JPS62284361A

JPS62284361A - 感光体

Info

Publication number: JPS62284361A
Application number: JP12879586A
Authority: JP
Inventors: Shuji Iino; 修司飯野; Hideo Yasutomi; 英雄保富; Mitsutoshi Nakamura; 中村　光俊; Mochikiyo Osawa; 大澤　以清; Isao Doi; 勲土井
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1986-06-03
Filing date: 1986-06-03
Publication date: 1987-12-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】３、発明の詳細な説明産業上の利用分野本発明は、非晶質炭素膜を電荷輸送層とした感光体に関
する。

従来Ω技術カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ビラプリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散き
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
として発火性の強いシランガスを必要とするため、製造
上の危険性が高い。また、シランガスを多量に必要とす
る反面、高価なガスであることから、出来上がった電子
写真感光体も、従来の感光体に比べ大幅に高価なものと
なる。また、成膜速度が遅く、成膜時に爆発性を有する
多量のシラン未分解生成物を粉塵状に発生する等、生産
上の不都合も多い。この粉廖が製造時に感光層中に混入
した場合には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。また
、アモルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため
帯電性能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電する
ためには、帯電器に高出力が要求きれる。また一方、近
年ではプラズマ有機重合膜を感光体に用いることが提案
されている。

プラズマ有機重合膜自体は古くより知られており、例え
ばジエン（Ｍ、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ、Ｂｅ１ｌ
）らにより、１９７３年のジャーナル・オブ・アプライ
ド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａ
ｐｐｌｉｅｄＰｏｌｙｍｅｒ　５ｃｉｅｎｃｅ）第１７
巻の８８５〜８９２頁に於て、あらゆる有機化合物のガ
スから作製されうる事が、また、同著者により、１９７
９年のアメリカンケミカルソサエティ（Ａｍｅｒｉｃａ
ｎ　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行によるプラ
ズマポリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　ｐｏｌｙｍ
ｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論じられて
いる。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如＜１０１６ΩＣｍ程
の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくとも
そのような膜であるとの認識のもとに用いられていた。

実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識から
、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に限
られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバーコ
ート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される１０１３〜１０１５Ωｃｍの高抵抗のプラズマ
重合膜を１０λ〜１００人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５９−
１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。

特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として２００Ａ〜２μｍのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−３ｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を０．１〜１μ
ｍ設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１４
８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成さ
せる技術が開示きれている。特開昭６０−６１７６１号
公報には、表面保護層として、５００Ａ〜２μｍのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。特
開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５μｍ
程度の無定形炭素又は硬質炭素膜を表面保護層として用
いる技術が開示され、膜厚が５ｕｍを趣えると感光体活
性に悪影響が及ぶとされている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−３ｉの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグミ−放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、ａ−３ｉの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。

発Ｈが解決しようとする間６点以上の様に、従来、電子写真感光体に用いられているプ
ラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオー
バーコート層として使用きれていたが、それらはキャリ
アの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜が
絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従って
その膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか用
いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過するか
、トンネル効果が期待できない場合には、実用上の残留
電位としては問題にならずに済む程度の薄い膜でしか用
いられていない。

機能分離型電子写真感光体に於ては、電荷輸送層はキャ
リア輸送性に優れている必要があり、キャリア易動度と
して少なく±も１０−７［ｃｍ２／Ｖ／ｓｅｃ］以上の
値が必要である。また、電子写真システムの中で好適に
使用するために帯電性能に優れている必要があり、少な
くとも１０［Ｖ／μｍ］以上の耐圧が要求され、ざらに
帯電器の負荷を抑えるために比誘電率にして６以下の値
を有する事が好ましい。

問題色を解′するための手段本発明は、従来の電子写真感光体が有する上記欠点を解
消し、電荷輸送層として環式炭化水素の低圧力下でのプ
ラズマ重合反応により生成され、水素原子を全構成原子
中０．１−６７原子％含む非晶質炭化水素することを特
徴とする感光体に関する。該電荷輸送層は、可視光もし
くは半導体レーザー光付近の波長の光に対しては、明確
なる光導電性は有しないが、好適な電荷輸送性を提供し
、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染性等の
電子写真感光体性能に優れ、しかも透光性にも優れるた
め、特に機能分離型感光体とじての積層構造を形成する
場合に於ても極めて高い自由度が得られるものである。

本発明者らは、プラズマ有機重合膜の感光体への応用を
検討しているうちに、本来絶縁性であると考えられてい
た有機重合膜が、環式炭化水素を原料として生成される
重合膜中の水素量が０．１乃至６７原子％の非晶質炭化
水素においては、比抵抗が低く、容易に電荷輸送性を示
す事を見出した。その理論的解釈には本発明者において
も不明確な点が多く詳細に亙り言及はできないが、電荷
発生層中に捕捉されている比較的不安定なエネルギー状
態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリーラジカ
ル等が、環式炭化水素により形成された網目構造の中に
環式構造が局在する事による、分極もしくは立体的構造
等の変化により、電荷輸送性に効果的に寄与するためと
推定される。

このような環式構造の局在化は、環式炭化水素蒸気をプ
ラズマに曝すことにより、一部は環式構造の開環反応、
一部は二重結合への付加反応、一部は水素或はアルキル
の離脱によるラジカル形成とそれに伴う結合反応、ざら
に一部はイオンの形成とそれに伴う結合反応等がランダ
ムに達成され、高度に三次元的に架橋した強固な構造中
に環式構造が残存する形で取り込まれるものと解される
。

ここで本発明による重合膜（以下、ａ　−Ｃ膜と称する
）炭素原子、及び水素原子の量は元素分析の常法、例え
ば有機元素（ＣＨＮ）分析等を用いる事によって知る事
が可能である。

本発明に於ては、ａ−Ｃ膜を形成するための有機気体と
して環式炭化水素が用いられる。該炭化水素における相
状態は常温常圧において必ずしも気相である必要はなく
、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化
しうるものであれば、液相でも固相でも使用可能である
。該環式炭化水素としては脂環式炭化水素及び芳香族炭
化水素、が用いられる。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、脂環式炭化水素
としては、例えば、シクロプロパン、シクロブタン、シ
クロペンタン、シクロヘキサン、シクロへブタン、シク
ロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、シクロブン
テ゛カン、シクロドデカン、シクロトリデカン、シクロ
テトラデカン、シクロペンタデカン、シクロヘキサデカ
ン等のシクロパラフィン並びに、シクロプロペン、シク
ロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘ
プテン、シクロオクテン、シクロノネン、シクロデセン
等のシクロオレフィン並びに、リモネン、テルビルン、
フエランドレン、シルベストレン、ツエン、カレン、ピ
ネン、ポルニレン、カンフエン、フエンチェン、シクロ
デカンチエン、トリシクレン、ビサボレン、ジンギベレ
ン、クルクメン、フムレン、カジネンセスキベニヘン、
セリネン、カリオフィレン、サンタレン、セドレン、カ
ンホレン、フィロクラテン、ボドカルブレン、ミレン等
のテルペン並びに、ステロイド等が用いられる。

芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ピフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フェナントレン等が用いられる
。

本発明に於けるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、炭素原子と水素原子の総量に対して０゜１乃至６７原
子％、好適には３ｏ乃至６０原子％である。水素原子の
量が０．１原子％より低い場合には、輸送性能が低下し
好適な光感度が得られない。水素原子の量が６７原子％
より高い場合には、帯電能の低下と成膜性の劣化を招く
。

本発明に於けるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化きせる
事が可能であり、水素量を低くするには、例えば、基板
温度を高くする、圧力を低くする、原料炭化水素ガスの
希釈率を低くする、印加電力を高くする、交番電界の周
波数を低くする、交番電界に重畳せしめた直流電界強度
を高くする等の手段により制御する事が可能である。

本発明に於ける電荷輸送層としてのａ　−Ｃ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至５
０μｍ１特に７乃至２０ｕｍが適当であり、５μｍより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事が出来ない。また、５０ｔｉｍより厚いと、生産性の
面で好ましくない。このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵
抗を有するとともに電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様
に５μｍ以上としてもキャリアはトラップされること無
く輸送きれ明減衰に寄与することが可能である。

本発明に於ける原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、更には、これらの組み
合わせにより形成されてもよい。その際重要な事は、該
ａ−ＣＭが環式炭化水素を原料ガスとしたプラズマ重合
反応により生成された、水素原子の量が前述の範囲の、
非晶質炭化水素膜となる様に形成する事である。

本発明による感光体に用いる電荷発生層は特に限定的で
はなく、例えば、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテ
ルル、硫化カドミウム、酸化亜鉛、特性を変えるため場
合により異種元素（例えば、水素、硼素、炭素、窒素、
酸素、弗素、燐、硫黄、塩素、臭素、ゲルマニウム、等
）を含有せしめたアモルファスシリコン、等の無機物質
、ポリビニルカルバゾール、シアニン系化合物、金属フ
タロシアニン系化合物、アゾ系化合物、ペリレン系化合
物、トリアリールメタン系化合物、トリフェニルメタン
系化合物、トリフェニルアミン系化合物、ヒドラゾン系
化合物、スチリル系化合物、ピラゾリン系化合物、オキ
サゾール系化合物、オキサジン系化合物、オキサジアゾ
ール系化合物、チアジン系化合物、キサンチン系化合物
、ビリリウム系化合物、キナクリドン系化合物、インジ
ゴ系化合物、多環キノン系化合物、ジスベンズイミダゾ
ール系化合物、インダスロン系化合物、スクアリリウム
系化合物、等の有機物質を用いる事が可能である。これ
以外にも、照射光により効率よく光励起キャリアを発生
し、そのキャリアを電荷輸送層中に効率よく注入しうる
材料であれば、いずれの材料であっても使用することが
できる。

また、該電荷発生層は製造方法に於ても制限を受けるこ
とはなく、例えば、本発明における電荷輸送層（ａ−Ｃ
膜）と同様の製造方法によってもよいし、液相中での電
着法、スプレー或はディッピング等による塗布法、等に
よって形成してもよい。中でも、本発明における電荷輸
送層と同様の製造方法にり成膜した場合には、製造装置
コスト、工程の省力化にもつながり好ましい。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離の構成とするのが最適で、該電荷発生層と
該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択する
ことが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を順次積層してなる
構成を示したものである。第２図は、別の一形態として
、導電性基板（１）上に電荷発生層（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。第
３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に、電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。　　。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合に於ては、第１図では電
荷発生層（３）で発生した正孔か電荷輸送層（２）中を
導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生Ｎ
（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体表
面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発生し
た正孔が下側の電荷輸送層（２）中を導電性基板（１）
に向は走行すると共に、同時に電荷発生層（３）で発生
した電子が上側の電荷輸送層（２）中を感光体表面に向
は走行し、好適な明減衰に保証された静電潜像の形成が
行なわれる。反対に感光体表面を負帯電した後、画像露
光して使用する場合に於ては、電子と正孔の挙動を入れ
代えて、キャリアーの走行性を解すればよい。第２図及
び第３図では、画像露光用の照射光が電荷輸送層中を通
過することになるが、本発明による電荷輸送層は透光性
に優れることから、好適な潜像形成を行なうことが可能
である。

第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面保護層（
４）を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第１図の形態では、最表面が本発明に於ては特に限定を
受けない電荷発生層で有ることから、多くの場合実用上
の耐久性を確保するために表面保護層を設けることが好
ましい。第２図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久
性に優れた本発明による電荷輸送層であるため、表面保
護層を設けなくてもよいが、例えば現像剤の付着による
感光体表面の汚れを防止するような、複写機内の各種エ
レメントに対する整合性を調整する目的から、表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。

第５図は、さらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面が本発明に於ては特に
限定を受けない電荷発生層で有ることから、多くの場合
接着性及び圧入阻止効果を確保するために表面保護層を
設けることが好ましい。第１図及び第３図の構成の場合
、導電性基板　との接合面が、接着性及び注入阻止効果
に優れた本発明による電荷発生層であるため、中間層を
設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前処理方法の
ような、感光層形成以前の製造工程との整合性を調整す
る目的から、中間層を設けることもざらなる一形態と成
りうる。

第６図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。中間層と表面保護層の設置理由は
前述と同様であり、従って第２図及び第３図の構成にお
いて中間層と表面保護層を設けることもざらなる一形態
と成りうる。

本発明において、中間層と表面保護層は、材料的にも、
製法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的
が達せられるものであれば、適宜選択することが可能で
ある。本発明によるａ　−Ｃ膜を用いてもよい。但し、
用いる材料が例えば従来側で述べたごとき絶縁性材料で
ある場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５μｍ
以下とする必要がある。

本発明においては、ａ−Ｃ電荷輸送層の静電特性を調節
するために、該電荷輸送層中に炭素及び水素以外のへテ
ロ原子を混入させてもよい。例えば、正孔の輸送特性を
ざらに向上させるために、周期律表第１ＩＩ族原子或は
ハロゲン原子を混入させてもよい。電子の輸送特性をざ
らに向上きせるために、周期律表第Ｖ族原子或はアルカ
リ金属原子を混入ざ瀬手もよい。正負両キャリアの輸送
特性をざらに向上させるために、シリコン原子、ゲルマ
ニウム原子、アルカリ土類金属原子、或はカルコゲン原
子を二人きせてもよい。これらの原子は複数用いてもよ
いし、目的により電荷輸送層内で特定の位置だけに混入
してもよいし、濃度分布等を有してもよいが、いずれの
場合においても重要な事は、該電荷輸送層を形成する際
、環式炭化水素を原料ガスとして成膜することである。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積きせる、所謂プラズマ重合反応
から生成きれる。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７’０６）は常温において気相状態にあ
る原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６
タンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７
）〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜
（７１８）に接続されている。図中（７１９）〜（７２
１）は常温において液相または固相状態にある原料化合
物を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化の
ため第１乃至第３加熱！　（７２２）〜（７２４）によ
り与熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調
節弁（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制御器
（７２８）〜（７３０）に接続きれている。これらのガ
スは混合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）
を介して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管
は、常温において液相または固相状態にあった原料化合
物が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配
置された配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされ
ている。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電
極（７３６）が対向して設置され、各々の電極は電極加
熱器（７３？）により与熱可能とされている。電力印加
電極（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を
介して高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（７
４０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィル
タ（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されて
おり、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異な
る電力が印加可能とされている。反応室（７３３）内の
圧力は圧力制御弁（７４５）により調整可能であり、反
応室（７３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を
介して、拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポンプ（７４
８）、或は、冷却除外装置（７４９）　、メカニカルブ
ースターポンプ（７５０）、油回転ポンプ（７４８）に
より行なわれる。排ガスについては、更に適当な除外装
置（７５３）により安全無害化した後、大気中に排気さ
れる。これら排気系配管についても、常温において液相
または固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、
途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器（
７３４）により、与熱可能とされている。反応室（７３
３）も同様の理由から反応室加熱器（７５１）により与
熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性基板（７
５２）が設置される。図７−１に於て導電性基板（７５
２）は接地電極（７３５）に固定して配きれているが、
電力印加電極（７３６）に固定して配きれてもよく、更
に双方に配されてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（７３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様である。

第８図に於て、反応室（７３３）内部には、第７図に於
ける接地電極（７３５）を兼ねた円筒形の導電性基板（
７５２）が設置され、内側には電極加熱器（７３７ａ）
が配されている。導電性基板（７５２）周囲には同じく
円筒形状をした電力印加電極（７３６）が配きれ、外側
には電極加熱器（７３７ｂ）が配されている。導電性基
板（７５２）は、外部より駆動モータ（７５４）を用い
て自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃至
第３容器から適宜環式炭化水素よりなる原料ガスを第１
乃至第９流量制御器を用いて定流量化しながら反応室内
に導入し、圧力調節弁により反応室内を一定の減圧状態
に保つ。ガス流量が安定化した後、接続選択スイッチに
より、例えば高周波電源を選択し、電力印加電極に高周
波電力を投入する。両電極間には放電が開始され、時間
と共に基板上に固相の膜が形成される。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚に達したとこ
ろで放電を停止し、本発明によるａ−Ｃ膜を電荷輸送層
として得る。このａ−Ｃ膜は、本発明により生成した環
式炭化水素を原料ガスとしてプラズマ重合され、膜中に
含有される水素原子の量が炭素原子と水素原子の総量に
対して０．１乃至６７原子％である事を特徴とする膜で
ある。次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内を
充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる場
合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明による
電子写真感光体を取り出す。更に所望の感光体構成に於
て、電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場
合には、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真
空を破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、
本発明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

実施例１本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程（ＣＴＬ）：第７図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部をｌ　０＝Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高真
空にした後、第７調節弁（７２５）を解放し、第１容器
（７１９）よりスチレンを第１加熱器（７２２）温度２
５℃の下で気化して、第７流量制御器（７２８）内へ流
入させた。そして第７流量制御器（７２８）の目盛を調
整して、スチレンガスの流量を２０ｓｅｃｍとなるよう
に設定して、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ
流入した。流量が安定した後に、反応室（７３３）内の
圧力が０．６５Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４
５）を調整した。一方、導電性基板（７５２）としては
、樅５０Ｘ横５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用い
て、予め９０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安
定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により
接続しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印
加電極（７３６）に１２０Ｗａｔｔの電力を周波数３０
ＫＨｚの下で印加して１５分間プラズマ重合反応を行な
い、導電性基板（７５２）上に厚さ７．０μｍのａ　−
Ｃ膜を電荷輸送層と９して形成した。成膜完了後は、電
力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を
充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につｔｃＨＮ定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して５２原子％出会った。

電荷発生層形成工程（ＣＧＬ）：次いで、第一調節弁（７０７）　、及び第６調節弁（７
１２）を解放し、第一タンク（７０１）から水素ガス、
及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧Ｉ
Ｋ　ｇ７ｃｍ’ｏ下’ｒｚ１・及ヒ第６流量制御器（７
１３、及び７１８）内へ流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を２１０　ｓ　ｃ’ｃｍ、
及びシランガスの流量を９０ｓｅｃｍに設定し、反応室
（７３３）内に流入させな。各々の流量が安定した後に
、反応室（７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒｒとなるよ
うに圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ　−Ｃ
膜が形成されている導電性基板（７５２）は、１５０℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた
高周波電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下
で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加
し、グロー放電を発生させた。この放電を１５分間行な
い、厚ざ０．３５μｍのａ−３ｉ：Ｈ電荷発生層を形成
した。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ最高帯電電位は一６００Ｖで有り、即ち、全感
光体膜厚が７．３５μｍであることから１μｍ当りの帯
電能は約８０Ｖと極めて高く、このことから充分な帯電
性能を有する事が理解きれた。また、暗中にて一６００
Ｖから−５５○Ｖにまで暗減衰するのに要した時間は約
２５秒であり、このことから充分な電荷保持性能を有す
る事が理解された。また、−５００Ｖに初期帯電した後
、白色光を用いて一１５０Ｖまで明減衰させたとこる必
要とされた光量は約２．１ルツクス・秒であり、このこ
とから充分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。

実施例２本発明に係わる製造装置を用いて、第２図に示す如き、
導電性基板、電荷発生層、電荷輸送層をこの順に設けた
感光体を作製した。

工程：作製の具体的手法は、実施例１に於てＣＴＬ工程とＣＧ
Ｌ工程の順番を入れ換えた以外は、実施例１と全く同様
にして行なった。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ最高帯電電位は＋６５０Ｖで有り、即ち、全感
光体膜厚が７．３５μｍであることから１μｍ当りの帯
電能は約９０Ｖと極めて高く、このことから充分な帯電
性能を有する事が理解された。また、暗中にて＋６００
Ｖから＋５５０■にまで暗減衰するのに要した時間は約
２５秒であり、このことから充分な電荷保持性能を有す
る事が理解きれた。また、＋５００Ｖに初期帯電した後
、白色光を用いて＋１５０Ｖまで明減衰させたとこる必
要とされた光量は約４．３ルツクス・秒であり、このこ
とから充分な光感度性能を有する事が理解された。

実施例３本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
感光体を作製した。

ＣＴＬ工程：第７図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高真
空にした後、第１調節弁（７０７）を解放し、第１タン
ク（７０１）より水素ガスをキャリアガスとして出力圧
１．０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１流量制御器（７１３）内
へ、同時に、第７調節弁（７２５）を解放し、第１、及
び第２容器（７１９、及び７２０）よりスチレンを第１
加熱器（７２２）温度２５℃の下で、及びベンゼンを第
２加熱器（７２３）温度２０℃の下で気化し、夫々第７
、及び第８流量制蓼器（７２８、及び７２９）内へ流入
させな。そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガ
スの流量を４０ｓｅｃｍ。

スチレンガスの流量を３０ｓｅｃｍ、及びベンゼンガス
の流量を２０ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合
器（７３１）を介して、主管（７３２）より反応室（７
３３）内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応
室（７３３）内の圧力が０．５Ｔｏｒｒとなるように圧
力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電性基板（７
５２）としては、樅５０Ｘ横５０×厚３ｍｍのアルミニ
ウム基板を用いて、予め１２０℃に加熱しておき、ガス
流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ
（７４４）により接続しておいた高周波電源（７３９）
を投入し、電力印加電極（７３６）に１００Ｗａｔｔの
電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下で印加して２時間プ
ラズマ重合反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚
き２５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成
膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室
（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につきＣＨＮ定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して３５原子％であった。

ＣＧＬ（ａ−３ｉ）工程：次いで、実施例１と同様にして、厚ざ０．３５μｍのａ
−３ｉ：Ｈ電荷発生層を形成した。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ一１０００Ｖ以上の帯電電位が得られ、このこ
とから充分な帯電性能を有する事が理解された。また、
暗中にて一６００Ｖから一５５０Ｖにまで暗減衰するの
に要した時間は約４０秒であり、このことから充分な電
荷保持性能を有する事が理解された。また、−５００Ｖ
に初期帯電した後、白色光を用いて一１５０Ｖまで明減
衰させたとこる必要とされた光量は約１．９ルツクス・
秒であり、このことから充分な光感度性能を有する事が
理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像か得られた。

衷旅健４本発明に係わる製造装置を用いて、第２図に示す如き、
導電性基板、電荷発生層、電荷輸送層をこの順に設けた
感光体を作製した。

工程：作製の具体的手法は、実施例３に於てＣＴＬ工程とＣＧ
Ｌ工程の順番を入れ換えた以外は、実施例３と全く同様
にして行なった。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ＋１０ｏｏｖ以上の最高帯電電位が得られ、こ
のことから充分な帯電性能を有する事が理解された。ま
た、暗中にて＋６００Ｖから＋５５０Ｖにまで暗減衰す
るのに要した時間は約３０秒であり、このことから充分
な電荷保持性能を有する事が理解された。また、＋５０
０■に初期帯電した後、白色光を用いて＋１５０■まで
明減衰させたところ必要とされた光量は約５．８ルツク
ス・秒であり、このことから充分な光感度性能を有する
事が理解された。

実施例５本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程：第８図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空に
した後、第７調節弁（７２５）を解放し、第１容器（７
１９）よりスチレンを第１加熱器（７２２）　温度３５
℃の下で気化して、第７流量制御：ａ器（７２８）内へ
流入させた。そして第７流量制御器（７２８）の目盛を
調整して、スチレンガスの流量を１０１００５ｅとなる
ように設定して、主管（７３２）より反応室（７３３）
内へ流入した。流量が安定した後に、反応室（７３３）
内の圧力が０．７Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７
４５）を調整した。一方、導電性基板（７５２）として
は、直径８０×長き３３０ｍｍの円筒形アルミニウム基
板を用いて、予め１００℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４
４）により接続しておいた低周波電源（７４１）を投入
し、電力印加電極（７３６）に２００Ｗａｔｔの電力を
周波数３０ＫＨｚの下で印加して３０分間プラズマ重合
反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚き１８μｍ
のａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は
、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）
内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ１ｙＡにつきＣＨＮ定
量分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭
素原子と水素原子の総量に対して４９原子％であった。

ＣＧＬ　（ａ−３ｉ）工程：次いで、第１調節弁（７０７）、第５調節弁（７１１）
、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７
０１）から水素ガス、第５タンク（７０５）から水素ガ
スで５０ｐｐｍに希釈されたジボランガス、及び第６タ
ンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ
２の下で第１、第５、及び第６流量制御器（７１３，７
１７、及び７１８）内へ流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を３００Ｓｃｃｍ１水素ガ
スで５０ｐｐｍに希釈されたジボランガスの流量を１０
１０５ｅ、及びシランガスをの流量を１００　ｓ　ｅ　
ｃｍに設定し、反応室（７３３）内に流入させな。各々
の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１
．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整
した。

一方、ａ−Ｃ膜が形成きれている導電性基板（７５２）
は、１００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接
続しておいた高周波電源（７３９）より周波数１３．５
６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に１５０Ｗａｔ
七の電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電
を２０分間行ない、厚き１μｍのａ−３ｉ：Ｈ電荷発生
層を形成した。

特性；得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ＋１０００Ｖを越える最高帯電電位が得られ、
このことから充分な帯電性能を有する事が理解された。

また、暗中にて＋６００Ｖから＋５５０Ｖにまで暗減衰
するのに要した時間は約３０秒であり、このことから充
分な電荷保持性能を有する事が理解された。また、＋５
００Ｖに初期帯電した後、白色光を用いて＋１５０Ｖま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は約２゜フルッ
クス・秒であり、このことから充分な光感度性能を有す
る事が理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスによる複写機の中で、作像して
転写したところ、鮮明な画像が得られた。

害旅例旦本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程：実施例５と全く同様にして電荷輸送層を得た。

ＣＧＬ工程：本発明による電荷輸送層形成後、リークし試料を取り出
した。次いで別の真空蒸着装置を用いて、Ａｓ２Ｓｅ３
を抵抗加熱法にて２μｍの膜厚となるようにＣＴＬ工程
で得られた電荷輸送層上に設けた。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ＋１００ＯＶを越える最高帯電電位が得られ、
このことから充分な帯電性能を有する事が理解された。

また、暗中にて＋６００Ｖから＋５５０Ｖにまで暗減衰
するのに要した時間は約１５秒であり、このことから充
分な電荷保持性能を有する事が理解された。また、＋５
００■に初期帯電した後、白色光を用いて＋１５０Ｖま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は約１゜８ルツ
クス・秒であり、このことから充分な光感度性能を有す
る事が理解された。

実施例７本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程：第７図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部を１０＝Ｔｏｒｒ程度の高真空にし
た後、第７調節弁（７２５）を解放し、第１容器（７１
９）よりシクロヘキサソを第１加熱器（７２２）温度４
０℃の下で気化して、第７流量制御器（７２８）内へ流
入させた。

そして第７流量制御器（７２８）の目盛を調整して、シ
クロヘキサンガスの流量を７０ｓｅｃｍとなるように設
定して、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入
した。流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が０．５Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５
０Ｘ横５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め８０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力か安定した
状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続し
ておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極
（７３６）に１２０Ｗａｔｔの電力を周波数５０ＫＨｚ
の下で印加して３０分間プラズマ重合反応を行ない、導
電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷
輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止
し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気し
た。

以上のようにして得られたａ−（ＪｊにっきＣＨＮ定量
分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素
原子と水素原子の総量に対して５８原子％であった。

ＣＧＬ（ａ−３ｉ）工程：次いで、第１調節弁（７０７）、及び第６調節弁（７１
２）を解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、及
び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫ
ｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第６流量制御器（７１３，
７１７、及び７１８）内へ流入させた。各流量制御器の
目盛を調整して水素ガスの流量を２１０ｓｅｃｍ、及び
シランガスをの流量を１０１００５ｅに設定し、反応室
（７３３）内に流入させな。各々の流量が安定した後に
、反応室（７３３）内の圧力が１．ＯＴ。

ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は
、１００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた高周波電源（７３９）より周波数１３．５６
ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４０Ｗａｔｔの
電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を２
０分間行ない、厚き１μｍのａ−３ｉ：Ｈ電荷発生層を
形成した。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ一１０００Ｖを越える最高帯電電位が得られ、
このことから充分な帯電性能を有する事が理解された。

また、暗中にて一６００Ｖから一５５０Ｖにまで暗減衰
するのに要した時間は約２５秒であり、このことから充
分な電荷保持性能を有する事が理解された。また、−５
００Ｖに初期帯電した後、白色光を用いて一１５０Ｖま
で明減衰させたところ必要とされた光量は約２゜１ルツ
クス・秒であり、このことから充分な光感度性能を有す
る事か理解された。

実施例８本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程：第７図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空に
した後、第７調節弁、及び第８調節弁（７２５、及び７
２６）を解放し、第１容器（７１９）よりシクロヘキサ
ンを第１加熱器（７２２）温度４０℃の下で、及び第２
容器（７２０）よりキシレンを第２加熱器（７２３）温
度６０℃の下で気化して、第７流量制御器、及び第８流
量制御器（７２８、及び７２９）内へ流入させた。そし
て各々の流量制御器の目盛を調整して、シクロヘキサン
ガスの流量を５０ｓｅｃｍ、及びキシレンガスの流量を
４５ｓｅｃｍとなるように設定して、主管（７３２）よ
り反応室（７３３）内へ流入した。流量が安定した後に
、反応室（７３３）内の圧力が０．７Ｔｏｒｒとなるよ
うに圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電性基
板（７５２）としては、樅５０Ｘ横５０×厚３ｍｍのア
ルミニウム基板を用いて、予め１００℃に加熱しておき
、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択ス
イッチ（７４４）により接続しておいた高周波電源（７
３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に１２０Ｗａ
ｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下で印加した。

このとき併せて接続しておいた直流電源（７４３）から
、バイアス電圧−８０［Ｖ］を同時に重畳印加した。こ
うして３０分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板
（７５２）上に厚き２５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層と
して形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節
弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−ＣｉにつきＣＨＮ定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して３７原子％であった。

ＣＧＬ（ａ−３ｉ）工程：本発明による電荷輸送層形成後、リークし試料を取り出
した。次いて別の真空蒸着装置を用いて、Ａ　ｓ　２　
Ｓ　ｅ　３を抵抗加熱法にて２μｍの膜厚と　　　゛な
るようにＣＴＬ工程で得られた電荷輸送層上に設けた。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ＋１０００Ｖを越える最高帯電電位が得られ、
このことから充分な帯電性能を有する事が理解された。

また、暗中にて＋６００Ｖから＋５５０Ｖにまで暗減衰
するのに要した時間は約４５秒であり、このことから充
分な電荷保持性能を有する事が理解された。また、＋５
００■に初期帯電した後、白色光を用いて＋１５０■ま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は約２゜５ルツ
クス・秒であり、このことから充分な光感度性能を有す
る事が理解された。

比較例１本発明に係わる製造装置を一部に用いて、第１図に示し
た如き、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順
に設けた感光体を作製した。

ＣＴＬ工程：通常市販されているポリスチレンフィルムの裏面にアル
ミニウムを蒸着し、導電性基板の代用とした。

ＣＧＬ工程：次いで、このフィルムを第７図に示した本発明に係わる
装置の導電性基板（７５２）として設置し、反応室（７
３３）内を充分に排気した。第１調節弁（７０７）　、
及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０
１）から水素ガス、及び第６タンク（７０６）からシラ
ンガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第６
流量制御器（７１３、及び７１８）内へ流入させた。各
流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２１０ｓ
ｅｃｍ、及びシランガスをの流量を９０ＳＣＣｍに設定
し、反応室（７３３）内に流入させた。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が１．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、ポリスチレン膜が設置されている導電
性基板（７５２）は、予め１５０℃に加熱しておき、ガ
ス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッ
チ（７４４）により接続しておいた高周波電源（７３９
）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７
３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発
生させな。この放電を１５分間行ない、厚ざｏ、３５μ
ｍのａ−Ｓｉ：Ｈ電荷発生層を形成した。

特性：得られた感光体は、高帯電能を示したが、照射光に対し
て全く明減衰を示ざず、感光体としての機能を全く有ざ
ないものであった。

比較例２本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に述べた如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程：第７図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部を１０−６程度の高真空にした後、
第１、及び第２調節弁（７０７、及び７０８）を解放し
、第１タンク（７０１）より水素ガス、及び第２タンク
（７０２）より直鎖状炭化水素であるエチレンガスを各
々出力圧１゜０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第２流量
制御器（７１３、及び７１４）内へ流入きせた。そして
各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスのａ、量を４
０ｓｅｃｍ、及びエチレンガスの流量を３０ｓｅｃｍと
なるように設定して、途中混合器（７３１）を介して、
主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各
々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力か
０．５Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調
整した。

一方、導電性基板（７５２）としては、樅５０×横５０
Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１００℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた
高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６
）に１００Ｗａししの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの
下で印加して約５時間プラズマ重合反応を行ない、導電
性基板（７５２）上に厚ざ７．０４ｍのａ　−ＣＩＦＪ
を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加
を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に
排気した。

以上のようにして得られたａ−ＣｍにつきＣＨＮ定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４５原子％であった。

ＣＧＬ（ａ−Ｓｉ）工程：次いで、第１調節弁（７０７）、及び第６調節弁（７１
２）を解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、及
び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫ
ｇ／ｃｍ”の下で第１、及び第６ｒＺ量制（押蓋（７１
３、及び７１８）内へ流入きせた。各流量制；押蓋の目
盛を調整して水素ガスの流量を２１０ｓｅｃｍ、及びシ
ランガスの流量を９０ｓｅｃｍに設定し、反応室（７３
３）内に◆ 流入させな。各々の流量か安定した後に、反応室（７３
３）内の圧力か１．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁
（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜か形成きれてい
る導電性基板（７５２）は、１５０℃に゛加熱しておき
、ガス流量及び圧力か安定した状態で、高周波電源（７
３９）　　より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加
電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー
放電を発生きせた。この放電を１５分間行ない、厚ざ０
゜３５μｍのａ−ｓｉ：）（電荷発生層を形成した。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ一６００Ｖ程度の吊高帯電電位が得られ、この
ことから充分な帯電性能を有する事か理解された。また
、暗中にて＋６００Ｖから＋５５０Ｖにまて暗減衰する
のに要した時間は約１５秒であり、このことから充分な
電荷保持性能を有する事が理解されｔこ。しかし、＋５
００Ｖに初期帯電した後、白色光を用いて＋１５０Ｖま
で明減衰きせたところ、低電場領域での明減衰特性が悪
く、即ち、所謂ＬＤＣの裾野が高く、必要とされた光景
は約８０ルツクス・秒であり、このことから光感度性能
に、不十分な点を有する事が理解さ°れｔ二。

以上より、本比較例に示した感光体は、電子写真感光体
として不十分な性能を有するものであり、また、この感
光体に対して常用のカールソンプロセスによる複写機の
中で、作像して転写したところ、所謂地肌カブリを有す
る画像しか得られなかった１、このことから、本発明に
よる環式炭化水素から形成されたａ　−Ｃ膜の優位性が
理解された。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明に係わる感光体の構成例を示
す図、第７図及び第８図は本発明に係わる感光体の製造
装置を示す図である。出願人　ミノルタカメラ味式会社第１図第３図第５図第２図第４図第６図

Claims

【特許請求の範囲】

電荷発生層と電荷輸送層とを少なくとも有する感光体に
おいて、該電荷輸送層は水素原子を全構成原子中に０．
１乃至６７原子％含み、環式炭化水素をプラズマ重合し
た非晶質炭素膜であることを特徴とする感光体。