JPS61289355A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS61289355A JPS61289355A JP13089585A JP13089585A JPS61289355A JP S61289355 A JPS61289355 A JP S61289355A JP 13089585 A JP13089585 A JP 13089585A JP 13089585 A JP13089585 A JP 13089585A JP S61289355 A JPS61289355 A JP S61289355A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gas
- prescribed
- laminating
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は電子写真感光体の製造方法に関し、特にアモ
ルファス・シリコン感光体の表面保護層の製造方法に関
するものである。
ルファス・シリコン感光体の表面保護層の製造方法に関
するものである。
（従来の技術）
アモルファス・シリコン（以下ａ−８ｉ：Ｈトイウ）感
光体はＳｅ系感光体に比べて、長波長まで高感度、高硬
度、高耐熱性、その他の優れた特性を有しているので、
補修不要の複写機や、高速プリンタ、その他の機器に応
用が期待されている。
光体はＳｅ系感光体に比べて、長波長まで高感度、高硬
度、高耐熱性、その他の優れた特性を有しているので、
補修不要の複写機や、高速プリンタ、その他の機器に応
用が期待されている。
従来の電子写真感光体は、特開昭５７−１１５５５６号
公報に開示されているように、導電性の支持体上にａ−
８ｉ ：Ｈの電荷蓄積層を２０〜３０μｍ堆積させ、そ
の上に表面電位保持のために表面保護層としてバンドギ
ャップが広く且つ硬度が高いａ−８ｉｘＣ１−ｘ等を堆
積させた構造をとっている。仁のようなａ−ｓｔｘｃｌ
−ｘ等の表面保護層を有する電子写真感光体は、この表
面保護層により表面電位の安定を保護すると共に、その
疎水効果によって耐湿度性を改善することができるもの
である。
公報に開示されているように、導電性の支持体上にａ−
８ｉ ：Ｈの電荷蓄積層を２０〜３０μｍ堆積させ、そ
の上に表面電位保持のために表面保護層としてバンドギ
ャップが広く且つ硬度が高いａ−８ｉｘＣ１−ｘ等を堆
積させた構造をとっている。仁のようなａ−ｓｔｘｃｌ
−ｘ等の表面保護層を有する電子写真感光体は、この表
面保護層により表面電位の安定を保護すると共に、その
疎水効果によって耐湿度性を改善することができるもの
である。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このような電子写真感光体であっても、
繰シ返し行われるコロナ帯電の電子写真プロセスによっ
て、表面保護層の疎水効果が低下したシ、表面抵抗が下
がることによシ、印字品質及び耐湿度性が劣化するとい
う問題点があった。
繰シ返し行われるコロナ帯電の電子写真プロセスによっ
て、表面保護層の疎水効果が低下したシ、表面抵抗が下
がることによシ、印字品質及び耐湿度性が劣化するとい
う問題点があった。
この発明の目的は、前述した従来の電子写真感光体が有
する問題点に鑑み、コロナ帯電の電子写真プロセスを繰
り返し行っても、印字品質及び耐湿度性に劣化を来たす
ことがない電子写真感光体の製造方法を提供することに
ある。
する問題点に鑑み、コロナ帯電の電子写真プロセスを繰
り返し行っても、印字品質及び耐湿度性に劣化を来たす
ことがない電子写真感光体の製造方法を提供することに
ある。
（問題点を解決するだめの手段）
この発明は、前述の問題点を解決するために、支持体上
に形成されたアモルファス・シリコンヲ主成分とする感
光体層のこの支持体とは反対側の表面に、炭化水素系ガ
ス（ＣｍＨｎ、 ｍ 、 ｎ≧ｌ；整数）とフロン系ガ
ス（ＦｍＨｌ 、 ｍ 、 ｎ≧１：整数）とをグロー
放電分解することによシ水素及び７ノ素を共に含むアモ
ルファス・カーデン層を積層するものである。
に形成されたアモルファス・シリコンヲ主成分とする感
光体層のこの支持体とは反対側の表面に、炭化水素系ガ
ス（ＣｍＨｎ、 ｍ 、 ｎ≧ｌ；整数）とフロン系ガ
ス（ＦｍＨｌ 、 ｍ 、 ｎ≧１：整数）とをグロー
放電分解することによシ水素及び７ノ素を共に含むアモ
ルファス・カーデン層を積層するものである。
（作用）
以上、説明したように本発明は、表面保護層として水素
及びフッ素を共に含有するアモルファス・カーデンの層
（以下ａ−Ｃ：Ｈ，Ｆという）をグロー放電分解法によ
り積層しているので、この層中に形成されるＣＦ 、
ＣＦ２等の官能基によう、オゾンによる化学的活性種が
表面に全んど吸着しない。従って繰シ返し行なわれるコ
ロナ帯電の電子写真グロセスに対しても印字品質、及び
耐湿度性の劣化を防止することができる。
及びフッ素を共に含有するアモルファス・カーデンの層
（以下ａ−Ｃ：Ｈ，Ｆという）をグロー放電分解法によ
り積層しているので、この層中に形成されるＣＦ 、
ＣＦ２等の官能基によう、オゾンによる化学的活性種が
表面に全んど吸着しない。従って繰シ返し行なわれるコ
ロナ帯電の電子写真グロセスに対しても印字品質、及び
耐湿度性の劣化を防止することができる。
（実施例）
以下、図面を参照してこの発明の実施例につき説明する
。
。
第１図（４）は、本発明の詳細な説明するための電子写
真感光体の構造断面図である。１は導電性の支持体、２
は支持体１からの電荷を阻止するために支持体１上に積
層されたａ−８ｉｚＣ１＝Ｘよシなるブロッキング層、
３はブロッキング層２上に積層されたａ−８ｉ：Ｈを主
成分とする電荷蓄積層、４は電荷蓄積層３上に積層され
た表面電位を保持するためのａ−Ｃ：Ｈ，Ｆよシなる表
面保護層である。
真感光体の構造断面図である。１は導電性の支持体、２
は支持体１からの電荷を阻止するために支持体１上に積
層されたａ−８ｉｚＣ１＝Ｘよシなるブロッキング層、
３はブロッキング層２上に積層されたａ−８ｉ：Ｈを主
成分とする電荷蓄積層、４は電荷蓄積層３上に積層され
た表面電位を保持するためのａ−Ｃ：Ｈ，Ｆよシなる表
面保護層である。
第１図（Ｂ）は、第１図囚に示した電子写真感光体の製
造に用いたプラズマＣＶＤ装置の概略断面図である。第
１図において、５は反応室、６は円筒形支持体、７は外
部電極、８はヒーター、９Ｆｉ回転モーター、１０は高
周波電源、１ノは反応ガス入口、１２は排気口である。
造に用いたプラズマＣＶＤ装置の概略断面図である。第
１図において、５は反応室、６は円筒形支持体、７は外
部電極、８はヒーター、９Ｆｉ回転モーター、１０は高
周波電源、１ノは反応ガス入口、１２は排気口である。
第１図（４）に示した層部分１〜３Ｆｉ通常の方法で形
成する・例えば排気口１２で排気しながら、ヒーター８
によって円筒形支持体６を２００℃〜３００℃の温度に
する。この状態で、シリコンを含むガス（ＳｉＨ４＋
５ｔ２Ｈ６） Ｓ＋Ｃｔ４ ｒ ５ＩＦ４等から選らば
れた一種又は二種以上のガス）を種原料とし、これに種
々のドーノやントガス（０□、Ｎ２゜Ｎ２０ 、 Ｃｎ
Ｈｎ 、 ＰＨ３＋ Ｂ２Ｈ６等から選らばれた一種又
は二種以上のガス）を添加して、Ｎ２ ＊ Ｈｅ、 Ａ
ｒ等の一般に用いられているキャリアガスを用い反応室
５内に反応ガス入口１１を介して導入し、通常使用され
ている約１３．５６ ＭＨｚの周波数でグロー放電分解
によ）これら層を形成する。当然のことではあるが、目
的とする層に応じて、原料ガスやドーノセントガスの種
類、その他の層成長条件を選定することが出来る。
成する・例えば排気口１２で排気しながら、ヒーター８
によって円筒形支持体６を２００℃〜３００℃の温度に
する。この状態で、シリコンを含むガス（ＳｉＨ４＋
５ｔ２Ｈ６） Ｓ＋Ｃｔ４ ｒ ５ＩＦ４等から選らば
れた一種又は二種以上のガス）を種原料とし、これに種
々のドーノやントガス（０□、Ｎ２゜Ｎ２０ 、 Ｃｎ
Ｈｎ 、 ＰＨ３＋ Ｂ２Ｈ６等から選らばれた一種又
は二種以上のガス）を添加して、Ｎ２ ＊ Ｈｅ、 Ａ
ｒ等の一般に用いられているキャリアガスを用い反応室
５内に反応ガス入口１１を介して導入し、通常使用され
ている約１３．５６ ＭＨｚの周波数でグロー放電分解
によ）これら層を形成する。当然のことではあるが、目
的とする層に応じて、原料ガスやドーノセントガスの種
類、その他の層成長条件を選定することが出来る。
次にａ−Ｃ：Ｈ，Ｆよシなる表面保護層４を積層する。
表面保護層４は、反応容器１０内のガスを排気口１２よ
プ排気した後、炭素及び水素を含むガス（炭化水素：
ＣｎＨｍ、 ｎ、ｍ≧１のガス）、ここではエチレンガ
スとフッ素系ガス（ＣＦ４． Ｃ２Ｆ６．ＣＨＦ３゜Ｃ
ＨＣｌＦ２等から選ばれた一種又は二種以上のガス）、
ここでは四フフ化炭素とを一定比で混合し、通常のキャ
リアガスを用いて、反応ガス導入口１１よシ反応室５内
に導入し、グロー放電分解することにより積層する。
プ排気した後、炭素及び水素を含むガス（炭化水素：
ＣｎＨｍ、 ｎ、ｍ≧１のガス）、ここではエチレンガ
スとフッ素系ガス（ＣＦ４． Ｃ２Ｆ６．ＣＨＦ３゜Ｃ
ＨＣｌＦ２等から選ばれた一種又は二種以上のガス）、
ここでは四フフ化炭素とを一定比で混合し、通常のキャ
リアガスを用いて、反応ガス導入口１１よシ反応室５内
に導入し、グロー放電分解することにより積層する。
このようにして形成された表面保護層２０は、層中に水
素及びフッ素を共に０．１ ａｔｏｍｉｃ％以上２０
ａｔｏｍｉｃ％未満含有し、且つ抵抗率が約１０１４０
・譚、光学ギャップが約２．ＯｏＶなる特性を有する。
素及びフッ素を共に０．１ ａｔｏｍｉｃ％以上２０
ａｔｏｍｉｃ％未満含有し、且つ抵抗率が約１０１４０
・譚、光学ギャップが約２．ＯｏＶなる特性を有する。
このとき、水素あるいはフッ素の含有量が２０ａｔｏｍ
ｉｃ（ｉ以上になると表面保護層２０の硬度が低下する
が、約１０ ａｔｏｍｉｃ％を中心に水素及びフッ素の
含有量を０．１ ａｔｏｍｉｃ％以上２０ ｉｔｏｍｉ
ｃ％未満にすることにより樹脂やプラスチックの層より
も硬度が大きく、数拾万回の繰り返し使用に耐えること
ができる表面保護層２０が得られる。
ｉｃ（ｉ以上になると表面保護層２０の硬度が低下する
が、約１０ ａｔｏｍｉｃ％を中心に水素及びフッ素の
含有量を０．１ ａｔｏｍｉｃ％以上２０ ｉｔｏｍｉ
ｃ％未満にすることにより樹脂やプラスチックの層より
も硬度が大きく、数拾万回の繰り返し使用に耐えること
ができる表面保護層２０が得られる。
また本発明の実施例では、ブロッキング層２及び電荷蓄
積層３と同様のグロー放電分解法によシ同−装置内で表
面保護層４が容易に形成できる。
積層３と同様のグロー放電分解法によシ同−装置内で表
面保護層４が容易に形成できる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、グロー放電分解法
により形成されたａ−８ｔ：Ｈよシなる感光体層の表面
保護層として、グロー放電分解法にょシａ−Ｃ：Ｈ，Ｆ
よりなる層を積層しているので、ａ−Ｃ：Ｈの層と同等
の硬度を失なうことなく、この表面保護層中に存在する
ＣＦ 、 ＣＦ２等の官能基によシ、繰シ返し行なわれ
る電子写真プロセスに対して印字品質及び耐湿度性の劣
化が防止できる表面保護層を容易に形成することができ
る。
により形成されたａ−８ｔ：Ｈよシなる感光体層の表面
保護層として、グロー放電分解法にょシａ−Ｃ：Ｈ，Ｆ
よりなる層を積層しているので、ａ−Ｃ：Ｈの層と同等
の硬度を失なうことなく、この表面保護層中に存在する
ＣＦ 、 ＣＦ２等の官能基によシ、繰シ返し行なわれ
る電子写真プロセスに対して印字品質及び耐湿度性の劣
化が防止できる表面保護層を容易に形成することができ
る。
第１図（Ａ）は、本発明の詳細な説明するための電子写
真感光体の構造断面図、第１図中）は、第１図囚に示し
た電子写真感光体の製造に用いたプラズマＣＶＤ装置の
概略断面図である。 １・・・支持体、２・・・ブロッキング層、３・・・電
荷蓄積層、４・・・表面保護層、５・・・反応室、６・
・・円筒形支持体、７・・・外部電極、８・・・ヒータ
ー、９・・・回転モーター、１０・・・高周波電源、１
１・・・反応ガス入口、１２・・・排気口。 Ａ発明の詳細な説明ｔシ尺あめ琶 第１図 手続補正書（自発） 昭和 干０°〜２７日
真感光体の構造断面図、第１図中）は、第１図囚に示し
た電子写真感光体の製造に用いたプラズマＣＶＤ装置の
概略断面図である。 １・・・支持体、２・・・ブロッキング層、３・・・電
荷蓄積層、４・・・表面保護層、５・・・反応室、６・
・・円筒形支持体、７・・・外部電極、８・・・ヒータ
ー、９・・・回転モーター、１０・・・高周波電源、１
１・・・反応ガス入口、１２・・・排気口。 Ａ発明の詳細な説明ｔシ尺あめ琶 第１図 手続補正書（自発） 昭和 干０°〜２７日
Claims (1)
- 支持体上にグロー放電分解法により形成されたアモルフ
ァスシリコンを主成分とする感光体層の該支持体とは反
対側の表面に、炭化水素系ガスとフロン系ガスとの混合
ガスをグロー放電分解し水素及びフッ素を共に含むアモ
ルファスカーボン層を積層することを特徴とする電子写
真感光体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13089585A JPS61289355A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 電子写真感光体の製造方法 |
| US06/787,367 US4664999A (en) | 1984-10-16 | 1985-10-15 | Method of making electrophotographic member with a-Si photoconductive layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13089585A JPS61289355A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61289355A true JPS61289355A (ja) | 1986-12-19 |
Family
ID=15045221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13089585A Pending JPS61289355A (ja) | 1984-10-16 | 1985-06-18 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61289355A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4797338A (en) * | 1986-09-16 | 1989-01-10 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
| US4810606A (en) * | 1986-07-07 | 1989-03-07 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
| US4863821A (en) * | 1986-07-07 | 1989-09-05 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer having amorphous carbon |
| US4882256A (en) * | 1986-10-14 | 1989-11-21 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer comprising amorphous carbon |
| US4886724A (en) * | 1987-03-09 | 1989-12-12 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer and process for manufacturing the same |
| US5000831A (en) * | 1987-03-09 | 1991-03-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Method of production of amorphous hydrogenated carbon layer |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP13089585A patent/JPS61289355A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4810606A (en) * | 1986-07-07 | 1989-03-07 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
| US4863821A (en) * | 1986-07-07 | 1989-09-05 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer having amorphous carbon |
| US4797338A (en) * | 1986-09-16 | 1989-01-10 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
| US4882256A (en) * | 1986-10-14 | 1989-11-21 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer comprising amorphous carbon |
| US4886724A (en) * | 1987-03-09 | 1989-12-12 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer and process for manufacturing the same |
| US5000831A (en) * | 1987-03-09 | 1991-03-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Method of production of amorphous hydrogenated carbon layer |
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