JPS63309961A

JPS63309961A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPS63309961A
Application number: JP14557787A
Authority: JP
Inventors: Kyoko Onomichi; 尾道　京子; Eiichiro Tanaka; 栄一郎田中; Akio Takimoto; 昭雄滝本; Koji Akiyama; 浩二秋山; Masanori Watanabe; 正則渡辺
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1987-06-11
Filing date: 1987-06-11
Publication date: 1988-12-19
Anticipated expiration: 2011-11-13
Also published as: JP2553558B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野不発明は、電子写真方式の複写機、光プリンタ等に用い
られる電子写真感光体の製造方法に関するＯ従来の技術電子写真感光体における光導電体として、１０〜４０＆
ｔｍ％の水素全局在化状態密度を減少せしめる修飾物質
として含む非晶質シリコン（以下ａ−８ｉ：Ｈと記す）
が高い光感度、無公害性、及び高い硬度を有することに
よシ注目され利用されている。

しかしながら、上記のａ−３ｉ：Ｈで構成される電子写
真感光体ではまだまだ解決すべき問題も多いＯ例えば、第１の問題としてａ−８ｉ：Ｈは、他の感光体
材料である有機光半導体（以下ＯＰＣと記す）、あるい
はＳＯに比較して誘電率が約１１と太き（（ＯＰＣ：約
３．Ｓｅ：約６）静電容量が大きいため１表面への帯電
処理を行う際には非常に大きな帯！電流を必要とする。

また、実用表面電位（〜４００Ｖ）ｆｅ得るには表面電
荷の電荷密度も高く、この電荷を光除電するためには多
くの光エネルギーを必要とするため実際の光感度は十分
高いとは言えない。

さらに、第２の問題としてａ−３ｉ：Ｈ膜の製膜に際し
て最も良く用いられるシラン（ＳｉＨ４と記す）ガスを
原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法では。

堆積速度も１０μｍ／Ｈ以下と遅く、シランガスも高価
であることから、製造コストの低減は困難である。

また、第３の問題は、膜厚においても３０μｍ以下で使
用されることが多く帯電電界強度も３０ｖ／μｍ程度か
ら、実用の表面電位はＳｓ感光体の５ｏｏｖに比べ５ｏ
ｏｖ以下と低い電位で使用されるため、通常の２成分現
像剤では十分な画像濃度のコピーが得られないと言った
問題がある０発明が解決しようとする問題点このような諸問題を解決する手段として、特開昭５４−
１４３６４５号公報には有機半導体材料を用いた機能分
離型の感光体が開示されている。

この有機半導体材料を用いた光導電層上に形成し用いた
場合、誘電率の減少による帯電電位の向上が望めるもの
の有機半導体材料は硬度が小さいため、Ｓｉを含む非晶
質光導電膜の持つ高い硬度の長寿命感光体としての特長
が生かせない０また、従来の有機半導体上に温度１５０
’Ｃ以上で良質なａ−３ｉ：Ｈ膜を形成するには耐熱性
に乏しいため良好な電子写真感光体が得られない。ある
いは、耐熱性を有するポリアクリロニトリルＣＰＡＭ）
を加熱によシ閉環処理を行うことも提案されているが、
十分なキャリアの移動度、キャリア寿命のものが得られ
ていないため、残留電位が高く、感度も十分とは言えな
い。

問題点を解決するための手段上記間罵点を解決するために本発明は、光導電層と以下
の構造を有する電荷移動層とを積層した機能分離型感光
体とし。

（ｎ）１．Ｒ：Ｈ、ＯＨ，Ｏ、Ｃ２Ｈ３Ｏ，ＣＨ３，Ｃ
１）しかも前期電荷移動層は赤外線吸収スペクトルが波
数３０２４±３０　ｆｆ　−’　の位置に吸収ム。

２９１３±３００１−１の位置に吸収Ｂを有し、それら
吸収の積分強度比ＩＢ／Ｉムが、０．１≦Ｉ＋／Ｉム≦
０．９の範囲内に入るよう構成する。

作用以下の構造を有する高分子層は、通常前駆体と呼ばれる
中間体を形成する。

（ｎ）１．　Ｒ：Ｈ、ＯＨ，Ｏ、Ｃ２Ｈ３Ｏ、ＯＨ，Ｃ
１＞赤外吸収スペクトルにより、３ｏ２４±３０ＣＭ−
１の位置に生成物であるビニレン結合に起因する吸収ム
、２９１３±３０３−　”の位置に前駆体を示す−ＣＨ
２−に起因する吸収Ｂが観測される。加熱等処理を施す
ことによシ生成物が増加し、吸収ム。

Ｂの積分強度比Ｉ　Ｂ　／　Ｉムが減少していく。ＩＢ
／Ｉムが０．１以下となる高分子層では、抵抗が低くな
り過ぎるため、感光体として要求される帯電電位を得る
ことができない。一方Ｉ　Ｂ　／　Ｉムが０．９以上で
は、残留電位が著しく増加し、十分な画像を得るコトが
できナイｏ　Ｘ　Ｂ　／　Ｉ　Ａが０．１≦Ｉｉ＋／Ｉ
ム≦０．９であるような高分子層を用いて電荷移動層と
することにより、残留電位の小さな、高感度で帯電電位
の大きな電子写真感光体が得られる。

実施例第１図は、本発明における最も基本的な電子写真感光体
の一実施例の断面を模式的に示したものである。

第１図に示す電子写真感光体は、電子写真感光体として
の支持体１上に、環構造を有する高分子層からなる電荷
移動層２と光導電層３とを有し。

前記光導電層３は一方で自由表面４を有している〇本発
明において、光導電層として硬度の高いシリコンを含有
する非晶質層を用い、光導電層にはａ−３ｉ（：Ｈ：Ｘ
）　、ａ−３ｉ、−ｙＣ，（：Ｈ：Ｘ）（０（Ｙ（１＞
　、ａ−３ｉ、−ｙＯｙ（：Ｈ：Ｘ）（０＜Ｙ＜１　）
。

ａ−８ｉ、−ｙＮｙ（：　Ｈ：　Ｘ　）　（０＜Ｙ＜１
　）　、　＆−８ｉ、１Ｇｏ２（：　Ｈ：　Ｘ　）　（
０（Ｚ（１）　、　ａ−（Ｓｉ、−、Ｇｏｚ）、−ｙＮ
７（：Ｈ：Ｘ）　（０（Ｙ　、Ｚ（１）　、ａ−（ｓｉ
、−２ｃ６ｚ）、−ｙＯｙ（：Ｈ：Ｘ）（０（Ｙ、Ｚ（
１）、　　または＆−（Ｓｉ、−２Ｇｅｚ）、−ｙＣｙ
（：　Ｈ：　Ｘ　’）　（０（Ｙ　。

ｚく１）の単層、あるいはこれらの積層からなる。

まだ、Ｙを連続的に変化させた場合も使用できる。

この時の膜厚は、電荷移動層は６〜６０μｍ好適には１
０〜２６μｍ、また光導電層の膜厚は０．５〜１０μｍ
好適には１〜５μｍとすれば良い。

本発明において、更に電子写真特性を向上させるために
、第１図において、支持体１と電荷移動層２との間に、
支持体１から電荷移動層２に注入するキャリアを効果的
に阻止するため障壁層を設けてもよい。

障壁層を形成する材料としては、ム１２０．　、　Ｂａ
Ｏ５Ｂａｄ２．　Ｂｅｄ、　Ｂｉ２Ｏ，、ＣａＯ、Ｃｅ
Ｏ２，ｃ６２ｏ、　。

Ｌａ２０．　、　Ｄｙ２０．　、　Ｌｕ２０．　、０ｒ
２０．　、　ＣｕＯ。

Ｃｕ２Ｏ，ＦｅＯ，ＰｂＯ、−ＭｇＯ、ＳｒＯ、Ｔａ２
Ｏ，、Ｔｈｅ２゜ＺｒＯ□、　ＨｆＯ□、　Ｔｉｅ□、
　Ｔｉｅ、　Ｓｉｎ□、　Ｇｏｏ２゜ＳｉＯ、Ｇｏｏ等
の金稿酸化物またはＴｉｅ、ムＩＮ、ＳｎＮ。

ＮｂＮ、シボ、　Ｇ！ＬＨ等の金属窒化物、またはｗｅ
。

ｓｎｃ　、　ＴｉＯ等の金属炭化物またはＳｉＣ、Ｓｉ
Ｎ　。

（ｒｌ！ＩＣ、Ｇｅｌ　、　ＢＣ、ＢＮ等の絶縁物、ポ
リイミド。

ポリアミドイミド、ポリアクリルニトリル等の有機化合
物が使用される。

また、クリーニング性あるいは耐摩耗性あるいは耐コロ
ナ性を向上させるため、第１図および第２図において、
自由表面４上に表面被覆層を形成する。表面被覆層とし
て好適な材料としては。

５ｉｘＯ，ｘ、　５ｉｘＣ，−ｘ、　５ｉｘＮ、−ｘ、
　ＧｅｘＯｌ−ｘ。

ｅｅｘｃｌ−ｘ、　（”！”１−Ｘ　、　ＢｚＮｌ−１
、ＢＸＣＩ−Ｘ　。

ム１ｘＮ１．−ｘ（０（Ｘ（１）　、およびこれらに水
素あるいはハロゲンを含有する層等の無機物などが上げ
られる。

シリコンを含有する光導電層であるａ−Ｓｉ（：Ｈ：Ｘ
）Ｃ１作成には、　ＳｉＨ４，Ｓｉ□Ｈ６゜Ｓｉ、Ｈ８
，ＳｉＦ４．５ｉｌ１４．５ｉＨＦ５．　ＳｉＨ２Ｆ２
゜ＳｉＨ，Ｆ　、　５ｉＨＣ１，、５ｉＨ２Ｃ１２，Ｓ
ｉＨ，Ｃ１等のＳｉ原子の原料ガスを用いたプラズマＣ
ＶＤ法、または多結晶シリコンをターゲットとし、ムｒ
とＨ２（さらにＦ２又はＣ１２を混合しても良い）の混
合ガス中での反応性スパッタ法が用いられる。

また、　ａ−３ｉ、ｕＣｕ（：　Ｈ：Ｘ　）　（０＜Ｙ
＜１　）　　。

ａ−８ｉ、−ｕＯｕ（：Ｈ：Ｘ）　（０（Ｙ（１）　、
　＆−３ｉ、　−ｕＮｕ（：Ｈ：Ｘ）（０＜Ｙ＜１）の
作成には、更に炭素源トシテ、ａＨ４，Ｃ２Ｈ６，Ｃ３
Ｈ８，Ｃ４Ｈ４゜。

Ｃ２Ｈ４ｔ　Ｃ，Ｈ６ｔ　Ｃ４Ｈ８，Ｃ２Ｈ２，Ｃ３Ｈ
４，０４Ｈ６゜Ｃ６Ｈ６等の炭化水素、ＯＨ，Ｆ　、　
ＣＨ，Ｃ１、ＣＨ，Ｉ　。

Ｃ２Ｈ５Ｃ１、０２Ｈ５Ｂｒ等ノハロゲン化アリル１Ｇ
ＯＬＦ、　、　ＣＦ４．　ＣＨＦ、　、　Ｃ２Ｆ６．　
Ｃ３Ｆ８等（７）７０ンガス、Ｃ６Ｈ６−Ｉ！ＩＦ、、
Ｉ（ｍ＝１〜６）の弗化ベンゼン等のＣ原子の原料ガス
をプラズマＣＶＤ法に用いるシリコン原料ガスと混合し
て、あるいは、反応性スパッタ法にはムｒ等のスパッタ
ガスと混合して用いる。また、酸素源としてば０２．Ｇ
ｏ。

Ｃｏ２．　Ｎｏ　、　ＮＯ□等、また、窒素源としては
Ｎ２．ＮＨ３，Ｎｏ等を混合して用いる。

また、ｈ　−３ｉ　（：　Ｈ，：　Ｘ　）にＧｅを添加
する場合もＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３Ｈ８，ＧｅＦ
４．　ＧｅＣｌ４゜ＧｅＨＦ３．　ＧｅＨＣｌ３．　Ｇ
ｅＨ，Ｆ　、　ＧｅＨＣｌ３゜ＧｅＨ２Ｃ１２，ＧｅＨ
Ｃｌ３のガスを上記Ｓｉ原子の原料ガスと混合しプラズ
マＣＶＤ法によって形成することも出来る。

さらに、本発明において、上記のａ−８ｉ（：Ｈ：Ｘ）
ＩＬ−３ｉｎ−１１０１１（：　Ｈ：　Ｘ　）　（０＜
Ｙ＜１　）、　ａ−３ｉ、−ｕＯｕ（：　Ｈ：　Ｘ　）
　（０（Ｙ（１＞　、　ａ−８ｉ、−ｕＮｕ（：Ｈ：Ｘ
）（０（Ｙ（１）、あるいはこれらにＧｅ添加のこれら
の膜中に、不純物を添加することにより伝導性全制御し
、所望の電子写真特性を得ることができるｏｐ型型環導
性与えるｐ型不純物としては、周期律表第■族すに属す
るＢ、ムｌ　、　Ｇａ　、　Ｉｎ等がちシ、好適にはＢ
、ムｌ　、　Ｇａが用いられ、ｎ型伝導性を与えるｎ凰
不純物としては１周期律表第Ｖ族すに為するＮ、　Ｐ　
、ムｓ　、　Ｓｂ　　等が有り。

好適にはＰ、ムＳが用いられる。

また、これらの不純物を添加する方法として、ｐ型不純
物の場合Ｉ　Ｂ２”６　、Ｂ４Ｈ１Ｏ、Ｂ５Ｈ９。

Ｂ、、Ｈ，１，Ｂ６Ｈ１２，Ｂ６Ｈ１４，ＢＦ、　、　
ＢＣｌ３．　ＢＢｒ、　。

ＡｌＣｌ、　、　　（ＯＨ，）、ムｌ　、　（Ｃ２Ｈ５
）３ムｌ　、　（ｉ−Ｃ４Ｈ９）。

ム１　、　（ＣＨ，）、Ｇｏ　、　（Ｃ２Ｈ５）、Ｇ！
Ｌ　、　ＩｎＣｌ３゜（Ｃ２Ｈ５）３Ｉｎを、ｎ型不純
物の場合、　Ｎ２．　ＭＥ、　。

Ｎｏ　、　Ｎ２０　、　Ｎｏ２．　ＰＨ３，Ｐ２）１４
．　ＰＨ４工、　ＰＦ３ＰＦ５．　ＰＣｌ３．　ＰＣｌ
５．　ＰＢｒ３　、　ＰＢｒ３．　ＰＩ、　。

ムｓＨ，、ムｓＦ、　　、　ムｓｃｌ、、　ムｓＢｒ、
　　、　　ＳｂＨ，。

ＳｂＦ、　、　ＳｂＦ５．５ｂＣ１，、５ｂＣ１５等の
ガスを。

あるいはこれらのガスをＮ２．　Ｈｅ　、ムｒで希釈し
たガスを、プラズマＣＶＤ法では、それぞれの膜形成時
において、使用する上記のＣ原子、Ｓ工原子等の原料ガ
スと混合して用いれば良く、反応性スパッタ法では、ム
ｒまたはＮ２あるいは２２６Ｃ１□に混合して用いれば
良い。

高分子物質によυ形成される電荷移動層は、一度前駆体
を形成し、その後、以下の構造を有する。

（ｎ）１．　Ｒ：Ｈ，ＯＲ，Ｏ、Ｃ２Ｈ３Ｏ，ＯＨ，、
Ｃ１）その赤外吸収スペクトルは、３０２４±３０３−
’の位置にビニレン結合に起因する吸収ム、２９１３±
３０　ｆｆ１−　’の位置に前駆体構造の−ＣＨ２−に
起因する吸収Ｂを有し、それら吸収の積分強度比Ｘｓ／
エムは、前駆体から生成物への生成割合に起因する。加
熱等処理を行なうことによシ反応が進み生成物の割合が
増加してくる。この吸収の積分強度比ＩＢ／ＩＡが０．
１≦ＩＢ／ＩＡ≦０．９の範囲内にある高分子層によシ
ミ荷移動層を形成する０以下、実施例について述べる〇実施例１鏡面研磨したアルミニウム基板上に高分子スルホニウム
塩の１つであるポリ（キシリレン−α−ジエチルスルホ
ニウムブロマイド）を塗布し減圧下で〜３０℃でフィル
ム化を行い高分子層を得た。

この高分子層を窒素ガス中にて２００〜４００’Ｃにて
１〜１６時間の加熱処理を行った０これにより、；ｆ：
ｌ）Ｃキシリレン−α−ジエチルスルホニウムブロマイ
ド）のＢｒ、あるいは（０２Ｈ５）　２Ｓが解離すると
同時にこれらの高分子間の重合度が進み共役鎖Ｑ長さが
増加する。また、光学的禁止帯幅は減少し、当初可視領
域に吸収もなく透明（２，７ｅＶ　）であったものが、
〜４３０ｎｌｌｌ付近に吸収ピークが現れ黄色く着色（
２，１〜２．４　ｅＶ　）　したポリ（ｐ−７エニレン
ビニレン）カ得うれる。

このポリ（ｐ−フェニレンビニレン）ハ以下の構造を有
し、Ｘ　：　Ｃ２Ｈ２，ｎ　＝　５〜４０であった０この加
熱処理後の高分子層の赤外線吸収スペクトルを第２図に
示す。このとき、３０２４±３０ｆｆ”−’の吸収ム、
２９１３±３０イ１の吸収Ｂの積分強度比Ｉ　Ｂ　／　
Ｉ　ｈは０．６６であった０上記の層を電荷移動層とし
て加熱処理後の膜厚で２６μｍ形成した基板を６インチ
の放電電極を有する平行平板型の容量結合方式プラズマ
ｃｖｐ装置内に配置し、反応容器内ｆ　５　Ｘ　１０−
６Ｔｏｒｒ以下に排気後、基板を１５０〜２００’Ｃに
加熱した０つぎに５ｉｎ４を１０〜４０　ＳＯＣ’ｍ導
入し、圧力０．２〜１．０　Ｔｏｒｒ　、高周波電力２
０〜１００Ｗでノンドープ＜　ｎｏｎ　−ｄｏｐｅｄ　
＞　ａ　−ｓｉ二二層層光導電層として０．５°〜５　
μｍ’形成し、更に、５ＩＨ４ｋｌ　０〜３０　ｓｃｃ
ｍ　、　Ｃ２Ｈ４を２　Ｃ）〜４０　ＳＣ；ＯＮ導入し
、圧力０．２〜１．０　Ｔｏｒｒ、高周波電力６０〜１
５０ＷでＳｉ、−ｘＣｘ：　Ｈ（０（Ｘ＜１　）を表面
被服層として０．０８〜０．３μｍ形成して電子写真感
光体を作成した。

このようにして得られた電子写真感光体’０６−ＯＫＶ
でコロナ帯電させたところ、＋２２００Ｖの表面電位を
得ることが出来、白色光で露光したところ、残留電位子
ＳＯＷ以下で半減電位露光量は１１ｕｘ　−ｓｅｃ以下
と非常に高い感度が得られた。

また、この感光体を＋９００Ｖに帯電させ同じく白色光
にて露光したところ、半減電位露光量は０．２　ｌｕｘ
　−ｓｅｃ以下と感度は非常に高い。これを従来のａ−
Ｓｉ：Ｈの２０μｍからなる感光体を＋４００Ｖに帯電
させ白色光で露光した場合と比較すれば３倍の感度があ
り、可視光のみに限シ露光を再度行い比較したところ、
４倍以上の感度が確認された。また、同じコロナ電位で
の帯電ではａ−３ｉ：Ｈのみに比べ、帯電電位も４倍以
上と少ない帯電電流で高い感度の感光体が得られる事を
示した。

また、　０．２〜２　μｒｒｌのａ−３ｉ：Ｈ光導電層
に酸素１２０ｃ）〜３０００ｐＰｍ添加した場合も、Ｂ
を０．５〜ｓ　ｐｐｍ添加した場合も上記と同様な特性
を示す電子写真感光体を形成できた。

一方、加熱処理の不十分な状態での高分子層の赤外線吸
収スペクトルの吸収ム、吸収Ｂの積分強度比Ｉ　ｎ／　
Ｉムは１．１　　であシ、この高分子層を用いて得られ
た感光体では、残留電位が高く十分な画像濃度が得られ
なかった。また５００℃で５時間加熱処理を施したもの
は、帯電電位が著しく低下する。

実施例２表面研磨したアルミニウムドラムに以下の構造をもつス
ルホニウム塩を塗布、乾燥し、フィルム化を行ない高分
子層を得だ。

ｔＩｔこの高分子層を真空中で１５０〜３００℃にて１〜２０
時間加熱処理を行った。こうして得られた高分子層の赤
外吸収スペクトルの吸収ム、Ｂの積分強度比Ｉ　！ｌ　
／　Ｘムは０．４２であった。

これを、長さ４６個、内径１６１φの円筒型の放電電極
を有する容量結合方式プラズマＣＶＤ装置内に配置し、
反応容器内を６×１σ６Ｔｏｒｒ以下に排気後、アルミ
ニウムドラムを１６０〜２０００Ｃに加熱した。　５ｉ
ｎ４を５０〜１５０１１００Ｗｒ　。

０２Ｈ２を２〜１ｏＳＣｃｍ、Ｂ２Ｈ６を５ｉｎ４　　
に対し５〜１１００ｐｐ、圧力０．２〜１．ｏＴｏｒｒ
ｌ高周波電力１００〜２５ｏＷでａ−３ｉ、−、Ｃｘ：
　Ｈ層を１〜６μｍ形成し、続いて、　ＳｉＨ４に加え
てＣ２Ｈ２を２０〜５０　ＳＣＣｍと増加し、ａ−８ｉ
、−ｘＣｘ層０．０５〜Ｏ，Ｓμｍを形成し電子写真感
光体とした〇この時のａ−３ｉ１−ｘＣｘ：　Ｈ層の光
学的禁止帯幅が１．７〜１．９ｅｖであシ、この感光体
’１６７０　ｎｍのＬＥＤＱ光源とする光プリンタに実
装し、正帯電において＋６００〜ａｏｏＶの表面電位で
鮮明な印字を確認した。

また、　ａ−３ｉ、−ｘＣｘ：　ＨにＧｅを添加したａ
−（Ｓｉ、２Ｇｅ　２＞　、−ｘＣｘ：　Ｈを用いれば
更に感度の向上が計られた。

表面被覆層としてａ−５ｉ１−ｘＣｘ層に代わる材料と
して０．１〜０．５μｍのａ−Ｇｅ、−ｘＣｘ：Ｈ（０
（Ｘ＜：１　）をプラズマＣｖＤ法で形成し、同様に光
プリンタに実装したところ、この構成の電子写真感光体
が耐熱性、耐湿性に優れ、５０万枚の耐刷性を有するこ
とを確認した。

発明の効果本発明による電子写真感光体は、光励起によって移動可
能なキャリアを発生する光導電層を、電荷移動層上に積
層する際、加熱等処理を施すことにより前期電荷移動層
が前駆体状態を経て高分子層を形成する０このとき、赤
外吸収スペクトルの吸収ムと吸収Ｂの積分強度比ＩＢ／
ＩＡｆ０．１≦Ｉ　ｓ　／　Ｉム≦０．９とすることに
よシ、キャリア移動度の大きな、抵抗の比較的高い電荷
移動層を形成することが可能となる。

以上の効果によシ、・残留電位の小さな、高感度で帯電
電位の大きな電子写真感光体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における電子写真感光体の断面
図、第２図は本発明の実施例における電荷移動層ポリ（
ｐ−７二二レンピニレン）の赤外１・・・・・・支持体
、２・・・・・・電荷移動層、３・・・・・・光導電膚
、４・・・・・・自由表面。代理人の氏名　升埋土　中　尾　敏　男　ほか１名！−
・−支符俸第１図　　　　　　４−自由表面乙第２図 −ｉす＜Ｐ−フェニレンビニレンンの庁汐ト吸収スヘ９
グトルシ友　奎父　（ＣＭ−’）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光励起によって移動可能なキャリアを発生する光
導電層と、上記キャリアが効果的に注入され、且つ注入
面から反対面に効果的に移動し得る電荷移動層とを積層
する電子写真感光体において、前記電荷移動層が以下の
構造を有する高分子を含み、 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｎ＞１、Ｒ：Ｈ、ＣＨ＿３Ｏ、Ｃ＿２Ｈ＿５Ｏ、ＣＨ
＿３、Ｃｌ）かつ、その赤外吸収スペクトルが３０２４
±３０ｃｍ＾−＾１の位置に吸収Ａ、２９１３±３０ｃ
ｍ＾−＾１の位置に吸収Ｂを有し、それら吸収の積分強
度比Ｉ＿Ｂ／Ｉ＿Ａが０．１≦Ｉ＿Ｂ／Ｉ＿Ａ≦０．９
の範囲内にあるように構成した電子写真感光体。
（２）光導電層が局在化状態密度を減少せしめる修飾物
質を含む非晶質層を有する特許請求の範囲第１項記載の
電子写真感光体。
（３）電荷移動層に、電子受容体としてＡｓＦ＿５、Ｓ
Ｏ＿３、ＳｂＦ＿５、Ｂｒ＿２、Ｉ＿２、ＴＣＮＱを０
．０１〜０．４ｗｔ％添加した特許請求の範囲第１項記
載の電子写真感光体。
（４）光導電層が、少なくとも水素あるいはハロゲン元
素のいずれかを含む特許請求の範囲第２項記載の電子写
真感光体。
（５）電荷移動層である高分子層を形成後あるいは形成
中に加熱処理を施すことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の電子写真感光体。
（６）電荷移動層に加熱処理を施す際、空気、Ａｒ、Ｈ
＿２、Ｎ＿２、Ｏ＿２雰囲気中、あるいは真空中で行な
う事を特徴とする特許請求の範囲第５項記載の電子写真
感光体。
（７）自由表面に表面被覆層を有する特許請求の範囲第
１項記載の電子写真感光体。