JPS627119A - 多層構造アモルフアスシリコンカ−バイド膜 - Google Patents
多層構造アモルフアスシリコンカ−バイド膜Info
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- JPS627119A JPS627119A JP60144740A JP14474085A JPS627119A JP S627119 A JPS627119 A JP S627119A JP 60144740 A JP60144740 A JP 60144740A JP 14474085 A JP14474085 A JP 14474085A JP S627119 A JPS627119 A JP S627119A
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 25
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 24
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/15—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
- H01L29/151—Compositional structures
- H01L29/152—Compositional structures with quantum effects only in vertical direction, i.e. layered structures with quantum effects solely resulting from vertical potential variation
- H01L29/154—Compositional structures with quantum effects only in vertical direction, i.e. layered structures with quantum effects solely resulting from vertical potential variation comprising at least one long range structurally disordered material, e.g. one-dimensional vertical amorphous superlattices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＰ型アモルファスシリコンカーバイド膜に係り
、特に光学ギャップが広く、光導霞度の大きなＰ型アモ
ルファスシリコンカーバイド膜に関する。
、特に光学ギャップが広く、光導霞度の大きなＰ型アモ
ルファスシリコンカーバイド膜に関する。
結晶成長技術や非晶質薄膜成長技術の進歩によって材料
中の電子波長と同程度の膜厚１０〜３００Ａを持ついわ
ゆる超薄膜が形成可能となり、薄膜材料に二次元性が現
われ、この特徴を利用することが活発に研究開発されて
いる（特開昭５９−１４７９５７号公報および特開昭５
９−１４７５Ｊ１号公報参照）、この特徴を生かし人工
的に超薄膜を多層化していわゆる超格子を形成し、その
特徴を利用する種々の応用が考えられている。この場合
、不純物ドーピングによる超格子構造の形成や、超格子
構造への電導型制御用不純物深い準位形成用不純物、発
光中心形成用不純物のドーピングが活用されている。
中の電子波長と同程度の膜厚１０〜３００Ａを持ついわ
ゆる超薄膜が形成可能となり、薄膜材料に二次元性が現
われ、この特徴を利用することが活発に研究開発されて
いる（特開昭５９−１４７９５７号公報および特開昭５
９−１４７５Ｊ１号公報参照）、この特徴を生かし人工
的に超薄膜を多層化していわゆる超格子を形成し、その
特徴を利用する種々の応用が考えられている。この場合
、不純物ドーピングによる超格子構造の形成や、超格子
構造への電導型制御用不純物深い準位形成用不純物、発
光中心形成用不純物のドーピングが活用されている。
しかし超薄膜内や超格子各層内での不純物の分布の最適
化については配慮されていなかった。せいぜい膜厚方向
のバンド構造表現での電位分布を制御するための不純物
分布を考慮するものが全てであり、空乏層の制御等が目
的であった。
化については配慮されていなかった。せいぜい膜厚方向
のバンド構造表現での電位分布を制御するための不純物
分布を考慮するものが全てであり、空乏層の制御等が目
的であった。
また、せいぜい超奪膜や超格子のポテンシャル井戸内で
の量子化準位の制御が行なわれているにすぎなかった。
の量子化準位の制御が行なわれているにすぎなかった。
本発明の目的は、光学ギャップが広く光導霞度の大きな
Ｐ型で多層構造のアモルファスシリコンカーバイド層を
提供することにある。
Ｐ型で多層構造のアモルファスシリコンカーバイド層を
提供することにある。
通常、アモルファスシリコン太陽電池の光入射側Ｐ層に
はＢをドープしたＳｉＣが用いられているが、従来、該
Ｐ−８ｉＣはＣ量とＢ量により光学ギャップと光導霞度
が制御され、光学ギャップが広いものは光導霞度が小さ
いという問題点があった。太陽電池の短絡電流密度を増
加させるにはＰ層の光学ギャップを広くするか、２層膜
厚を薄くする必要がある。該２層膜厚を薄くしすぎると
開放電圧が低くなるため光学ギャップを広くすることは
太陽電池の高効率化にとって必須である。
はＢをドープしたＳｉＣが用いられているが、従来、該
Ｐ−８ｉＣはＣ量とＢ量により光学ギャップと光導霞度
が制御され、光学ギャップが広いものは光導霞度が小さ
いという問題点があった。太陽電池の短絡電流密度を増
加させるにはＰ層の光学ギャップを広くするか、２層膜
厚を薄くする必要がある。該２層膜厚を薄くしすぎると
開放電圧が低くなるため光学ギャップを広くすることは
太陽電池の高効率化にとって必須である。
しかし、光学ギャップを広くするためにカーボン添加量
を増すとボロンのドーピング効率が低下し光導霞度が小
さくなり、太陽電池の曲線因子が小さくなり光電変換効
率が低下する。
を増すとボロンのドーピング効率が低下し光導霞度が小
さくなり、太陽電池の曲線因子が小さくなり光電変換効
率が低下する。
したがって、光学ギャップが広くかつ光導霞度の大きな
Ｐ型膜が望まれていたが、Ｃ添加量が多い膜と少ない膜
を交互に重ねることにより作製した多層薄膜構造Ｐ型ア
モルファスシリコンカーバイド膜の光学ギャップが広く
、光導霞度が大きいことを見いだした。
Ｐ型膜が望まれていたが、Ｃ添加量が多い膜と少ない膜
を交互に重ねることにより作製した多層薄膜構造Ｐ型ア
モルファスシリコンカーバイド膜の光学ギャップが広く
、光導霞度が大きいことを見いだした。
以下、本発明の実施例を第１図〜第２図により説明する
。
。
実施例１゜
ガラス基板ｌｏ上にモノシラン（ＳｉＨ，）ガス、メタ
ン（ＣＨ，）ガスおよびジボラン（ＢＡＨ，）ガスの混
合ガスの高周波プラズマ分解法により多層薄膜構造のＰ
型ＳｉＣ膜１１〜１８を形成した。
ン（ＣＨ，）ガスおよびジボラン（ＢＡＨ，）ガスの混
合ガスの高周波プラズマ分解法により多層薄膜構造のＰ
型ＳｉＣ膜１１〜１８を形成した。
Ｂ、Ｈ，の添加量は０ 、５ ｐｐｍとした。１１，１
３゜１５および１７のＰ−８ｉＣ膜の膜厚は２０人、１
２．１４．１６および１８の膜厚は３０人、Ｘは０．８
とした、該Ｐ−８ｉＣ膜は全体として光学ギャップ２
，０５ｅＶ、光導霞度２ Ｘ １０−’Ω−１３−１を
示した。
３゜１５および１７のＰ−８ｉＣ膜の膜厚は２０人、１
２．１４．１６および１８の膜厚は３０人、Ｘは０．８
とした、該Ｐ−８ｉＣ膜は全体として光学ギャップ２
，０５ｅＶ、光導霞度２ Ｘ １０−’Ω−１３−１を
示した。
実施例２゜
ガラス基板２０上にモノシラン（Ｓ ｘ Ｈ４）ガスと
メタン（ＧＨ，）ガスの混合ガスの高周波プラズマ分解
法により多層薄膜構造の５ｉＣＦｓ２１〜２８を形成し
た。２１，２３，２５．２７および２９のＳｉＣ膜の膜
厚は２０人、Ｘは０．２ 。
メタン（ＧＨ，）ガスの混合ガスの高周波プラズマ分解
法により多層薄膜構造の５ｉＣＦｓ２１〜２８を形成し
た。２１，２３，２５．２７および２９のＳｉＣ膜の膜
厚は２０人、Ｘは０．２ 。
Ｂ、Ｈ，添加量はｌＰＰ−とし、２２，２４，２８およ
び２８のＳｉＣ膜厚は２０人、Ｘは０．８ とした、
該ＳｉＣは全体として光導霞度Ｉ Ｘ １０−’Ω−１
３−１、光学ギャップ２．’ｌｓＶ を示し、Ｐ型であ
った。
び２８のＳｉＣ膜厚は２０人、Ｘは０．８ とした、
該ＳｉＣは全体として光導霞度Ｉ Ｘ １０−’Ω−１
３−１、光学ギャップ２．’ｌｓＶ を示し、Ｐ型であ
った。
（発明の効果〕
本発明によれば、多層薄膜構造（超襦造）の特長を生か
すことができるので、光学ギャップが広く、光導霞度の
大きな、性能の秀れたＰ型アモルファスシリコンカーバ
イド層が得られるとの効果がある。
すことができるので、光学ギャップが広く、光導霞度の
大きな、性能の秀れたＰ型アモルファスシリコンカーバ
イド層が得られるとの効果がある。
第１および第２図はガラス基板上の多層薄膜構造のａ−
８ｉＣ膜の縦断面図である。
８ｉＣ膜の縦断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、１０〜１００Ａの厚さの膜を２層以上重ねたアモル
ファスシリコンカーバイド多層薄膜において、Ｃ量大な
る層と小なる層を交互に重ねたことを特徴とする多層構
造アモルファスシリコンカーバイド膜。 ２、上記Ｃ量小なる層にのみボロンドーピングを行なう
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層構造
アモルファスシリコンカーバイド膜。 ３、上記多層薄膜の各層をＳｉ＿１＿−＿ｘＣ＿ｘで表
わせば、Ｃ量大なる層はｘ＞０．５、Ｃ量小なる層はｘ
＜０．５であることを特徴とする特許請求の範囲第１も
しくは２項のいずれかに記載の多層構造アモルフアスシ
リコンカーバイド膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60144740A JPS627119A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 多層構造アモルフアスシリコンカ−バイド膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60144740A JPS627119A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 多層構造アモルフアスシリコンカ−バイド膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS627119A true JPS627119A (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=15369249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60144740A Pending JPS627119A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 多層構造アモルフアスシリコンカ−バイド膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS627119A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0276002A2 (en) * | 1987-01-23 | 1988-07-27 | Hosiden Corporation | Thin film transistor |
| JPH01280366A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-10 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光起電力素子 |
-
1985
- 1985-07-03 JP JP60144740A patent/JPS627119A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0276002A2 (en) * | 1987-01-23 | 1988-07-27 | Hosiden Corporation | Thin film transistor |
| JPH01280366A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-10 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光起電力素子 |
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