JPS6067950A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は少なくともアモルファスシリコンを含む光導電
層を有する感光体に関する。

従来技術 ここ数年、グロー放電分解法やスパッタリング法によっ
て生成されるアモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕ
ｓ　５ｉｌｉｃｏｎ、以下ａ−８ｉと略す）の感光体へ
の応用が注目されてきている。また同様に長波長領域の
感度を１印上して半導体レーザによる作像ヲ可能とする
アモルファスシリコン−ゲルマニウム（以下ａ−８ｉ：
Ｇｅ）　の応用も注目されている。これはａ−８ｉ、　
ａ−３ｉ　：Ｇｅ　が従来のセレンやＣｄＳ感光体と比
して耐環境汚染性、耐熱性、摩耗性、光感度特性等にお
いて一段と優れているためである。

しかしながら、ａ−８ｉ、　ａ−５ｉ　：Ｇｅ　は暗抵
抗が不充分に低くそのままでは電荷保持層を兼ねた光導
電層として使用できないという欠点がある。このため、
酸素や窒素を含有させてその暗抵抗を向上させることが
提案されているが、逆に光感度が低下するという欠点が
あり、その含有量も制限がある。

このことより、例えば特開昭５７−１１５５１号公報に
示されるようにａ−５ｉ　光導電層上に多量の炭素を含
むａ−８ｉ　絶縁層を形成して電荷保持の向上を図るこ
とが考えられる。しかしなから、このような感光体にあ
っては炭素の含有量によってその電子写真特性がかなり
変動する。例えばａ−５ｉ　絶縁層における炭素含有量
がルミ的少量であるときは高抵抗化が図れないばかりか
光疲労が大きく高湿度の条件下では画像流れが生じる。

一方、炭素含有量を大とすれば電荷保持率は向上し、ま
た透光性もある程度向上するが表面硬度が低下するとい
う欠点がある。更に高湿の条件下では膜欠陥による白斑
点が画像上に現われる。また長期使用後高湿条件下では
画像流れが生じ易くなる。

また、一方、ａ−３ｉ　光導電層を導電性基板上に直接
形成した場合には画像上にピンホールや白斑点模様が発
生する。これは膜欠陥に起因する電荷担体のリークによ
るもので、導電性基板の表面状態、汚れ等により容易に
発生する。また基板側からの電荷注入により暗減衰が早
くなり電荷保持能が低下するという問題がある。

発明の目的 本発明は以上の事実に鑑みて成されたもので、その目的
とするところは、光疲労がなく光感度特性、電荷保持特
性、表面硬度を含む電子写真特性全般に優れ、且つ基板
側からの電荷の注入を防止するとともに残留電位の上昇
並びに基板ノイズによる画像劣化もなく、高湿条件下乃
至は反復複写においても長期に渡り良好な画像を得るこ
とのできる感光体を提供することにある。

発明の要旨 本発明の要旨は、導電性基板上に少なくともアモルファ
スシリコン、酸素及び周期律表第ＪＪＬ　Ａ族不純物乃
至はアモルファスシリコン、炭素及び酸素を含有してな
る障壁層と、少なくともアモルファスシリコンを含む光
導電層と、少なくともアモルファスシリコン、炭素、酸
素及びフッ素を含有してなる透光絶縁性オーバコート層
を順次積層してなる感光体にある。

以下、本発明につき詳細に説明する。

第１図は本発明に係る感光体の構成を示し、［１１は導
電性基板で、その上に少なくともａ−５ｉ、酸素及び周
期律表第ｕｉ　Ａ族不純物あるいはａ−５校炭素及び酸
素を含有してなる障壁層（２）と、少なくともａ−３ｉ
　を含む光導電層（３）と、少なくともａ−５ｉ、炭素
酸素及びフッ素を含有してなる透光絶縁性のオーバーコ
ート層（４）を順次積層してなるものである。

該障壁層（２）は例えばグロー放電分解法によって約３
０Ａ乃至２ミクロン、好適には５０　乃至５０００Ａ最
適には１００乃至２０００Ａの厚さに生成される。この
障壁層（２）は上記の通り、その−態様として少なくと
もａ−５ｉ、酸素並びに周期律表第１ｎ　Ａ族不純物を
含有してなるもので、ａ−８ｉｘＯｓ−ｘまたは水素を
含むａ−（５ｉｘ（ｈ−ｘ）ｙＩ−１１−ｙに第１ＩＩ
　Ａ族不純物を添加してなるものである。酸素の含有量
は約５乃至６゜ａｔｏｍｉｃ％で含有により障壁層の暗
抵抗をバしく向上して基板（１）からの電荷注入を有効
に防止する。

また基板（１）との被覆性とレベリング効果にも有効で
基板ノイズによる弊害も防止する。但し酸素のみの含有
では残留電位が上昇する。このため本発明では酸素に加
えて周期律表第１１１Ａ族不純物、好ましくは硼素を約
２ｏｏｐｐｍ　まで含有している。硼素の含有は光導電
層（３）で発生するチャージキャリアの基板（１）側へ
の移動を許容し残留電位の上昇を防止する。酸素含有量
を約５乃至６０ａｔｏｍｉｃ％とするのは、５　ａｔｏ
ｍｉｃ％　以下では障壁層の高抵抗化が図れず、また６
Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％以上では硼素含有にかかわらず画像
カブリが生じ、また残留電位も上昇するためである。ま
た硼素含有量を２ｏｏｐｐｍ　までとするのはそれ以上
では感光体の帯電能が急激に低下するためである。尚、
ａ−８ｉはａ−８ｉ：Ｇｅ　でもよい。

次に障壁層（２）として少なくともａ−３ｉ、炭素及び
酸素を含有した場合、つまりａ−３ｉｘＣ１−ｘに酸素
を含有した場合についても同様の効果が得られる。

この場合、炭素の含有量は約５乃至６０ａｔｏｍｉｃ％
、酸素は微量から約１０ａｔｏｍｉｃ％まで含有するこ
とができる。ここで炭素と酸素の含有は障壁層の暗抵抗
を著しく向上して基板（１１からの電荷の注入を有効に
防止し、両者の含有はまた障壁層（２）の基板に対する
被覆性とレベリング効果に有効であるとともに、光導電
層（３）で発生するチャージキャリアの基板側への移動
を許容して残留電位の上昇を防止する。炭素含有量を約
５乃至５Ｑ　ａ、Ｌｏｍｉｃ％とするのは、５　ａｔｏ
ｍｉｃ％　以下では障壁層の高抵抗化が図れず基板から
の電荷注入を防止できず、また６０　ａｔｏｍｉｃ％以
上では画像カブリが生じるためである。更に酸素の含有
量は１．□　ａｔｏｍｉｃ％以上となると残留電位が上
昇し画像カブリが発生する。障壁層（２）は更に望まし
くは周期律表第］１［Ａ族不純物、特に好ましくは硼素
を約２００　ｐｐｍまで含有してもよい。硼素の添加は
障壁層におけるチャージキャリアの移動をより容易とし
て残留電位の上昇防止により一層有効である。

障壁ａ（２）上に形成されるａ−５ｉ　を含む光導電層
（３）はやはり同様に例えばグロー放電分解法によって
５乃至１００ミクロン、好ましくは１０乃至６０ミクロ
ンに生成される。−例として３ｉＨ４、Ｓ　ｉ　２１１
６　ガス等を８２Ｈｅ、　Ａｒ等をキャリアーガスとし
て用い減圧可能な反応室内に送り込み、高周波電力印加
の下にグロー放電を起こして基板上に水素を含むａ−５
ｉ　光導電層であってもよく、更にはＧｅＨ４ガスを並
行して送り込み形成したａ−５ｉ：Ｇｅ光導電層でもよ
い。もっともこのようにして得られる光導電層は暗抵抗
が不充分に低いので、暗抵抗の同上の目的のために周期
律表５５１ｕ　Ａ族不純物（好ましくは硼素）、微量の
酸素、炭素、窒素等を含有させてもよい。

光導電層（３）上に形成されるオーバコート層（４）は
やはり同様に例えばグロー放電分解法によって厚さ０．
０１乃至３ミクロンに生成される。このオーバコート層
（４）はその抵抗値が光導電層（３）より高く、層全体
を通してその抵抗値が略一定であるか或いは光導電層（
３）との界面より厚さ方向に順次高くなるよう形成され
る。具体的に上記オーバコート層（４）は前述した通り
３−５！　乃至はａ−５ｉ：Ｇｅに炭素と酸素、史にフ
ッ素を含有してなり、これにより抵抗の向上はもとより
表面硬度、更には光感度特性と耐環境性、耐繰り返し使
用時の安定性を著しく向−１ニしている。即ち、ａ−５
ｉ　に炭素のみを含有しには適さないという欠点がある
。また炭素のみの含有では充分な高抵抗化が図れず高湿
条件の下で画像上に白斑点模様が発生し画像滲みが生じ
る。

本発明のオーバコート層（４）は炭素に加えて酸素、フ
ッ素を含有せしめることにより上記の問題点を解決した
ものである。酸素、フッ素の含有はオーバコート層（４
）の透光性を著しく改善し、現に実験によればａ−３ｉ
　オーバコート層に炭素のみを約４０ａ【ｏｍｉｃ％　
含有するものと、４０ａｔｏｍｉｃ％の炭素に加え約５
　ａｔｏｍｉｃ％の酸素、約５　ａｔｏｍｉｃ％のフッ
素を含有するオーバコー）Ｍの感光体とては後者の方が
光感度が約１．８倍も高い。また表面硬度も低下はなく
むしろ向上となっている。更に高湿条件下、反復複写に
おいても画像流れや白斑点はなく長期に渡り良好な画像
を形成することができる。特にフッ素の添加はオーバー
コート層の高抵抗化、高透光性を図るとともに高温条件
下においては水分子の吸着をおさえる上で有効で層自体
に清水性を与える。

オーバコート層（４）に含有される炭素、酸素、フッ素
の量はそれらが層全体に渡って略均−に含有される場合
と厚さ方向に勾配をもって含有される場合とで異なるが
、均一に含有するときにはａ−８ｉに対し約５乃至６０
　ａｔｏｍｉｃ％の炭素と微量から約１０　ａｔｏｍｉ
ｃ％の酸素、微量から約１０　ａｔｏｍｉｃ％のフッ素
であることが望ましい。炭素の含有量を最低でも５　ａ
ｔｏｍｉｃ％、酸素、フッ素を微量（約０．０１）ａｔ
ｏｍｉｃ％以上とするのはそれ以下ではオーバ？＾ ト層の高抵抗化が図れず光疲労も大きく透光性も不充分
であるためで、また最大で約６０　ａｔｏｍｉｃ％の炭
素と１０　ａｔｏｍｉｃ％の酸素、フッ素とする春のは
それ以上では画像流れが生じるためである。更にフッ素
の場合１０　ａｔｏｍｉｃ％以上であると膜質が悪くな
り欠陥の多い膜となり、高湿の条件下ではかえうて白斑
点の多い画像となる。一方、厚さ方向に勾配をもって含
有するときはオーバコート洒の厚さ方向に含有量が徐々
に増大するようにし、約１乃至６０ａｔｏｍｉｃ％の炭
素と微量から最大的２５ａｔｏｍｉｃ％の酸素、徴用か
ら最大的１０ａ【ｏｍｉｃ％のフッ素を含有することが
できる。尚、炭素、酸素の含有量を一定としてフッ素含
有量を徐々に増大するようにしオーバコート層の表面近
傍て約１０ａｔｏｍｉｃ％のフッ素が含有される構成か
好ましい。

以上において、各層の形成用の原料ガスとして有効に使
用されるのは、ａ−５ｉ　を含むときはＳｉとＨとを構
成原子とする５ｉｌ（４、Ｓｉ出ａ　、５ｉ３Ｈａ、５
ｉ４Ｉ（１ｏ等のシラン類等水素化硅素ガス、炭素を含
有するときはＣと１１とを構成原子とする例えば炭素数
１？−５の飽和炭化水素、炭素数１〜５のエチレン系炭
化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げ
られる。具体的には飽和炭化水素としてメタン（ＣＨ４
）、エタン（ＣｚＨＱ、プロパン（Ｃａｌ−Ｉｇ）、ｎ
−ブタ：／　（ｎ　−Ｃ４１（１０）、エチｌ／７系炭
化水素としてはエチレン（Ｃ，２ｌ−１４）、プロピレ
ン（Ｃ３１１６）、プラン（０４Ｕｓ）、アセチレン系
炭化水素としてはアセチレン（Ｃ２１４２）、メチルア
セチレン（ＣａＢ６）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）　等が挙げ
られる。更に酸素系の原料ガスとしては、酸素（０２人
オゾン（０３人−酸化炭素（■Ｘ：酸化炭素（ＣＯ２）
、−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸
化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３　）、四三
酸化窒素（Ｎ２０４　）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、
三酸化窒素（ＮＯａ）等を挙げることができる。またフ
ッ素の原料として■“ＩＦ、ＳｉＦ４．５ｉ２Ｆａ、Ｃ
Ｆ４、Ｆ２　が使用できる。尚、水素硅素ガスに加え各
層にゲルマニウムを含有してもよいことは前述した通り
で、このときはＧｅ１１４、Ｇｅ２ｔ１Ｇ　ガス等を併
用すればよい。

次に本発明に係る感光体を製造するための容量結合型グ
ロー放電分解装置について説明する。第２図において、
第１、第２、第３、第４、第５、る。ここで第１タンク
（５）の化ガスは５ｉｌ（＜ガスのキャリアーガスであ
る。但し化ガスに代ってＡｒ、ＩｏＩＣを用いてもよい
。またＢｚＨ６ガスのキャリアーも水素である。尚各層
にゲルマニウムを含むときは別途ＧｅＨ＜ガスのタンク
を用意する。これら第１〜第６タンクのガスは第１、第
２、第３、第４、第５、第６調整弁（１１）、（１２）
、（１３）、（１４）、（１５）、（１６）を開放する
ことにより放出され、その流量がマスフローコントロー
ラ（１７）、（１８）、（１９）、（２０）、（２１）
、（２２）により規制され、第１乃至第４タンクと第６
タンク（５）、（６）、（７）、（８）、（ＩＱ）から
のガスは第１主管（２３）へと、また第５タンク（９）
からの酸素ガスは第２主管（２／ｌ）へと送られる。尚
、（２５）、（２６）、（２７）、（２８）、（２９）
、（３０）、（３１）、（３２）は止め弁である。

第１及び第２主管（２３）、（２４）を通じて流れるガ
スは反応室（３３）において第３主管（３４）で合流す
る。

反応室（３３）内にはその表面に障壁層（２）が形成さ
れるアルミニウム、ステンレス、　ＮＥＳＡ　ガラスの
ような導電性基板（３５）がモータ（３６）により回転
可能であるターンテーブル（３７）上に載置されており
、該基板（３５）自体は電気的に接地されるとともに適
当な加熱手段により約１００乃至４００°ζ好ましくは
１５０乃至３００℃の温度に均一加熱されている。（３
８）は導電性基板（３５）を包囲する関係に設けられた
円筒状の電極板で高周波電源（３９）に接続されるとと
もに、その内部は空洞に形成され外壁部に第３、第４主
管（３４）、（４０）が接続されている。また電極板（
３８）の内壁面には図示しないガス放出孔が形成され第
３主管（３４）より導入される生成ガスを導電性基板（
３５）表面に噴出させる。噴出孔より放出されたガスは
分解される一方、やはり内壁面に形成したガス吸引孔よ
り吸引されて第４主管（３６）を介して排出されるよう
になっている。尚、高周波電源（３９）からは電極板（
３８）に約０．０５乃至１．５ｋｉｌｏｗａｒｔｓ　の
高周波電力が印加されるようになっており、その周波数
は１乃至５０　’ＭＥ−Ｉｚ　が適当である。更に反応
室（３３）の内部は障壁層光導電層及びオーバコート層
形成時に高度の真空状態（放電圧：０５乃至２．０Ｔｏ
ｒｒ）を必要とすることにより回転ポンプ（４Ｊ）と拡
散ポンプ（４２）に連結されている。

以上の構成の容量結合型身゛ロー放電分解装置において
、まずａ−３ｉ、酸素及び硼素を含有する障壁層（２）
を導電性基板（３５）上に形成するに際しては第１、第
２、第３、第５調整弁、（１１）、（１２）、（１３）
、（１５）を開放して適当な流量比で第１．第２タンク
（５）、（６）より１−１２．５ｉ１（４ガスを、第３
タンク（７）よりＢ２Ｈ６ガス、第５タンク（９）より
０２ガスを放出する。尚、炭素を更に含有するときは第
４タンク（８）よりＣ２Ｈ４ガスを放出する。放出量は
マスフローコントローラ（１７）、（１８）、（１９）
、（２０）、（２１）により規制され、Ｈｚ　をキャリ
アーガスとする５ｉｌ１４ガス、Ｂ　２１−１　ａガス
乃至はＣ２Ｈ４ガスが混合されたガスが第１主管（２３
）を介して、またそれとともに５ｉＨ４に対し一定のモ
ル比にある酸素ガスが第２主管（２４）を介して送られ
、反応室内部の第３主管（３４）で合流し電極板（３８
）内に送られる。そしてガス放出孔からガスか均一放出
されることに加えて、反応室（２５）内部が０５乃至２
．０Ｔｏｒｒ　程度の真空状態、基板温度が１００，７
’１至４００℃、電極板（３８）への高周波電力が０．
０５乃至１、５　ｋｉｌｏｗａｔｔｓ、また周波数が１
乃至５０Ｍ＋１１．に設定されていることに相俟ってグ
ロー放電が起こり、ガスが分解して基板上に少なくとも
ａ−５ｉ、硼素、酸素乃至は炭素を含有した障壁層（２
）が形成される。

所望の膜厚の障壁層（２）が形成されると、連続しであ
るいは一旦グロー放電を中断した後、光導電層（３）を
形成する。これは第１乃至第３タンク（５）、＋６）、
　＋７１及び第５タンク（９）よりガスを放出すること
により行われ、硼素と微量の酸素を含有した水素化ａ−
５ｉ　光導電層（３）が形成される一続いてａ−５ｉ　
を含む光導電層（３）上にオーツくコート層（４）を形
成する。これは第１と第２タンクおよび第４乃至１６タ
ンク（５）、（６）、（８）、（９）、（１０）よりガ
スを放出することにより行われる力（、第４、第５、第
６タンク（８）、（９）、（１０）からＣま前述の含有
量となるよう０２Ｈ４と０２、ＳｉＦ４　ガスを放出す
る。このと゛き、オーバコート層にその厚さ方向均一を
こ一定の抵抗を持たせるとき、つまり含有量を等しくす
るときは各ガスの放出量を一定に保った状態とすればよ
い。また厚さ方向に抵抗を順次高くなるように形成する
ときは、ＳｉＦ’４、四に必要によりｃｚｔｂと０２ガ
スの放出量を次第に増加させる。

１１嘔ユ 第２図に示すグロー放電分解装＠にお（Ａで、まず回転
ポンプ（４１）を、それに続（Ａで拡散ポンプ（４２）
を作動させ反応室（３３）の内部を１０−’Ｔｏｒｒ　
程度の高真空にした後、第１乃至第３及び第５調整弁（
１１）（１２）、（１３）、（１５）を開放し、第１タ
ンク（５）よりＨｚ　ガス、第２タンク（６）より１１
２　で３億１こ希釈されたｃｒｕｘ　ａｔ　−ｘ　何ｃ
　Ｑ　ｈ　ソｈ　１９１上ＩＱＨ２テ２１１０　ｐｐｍ
に希釈されたＢ２Ｈ６ガス、更に第５タンク（９）より
０２ガスを出力圧ゲージ１〃の下でマスフローコントロ
ーラ（１７）、（１８）、（１９）、（２’ｌ）内へ流
入させた。そして各マスフローコントローラの目盛を調
整して、１１２の流量を３Ｂ３ｓｃｃｒｒ（５ｉＩ−１
４を１５０　ｓｃｃｍ、　Ｂ２１−夏６を２２５　ｓｃ
ｃｍ。

０２を４５　ｓｃｃｍ　となるように設定して反応室（
３３）内へ流入させた。夫々の流量が安定した後に、反
応室（３３）の内圧が１．ＱＴｏｒｒとなるように調整
した。一方、導電性基板（３１）としては直径１２伽真
のアルミニウムドラムを用い２００℃に予じめ加熱して
おき、各ガスの流量が安定し内圧が安定した状態で高周
波電源（３９）を投入し電極板（３８）に３０ｇ　ｗａ
ｔｔｓの電力（周波数１３．５６　ＭＥ（ｚ）を印加し
てグロー放電を発生させた。このグロー放電を３分間持
続して行い、導電性基板（３５）上に水素ａ−５ｉ、２
００１’ＰＩ１１の硼素、約２５　ａｔｏｍｉｃ％の酸
素を含有してなる厚さＯｌ　ミクロンの障壁層（２）を
形成した。この後、高周波電源（３９）からの電力印加
を一旦停止するとともに各マスフローコントローラの流
量を０設定にし反応室（２９）内を十分脱気した。次に
第１乃至第３及び第５調整弁（１１）、（１２）、（１
３）、（１５）を開放し夫々のタンクよりＢ２．５ｉＩ
−１４、Ｂ２１１６．０２ガスをマスフローコントロー
ラ（１７）、（１８）、（１９）、（２１）内へ流入さ
せた。そして各マスフローコントローラの目盛を調整し
てＢ２１７）流量を２７４　ｓｃｃｍ、　Ｓ　ｉＨ＋を
３００　ｓｃｃｍ、　Ｂ２１−１６を２５　ｓｅｃｍ。

０２を１　ｓｅｃｍ　となるように設定して反応室内へ
流入させた。そして電極板（３８）に３ＱＱ　ＷａＬＬ
Ｓの高周波電力を印加してグロー放電を発生させた。こ
のグロー放電を約７時間持続して行い、障壁層（２）上
紐いて第１タンク（５）より１−１２ガスを４９Ｑ　Ｓ
ＣＣｍ、第２タンク（６）より１−１２で３０％に希釈
された５ｉＩ（４ガスを１５Ｑ　５ＣＣ１ｎ、第４タン
ク（８）よりＣｚＨ４ガスを４５ｓｅｃｍ、更に第５タ
ンク（９）より０２ガスを１　ｓｅｃｍ反応室内部に流
入させ、内圧を１．０Ｔｏｒｒに調整した下で高周波電
源（３９）を投入して３ＱＱ　ｗａｔｌｓの電力を印加
した。３分間放電を続けこの後第６タンク（１０）より
ＳｉＦ４　ガスを３分間で４５　ｓｅｃｍまで等しく変
化するようにマスフローコントローラ（２２）の目盛を
あけＦ濃度に勾配をもった層を形成し４５５ｃａｎにな
った抜用に′そのままの状態で３分間放電を続け、約０
１ミクロンのオーバコート層（４）を形成した。

尚、このときの炭素含有量は約４Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％、
フッ素は表面近傍で約５　ａｔｏｍｉｃ％である。

こうして得られた感光体をミノルタカメラ（株）製粉像
転写型複写機Ｅｐ−５２０にセットしコピーしたところ
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が
得られた。また２０万枚の連続複写を行っても画像特性
の低下は認められず最後まで良好なコピーが得られた。

更に３０℃、８０％という高温、高湿の条件での複写で
もその電子写真特性、画像特性は室温条件下と何ら変わ
ることはなかった。

上記感光体を更に帯電し白色光２゜０　、／ｕｘ＠ｓｃ
ｃの下で露光して残留電位を測定したところ、初期でＯ
Ｖ、２０万枚複写後も数１０Ｖであった。

−実」１１ヱ 実験例１と同一条件の下に、但し障壁層（２）形成時に
第１タンク（５）よりＢ２ガスをその流量が２４５ｓｃ
ｃｍ、第２タンク（６）より３ｉｔ１４　ガスを３ＱＱ
　ＳＣＣｍ。

第４タンク（８）よりＣ２Ｉ−１４ガスをｇ□　ｓｃｃ
ｍ、第５タンク（９）より０２ガスを１０ｓｃｃｔｎと
なるよう反応室（２９）内へ流入させ、グロー放電を起
こしａ−３ｉに加え、炭素を約４０ａｔｏ＋ｎｉｃ％、
酸素を５　ａｔｏｍｉｃ％含有する障壁層を形成した。

次にこの障壁層上に実験例１と同一の光導電層とオーバ
コート層を形成した。

こうして得られた感光体を上記Ｅｐ−５２０にセットし
２０万枚の連続複写を行ったところ、画像カブリのない
優れた画像が最後まで得られた。また残留電位の上昇も
わずかであった。

ユ皇皇ユ 実験例２と同一条件の下ｌこ、但し障壁層形成時に史に
第３タンク（７）よりＢ２１１６　ガスをその流量が４
．５　Ｓ　ＣＣ１１ｌとなるよう流してａ−５ｉに炭素
を４０ａ　ｔ　ｏｍｉ　ｃ％、酸素を約５　ａｔｏｍｉ
ｃ％、硼素を２００　ｐｐｒｎ含有する障壁層を形成し
、その上に同じ光導電層とオーバコート層を形成した。

この感光体をＥｐ−５２０にセットし２０万枚の連続複
写を行ったところ、最後まで画像カブリのない良好な画
像が得られた。また残留電位もほとんど上昇が認められ
なかった。

なお、以上の実験例では障壁層（２）からａ−５ｉ光導
電層（３）を形成する場合、またａ−５ｉ光導電層（３
）からオーバコート層（４）を形成する場合一度高周波
電力を停止し反応室（２９）内を十分脱気した抜法の層
を形成する方法をとったが必ずしもこの方法にこだわる
ことなく連続的に膜を形成していってもよい。

比較例Ｉ 実験例１においてオーバコート層を形成する場合、特に
３ｉＦ４　ガス流量を９Ｑ　ＳＣＣｍにしそれ以外は同
じ条件で感光体を作成しＥｐ−５２０にセットして複写
したところコピー上に多くの白斑点が発生しまた連続複
写したところ数１０００　枚目より画像カブリが認めら
れた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る感光体の構成を示す図、第２図は
本発明の感光体を製造するための容量結金型グロー放電
分解装置の概略構成を示す図である。 （１）、（３５）・・・導電性基板、（２）・・・障壁
層、（３）・・・光導電層、（４）・・・オーバコート
層、 （５）・・・ｔ１２ガスを含む第１タンク（６）・・・
５ｉＨ４ガスを含む第２タンク−（７）・・・Ｂ２ｌ−
１６ガスを含む＄３タンク（８）・・・Ｃ２Ｈ４ガスを
含む第４タンク（９）・・・０２ガスを含む第５タンク
（１０）・・・ＳｉＦ４　ガスを含む第６タンク（３８
）・・・電極板、（３９）・・・高周波電源用　願　人
　ミノルタカメラ株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）導電性基板上に少なくともアモルファス・シリコ
   ン、酸素及び周期律表＄　ＩＩＩ　Ａ族不純物乃至はア
   モルファス・シリコン、炭素及び酸素を含有してなる障
   壁層と、少なくともアモルファス−シリコンを含む光導
   電層と：少なくともアモルファス・シリコン、炭素、酸
   素及びフッ素を含有してなる透光絶縁性オーバーコート
   層を順次積層してなることを特徴とする感光体。 （２）前記障壁層の厚さは約３０オングストローム乃至
   ２ミクロンで前記オーバーコート層の厚さは約０．０１
   乃至３ミクロンであることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の感光体 （３）前記障壁層は少なくともアモルファス・シリコン
   、酸素及び周期律表第１［Ａ族不純物を含むとき、酸素
   は約５乃至６　ｏａｔｏｍｉｃ％、不純物は約２００　
   ｐｐｍまで含有されていることを特徴とする特許請求の
   範囲第２項記載の感光体。　′（４）　前記障壁層は少
   なくともアモルファス・シリコン、炭素及び酸素を含む
   とき、炭素は約５乃至６０１ｔｏｍｉｃ％、酸素は約１
   ０　ａｔｏｍｉｃ％まで含有されていることを特徴とす
   る特許請求の範囲第２項記載の感光体。 （５）　前記オーバーコート層は約５乃至６　ｏａｔ。 ｍｉｃ％の炭素と約１０ａｔｏｍｉｃ％までの酸素及び
   約囲第２項記載の感光体。 （６）　前記オーバーコート層に含有されるフッ素は厚
   さ方向に含有量が増大するように含有されていることを
   特徴とする特許請求の範囲第２項記載の感光体。