４図は本発明感光体の模式的断面図、およ
び第５図は感光体製造用装置の一例を示す。（］）基板（２）ダイアモンド状炭素膜（３）電荷発生層　　　（１０）反応室（１６）　Ｃ２
１−１，タンク　　　（１７）　　Ｈ２タンク（１９）
　　Ｓ目１４タンク第１図第３図第２図第４図

Claims

【特許請求の範囲】

１、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光
体において、電荷輸送層としてダイアモンド状炭素膜を
有することを特徴とする感光体。