JPH01149485A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPH01149485A JPH01149485A JP62308009A JP30800987A JPH01149485A JP H01149485 A JPH01149485 A JP H01149485A JP 62308009 A JP62308009 A JP 62308009A JP 30800987 A JP30800987 A JP 30800987A JP H01149485 A JPH01149485 A JP H01149485A
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- amorphous semiconductor
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は光起電力装置に関する。
（ロ））従来の技術
透光性基板上に透明電極、非晶質シリコン層及び裏面電
極を順次積層した光起電力装置において、透明電極自体
の特性も重要であり、その抵抗値や光透過率の改善研究
が種々なされている。
極を順次積層した光起電力装置において、透明電極自体
の特性も重要であり、その抵抗値や光透過率の改善研究
が種々なされている。
酸化錫からなる透明電極にＦ等を添加することによりそ
の抵抗値の低下を図ることは既に知られているが（例え
ば特開昭５５−５８５６３号公報参照）、この様なＦ添
加は、光透過率や屈折率の低下を伴い好ましくない。
の抵抗値の低下を図ることは既に知られているが（例え
ば特開昭５５−５８５６３号公報参照）、この様なＦ添
加は、光透過率や屈折率の低下を伴い好ましくない。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
本発明は、抵抗値、透過率、屈折率共に良好な値を示し
、更には、入射光の有効利用に絡がる粗膜面をもった透
明電極構造を実現し、光起電力装置の特性向上を図った
ものである。
、更には、入射光の有効利用に絡がる粗膜面をもった透
明電極構造を実現し、光起電力装置の特性向上を図った
ものである。
に）問題点を解決するための手段
本発明の特徴は、透光性基板上に透明電極、非晶質半導
体層及び裏面電極を順次積層せる光起電力装置において
、前記透明電極は、Ｓｂ％ＦあるいはＢｉを添加した酸
化錫膜からなり、前記添加物の濃度は前記非晶質半導体
膜１１１１Ｃ向って漸減していることにある。
体層及び裏面電極を順次積層せる光起電力装置において
、前記透明電極は、Ｓｂ％ＦあるいはＢｉを添加した酸
化錫膜からなり、前記添加物の濃度は前記非晶質半導体
膜１１１１Ｃ向って漸減していることにある。
（ホ）作 用
本発明装置における透明電極は、基板側の高濃度添加領
域にて抵抗値の改善をもたらし、又非晶質シリコン層側
の低濃度添加領域にて光透過率、屈折率の低下防止及び
粗膜面効果をもたらす。
域にて抵抗値の改善をもたらし、又非晶質シリコン層側
の低濃度添加領域にて光透過率、屈折率の低下防止及び
粗膜面効果をもたらす。
（へ）実施例
第１図は本発明実施例の光起電力装置を示す。
（１）は屈折率ｔ５のガラスからなる透光性基板、（２
）は約８００ ｎｍの厚みを有する透明電極、（ｊ）は
下側から順に７００Ｘ厚みのＮ型、２５０δＡ厚みの１
型及び５ｏｏＸ厚みのＮ型の非晶質シリコンからなり、
屈折率３〜４の非晶質半導体層、（４）はＡＪからなる
裏面電極であり、これらは基板（１）上に順次堆積形成
される。
）は約８００ ｎｍの厚みを有する透明電極、（ｊ）は
下側から順に７００Ｘ厚みのＮ型、２５０δＡ厚みの１
型及び５ｏｏＸ厚みのＮ型の非晶質シリコンからなり、
屈折率３〜４の非晶質半導体層、（４）はＡＪからなる
裏面電極であり、これらは基板（１）上に順次堆積形成
される。
本発明の詳細な説明電極（２）は、添加物としてＦを含
み、その添加濃度は、第２図に示す如く、非晶質半導体
層（３）側に向って漸減している。尚同図にて縦軸目盛
りは、最大濃度を１として規格化した値を示す。
み、その添加濃度は、第２図に示す如く、非晶質半導体
層（３）側に向って漸減している。尚同図にて縦軸目盛
りは、最大濃度を１として規格化した値を示す。
この様な添加濃度を持つ透明電極（２）は、次のガス流
下での熱ＣＶＤ法（形成温度４５０℃）で作られる。
下での熱ＣＶＤ法（形成温度４５０℃）で作られる。
Ｓ ｎ（ｌ！ａ −・・・−・０．８ ｍｏｊ’％０２
・・・・・・・・・・・・１ ｍｏｌ！％ＨＦ・・・・
・・・・・・・・０〜２０ｍｏ７？％キャリアガス（Ｎ
２） この場合のＨＦガスの流量比は、第３図又は第４図のプ
ログラムに従りて、形成されつつある電極膜厚が４００
ｎｍまでは一定にし、その後、徐々に減じられる。
・・・・・・・・・・・・１ ｍｏｌ！％ＨＦ・・・・
・・・・・・・・０〜２０ｍｏ７？％キャリアガス（Ｎ
２） この場合のＨＦガスの流量比は、第３図又は第４図のプ
ログラムに従りて、形成されつつある電極膜厚が４００
ｎｍまでは一定にし、その後、徐々に減じられる。
上記透明電極の抵抗値は７〜１５Ω／口であり、十分低
く、又、光透過率は８０〜９０％、屈折率はｚＯ〜２．
１である。尚、透明電極（２）の全域に亘りて、本実施
例の最大濃度のＦ添加を行い、その他は本実施例と同一
構造となした光起電力装置（以下参考装置という）にお
いて、その透明電極の光透過率は７８〜８８％、屈折率
は１９〜２．０である。又透明電極膜（２）の粗膜面の
程度、即ち、膜表面の凹凸度はＳＥＭ写真による観察の
結果、上記参考装置の場合より若干改善されていること
が判った。屈折率や膜表面の凹凸度の改善は、透明電極
（２）より非晶質半導体層（３）に入った光の散乱効果
に寄与する。この光の散乱度をヘイズ率〔（散乱透過光
／全透過光）Ｘ１００］で表わすと、本実施例の場合、
８％、上記参考装置の場合人８％である。そしてこの様
な光の散乱は非晶質半導体層＋３１内での光路長の増大
に絡かり、光起電力装置の特性改善に貢献する。
く、又、光透過率は８０〜９０％、屈折率はｚＯ〜２．
１である。尚、透明電極（２）の全域に亘りて、本実施
例の最大濃度のＦ添加を行い、その他は本実施例と同一
構造となした光起電力装置（以下参考装置という）にお
いて、その透明電極の光透過率は７８〜８８％、屈折率
は１９〜２．０である。又透明電極膜（２）の粗膜面の
程度、即ち、膜表面の凹凸度はＳＥＭ写真による観察の
結果、上記参考装置の場合より若干改善されていること
が判った。屈折率や膜表面の凹凸度の改善は、透明電極
（２）より非晶質半導体層（３）に入った光の散乱効果
に寄与する。この光の散乱度をヘイズ率〔（散乱透過光
／全透過光）Ｘ１００］で表わすと、本実施例の場合、
８％、上記参考装置の場合人８％である。そしてこの様
な光の散乱は非晶質半導体層＋３１内での光路長の増大
に絡かり、光起電力装置の特性改善に貢献する。
本実施例の光起電力装置の特性は次の通りであり、０内
は、上記参考装置の特性に対する増加割合である。
は、上記参考装置の特性に対する増加割合である。
Ｉｓｃ −−・１４．５ ｍＡ （＋ ５％）Ｐｍａ
ｘ・−・ ８．５ｍＷ （＋５％）Ｖｏｃ ・・・
α８８ｖ（はソ±０％）ＦＦ・・・６６．８％（同上） 但し、ＡＭ−１照射時 上記実施例では、Ｆ添加を行ったが、その他８ｂ＋Ｂｉ
を添加しても同様の効果が得られ、例えば、ｓｂ添加の
場合には、本実砲例と同様のガス流量プログラムで、Ｈ
Ｆガスに代えて８ ｂ（ｌ！ｓガスが用いられる。
ｘ・−・ ８．５ｍＷ （＋５％）Ｖｏｃ ・・・
α８８ｖ（はソ±０％）ＦＦ・・・６６．８％（同上） 但し、ＡＭ−１照射時 上記実施例では、Ｆ添加を行ったが、その他８ｂ＋Ｂｉ
を添加しても同様の効果が得られ、例えば、ｓｂ添加の
場合には、本実砲例と同様のガス流量プログラムで、Ｈ
Ｆガスに代えて８ ｂ（ｌ！ｓガスが用いられる。
（ト）発明の効果
本発明によれば、透光性基板上に透明電極、非晶質半導
体層及び裏面電極を順次積層せる光起電力装置において
、その透明電極の特性が改良され、光起電力装置の特性
改善が果される。
体層及び裏面電極を順次積層せる光起電力装置において
、その透明電極の特性が改良され、光起電力装置の特性
改善が果される。
第１図は本発明実施例装置の断面図、２Ｊ２図はＦ添加
濃度分布図、ｔｌＩＪ５図及び第４図は添加ガス流量プ
ログラム図である。 ＋１）−・・透光性基板、 （２）・・・透明電極、
ｌ訃・・非晶質半導体層、 （朴・・裏面を極
濃度分布図、ｔｌＩＪ５図及び第４図は添加ガス流量プ
ログラム図である。 ＋１）−・・透光性基板、 （２）・・・透明電極、
ｌ訃・・非晶質半導体層、 （朴・・裏面を極
Claims (1)
- （１）透光性基板上に透明電極、非晶質半導体層及び裏
面電極を順次積層せる光起電力装置において、前記透明
電極はＳｂ、ＦあるいはＢｉを添加した酸化錫膜からな
り、前記添加物の濃度は前記非晶質半導体層側に向って
漸減していることを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308009A JP2675314B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308009A JP2675314B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149485A true JPH01149485A (ja) | 1989-06-12 |
| JP2675314B2 JP2675314B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=17975794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62308009A Expired - Fee Related JP2675314B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2675314B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001026161A1 (fr) * | 1999-10-05 | 2001-04-12 | Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. | Pile solaire a compose semiconducteur et procede de fabrication |
| US6518646B1 (en) * | 2001-03-29 | 2003-02-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor device with variable composition low-k inter-layer dielectric and method of making |
| EP1675185A1 (en) * | 2004-12-24 | 2006-06-28 | Samsung SDI Co., Ltd. | Transparent electrode having thermal stability, method of fabricating the same and dye-sensitized solar cell comprising the same |
| JP2007231361A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 透明電極膜の製膜方法及び太陽電池の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273782A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非晶質半導体太陽電池 |
| JPS63199863A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Asahi Glass Co Ltd | 透明性電導体 |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP62308009A patent/JP2675314B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273782A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非晶質半導体太陽電池 |
| JPS63199863A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Asahi Glass Co Ltd | 透明性電導体 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001026161A1 (fr) * | 1999-10-05 | 2001-04-12 | Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. | Pile solaire a compose semiconducteur et procede de fabrication |
| US6518646B1 (en) * | 2001-03-29 | 2003-02-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor device with variable composition low-k inter-layer dielectric and method of making |
| EP1675185A1 (en) * | 2004-12-24 | 2006-06-28 | Samsung SDI Co., Ltd. | Transparent electrode having thermal stability, method of fabricating the same and dye-sensitized solar cell comprising the same |
| US8053664B2 (en) | 2004-12-24 | 2011-11-08 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Transparent electrode having thermal stability, method of fabricating the same and dye-sensitized solar cell comprising the same |
| JP2007231361A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 透明電極膜の製膜方法及び太陽電池の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2675314B2 (ja) | 1997-11-12 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |