JPS61289354A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は電子写真感光体の製造方法に関し、特にアモ
ルファス・シリコン感光体表面保護層の表面処理に関す
る。

（従来の技術） アモルファス・シリコンＣ以下ａ−Ｓ　ｉ　：Ｈトいつ
）感光体は、Ｓｅ系感光体に比べて、長波長まで高感度
、高硬度、高耐熱性、その他の優れた特性を有している
ので、補修不要の複写機や高速プリンタ。

その他の機器に応用が期待されている。

従来の電子写真感光体は、例えば特開昭５７−１１５５
５６号公報に開示されているように、導電性の支持体上
１ｃａ−８ｔ：Ｈの電荷蓄積層を２０〜３０μ倶堆積さ
せ、その上に表面電位保持のために表面保護層として、
バンドギヤラグが広く且つ硬度が高いａ　−８ｓ　ｘＣ
１−ｘ等を堆積させた構造をとっている。

このようなａ−８ｉｘＣ１−エ等の表面保護層を有する
電子写真感光体は、この表面保護層によシ表面電位の安
定を保護すると共に、その疎水効果によって耐湿度性を
改善することができるものである。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、このような電子写真感光体であっても、
繰り返し行なわれるコロナ帯電の電子写真プロセスによ
って、表面保護層の疎水効果が低化したり、表面抵抗が
下がることにより、印字品質及び耐湿度性が劣化すると
いう問題点があった。

この発明の目的は、前述した従来の電子写真感光体が有
する問題点に鑑み、コロナ帯電の電子写真プロセスを繰
シ返し行っても、印字品質及び耐湿度性に劣化を来たす
ことがない電子写真感光体を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） この発明は、前述の問題点を解決するためＫ、支持体上
にアモルファス・シリコンを主成分とする感光体層を積
層し、この感光体層の前記支持体とは反対側の表面層と
してアモルファス・カーボンを用いた層を積層し、しか
る後、フッ素を含んだガスでプラズマ放電処理するもの
である。

（作用） 以上説明したような、本発明の電子写真感光体の製造方
法によれば、表面処理としてフッ素を含んだガスでプラ
ズマ放電処理しているので、感光体層の支持体とは反対
側の表面層として形成されたアモルファス・カーボンの
層中にＣＦ、ＣＦ２　　等の官能基が形成され、疎水性
が改善され且つ電子写真ゾロセス時に発生するオゾンに
対する劣化が少なく、耐環境性の大きい電子写真感光体
を得ることができる。

（実施例） 第１図（Ｎは、この発明の詳細な説明するための電子写
真感光体の断面図、第１図（均は第１図（ト）に示した
電子写真感光体の製造に用いた装置の断面図である。以
下、第１図（Ａ）及び第１図（Ｂ）を用いて、この発明
の実施例について説明する。

第１図囚において、１は導電性の支持体、２はａ−８ｉ
：Ｈ層、３はａ−Ｃ：Ｈ層、第１図の）において、１０
は円筒状の反応容器、１ノはその軸心付近に設けた支持
体加熱用のヒータ、１は第１図（６）に示されているこ
のヒータの周囲を回転するように取り付けられ膜成長が
行なわれる円筒状の支持体、１２は支持体１を回転駆動
するためのモータ、１３は反応室と連通ずる穴を有し内
部にそれぞれガス導入口１４及び排気口１５が形成され
ている外部電極、１６はガス導入口１４と結合し、反応
室内に流量調整器を介して原料ガス１７を供給するため
のガス導入管、１８は排気口１５と結合し反応室の反応
済みの不要なガスを排気するための排気管、１９は反応
室内の混合ガス圧を制御するための自動圧力制御装置、
２０はメカニカルブースターポンプ、２ノは油回転ポン
プ、２２はマツチング？ックス、２３は高周波電源であ
る。

マス両ホンｆ２０　、２１で排気しながら、ヒータ１ノ
によって支持体１を２００℃〜３００℃の範囲の温度に
する。この状態で、シリコンを含むガス（ＳｉＨ４，５
ｔ２Ｈ６，５ｉＣｔ４．　ＳｉＦ４等から選ばれた一種
又は二種以上のガス）を種原料とし、これに種々のドー
ノＪ？ントガス（０□、　Ｎ２．　Ｎ２０　。

ＣｎＨｒＴｌ、ＰＨ３，Ｂ２Ｈ６等から選ばれた一種又
は二種以上のガス）を添加して、Ｈ層　ｒ　Ｈｅ　ｒ　
Ａｒ等の一般に用いられているキャリアガスを用い反応
容器ｌ。

内に導入し、所定の流量・気圧とし、適当な高周波電力
でグロー放電分解することＫよｐａ−８ｔ：Ｈ層２を積
層する。

次１ｃａ−Ｃ：Ｈ層３を積層するために、反応容器ｌ。

内のガスを排気した後、原料ガスである炭化水素ガス（
ＣｎＨｍ、　ｎ　ｒ　ｍは整数）を導入して所定の圧力
とした後、高周波電力を印加し、グロー放電分解により
所定の膜厚のａ−Ｃ：Ｈ層３を積層する。

ａ　−Ｃ：Ｈ層の積層後、反応容器１０内のガスを排気
し、ＣＦ４ガスを０．　ＯＩ　Ｔｏｒｒ　〜１０　Ｔｏ
ｒｒの気圧となるように導入し、高周波電力密度０．　
ＯＩ　Ｗ／ｃｍ２〜１欺９の高周波電力を１分〜１時間
印加してプラズマ処理を行う。このプラズマ処理にょ）
ａ−Ｃ：Ｈ層３の表面には、官能基であるＣＦ（ｎ　＝
ｌ。

２．３）が形成される。このプラズマ処理によるＣＦｎ
の形成は、１公租度の時間でも行われるがよシ長時間の
方がａ−Ｃ：Ｈ層３の深くまで行われ良い。

しかし、ａ−Ｃ：Ｈ層３もこのプラズマ処理によってわ
ずかながらエツチングされるので、必要以上に長時間処
理すると、ａ−Ｃ：Ｈ層３が薄くなシ好ましくない。

次に、このようなプラズマ処理の疎水化効果を第２図に
示す。縦軸はａ−Ｃ：Ｈ表面に０．０１　ｃｃの水滴を
静かに落としたときの水滴の直径を表わし、表面の疎水
性の尺度となる。すなわち直径が小さい種線水性が大き
い。横軸には、紫外光とそれによシ発生したオゾンの照
射時間を示す。

第２図から明らかなように、ＣＦ４プラズマ処理した後
は水滴の径が減少し、疎水性が改善されること、また紫
外光照射に対しても疎水性劣下の速度が非常に遅くなる
ことがわかる。

この効果は、プラズマ処理により分解したフン素原子が
表面の水素原子と置き換わシ、疎水性の非常に強い官能
基のＣＦｎ（ｎ＝１．２．３）が出きるためであると考
えられる。従って、プラズマ処理に用いるガスとしては
フッ素を含んだガスであれば良く、ＣＦ４の他にもＦ２
．Ｃ２Ｆ６．ＣＨＦ３゜も ＣＨＣｌＦ２等を用いることができる。

前述した実施例では、ａ−８ｔ：Ｈ層２及びａ−Ｃ：Ｈ
層３をグロー放電分解により形成したが、この表面層２
０を水素雰囲気中で固体カーピンをターゲットとして用
いた反応性スパッタリング法で形成しても良いし、或い
は蒸着法で形成することも出来る。これらの方法で形成
されたａ−８ｔ：Ｈ層及びａ−Ｃ：Ｈ層もその特性にお
いてグロー放電分解法で形成されたａ−８ｉ：Ｈ層２及
びａ−Ｃ：Ｈ層３と何等変わるところがない。

（発明の効果） 以上、説明したように本発明の製造方法によれば、ａ−
Ｃ：Ｈ表面保護層をフッ素を含んだガスのプラズマで短
時間処理することにょシ、表面の疎水性を大巾に改善す
ることができるので、電子写真ゾロセス時に発生するオ
ゾンに対する劣化が少ない、耐環境性の大きい電子写真
感光体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）は、この発明の詳細な説明するための、電
子写真感光体の断面図、第１図（均は、第１図囚に示し
た電子写真感光体の製造に用いた装置の断面図、第２図
は、本発明の実施例による効果を説明するための図であ
る。 １・・・支持体、　２　・・・ａ−８ｉ　二Ｈ層、３−
　ａ−Ｃ：Ｈ層。 １０・・・反応容器、１）・・・ヒータ、１２・・・モ
ータ。 １３・・・外部電極、１４・・・ガス導入口、１５・・
・排気口、１６・・・ガス導入管、１７・・・原料ガス
、１８・・・排気管、１９・・・自動圧力制御装置、２
０・・・メカニカルブースタ、２１・・・油回転デンゾ
、２２・・・マッチングゴノクス、２３・・・高周波電
源。 特許出願人　　沖電気工業株式会社 本発明めス屍例５！沈明するｋめ肖聞 第１図 繁２は＋オソ゛ン照身ｔＢ−４ハへ　（四４間）ＣＦ４
７’ラス゛マ煉理崗る疎水効見詫明国第２図 手続補正書輸発） ６０、１０．１１ 昭和　　年　　月　　日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 支持体上にアモルファス・シリコンを主成分とする感光
   体層を積層する工程と、 当該感光体層の該支持体とは反対側の表面層としてアモ
   ルファス・カーボンを用いた層を積層する工程と、 しかる後フッ素を含んだガスでプラズマ放電処理する工
   程とを備えてなることを特徴とする電子写真感光体の製
   造方法。