JPS6263938A

JPS6263938A - 感光体

Info

Publication number: JPS6263938A
Application number: JP20415685A
Authority: JP
Inventors: Shuji Iino; 修司飯野; Hideo Yasutomi; 英雄保富
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1985-09-13
Filing date: 1985-09-13
Publication date: 1987-03-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明はプラズマ重合ポリエチレン膜を電荷輸送層とす
る感光体に関する。

従来技術従来、感光体、特に電子写真感光体にアモルファスシリ
コン（ａ−９ｔ）が広く採用されるに到っている。ａ−
８ｔ感光体は、種々の優れた特性がある一方で、誘電率
ε−１２であるため、十分な帯電能を得るには最低２５
μｍ程度の膜厚を要し、従って成膜に長時間を要し、白
斑点ノイズの発生ずる確率が高く、加えて原料費が高い
と云う欠点がある。

」二層の欠点を改良するための種々の試みがなされてい
るが、本質的に膜厚をこれより薄くすることは好ましく
ない。

一方、近年半導体分野において、ダイアモンド状炭素の
薄膜が提案されているが、その電荷輸送性能については
全く知られていない。

さらに、このような炭素薄膜をａ　−Ｓ　ｉ感光体の下
引き層や最表面保護層として設けろ提案がなされている
。例えば特開昭５９−１３６７４２号公報には／４４基
板」二のａ−８ｔ層に光照射時におけるＡ、９拡散を防
止するために１〜５μｍの炭素膜を形成させろための感
光体が提案されている。

特開昭６０−６３５４１号公報にはａ−８Ｉ層と基板間
に、２００人〜２７１ｍのダイアセン１−゛状炭素膜を
使用したａ−３ｉ悪感光を開示している。

このダイアモンド状炭素膜の作用は、ａ−３ｉ系感光体
固有の問題点であるａ−８１層とへ！基板との密着性不
良を解消するためらのである。

特開昭６０−６１７６１号公報には最表面保護層として
５００人〜２７１ｍのダイアモンド状炭素薄膜を使用し
た感光体を開示している。この炭素薄膜はａ−８ｉ悪感
光の耐コロナ放電および機械的強度を改良オろためのも
のである。

特開昭５９−、、、、−２１４８５９号公報にはａ　　
Ｓｉ感光体の表面にスヂレンやアセチレン等の有機炭化
水素モノマーをプラズマ重合さＵて厚さ５μｍ程度のオ
ーバーコ　ｌ・を形成させる技術が開示されている。こ
のオーバーコ−１・の１］的はａ−８ｌの表面劣化にも
とづく画像流れを防止４゛ろためである。

介−ＢＪ１７！ｌ±枦シ及ユ６よう一俣−する一間−題
点−このように、従来ではダイアモンド状炭素膜を最表
面保護層乃至は下引き層として用いているが、それ自体
安価で製造面も容易であるので電荷輸送性を有すること
が望まれている。即ち、従来ではダイアモンド状炭素膜
を薄膜として用いているため、電荷輸送性について何ら
改仰、保証することはなかった。本発明はピンポールが
なく、適当な電荷発生層と組合わせて、帯電能に優れた
感光体を得、さらに耐湿性や耐コロナ性の向−１−を図
ることを１］的と１ろ。

問獲心（（鼾内亥う一ノニめ−の手段本発明は、プラズマ重合ポリエチレン膜かこれを電荷発
生層と組み合（：）＋」ろとき電荷輸送機能を有すると
云う新たな知見にムとづくものである。

即ち、本発明は電荷発生層と電荷輸送層とをイアする機
能分離型感光体において、電荷輸送層としてプラズマ重
合ポリエチレン膜をｆｊ″オろことを特徴と４−る電子
写真感光体に関−４′ろ。

本発明感光体（」少なくとも電荷発生層と電荷輸送層か
ら構成され、電荷輸送層として少なくとも一層のプラズ
マ重合ポリエチレン膜を有する。

電荷発生層として（Ｊ特に限定的で（」なくアモルファ
スシリコン（ａ−３ｉ）（特性を変えるため種々の異種
元素、例えばＣ１０、Ｓ、Ｎ、Ｐ、　Ｂ、ハロゲン、Ｇ
ｅ等を含んていてもよく、また多層構造であってもよい
）、５ｃＳＳｅ　′Ｉ’ｅ、ＣｄＳ、銅フタロンアニン
、酸化椎鉛等の無機物質およびヒスアゾ系類ｔ４、■・
リアリールメタン系染料、チア−へ− ジン系染料、オキサジン系染料、キザンテン系染料、シ
アニン系色素、スヂリル系色素、ピリリウム系染料、ア
ゾ系顔料、キナクリドン系顔料、インジゴ系顔料、ペリ
レン系顔料、多環キノン系顔料、ビスベンズイミダゾー
ル系顔料、インダスロン系顔料、スクアリリウム系顔料
、フタロンアニン系顔料等の６機物質が例示される。

これ以外も、光を吸収し極ぬて高い効率で電荷担体を発
生ずる材料であれば、いずれの＋Ｊ籾であっても使用す
ることができる。

電荷発生層は後述するごとく、感光体のどの位置に設け
てもよく、例えば最−に層、最下層、中間層いずれに設
けてもよい。層厚は、素材の種類、特にその分光吸収特
性、露光光源、目的等にもよるが、一般に５５５ｎｍの
光に対し９０％以」二の吸収となるように設定されろ。

ａ−８ｉ：Ｉ−（の場合で０　、　Ｉ−１７１ｍ程度で
ある。

電荷輸送層としては少なくとも一層のプラズマ重合ポリ
エチレンを用いる。本発明にとって好ましいブラリズマ
重合ポリエヂレン層中の水素含量は、４０〜６７　ａｔ
ｏｍｉｃ％（以下、ａｔｍ　　％と記ず）、好ましくは
４５〜６５ａｔｍ　　％、特に好ましくは５０〜６０ａ
ｔｍ、％である。水素に代えて、一部ハロゲン、例えば
、塩素、臭素等で置き換えてもにい。この様な膜は撥水
性、耐厚耗性が改良される。置換量は対水素当りＩＯａ
Ｌｍ　　％までとすべきである。通常の電子写真用には
プラズマ重合ポリエチレン電荷輸送層の厚さは５〜５０
μｍ１特に７〜２０μｍが適当であり、７１ｔｒｎより
薄いと帯電能が低く充分な複写画像濃度を得ることがで
きない。２０μｍより厚いと生産性の点で好ましくない
。このプラズマ重合ボリエヂレン層は透光性、高暗抵抗
を有するとともに、電荷輸送性に富み、膜厚を」二足の
ように５７ｚｍ以」−としても電荷トラップを生じるこ
となくキャリアを輸送する。

本発明プラズマ重合ポリエチレン膜は直流、高周波、マ
イクロ波プラズマ法等のプラズマ状態を経て形成電る方
法により形成されろ。しかし例えば、電荷発生層を高周
波プラズマまたはＣＶ　Ｉ）法により形成する場合には
、炭素膜も同様の方法で成膜した方が、製造装置コスト
・工程の簡略化につながり好ましい。

プラズマ重合ポリエチレン膜を形成するための炭素源と
しては、Ｃ、Ｔ−１２、Ｃ、Ｈ，、Ｃ、Ｔ（、、Ｃ３１
−１，、Ｃ，Ｈｏ、Ｃ４Ｈ８、Ｃ３１４ｅＳＣ，Ｈ６、
Ｃｌ−ｌ３ＣＯＨ等が例示されろ。

キャリアガスとしてはＡｒ、Ｎｅ５Ｈｅ等が適当である
。

本発明においては、」１記のごときプラズマ重合ポリエ
チレン膜の電荷輸送層の帯電特性を調節するために、■
Δ族またはＶＡ族元素を混入させてもよい。

感光体を→−帯電で用いるときは、相対的に基板側を１
〕型にし、表面側をＮ型にし、−帯電で用いるときは基
板側をＮ型にし、表面側をＰ型にすることにより、逆バ
イアス効果をもたせるのが好ましい。これにより、帯電
能の向上、暗減衰の低減および感度の向上等の効果が達
成される。

この様な極性調整は単一層内でのＩｆｌＡ族またはＶＡ
族元素の含量を徐々に基板側または表面側に増加させる
ことによって行なってもよく、あるいは、均一・な濃度
のＩＩＩＡ族またはＶＡ族元素を含有する単一のプラズ
マ重合ポリエチレン電荷輸送層を基板側または表面側に
設けてもよい。また、必要ならば複数の濃度の異なるプ
ラズマ重合ポリエチレン膜を接合領域に空乏層が形成さ
れろように設（′Ｊでもよい。

第１図から第４図は本発明感光体の一態様を示す模式的
断面図である。図中、（１）は基板、（２）はプラズマ
重合ポリエチレン膜、（３）は電荷発生層を示している
。第１図に示す態様の感光体において、例えば、汁帯電
し続いて画像露光すると電荷発生層（３）でヂャージキ
ャリアが発生し、電子は表面電荷を中和する一方、正孔
はプラズマ重合ポリエチレン膜（２）の優れた電荷輸送
性に保証されて基板（１）側へ輸送される。」−帯電時
には、電荷発生層と１−で特に極性調整を行なっていな
いａ−８ｉを用い、これを」−帯電で使用するときは、
相対的にプラズマ重合ポリエヂレンの電荷輸送層はＰ型
に調整するのが好ましい。即ち、ａ−８ｉはそれ自体弱
いＮ型乃至は真性であるから、表面からの正電荷の注入
を防止し、またＰ型に調整したプラズマ重合ポリエチレ
ン膜層は正孔の移動を容易とする。

Ｐ型調整のために使用するＩＩＴＡ族元素としては、１
３、ＡＱ、Ｇａ、Ｉｎ等が例示されるが、Ｂが特に好ま
しい。ａ−８ｉ重電荷生層にＶＡ族元素、例えばりんを
混入させて、表面層を相対的に更に強いＮ型としてもよ
い。この場合しプラズマ重合ポリエチレン膜の極性をＰ
型に調整してもよい。第１図の感光体を一帯電で用いる
ときは、上記と反対にプラズマ重合ポリエチレン膜（２
）にりんを含有してＮ型に調整すればよく、電荷発生層
（３）としてａ−９ｉを用いるときは■３を含有しても
よい。

第２図の感光体はプラズマ重合ポリエチレン膜（２）を
最」二層として用いた例で、」−帯電で用いるときは、
プラズマ重合ポリエチレン膜（２）の極性は第ＶＡ族元
素等を用い電荷発生層（３）に対し相対的にＮ型として
正孔の移動を容易とする。−帯電で用いるときはＢ等を
含有してその逆に調整すればよい。

第３図に示す感光体は、電荷輸送層（２）に用いるプラ
ズマ重合ポリエチレン膜をバリア一層（４）としても用
いた例で、基板（１）からの電荷の注入を有効に阻止す
るとともに電荷発生層（３）で発生した電荷を基板側に
輸送する整流機能を有する。

この意味において、バリア一層（４）には十帯電時は第
１１１Ａ族元素、−帯電時には第ＶＡ族元累を含有する
のが望ましい。また、バリア一層の膜厚は０．０１〜５
μｍであるのが好ましい。

第４図はプラズマ重合ポリエチレン膜を厚さ０、Ｏ１〜
５Ｉｚｍの表面保護層（５）としても用いた例で、電荷
発生層（３）の保護と初期表面電位の向上を図ったもの
である。この保護層（５）にも必要により第１ｎＡ、第
ＶＡ族元素をドープしてもよい。

更に第４図の感光体は第３図で示したバリア一層を基板
とプラズマ重合ポリエチレン電荷輸送層（２）間に設（
Ｊてもよい。

第■Δ族元索をプラズマ重合ポリエチレン膜に混入させ
るには、これらの元素を含む適当なガス状化合物を炭化
水素ガスと共に、イオン化状態またはプラズマ状態にし
て成膜すればよい。また、形成されたプラズマ重合ポリ
エチレン膜をＩＩＴＡ族元素を含む化合物ガスに曝して
ドープしてもよい。

本発明に使用し得るＢを含む化合物としては、Ｂ　（Ｏ
Ｃ２Ｈ５）３、Ｂ　ｔ　Ｈ６、Ｂ（４３、ＢＢｒａ、Ｂ
　Ｆ　ｓ等が例示される。

ＡＲ，を含む化合物としてはＡ児（Ｏｆ−ＣａＨ７）３
、（ＣＨ３）３Ａ　ｆｌ、（Ｃ３Ｈ５）３ＡＪ２．、（
ｉ−Ｃ，Ｈ８）３Ａｆｌ、ＡｆｌＣｆｌ。等が例示され
る。

Ｇａを含む化合物としてはＧ　ａ（Ｏｉ　−Ｃ３Ｈ７）
３、（ＣＨ３）５ｅａ、（Ｃ２Ｈ５）３Ｇａ、ＧａＣ，
ｉ３、ＧａＢｒ３等がある。

Ｉｎを含む化合物としてはＩ　ｎ（Ｏｆ−ＣＪ（ｔ）ｓ
、（ＣｙＨ５）３１ｎ等がある。

ＩＴＩＡ族元素の導入量は炭素原子に対し、２００００
ｐｐｍ以下、より好ましくは３〜ｌｏｏｏｐｐｍである
。

極性調整に用いられるＶＡ族元素としては、Ｎ１Ｆ、、
Ａｓ、Ｓｂがあるが、Ｐが特に好ましい。このＶＡ族元
素もＩｒ１Ａ族元素と同様にしてプラズマ重合ポリエチ
レン膜に導入することができる。

本発明に用い得ろＶＡ族元素を含む化合物としては、以
下のものがある。

Ｎを含む化合物として、Ｎ２、Ｎ、０１ＮＯ１Ｎｏ７等
、Ｐを含む化合物としてＰ　Ｏ（ＯＣＩ−ｒ　３）、、
（Ｃ２Ｈ５）３Ｐ　ＳＰ　ｌ−ｌ３、ＰＯＣえ。等：Ａ
Ｓを含む化合物としてＡ　ｓ　Ｈ３、Ａ　ｓ　Ｃｌ　３
、ＡｓＢｒ３等：Ｓｂを含む化合物としてＳ　ｂ（ＯＣ
２Ｈ５）！ｌ、ｓｂｃ兇。、５ｈＨ３等が例示される。

ＶＡ族元素の導入量は炭素原子に対し、２００００ｐｐ
ｍ以下、より好ましくはＩｌ−１０００ｐｐ程度である
。

本発明感光体の電荷発生層には、更に別の元素を導入し
てその特性を調整してもよい。

第１図および第２図の感光体にそれぞれ別の材料で表面
被覆層や中間層を設けても良い。

電荷輸送層はその作製条件（結合状態）、不純物により
着色（例えば、黄色、青色、茶色）することがあるが、
第２図の構成では、それを利用して電荷発生層への有害
光カットの効果を持たせることができる。

電荷輸送層にＳｔ、Ｇｅを添加してバンドギャップの調
整を行ない電荷発生層との界面障壁を小さくすることも
可能である。第１図で、多ｆｉｔ（＞ｔ。

ａｔｏｍｉｃ％）のＧｅ添加した部分を基体側に偏在さ
せることにより、余剰光の反射防止を行ない、干渉縞・
ボケの発生を防ぐことも可能である。

本発明の感光体の電荷輸送層として作用するプラズマ重
合ポリエチレン膜にはさらに窒素、酸素、硫黄および／
または各種金属類を混入させてもよく、あるいは水素の
一部をハロゲンで置換してもよい。

一般に窒素としてはＮ２、Ｎ　Ｈｓ、Ｎ、０１Ｎｏ。

Ｎｏｔ等が用いられ、これを混入することにより電荷発
生層との界面障壁を小さくすることができる。特にアモ
ルファス炭素の場合は−Ｎ　Ｈ、−１−Ｎ＝Ｎ−１−Ｎ
　Ｈ−等の基として存在し、ドナーとして作用するため
ホールが移動し易くなる。

酸素源としては、Ｃ９，０３、Ｎ２０、ＮＯ等が例示さ
れるが、これを混入することによって帯電能が向上する
。

硫黄源としてはＣ８７、（Ｃ７ＨＪｔＳ、１４．Ｓ。

ＳＦ、、Ｓ　Ｏを等が例示される。硫黄の混入はアモル
ファス炭素において特に光の吸収、干渉防止に有効であ
る。

また水素の一部をハロゲンに代えることにより、撥水性
、摩耗性、透光性が向上し、特にフッ素では一〇Ｆ、−
ＣＦｐ、−ＣＦ３等が形成されて、反射防止効果が現わ
れｎが小さくなる（１．３９）。

さらにアモルファス炭素をアルゴンで後処理した後、大
気と接触させると、カルボニル基が導入され表面が活性
化され、また−ＣＦ２−はＣＦとなる。

炭素およびハロゲン源としては、Ｃ２■（ｓｃ、Ｍ、Ｃ
２Ｈ３（４、ｃｒ−＋ｓｃ４、　　ＣＨ３Ｂ　ｒ　　、
　　　ＣＯＣ１１２、ＣＣＣ２０Ｆ　ｔ　ＣＨＣ克Ｆ９
、ＣＦ４５Ｈ（４、Ｃ！２、Ｆ２等、　Ｇｅ源としては
ＧｅＨいＳ１源としては５ｉ８４．Ｔｅ源としてはＨ３
Ｔｅ、Ｓｅ源としてはＩ（２Ｓｅ　、　Ａｓ源としては
Ａｓ　Ｔ−１３、Ｓｂ源としてはＳｂＨ３、Ｂ源として
はＢ（４３、Ｂ２■］Ｉ１１Ｐ源としてはＰＨ３等、Ｃ
１０およびＮ源としてはＣＯ、Ｃ２Ｈ５Ｎ　Ｈ２、Ｃ、
Ｈ、０１ＨＣＮ、Ｃｏ２、（ＣＨ３）３Ｎ、ＣＨ３０Ｃ
Ｈ３、ＣＨ３ＮＨ２、Ｎ　ｔ　Ｏ。

Ｎ　Ｈ３、Ｎ０１Ｎｏ３．０２、Ｎ２等が例示される。

本発明感光体は電荷発生層と電荷輸送層とを有する。従
ってこれを製造するには少なくとも二工程を必要とする
。電荷発生層としては、例えばグロー放電分解装置を用
いて形成したａ−９ｉ層を用いるときは、同一の真空装
置を用いてプラズマ重合を行なうことが可能であり、従
ってプラズマ重合ポリエチレン電荷輸送層や表面保護層
、中間バリア一層等はプラズマ重合法により行なうのが
特に好ましい。

第５図は本発明に係る感光体の製造装置を示し、図中、
（１６）〜（２０）は夫々　Ｃ３ＨいＩ（２、Ｂ　２　
Ｈｏ、ＳｉＨ４、Ｎ、Ｏガスが密閉された第１乃至第５
タンクで、夫々のタンクは第１〜第５調整弁（１１）〜
（１５）とマスフローコントローラー（２１）〜（２５
）に接続されている。これらガスは主管（３０）を介し
て反応室（１０）に送り込まれる。

反応室（１０）にはコンデンサを介して高周波電源（２
７）に接続される電極板（２８）と電気的に接地される
とともにＡ！の如き導電性基板（２６）が載置される電
極板（２９）が対向配置して設けられている。また」−
配電極板（２８）はトランス（３１）を介して直流電圧
源（３２）に接続されており、高周波電源（２７）から
の電力印加に加え直流バイアス電圧が上乗せ印加される
ようになっている。また電極板（２９）ｌに載置される
導電性基板（２ｄ）は図示しない加熱手段によって、例
えば１００６Ｃ〜３５０℃に加熱されるようになってい
る。

以」二の構成において、例えば第１図に示した感光体を
製造する場合、反応室（１０）を一定の真空状態として
から主管（３０）を介して第１タンク（１６）よりＣｖ
　Ｈ−ガス、第２タンク（１７）よりキャリアガスとし
てＨ，ガスを供給する。一方、高周波電源（２７）より
電極板（２８）に３０　ｗａｔｔｓ　〜ｌ　ｋｗ、の電
力を印加し両電極板間にプラズマ放電を起こし、予め加
熱された基板（２６）ｌに厚さ５〜５０７ｚｍのプラズ
マ重合ポリエチレン電荷輸送層（２）を形成する。

この電荷輸送層は水素は４０〜６７ａｔｍ、％含有する
が、この水素含有量は他の製造条件にも依存するが直流
電圧源（３２）から５０Ｖ〜ＩＫＶのバイアス電圧を印
加することにより制御できる。即ち、水素含有量はバイ
アス電圧を大きくすることによって減少し、プラズマ重
合ポリエチレン膜自体の硬度を高くすることができる。

こうして形成されたプラズマ重合ポリエチレン電荷輸送
層は透光性、暗抵抗に優れ、チャージキャリアの輸送性
に著しく優れている。尚、この層に例えば第３タンク（
１８）よりＢ、Ｈｅガス、または第５タンク（２０）よ
りＮｅｏＨｅガス入してＰ、Ｎ型に制御して電荷輸送性
を一層高めても良い。

次に電荷発生層（３）は、第２及び第４タンク（１７）
、（１９）よりＮ３、Ｓ　ｉ　Ｉ−１４ガスを導入する
ことによりａ−８ｉを母体とする層として形成される。

以下、実施例を挙げて本発明を説明する。

実施例１（ｒ）　　第５図に示すグロー放電分解装置において、
まず、反応室（１０）の内部をＩＯ’Ｔｏｒｒ程１７一度の高真空にした後、第１および第２調整弁（１１）お
よび（１２）を開放し、第１タンク（１６）よりＣｖ　
Ｈ４ガス、第２タンク（ＩＩ）よりＨ，ガスを出力圧ゲ
ージＩＫｇ／ｃｍ’の下でマスフローコントローラ（２
１）および（２２）内へ流入させた。そして、各マスフ
ローコントローラの目盛を調整して、Ｃ，Ｈ，の流量を
６０　ｓｃｃｍ、　Ｎ２を８０ｓｃｃｎ＋となるように
設定して反応室（１０）内へ流入した。それぞれの流量
が安定した後に、反応室（１０）の内圧が１．０Ｔｏｒ
ｒとなるように調整した。一方、導電性基板（２６）と
しては３Ｘ５０Ｘ５０ｍｍのアルミニウム板を用いて２
５０℃に予じめ加熱しておき、各ガス流量が安定し、内
圧が安定した状態で高周波電源（２７）を投入し電極板
（２８）に１００　ｗａｔｔｓの電力（周波数１３．５
６　ＭＨｚ）を印加して５時間プラズマ重合を行ない、
導電性基板（２６）上にＩ］を約６０ａｔｍ％を含む厚
さ約５．５μｍのプラズマ重合ポリエチレン電荷輸送層
を形成した。

（ＩＩ）　　高周波源（２７）からの電力印加を一時停
止し、反応室の内部を真空にした。

第４および第２調整弁（１４）および（１２）を開放し
、第４タンク（１９）より　Ｓ＋Ｈ４ガス、第２タンク
（１７）から１−（２ガスを出力圧ゲージＩＫｇ／ｃｍ
’の下でマスフローコントローラ（２４）および（２２
）内へ流入させた。各マスフローコントローラの目盛を
調整して、ＳｉＨ４の流量を９０　ｓｅｃｍ、　Ｉ（、
の流量を２１０　ｓｅｃｍに設定し、反応室に流入させ
た。

夫々の流量が安定した後に、反応室（１０）の内圧が１
．０Ｔｏｒｒとなるよう調整した。

ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波源（２
７）を投入し、電極板（２８）にＩＯＷの電力（周波数
１．３　、５６　ＭＨｚ）を印加してグロー放電を発生
させた。このグロー放電を４０分間行ない厚さ１μｍの
ａ−８ｉ：Ｈ電荷発生層を形成させた。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖｏ　）−＋３３０ｖ
ｏｌｔのときの半減露光量Ｅ１／２は０．２８　Ｑｕｘ
・ｓｅｅであった。また、この感光体に対して作像して
転写したところ、鮮明な画像が得られた。

坦恰外と実施例１において工程（１）を省略し、工程（ＩＩ）と
同一条件で膜厚６５μｍのａ−Ｓｉ＋Ｈ層を形成せしめ
、ａ−９ｉ：Ｈ感光体を得た。

得られた感光体は初期表面電位（Ｖｏ　）＝−ｔｏ。

Ｖで半減露光量Ｅｌ／２は０．７１ｕｘ−ｓｅｃであり
、＋極性では充分な帯電能を示さなかった。

寒和引２− 表−１に示す条件を採用する以外、実施例１と同様にし
て感光体を得た。得られた感光体の特性を同じく表−１
に示す。

表−■ 灸団ｐ突−震本発明に係る感光体は電荷輸送性、電荷保持能に優れ、
月っ、良好な画像を得ることができるものである。

また電荷輸送層を薄くし得るので製造工程管理が著しく
容易となり、ノイズ原因となる白斑点のない感光体を高
収率で得ることができる。

さらに成膜速度が速く、ａ−９ｉなどと同じ装置内で成
膜でき、成膜速度が速く、ピンホールが形成し難く、従
って不良品の発生率が低く歩留りがよい。

【図面の簡単な説明】

第１図から第４図は本発明感光体の模式的断面図、およ
び第５図は感光体製造用装置の一例を示す。（１）基板（２）プラズマ重合ポリエヂレン層（３）電荷発生層　　　　（１０）反応室（＋６）　Ｃ
，Ｉ−（、タンク　　　（＋７）Ｈ２タンク（１９）Ｓ
ｉＨ，タンク第１図第３図７幅１８６２−６３９３８　（７）第２図第４図第、３０

Claims

【特許請求の範囲】

１、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光
体において、電荷輸送層としてプラズマ重合ポリエチレ
ン膜を有することを特徴とする感光体。