JPS6273782A - 非晶質半導体太陽電池 - Google Patents
非晶質半導体太陽電池Info
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- JPS6273782A JPS6273782A JP60214226A JP21422685A JPS6273782A JP S6273782 A JPS6273782 A JP S6273782A JP 60214226 A JP60214226 A JP 60214226A JP 21422685 A JP21422685 A JP 21422685A JP S6273782 A JPS6273782 A JP S6273782A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 claims abstract description 20
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 56
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 abstract description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 10
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 21
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- UHZYTMXLRWXGPK-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentachloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)(Cl)Cl UHZYTMXLRWXGPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150096839 Fcmr gene Proteins 0.000 description 1
- 229910008046 SnC14 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ソーダライムガラス基板の上に設けられた
非晶質半導体太陽電池に関する。
非晶質半導体太陽電池に関する。
非晶質半導体太陽電池は、第３図で示されたように、ソ
ーダライムガラス基板ｌの表面を。
ーダライムガラス基板ｌの表面を。
１０００人程度０厚さの５ｉｏ２１！Ｉからなるコーテ
イング膜２で覆った後、この上に透明電極３゜Ｐ型、■
型、Ｎ型の非晶質半導体層４及び背面電極５を順次設け
て作られている。例えば、上記コーテイング膜２の上に
ＳｎＯ２膜からなる透明電極３．非晶質シリコン層から
なる非晶質半導体層４及びアルミニウム膜からなる背面
電極５を順次設けて作られた太陽電池にあって。
イング膜２で覆った後、この上に透明電極３゜Ｐ型、■
型、Ｎ型の非晶質半導体層４及び背面電極５を順次設け
て作られている。例えば、上記コーテイング膜２の上に
ＳｎＯ２膜からなる透明電極３．非晶質シリコン層から
なる非晶質半導体層４及びアルミニウム膜からなる背面
電極５を順次設けて作られた太陽電池にあって。
透明電極３の厚みが０．４μｍ前後の場合８同電極３の
比抵抗は６ Ｘ １０−’ 〜５ Ｘ １０−３ΩＣ１
波長５５０ｎｍにおける光の透過率は、８０〜９０％で
あり。
比抵抗は６ Ｘ １０−’ 〜５ Ｘ １０−３ΩＣ１
波長５５０ｎｍにおける光の透過率は、８０〜９０％で
あり。
初期変換効率は８％前後である。
上記非晶質半導体太陽電池において、ソーダライムガラ
ス基板１の表面にコーティング膜２を施さず、直に透明
電極３を設けた場合、透明電極３の抵抗値が高くなり、
その光の透過率が低下する。また、これに伴って太陽電
池の変換効率も低下する。
ス基板１の表面にコーティング膜２を施さず、直に透明
電極３を設けた場合、透明電極３の抵抗値が高くなり、
その光の透過率が低下する。また、これに伴って太陽電
池の変換効率も低下する。
例えば、ソーダライムガラス基板１の上に。
直に透明電極３．非晶質半導体層４及び背面電極５を設
けて作られた上記と同様の太陽電池の場合、透明電極３
の比抵抗は、５Ｘ１０−３Ω口以上となり、光の透過率
も、上記のものに比べて５〜１０％低くなる。
けて作られた上記と同様の太陽電池の場合、透明電極３
の比抵抗は、５Ｘ１０−３Ω口以上となり、光の透過率
も、上記のものに比べて５〜１０％低くなる。
この発明は、従来の非晶質半導体太陽電池における上記
の問題点を解決するためなされたもので、ソーダライム
ガラス基板１の表面にコーテイング膜を施さず、同基板
１の上に直に透明電極３を設けて構成された非晶質半導
体太陽電池について、従来のものと同等の特性が得られ
るようにすることを目的とする。
の問題点を解決するためなされたもので、ソーダライム
ガラス基板１の表面にコーテイング膜を施さず、同基板
１の上に直に透明電極３を設けて構成された非晶質半導
体太陽電池について、従来のものと同等の特性が得られ
るようにすることを目的とする。
以下、この発明の構成を第１図の符号を引用しながら説
明すると、この発明による非晶質半導体太陽電池は、ソ
ーダライムガラス埃板１１の表面に５ｉ０２膜等のコー
テイング膜を施すことなく、その上に直に透明電極１３
を設け、この上に非晶質半導体層１４及び背面電極１５
を設けて構成されたものである。そして上記透明電極１
３は、Ｓｒｘに対してＦが１〜３ ａｔ、％含りされた
ＳｎＯ２膜１３ａと、Ｓｎに対してＳｂ、Ｐの少なくと
も一方が１〜３ ａｔ、％含有されたＳ ｎ ０２膜１
３ｂとからなるからなる。
明すると、この発明による非晶質半導体太陽電池は、ソ
ーダライムガラス埃板１１の表面に５ｉ０２膜等のコー
テイング膜を施すことなく、その上に直に透明電極１３
を設け、この上に非晶質半導体層１４及び背面電極１５
を設けて構成されたものである。そして上記透明電極１
３は、Ｓｒｘに対してＦが１〜３ ａｔ、％含りされた
ＳｎＯ２膜１３ａと、Ｓｎに対してＳｂ、Ｐの少なくと
も一方が１〜３ ａｔ、％含有されたＳ ｎ ０２膜１
３ｂとからなるからなる。
次にこの発明の実施例；５こついて説明・ｒる。
（実施例工）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｃｃ、 Ｓ
ｒｌＣｌａ ・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨ４Ｆを５
．２９ｇ溶解した原料液と、水１．５０ｃｃに、エチル
アルコールを１０ｃｃ、 ＳｎＣＩａ ・５Ｈ２０
を２５〔１ＳｂＣ１３を０．３２ ｇ及びＨＣＩを２ｃ
ｅ溶Ｐ！？、Ｉ−、た原料液を作った。ソーダライムガ
ラス基板１１をホットプレート上で４２０℃に加熱した
ま−１この片面に前者の原料液をスプレーし、Ｓｎに利
してＦが約２ ａｔ、％含まれた厚み約０．１μｍのＳ
ｎＯ２被Ｈ’ＪＬ３ａを設けた。続いて、このＳｎＯ２
被膜１３ａの上から後者の原料液をスプレーし、Ｓｎに
対してｓｂが約１ ａｔ、％含まれた厚み約０．３μＩ
のＳｎＯ２被膜１３ｂを設けた。
ｒｌＣｌａ ・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨ４Ｆを５
．２９ｇ溶解した原料液と、水１．５０ｃｃに、エチル
アルコールを１０ｃｃ、 ＳｎＣＩａ ・５Ｈ２０
を２５〔１ＳｂＣ１３を０．３２ ｇ及びＨＣＩを２ｃ
ｅ溶Ｐ！？、Ｉ−、た原料液を作った。ソーダライムガ
ラス基板１１をホットプレート上で４２０℃に加熱した
ま−１この片面に前者の原料液をスプレーし、Ｓｎに利
してＦが約２ ａｔ、％含まれた厚み約０．１μｍのＳ
ｎＯ２被Ｈ’ＪＬ３ａを設けた。続いて、このＳｎＯ２
被膜１３ａの上から後者の原料液をスプレーし、Ｓｎに
対してｓｂが約１ ａｔ、％含まれた厚み約０．３μＩ
のＳｎＯ２被膜１３ｂを設けた。
こうして設けられたＳｎＯ２被膜１３ａと同１３ｂから
なる透明電極の厚みは０．４μ−であり。
なる透明電極の厚みは０．４μ−であり。
そのシート抵抗は、２５Ω／口、波長５５０ｎｍにおけ
る光の平均透過率は、 ８７．６％であった。
る光の平均透過率は、 ８７．６％であった。
なお、シート抵抗は、４端子法により、透明電極１３の
上の２点間に一定電流を長し、その間の一定区間（距離
０．５ｍｍ）での電圧降下値をもとに求めた。また、光
の平均透過率は２次の方法で求めた。まず、透明電極１
３が設けられたソーダライムガラス基板１１と、透明電
極１３が設けられてない同じ厚みの基準となるガラス板
とに光を通過させ、光の波長を変えながら２通過光の光
量の比を求め、これから第２図のようなグラフを描く。
上の２点間に一定電流を長し、その間の一定区間（距離
０．５ｍｍ）での電圧降下値をもとに求めた。また、光
の平均透過率は２次の方法で求めた。まず、透明電極１
３が設けられたソーダライムガラス基板１１と、透明電
極１３が設けられてない同じ厚みの基準となるガラス板
とに光を通過させ、光の波長を変えながら２通過光の光
量の比を求め、これから第２図のようなグラフを描く。
次に、このグラフから１点線で示されたような最大透過
率と最小透過率の曲線を求め、これらの曲線から、光の
ｇｌｌ ５５０ｎｍ４こおける最大透過率Ｔｍａｘと最
小透過率Ｔ ｔｎ ｉ ｎを求める。そして、これらの
中間値を平均透過率として算出した。
率と最小透過率の曲線を求め、これらの曲線から、光の
ｇｌｌ ５５０ｎｍ４こおける最大透過率Ｔｍａｘと最
小透過率Ｔ ｔｎ ｉ ｎを求める。そして、これらの
中間値を平均透過率として算出した。
さらに、上記透明電極１３の上に、非晶質半導体層１４
として、それぞれ厚み１２０人、 ５０００人。
として、それぞれ厚み１２０人、 ５０００人。
３００人のＰ型、■型、Ｎ型からなる非晶質シリコン層
を設けた。続いて、この上に゛アルーニウムを真空蒸着
して背面電極１５を設け１面相０．１６ＣｒＡの非晶質
シリコン太陽電池を構成！、、、、 ｆ、。
を設けた。続いて、この上に゛アルーニウムを真空蒸着
して背面電極１５を設け１面相０．１６ＣｒＡの非晶質
シリコン太陽電池を構成！、、、、 ｆ、。
この太陽電池の初期変換効率は１（６１％で、え）った
。
。
（実施例２）
水１５０ｃｃ、に、エチルアルコール＄？１０ｃｃ、５
ｎＣ１，・５Ｈ２０を２５ｇ及ｌｌ′：さ１ＨａＦを２
゜６４に１１溶解した原料液と、水１．５０ｃ、ｃ、！
ご、１千ルアルーゴールを１０ｃｃ、５ｎＣ１ａ ・
５８２０を２５ｐ。
ｎＣ１，・５Ｈ２０を２５ｇ及ｌｌ′：さ１ＨａＦを２
゜６４に１１溶解した原料液と、水１．５０ｃ、ｃ、！
ご、１千ルアルーゴールを１０ｃｃ、５ｎＣ１ａ ・
５８２０を２５ｐ。
５ｂＣ１３を０．６４ ｇ及びＨＣＩを２ Ｃｃ １％
１％今゛（８，ゾＪ。
１％今゛（８，ゾＪ。
原料液を使用し、上記実施例と同様６、：： １．、、
−ｔ、−、・・−ダライムガラス基板１１の１３；’、
＋ Ｓ ｎ （ｑ、、一対シテＦが約１ ａｔ、％
含まれた厚み約０．１μｍのＳｎＯ２被膜１３ａと、Ｓ
ｎに対してｓｂが約２ ａｔ。
−ｔ、−、・・−ダライムガラス基板１１の１３；’、
＋ Ｓ ｎ （ｑ、、一対シテＦが約１ ａｔ、％
含まれた厚み約０．１μｍのＳｎＯ２被膜１３ａと、Ｓ
ｎに対してｓｂが約２ ａｔ。
％含まれた厚み約０．３μｍのＳｎＯ２被膜１３ｂとか
らなる厚み０．４μｍの透明電極１３を作った。
らなる厚み０．４μｍの透明電極１３を作った。
さらに、この上に上記実施例と同様の非晶質半導体層１
４と背面電極１５を設け、非晶質シリコン太陽電池を作
った。
４と背面電極１５を設け、非晶質シリコン太陽電池を作
った。
この実施例において、透明電極１３のシート抵抗は、３
２Ω／口、その平均透過率は、 ８５．０％であった。
２Ω／口、その平均透過率は、 ８５．０％であった。
また、太陽電池の初期変換効率は、８．１％であった。
（実施例３）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｃｃ、 Ｓ
ｎＣＩ ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨＡ Ｆを
７．５９ｇ熔解した原料液と、水１５０ｃｃに１エチル
アルコールを１０ｃｃ＋ ５ｎＣ１ｊ ・５Ｈ２０を
２５ｇ。
ｎＣＩ ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨＡ Ｆを
７．５９ｇ熔解した原料液と、水１５０ｃｃに１エチル
アルコールを１０ｃｃ＋ ５ｎＣ１ｊ ・５Ｈ２０を
２５ｇ。
５ｂＣ１３を０．９６ｇ及びＨＣＩを２ｃｃ溶解した原
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダライム
ガラス基板１１の上に、Ｓｎに対してＦが約３ａｔ、％
含まれた厚み約０．１μｍのＳｎＯ２被膜１３ａと、３
ｎに対してｓｂが約３ ａｔ。
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダライム
ガラス基板１１の上に、Ｓｎに対してＦが約３ａｔ、％
含まれた厚み約０．１μｍのＳｎＯ２被膜１３ａと、３
ｎに対してｓｂが約３ ａｔ。
％含まれた厚み約０．３μｍのＳｎＯ２被膜１３ｂとか
らなる厚み０．４μｍの透明電極１３を作った。
らなる厚み０．４μｍの透明電極１３を作った。
さらに、この上に上記実施例と同様の非晶質半導体Ｎ１
４と背面電極１５を設げ、非晶質シリコン太陽電池を作
った。
４と背面電極１５を設げ、非晶質シリコン太陽電池を作
った。
この実施例において、透明電極１３のシート抵抗は、２
０Ω／口、その平均透過率は、 ８４．５％であった。
０Ω／口、その平均透過率は、 ８４．５％であった。
また、太陽電池の初期変換効率は、８．２％であった。
（実施例４）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｃｃ、ＳｎＣ
１ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨ４Ｆを５．２９ｇ
溶解した原料液と、水１５０ｃｃに、エチルアルコール
を１０ｃｃ、 ５ｎＣ１，ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ
及びＰＣｌ５を１．３ｇ溶解した原料液を使用し、上記
実施例と同様にして、ソーダライムガラス基板１１の上
に、３ｎに対してＦが約２ ａｔ、％含まれた厚み約０
．１μｎ＋のＳｎＯ２被膜１３ａと。
１ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨ４Ｆを５．２９ｇ
溶解した原料液と、水１５０ｃｃに、エチルアルコール
を１０ｃｃ、 ５ｎＣ１，ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ
及びＰＣｌ５を１．３ｇ溶解した原料液を使用し、上記
実施例と同様にして、ソーダライムガラス基板１１の上
に、３ｎに対してＦが約２ ａｔ、％含まれた厚み約０
．１μｎ＋のＳｎＯ２被膜１３ａと。
Ｓｎに対してＰが約２．５ ａｔ、％含まれた厚み約０
．３μｍのＳｎＯ２被膜１３ｂとからなる厚み０．４μ
ｍの透明電極１３を作った。さらに、この上に上記実施
例と同様の非晶質半導体層１４と背面電極１５を設け、
非晶質シリコン太陽電池を作った。
．３μｍのＳｎＯ２被膜１３ｂとからなる厚み０．４μ
ｍの透明電極１３を作った。さらに、この上に上記実施
例と同様の非晶質半導体層１４と背面電極１５を設け、
非晶質シリコン太陽電池を作った。
この実施例において、透明電極１３のシート抵抗は、２
６Ω／口、その平均透過率は、 ８５．０％であった。
６Ω／口、その平均透過率は、 ８５．０％であった。
また、太陽電池の初期変換効率は、８．１％であ、った
。
。
（実施例５）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｃｃ、 Ｓ
ｎＣ１ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨ４Ｆを５．
２９ｇ溶解した原料液と、水１５０ｃｃに、エチルアル
コールを１．０ｃｃ、 ＳｎＣ１４・５Ｈ２０を２５
ｇ及びＰＣＩ５を０．５２ｇ熔解した原料液を使用し、
上記実施例と同様にシ２．て、ソーダライムガラス基板
１１のとに、Ｓｎに対してＦが約２ ａｔ、％含まれた
厚力約０．１μｍのＳ ｎ Ｏ２被１５１ｉ１３ａと。
ｎＣ１ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨ４Ｆを５．
２９ｇ溶解した原料液と、水１５０ｃｃに、エチルアル
コールを１．０ｃｃ、 ＳｎＣ１４・５Ｈ２０を２５
ｇ及びＰＣＩ５を０．５２ｇ熔解した原料液を使用し、
上記実施例と同様にシ２．て、ソーダライムガラス基板
１１のとに、Ｓｎに対してＦが約２ ａｔ、％含まれた
厚力約０．１μｍのＳ ｎ Ｏ２被１５１ｉ１３ａと。
Ｓｎに対して■）が約１ ｓｔ、％含まれた厚み約０．
３μｍのＳｎＯ２被股１３ｂとからなる厚み０．４μｌ
の透明電極工３を作った。さらに、この上に上記実施例
と同様の非晶質半導体Ｎ１４と背面型＆１５を設け、非
晶質シリコン太陽電池を作った。
３μｍのＳｎＯ２被股１３ｂとからなる厚み０．４μｌ
の透明電極工３を作った。さらに、この上に上記実施例
と同様の非晶質半導体Ｎ１４と背面型＆１５を設け、非
晶質シリコン太陽電池を作った。
この実施例において、透明電極１３のシート抵抗は、２
９Ω／口、その平均透過率は、 ８７．０％であった。
９Ω／口、その平均透過率は、 ８７．０％であった。
また、太陽電池の初期変換効率は、８．０％であった。
（実施例６）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｅｅ、ＳｎＣ
ｌ ４ ・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨａＦを２．６４
ｇ溶解した原料液と、水１５０ｃｃに、エチルアルコ
ールを１０ｃｃ、 ＳｎＣｌａ ・５Ｈ２０を２５
ｇ及びＰ Ｃ１５を０．５２ｇ溶解した原料液を使用し
、上記実施例と同様にして、ソーダライムガラス基板１
１の上に、３ｎに対してＦが約１ ａｔ、％含まれた
厚み約０．１μｍのＳｎＯ２被膜１３ａと。
ｌ ４ ・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨａＦを２．６４
ｇ溶解した原料液と、水１５０ｃｃに、エチルアルコ
ールを１０ｃｃ、 ＳｎＣｌａ ・５Ｈ２０を２５
ｇ及びＰ Ｃ１５を０．５２ｇ溶解した原料液を使用し
、上記実施例と同様にして、ソーダライムガラス基板１
１の上に、３ｎに対してＦが約１ ａｔ、％含まれた
厚み約０．１μｍのＳｎＯ２被膜１３ａと。
Ｓｎに対してＰが約１ ａｔ、％含まれた厚み約０．
３μｍのＳｎＯ２被膜１３ｂとからなる厚み０．４μｍ
の透明電極１３を作った。さらに、この上に上記実施例
と同様の非晶質半導体層１４と背面電極１５を設け、非
晶質シリコン太陽電池を作った。
３μｍのＳｎＯ２被膜１３ｂとからなる厚み０．４μｍ
の透明電極１３を作った。さらに、この上に上記実施例
と同様の非晶質半導体層１４と背面電極１５を設け、非
晶質シリコン太陽電池を作った。
この実施例において、透明電極１３のシート抵抗は、３
８Ω／口、その平均透過率は、 ８８．０％であった。
８Ω／口、その平均透過率は、 ８８．０％であった。
また、太陽電池の初期変換効率は、８．０％であった。
（実施例７）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｃｃ、３ＨＣ
Ｉ ４ ・５Ｈ２０を２５ｇ、ＮＨａ Ｆを２．６５
ｇ。
Ｉ ４ ・５Ｈ２０を２５ｇ、ＮＨａ Ｆを２．６５
ｇ。
５ｂＣ１，を０．４８ｇ及びＭＣＩを２ｃｃ溶解した原
料液と、水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｃｃ
、５ｎＣ１ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ、５ｂＣ１３を０
．６４ ｇ及びＨＣＩを２ｃｃ溶解した原料液を使用し
、上記実施例と同様にして、ソーダライムガラス基板１
１の上に＋Ｓｎに対してＦが約１ｓｔ、％、ｓｂが約３
ａｔ、％含まれた厚み約ｏ、ｉｐｍのＳｎＯ２被膜１
３ａと、Ｓｎに対してｓｂが約２ ａｔ、％含まれた厚
み約０．３μｍのＳｎＯ２被膜１３ｂとからなる厚み０
．４μｍの透明電極１３を作った。さらに、この上に上
記実施例と同様の非晶質半導体層１４と背面電極１５を
設け、非晶質シリコン太陽電池を作った。
料液と、水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｃｃ
、５ｎＣ１ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ、５ｂＣ１３を０
．６４ ｇ及びＨＣＩを２ｃｃ溶解した原料液を使用し
、上記実施例と同様にして、ソーダライムガラス基板１
１の上に＋Ｓｎに対してＦが約１ｓｔ、％、ｓｂが約３
ａｔ、％含まれた厚み約ｏ、ｉｐｍのＳｎＯ２被膜１
３ａと、Ｓｎに対してｓｂが約２ ａｔ、％含まれた厚
み約０．３μｍのＳｎＯ２被膜１３ｂとからなる厚み０
．４μｍの透明電極１３を作った。さらに、この上に上
記実施例と同様の非晶質半導体層１４と背面電極１５を
設け、非晶質シリコン太陽電池を作った。
この実施例において、透明電極１３のシーＩ−抵抗は、
３４Ω／口、その平均透過率は、８４．５％であった。
３４Ω／口、その平均透過率は、８４．５％であった。
また、太陽電池の初期変換効率は、８．２％であった。
（実施例８）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１Ｑｃｃ、ＳｎＣ
１ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ、ＮＨａ Ｆを５．２９ｇ
及びＨＢｒを３ｃｃ溶解した原料液と、水１．５０ｃｃ
に。
１ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ、ＮＨａ Ｆを５．２９ｇ
及びＨＢｒを３ｃｃ溶解した原料液と、水１．５０ｃｃ
に。
エチルアルコールを１０ｃｃ、 ＳｎＣｌａ ・５
Ｈ２０を２５ｇ及びＰ Ｃ１，５を０．５ｇ溶解した原
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダライム
ガラス基板１１の上に、Ｓｎに対してＦが約２ ａｔ、
％、Ｂｒが約０．６ ａｔ、％含まれた厚み約０、Ｌｃ
ｒｍのＳｎＯ２被膜１３ａと、Ｓｎに対してＰが約１
ｓｔ、％含まれた厚み約０．３μＩのＳｎＯ２被膜１３
ｂとからなる厚み０．４μｍの透明電極１３を作った。
Ｈ２０を２５ｇ及びＰ Ｃ１，５を０．５ｇ溶解した原
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダライム
ガラス基板１１の上に、Ｓｎに対してＦが約２ ａｔ、
％、Ｂｒが約０．６ ａｔ、％含まれた厚み約０、Ｌｃ
ｒｍのＳｎＯ２被膜１３ａと、Ｓｎに対してＰが約１
ｓｔ、％含まれた厚み約０．３μＩのＳｎＯ２被膜１３
ｂとからなる厚み０．４μｍの透明電極１３を作った。
さらに、この上に上記実施例さ同様の非晶質半導体理工
４と背面電極１５を設け。
４と背面電極１５を設け。
非晶質シリコン太陽電池を作った。
この実施例において、透明電極１３のシート抵抗は、２
４Ω／口、その平均透過率は、 ８８．５％であった。
４Ω／口、その平均透過率は、 ８８．５％であった。
また、太陽電池の初期変換効率は、８．１％であった。
以上の結果をまとめると、下表の通りである。
この発明において、透明電極１３に含まれるＦやｓｂま
たはＢｒの含有量は、上記実施例を含む幾つかの実験等
に基づいて定められたものであるが、これら含有量が上
記のように定められた理由の概要を述べると９次の通り
である。
たはＢｒの含有量は、上記実施例を含む幾つかの実験等
に基づいて定められたものであるが、これら含有量が上
記のように定められた理由の概要を述べると９次の通り
である。
（１）透明電極１３を構成する下層のＳｎＯ２股１３ａ
に含まれるＦが、Ｓｎに対してｌ ａｔ、％未満では、
透明電極１３の抵抗値が高くなり、太陽電池の変換効率
が低下する。
に含まれるＦが、Ｓｎに対してｌ ａｔ、％未満では、
透明電極１３の抵抗値が高くなり、太陽電池の変換効率
が低下する。
また、Ｆが、Ｓｎに対して３ ａｔ、％を越えると、透
明電極１３の光の透過率が低下し、やはり太陽電池の変
換効率が低下する。
明電極１３の光の透過率が低下し、やはり太陽電池の変
換効率が低下する。
（２）透明電極１３を構成する上層のＳｎＯ２膜１３ｂ
に含まれるＳｂ、Ｐの少なくとも一方が。
に含まれるＳｂ、Ｐの少なくとも一方が。
Ｓｎに対して１ ａｔ、％未満では、透明電極１３の抵
抗値が高くなり、太陽電池の変換効率が低下する。
抗値が高くなり、太陽電池の変換効率が低下する。
また、これらが、Ｓｎに対して３ ａｔ、％を越えると
、透明電極１３の光の透過率が急激に低下し、太陽電池
の変換効率が低下する。
、透明電極１３の光の透過率が急激に低下し、太陽電池
の変換効率が低下する。
なお、実施例７，８のように、Ｆを含んだＳｎＯ２膜１
３ａには、Ｓｂ、Ｂｒの少なくとも一方を含ませること
もできる。これらＳｂ。
３ａには、Ｓｂ、Ｂｒの少なくとも一方を含ませること
もできる。これらＳｂ。
Ｂｒの含有量は、Ｓｎに対して０．５〜３ ａｔ、％の
範囲が適当である。
範囲が適当である。
以上説明した通り、この発明によれば、ソーダライムガ
ラス基板１１の表面に５ｉ０２膜のコーテイング膜を施
さず、この上に直に透明電極１３を設けて構成されノ、
二非晶５８Ｔ′平導体太陽電池において、従来課題とな
っていた。透明電極１３の抵抗値の増大、透過率の低下
といった問題が解消される。これによって、ソーダラ・
イムガラス基板の表面にコーテイング膜を施す必要がな
くなるという効果が得られる。
ラス基板１１の表面に５ｉ０２膜のコーテイング膜を施
さず、この上に直に透明電極１３を設けて構成されノ、
二非晶５８Ｔ′平導体太陽電池において、従来課題とな
っていた。透明電極１３の抵抗値の増大、透過率の低下
といった問題が解消される。これによって、ソーダラ・
イムガラス基板の表面にコーテイング膜を施す必要がな
くなるという効果が得られる。
第１図は、この発明の実施例を示す非晶質半導体太陽電
池の概念図、第２図は透明電極の光の透過率と光の波長
との関係を示すグラフ、第３図は非晶質半導体太陽電池
の従来例を示す概念図である。 １トーソーダライムガラス基板 １３−透明電極１３ａ
、 １３ｂ −−８ｎ Ｏ２膜 １４−非晶質半導体
層１５−・背面電極 発明者 三宿 俊雄 同 上 藤 巻 ゆき子 同 上 飯１）英世
池の概念図、第２図は透明電極の光の透過率と光の波長
との関係を示すグラフ、第３図は非晶質半導体太陽電池
の従来例を示す概念図である。 １トーソーダライムガラス基板 １３−透明電極１３ａ
、 １３ｂ −−８ｎ Ｏ２膜 １４−非晶質半導体
層１５−・背面電極 発明者 三宿 俊雄 同 上 藤 巻 ゆき子 同 上 飯１）英世
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ソーダライムガラス基板１１の上に、透明電極１３
、非晶質半導体層１４、背面電極１５が順次設けられた
非晶質半導体太陽電池において、ソーダライムガラス基
板１１の上に直に透明電極１３が設けられ、この透明電
極１３が、Ｓｎに対してＦが１〜３ａｔ．％含有された
ＳｎＯ＿２膜１３ａと、Ｓｎに対してＳｂ、Ｐの少なく
とも一方が１〜３ａｔ．％含有されたＳｎＯ＿２１３ｂ
膜とからなるからなることを特徴とする非晶質半導体太
陽電池。 ２、Ｆを１〜３ａｔ．％含有したＳｎＯ＿２膜１３ａが
、Ｓｂ、Ｂｒの少なくとも一方を０．５〜３ａｔ．％含
有している特許請求の範囲第１項記載の非晶質半導体太
陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214226A JPS6273782A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 非晶質半導体太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214226A JPS6273782A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 非晶質半導体太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273782A true JPS6273782A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH0564869B2 JPH0564869B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=16652284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60214226A Granted JPS6273782A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 非晶質半導体太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273782A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0305928A2 (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Solarex Corporation | Method of depositing textured tin oxide |
| JPS6472570A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Sanyo Electric Co | Photovoltaic device |
| JPH01149485A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| US5091764A (en) * | 1988-09-30 | 1992-02-25 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a transparent electrode and amorphous semiconductor layers |
| WO2019146120A1 (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-01 | 株式会社 東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
| WO2019146119A1 (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-01 | 株式会社 東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60214226A patent/JPS6273782A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0305928A2 (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Solarex Corporation | Method of depositing textured tin oxide |
| JPS6472570A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Sanyo Electric Co | Photovoltaic device |
| JPH01149485A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| US5091764A (en) * | 1988-09-30 | 1992-02-25 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a transparent electrode and amorphous semiconductor layers |
| WO2019146120A1 (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-01 | 株式会社 東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
| WO2019146119A1 (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-01 | 株式会社 東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
| JPWO2019146119A1 (ja) * | 2018-01-29 | 2020-02-06 | 株式会社東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
| JPWO2019146120A1 (ja) * | 2018-01-29 | 2020-02-06 | 株式会社東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
| US11557688B2 (en) | 2018-01-29 | 2023-01-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and solar power generation system |
| US11563132B2 (en) | 2018-01-29 | 2023-01-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0564869B2 (ja) | 1993-09-16 |
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